JP2003223789A - 記憶層に隣接する層を用いるデータ記憶媒体および方法 - Google Patents
記憶層に隣接する層を用いるデータ記憶媒体および方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度メモリ記憶素子内の小型のデータセル
を読み出すために、より多量のキャリアを生成する技
術、および光あるいは電子から検出可能なキャリアにエ
ネルギーを変換する効率的な方法が必要であり、またデ
ータの検出がより容易に行われるように高密度データを
格納し、かつ読み出すためのメモリ構造および方法が必
要である。 【解決手段】 データ記憶ユニットは、情報の書き込み
や読み出しの時に複数の状態間で変化する記憶媒体を、
その上に配置した複数の記憶エリア４５を有するデータ
記憶層４２を含む。ビーム放出器４３のアレーは、デー
タ記憶層４２に近接して配置されている。記憶層と隣接
した層（ＬＡＳＬ）４７は、光ビームに応じてキャリア
を生成する。データは、光ビーム４６により読み出され
る。キャリアは、検出領域（４４/４７境界部）で検出
され、データの存在が検知される。
を読み出すために、より多量のキャリアを生成する技
術、および光あるいは電子から検出可能なキャリアにエ
ネルギーを変換する効率的な方法が必要であり、またデ
ータの検出がより容易に行われるように高密度データを
格納し、かつ読み出すためのメモリ構造および方法が必
要である。 【解決手段】 データ記憶ユニットは、情報の書き込み
や読み出しの時に複数の状態間で変化する記憶媒体を、
その上に配置した複数の記憶エリア４５を有するデータ
記憶層４２を含む。ビーム放出器４３のアレーは、デー
タ記憶層４２に近接して配置されている。記憶層と隣接
した層（ＬＡＳＬ）４７は、光ビームに応じてキャリア
を生成する。データは、光ビーム４６により読み出され
る。キャリアは、検出領域（４４/４７境界部）で検出
され、データの存在が検知される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報記憶ユニットの
分野に関する。より詳細には、本発明は記憶層に隣接す
る層を用いてデータ検出に作用する情報記憶装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】パームトップコンピュータ、デジタルカ
メラおよびセルラー電話のような電子装置は、より複雑
なデータ処理および記憶回路を実装しているにも関わら
ず、よりコンパクトに、かつ小型化されつつある。さら
に、映像、音声およびグラフィックスのようなテキスト
以外のタイプのデジタル通信が広く普及してきており、
それに固有の複雑な情報を搬送するために、大量のデー
タを必要とする。これらの開発は、より低コストで、か
つ非常にコンパクトなパッケージにおいて、より複雑な
データを取り扱うことができる新たな記憶技術に対する
大きな需要を生み出してきた。 【０００３】この要求に対する１つの回答は、１９９６
年９月１７日にGibson等に付与された米国特許第５，５
５７，５９６号に開示される素子のような、超高密度の
記憶素子の開発であった。このシステムは、情報を格納
し、かつ読み取るために、可動プラットフォーム上にあ
る情報記憶媒体エリアに対して電子ビームを生成する複
数の電子放出器を提供する。微小電気機械システム（Ｍ
ＥＭＳ）技術に基づく超小型可動子が、電子放出器に対
してプラットフォームを移動させ、プラットフォーム上
の選択された記憶媒体エリアと並列に通信できるように
する。Gibson等の特許では、電子ビームが種々の強度で
記憶媒体エリアに衝当し、記憶材料のある様相を選択的
に変更し、たとえば、非晶質相と結晶相との間で、ある
いはリードバック電子ビームに対するダイオード記憶媒
体の応答のような、リードバック刺激に対する記憶媒体
の応答に影響を与える異なる結晶相間で、記憶材料の状
態を変化させる。 【０００４】より高速に、かつさらにコンパクトなエリ
アにおいて、より複雑なデータをより大量に取り扱うた
めに、さらに小型化し、かつさらに能力を拡張すること
が引き続き要求されている。業界内では、数十〜数百ナ
ノメートルの範囲内にデータを記憶する方向に向かって
いる。 【０００５】このレベルでデータを格納しようとするた
めのいくつかの試みが現われている。情報の記憶および
読取りのプロセスは益々困難な作業になり、電子ビーム
を用いるデータの書込みおよび読出しはいくつかの制約
を与える。この技術では、静電破壊、望ましくない場所
からの電界放出、および比較的大きく、高コストの電力
供給のための要件に伴う問題を回避するために、低エネ
ルギーの電子を用いることができる。しかしながら、低
エネルギーの電子は貫通深度が非常に短く、このアプロ
ーチは媒体の表面条件に非常に影響を受けやすくなるの
で、データ検出が困難になる。さらに、記憶媒体の上側
には非常に薄い層しか存在しない場合があるので、記憶
層の上側において保護層あるいは導電性電極を用いるこ
とが難しくなる。さらに、電子リードバックを用いる記
