JP4711623B2 - 光学素子の製造方法および関連する改良 - Google Patents
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Description
「Applications of Neutral Impurity Disordering in Fabricating Low-Loss Optical Waveguides and Integrated Waveguide Devices」、Marshら、Optical and Quantum Electronics, 23, 1991, s941-s957 「Quantitative Model for the Kinetics of Composition Intermixing in GaAs-AlGaAs Quantum "Confined Heterostructures"」、Helmyら、IEEE Journal of Selected Topiculy / August 1998, pp653-660
少なくとも銅(Cu)を含む不純物材料を、少なくとも一つの量子井戸とインターミックスさせるステップ、
を含む方法を提供する。
基板を準備し、
該基板上に、
第一の光学クラッド層と、
少なくとも一つの量子井戸(QW)を含むコア導波層と、
第二の光学クラッド層と、および、
任意選択的にコンタクト層と、
を成長させる、
さらなる先行ステップをも含むことが好ましい。
第一材料を素子本体部分に拡散させ、かつ、素子本体部分の材料(例えば、イオンまたは原子)を第二材料に外方拡散させるステップ、
を含む方法を提供する。
素子本体部分の表面に、複数の不純物材料の領域をパターン形成し、少なくとも二つの不純物材料の領域を前記表面から異なる量だけ分離させ、
複数の領域の不純物材料を少なくとも一つの量子井戸とインターミックスさせ、前記少なくとも二つの領域でインターミックスされた少なくとも一つの量子井戸のバンドギャップが異なる値に調整されるステップ、
を含む方法を提供する。
(a)素子本体部分5aを準備する(図1(a)参照)、
(b)素子本体部分5aに、PECVDによってシリカ層を堆積し、PECVDシリカ層上にフォトレジスト層をスピンコーティングする(図1(b)参照)、
(c)フォトレジストおよびPECVDシリカ層を、リソグラフィ技術、例えば、HFエッチングまたはC2F6ドライエッチングによって、パターン形成する(図1(c)参照)、
(d)パターン形成された素子本体部分5a上に、不純物材料を含む層15aを堆積する(図1(d)参照)、
(e)素子本体部分5aを、予め定められた時間、予め定められた温度に急速熱アニール処理して、予め定められたパターン形成領域で、少なくとも一つの量子井戸10aを部分的にインターミックスさせる(図1(e)参照)、
(f)素子本体部分5aから種々の層を除去し、素子本体部分5a上にメタライズ化を生じさせ、そこに電気的接触を形成する(図1(f)参照)。
最初のサンプルにより、以下の結果が得られた。銅およびSiO2の両方を同時にスパッタすることによって、概して厚さ200nmのSiO2マトリックスに銅を組み込んだ。これは、ターゲット銅バッキングプレートの一部のエロージョンが行なわれるように、ターゲット周囲のアースシールドの高さを低減することによって達成した。このプロセスによって誘発された量子井戸インターミキシングの程度を、アニーリング後のフォトルミネセンス(PL)エネルギの変化を測定することによって決した。全ての場合に、実施例のサンプルをPECVDによりSiO2を被覆した対照サンプルに照らして比較した。また特に明記しない限り、アニーリングは全て60秒間実施した。
MBEによって成長させた材料の場合、図6に示すように、1550nmで発光するInGaAs−InAlGaAs材料系で同様の実施形態が得られる。この材料は、PECVDによるSiO2の下で得られた無視できるほど小さいシフトから分かるように、InGaAsPより大きい熱安定性を持つ。しかしCu:SiO2を使用すると、最初に600℃でシフトが得られ、700℃のアニール温度では100meVを超えるまで増加した。
同様の大きさのバンドギャップシフトは、図7に示すように、GaAs−AlGaAs(850〜860nm)およびGaInP−AlGaInP(670nm)の多量子井戸(MQW)構造においてスパッタによるCu:SiO2膜を使用した場合にも得られた。ここでも、PECVDによりSiO2をした被覆サンプルは、使用した温度範囲全体で無視できるほどの小さいバンドギャップシフトを生じるが、簡明化のために図7では省略する。PECVDによりSiO2を被覆した場合には、いずれの材料でも同じ温度範囲全体にわたって無視できるほど小さいシフトが得られた。
調査は、高温アニールの前に、スパッタによるCu:SiO2被覆を除去し、PECVDによるSiO2と置換した後も、大きいバンドギャップシフトを得られることを示した。InGaAs−InAlGaAsにおいて観察された典型的な効果を図8に示す。調査は、二次イオン質量分析(SIMS)測定およびスパッタリグシステムでの実験を通して、スパッタリングの初期段階中に半導体表面内への有意レベルのCuの組込みが増強に対する支配的メカニズムであることを示した。これを図9に示す。図9は、スパッタによりSiO2を被覆したサンプル、およびCu:SiO2の両方を被覆したサンプルについて、InAlGaAs材で得られたバンドギャップシフトを、PECVDによるSiO2および非ドープのSiO2、PECVDによるSiO2を被覆したサンプルと比較して示す。PECVDによるSiO2被覆サンプルおよび非ドープのSiO2を被覆したサンプルの場合、非常によく似た挙動を示すが、スパッタによりCu:SiO2を被覆したサンプルを使用すると、大きい差分シフト(>100nm)が得られることを示す。
インターミキシングの抑制は、スパッタリングプロセス中に、PECVDによるSiO2層で、サンプル表面を保護することによって可能であることが判明した。抑制の程度は保護被膜が厚いほど大きい。これを、InGaAs−InAlGaPの場合について、図10に示す。この観察は、高温アニール中に、これらの薄いSiO2層中にCuが拡散し、サンプルの上部層内がかなりの濃度になることを示す。この堆積技術は、Cu濃度に対し高度の制御をもたらし、サンプルの適切なパターン形成によって、一回のスパッタおよびアニールで様々なバンドギャップを得るのに有用であることが立証された。この手法は、おそらく半導体の活性領域内のCu濃度を低下させ、処理される材料の品質の改善をもたらすと考えられる。図10に示すように、フォトレジストの比較的厚い層を使用して、完全なインターミキシングの抑制が可能である。レジスト保護された材料の場合のシフトは、PECVDによるSiO2被覆材料で得られたものと同一である。抑制のこの改善は、拡散障壁の厚さの増加、およびレジスト内の銅拡散率の低下の両方に起因する。
他のサンプルでは、アースシールドの高さを操作することによって、SiO2およびCuの同時スパッタリングの使用を含む、第二スパッタリングシステムを使用した。上述したのと同様のスパッタリング条件を使用した。これにより、PECVDによるSiO2と比較して、大きい差分バンドギャップシフトの発生が可能となった。この点が、InAlGaAsについて図14に示されている。第一スパッタリングシステムで得られたバンドギャップシフトとも比較している。図14は、PECVDによるSiO2、スパッタによるSiO2、および第二スパッタリングシステムで堆積したCu:SiO2、ならびに第一スパッタリングシステムで堆積したスパッタCu:SiO2をそれぞれ被覆したInAlGaAsに対して得られたPLのシフトを示す。これは、銅が組み込まれない場合、バンドギャップシフトがPECVDによるSiO2で得られたものと同じであるが、銅を意図的に組み込んだ場合には大きい差分シフトが得られることを示す。バンドギャップシフトの程度は、第一スパッタリングシステムで得られたものよりわずかに低いようであった。それは、おそらくスパッタリングプラズマへのバッキングプレートの暴露の程度が低減したために、銅の組込みレベルがわずかに低くなったことによって説明することができる。
次に、多層手法を利用した第三実施形態について説明する。前述の通り、これは半導体表面に近接しているが、スパッタSiO2の薄い層によって表面から後退した薄膜内に銅を組み込むことを含む。SiO2層は前述した標準的条件を用いてスパッタしたが、銅層は、同じ圧力であるが、スパッタリング速度を低下して、含まれる銅の濃度に対して、より大きい制御を達成するために、25Wの低いRFパワーで堆積した。図15は、この方法を使用したInAlGaAsの幾つかの典型的結果、特にInAlGaAsにおけるSiO2/Cu/SiO2多層堆積技術により達成されたバンドギャップシフトを示す。ここで、第二の数字は銅層の堆積時間を指し、第一および第三の値は周囲のSiO2層の厚さを指す。これは、半導体表面から200nm後退した銅の薄い層(2〜3分子層)が、PECVDによるSiO2被覆サンプルに比較して、大きく、明らかに飽和したバンドギャップシフトを達成できることを示している。銅膜の厚さを増加しても、差分シフトに明らかな増加は得られないようである。しかし、同一厚さの銅層を使用するが、後退を400nmに倍化すると、QWIプロセスに対する活性化温度が上がるので、775℃で200nmの場合のおよそ半分の差分シフトになる。該技術のさらなる最適化には、充分な不純物の組込みを確実にして、最小限の残留銅濃度で、大きい差分バンドギャップシフトが達成されるように、後退の程度と銅膜の厚さをバランスさせることが要求される。
上記の手法は、図16に示すように、980nmで発光するInGaAs−GaAs QW材料でも十分に実現された。図16は、PECVDによるSiO2、および第一SiO2層の厚さを変化させてスパッタSiO2/Cu/SiO2を被覆したときの980nm材料のフォトルミネセンス(PL)のシフトを示す。ここで、銅がサンプル表面上に直接堆積された層の場合、差分バンドギャップシフトは最大であり、SiO2後退層の厚さが増加するにつれて低下することが明らかであった。後退厚さを増加できる程度は、材料の低い熱安定性によって制限され、これにより、達成可能な差分バンドギャップシフトの大きさを制限する。差分シフトの増大は、単にアニール時間を増加させることによって達成することができ、銅ドープ膜のインターミキシングを劇的に増大させることができる。しかし、これは、PECVDによるSiO2層にはほとんど影響しない。
Claims (29)
- 基板の上に、第一の光学クラッド層、コア導波層、および第二の光学クラッド層を含み、かつ、少なくとも一つの量子井戸を有する構造を成長させ、該構造の上にコンタクト層を成長させて、光学素子を形成する素子本体部分を得るステップと、
該素子本体部分の上に、または該素子本体部分に隣接して、少なくとも銅を有する不純物材料を含む層を堆積するステップと、および、
前記不純物材料を、前記少なくとも一つの量子井戸とインターミックスさせるステップと、
を含む、光学素子の製造方法。 - 前記コア導波層が、前記少なくとも一つの量子井戸を含む、請求項1に記載の光学素子の製造方法。
- 前記第一の光学クラッド層、および/または前記第二の光学クラッド層が、前記少なくとも一つの量子井戸を含む、請求項1または2に記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料は、実質的に銅またはその合金からなる、請求項1に記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料がキャリア材料に組み込まれている、請求項1〜4のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記キャリア材料が誘電体材料である、請求項5に記載の光学素子の製造方法。
- 前記コンタクト層の表面上に、前記不純物材料を含む層を直接堆積させる、請求項5または6に記載の光学素子の製造方法。
- スパッタリング装置の使用により、前記不純物材料を含む層を堆積する、請求項7に記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料を含む層を、前記素子本体部分の表面に隣接してスペーサ層上に堆積させる、請求項1〜3のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記スペーサ層が、誘電体材料を含む、請求項9に記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料を含む層上に、さらなる誘電体層を堆積させる、請求項9または10に記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料を含む層をスパッタリング装置の使用により堆積させ、前記スペーサ層および/またはさらなる誘電体層をスパッタリング装置の使用により堆積させる、請求項9〜11のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料を含む層が、1〜3単分子層の銅からなる、請求項9〜12のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記コンタクト層の表面上に、前記不純物材料を含む層を直接堆積させる、請求項1〜4のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料を含む層上に、さらなる誘電体層を堆積させる、請求項14に記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料を含む層をスパッタリング装置の使用により堆積させ、前記さらなる誘電体層をスパッタリング装置の使用により堆積させる、請求項14または15に記載の光学素子の製造方法。
- 前記不純物材料を含む層が、1単分子層の銅からなる、請求項14〜16のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記第一の光学クラッド層、前記コア導波層、前記第二の光学クラッド層、および前記コンタクト層を、分子線エピタキシまたは有機金属化学気相成長によって成長させる、請求項1〜17のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記インターミキシングの前に、前記素子本体部分から前記不純物材料を含む層を除去する、請求項5〜8のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記素子本体部分を、予め定められた時間、高温まで昇温させることによって、前記不純物材料を前記少なくとも一つの量子井戸とインターミックスさせる、請求項1〜19のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記昇温が700℃〜950℃の範囲までなされ、前記予め定められた時間は30秒〜300秒の範囲である、請求項20に記載の光学素子の製造方法。
- 前記素子本体部分を高温まで昇温させるステップに、該素子本体部分をアニーリングすることが含まれ、該アニーリングにより、前記不純物材料の前記少なくとも一つの量子井戸への拡散、および、該量子井戸から前記キャリア材料、前記スペーサ層、または前記さらなる誘電体層へのイオンまたは原子の外方拡散が引き起こされる、請求項5〜13、15〜17、19に従属する、請求項20または21に記載の光学素子の製造方法。
- 請求項1〜22のいずれかに記載の方法により作製された光学素子。
- 前記光学素子が、集積光学素子または光電子素子である、請求項23に記載の光学素子。
- 前記素子本体部分が、III−V族半導体材料系により形成されている、請求項23に記載の光学素子。
- 前記III−V族半導体材料系が、ガリウムヒ素をベースとする系であり、実質的に600nm〜1300nmの間の波長で作用する、請求項25に記載の光学素子。
- 前記III−V族半導体材料系が、インジウムリンをベースとする系であり、実質的に1200nm〜1700nmの間の波長で作用する、請求項25に記載の光学素子。
- 前記素子本体部分が、少なくとも部分的に、アルミ二ウムガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素、インジウムガリウムヒ素リン、インジウムガリウムアルミ二ウムヒ素、および/またはインジウムガリウムアルミ二ウムリンにより形成されている、請求項25に記載の光学素子。
- 請求項23〜28のいずれかに記載の光学素子を少なくとも一つ含む光学集積回路、光電子集積回路(OEIC)、またはフォトニック集積回路(PIC)。
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