JP4718964B2 - Plasma CVD apparatus and temperature maintaining method for plasma CVD apparatus - Google Patents

Plasma CVD apparatus and temperature maintaining method for plasma CVD apparatus Download PDF

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Description

本発明は、プラズマＣＶＤ装置に関し、特にプラズマを用いて基板や製膜済みの基板に処理を行うプラズマＣＶＤ装置に関する。   The present invention relates to a plasma CVD apparatus, and more particularly to a plasma CVD apparatus that performs processing on a substrate or a film-formed substrate using plasma.

複数の製膜室と、ロード室、及びアンロード室を有するプラズマＣＶＤ装置が知られている。そのプラズマＣＶＤ装置において、被処理対象の基板は、ロード室からプラズマＣＶＤ装置に搬入される。ロード室から搬入された基板は、複数の製膜室のうちのいずれかに搬入されて、製膜処理が行われる。その製膜室での製膜処理の終了した基板は、別の製膜室へ搬入されて、別の製膜処理が行われる。このようにして、複数の製膜室のうちのいくつかに搬入されて製膜処理が終了した基板は、アンロード室からプラズマＣＶＤ装置外へ搬出される。   A plasma CVD apparatus having a plurality of film forming chambers, a load chamber, and an unload chamber is known. In the plasma CVD apparatus, a substrate to be processed is carried into the plasma CVD apparatus from a load chamber. The substrate carried in from the load chamber is carried into any one of the plurality of film forming chambers, and a film forming process is performed. The substrate after the film forming process in the film forming chamber is carried into another film forming chamber and another film forming process is performed. In this way, the substrate that has been loaded into some of the plurality of film forming chambers and completed the film forming process is carried out of the plasma CVD apparatus from the unload chamber.

上述のようなプラズマＣＶＤ装置において、製膜室での製膜は、真空度が数Pa〜数１０００Paの粗引き真空排気状態の、室温より高い温度で行われる。基板が投入されていない製膜室では、基板が投入されるとすぐに製膜が行えるように、ヒータを稼動させて温度を維持し、且つ、１０-3〜１０-5Paの高真空排気状態で待機している。一方で、高真空排気状態で待機していた場合、製膜室内の構造物（製膜ユニット等）に対する入熱は、ヒータの輻射熱のみとなる。よって、製膜時の温度に対して、待機時の温度が下がる場合がある。基板の投入時に製膜室内の構造物の温度が製膜時と異なる場合には、温度分布が不均一なまま製膜が行われることがある。よって、膜質や膜厚分布に対して悪影響を及ぼすことがある。基板が投入されるとすぐに製膜を行うことができ、更に、膜質や膜厚に対して悪影響を及ぼさない待機方法が望まれる。 In the plasma CVD apparatus as described above, film formation in the film formation chamber is performed at a temperature higher than room temperature in a roughing vacuum exhaust state with a degree of vacuum of several Pa to several thousand Pa. In the film forming chamber in which the substrate is not charged, the heater is operated to maintain the temperature and high vacuum exhaust of 10 −3 to 10 −5 Pa so that the film can be formed as soon as the substrate is loaded. Waiting in state. On the other hand, when waiting in a high vacuum exhaust state, the heat input to the structure (film forming unit or the like) in the film forming chamber is only the radiant heat of the heater. Therefore, the temperature during standby may be lower than the temperature during film formation. When the temperature of the structure in the film forming chamber is different from that at the time of film formation when the substrate is loaded, film formation may be performed while the temperature distribution is not uniform. Therefore, the film quality and film thickness distribution may be adversely affected. A standby method is desired in which film formation can be performed as soon as the substrate is loaded, and no adverse effect is exerted on film quality and film thickness.

上記と関連して、特許文献１は、製膜室と、この製膜室内に配置されたパネルヒータと、前記製膜室内に前記パネルヒータの加熱面に向き合う位置に配置されたポジショナと、このポジショナの背後に配置された製膜ユニットと、前記製膜室を精密引きする高真空ラインと、前記高真空ラインと製膜室間に設けられ、前記製膜室内を粗引きする粗引きラインとを具備したプラズマＣＶＤ装置において、プラズマ装置内での未処理基板の待機中、製膜ユニット及びポジショナをヒータに押しつけるとともに、製膜室に反応に寄与しないガスを製膜室内に供給して製膜室の圧を１〜３Torrに保持することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置における温度制御方法、を開示している。   In relation to the above, Patent Document 1 discloses a film forming chamber, a panel heater disposed in the film forming chamber, a positioner disposed in a position facing the heating surface of the panel heater in the film forming chamber, A film forming unit disposed behind a positioner; a high vacuum line for precisely pulling the film forming chamber; and a roughing line provided between the high vacuum line and the film forming chamber for roughing the film forming chamber; In the plasma CVD apparatus equipped with the film forming apparatus, the film forming unit and the positioner are pressed against the heater while waiting for the unprocessed substrate in the plasma apparatus, and the film forming chamber is supplied with a gas that does not contribute to the reaction. Disclosed is a temperature control method in a plasma CVD apparatus characterized in that the chamber pressure is maintained at 1 to 3 Torr.

更に、特許文献１では、未処理基板が１５分以上経過しても製膜室に投入されない場合に、上述のような温度制御方法が適用されることが記載されている。   Further, Patent Document 1 describes that the above-described temperature control method is applied when an unprocessed substrate is not put into the film forming chamber even after 15 minutes have passed.

また、特許文献２は、プラズマＣＶＤ装置の起動方法において、（Ａ）プラズマＣＶＤ装置の起動時間を短縮するために、プラズマＣＶＤ装置の製膜室（３）の圧力を、５Torr以上で、かつ、１０Torr以下に昇圧し、（Ｂ）輻射伝熱のみならず、気体の伝熱効率を活用して、製膜室（３）内の被加熱部品の高速昇温を可能にすることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置の起動時の高速昇温方法、を開示している。   Patent Document 2 discloses that in the method for starting a plasma CVD apparatus, (A) in order to shorten the start time of the plasma CVD apparatus, the pressure in the film forming chamber (3) of the plasma CVD apparatus is 5 Torr or more, and The plasma is characterized in that the pressure is increased to 10 Torr or less and (B) not only radiant heat transfer but also gas heat transfer efficiency is utilized to enable high-temperature temperature rise of the heated parts in the film forming chamber (3). A high-speed temperature raising method at the time of starting a CVD apparatus is disclosed.

上述のような温度制御方法や、高速昇温方法においては、製膜室に基板が投入される直前では、製膜室内を高真空状態にしている必要がある。しかしながら、実際の製造ラインにおいては、ある基板が製膜室へ投入され処理が終了してから、次の基板が同じ製膜室に投入されるまでの時間は、一定ではない。よって、温度を制御する運転の開始タイミング及び終了タイミングを、適切に設定する技術の提供が望まれる。   In the temperature control method and the high-speed temperature raising method as described above, the film forming chamber needs to be in a high vacuum state immediately before the substrate is put into the film forming chamber. However, in an actual production line, the time from when a certain substrate is put into the film forming chamber and the processing is completed until the next substrate is put into the same film forming chamber is not constant. Therefore, it is desired to provide a technique for appropriately setting the start timing and end timing of the operation for controlling the temperature.

特開２００１−８１５５９号 公報JP 2001-81559 A 特開平１０−２４５６８０号 公報JP-A-10-245680

本発明の目的は、即ち、基板が投入されるとすぐに製膜を行うことができる技術を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a technique capable of forming a film as soon as a substrate is loaded.

本発明の他の目的は、製膜室内の構造物の温度を維持した上で、基板が投入されるとすぐに製膜を行うことができる技術を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a technique capable of forming a film as soon as the substrate is loaded while maintaining the temperature of the structure in the film forming chamber.

本発明の更に他の目的は、基板の投入間隔に脈動がある場合においても、温度を維持する為の運転の開始タイミング及び終了タイミングを、適切に設定することができる技術を提供することにある。尚、本明細書中に置いて、脈動とは、基板投入の時間間隔が一定ではなく、ばらつきがあることを指す。   Still another object of the present invention is to provide a technique capable of appropriately setting the start timing and end timing of operation for maintaining the temperature even when there is a pulsation in the substrate loading interval. . In this specification, the pulsation means that the time interval for loading the substrate is not constant but varies.

その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。   Means for solving the problem is expressed as follows. Technical matters appearing in the expression are appended with numbers, symbols, etc. in parentheses. The numbers, symbols, and the like are technical matters constituting at least one embodiment or a plurality of embodiments of the present invention or a plurality of embodiments, in particular, the embodiments or examples. This corresponds to the reference numbers, reference symbols, and the like attached to the technical matters expressed in the drawings corresponding to. Such reference numbers and reference symbols clarify the correspondence and bridging between the technical matters described in the claims and the technical matters of the embodiments or examples. Such correspondence or bridging does not mean that the technical matters described in the claims are interpreted as being limited to the technical matters of the embodiments or examples.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）は、
複数の製膜室（２）、ロード室（３）、及びアンロード室（４）を備える複数の処理室（５）と、
基板（６）を複数の処理室（５）の各々へ出し入れする基板搬送装置（７）と、
基板（６）の位置を検出する位置検出装置（８）と、
位置検出装置（８）が検出した基板（６）の位置情報に基いて、各製膜室（２）において基板（６）が搬入されるまでの待ち時間が長いか否かを判断する待ち時間検出部（９）と、
複数の製膜室（２）の各々の動作を制御する複数の製膜室制御装置（１０）と、
を備え、
複数の製膜室制御装置（１０）の各々は、待ち時間検出部（９）がその待ち時間が長いと検出した場合において、製膜室（２）内の温度を製膜時の温度に近い温度に維持するための温度維持運転を実施するように製膜室（２）の動作を制御する。
位置検出装置（８）が基板（６）の位置を検出していることにより、各製膜室（２）における基板（６）の待ち時間を基板（２）が投入される前に把握することが可能である。待ち時間に基いて、温度維持運転を実施するか否かが決定されるので、温度維持運転の開始タイミング及び終了タイミングを、適切に設定することができる。 A plasma CVD apparatus (1) according to the present invention comprises:
A plurality of processing chambers (5) including a plurality of film forming chambers (2), a load chamber (3), and an unload chamber (4);
A substrate transfer device (7) for taking a substrate (6) into and out of each of the plurality of processing chambers (5);
A position detection device (8) for detecting the position of the substrate (6);
Based on the position information of the substrate (6) detected by the position detection device (8), the waiting time for determining whether the waiting time until the substrate (6) is carried in each film forming chamber (2) is long. A detector (9);
A plurality of film forming chamber control devices (10) for controlling the operations of the plurality of film forming chambers (2);
With
When each of the plurality of film forming chamber control devices (10) detects that the waiting time detection unit (9) has a long waiting time, the temperature in the film forming chamber (2) is close to the temperature at the time of film forming. The operation of the film forming chamber (2) is controlled so as to carry out a temperature maintaining operation for maintaining the temperature.
Since the position detection device (8) detects the position of the substrate (6), the waiting time of the substrate (6) in each film forming chamber (2) is grasped before the substrate (2) is introduced. Is possible. Since whether or not to perform the temperature maintenance operation is determined based on the waiting time, the start timing and the end timing of the temperature maintenance operation can be appropriately set.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
基板搬送装置（７）は、基板（６）をロード室（３）を介して装置（１）内に搬入し、複数の製膜室（２）のうちのいくつかに予め定められた順番で出し入れした後にアンロード室（４）より装置（１）外へ搬出し、
待ち時間検出部（９）は、各製膜室（２）について、基板（６）の出し入れの順番が一つ前の処理室（５）内に基板（６）が存在しない場合において、その待ち時間が長いと判断する。
基板（６）の位置を把握することで、次の処理を行う製膜室（２）に何分後に基板（６）が搬入されるかが容易に把握可能となる。尚、何分後に基板が搬入されるかは、予め各製膜室（２）での製膜時間を把握していることで容易に求めることができる。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
The substrate transfer device (7) carries the substrate (6) into the device (1) via the load chamber (3), and in a predetermined order in some of the plurality of film forming chambers (2). After unloading and unloading, unloading chamber (4) takes it out of device (1),
The waiting time detection unit (9) waits for each film forming chamber (2) when the substrate (6) does not exist in the processing chamber (5) in which the order of loading and unloading of the substrate (6) is the previous one. Judge that time is long.
By grasping the position of the substrate (6), it is possible to easily grasp how many minutes later the substrate (6) is carried into the film forming chamber (2) where the next processing is performed. It should be noted that the number of minutes after which the substrate is loaded can be easily obtained by grasping the film forming time in each film forming chamber (2) in advance.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
製膜室制御装置（１０）は、その温度維持運転の実施時に、製膜室（２）内の圧力を制御することで、製膜室（２）内の温度を調整する。
図７は、ガスの圧力と、そのガスの熱伝導率との関係を示すグラフである。図７に示される様に、ガスの圧力が高くなるほど、熱伝導率も高くなる。よって、製膜室（２）内の圧力を調整することにより、熱源からの伝熱が制御され、間接的に製膜室（２）内の温度を調整することができる。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
The film forming chamber control device (10) adjusts the temperature in the film forming chamber (2) by controlling the pressure in the film forming chamber (2) during the temperature maintenance operation.
FIG. 7 is a graph showing the relationship between the gas pressure and the thermal conductivity of the gas. As shown in FIG. 7, the higher the gas pressure, the higher the thermal conductivity. Therefore, by adjusting the pressure in the film forming chamber (2), the heat transfer from the heat source is controlled, and the temperature in the film forming chamber (2) can be adjusted indirectly.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
製膜室制御装置（１０）は、製膜室（２）内の圧力が一定になるように制御することが好ましい。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
It is preferable that the film forming chamber control device (10) controls the pressure in the film forming chamber (2) to be constant.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
製膜室（２）は、更に、製膜室（２）内の圧力を測定する圧力センサ（１１）、を備え、
製膜室制御装置（１０）は、タイマー（１２）を備え、
タイマー（１２）は、その温度維持運転の実施時において、圧力センサ（１１）の測定結果に基いて、製膜室（２）内の圧力が一定になってからの経過時間をカウントし、
製膜室制御装置（１０）は、タイマー（１２）がカウントした経過時間が所定の時間に達すると、製膜室（２）内が高真空状態となるように製膜室（２）の動作を制御する。
製膜室（２）内の圧力が一定になってから、所定の時間が経過してから、基板投入のスタンバイ状態である高真空状態へ戻すことで、温度維持運転の１サイクルの時間を規定することができる。これにより、温度維持運転の開始タイミング及び終了タイミングを、より正確に設定することができる。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
The film forming chamber (2) further includes a pressure sensor (11) for measuring the pressure in the film forming chamber (2),
The film forming chamber control device (10) includes a timer (12),
The timer (12) counts the elapsed time after the pressure in the film forming chamber (2) becomes constant based on the measurement result of the pressure sensor (11) at the time of the temperature maintenance operation.
When the elapsed time counted by the timer (12) reaches a predetermined time, the film forming chamber control device (10) operates the film forming chamber (2) so that the inside of the film forming chamber (2) is in a high vacuum state. To control.
After a predetermined time has elapsed after the pressure in the film forming chamber (2) has become constant, the time for one cycle of the temperature maintenance operation is defined by returning to the high vacuum state, which is a standby state for substrate loading. can do. Thereby, the start timing and end timing of the temperature maintenance operation can be set more accurately.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
その圧力は、５００Pa以上の一定の値になるように調整される。
５００Pa以下で温度維持運転を行った場合には、熱源からの伝熱が不十分となり、温度維持が有効に行われない。よって、温度維持運転時においては、圧力を５００Pa以上で調整することが好ましい。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
The pressure is adjusted to a constant value of 500 Pa or more.
When the temperature maintenance operation is performed at 500 Pa or less, heat transfer from the heat source becomes insufficient, and the temperature maintenance is not effectively performed. Therefore, during the temperature maintenance operation, it is preferable to adjust the pressure at 500 Pa or more.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
製膜室（２）は、
更に、
製膜室（２）内から排気されるガスの量を制御する排気量調整装置（１３）と、
製膜室（２）内に導入するガスの量を制御する導入ガス調整装置（１４）と、
を備え、
製膜室制御装置（１０）は、温度維持運転の実施時において、排気量調整装置（１３）と、導入ガス調整装置（１４）の動作を制御することにより、製膜室（２）内の圧力を調整することが好ましい。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
The film formation room (2)
Furthermore,
An exhaust amount adjusting device (13) for controlling the amount of gas exhausted from the film forming chamber (2);
An introduction gas adjusting device (14) for controlling the amount of gas introduced into the film forming chamber (2);
With
The film forming chamber control device (10) controls the operation of the exhaust gas amount adjusting device (13) and the introduced gas adjusting device (14) during the temperature maintenance operation, thereby controlling the inside of the film forming chamber (2). It is preferable to adjust the pressure.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
製膜室（２）は、更に、製膜室（２）内部の温度を測定する温度センサ（１５）を備え、
製膜室制御装置（１０）は、温度センサ（１５）の測定結果に基いて、製膜室（２）内の温度が所定の温度より高い場合において、製膜室（２）内が高真空状態となるように、製膜室（２）の動作を制御する。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
The film forming chamber (2) further includes a temperature sensor (15) for measuring the temperature inside the film forming chamber (2),
When the temperature in the film forming chamber (2) is higher than a predetermined temperature based on the measurement result of the temperature sensor (15), the film forming chamber control device (10) has a high vacuum in the film forming chamber (2). The operation of the film forming chamber (2) is controlled so as to be in a state.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）において、
製膜室（２）は、
基板（６）に対して製膜を行うための製膜ユニット（１６）と、
ヒータ（１７）からの熱が伝熱され、基板（６）を支持するためのヒータカバー（１８）と、
ヒータカバー（１８）の位置を調節するヒータカバー位置調節装置（１９）と、
を備え、
製膜室制御装置（１０）は、その温度維持運転の実施時に、更に、ヒータカバー（１８）の位置が製膜ユニット（１６）に近づくように、ヒータカバー位置調節装置（１９）の動作を制御する。
ヒータカバー（１８）の位置を製膜ユニット（１６）に近づけることで、ヒータ（１７）からヒータカバー（１８）を介して製膜ユニット（１６）へ伝わる伝熱が促進される。よって、より効果的に製膜室（２）内の構造物である製膜ユニット（１６）の温度が維持される。 In the plasma CVD apparatus (1) according to the present invention,
The film formation room (2)
A film forming unit (16) for forming a film on the substrate (6);
Heat from the heater (17) is transferred and a heater cover (18) for supporting the substrate (6);
A heater cover position adjusting device (19) for adjusting the position of the heater cover (18);
With
The film forming chamber control device (10) operates the heater cover position adjusting device (19) so that the position of the heater cover (18) approaches the film forming unit (16) when the temperature maintenance operation is performed. Control.
By bringing the position of the heater cover (18) closer to the film forming unit (16), heat transfer from the heater (17) to the film forming unit (16) through the heater cover (18) is promoted. Therefore, the temperature of the film forming unit (16) which is a structure in the film forming chamber (2) is more effectively maintained.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法は、
基板搬送装置（７）により、複数の製膜室（２）、ロード室（３）、及びアンロード室（４）を備える複数の処理室（５）の各々に出し入れされる基板（６）の位置を検出する位置検出ステップ（ステップＳ１０）と、
位置検出ステップ（Ｓ１０）で検出された基板（６）の位置情報に基いて、各製膜室（２）において基板（６）が搬入されるまでの待ち時間が、所定の時間よりも長いか否かを判断する待ち時間検出ステップ（ステップＳ２０）と、
待ち時間検出ステップ（Ｓ２０）により、その待ち時間が所定の時間よりも長いと判断した場合において、製膜室（２）内の温度を製膜時の温度に近い温度に維持するための温度維持運転を実施する温度維持運転ステップ（ステップＳ３０）と、
を備える。 The temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention is as follows:
The substrate transfer device (7) allows the substrate (6) to be taken in and out of each of a plurality of processing chambers (5) including a plurality of film forming chambers (2), a load chamber (3), and an unload chamber (4). A position detecting step (step S10) for detecting a position;
Based on the position information of the substrate (6) detected in the position detection step (S10), is the waiting time until the substrate (6) is carried in each film forming chamber (2) longer than a predetermined time? A waiting time detecting step (step S20) for determining whether or not,
In the waiting time detection step (S20), when it is determined that the waiting time is longer than the predetermined time, the temperature maintenance for maintaining the temperature in the film forming chamber (2) at a temperature close to the temperature at the time of film forming. A temperature maintenance operation step (step S30) for carrying out the operation;
Is provided.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
基板搬送装置（７）は、基板（６）をロード室（３）を介して装置（１）内に搬入し、各製膜室（２）に予め定められた順番で出し入れした後にアンロード室（４）より装置外へ搬出し、
待ち時間検出ステップ（Ｓ２０）では、各製膜室（２）について、基板（６）の出し入れの順番が一つ前の製膜室（２）内又はロード室（３）内に基板（６）が存在しない場合において、その待ち時間が所定の時間よりも長いと判断する。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The substrate transfer device (7) carries the substrate (6) into the device (1) through the load chamber (3), puts it in and out of each film forming chamber (2) in a predetermined order, and then unloads the chamber. (4) From outside the device,
In the waiting time detecting step (S20), for each film forming chamber (2), the substrate (6) is placed in the film forming chamber (2) or the load chamber (3) in which the substrate (6) is put in and out. Is not present, it is determined that the waiting time is longer than a predetermined time.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
温度維持運転ステップ（Ｓ３０）は、製膜室（２）内の圧力を調整する圧力調整ステップ（ステップＳ６０）を備える。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The temperature maintaining operation step (S30) includes a pressure adjustment step (step S60) for adjusting the pressure in the film forming chamber (2).

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
温度維持運転ステップ（Ｓ３０）は、更に、
製膜室（２）内の状態を、真空度の高い高真空排気状態から、その高真空排気状態よりも真空度が低い粗引き状態に切り替えるステップ（ステップＳ４０）と、
その粗引き状態にて、雰囲気ガスを前記製膜室内に導入する雰囲気ガス導入ステップ（ステップＳ５０）と、を備え、
圧力調整ステップ（Ｓ６０）は、雰囲気ガス導入ステップ（Ｓ５０）の後に実施されることが好ましい。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The temperature maintenance operation step (S30) further includes:
Switching the state in the film forming chamber (2) from a high vacuum exhaust state having a high degree of vacuum to a roughing state having a lower degree of vacuum than the high vacuum exhaust state (step S40);
An atmospheric gas introduction step (step S50) for introducing atmospheric gas into the film forming chamber in the roughing state;
The pressure adjustment step (S60) is preferably performed after the atmospheric gas introduction step (S50).

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
温度維持運転ステップ（Ｓ３０）は、更に、
ヒータ（１７）からの熱が伝熱され基板（６）を支持するためのヒータカバー（１８）の位置を、基板（６）に対して製膜を行うための製膜ユニット（１６）に近づけるように、ヒータカバー（１８）の位置を調節するヒータカバー位置調節装置（１９）の動作を制御するヒータカバー位置調整ステップ（ステップＳ９０）、
を備え、
圧力調整ステップ（Ｓ６０）は、ヒータカバー位置調整ステップ（Ｓ９０）の後に実施される。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The temperature maintenance operation step (S30) further includes:
The position of the heater cover (18) for transferring the heat from the heater (17) to support the substrate (6) is brought close to the film forming unit (16) for forming the film on the substrate (6). A heater cover position adjusting step (step S90) for controlling the operation of the heater cover position adjusting device (19) for adjusting the position of the heater cover (18),
With
The pressure adjustment step (S60) is performed after the heater cover position adjustment step (S90).

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
圧力調整ステップ（Ｓ６０）は、製膜室（２）内の圧力を一定に保つように調整するステップ、を備えることが好ましい。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The pressure adjustment step (S60) preferably includes a step of adjusting the pressure in the film forming chamber (2) so as to keep constant.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
圧力調整ステップ（Ｓ６０）は、製膜室（２）内の圧力を測定するステップ（ステップＳ６３）を備え、
温度維持運転ステップ（３０）は、更に、
製膜室（２）内の圧力が一定になってからの経過時間をカウントする経過時間カウントステップ（ステップＳ７０）と、
経過時間カウントステップ（Ｓ７０）でカウントされた経過時間が所定の時間に達すると、製膜室（２）内が高真空排気状態となるように製膜室（２）の動作を制御する高真空処理ステップ（ステップＳ８０）と、
を備える。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The pressure adjustment step (S60) includes a step (step S63) of measuring the pressure in the film forming chamber (2).
The temperature maintenance operation step (30) further includes:
An elapsed time counting step (step S70) for counting an elapsed time after the pressure in the film forming chamber (2) becomes constant;
When the elapsed time counted in the elapsed time counting step (S70) reaches a predetermined time, the high vacuum for controlling the operation of the film forming chamber (2) so that the film forming chamber (2) is in a high vacuum exhaust state. Processing step (step S80);
Is provided.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
圧力調整ステップ（Ｓ６０）は、製膜室（２）内の圧力を、５００Pa以上の一定の値になるように調整するステップ、を備える。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The pressure adjustment step (S60) includes a step of adjusting the pressure in the film forming chamber (2) so as to be a constant value of 500 Pa or more.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
圧力調整ステップ（Ｓ６０）では、製膜室（２）から排気される気体の量と、製膜室（２）へ導入されるガスの量と、を制御することにより、製膜室（２）内の圧力を調整することが好ましい。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
In the pressure adjustment step (S60), the film forming chamber (2) is controlled by controlling the amount of gas exhausted from the film forming chamber (2) and the amount of gas introduced into the film forming chamber (2). It is preferable to adjust the internal pressure.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
圧力調整ステップ（Ｓ６０）は、
製膜室（２）内の温度を測定するステップ（Ｓ６３）と、
製膜室（２）内の温度が所定の温度より高くなった場合において、製膜室（２）内の温度を下げる温度低下運転を行う温度低下ステップ（ステップＳ６５）と、
を備える。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The pressure adjustment step (S60)
Measuring the temperature in the film forming chamber (2) (S63);
A temperature lowering step (step S65) for performing a temperature lowering operation for lowering the temperature in the film forming chamber (2) when the temperature in the film forming chamber (2) is higher than a predetermined temperature;
Is provided.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
温度低下ステップ（ステップＳ６５）は、製膜室（２）内の圧力を下げるステップ、を備える。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The temperature lowering step (step S65) includes a step of lowering the pressure in the film forming chamber (2).

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法において、
その雰囲気ガスは水素を含むものであることを特徴とする。 In the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present invention,
The atmosphere gas contains hydrogen.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置（１）は、
温度センサ（１１）の設置位置は製膜室（２）内の製膜ユニット（１６）又はヒータカバー（１８）又はその両方であることを特徴とする。 A plasma CVD apparatus (1) according to the present invention comprises:
The installation position of the temperature sensor (11) is the film forming unit (16) in the film forming chamber (2), the heater cover (18), or both.

本発明によれば、即ち、基板が投入されるとすぐに製膜を行うことができる技術を提供される。   According to the present invention, there is provided a technique capable of forming a film as soon as a substrate is loaded.

更に、本発明によれば、基板が投入されるとすぐに製膜を行うことができ、更に、膜質や膜厚に対して悪影響を及ぼさず待機できる技術が提供される。   Furthermore, according to the present invention, a technique can be provided in which a film can be formed as soon as a substrate is loaded, and can stand by without adversely affecting the film quality and film thickness.

更に、本発明に依れば、基板の投入間隔に脈動がある場合においても、温度を維持する為の運転の開始タイミング及び終了タイミングを、適切に設定することができる技術が提供される。   Further, according to the present invention, there is provided a technique capable of appropriately setting the start timing and the end timing of the operation for maintaining the temperature even when there is a pulsation in the substrate loading interval.

（実施の形態）
（構成）
図１Ａは、本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置１の概略構成図を示している。本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置１は、複数の処理室５、複数の製膜室制御装置１０、複数の位置検出装置８、被処理対象である基板６を搬送する基板搬送装置７、及び上位制御装置２０を備えている。 (Embodiment)
(Constitution)
FIG. 1A shows a schematic configuration diagram of a plasma CVD apparatus 1 according to the present embodiment. The plasma CVD apparatus 1 according to the present embodiment includes a plurality of processing chambers 5, a plurality of film forming chamber control devices 10, a plurality of position detection devices 8, a substrate transfer device 7 that transfers a substrate 6 to be processed, and A host controller 20 is provided.

複数の処理室５は、ロード室３、複数の製膜室２、及びアンロード室４を備えている。本実施の形態では、複数の製膜室２は、二つの第１製膜室２１、二つの第２製膜室２２、及び一の第３製膜室２３からなる場合について説明する。このような複数の製膜室２の構成は、薄膜太陽電池の半導体層の製膜工程において、ｐ、i、n層を順次積層させる場合に用いられることがある。薄膜太陽電池の半導体層の製膜工程のように、複数の製膜室２を用いて、基板６に対して複数の異なる工程の処理を行う場合には、ある製膜室２において次に基板６が投入されるまでの待ち時間がランダムとなり易い。よって、待ち時間における有効な温度維持方法の提供がより望まれている。   The plurality of processing chambers 5 include a load chamber 3, a plurality of film forming chambers 2, and an unload chamber 4. In the present embodiment, a case will be described in which the plurality of film forming chambers 2 includes two first film forming chambers 21, two second film forming chambers 22, and one third film forming chamber 23. Such a configuration of the plurality of film forming chambers 2 may be used when the p, i, and n layers are sequentially stacked in the film forming process of the semiconductor layer of the thin film solar cell. In the case where a plurality of different processes are performed on the substrate 6 using a plurality of film forming chambers 2 as in the process of forming a semiconductor layer of a thin film solar cell, the substrate is next placed in a film forming chamber 2. The waiting time until 6 is inserted tends to be random. Therefore, it is more desirable to provide an effective temperature maintenance method during the waiting time.

被処理対象である基板６は、図１Ｂ中の矢印の順序に従って装置内を移動する。即ち、基板６は、基板搬送装置７に支持された状態で、ロード室３からプラズマＣＶＤ装置１の内部へ搬入される。ロード室３から搬入された基板６は、まず二つの第１製膜室２１のうちのいずれか（第１製膜室２１Ａ又は第１製膜室２１Ｂ）に投入されて、ｐ層が製膜される。ｐ層の製膜が終了した基板６は、続いて、二つの第２製膜室２２のいずれか（第２製膜室２２Ａ又は第１製膜室２２Ｂ）に投入されてi層が製膜される。i層が製膜された基板６は、更に、第３製膜室２３に投入されてn層が製膜される。これにより、基板６に対して、薄膜太陽電池の半導体層であるpin層が形成される。基板６の搬送順序は、予め定められており、ロード室３から第１製膜室２１Ａに搬入された基板６は、第１製膜室２１Ａ→第２製膜室２２Ａ→第３製膜室２３→アンロード室２４の順（図1Ｂ中、実線矢印）に搬送され、第１製膜室２１Ｂに搬入された基板６は、第１製膜室２１Ｂ→第２製膜室２２Ｂ→第３製膜室２３→アンロード室２４（図1Ｃ中、点線矢印）の順に搬送される。最後に、基板６は、アンロード室４から、プラズマＣＶＤ装置１の外へ搬出される。   The substrate 6 to be processed moves in the apparatus according to the order of arrows in FIG. 1B. That is, the substrate 6 is carried into the plasma CVD apparatus 1 from the load chamber 3 while being supported by the substrate transfer apparatus 7. The substrate 6 carried in from the load chamber 3 is first put into one of the two first film forming chambers 21 (the first film forming chamber 21A or the first film forming chamber 21B), and the p layer is formed into a film. Is done. The substrate 6 on which the formation of the p layer has been completed is then put into one of the two second film formation chambers 22 (the second film formation chamber 22A or the first film formation chamber 22B), and the i layer is formed. Is done. The substrate 6 on which the i layer is formed is further put into the third film forming chamber 23 to form the n layer. Thereby, a pin layer which is a semiconductor layer of the thin film solar cell is formed on the substrate 6. The transfer order of the substrate 6 is determined in advance, and the substrate 6 carried into the first film forming chamber 21A from the load chamber 3 is the first film forming chamber 21A → the second film forming chamber 22A → the third film forming chamber. The substrate 6 transferred in the order of 23 → unload chamber 24 (solid arrow in FIG. 1B) and carried into the first film forming chamber 21B is transferred to the first film forming chamber 21B → second film forming chamber 22B → third. The film is transferred in the order of the film forming chamber 23 → the unload chamber 24 (indicated by a dotted arrow in FIG. 1C). Finally, the substrate 6 is carried out of the plasma CVD apparatus 1 from the unload chamber 4.

一方、複数設けられた製膜室のうちの何れかがメンテナンスなどにより休止している場合には、適宜搬送順序が変更される。図１Ｃは、第２製膜室２２Ｂがメンテナンスなどで休止した場合の搬送順序を示している。図１Ｃ中、実線で示される第１製膜室２１Ａからの搬送順序は図１Ｂと同様であるが、点線で示される第１製膜室２１Ｂからの搬送順序は、第１製膜室２１Ｂ→第２製膜室２２Ａ→第３製膜室２３→アンロード室２４と、図１Ｂで示される搬送順序から変更されている。この場合、第２製膜室２２Ａは、第１製膜室２１Ａ又は第１製膜室２１Ｂのいずれかから、基板６が搬入されてくる可能性がある。   On the other hand, when any one of the plurality of film forming chambers is stopped due to maintenance or the like, the transfer order is changed as appropriate. FIG. 1C shows a transfer order when the second film forming chamber 22B is stopped due to maintenance or the like. In FIG. 1C, the transfer order from the first film forming chamber 21A indicated by the solid line is the same as that in FIG. 1B, but the transfer order from the first film forming chamber 21B indicated by the dotted line is the first film forming chamber 21B → The second film-forming chamber 22A → the third film-forming chamber 23 → the unload chamber 24 and the transfer order shown in FIG. 1B are changed. In this case, the substrate 6 may be carried into the second film forming chamber 22A from either the first film forming chamber 21A or the first film forming chamber 21B.

基板６の、ロード室３から各製膜室２への出し入れ、及びアンロード室４から外部への搬出は、基板搬送装置７に支持されることで行われる。尚、基板搬送装置７は基板６を２枚支持しており、一つの製膜室２への投入は、基板６が２枚一組として投入される。また、基板搬送装置７は複数使用されることもある。また、基板６の搬送順序は、上位制御装置２０が決定している。搬送順序の変更なども上位制御装置２０が行い、上位制御装置２０が決定した搬送順序に従って、基板搬送装置７が基板６を支持して移動する。   The substrate 6 is taken in and out of the film forming chamber 2 from the load chamber 3 and unloaded from the unload chamber 4 to the outside by being supported by the substrate transfer device 7. The substrate transfer device 7 supports two substrates 6, and two substrates 6 are loaded as a set into one film forming chamber 2. A plurality of substrate transfer devices 7 may be used. Further, the order of transporting the substrates 6 is determined by the host controller 20. The higher order control device 20 also changes the transfer order, and the substrate transfer device 7 supports and moves the substrate 6 in accordance with the transfer order determined by the higher order control device 20.

各製膜室２及びロード室３は、位置検出装置８を備えている。位置検出装置８は、各製膜室２及びロード室３内に、基板６が投入されているか否かを検出する。位置検出装置８は、上位制御装置２０と接続しており、上位接続装置２０に対して各製膜室２に基板が投入されているか否かを通知する。   Each of the film forming chambers 2 and the load chambers 3 includes a position detection device 8. The position detection device 8 detects whether or not the substrate 6 is put in each film forming chamber 2 and the load chamber 3. The position detection device 8 is connected to the host control device 20 and notifies the host connection device 20 whether or not a substrate has been put into each film forming chamber 2.

各製膜室２には、図３に示される様に、温度センサ１５、圧力センサ１１、導入ガス調整装置１４、及び排気量調整装置１３が備えられている。また、図２に示される様に、各製膜室２の内部には、基板６に対して製膜を行う為の製膜ユニット１６、製膜時に基板６を支持するためのヒータカバー１８、ヒータ１７、及びヒータカバー位置調節装置１９が備えられている。   As shown in FIG. 3, each film forming chamber 2 is provided with a temperature sensor 15, a pressure sensor 11, an introduced gas adjusting device 14, and an exhaust amount adjusting device 13. Further, as shown in FIG. 2, in each film forming chamber 2, a film forming unit 16 for forming a film on the substrate 6, a heater cover 18 for supporting the substrate 6 during film formation, A heater 17 and a heater cover position adjusting device 19 are provided.

温度センサ１５は製膜室２内の構造物の温度を随時測定している。温度センサ１５は、製膜室制御装置１０と接続しており、測定した温度データを製膜室制御装置１０に通知する。製膜ユニット１６の温度は製膜時の製膜状態に対して多大な影響を与える。よって、温度センサ１５は、製膜室２内の構造物として、ヒータカバー１８の温度を測定することが好ましい。よって、温度センサ１５が、製膜室２内の構造物としてヒータカバー１８の温度を測定するとして説明をする。   The temperature sensor 15 measures the temperature of the structure in the film forming chamber 2 as needed. The temperature sensor 15 is connected to the film forming chamber control device 10 and notifies the film forming chamber control device 10 of the measured temperature data. The temperature of the film forming unit 16 has a great influence on the film forming state during film formation. Therefore, it is preferable that the temperature sensor 15 measures the temperature of the heater cover 18 as a structure in the film forming chamber 2. Therefore, description will be made assuming that the temperature sensor 15 measures the temperature of the heater cover 18 as a structure in the film forming chamber 2.

圧力センサ１１は、製膜室２内部の圧力を随時測定している。圧力センサ１１は、製膜室制御装置１０と接続しており、測定した圧力データを製膜室制御装置１０に通知する。   The pressure sensor 11 measures the pressure inside the film forming chamber 2 as needed. The pressure sensor 11 is connected to the film forming chamber control device 10 and notifies the film forming chamber control device 10 of the measured pressure data.

導入ガス調整装置１４は、製膜室２に対する導入ガスラインに設けられており、製膜室２に導入する雰囲気ガスの導入量を調節する。導入ガス調整装置１４としては、マスフローコントローラが例示される。導入ガス調整装置１４は、製膜室制御装置１０に接続している。導入される雰囲気ガスとしては、製膜時に主成分として用いられるＨ２ガスを使用することができる。また、Ｈ２ガス以外のガスとして、Ｎ２ガス、Ａｒガス、及びＳｉＨ４／Ｈ２混合ガスも使用することができる。Ｎ２ガスは、安価であり、経済的に有利である。Ａｒガスは、Ｈ２ガスと同様な熱伝導率が得られ、更に不活性ガスであるために安全性が高い。ＳｉＨ４／Ｈ２混合ガスは、製膜時の成分に近いために、ガスが製膜時に残留した場合の製膜への影響が少なくなる。尚、本発明において用いられる雰囲気ガスは、上述のものに限られるものではなく、適宜選定して最良のガスを用いることができる。 The introduction gas adjusting device 14 is provided in the introduction gas line for the film forming chamber 2 and adjusts the introduction amount of the atmospheric gas introduced into the film forming chamber 2. As the introduction gas adjusting device 14, a mass flow controller is exemplified. The introduced gas adjusting device 14 is connected to the film forming chamber control device 10. As the introduced atmospheric gas, H 2 gas used as a main component during film formation can be used. Moreover, N 2 gas, Ar gas, and SiH 4 / H 2 mixed gas can also be used as a gas other than H 2 gas. N 2 gas is inexpensive and economically advantageous. Ar gas has a thermal conductivity similar to that of H 2 gas, and is highly inert because it is an inert gas. Since the SiH 4 / H 2 mixed gas is close to the component at the time of film formation, the influence on the film formation when the gas remains at the time of film formation is reduced. In addition, the atmospheric gas used in the present invention is not limited to the above-described one, and the best gas can be used by appropriately selecting.

排気量調整装置１３は、真空ポンプ２４と、排気管２６、及び排気量制御弁２５を備えている。製膜室２に接続した排気管２６は、真空ポンプ２４に接続しており、排気管２６の途中に排気量制御弁２５が設けられている。真空ポンプ２４を稼動させることにより、製膜室２中に存在するガスが排気される。その排気量は、排気量制御弁２５により調整される。排気量制御弁２５は、製膜室制御装置１０と接続している。又、排気量調整装置１３はドライポンプ、ブースターポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等の真空ポンプから排気ラインを構成され、製膜室２内を高真空排気及び粗引き真空排気、圧力調整が実施できる構成であればどのような構成でもよい。   The exhaust amount adjusting device 13 includes a vacuum pump 24, an exhaust pipe 26, and an exhaust amount control valve 25. The exhaust pipe 26 connected to the film forming chamber 2 is connected to a vacuum pump 24, and an exhaust amount control valve 25 is provided in the middle of the exhaust pipe 26. By operating the vacuum pump 24, the gas present in the film forming chamber 2 is exhausted. The exhaust amount is adjusted by the exhaust amount control valve 25. The displacement control valve 25 is connected to the film forming chamber control device 10. The exhaust volume adjusting device 13 includes an exhaust line from vacuum pumps such as a dry pump, a booster pump, a turbo molecular pump, and a cryopump, and the inside of the film forming chamber 2 is subjected to high vacuum exhaust, rough vacuum exhaust, and pressure adjustment. Any configuration is possible as long as it is possible.

ヒータカバー１８は、ヒータ１７近傍のヒータ１７側位置と、製膜ユニット１６側位置の２つの位置にヒータカバー位置調節装置１９によって配置される。基板６に対する製膜時においては、ヒータカバー１８は、製膜ユニット１６側位置に配置される。また、基板６が製膜室２内に搬入される際には、ヒータ１７側位置に配置されている。   The heater cover 18 is arranged by the heater cover position adjusting device 19 at two positions, a heater 17 side position near the heater 17 and a film forming unit 16 side position. During film formation on the substrate 6, the heater cover 18 is disposed at the position on the film forming unit 16 side. Further, when the substrate 6 is carried into the film forming chamber 2, it is disposed at the heater 17 side position.

各製膜室制御装置１０は各製膜室２と接続している。各製膜室制御装置１０は、各製膜室２に備えられた排気量調整装置１３、導入ガス調整装置１４、及びヒータカバー位置調節装置１９の動作を制御する。また、製膜室制御装置１０は、タイマー１２を備えており、タイマー１２は、製膜室制御装置１０の指示に従って、時間をカウントする。また、各製膜室制御装置１０は、上位制御装置２０と接続しており、各製膜室２が温度維持運転を行っているか否かを上位制御装置２０に対して通知する。   Each film forming chamber control device 10 is connected to each film forming chamber 2. Each film forming chamber control device 10 controls operations of an exhaust amount adjusting device 13, an introduced gas adjusting device 14, and a heater cover position adjusting device 19 provided in each film forming chamber 2. Further, the film forming chamber control device 10 includes a timer 12, and the timer 12 counts time according to an instruction from the film forming chamber control device 10. In addition, each film forming chamber control device 10 is connected to the host controller 20 and notifies the host controller 20 whether or not each film forming chamber 2 is performing a temperature maintenance operation.

上位制御装置２０は、コンピュータで構成されている。上位制御装置２０には、コンピュータプログラムとして、待ち時間検出部９がインストールされている。待ち時間検出部９は、位置検出装置８から通知された基板６の位置情報に基いて、各製膜室２の基板投入までの待ち時間が「長い」かどうかを判断する機能を実現する。待ち時間が「長い」か否かの判断基準は、温度維持運転の実行に要する時間を予め把握しておくことにより可能である。本実施の形態においては、ある製膜室２に投入される基板６が、その製膜室２に投入される一つ前に投入されるべき処理室５においても未だ処理されていない場合には、製膜室２に基板６が投入されるまでの待ち時間が、温度維持運転の実行に要する時間よりも長くなる場合について説明する。但し、位置検出装置８が基板６の位置を各処理室５以外の場所で把握し、上位制御装置２０が製膜室の待ち時間を時間単位で計算し、温度維持運転の実行に要する時間と比較することで待ち時間が「長い」か否かを判断してもよい。   The host controller 20 is configured by a computer. The host control device 20 is installed with a waiting time detection unit 9 as a computer program. The waiting time detection unit 9 realizes a function of determining whether the waiting time until the substrate is loaded into each film forming chamber 2 is “long” based on the position information of the substrate 6 notified from the position detection device 8. The criterion for determining whether or not the waiting time is “long” can be obtained by grasping in advance the time required to execute the temperature maintenance operation. In the present embodiment, when the substrate 6 put into a certain film forming chamber 2 is not yet processed in the processing chamber 5 to be put into the film forming chamber 2 one time before. The case where the waiting time until the substrate 6 is put into the film forming chamber 2 is longer than the time required for executing the temperature maintenance operation will be described. However, the position detecting device 8 grasps the position of the substrate 6 at a place other than each processing chamber 5, and the host controller 20 calculates the waiting time of the film forming chamber in units of time, and the time required for executing the temperature maintenance operation It may be determined whether the waiting time is “long” by comparing.

待ち時間検出部９は、基板投入までの待ち時間が長いと判断した製膜室２に対しては、対応する製膜室制御装置１０に対して、温度維持運転を実行させるように指示を与える。また、上位制御装置２０は、基板６の搬送順序を決定しており、基板搬送装置７を搬送順序に従って移動させる機能を実現している。また、上位制御装置２０は、格納部（図示せず）を備えており、格納部には基板６の搬送順序や、各製膜室の設定温度、温度維持運転の実行に要する時間、などの各種情報が格納されている。   The waiting time detection unit 9 gives an instruction to the corresponding film forming chamber control device 10 to execute the temperature maintenance operation for the film forming chamber 2 that has been determined that the waiting time until the substrate is loaded is long. . The host controller 20 determines the transport order of the substrates 6 and realizes a function of moving the substrate transport device 7 according to the transport order. Further, the host controller 20 includes a storage unit (not shown), and the storage unit includes a transfer order of the substrates 6, a set temperature of each film forming chamber, a time required to execute the temperature maintenance operation, and the like. Various information is stored.

（動作）
上述の構成を有するプラズマＣＶＤ装置１は、以下に示すように動作して、基板が投入されるまでの各製膜室２内の温度を維持する。図４は、本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法のフローチャートを示している。 (Operation)
The plasma CVD apparatus 1 having the above-described configuration operates as follows to maintain the temperature in each film forming chamber 2 until the substrate is loaded. FIG. 4 shows a flowchart of the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present embodiment.

（ステップＳ１０）
まず、ロード室３及び各製膜室２に設けられた位置検出装置８が、基板６の位置を検出する。基板６の位置の検出は、各処理室５内に基板６が投入されているか否かで判断される。位置検出装置８は、各処理室５内について、基板６が投入されているか否かの情報（位置情報）を上位制御装置２０に通知する。 (Step S10)
First, the position detector 8 provided in the load chamber 3 and each film forming chamber 2 detects the position of the substrate 6. The detection of the position of the substrate 6 is determined by whether or not the substrate 6 is put in each processing chamber 5. The position detection device 8 notifies the host control device 20 of information (position information) as to whether or not the substrate 6 is loaded in each processing chamber 5.

（ステップＳ２０）
上位制御装置２０は、待ち時間検出部９によって、位置検出装置８から通知された基板６の位置情報から、基板６の搬送順序の情報に基いて、各製膜室２における基板６が投入されるまでの待ち時間を検出する。例えば、図１Ｂにおいて、第１製膜室２１Ａ中に基板６が投入されているとすると、次に基板６は第２製膜室２２Ａに投入されるので、第２製膜室２２Ａの待ち時間を「長くない」と検出する。一方、第１製膜室２１Ｂ中には基板が搬入されていない場合、第２製膜室２２Ｂへ基板６が投入されるのは、少なくとも第１製膜室２１Ｂに基板６が投入されて製膜処理が実施された後になる。よって、待ち時間検出部９は、第２製膜室２２Ｂの待ち時間を「長い」と検出する。 (Step S20)
The host controller 20 loads the substrates 6 in each film forming chamber 2 from the position information of the substrates 6 notified from the position detector 8 by the waiting time detection unit 9 based on the information on the transfer order of the substrates 6. Detect the waiting time until For example, in FIG. 1B, if the substrate 6 is put into the first film forming chamber 21A, then the substrate 6 is put into the second film forming chamber 22A, so that the waiting time of the second film forming chamber 22A. Is detected as “not long”. On the other hand, when the substrate is not carried into the first film forming chamber 21B, the substrate 6 is loaded into the second film forming chamber 22B because at least the substrate 6 is loaded into the first film forming chamber 21B. After the membrane treatment is performed. Therefore, the waiting time detection unit 9 detects that the waiting time of the second film forming chamber 22B is “long”.

尚、基板６の搬送順序が図１Ｃに示されるような経路であった場合について説明する。図１Ｃにおいて、第２製膜室２２Ａへ投入される基板６は、第１製膜室２１Ａ又は第１製膜室２１Ｂにおいて製膜が終了された基板６である。よって、待ち時間検出部９は、第１製膜室２１Ａ及び第１製膜室２１Ｂのどちらにも基板６が投入されていない場合にのみ、第２製膜室２２Ａの待ち時間は「長い」と検出する。   A case will be described in which the transport sequence of the substrate 6 is a route as shown in FIG. 1C. In FIG. 1C, the substrate 6 put into the second film forming chamber 22A is the substrate 6 that has been formed in the first film forming chamber 21A or the first film forming chamber 21B. Therefore, the waiting time detection unit 9 sets the waiting time of the second film forming chamber 22A to “long” only when the substrate 6 is not put into either the first film forming chamber 21A or the first film forming chamber 21B. Is detected.

（ステップＳ３０）
ステップＳ２０において、待ち時間が「長い」と検出された製膜室２に対しては、製膜室２の動作を制御する製膜室制御装置１０に対して、上位制御装置２０から温度維持運転を実行するように指示が与えられる。上位制御装置２０から、温度維持運転を実行するように指示を受けた製膜室制御装置１０は、温度維持運転を実行するように、製膜室２の動作を制御する。以下に、温度維持運転の各ステップについて詳述する。図５は温度維持運転の動作の流れを示すフローチャートである。 (Step S30)
In step S20, for the film forming chamber 2 in which the waiting time is detected as “long”, the temperature control operation is performed from the host controller 20 to the film forming chamber control device 10 that controls the operation of the film forming chamber 2. Is instructed to execute Receiving an instruction from the host control device 20 to execute the temperature maintenance operation, the film formation chamber control device 10 controls the operation of the film formation chamber 2 so as to execute the temperature maintenance operation. Below, each step of temperature maintenance operation is explained in full detail. FIG. 5 is a flowchart showing the flow of operation of the temperature maintenance operation.

（ステップＳ４０）
基板６の投入待ちをしている製膜室２は、通常、真空度の高い高真空排気状態で待機している。温度維持運転の開始にあたり、製膜室制御装置１０は、製膜室の状態を高真空排気状態よりも圧力の高い粗引き状態に変更する。即ち、製膜室制御装置１０は、排気量制御弁２５を操作して、製膜室２内の排気状態を粗引き状態に変更する。 (Step S40)
The film forming chamber 2 waiting for the substrate 6 is normally in a high vacuum exhaust state with a high degree of vacuum. At the start of the temperature maintenance operation, the film forming chamber control device 10 changes the state of the film forming chamber to a roughing state in which the pressure is higher than that in the high vacuum exhaust state. That is, the film forming chamber control device 10 operates the exhaust amount control valve 25 to change the exhaust state in the film forming chamber 2 to the roughing state.

（ステップＳ９０）
製膜室２内を粗引き状態に変更する一方で、製膜室制御装置１０は、ヒータカバー１８の位置を調整する。ヒータカバー１８は、通常、ヒータ１７の近傍の位置（待機位置）で待機しており、製膜時には、基板６を支持して製膜ユニット１６の近傍（製膜位置）へ移動する。製膜室制御装置１０は、温度維持運転の指示を受けると、ヒータカバー位置調節装置１９を操作して、ヒータカバー１８を待機位置から製膜位置に移動させる。 (Step S90)
While the inside of the film forming chamber 2 is changed to a rough drawing state, the film forming chamber control device 10 adjusts the position of the heater cover 18. The heater cover 18 normally stands by at a position near the heater 17 (standby position), and moves to the vicinity of the film forming unit 16 (film forming position) while supporting the substrate 6 during film formation. When receiving the temperature maintenance operation instruction, the film forming chamber control device 10 operates the heater cover position adjusting device 19 to move the heater cover 18 from the standby position to the film forming position.

（ステップＳ５０）
ステップＳ４０の処理に続いて、製膜室２内に雰囲気ガスの導入が行われる。即ち、製膜室制御装置１０は、導入ガス調整装置１４を操作して、雰囲気ガスを所定の流量で製膜室２内へ供給させる。 (Step S50)
Subsequent to the processing in step S40, the atmospheric gas is introduced into the film forming chamber 2. That is, the film forming chamber control device 10 operates the introduction gas adjusting device 14 to supply the atmospheric gas into the film forming chamber 2 at a predetermined flow rate.

（ステップＳ６０）
ステップＳ５０で雰囲気ガスが導入されると、製膜室制御装置１０は、製膜室２内の圧力を５００ＰａＰａ以上の値で一定に保つように製膜室２を動作させる（圧力調整ステップ；ステップＳ６０）。本実施の形態では、５００Ｐａで一定に保つ場合について、詳細を以下に説明する（ステップＳ６１〜Ｓ６６）。図６は、圧力調整ステップ（Ｓ６０）の動作の流れを示すフローチャートである。 (Step S60)
When the atmospheric gas is introduced in step S50, the film forming chamber control device 10 operates the film forming chamber 2 so as to keep the pressure in the film forming chamber 2 constant at a value of 500 PaPa or more (pressure adjusting step; step). S60). In the present embodiment, details will be described below in the case of keeping constant at 500 Pa (steps S61 to S66). FIG. 6 is a flowchart showing an operation flow of the pressure adjustment step (S60).

（ステップＳ６１、６２）
まず、圧力センサ１１が製膜室２内の圧力を測定する。圧力センサ１１は、製膜室２内の圧力を随時測定しており、測定結果を製膜室制御装置１０に通知する（ステップＳ６１）。圧力センサ１１からの測定結果を取得した製膜室制御装置１０は、製膜室内の圧力が、５００Ｐａで一定となったかどうかの判断を行う（ステップＳ６２）。製膜室制御装置１０が、製膜室２内の圧力が一定となったと判断した場合は、ステップＳ７０へ進む。 (Steps S61, 62)
First, the pressure sensor 11 measures the pressure in the film forming chamber 2. The pressure sensor 11 measures the pressure in the film forming chamber 2 as needed, and notifies the film forming chamber control device 10 of the measurement result (step S61). The film forming chamber control apparatus 10 that has acquired the measurement result from the pressure sensor 11 determines whether or not the pressure in the film forming chamber has become constant at 500 Pa (step S62). When the film forming chamber control device 10 determines that the pressure in the film forming chamber 2 has become constant, the process proceeds to step S70.

（ステップＳ６３、６４）
圧力センサ１１が圧力を測定する一方で、温度センサ１５は、ヒータカバー１８の温度を随時測定している。温度センサ１５は、製膜室制御装置１０に測定結果を通知する（ステップＳ６３）。温度センサ１５より通知を受けた製膜室制御装置１０は、ヒーターカバー１８の温度が、予め定められた設定温度Ａよりも所定の温度Ｂだけ高いか否かを判断する（ステップＳ６４）。製膜室制御装置１０は、ヒータカバー１８の温度が高いと判断した場合には、温度低下ステップ（ステップＳ６５）へと進む。 (Steps S63, 64)
While the pressure sensor 11 measures the pressure, the temperature sensor 15 measures the temperature of the heater cover 18 as needed. The temperature sensor 15 notifies the measurement result to the film forming chamber control device 10 (step S63). Receiving the notification from the temperature sensor 15, the film forming chamber control apparatus 10 determines whether or not the temperature of the heater cover 18 is higher than the preset temperature A by a predetermined temperature B (step S64). When the film forming chamber control device 10 determines that the temperature of the heater cover 18 is high, the film forming chamber control device 10 proceeds to a temperature lowering step (step S65).

（ステップＳ６５、Ｓ６６）
製膜室制御装置１０は、ヒータカバー１８の温度が高いと判断すると、排気量制御弁２５を操作して、製膜室２内を高真空排気状態とする。これにより、ヒータ１７からヒータカバー１８への伝熱は抑制され、ヒータカバー１８の温度は低下する（温度低下ステップ；ステップＳ６５）。製膜室制御装置１０は、ヒータカバー１８の温度が所定の温度Ｃだけ下がったか否かを判断する。製膜室制御装置１０は、ヒータカバー１８の温度が所定の温度Ｃだけ下がってはいない場合は、高真空排気状態を継続させる。一方、製膜室制御装置１０は、ヒータカバー１８の温度が所定の温度Ｃだけ下がったと判断すると、再び排気量制御弁２５を操作して製膜室２内を粗引き状態に戻す。 (Steps S65 and S66)
When the film forming chamber control device 10 determines that the temperature of the heater cover 18 is high, the film forming chamber control device 10 operates the exhaust amount control valve 25 to bring the film forming chamber 2 into a high vacuum exhaust state. Thereby, the heat transfer from the heater 17 to the heater cover 18 is suppressed, and the temperature of the heater cover 18 decreases (temperature decrease step; step S65). The film forming chamber control device 10 determines whether or not the temperature of the heater cover 18 has decreased by a predetermined temperature C. When the temperature of the heater cover 18 is not lowered by the predetermined temperature C, the film forming chamber control device 10 continues the high vacuum exhaust state. On the other hand, when the film forming chamber control device 10 determines that the temperature of the heater cover 18 has decreased by a predetermined temperature C, the film forming chamber control device 10 again operates the exhaust amount control valve 25 to return the film forming chamber 2 to the roughing state.

（ステップＳ７０、８０）
再び図５を参照する。ステップＳ６２にて、製膜室制御装置１０が圧力が一定となったと判断すると、製膜室制御装置１０はタイマー１２に時間のカウントを開始させる。製膜室制御装置１０は、タイマーがカウントした経過時間が所定の時間となると、導入ガス調整装置１４及び排気量制御弁２５を操作して、製膜室２内を高真空排気状態へ戻す。また、ヒータカバー位置調節装置１９を操作して、ヒータカバー１８の位置をヒータ１７側の待機位置へ戻す。 (Steps S70, 80)
Refer to FIG. 5 again. In step S62, when the deposition chamber control apparatus 10 determines that the pressure has become constant, the deposition chamber control apparatus 10 causes the timer 12 to start counting time. When the elapsed time counted by the timer reaches a predetermined time, the film forming chamber control device 10 operates the introduction gas adjusting device 14 and the exhaust amount control valve 25 to return the film forming chamber 2 to the high vacuum exhaust state. Further, the heater cover position adjusting device 19 is operated to return the position of the heater cover 18 to the standby position on the heater 17 side.

以上で、温度維持運転の一連のステップが終了する。製膜室制御装置１０は、温度維持運転が終了を、上位制御装置２０に対して通知する。上位制御装置２０は、再び製膜室２の待ち時間が長いかどうかを検出し、「長い」と検出した場合には、再び温度維持運転を実行させる。一方、「長くない」と検出した場合には、製膜室２を基板６の投入までそのままの状態で待機させる。以上で、本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法の一連の動作が終了する。   Thus, a series of steps of the temperature maintenance operation is completed. The film forming chamber control device 10 notifies the host control device 20 that the temperature maintenance operation has been completed. The host controller 20 detects again whether the waiting time of the film forming chamber 2 is long, and if it detects “long”, the temperature control operation is executed again. On the other hand, when “not long” is detected, the film forming chamber 2 is kept on standby until the substrate 6 is put in. Thus, a series of operations of the temperature maintaining method of the plasma CVD apparatus according to the present embodiment is completed.

（作用・効果）
図８は、本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置１の、製膜室内の圧力及びヒータカバー１８の温度と時間との関係を示すグラフである。図８中、点線は温度維持運転を実行した場合の挙動であり、実線は温度維持運転を実行しない場合の挙動である。ヒータカバー１８の温度は、製膜時（プラズマＯＮ時）には、雰囲気ガスを供給する為に圧力が上昇して、ヒータ１７からの熱伝導率が上昇するとともに、プラズマからの入熱もあるために、製膜温度α近辺で保たれる。しかしながら、待ち時間中は圧力は高真空排気状態であり、ヒータ１７からの熱伝導率は低下し、更にプラズマからの入熱もない。よって、ヒータカバー１８の温度は低下していく。長時間待機してヒータカバー１８の温度が低下した後に、基板６が投入されて製膜が実施されると、ヒータカバー１８の温度は製膜温度αまで上昇しないうちに製膜が行われることになる。よって、製膜は望みの条件で行われず、膜質等に悪影響が与えられる。 (Action / Effect)
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the pressure in the film forming chamber, the temperature of the heater cover 18 and time in the plasma CVD apparatus 1 according to the present embodiment. In FIG. 8, the dotted line is the behavior when the temperature maintenance operation is executed, and the solid line is the behavior when the temperature maintenance operation is not executed. The temperature of the heater cover 18 rises to supply atmospheric gas during film formation (when plasma is turned on), the thermal conductivity from the heater 17 increases, and there is also heat input from the plasma. Therefore, the film forming temperature is maintained in the vicinity of α. However, during the waiting time, the pressure is in a high vacuum exhaust state, the thermal conductivity from the heater 17 is lowered, and there is no heat input from the plasma. Therefore, the temperature of the heater cover 18 decreases. When the temperature of the heater cover 18 decreases after waiting for a long time and the substrate 6 is loaded and film formation is performed, the film formation is performed before the temperature of the heater cover 18 rises to the film formation temperature α. become. Therefore, film formation is not performed under desired conditions, and film quality and the like are adversely affected.

一方で、本実施の形態に依れば、予め位置検出装置８により待ち時間を把握し、待ち時間長くなる場合には、温度維持運転が実施される。これにより、製膜ユニット１６の温度は、製膜温度α近辺に維持される。また、温度維持運転は、基板が投入される前には終了しているようにタイミングを計算して実行されるので、基板６が製膜室２に投入される際には、高真空排気状態で待機している。よって、製膜室２に基板６が投入されるとただちに、製膜を開始することが可能である。   On the other hand, according to the present embodiment, the waiting time is grasped by the position detection device 8 in advance, and when the waiting time becomes longer, the temperature maintenance operation is performed. Thereby, the temperature of the film forming unit 16 is maintained in the vicinity of the film forming temperature α. Further, since the temperature maintenance operation is executed by calculating the timing so that it is completed before the substrate is loaded, when the substrate 6 is loaded into the film forming chamber 2, it is in a high vacuum exhaust state. Waiting at. Therefore, it is possible to start film formation as soon as the substrate 6 is loaded into the film formation chamber 2.

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a plasma CVD apparatus according to the present invention. 基板の搬送順序を説明する図である。It is a figure explaining the conveyance order of a board | substrate. 基板の搬送順序を説明する図である。It is a figure explaining the conveyance order of a board | substrate. 製膜室の内部の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure inside a film forming chamber. 製膜室の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of a film forming chamber. 本発明に係る温度維持方法のフローチャートである。It is a flowchart of the temperature maintenance method which concerns on this invention. 温度維持運転の動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of temperature maintenance driving | operation. 圧力調整ステップの動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of a pressure adjustment step. 気体の圧力と熱伝導率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the pressure of gas, and thermal conductivity. ヒータカバーの温度の時間変化を説明する図である。It is a figure explaining the time change of the temperature of a heater cover.

符号の説明Explanation of symbols

１ プラズマＣＶＤ装置
２ 製膜室
３ ロード室
４ アンロード室
５ 処理室
６ 基板
７ 基板搬送装置
８ 位置検出装置
９ 待ち時間検出部
１０ 製膜室制御装置
１１ 圧力センサ
１２ タイマー
１３ 排気量調整装置
１４ 導入ガス調整装置
１５ 温度センサ
１６ 製膜ユニット
１７ ヒータ
１８ ヒータカバー
１９ ヒータカバー位置調節装置
２０ 上位制御装置
２１ 第１製膜室
２１Ａ 第１製膜室
２１Ｂ 第１製膜室
２２ 第２製膜室
２２Ａ 第２製膜室
２２Ｂ 第２製膜室
２３ 第３製膜室
２４ 真空ポンプ
２５ 排気量制御弁
２６ 排気管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma CVD apparatus 2 Film-forming chamber 3 Load chamber 4 Unload chamber 5 Processing chamber 6 Substrate 7 Substrate transfer device 8 Position detection device 9 Waiting time detection unit 10 Film-forming chamber control device 11 Pressure sensor 12 Timer 13 Exhaust amount adjustment device 14 Introducing gas adjusting device 15 Temperature sensor 16 Film forming unit 17 Heater 18 Heater cover 19 Heater cover position adjusting device 20 Upper control device 21 First film forming chamber 21A First film forming chamber 21B First film forming chamber 22 Second film forming chamber 22A Second film forming chamber 22B Second film forming chamber 23 Third film forming chamber 24 Vacuum pump 25 Exhaust amount control valve 26 Exhaust pipe

Claims (9)

