JP4700680B2 - 超薄膜を分離するガラスによって調節された応力波及びナノエレクトロニクス素子の作製 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 118
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 195
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 89
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 8
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 10
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 8
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 7
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012720 thermal barrier coating Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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- G01N19/00—Investigating materials by mechanical methods
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/003—Generation of the force
- G01N2203/0055—Generation of the force using mechanical waves, e.g. acoustic
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Description
ここでcは膜中の縦応力波速度である。
Claims (28)
- 基板とコーティングとの間で引っ張り応力を発生させる装置であって、
当該装置は:
第1軸の方向に第1面と第2面で画定される厚みを有する基板;
前記の基板の第1面に成膜されるコーティングであって、その際前記基板と共に前記第1軸に沿って互いに近接して配置されることでコーティング/基板界面を形成するコーティング;及び、
前記の基板の第2面に配置され、前記第1軸に沿って設けられているガラス素子;
を有し、
前記ガラス素子は応力波を前記コーティング/基板界面へ伝搬させ、前記基板と前記コーティングとの間に引っ張り応力を発生させるように構成されている、
装置。 - 前記引っ張り応力が、前記のコーティング/基板界面で前記基板から前記コーティングを剥離するようになっていて、かつ/又は、
前記ガラスは、前記第1軸を進行するNd−YAGレーザービームによる作用によって前記応力波を伝搬させるように構成されている、
請求項1に記載の装置。 - 前記応力波が約5nsから約1μsの範囲の長さを有し、かつ希薄衝撃波の形式を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記コーティングが約0.5μm未満の厚さを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記ガラス素子が前記の基板第2面に結合し、かつ約0.1mmから約5mmの範囲の厚さを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記基板がシリコンを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記ガラス素子に隣接して設けられている固定素子、及び前記固定層と前記ガラス素子との間に設けられるエネルギー吸収層をさらに有する、請求項1に記載の装置。
- 第1軸を横切るように設けられている第1面及び第2面を有する基板から、該基板と共に前記第1軸に沿って近接して配置されることで、前記基板との界面を形成するように、前記の基板の第1面に成膜されたコーティング、を剥離する方法であって:
ガラス素子を前記の基板第2面上で前記第1軸に沿って設置する工程;
前記ガラス素子へ前記第1軸方向にレーザーパルスを進行させる工程;
前記ガラス素子を介して応力波をコーティング/基板界面へ伝搬させることで前記基板と前記コーティングとの間に引っ張り応力を発生させる工程;及び
前記応力波が発生させる引っ張り応力によって、前記基板から前記コーティングを剥離する工程;
を有する方法。 - 前記の第1軸方向にレーザーパルスを進行させる工程が、前記第1軸方向にNd−YAGレーザービームを進行させる工程を有する、請求項8に記載の方法。
- 前記の応力波を伝搬させる工程が、約5nsから約1μsの範囲の長さを有する応力波を伝搬させる工程を有する、請求項8に記載の方法。
- 前記応力波が、希薄衝撃波の形式を有し、かつ約5μm未満の厚さを有するコーティングを剥離するように備えられている、請求項10に記載の方法。
- 前記の第1軸に沿ってガラス素子を配置する工程が、前記ガラス素子を前記の基板第2面に結合させる工程を有する、請求項10に記載の方法。
- 前記ガラス素子が、パイレックス(登録商標)、ソーダライム、石英又はボロシリケートのうちの1つを有し、かつ約0.1mmから約5mmの範囲の厚さを有する、請求項8に記載の方法。
- 前記ガラス素子の自由面に隣接する固定素子をさらに有する、請求項8に記載の方法。
- 前記ガラス素子の自由表面上で、かつ前記固定層と前記ガラス素子との間にあるエネルギー吸収層をコーティングする工程をさらに有する方法であって、前記の第1軸に沿ってレーザーパルスを進行させる工程が、前記ガラス素子をコーティングする前記エネルギー吸収層へ前記レーザーパルスを進行させる工程を有する、請求項14に記載の方法。
- 前記のコーティング/基板界面での前記の応力波によって発生する応力が、約1.0GPa又は約2.0GPaを超える、請求項8に記載の方法。
- 第1基板からナノ構造を剥離する装置であって:
前記ナノ構造の反対側である前記第1基板の背面上に配置されるガラス素子;及び、
前記ガラス素子へレーザービームを進行させるように構成されているレーザー光源;
を有し、
前記ナノ構造が第1基板前面に取り付けられていて、
前記ガラス素子は、前記レーザービームの作用によって応力波を前記ナノ構造へ伝搬させ、前記ナノ構造と前記第1基板との間に引っ張り応力を発生させ、前記第1基板から前記ナノ構造を剥離する、
装置。 - 前記レーザー光源がNd−YAGレーザーを有する、請求項17に記載の装置。
- 前記ガラス素子は、パイレックス(登録商標)、ソーダライム、石英又はボロシリケートのうちの1つを有する、請求項1又は17に記載の装置。
- 前記固定層と前記ガラス素子との間に設けられているエネルギー吸収層をさらに有する、請求項17に記載の装置。
- 前記の第1基板前面の反対側に位置する第2基板をさらに有する方法であって、前記第2基板は、一旦前記第1基板から剥離された前記ナノ構造を受け取るように構成されている、請求項17に記載の装置。
- 前記第2基板上に設けられる架橋層、及び前記第2基板から前記第1基板を剥離する1つ以上のスペーサをさらに有する方法であって、前記架橋層は前記ナノ構造と前記第2基板との間の結合を形成するように構成されている、請求項17に記載の装置。
- シリコンプラットフォームを受け取り基板に移行する装置であって:
前記シリコンプラットフォームの背面上に設けられるガラス基板;及び、
前記ガラス素子へレーザービームを進行させるように構成されているレーザー光源;
を有し、
前記ガラス素子はレーザービームが作用することで、前記シリコンプラットフォームと前記ガラス基板との間に引っ張り応力を発生させるようになっていて、かつ、
前記引っ張り応力は前記受け取り基板へシリコンプラットフォームを受け渡すようになっている、
装置。 - 前記シリコンプラットフォームの反対側で前記ガラス基板に隣接するエネルギー吸収層をさらに有する装置であって、
前記エネルギー吸収層及び前記ガラス基板は前記ガラス基板を通り抜けるように応力波を伝搬させ、前記シリコンプラットフォームと前記ガラス基板との間に前記引っ張り応力を発生させる、
請求項23に記載の装置。 - 前記レーザービームが、前記ガラス基板を通り抜けることで、前記シリコンプラットフォームと前記ガラス基板との間に前記引っ張り応力を発生させ、
前記シリコンプラットフォームは1つ以上の回路を有し、
前記受け取り基板はポリマーを有し、かつポリマー膜でスピンコーティングされる、
請求項23に記載の装置。 - 基板とコーティングとの間に引っ張り応力を発生させる装置であって、
当該装置は:
第1軸の方向に第1面と第2面で画定される厚みを有する基板;
前記の基板の第1面に成膜されるコーティングであって、その際前記基板と共に前記第1軸に沿って互いに近接して配置されることでコーティング/基板界面を形成するコーティング;及び、
前記基板の前記第2面に配置され、前記第1軸に沿って設けられているガラス素子;
を有し、
前記ガラス素子は応力波を調節し、かつ前記応力波を前記コーティング/基板界面へ伝搬し、前記基板と前記コーティングとの間に引っ張り応力を発生させるように構成されている、
装置。 - 第1軸を横切るように設けられている第1面及び第2面を有する基板から、該基板と共に前記第1軸に沿って近接して配置されることで、コーティング/基板界面を形成するように、前記基板の前記第1面に成膜されたコーティング、を剥離する方法であって:
ガラス素子を前記の基板第2面上で前記第1軸に沿って設置する工程;
前記ガラス素子へ前記第1軸方向にレーザーパルスを進行させる工程;
前記ガラス素子を介して応力波を調節し、かつ前記応力波をコーティング/基板界面へ伝搬させることで前記基板と前記コーティングとの間に引っ張り応力を発生させる工程;及び
前記応力波が発生させる引っ張り応力によって、前記基板から前記コーティングを剥離する工程;
を有する方法。 - 第1基板の前面に取り付けられたナノ構造を、前記第1基板から剥離する装置であって、
当該装置は:
前記ナノ構造に対向する前記第1基板の背面に設けられたガラス素子;及び
前記ガラス素子へレーザービームを導光するように備えられたレーザー源;
を有し、
前記ガラス素子は、前記レーザービームが衝突した結果、応力波を調節し、かつ前記応力波を前記ナノ構造へ伝搬して、前記ナノ構造と前記第1基板との間に引っ張り応力を発生させることで、前記第1基板から前記ナノ構造を剥離する、
装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US55080304P | 2004-03-05 | 2004-03-05 | |
US60/550,803 | 2004-03-05 | ||
PCT/US2005/007304 WO2005084393A2 (en) | 2004-03-05 | 2005-03-07 | Glass-modified stress waves for separation of ultra thin films and nanoelectronics device fabrication |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007527538A JP2007527538A (ja) | 2007-09-27 |
JP2007527538A5 JP2007527538A5 (ja) | 2008-05-29 |
JP4700680B2 true JP4700680B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=34919577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007502074A Expired - Fee Related JP4700680B2 (ja) | 2004-03-05 | 2005-03-07 | 超薄膜を分離するガラスによって調節された応力波及びナノエレクトロニクス素子の作製 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7487684B2 (ja) |
EP (1) | EP1723401A4 (ja) |
JP (1) | JP4700680B2 (ja) |
KR (1) | KR101026956B1 (ja) |
CN (1) | CN100554905C (ja) |
WO (1) | WO2005084393A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2935536B1 (fr) * | 2008-09-02 | 2010-09-24 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detourage progressif |
EP2200077B1 (en) * | 2008-12-22 | 2012-12-05 | Soitec | Method for bonding two substrates |
US8703521B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Multijunction photovoltaic cell fabrication |
US20100310775A1 (en) * | 2009-06-09 | 2010-12-09 | International Business Machines Corporation | Spalling for a Semiconductor Substrate |
US20110048517A1 (en) * | 2009-06-09 | 2011-03-03 | International Business Machines Corporation | Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication |
US8633097B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Single-junction photovoltaic cell |
US8802477B2 (en) * | 2009-06-09 | 2014-08-12 | International Business Machines Corporation | Heterojunction III-V photovoltaic cell fabrication |
FR2961630B1 (fr) | 2010-06-22 | 2013-03-29 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | Appareil de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
US8338266B2 (en) | 2010-08-11 | 2012-12-25 | Soitec | Method for molecular adhesion bonding at low pressure |
FR2964193A1 (fr) | 2010-08-24 | 2012-03-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes |
US11590609B2 (en) * | 2012-01-18 | 2023-02-28 | Purdue Research Foundation | Laser shock peening apparatuses and methods |
US8714016B2 (en) * | 2012-02-01 | 2014-05-06 | The Boeing Company | Tension wave generation system |
US8709957B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-04-29 | International Business Machines Corporation | Spalling utilizing stressor layer portions |
GB2509985A (en) * | 2013-01-22 | 2014-07-23 | M Solv Ltd | Method of forming patterns on coatings on opposite sides of a transparent substrate |
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US10632534B2 (en) * | 2015-02-26 | 2020-04-28 | Purdue Research Foundation | Processes for producing and treating thin-films composed of nanomaterials |
US9784668B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-10-10 | The Boeing Company | Systems and methods for testing internal bonds |
CN109721026B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-01-07 | 湖北工业大学 | 一种激光脉冲辅助制备复合金属纳米颗粒阵列的方法 |
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JP2001159597A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 結合力測定方法及び装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6327030B1 (en) * | 1999-08-06 | 2001-12-04 | University Of Florida | System, method, and coating for strain analysis |
TW399143B (en) * | 1999-12-20 | 2000-07-21 | Prec Instr Devl Ctr Nsc Execut | A method for measuring thermal expansion coefficient of films by using an Interference-phase-shifting technique |
-
2005
- 2005-03-07 CN CNB2005800064587A patent/CN100554905C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-07 WO PCT/US2005/007304 patent/WO2005084393A2/en not_active Application Discontinuation
- 2005-03-07 KR KR1020067017492A patent/KR101026956B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-07 EP EP05750038A patent/EP1723401A4/en not_active Withdrawn
- 2005-03-07 JP JP2007502074A patent/JP4700680B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-15 US US11/504,981 patent/US7487684B2/en active Active - Reinstated
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005084393A2 (en) | 2005-09-15 |
JP2007527538A (ja) | 2007-09-27 |
US7487684B2 (en) | 2009-02-10 |
KR101026956B1 (ko) | 2011-04-11 |
CN1926420A (zh) | 2007-03-07 |
KR20070004655A (ko) | 2007-01-09 |
WO2005084393A3 (en) | 2006-03-09 |
EP1723401A2 (en) | 2006-11-22 |
CN100554905C (zh) | 2009-10-28 |
US20070039395A1 (en) | 2007-02-22 |
EP1723401A4 (en) | 2010-05-05 |
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