JP4729825B2 - Image sensor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、TVカメラなどに使用される撮像素子に関し、さらに詳しくは、撮像素子を構成する半導体チップの表面電極にインナーリードを接合するとともに、半導体チップの撮像用の光学面を透明保護部材でカバーしてパッケージングするようにした撮像素子の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
撮像素子において、その撮像領域には、入射される光を撮像画素構成用のフォトセンサ部に向け集光するためのオンチップレンズが設けられ、さらに、このオンチップレンズを保護するために撮像素子の撮像領域をガラス等の透明保護部材によりカバーする構造になっている。
この透明保護部材を撮像素子に接着する手法としては、撮像素子のオンチップレンズを含む表面全域に透明な樹脂材を塗布し、この樹脂材により透明保護部材を撮像素子に貼り付けるようにしている。この場合、オンチップレンズと樹脂材との屈折率が近似しているため、オンチップレンズの集光作用が樹脂材によって悪化されてしまう。
そこで、撮像素子の撮像領域を除いた撮像素子の非撮像領域に相当する周辺部分に樹脂材を塗布し、この樹脂材により透明保護部材を撮像素子に貼り付け、撮像素子のオンチップレンズと透明部材部材との間に空間を形成するようにしている。
【0003】
以下、図3及び図4により従来の撮像素子について説明する。
図3は従来における撮像素子の平面図、図4はその側面図である。
図3及び図4において、撮像素子30は、これを構成する方形状の半導体チップ32を有し、この半導体チップ32の中央には、方形状の撮像領域321が設けられ、半導体チップ32の周辺には撮像領域321を取り囲むようにして非撮像領域322が設けられている。
前記撮像領域321には、半導体チップ32にマトリクス状に設けられた図示省略の各フォトセンサ部に向けて入射光を集光するためのオンチップレンズ323が設けられている。また、前記非撮像領域322の相対向する辺には、半導体チップ32の各表面電極325に接続された複数のインナーリード324が半導体チップ32外へ突出して設けられている。
【0004】
図4において、34は半導体チップ32の撮像領域321及び非撮像領域322を覆うガラス等の透明保護部材であり、この透明保護部材34は、非撮像領域322に塗布した透明な樹脂材36により半導体チップ32に接着されている。この場合、インナーリード324は半導体チップ32と透明保護部材34により挟持された状態となり、そして、半導体チップ32の非撮像領域322と透明保護部材34間の隙間は樹脂材36硬化することにより封止される構成になっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このように構成された従来の撮像素子では、半導体チップ32のオンチップレンズ323と透明部材部材34との間に空間が形成されるため、この空間を介して対向するオンチップレンズ323の集光作用が悪化されることがない。
しかしながら、透明部材部材34の貼り付け時に、インナーリード324がない非撮像領域322の辺に塗布された樹脂材36Aは図4に示すように透明部材部材34と半導体チップ32間の隙間を通してオンチップレンズ323側へ流動し、オンチップレンズ323の周辺部分を部分的に覆ってしまう。その結果、この部分のレンズ集光作用が悪化し、感度も低下するという問題がある。
そこで、半導体チップ32の周辺部における樹脂材ののり代を一定以上設けるか、または樹脂材36を一度仮硬化させて樹脂材の広がりを抑えた後に透明保護部材34を接着するようにしている。
しかし、一定以上ののり代を設けることは、半導体チップ32が大きくなって撮像素子が大型化する問題がある。また、樹脂材36を一度仮硬化させると、その濡れ性が低下するため、透明保護部材34との接着部分にエアパスが生じ易くなり、このエアパスから空気中の水分が浸入して撮像素子を腐食させるなどの問題があるほか、塵埃が侵入した場合には影を作ってしまう問題がある。
【0006】
本発明は、上述のような問題を解決するためになされたもので、透明保護部材の貼り付け時に半導体チップの周辺部に塗布された樹脂材が半導体チップの撮像領域へ侵入するのを未然に防止し、小型化を可能にした撮像素子を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、撮像領域及び前記撮像領域の周囲を取り囲むように設けられた非撮像領域を有する半導体チップと、前記非撮像領域の一部に前記非撮像領域の長手方向に所定の間隔をおいて設けられた複数の表面電極と、前記各表面電極にそれぞれ接続された複数のインナーリードと、前記撮像領域に設けられ前記撮像領域への入射光を集光する光学部材と、前記光学部材の上面を覆うように前記インナーリードを含む前記半導体チップ上に重ね合わされ、前記非撮像領域に塗布された封止兼用の樹脂材により接着される薄板状の透明保護部材とを備える撮像素子において、前記インナーリードが設けられない前記非撮像領域と前記非撮像領域に対向する前記透明保護部材との間に前記樹脂材の前記光学部材への流動を抑止する抑止部材を介在し、前記抑止部材は、前記インナーリードと同一の厚さを有するダミーリードからなり、前記ダミーリードの一端は前記非撮像領域と前記透明保護部材との間に介在され、前記ダミーリードの他端は前記半導体チップ外へ突出されるように構成したことを特徴とする。
【0008】
本発明においては、半導体チップにおいてインナーリードが設けられない非撮像領域とこれに対向する透明保護部材との間に抑止部材が介在されているから、この抑止部材により、塗布樹脂材が半導体チップの撮像領域へ侵入するのを未然に防止できる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明かかる撮像素子の平面図、図4はその側面図である。
【0010】
図1及び図2において、撮像素子10は、これを構成する方形状の半導体チップ12を有し、この半導体チップ12の中央には、方形状の撮像領域121が設けられ、半導体チップ12の周辺には撮像領域121を取り囲むようにして非撮像領域122が設けられている。
前記撮像領域121には、半導体チップ12にマトリクス状に設けられた図示省略の各フォトセンサ部に向けて入射光を集光するためのオンチップレンズ(請求項に記載した光学部材に相当する)123が設けられている。また、前記半導体チップ12の長尺側における非撮像領域122Aの相対向する両方の辺には、非撮像領域122Aの長手方向に所定の間隔をおいて複数の表面電極125が設けられ、この各表面電極125にはインナーリード124の一端それぞれ接続され、各インナーリード124の他端は半導体チップ12外へ突出されている。
【0011】
図2において、14は半導体チップ12の撮像領域121及び非撮像領域122を覆うガラス等の透明保護部材であり、この透明保護部材14は、非撮像領域122に塗布した透明な樹脂材16により半導体チップ12の非撮像領域122に接着されている。この場合、インナーリード124は半導体チップ12と透明保護部材14により挟持された状態となり、そして、半導体チップ12の非撮像領域122と透明保護部材14間の隙間は透明樹脂材16により封止される構成になっている。
【0012】
また、インナーリード124が設けられない半導体チップ12の短尺側における非撮像領域122Bの相対向する両方の辺と、これに対向する透明保護部材14との間には、塗布された流動性樹脂材16のオンチップレンズ123への流動を抑止する抑止部材18が介在されている。
前記抑止部材18は、インナーリード124と同一厚さ及び同一形状の複数のスペーサ片、すなわちダミーリード181からなり、このダミーリード181の一端は、インナーリード124が設けられない非撮像領域122と、これに対向する透明保護部材14との間に非撮像領域122の長手方向に所定の間隔を置いて平行に並べた状態で介在され、樹脂材16の硬化により固定される。そして、ダミーリード181の他端は半導体チップ12外へ突出されている。
【0013】
上記ダミーリード181には、インナーリード124と同様な銅や42アロイなどの材質が使用される。また、このダミーリード181の形状や材質は熱収縮率がインナーリード124とほぼ同じであれば、他のものであってもよい。この場合、塗布される樹脂材16との密着性を考慮する必要がある。
また、この実施の形態におけるインナーリード124及びダミーリード181の配列間隔は0.5mm程度であるが、毛細管現象により必要な箇所に樹脂材16が入り込み得る間隔に設定されている。そして、この間隔は、半導体チップ12と透明保護部材14間の隙間及び樹脂材16の粘度とチクソ性によって変化される。
【0014】
なお、前記樹脂材16は、透明保護部材14の貼り付けに際し塗布された時は流動性を有し、これにより、非撮像領域122に対応する半導体チップ12と透明保護部材14間の隙間やインナーリード124及びダミーリード181の隙間に毛細管現象で容易に侵入できるようにし、そして、流動性の樹脂材16が必要なところまで侵入された時点で、この樹脂材を熱や紫外線などにより硬化させ封止するようになっている。
【0015】
このように構成された撮像素子によれば、半導体チップ12においてインナーリード124が設けられない短尺側の非撮像領域122の相対向する両方の辺122Bと、これに対向する透明保護部材14との間に複数のダミーリード181を所定の間隔で配列してなる抑止部材18を挟み込んだ構成にしたので、このダミーリード181によって、塗布された樹脂材16がオンチップレンズ123へ流動し侵入されるのを抑止することができる。これにより、透明保護部材14の貼り付け時に半導体チップ12の周辺部に塗布された樹脂材16が半導体チップ12の撮像領域へ侵入するのを未然に防止することができるとともに、樹脂材16ののり代が小さくて済み、半導体チップ12が小さくなって撮像素子を小型化することができる。
【0016】
また、この実施の形態によれば、ダミーリード181の厚さがインナーリード124の厚さと同一になっているため、透明保護部材14の平面度が改善され、かつ撮像素子の寸法精度を向上できる。
また、ダミーリード181をグランドに接続することにより、撮像素子の静電強度を向上できるとともに、撮像素子の除電効果により浮遊ダストの吸着を低減できる。さらに、ダミーリード181を電源ラインとして使用することにより撮像素子の耐ノイズ性を向上できる。
【0017】
なお、上記実施の形態では、半導体チップ12の長尺側における非撮像領域122の相対向する両方の辺122Aにインナーリード124を有する撮像素子について説明したが、本発明はこれに限定されず、半導体チップ12の1つの辺にインナーリードを有するシングルラインタイプの撮像素子にも適用することができる。
【0018】
【発明の効果】
以上のように、本発明にかかる撮像素子によれば、透明保護部材の貼り付け時に半導体チップの周辺部に塗布された樹脂材が半導体チップの撮像領域へ侵入するのを未然に防止できるとともに、撮像素子の小型化を容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明かかる撮像素子の平面図である。
【図2】図1の側面図である。
【図3】従来における撮像素子の平面図である。
【図4】図3の側面図である。
【符号の説明】
10……撮像素子、12……半導体チップ、121……撮像領域、122……非撮像領域、123……オンチップレンズ、124……インナーリード、125……表面電極、14……透明保護部材、16……樹脂材、18……抑止部材、181……ダミーリード。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an image pickup device used for a TV camera or the like, and more specifically, an inner lead is bonded to a surface electrode of a semiconductor chip constituting the image pickup device, and an optical surface for image pickup of the semiconductor chip is made of a transparent protective member. The present invention relates to an improvement of an imaging element that is covered and packaged.
[0002]
[Prior art]
In the imaging device, an on-chip lens for condensing incident light toward a photosensor unit for imaging pixel configuration is provided in the imaging region, and the imaging device is further provided to protect the on-chip lens. The imaging region is covered with a transparent protective member such as glass.
As a method for adhering the transparent protective member to the image pickup element, a transparent resin material is applied to the entire surface including the on-chip lens of the image pickup element, and the transparent protective member is attached to the image pickup element with the resin material. . In this case, since the refractive indexes of the on-chip lens and the resin material are approximate, the condensing action of the on-chip lens is deteriorated by the resin material.
Therefore, a resin material is applied to the peripheral portion corresponding to the non-imaging area of the imaging element excluding the imaging area of the imaging element, and a transparent protective member is attached to the imaging element with this resin material, and the on-chip lens of the imaging element is transparent. A space is formed between the member members.
[0003]
Hereinafter, a conventional image sensor will be described with reference to FIGS.
FIG. 3 is a plan view of a conventional image sensor, and FIG. 4 is a side view thereof.
3 and 4, the
The
[0004]
In FIG. 4, reference numeral 34 denotes a transparent protective member such as glass that covers the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional imaging device configured as described above, since a space is formed between the on-
However, when the transparent member 34 is attached, the resin material 36A applied to the side of the
In view of this, a certain amount of resin material is provided in the periphery of the semiconductor chip 32, or the
However, providing a certain amount or more of the allowance has a problem that the semiconductor chip 32 becomes large and the image pickup device becomes large. In addition, once the
[0006]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is possible to prevent the resin material applied to the periphery of the semiconductor chip from entering the imaging area of the semiconductor chip when the transparent protective member is attached. An object of the present invention is to provide an imaging device that can be prevented and miniaturized.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides an imaging region and a semiconductor chip having a non-imaging region provided so as to surround the imaging region, and a longitudinal direction of the non-imaging region in a part of the non-imaging region A plurality of surface electrodes provided at predetermined intervals, a plurality of inner leads connected to each of the surface electrodes, and an optical member provided in the imaging region and collecting incident light to the imaging region And a thin plate-like transparent protective member that is overlaid on the semiconductor chip including the inner lead so as to cover the upper surface of the optical member, and is bonded by a sealing and resin material applied to the non-imaging region. In the imaging device provided, the resin material flows to the optical member between the non-imaging region where the inner lead is not provided and the transparent protective member facing the non-imaging region. Interposed suppression member for locking, the restraining member is made of a dummy lead having the same thickness and the inner lead, one end of the dummy lead is interposed between the transparent protective member and the non-imaging area, The other end of the dummy lead is configured to protrude out of the semiconductor chip .
[0008]
In the present invention, since the deterring member is interposed between the non-imaging region where the inner lead is not provided in the semiconductor chip and the transparent protective member facing the non-imaging region, the deterring member causes the coating resin material to be the semiconductor chip. Intrusion into the imaging area can be prevented in advance.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view of an image sensor according to the present invention, and FIG. 4 is a side view thereof.
[0010]
In FIG. 1 and FIG. 2, the
In the
[0011]
In FIG. 2, reference numeral 14 denotes a transparent protective member such as glass that covers the
[0012]
Further, a fluid resin material applied between the opposite sides of the
The restraining
[0013]
The
In addition, the arrangement interval of the inner leads 124 and the dummy leads 181 in this embodiment is about 0.5 mm, but is set to an interval at which the
[0014]
Note that the
[0015]
According to the imaging element configured as described above, the
[0016]
Further, according to this embodiment, since the thickness of the
Further, by connecting the
[0017]
In the above-described embodiment, the imaging element having the inner leads 124 on both
[0018]
【The invention's effect】
As described above, according to the imaging device according to the present invention, the resin material applied to the peripheral portion of the semiconductor chip when the transparent protective member is attached can be prevented from entering the imaging area of the semiconductor chip. Miniaturization of the image sensor can be easily realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of an image sensor according to the present invention.
FIG. 2 is a side view of FIG.
FIG. 3 is a plan view of a conventional image sensor.
4 is a side view of FIG. 3. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記非撮像領域の一部に前記非撮像領域の長手方向に所定の間隔をおいて設けられた複数の表面電極と、
前記各表面電極にそれぞれ接続された複数のインナーリードと、
前記撮像領域に設けられ前記撮像領域への入射光を集光する光学部材と、
前記光学部材の上面を覆うように前記インナーリードを含む前記半導体チップ上に重ね合わされ、前記非撮像領域に塗布された封止兼用の樹脂材により接着される薄板状の透明保護部材とを備える撮像素子において、
前記インナーリードが設けられない前記非撮像領域と前記非撮像領域に対向する前記透明保護部材との間に前記樹脂材の前記光学部材への流動を抑止する抑止部材を介在し、
前記抑止部材は、前記インナーリードと同一の厚さを有するダミーリードからなり、
前記ダミーリードの一端は前記非撮像領域と前記透明保護部材との間に介在され、前記ダミーリードの他端は前記半導体チップ外へ突出されるように構成した
ことを特徴とする撮像素子。A semiconductor chip having an imaging area and a non-imaging region provided so as to surround the periphery of the imaging area,
A plurality of surface electrodes disposed at predetermined intervals in the longitudinal direction of the non-imaging area in a part of the non-imaging area,
A plurality of inner leads respectively connected to the surface electrodes;
An optical member for condensing the incident light to the imaging area provided in the imaging area,
An imaging device comprising: a thin plate-like transparent protective member that is overlaid on the semiconductor chip including the inner lead so as to cover an upper surface of the optical member and is bonded by a sealing resin material applied to the non-imaging region. In the element
A deterring member that inhibits the flow of the resin material to the optical member is interposed between the non-imaging region where the inner lead is not provided and the transparent protective member facing the non-imaging region ;
The restraining member is a dummy lead having the same thickness as the inner lead,
An imaging device, wherein one end of the dummy lead is interposed between the non-imaging region and the transparent protective member, and the other end of the dummy lead protrudes out of the semiconductor chip .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001248086A JP4729825B2 (en) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001248086A JP4729825B2 (en) | 2001-08-17 | 2001-08-17 | Image sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003060184A JP2003060184A (en) | 2003-02-28 |
JP4729825B2 true JP4729825B2 (en) | 2011-07-20 |
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ID=19077308
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
JP (1) | JP4729825B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013225705A (en) * | 2013-07-22 | 2013-10-31 | Canon Inc | Manufacturing method of solid state imaging device, and solid state imaging device |
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-
2001
- 2001-08-17 JP JP2001248086A patent/JP4729825B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP2003060184A (en) | 2003-02-28 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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