複数の製膜室を含むあるいは前記複数の製膜室とロード室とアンロード室とを含む複数の処理室と、
基板を前記複数の処理室の各々へ出し入れする基板搬送装置と、
前記基板の位置を検出する位置検出装置と、
前記位置検出装置が検出した前記基板の位置情報に基いて、前記各製膜室において前記基板が搬入されるまでの待ち時間を検出する待ち時間検出部と、
前記複数の製膜室の各々の動作を制御する複数の製膜室制御装置と、
を具備し、
前記複数の製膜室制御装置の夫々は、前記待ち時間に基いて、前記製膜室内の圧力を制御することで前記製膜室内の温度を製膜時の温度に近い温度に維持するための温度維持運転を実施するように前記製膜室の動作を制御し、
前記待ち時間検出部は、前記各製膜室について、前記基板の出し入れの順番が一つ前の前記製膜室内または前記ロード室内に前記基板が存在しない場合において、前記待ち時間が長いと判断し、
更に、前記製膜室は、前記製膜室内の圧力を測定する圧力センサ、を備え、
前記製膜室制御装置は、タイマーを備え、
前記タイマーは、前記温度維持運転の実施時において、前記圧力センサの測定結果に基いて、前記製膜室内の圧力が一定になってからの経過時間をカウントし、
前記製膜室制御装置は、前記タイマーがカウントした経過時間が所定の時間に達すると、前記製膜室内が高真空状態となるように前記製膜室の動作を制御するプラズマＣＶＤ装置。 A plurality of film forming chambers or a plurality of processing chambers including the plurality of film forming chambers, a load chamber and an unload chamber;
A substrate transfer device for taking a substrate into and out of each of the plurality of processing chambers;
A position detection device for detecting the position of the substrate;
Based on the position information of the substrate detected by the position detection device, a waiting time detection unit that detects a waiting time until the substrate is loaded in each film forming chamber;
A plurality of film forming chamber control devices for controlling the operation of each of the plurality of film forming chambers;
Comprising
Each of the plurality of film forming chamber control devices is configured to control the pressure in the film forming chamber based on the waiting time to maintain the temperature in the film forming chamber at a temperature close to the temperature at the time of film forming. Controlling the operation of the film forming chamber to perform the temperature maintenance operation ,
The waiting time detection unit determines that the waiting time is long for each film forming chamber when the substrate does not exist in the film forming chamber or the load chamber in which the order of loading and unloading of the substrate is one last. ,
Further, the film forming chamber includes a pressure sensor that measures the pressure in the film forming chamber,
The film forming chamber control device includes a timer,
The timer counts the elapsed time after the pressure in the film forming chamber becomes constant based on the measurement result of the pressure sensor when the temperature maintenance operation is performed,
The film forming chamber control device is a plasma CVD apparatus that controls the operation of the film forming chamber so that the film forming chamber is in a high vacuum state when the elapsed time counted by the timer reaches a predetermined time . 請求項１に記載されたプラズマＣＶＤ装置であって、
前記製膜室は、更に、前記製膜室内部の温度を測定する温度センサを備え、
前記製膜室制御装置は、前記温度センサの測定結果に基いて、前記製膜室内の温度が所定の温度より高い場合において、前記製膜室内が高真空状態となるように、前記製膜室の動作を制御するプラズマＣＶＤ装置。 The plasma CVD apparatus according to claim 1 ,
The film forming chamber further includes a temperature sensor for measuring the temperature in the film forming chamber,
The film forming chamber control device is configured to cause the film forming chamber to be in a high vacuum state when the temperature in the film forming chamber is higher than a predetermined temperature based on the measurement result of the temperature sensor. Plasma CVD apparatus for controlling the operation of 請求項１又は請求項２に記載されたプラズマＣＶＤ装置であって、
前記製膜室は、
前記基板に対して製膜を行うための製膜ユニットと、
ヒータからの熱が伝熱され、前記基板を支持するためのヒータカバーと、
前記ヒータカバーの位置を調節するヒータカバー位置調節装置と、
を備え、
前記製膜室制御装置は、前記温度維持運転の実施時に、更に、前記ヒータカバーの位置が前記製膜ユニットに近づくように、前記ヒータカバー位置調節装置の動作を制御するプラズマＣＶＤ装置。 The plasma CVD apparatus according to claim 1 or 2 , wherein
The film forming chamber is
A film forming unit for forming a film on the substrate;
Heat from the heater is transferred, and a heater cover for supporting the substrate;
A heater cover position adjusting device for adjusting the position of the heater cover;
With
The film deposition chamber control device is a plasma CVD apparatus that controls the operation of the heater cover position adjusting device so that the position of the heater cover further approaches the film forming unit when the temperature maintenance operation is performed. 請求項２又は３に記載されたプラズマＣＶＤ装置にあって、前記温度センサの設置位置は前記製膜室内の製膜ユニット又はヒータカバー又はその両方であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 4. The plasma CVD apparatus according to claim 2 , wherein the temperature sensor is installed at a film forming unit in the film forming chamber, a heater cover, or both. 基板搬送装置により、複数の製膜室を含むあるいは前記複数の製膜室とロード室とアンロード室とを含む複数の処理室の各々に出し入れされる基板の位置を検出する位置検出ステップと、
前記位置検出ステップで検出された前記基板の位置情報に基いて、前記各製膜室において前記基板が搬入されるまでの待ち時間を検出する待ち時間検出ステップと、
前記待ち時間検出ステップにより、前記待ち時間が所定の時間よりも長いと検出された場合において、前記製膜室内の温度を製膜時の温度に近い温度に維持するための温度維持運転を実施する温度維持運転ステップと、
を具備し、
前記待ち時間検出ステップでは、前記各製膜室について、前記基板の出し入れの順番が一つ前の前記製膜室内又は前記ロード室内に前記基板が存在しない場合において、前記待ち時間が前記所定の時間よりも長いと検出し、
前記温度維持運転ステップは、
前記製膜室内の圧力を調整する圧力調整ステップと、
前記製膜室内の圧力が一定になってからの経過時間をカウントする経過時間カウントステップと、
前記経過時間カウントステップでカウントされた経過時間が所定の時間に達すると、前記製膜室内が高真空排気状態となるように前記製膜室の動作を制御する高真空処理ステップと、
を備え、
前記圧力調整ステップは、前記製膜室内の圧力を測定するステップを備えるプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法。 A position detecting step of detecting a position of a substrate that is inserted into and removed from each of a plurality of processing chambers including a plurality of film forming chambers, a load chamber, and an unload chamber by a substrate transfer device;
Based on the position information of the substrate detected in the position detection step, a waiting time detection step of detecting a waiting time until the substrate is loaded in each film forming chamber,
When the waiting time is detected by the waiting time detection step to be longer than a predetermined time, a temperature maintaining operation for maintaining the temperature in the film forming chamber at a temperature close to the temperature at the time of film forming is performed. A temperature maintenance operation step;
Comprising
In the waiting time detecting step, for each of the film forming chambers, when the substrate does not exist in the film forming chamber or the load chamber in which the order of loading and unloading of the substrate is one, the waiting time is the predetermined time. Detected as longer than,
The temperature maintaining operation step includes:
A pressure adjusting step for adjusting the pressure in the film forming chamber;
An elapsed time counting step for counting an elapsed time after the pressure in the film forming chamber becomes constant;
When the elapsed time counted in the elapsed time counting step reaches a predetermined time, a high vacuum processing step for controlling the operation of the film forming chamber so that the film forming chamber is in a high vacuum exhaust state;
With
The pressure adjusting step is a method for maintaining a temperature of a plasma CVD apparatus , comprising a step of measuring a pressure in the film forming chamber . 請求項５に記載されたプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法であって、
前記温度維持運転ステップは、更に、
ヒータからの熱が伝熱され前記基板を支持するためのヒータカバーの位置を、前記基板に対して製膜を行うための製膜ユニットに近づけるように、前記ヒータカバーの位置を調節するヒータカバー位置調節装置の動作を制御するヒータカバー位置調整ステップ、
を備え、
前記圧力調整ステップは、前記ヒータカバー位置調整ステップの後に実施されるプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法。 A temperature maintaining method for a plasma CVD apparatus according to claim 5 ,
The temperature maintaining operation step further includes:
A heater cover that adjusts the position of the heater cover so that the position of the heater cover for supporting the substrate when heat from the heater is transferred is brought closer to the film forming unit for forming the film on the substrate. A heater cover position adjusting step for controlling the operation of the position adjusting device;
With
The pressure adjusting step is a method for maintaining a temperature of a plasma CVD apparatus, which is performed after the heater cover position adjusting step. 請求項５又は６に記載されたプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法であって、
前記圧力調整ステップは、前記製膜室内の圧力を、５００Ｐａの間の一定の値になるように調整するステップ、を備えるプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法。 A temperature maintaining method for a plasma CVD apparatus according to claim 5 or 6 ,
The pressure adjusting step includes a step of adjusting the pressure in the film forming chamber so as to be a constant value between 500 Pa and a temperature maintaining method for a plasma CVD apparatus. 請求項５乃至７のいずれかに記載されたプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法であって、
前記圧力調整ステップは、
前記製膜室内の温度を測定するステップと、
前記製膜室内の温度が所定の温度より高くなった場合において、前記製膜室内の温度を下げる温度低下運転を行う温度低下ステップと、
を具備し、
前記温度低下ステップは、前記製膜室内の圧力を下げるステップ、を備えるプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法。 A temperature maintaining method for a plasma CVD apparatus according to any one of claims 5 to 7 ,
The pressure adjusting step includes
Measuring the temperature in the film forming chamber;
A temperature lowering step for performing a temperature lowering operation for lowering the temperature in the film forming chamber when the temperature in the film forming chamber is higher than a predetermined temperature;
Comprising
The method for maintaining a temperature of a plasma CVD apparatus, wherein the temperature lowering step includes a step of lowering the pressure in the film forming chamber . 請求項５乃至８のいずれかに記載されたプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法であって、前記雰囲気ガスは水素を含むものであることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置の温度維持方法。 The temperature maintaining method for a plasma CVD apparatus according to any one of claims 5 to 8 , wherein the atmospheric gas contains hydrogen.
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