JP4680630B2 - 半導体薄膜のキャリア移動度の測定用基板、測定装置及び測定方法 - Google Patents
半導体薄膜のキャリア移動度の測定用基板、測定装置及び測定方法 Download PDFInfo
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R.G.Kepler, Phys.Rev. Vol.119, p1226 (1960) Masatoshi Kitamura, Tadahiro Imada, Satoshi Kako and Yasuhiko Arakawa, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43, p2326 (2004) 日経産業新聞、2003年12月2日記事
図1は、本発明のキャリア移動度測定用基板の例を示す図である。図1において、(a)はその一形態の平面図であり、(b)はその断面図であり、(c)は他の形態の部分平面図であり、(d)はその断面図である。この形態に係るキャリア移動度測定用基板10は、励起光によりキャリアが発生し易い半導体薄膜のキャリア移動度測定に好ましく用いられるものであり、励起光を透過する基板11と、基板11上に形成されその一部に開口部13を有する遮光層12と、開口部13に隣接して又は開口部13の一部を覆う第1電極14と、遮光層12上に形成され前記第1電極14から所定の間隔で設けられた第2電極15とを有している。
図2は、本発明のキャリア移動度測定用基板の他の一例を示す図であり、(a)は平面図であり、(b)はその断面図である。この形態に係るキャリア移動度測定用基板20も上記同様、励起光が照射されることによりキャリアが発生し易い半導体薄膜のキャリア移動度の測定に好ましく用いられるものであり、励起光を透過する基板11と、基板11上に形成されその一部に開口部13を有する遮光層12と、開口部13に隣接して又は開口部13の一部を覆う第1電極14と、遮光層12上に形成され前記第1電極14から所定の間隔で設けられた第2電極15とを有している。特にこの形態の特徴は、第1電極及び第2電極と、遮光層12及びその一部に有する開口部13との間に、励起光を透過する絶縁層16が形成されていることにある。なお、基板11、遮光層12、開口部13、第1電極14及び第2電極15についての詳細は上述したので、ここでは省略する。
図3及び図4は、本発明のキャリア移動度測定用基板のさらに他の例を示す図であり、それぞれ、(a)は平面図であり、(b)はその断面図である。この形態に係るキャリア移動度測定用基板30,40は、励起光が照射されてもキャリアが発生し難い半導体薄膜のキャリア移動度の測定に好ましく用いられるものであり、励起光を透過する基板11と、基板11上に形成された第1電極14と、基板11と第1電極14との間に又は第1電極14の上に形成された電荷発生層17と、基板11上に形成され第1電極14から所定の間隔で設けられた第2の電極15とを有し、その電荷発生層17が、励起光が照射されることになる側に光学的に露出していることに特徴がある。
図5は、本発明のキャリア移動度測定用基板の他の形態の一例であり、図5(a)は開口部形成パターンの平面図であり、図5(b)は電極形成パターンの平面図であり、図5(c)は櫛形形状の電極を組み合わせて作製した測定用基板の平面図である。このキャリア移動度測定用基板50は、第1電極14と第2電極15とが対向配置された同一の単位構造が、基板11上に複数形成されていることに特徴を有している。
ここで、以上説明した各形態に係るキャリア移動度測定用基板が有するキャリア発生部18について説明する。
次に、図1〜図4の各キャリア移動度測定用基板の作製方法について説明する。
図6は、本発明のキャリア移動度測定装置の一例を示す図である。本発明のキャリア移動度測定装置60は、図1〜図4に例示した本発明に係るキャリア移動度測定用基板61と、キャリア移動度測定用基板61に励起光66を照射する光照射部62と、キャリア移動度測定用基板61が有する第1電極14に接続された電源部63と、キャリア移動度測定用基板61が有する第2電極15に接続された電流測定部64と、を少なくとも備えることに特徴がある。図1〜図4に例示した本発明に係るキャリア移動度測定用基板10,20,30,40については、既に説明したのでここでは省略する。なお、図6は、図2に示したキャリア移動度測定用基板20を用いた例を示す図である。
図7は、本発明のキャリア移動度測定方法の一例を示す図である。本発明のキャリア移動度測定方法は、図1〜図4に例示した本発明に係る半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板61と、キャリア移動度測定用基板61に励起光を照射する光照射部62と、キャリア移動度測定用基板61が有する第1電極14に接続された電源部63と、キャリア移動度測定用基板61が有する第2電極15に接続された電流測定部64とを少なくとも備えるキャリア移動度測定装置を用いた測定方法であり、キャリア移動度測定用基板61上に被測定材料である半導体薄膜65を第1電極14及び第2電極15に接するように形成する工程と、半導体薄膜65が形成されたキャリア移動度測定用基板61に光照射部62から励起光66を照射する工程と、電流測定部64で得られた電流の時間的変化を測定する工程と、を含んでいる。なお、図7は、図2に示したキャリア移動度測定用基板20を用いた例を示す図である。図3、図4に示したキャリア移動度測定用基板30、40を用いるときは、半導体薄膜65を少なくとも電荷発生層17及び第2電極15に接するように形成する。
11 基板
12 遮光層
13 開口部
14 第1電極
15 第2電極
16 絶縁層
17 電荷発生層
18 キャリア発生部
51 開口部形成パターン
52 電極形成パターン
60 キャリア移動度測定装置
62 光照射部
63 電源部
64 電流測定部
65 半導体薄膜
66 励起光
67 負荷抵抗
68 デジタルオシロスコープ
A 長いスリット長
B 短いスリット幅
C 対向する電極の電極縁部と平行な方向の長さ
D 対向する電極の電極縁部に直交する方向の長さ
Claims (7)
- 励起光を透過する基板と、当該基板上に形成されその一部に開口部を有する遮光層と、前記開口部に隣接して又は前記開口部の一部を覆う第1電極と、前記遮光層上に形成され前記第1電極から所定の間隔で設けられた第2電極とを有することを特徴とする半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板。
- 前記第1電極及び第2電極と、前記遮光層及びその一部に有する開口部との間に、励起光を透過する絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板。
- 励起光を透過する基板と、当該基板上に形成された第1電極と、前記基板と第1電極との間に又は前記第1電極の上に形成された電荷発生層と、前記基板上に形成され前記第1電極から所定の間隔で設けられた第2の電極とを有し、前記電荷発生層が、前記励起光が照射されることになる側に光学的に露出していて、かつ、第2の電極と接していないことを特徴とする半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板。
- 前記第1電極と第2電極とが、対向配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板。
- 前記第1電極と第2電極とが対向配置された同一の単位構造が、前記基板上に複数形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板と、当該キャリア移動度測定用基板に励起光を照射する光照射部と、前記キャリア移動度測定用基板が有する第1電極に接続された電源部と、前記キャリア移動度測定用基板が有する第2電極に接続された電流測定部とを少なくとも備えることを特徴とする半導体薄膜のキャリア移動度測定装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体薄膜のキャリア移動度測定用基板と、当該キャリア移動度測定用基板に励起光を照射する光照射部と、前記キャリア移動度測定用基板が有する第1電極に接続された電源部と、前記キャリア移動度測定用基板が有する第2電極に接続された電流測定部とを少なくとも備えるキャリア移動度測定装置を用いた半導体薄膜のキャリア移動度測定方法であって、前記キャリア移動度測定用基板上に被測定材料である半導体薄膜を形成する工程と、半導体薄膜が形成されたキャリア移動度測定用基板に前記光照射部から励起光を照射する工程と、前記電流測定部で得られた電流の時間的変化を測定する工程とを含むことを特徴とする半導体薄膜のキャリア移動度測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005052968A JP4680630B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 半導体薄膜のキャリア移動度の測定用基板、測定装置及び測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005052968A JP4680630B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 半導体薄膜のキャリア移動度の測定用基板、測定装置及び測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006234738A JP2006234738A (ja) | 2006-09-07 |
JP4680630B2 true JP4680630B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=37042533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005052968A Expired - Fee Related JP4680630B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 半導体薄膜のキャリア移動度の測定用基板、測定装置及び測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4680630B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016122263A1 (ko) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 주식회사 엘지화학 | 고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 방법 및 고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 장치 |
WO2016122264A1 (ko) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 주식회사 엘지화학 | 고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 방법 및 고분자 필름의 금속 이온 투과도 측정 장치 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4757285B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2011-08-24 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 半導体評価装置 |
KR20120000499A (ko) * | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
KR101913311B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2019-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리콘 박막 측정 방법, 실리콘 박막 결함 검출 방법, 및 실리콘 박막 결함 검출 장치 |
WO2019187927A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | キャリア移動度計測方法とキャリア移動度計測装置 |
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Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666368B2 (ja) * | 1987-07-14 | 1994-08-24 | 工業技術院長 | 半導体評価装置 |
JPH01124229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-17 | Fujitsu Ltd | ドリフト移動度の測定方法 |
JPH0727947B2 (ja) * | 1993-03-31 | 1995-03-29 | 工業技術院長 | 半導体評価装置 |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005052968A patent/JP4680630B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US10338020B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-07-02 | Lg Chem, Ltd. | Method for measuring metal ion permeability of polymer film and device for measuring metal ion permeability of polymer film |
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---|---|
JP2006234738A (ja) | 2006-09-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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