JP4696848B2 - 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成方法及び薄膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4696848B2 JP4696848B2 JP2005311197A JP2005311197A JP4696848B2 JP 4696848 B2 JP4696848 B2 JP 4696848B2 JP 2005311197 A JP2005311197 A JP 2005311197A JP 2005311197 A JP2005311197 A JP 2005311197A JP 4696848 B2 JP4696848 B2 JP 4696848B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- liquid
- ink
- droplet discharge
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229930188006 polyphyllin Natural products 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Ink Jet (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
前記機能液を収容する液体収容部の重量を測定する工程と、前記液体収容部の重量変化に基づいて、前記液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を設定する工程と、設定された液滴の吐出量に基づいて液滴吐出手段を制御する工程とを、薄膜形成中に行うこと特徴とする。このような薄膜形成方法によれば、液体収容部の重量変化から液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を求めることができるため、基体上に薄膜を形成しながら、液滴の吐出量をリアルタイムで調整することができ、不良の発生を防ぐことができる。
このような薄膜形成装置によれば、重量測定手段が測定する液体収容部の重量変化に基づいて、制御手段が液滴吐出手段を制御し、液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を調整することから、基体上に薄膜を形成しながら、液滴の吐出量をリアルタイムで調整することができ、不良の発生を防ぐことができる。
先ず、本発明の実施形態に係る薄膜形成装置について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る薄膜形成装置の外観を示す斜視図である。
この薄膜形成装置は、図1に示すように、ベース9上に設置された液体吐出装置10と、ベース9の近傍に配置された基板搬送装置11と、ベース9の脇に配置されたコントロールユニット12とを主として備えている。なお、ベース9の上に設置された液滴吐出装置10は、必要に応じてカバー13により覆うことが可能となっている。
次に、本発明の実施形態に係る薄膜形成方法について説明する。
本実施形態では、電気光学装置の一つである有機EL装置を製造する場合を例に挙げて説明する。この有機EL装置は、アクティブマトリックス型の表示装置をなすものである。図6乃至図8は、EL表示素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置をなす有機EL装置の製造工程の手順を示す製造工程断面図である。
このとき、中継電極526は、後述するITO膜により形成される。
具体的には、所定位置の方がその周囲よりも低く、凹型の段差535が形成される。
この図8(A),(B)を必要回数繰り返し、最終的に、図8(C)に示すように、十分な厚さ寸法の有機半導体膜513Bを形成する。正孔注入層513Aおよび有機半導体膜513Bによって、発光素子513が構成される。最後に、図8(D)に示すように、表示基板502の表面全体、若しくはストライプ状に反射電極512を形成し、表示装置501を製造する。
次に、上記有機EL装置を備えた電子機器について説明する。
図9(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図9(a)において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記実施形態の有機EL装置からなる表示部を示している。図9(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図9(b)において、符号1100は時計本体を示し、符号1101は上記実施形態の有機EL装置からなる表示部を示している。図9(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図9(c)において、符号1200は情報処理装置、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1204は情報処理装置本体、符号1206は上記実施形態の有機EL装置からなる表示部を示している。
Claims (2)
- 液滴吐出手段により吐出される機能液の液滴を基体上に着弾させて薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記機能液を収容する液体収容部の重量を測定する工程と、前記液体収容部の重量変化に基づいて、前記液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を設定する工程と、設定された液滴の吐出量に基づいて液滴吐出手段を制御する工程とを、薄膜形成中に行うこと特徴とする薄膜形成方法。 - 基体上に機能液の液滴を着弾させて薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記機能液を収容する液体収容部と、前記液体収容部に収容された機能液の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記薄膜の形成時に前記機能液の液滴を吐出する前後で、前記液体収容部の重量を測定する重量測定手段と、前記重量測定手段により測定された前記液体収容部の重量変化に基づいて、前記薄膜の形成時に前記液滴吐出手段が吐出する液滴の吐出量を制御する制御手段とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005311197A JP4696848B2 (ja) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005311197A JP4696848B2 (ja) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007117832A JP2007117832A (ja) | 2007-05-17 |
JP4696848B2 true JP4696848B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=38142257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005311197A Active JP4696848B2 (ja) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4696848B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6063470B2 (ja) * | 2012-09-24 | 2017-01-18 | 富士機械製造株式会社 | 粘性流体供給装置および粘性流体供給方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08340432A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Canon Inc | ファクシミリ装置 |
JP2004130165A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出装置及び液滴吐出装置の駆動方法 |
JP2005161131A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | モニタリング方法およびモニタリング装置、並びに描画装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
-
2005
- 2005-10-26 JP JP2005311197A patent/JP4696848B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08340432A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Canon Inc | ファクシミリ装置 |
JP2004130165A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | 液滴吐出装置及び液滴吐出装置の駆動方法 |
JP2005161131A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | モニタリング方法およびモニタリング装置、並びに描画装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007117832A (ja) | 2007-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007117833A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
US7280933B2 (en) | Method and apparatus for forming a pattern, device and electronic apparatus | |
JP3922177B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置、液滴吐出装置、カラーフィルタの製造方法、表示装置の製造方法 | |
KR101729789B1 (ko) | 유기 el 표시 패널과 그 제조 방법 | |
JP4093167B2 (ja) | 液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 | |
US20070173053A1 (en) | Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device | |
US7036906B2 (en) | Liquid droplet ejection apparatus, method of manufacturing electrooptic device, electrooptic device and electronic device | |
US20070178687A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and display device | |
JP4474858B2 (ja) | ギャップ調整装置、これに使用されるキャリブレーション用治具、およびギャップ調整装置を備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法 | |
US7810903B2 (en) | Head unit, liquid droplet discharging apparatus, method for discharging liquid, and methods for manufacturing color filter, organic EL element and wiring substrate | |
US7032990B2 (en) | Liquid droplet ejection apparatus, method of manufacturing electrooptic device, electrooptic device, and electronic device | |
JP2005324130A (ja) | 液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 | |
JP4779569B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP4696848B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP4370920B2 (ja) | 描画装置 | |
JP4370919B2 (ja) | 描画装置 | |
JP2007117831A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2006116436A (ja) | 液滴吐出装置およびこれに適用されるワーク、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 | |
JP2007130605A (ja) | 描画方法、および電気光学装置の製造方法、電気光学装置、ならびに電子機器 | |
JP2005319356A (ja) | 表示装置の製造方法、表示装置、電子機器、および表示装置製造装置 | |
JP4852989B2 (ja) | 液滴吐出装置の液滴着弾位置補正方法、液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法 | |
JP2006239621A (ja) | ワイピング装置およびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 | |
JP2006015693A (ja) | 液滴吐出特性測定方法、液滴吐出特性測定装置、液滴吐出装置、および電気光学装置の製造方法 | |
JP4380715B2 (ja) | 描画方法 | |
JP2005212192A (ja) | 液滴吐出ヘッド寿命管理方法、液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4696848 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |