JP4682371B2 - 磁場制御を施した陽極を備えてなる単一電源型スパッタリング装置 - Google Patents
磁場制御を施した陽極を備えてなる単一電源型スパッタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4682371B2 JP4682371B2 JP2004152921A JP2004152921A JP4682371B2 JP 4682371 B2 JP4682371 B2 JP 4682371B2 JP 2004152921 A JP2004152921 A JP 2004152921A JP 2004152921 A JP2004152921 A JP 2004152921A JP 4682371 B2 JP4682371 B2 JP 4682371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- sputtering
- magnetic field
- substrate
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
すなわち、本発明において荷電粒子とは、プラズマ化することによって発生する電子、イオン等の真空容器内を移動できる電荷媒体を指す。また放電電流とはプラズマ化した真空容器内を荷電粒子の動きとして流れる電流のことをいい、陽極とは放電電流が流れ出す電極のことを指し、陰極とは放電電流が流れ込む電極を指す。
前項で記したバイアススパッタリング方式は薄膜の高密度、高硬度、高付着力、高平滑性を低プロセス温度で実現することを目的としていた。これに対して成膜の高速化、長時間安定化を目指して開発されたスパッタリング方式にバイポーラスパッタリング方式がある。絶縁物薄膜の高速安定成膜をスパッタリング法で実現する際の大きな障害は、陽極の表面に形成される絶縁体薄膜である。陽極表面上に形成される絶縁膜は陽極からの電流の流れ出しを阻害するため、成膜のためのプラズマへの電力投入を阻害し、その結果放電の維持が困難となり、スパッタリングによる薄膜の形成を停止してしまう。そのためスパッタリング装置を設計するにおいては、長時間の安定な放電を維持するために陽極を薄膜形成を受けにくい位置に配置する等の工夫がされてきたが、長時間わたる操作には限界があり、十分とはいえなかった。
P.Frach,K.Goedicke,C.GottfriendandH.Bartzsch,Surf.Coat.Technol.142(2001)628−634
には粒子のエネルギーをさらに上げる必要があり、バイアススパッタリング、バイポーラスッパタリングともに十分とは言えなかった。
本発明者等においては鋭意研究の結果、従来成膜条件等から自ずと決定され、従来は、自由に変化させることが不可能であったプラズマ電位を、成膜条件はこれまでと同様にして、プラズマ電位を上昇させることが可能であることを見出した。
(1) 荷電粒子の陽極から陰極にいたる有効な経路に対して各経路中の最強磁場強度が10ガウス以上となるようにスパッタリング装置全体の磁場設計を施したことを特徴とするスパッタリング装置。
(2) 陽極面にほぼ平行に磁束を配置する機構を陽極表面あるいはその近傍に取り付け、荷電粒子の有効な各経路に垂直方向の磁場を10ガウス以上、好ましくは30から10000ガウスの範囲に設定することを特徴とした請求項1記載のスパッタリング装置。
(3) 陽極近傍に開度調節可能なシャッターを設置し、その開度を調節することにより基体への入射粒子のエネルギーを調節することを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。
(4) スパッタリング成膜を実施する基体にバイアス電位を印加することで、さらに基体への入射粒子のエネルギーを高めることを特徴とした請求項1ないし3記載のスパッタリング装置。
(5) 陽極として用いる電極には、通常スパッタリング陰極に施されている磁場配置と同様の磁場配置が陽極にも施されていることを特徴とする、請求項1ないし4記載のスパッタリング装置。
(6) 該磁場配置がバランス型磁場配置である請求項5記載のスパッタリング装置。
(7) 該磁場配置が非バランス型磁場配置である請求項5記載のスパッタリング装置。 (8) 陽極および陰極の間に0ヘルツ(直流)から1000ヘルツの間の低周波電圧を印加することで放電を生ぜしめることを特徴とする請求項1ないし5記載のスパッタリン
グ装置。
(9) 陽極および陰極の間に直流の電圧を印加することで放電を生ぜしめることを特徴とする請求項6記載のスパッタリング装置。
本発明において設定した磁場設計によって付与される陽極面にほぼ平行な磁束(磁場)
は、ローレンツ力によりプラズマ中の各種荷電粒子の磁束への巻きつき運動を誘起し、荷電粒子を捕捉する方向の力、すなわち荷電粒子の動きを妨げる力を及ぼす作用がある。荷電粒子の動きはすなわち電流であり、荷電粒子の動きを妨げる力はすなわち抵抗(インピーダンス)として作用する。
陰極、陽極間に交流の電圧を印加してプラズマを発生せしめた場合、荷電粒子の挙動は十分高い周波数の交流電圧の印加において各荷電粒子はほぼその場(スパッタリング装置内の空間内の各々の粒子の位置)において振動するだけである。この場合陽極から陰極にいたる経路中に磁場により誘起されたインピーダンスの高い領域があったとしても、この領域から離れたところで振動している荷電粒子はこのインピーデンスの影響を受けず、結果としてのプラズマ電位の上昇が得られない。
本発明の効果を検証するために、通常のスパッタリング方式(図1)の構成をとった場合の基体への粒子(アルゴンイオン)の入射エネルギーと比較した。通常のスパッタリング方式の構成をとるには図4に示す本実施例態様からその特有な磁場設計を施した陽極全体すなわち陽極(1)およびその絶縁体(3)、シールド(4)、磁石(5)、磁束(8)をとりはずした構成と同一である。このため本比較例でも前期実施例から上記磁場設計を施した陽極を取り外し、直流スパッタリング電源の出力端子の正極を装置壁面に、負極を陰極(2)に接続し、電源の制御は印加電力が500ワットで一定となるような制御を行った。それ以外の構成は前記記載の実施例の場合と全く同一である。
図3に示したのはバイポーラスパッタリング方式の概念図である。これは発明を実現する手段の項でも説明したが、この手法の最大の特徴は2つの電極(9)が陰極・陽極の役割を1から100キロヘルツ程度の周期で交互に入れ替えながらスパッタリング成膜が進行することである。本比較例においては両電極共に電極面は200mm×135mmの面積を持つチタン金属で構成した。この2つの電極の陰極・陽極の役割を1から100キロヘルツ程度の周期で交互に入れ替えるために、1から100キロヘルツ程度の交流のスパッタリング電源(図示外)が用いられる。
以上の結果、実施例、比較例1、比較例2の3者を比較すると、本発明の磁場設計を施しただけの簡単な構成を講じ、これに安価な直流電源を組合せることによって、極めて大きな効果が奏せられた意義は明らかである。
(2):陰極
(3):絶縁体
(4):シールド
(5):磁石
(6):基体
(7):バイアス電極
(8):磁束線
(9):陰極/陽極
(10):シャッター
Claims (4)
- 陽極面にほぼ平行に磁束を配置する機構を陽極表面あるいはその近傍に取り付け、荷電粒子の陽極から陰極にいたる有効な経路に対して各経路中の最強磁場強度が10ガウス以上となるようにスパッタリング装置全体の磁場設計を施すとともに、陽極と陰極との間に直流の電圧を印加することで放電を生ぜしめるとともに、前記陽極の磁場配置がバランス型磁場配置または非バランス型磁場配置である、スパッタリング装置。
- 前記荷電粒子の有効な各経路に垂直な方向の磁場を30ガウスから10000ガウスの範囲に設定する、請求項1記載のスパッタリング装置。
- 陽極近傍に開度調節可能なシャッターを設置し、その開度を調節することにより基体への入射粒子のエネルギーを調節する、請求項1記載のスパッタリング装置。
- スパッタリング成膜を実施する基体にバイアス電位を印加することで、さらに基体への入射粒子のエネルギーを高めるようにした、請求項1から3の何れかに記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004152921A JP4682371B2 (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 磁場制御を施した陽極を備えてなる単一電源型スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004152921A JP4682371B2 (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 磁場制御を施した陽極を備えてなる単一電源型スパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005336506A JP2005336506A (ja) | 2005-12-08 |
JP4682371B2 true JP4682371B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=35490399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004152921A Expired - Fee Related JP4682371B2 (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 磁場制御を施した陽極を備えてなる単一電源型スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4682371B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000239841A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法と装置 |
JP2001505622A (ja) * | 1997-09-17 | 2001-04-24 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | スパッタ電極を備えた装置による表面被覆方法 |
JP2002256431A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | マグネトロンスパッタ装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6016515B2 (ja) * | 1978-11-15 | 1985-04-25 | 豊田合成株式会社 | 低温スパツタリング装置 |
DE3371439D1 (en) * | 1982-01-26 | 1987-06-11 | Materials Research Corp | Magnetron reactive bias sputtering method and apparatus |
US4581118A (en) * | 1983-01-26 | 1986-04-08 | Materials Research Corporation | Shaped field magnetron electrode |
JPH01309966A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
JPH0665734A (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜形成装置 |
-
2004
- 2004-05-24 JP JP2004152921A patent/JP4682371B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001505622A (ja) * | 1997-09-17 | 2001-04-24 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | スパッタ電極を備えた装置による表面被覆方法 |
JP2000239841A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法と装置 |
JP2002256431A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | マグネトロンスパッタ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005336506A (ja) | 2005-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5448232B2 (ja) | 物体を前処理及びコーテイングするための装置及び方法 | |
US9551066B2 (en) | High-power pulsed magnetron sputtering process as well as a high-power electrical energy source | |
US8133359B2 (en) | Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current | |
US9771648B2 (en) | Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures | |
JP5291086B2 (ja) | 真空アーク蒸発源、及び真空アーク蒸発源を有するアーク蒸発チャンバ | |
JP5580760B2 (ja) | 多点クランプを用いた物理蒸着装置及び方法 | |
JP2011179119A (ja) | 熱拡散器を用いた物理蒸着装置及び方法 | |
US9508532B2 (en) | Magnetron plasma apparatus | |
JP5324744B2 (ja) | 付着装置及び方法 | |
JP4992038B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
JP4682371B2 (ja) | 磁場制御を施した陽極を備えてなる単一電源型スパッタリング装置 | |
KR102156989B1 (ko) | 진공 아크 성막 장치 및 성막 방법 | |
JP5853487B2 (ja) | 放電電極及び放電方法 | |
JP7114399B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
WO2009131737A1 (en) | Method and apparatus for improved high power impulse magnetron sputtering | |
JP2006188733A (ja) | 対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法 | |
JP2000282235A (ja) | マグネトロンスパッタリング方法および装置 | |
KR100963413B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
JP2007162100A (ja) | スパッタリング成膜方法 | |
CN110998784A (zh) | 涂层工艺中的以及与涂层工艺有关的改善 | |
JP5997417B1 (ja) | 真空アーク成膜装置および成膜方法 | |
JP2005179767A (ja) | スパタイオンプレ−テング装置 | |
TWI684656B (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
JP3778501B2 (ja) | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
KR20160058494A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040609 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070322 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070322 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110120 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |