JP4726370B2

JP4726370B2 - 走査電子顕微鏡の較正

Info

Publication number: JP4726370B2
Application number: JP2001516219A
Authority: JP
Inventors: ジェイソンシーイー; ローレンスエスハードン; ウェイドンリュ; デイビッドエムグッドステイン
Original assignee: KLA Corp
Current assignee: KLA Corp
Priority date: 1999-08-11
Filing date: 2000-08-11
Publication date: 2011-07-20
Anticipated expiration: 2020-08-11
Also published as: US6384408B1; JP2003506724A; WO2001011656A1; AU6633300A

Description

【０００１】
１．技術分野
この発明は走査電子顕微鏡に関し、特に、局所荷電（ローカルチャージング：ｌｏｃａｌｃｈａｒｇｉｎｇ）の影響を補正するための走査電子顕微鏡の較正（キャリブレーション：ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎ）に関する。
【０００２】
２．背景技術
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の動作では、入射電子ビームによりサンプル上で局所荷電（すなわち電荷の蓄積）が引き起こされることがある。そして今度は、局所荷電が入射ビームに影響することがあり、ＳＥＭによる測定がかなり歪められてしまう。ＳＥＭの動作では、入射電子ビームを基板上に集束させる必要がある。後方散乱した電子、および入射ビームにより発生した２次電子はその後、測定目的のために収集される。入射電子ビームを対象の特徴（ｆｅａｔｕｒｅ）を横切るように走査させ、同時に後方散乱電子および２次電子を検出することにより、臨界寸法，ＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）として知られる特徴のサイズの測定値を得ることができる。ＣＤは、測定されたいかなる特徴とすることも可能である。例えば、ピッチＣＤは一連の平行線などの周期構造の繰り返し距離を示す。
【０００３】
ＣＤ測定の精度は、ＳＥＭの走査動作をどのくらい正確に較正することができるかに依存する。図４に示すように、電子ビーム６１はウエハなどの基板上に集束される。入射ビームが基板上を被覆する実際の距離は、走査長として知られているが、基板表面の局所静電位に影響されることがある。定格条件下では、局所静電位が高いほど、走査長が短くなる。（後方散乱および２次電子生成により）基板から離れて行く電子の数が（入射ビームから）入ってくる数と異なると、ビーム誘起局所荷電が起こる。これにより、基板表面の局所静電位が影響され、走査長が影響を受ける。図４では、局所荷電が無いと、走査長６５が得られる。局所荷電がウエハ６３の領域６７上に存在すると、得られる電場６９から、静電位の変化により走査長７１となる。
【０００４】
局所荷電により走査長がこのように変動すると、ＣＤ測定が不正確となる。距離の換算は走査長に依存するからである。すなわち、局所荷電が変動すると、固定ＣＤの走査長に対する比率が変動する。この比率はＣＤ測定値を決定する換算を提供する。
【０００５】
このように、局所荷電が異なるために、同じ特徴を有する２つのウエハで異なる走査長が得られることがある。同様に、局所荷電の大きさが基板間で異なると、走査長もまた変動する。広範囲にわたる基板および動作条件においてＣＤ測定値を正確に維持するためには、これらの局所荷電により誘起される走査長の変化を補償することが必要である。
【０００６】
典型的には、ＳＥＭの較正は、測定したＣＤを、ＣＤに対する所定の値に適合させるような調整に限られていた（例えば、米国特許第４，８１８，８７３号）。局所荷電に関連する誤差の補正は一般に基板組成および使用した電圧レベルなどの動作因子に基づくパラメータ補正に限られていた。すなわち、関連する誤差の原因となるそれぞれの別個の動作設定および個々の型の基板に対し、異なるＳＥＭ較正が必要である。この厄介なアプローチでは、較正された測定値を得るのに使用者がかなり注意する必要がある。さらに、局所荷電による誤差を除去する較正は、高い感度を示す動作設定では、とりわけ達成するのが困難である。
【０００７】
局所荷電に関連する較正誤差はまた検出するのが困難であるかもしれない。それらの誤差はしばしば影像焦点の測定可能な変化を伴わないからである。しかしながら、線形測定におけるこれらの較正誤差の大きさは、定格動作条件下で、２〜４％のオーダーであることがあり、これは一般に許容できないほど大きいものであると考えられる誤差である。
【０００８】
（発明の開示）
したがって、この発明は、局所荷電による誤差を補正するＳＥＭの較正のための方法および関連システムを提供することを目的とする。
【０００９】
この発明の他の目的は、自動的に局所荷電の変動を引き起こすようなＳＥＭの較正を提供することである。
【００１０】
この発明の他の目的は、使用者にとって簡単で比較的わかりやすい、ＳＥＭの較正を提供することである。
【００１１】
この発明のさらに他の目的は、較正ウエハおよび測定ウエハに対する局所荷電を特徴づける局所着陸エネルギーの測定を用いる、ＳＥＭの較正を提供することである。
【００１２】
この発明の他の目的は、ＳＥＭ較正の適用範囲を広げるために局所着陸エネルギーの測定を使用するＳＥＭの較正を提供することである。
【００１３】
この発明の上記、および関連する目的は、較正ウエハに関し走査電子顕微鏡を較正し、その顕微鏡を用いて較正ウエハの局所着陸エネルギーを測定し、その顕微鏡を用いて測定ウエハの臨界寸法を測定し、その顕微鏡を用いて測定ウエハの局所着陸エネルギーを測定し、測定ウエハの較正臨界寸法を計算するシステムおよび方法により実現される。
【００１４】
顕微鏡の較正は、較正ウエハの臨界寸法を測定し、その較正ウエハの測定臨界寸法を基準臨界寸法と比較し、顕微鏡の走査較正値を調整することにより実行してもよい。
【００１５】
ウエハの局所着陸エネルギーの測定は、基板表面での静電位の決定を含んでもよい。好ましい実施の形態では、ウエハの局所着陸エネルギーの測定は、後方散乱したおよび／または発生した２次電子のエネルギーの測定を含む。
【００１６】
好ましくは、測定ウエハの較正臨界寸法の計算は、換算係数により測定ウエハの測定臨界寸法を換算することを含み、換算係数は較正ウエハの測定局所着陸エネルギーおよび測定ウエハの測定局所着陸エネルギーから決定される。換算係数を使用して顕微鏡用の較正走査長を決定してもよく、その場合、換算係数により基準走査長を換算する。
【００１７】
換算係数は、較正ウエハの測定局所着陸エネルギーに対する測定ウエハの測定局所着陸エネルギーの比率の換算関数の評価により決定してもよい。換算関数は、比率が概ね１であれば概ね１である。換算関数は直線または高次多項式などの簡単な構造を有するべきである。
【００１８】
この発明は周知の較正システムに比べ、多くの別個の利点を有する。ＳＥＭに対する局所荷電の効果の較正は、使用者にとって簡単で比較的わかりやすい様式で達成することができる。
【００１９】
ＬＬＥ（local landing energy：局所着陸エネルギー）は、基本ＳＥＭにハードウエアがかなり限定して追加されたインライン電子光学機器により測定することができる。測定ウエハの測定ＣＤの換算は比較的簡単なソフトウエア動作である。直線多項式などの簡単な構造を有する換算関数をこの目的のために適応させることができる。
【００２０】
この較正ツールにより、ＳＥＭテクノロジーが大きく向上する。ウエハのＣＤ測定値に対する局所荷電の影響は使用者には簡単には明らかにならないからである。この発明のように、これらの誤差を局所荷電の測定値を組入れずに補正するには、難しいパラメータ較正プロセスが必要となることは避けられないであろう。
【００２１】
この発明のこれらの、および他の目的および利点は、添付の図面を用いて行うこの発明の好ましい例示の実施の形態の以下の詳細な説明により、より明らかになり、より容易に理解されるであろう。
【００２２】
（発明を実施するための最良の形態）
本発明の好ましい実施の形態にかかるＳＥＭ１の較正を図１に示す。較正メカニズム（図示せず）において走査較正値１３を調整することにより、ＳＥＭ１は、周知の構造を有するウエハを正確に読み取ることができるように調整することができる。このためにピッチ構造が周知の臨界寸法（ＣＤ）３を有する較正ウエハ７を使用する。
【００２３】
顕微鏡を較正するために、定格設定１１で、走査較正値１３に対する値無しで、未較正ビーム９を用いて較正ウエハ７の測定を行う。最初に、測定ピッチＣＤ１９を得る。その後、いくつかの許容可能な公差内で、測定ピッチＣＤ１９がピッチＣＤ３に対する周知の基準値と等しくなるように、較正調整２５を行うことができる。較正が完了すると、許容可能な走査較正値２７がメモリ１５に保存される。その後、局所荷電補正システム２１は測定局所着陸エネルギー（ＬＬＥ（local landing energy）２３を獲得し、このエネルギーはメモリ１３に保存される。ここで、ＬＬＥはウエハ上の局所荷電の特徴である。ＬＬＥ２３と走査較正値２７との保存値は、それぞれ別個に、メモリ１３および１５から入力として入手可能である。
【００２４】
局所荷電により局所表面電位が変化する。局所着陸エネルギーはこの局所表面電位により直接決定される。例えば、局所荷電が無いと、ウエハ上の全ての点の表面電位は０ボルトであり、電子ビームの着陸エネルギーは１０００電子ボルト（ｅＶ）となるかもしれない。ウエハ表面の小さな領域（おそらく、数μｍ程度にすぎない）が正に帯電し始めると、この領域内の一定の点の表面電位は、ウエハの残りの部分に対し＋５０ボルトに達することがある。
【００２５】
そうすると、この点の電子ビームの局所着陸エネルギーは、１０００＋５０＝１０５０ｅＶとなる。
【００２６】
好ましい実施の形態によれば、局所荷電補正システム２１は、測定するウエハから収集した電子のエネルギーを測定するために電位障壁を使用するエネルギーフィルタにより、ウエハ上の局所荷電の特徴であるＬＬＥを決定する。図３に示されるように、電子の分布５０は一般に、後方散乱した電子５１と２次電子５３に対応する寄与により双峰分布である。しきいエネルギー５５は２次電子５３の影響が十分軽減された、比較的小さな電圧値として決定される。その後、しきい値５５は局所荷電補正システム２１により決定されたＬＬＥ値に変換される。図３に示されたエネルギー分布の質的な詳細は使用するウエハの組成および電圧レベルに従い変動してもよい。
【００２７】
しきいエネルギー５５は、２次電子５３のピーク値に対する電子の数により特徴づけてもよく、あるいは分布５０の傾きのいくつかの特徴により特徴づけても良い。たとえば、好ましい実施の形態では、分布５０は最初にフィルタにかけられ、滑らかな曲線とされ、その後、しきい値５５は滑らかな曲線の最大勾配に対応する電圧として決定される。
【００２８】
上記フィルタの代わりに、収集した電子のエネルギースペクトルを決定するためのどの手段を使用してもよい。例えば、異なるエネルギーを有する電子に対する飛行時間差または飛行経路差を測定する検出システムを使用してもよい。表面電荷を直接的または間接的に測定する他の方法を使用してもよい。
【００２９】
較正後のＳＥＭ１の対応する動作を図２に示す。較正ウエハ７の代わりに測定ウエハ３３を使用する。較正ビーム３５は定格ビームパラメータ１１だけでなく、較正ウエハ３９のＬＬＥに対する保存値と走査較正値４１とを含む。較正されたＳＥＭ１は最初に未補正ＣＤ４３を測定する。さらに、局所荷電補正システム２１は測定ウエハ３３のＬＬＥに対する値を測定する。測定ウエハ３３のＬＬＥは較正ウエハ７の保存ＬＬＥ３９と共に計算３７において使用され、換算係数４７が決定される。換算係数４７は未補正ＣＤ４３と掛け合わされ、補正ＣＤ４９に対する値が与えられる。
【００３０】
好ましい実施の形態によれば、計算３７により換算係数４７が決定され、以下の式に従い、未補正ＣＤ４３から補正ＣＤ４９が得られる。
【数１】
ＣＤ（補正）＝ＣＤ（未補正）^*ｆ（ＬＬＥ（測定）／ＬＬＥ（較正））
式において、換算関数ｆ（．）は以下の式で与えられる。
【数２】
ｆ（ｘ）＝１＋０．２５^*（１−ｘ）
【００３１】
換算関数ｆ（．）は独立変数としてｘをとるが、これは測定ウエハの測定ＬＬＥの較正ウエハの測定ＬＬＥに対する比である。より高い次数の項を有する多項式など他のより複雑な換算関数も可能である。換算関数における数値係数は、ウエハの組成および電圧レベルなどの動作条件により決定してもよい。好ましくは、比率の値が１である場合換算関数の値は１である。すなわち、ＬＬＥが最初の較正とその後の測定との間で変化しなければ、ＣＤの換算は必要ない。
【００３２】
好ましい実施の形態によれば、換算関数は最初に、図４に示されるように走査長を特徴づける電子の軌跡をモデル化することにより決定することができる。その後、局所荷電の変化による測定ＣＤへの影響は、局所荷電の基準荷電に対する比率に依存する計算した換算関数により特徴づけることができる。その後、計算した換算関数を実験的に立証し、例えば、上記換算関数における場合のように直線近似により，より好都合に近似させる。
【００３３】
本発明の好ましい実施の形態にかかるＳＥＭの適合を図５に示す。ＳＥＭの基本動作は米国特許第４，８１８，８７３号（その図３を参照のこと）においてより詳細に説明されている。電子源８１は電子ビーム８３を標的ウエハ８５まで誘導する。
【００３４】
ビーム８３はコンデンサレンズ８７と、アパーチャ８９と、対物レンズ９１とを含むＳＥＭ部品により集束される。走査発生器９３は走査コイル９５を駆動し、一致するシグナルでディスプレイ９７を駆動する。ウエハ８５から収集された、後方散乱電子と２次電子のビーム９９は検出器１０１により検出され、増幅器１０５により増幅され、ディスプレイ９７に伝送され、そこでＣＤが表示される。
【００３５】
好ましい実施の形態によれば、検出器１０１は、図３に示された閾値化（スレッシュホールディング：ｔｈｒｅｓｈｏｌｄｉｎｇ）によりＬＬＥを決定するエネルギーフィルタ１０３により適合される。このように、ＬＬＥとＣＤを両方含むシグナル１０７をＣＰＵおよびメモリ１０９に伝送することができ、そこでは、図３および４に示される較正動作が実行される。
【００３６】
第２の好ましい実施の形態では、較正動作の結果を使用して、進行中の走査動作を補正してもよく、そのため望ましい走査長が直接測定される。図４に示されるように、走査長６５はＳＥＭの動作において望ましい走査長である。しかしながら、ＳＥＭが動作してこの測定を行うと、局所荷電により実際には走査長７１が測定される。ＬＬＥの測定値を用いると、換算関数ｆ（．）により、荷電の無い走査長６５から荷電のある走査長７１への図４に示される換算が提供される。ＣＰＵおよびメモリ１０９で有効なこの換算結果が走査発生器９３に提供され、そのため望ましい走査長６５が直接測定される。
【００３７】
以上、この発明の例示的な実施の形態についてのみ、詳細に説明してきたが、この発明の新規教示および利点から著しく離れることがなければ、例示の実施の形態において多くの変更が可能であることは、当業者であれば容易に理解されるであろう。
【００３８】
したがって、そのような変更はすべてこの発明の範囲内に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の好ましい実施の形態にかかる、局所荷電を補正するためのＳＥＭの較正を示す図である。
【図２】この発明の好ましい実施の形態にかかる、較正臨界寸法を決定するための較正ＳＥＭの使用を示す図である。
【図３】この発明の好ましい実施の形態にかかる、局所着陸エネルギーを特徴づけるためのしきいエネルギーの決定を示すプロットである。
【図４】ウエハの測定走査長および臨界寸法に関する局所荷電の影響を示す図である。
【図５】この発明の好ましい実施の形態にかかる適合されたＳＥＭの図である。

Claims

較正ウエハに関し走査電子顕微鏡を較正する工程と、
前記顕微鏡を用いて前記較正ウエハの局所着陸エネルギーを測定する工程と、
前記顕微鏡を用いて測定ウエハの臨界寸法を測定する工程と、
前記顕微鏡を用いて前記測定ウエハの局所着陸エネルギーを測定する工程と、
前記測定ウエハの較正臨界寸法を計算する工程と、
を含む測定ウエハの較正臨界寸法を決定するための方法であって、
前記走査電子顕微鏡を較正する工程は、前記較正ウエハの臨界寸法を測定する工程と、
前記較正ウエハの前記測定臨界寸法を前記較正ウエハの基準臨界寸法と比較する工程と、前記較正ウエハの臨界寸法が前記較正ウエハの基準臨界寸法に一致するまで前記顕微鏡の走査較正値を変更しながら較正調整を行う工程と、を含み、
前記較正ウエハの前記局所着陸エネルギーを測定する工程は、前記較正ウエハの電子エネルギー分布であって後方錯乱した電子と２次電子とに対応する双峰部分を有する電子エネルギー分布を測定する工程と、前記較正ウエハの臨界寸法が前記較正ウエハの基準臨界寸法に一致したときに前記較正ウエハの前記電子エネルギー分布にフィルタをかけて滑らかな曲線とし前記滑らかな曲線の最大勾配に対応する電圧をしきいエネルギー値として決定する工程と、を含み、
前記測定ウエハの前記局所着陸エネルギーを測定する工程は、前記測定ウエハの電子エネルギー分布であって後方錯乱した電子と２次電子とに対応する双峰部分を有する電子エネルギー分布を測定する工程と、前記測定ウエハの前記電子エネルギー分布にフィルタをかけて滑らかな曲線とし前記滑らかな曲線の最大勾配に対応する電圧をしきいエネルギー値として決定する工程と、を含み、
前記測定ウエハの前記較正臨界寸法を計算する工程は、換算係数により前記測定ウエハの前記測定臨界寸法を換算する工程を含み、前記換算係数は前記測定ウエハのしきいエネルギー値を変換して求めた前記測定ウエハの前記局所着陸エネルギーと、前記較正ウエハのしきいエネルギー値を変換して求めた前記較正ウエハの前記局所着陸エネルギーとから決定される、測定ウエハの較正臨界寸法を決定するための方法。
前記顕微鏡に対する基準走査長は前記換算係数により換算され、較正走査長が与えられる請求項１記載の方法。
前記換算係数は、前記較正ウエハの前記測定局所着陸エネルギーに対する前記測定ウエハの前記測定局所着陸エネルギーの比率の換算関数の評価により決定される請求項１記載の方法。
前記換算関数は、前記比率が概ね１であれば概ね１である請求項３記載の方法。
前記換算関数は多項式である請求項３記載の方法。
前記換算関数は０次係数と１次係数とを有する直線多項式であり、
前記０次係数は約１．２５であり、
前記１次係数は約−０．２５である請求項３記載の方法。
走査電子顕微鏡と、
較正ウエハの臨界寸法を測定するための臨界寸法測定用センサと、
較正ウエハの局所着陸エネルギーを測定するための局所着陸エネルギー測定用センサと、
測定ウエハの臨界寸法を測定するための前記臨界寸法測定用センサと、
測定ウエハの局所着陸エネルギーを測定するための前記局所着陸エネルギー測定用センサと、
走査較正値に従い前記顕微鏡を較正するための調整メカニズムと、
を備える測定ウエハの較正臨界寸法を決定するためのシステムであって、
前記顕微鏡は、前記臨界寸法測定用センサにより前記較正ウエハの臨界寸法を測定し、
前記較正ウエハの前記測定臨界寸法を前記較正ウエハの基準臨界寸法と比較し、前記較正ウエハの前記測定臨界寸法が前記較正ウエハの基準臨界寸法に一致するまで前記調整メカニズムにおける前記走査較正値を変更しながら較正調整され、
較正ウエハの局所着陸エネルギーを測定する工程は、前記較正ウエハの電子エネルギー分布であって後方錯乱した電子と２次電子とに対応する双峰部分を有する電子エネルギー分布を測定する工程と、前記較正ウエハの臨界寸法が前記較正ウエハの基準臨界寸法に一致したときに前記較正ウエハの前記電子エネルギー分布にフィルタをかけて滑らかな曲線とし前記滑らかな曲線の最大勾配に対応する電圧をしきいエネルギー値として決定する工程と、を含み、
前記測定ウエハの局所着陸エネルギーを測定する工程は、前記測定ウエハの電子エネルギー分布であって後方錯乱した電子と２次電子とに対応する双峰部分を有する電子エネルギー分布を測定する工程と、前記測定ウエハの前記電子エネルギー分布にフィルタをかけて滑らかな曲線とし前記滑らかな曲線の最大勾配に対応する電圧をしきいエネルギー値として決定する工程と、を含み、
前記測定ウエハの前記較正臨界寸法を決定する工程は、前記測定ウエハの前記測定臨界寸法を換算係数により換算する工程を含み、前記換算係数は前記測定ウエハのしきいエネルギー値を変換して求めた前記測定ウエハの前記局所着陸エネルギーと、前記較正ウエハのしきいエネルギー値を変換して求めた前記較正ウエハの前記局所着陸エネルギーとから決定される、測定ウエハの較正臨界寸法を決定するためのシステム。
さらに、
較正ウエハに関連する走査較正値を保存するための第１のメモリと、
前記較正ウエハの測定局所着陸エネルギーを保存するための第２のメモリと、
前記測定ウエハの測定局所着陸エネルギーを保存するための第３のメモリと、
前記測定ウエハの測定臨界寸法を保存するための第４のメモリと、
前記測定ウエハの前記較正臨界寸法を計算するためのプロセッサと、
前記測定ウエハの較正臨界寸法を保存するための第５のメモリと、
を備える請求項７記載のシステム。
顕微鏡の走査長について較正された較正走査長は前記換算係数により基準走査長を換算することにより決定される請求項７記載のシステム。
前記換算係数は、前記較正ウエハの前記測定局所着陸エネルギーに対する前記測定ウエハの前記測定局所着陸エネルギーの比率の換算関数の評価により決定される請求項７記載のシステム。
前記換算関数は前記比率が概ね１であれば概ね１である請求項１０記載のシステム。
前記換算関数は多項式である請求項１０記載のシステム。
前記換算関数は０次係数と１次係数とを有する直線多項式であり、
前記０次係数は約１．２５であり、
前記１次係数は約−０．２５である請求項１０記載のシステム。
較正ウエハの臨界寸法を測定するための手段と、
較正ウエハの局所着陸エネルギーを測定するための手段と、
前記臨界寸法測定手段を較正するための手段と、
前記較正ウエハの測定局所着陸エネルギーを保存するための手段と、
測定ウエハの臨界寸法を測定するための手段と、
測定ウエハの局所着陸エネルギーを測定するための手段と、
前記測定ウエハの測定局所着陸エネルギーを保存するための手段と、
前記測定ウエハの測定臨界寸法を保存するための手段と、
前記測定ウエハの較正臨界寸法を計算するための手段と、
前記測定ウエハの前記較正臨界寸法を保存するための手段と、を備える測定ウエハの較正臨界寸法を決定するための装置であって、
前記較正手段は、前記較正ウエハの測定臨界寸法を前記較正ウエハの基準臨界寸法と比較するための手段と、前記較正ウエハの臨界寸法が前記較正ウエハの基準臨界寸法に一致するまで前記顕微鏡の走査較正値を変更しながら較正調整する手段と、較正ウエハに関連する走査較正値を保存するための手段と、を含み、
較正ウエハの局所着陸エネルギーを測定するための手段は、前記較正ウエハの電子エネルギー分布であって後方錯乱した電子と２次電子とに対応する双峰部分を有する電子エネルギー分布を測定するための手段と、前記較正ウエハの臨界寸法が前記較正ウエハの基準臨界寸法に一致したときに前記較正ウエハの前記電子エネルギー分布にフィルタをかけて滑らかな曲線とし前記滑らかな曲線の最大勾配に対応する電圧をしきいエネルギー値として決定するための手段と、を含み、
前記測定ウエハの局所着陸エネルギーを測定するための手段は、前記測定ウエハの電子エネルギー分布であって後方錯乱した電子と２次電子とに対応する双峰部分を有する電子エネルギー分布を測定するための手段と、前記測定ウエハの前記電子エネルギー分布にフィルタをかけて滑らかな曲線とし前記滑らかな曲線の最大勾配に対応する電圧をしきいエネルギー値として決定するための手段と、を含み、
前記測定ウエハの前記較正臨界寸法を計算するための手段は、前記測定ウエハの前記測定臨界寸法を換算係数により換算するための手段を含み、前記換算係数は前記測定ウエハのしきいエネルギー値を変換して求めた前記測定ウエハの前記局所着陸エネルギーと、前記較正ウエハのしきいエネルギー値を変換して求めた前記較正ウエハの前記局所着陸エネルギーとから決定される、測定ウエハの較正臨界寸法を決定するための装置。
前記測定ウエハの臨界寸法を測定するための手段は、前記換算係数により基準走査長を換算することにより較正走査長を決定するための手段を含む請求項１４記載の装置。
前記換算係数は、前記較正ウエハの前記測定局所着陸エネルギーに対する前記測定ウエハの前記測定局所着陸エネルギーの比率の換算関数の評価により決定される請求項１４記載の装置。
前記換算関数は前記比率が概ね１であれば概ね１である請求項１６記載の装置。
前記換算関数は多項式である請求項１６記載の装置。
前記換算関数は０次係数と１次係数とを有する直線多項式であり、
前記０次係数は約１．２５であり、
前記１次係数は約−０．２５である請求項１６記載の装置。