憶素子の安定性および反復性は、記憶媒体の自由表面の
機械的および熱的特性によって制限される場合がある。
層が厚くなると低エネルギーの電子が到達するのが妨げ
られるので、低エネルギー電子ビームアドレス指定方式
では、非常に薄い保護クラッディング層しか用いること
ができない。 【０００６】ＣＤ−ＲＷおよびＤＶＤ−ＲＷドライブの
ようないくつかの小型の記憶装置では、レーザのような
誘導された光ビームを用いて記憶媒体の光反射率を可逆
的に変化させることにより、データが書き込まれ、かつ
／または検出される。データ記憶密度が増し、小型化が
進むと、レーザの回折限界スポットサイズによって、下
限値が、書き込まれるビットのサイズに設定される。し
かしながら、この回折限界は、小さなアパーチャを通し
て放射されるエバネッセント光を与える近接場光源を用
いて回避されることができる。そのようなシステムで
は、光子ビームを記憶エリアに照射し、その後、データ
記憶エリアから放出される電子、正孔あるいは光子（こ
れ以降、「キャリア」と呼ばれる）の流れを検出するこ
とにより、データが検出される場合がある。誘導光ビー
ムシステムを用いてキャリア流を検出することにより高
密度記憶素子においてデータを読み出すための一例が、
「Data Storage Media Utilizing Directed Light Beam
and Near-Field Optical Sources」というタイトルの
本発明人による同時係属の米国特許出願（２００１年５
月２５日に出願された第０９／８６５，９４０号）に示
される。 【０００７】密度を著しく高めたデータの記憶は、デー
タを読み出す作業において問題を引き起こす。高密度記
憶素子は、隣接する選択されていないメモリセルからの
干渉に起因して、かつ読取りプロセスから生成される電
子、光子あるいは正孔の流れが小さいので検出が非常に
困難になり、データ検出における誤りが増加するので、
データを読み取るのが益々困難になる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、高密度メモリ記憶素子内の小型のデータセルを
読み出すために、より多量のキャリアを生成することが
できる技術、および光あるいは電子から検出可能なキャ
リアにエネルギーを変換する効率的な方法を提供するこ
とである。本発明のさらに別の目的は、データの検出が
より容易に行われるように高密度データを格納し、かつ
読み出すためのメモリ構造および方法を提供することで
ある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、誘導された光
ビームを用いて、キャリアの流れを生成することによ
り、メモリ記憶素子内のデータを読み出すための高密度
メモリ記憶素子を提供し、それは誤りを最小限に抑えな
がら、データの読取りおよび検出を改善するために、キ
ャリア輸送に作用するための強化構造および方法を含
む。本明細書において用いられる「キャリア」は、ここ
に記載される層のうちの１つの半導体材料上に光子を衝
当することにより生成される電子、正孔および／または
光子のことを指す。本明細書において用いられる「キャ
リア輸送」は、媒体内のキャリアの動きあるいは流れの
ことを指す。強化構造は、検出を改善し、誤りの可能性
を低減するために、検出点におけるキャリア輸送に寄与
あるいは作用する、記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）で
ある。 【００１０】本発明の１つの好ましい実施形態では、デ
ータ記憶ユニットは、読出し段階中にデータを読み出す
ための複数のデータ記憶エリアを有するデータ記憶層を
含む。選択されたデータ記憶エリアにビームを選択的に
誘導し、その中に格納されるデータを読み出すために、
ビーム放出器のアレイがデータ記憶層に近接して配置さ
れる。媒体が、書込みサイクル中に第１の光あるいは電
子ビームによって複数の状態間で変更されることができ
るデータ記憶エリア上に配置される。複数の状態は、読
出し段階中に光ビームに応答して著しい差を示す。この
差は、（１）その異なる状態における媒体の光吸収およ
び／または光反射の特性、（２）その状態がキャリアを
生成あるいは再結合する能力、および／または（３）キ
ャリアの生成および再結合に影響を及ぼす局部電界への
その状態の影響力に関連する場合がある。 【００１１】データ記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）
が、読出し段階中にキャリアの流れ（輸送）を生成する
か、あるいはそれに影響を及ぼすために設けられる。さ
らに、ＬＡＳＬは、自らが有する電気的、光学的または
熱的特性のいずれか通して、あるいは記憶層の特性を改
善することにより、素子スタックの電気的、光学的ある
いは熱的特性を改善する場合がある。ＬＡＳＬにおける
キャリアの生成および輸送は、ビーム放出器からのビー
ムの直接的な衝当、データ記憶層からのキャリア輸送、
および／またはＬＡＳＬあるいは記憶層に印加される電
界の結果として生じる場合がある。データ記憶エリアあ
るいはＬＡＳＬと導通する検出領域が、読出し段階中に
電子−正孔対の活性状態を判定するために設けられ、電
子−正孔対の活性状態は各記憶エリアの状態に関連す
る。検出器が、各記憶エリアの状態を判定するために、
検出領域内の電子−正孔対の活性状態を読み取る。 【００１２】別の好ましい実施形態では、データ記憶ユ
ニットは、その上にデータが格納されたデータ記憶エリ
アを有するデータ記憶層を含む。データ記憶層に向けて
光ビームを選択的に誘導し、データ記憶エリアからデー
タを読み出すために、光ビーム放出器が配置される。記
憶層は、光のビームに対して部分的に透過性を有する。
記憶エリアは光が記憶エリアを通過するためのフィルタ
であり、フィルタリングされる光の量は、記憶エリアの
状態に依存する。１つの層（ＬＡＳＬ）がデータ記憶層
に隣接して配置され、ＬＡＳＬに到達する光の量に応答
してキャリアが生成される。検出領域内のキャリア輸送
を測定し、記憶エリアの状態を判定するために、検出領
域がＬＡＳＬとの間で光を伝送することができる。 【００１３】本発明の別の実施形態は、その上にデータ
を含むデータ記憶エリアを有するデータ記憶層を含むデ
ータ記憶ユニットにおいてデータを読み出すための方法
を含む。１つの層（ＬＡＳＬ）が記憶層に隣接して配置
される。ビーム放出器からのビームが、ＬＡＳＬおよび
データ記憶層に向けて光ビームを誘導する。データ記憶
層を通過するビームは、データ記憶層内のデータ記憶エ
リアの状態に応じて変化する量だけフィルタリングされ
る。ビーム放出器からＬＡＳＬに到達する光の量に対応
するキャリア流がＬＡＳＬにおいて生成される。ＬＡＳ
Ｌとの間でキャリアが流通可能な検出領域に輸送された
キャリアが測定され、データ記憶エリアの状態が判定さ
れる。 【００１４】キャリアは、記憶エリア媒体の状態にも依
存する、電流、電圧あるいは光線の変化のような活性状
態あるいは応答を提供する。キャリアの相対的な活性状
態は、読出し段階中に検出器によって読み取られ、記憶
エリアにおけるデータビットの存否が判定される。 【００１５】別の実施形態は、その上にデータを格納す
るための少なくとも２つの状態を有するデータ記憶エリ
アを含むデータ記憶層を有するデータ記憶ユニットに関
連する。データ記憶層に隣接して１つの層（ＬＡＳＬ）
が配置され、記憶エリアの状態を判定するためのキャリ
アが生成される。 【００１６】別の好ましい実施形態では、データ記憶ユ
ニットは、その上にデータを格納するためのデータ記憶
エリアを含むデータ記憶層を有する。少なくとも２つの
状態の間で変化することができるデータ記憶エリア内に
媒体が設けられる。その媒体は、光線フィルタリング特
性に関して、状態間に著しい差異を提供するための役割
を果たす。 【００１７】本発明の他の態様および利点は、一例とし
て本発明の原理を例示する添付の図面とともに、以下に
記載される詳細な説明から明らかになるであろう。 【００１８】 【発明の実施の形態】背景 本発明は、記憶エリア内のデータを読み出すために誘導
される光ビームを用いることが好ましい。記憶層は、誘
導された光ビームに応答して状態を変更することが可能
な記憶層の記憶エリアにある媒体を利用する。本明細書
において用いられる用語「光ビーム」は、レーザおよび
近接場光学系によって生成されるエバネッセント場のよ
うな誘導される光ビームを含む。 【００１９】１つのタイプの記憶媒体は、非晶質状態と
結晶状態との間で変化するか、あるいはビームの量、強
度および持続時間に応じて、光あるいは電子ビームに応
答してそのような状態内の種々の相に変化する材料であ
る。光ビームは、通常低い強度で、誘導されたビームで
そのエリアを照射あるいは刺激することにより、作用さ
れたエリア内のデータを読み出すためにも用いられる。
記憶エリアは、各記憶エリアの状態に応じて、光ビーム
に応答して変化する。 【００２０】電子ビームに応答するデータ記憶エリアの
この状態変化のさらに詳細な説明は、米国特許第５，５
５７，５９６号（Gibson等）に与えられる。本明細書に
おいて用いられる用語「状態」は、異なる結晶状態と非
晶質状態、ならびに化学的組成の変化、あるいは構造、
あるいは捕捉された電荷の密度、場所または特性の変
化、あるいは関連する電気的特性に影響を及ぼす欠陥の
密度およびタイプを含むことを意味する。 【００２１】ＬＡＳＬは、読み取られている記憶エリア
の状態を判定するために検出されることができる、いく
つかのタイプのキャリア流あるいは輸送を生成すること
により、誘導される読出しビームに応答する特性を有す
ることが好ましい。 【００２２】以下に説明されるように、光ビームはＬＡ
ＳＬに対して、ＬＡＳＬが記憶層の下側にある場合には
記憶層を通して間接的に、あるいはＬＡＳＬが記憶層の
上側にある場合には直接に誘導される。第１の場合に
は、記憶層の記憶エリアによって、光は部分的にフィル
タリングされる。本明細書において用いられる用語「フ
ィルタリングされる」は、吸収され、反射され、かつ／
または影響を及ぼされるか、変化することを意味する。
記憶エリア内の媒体の複数の状態が、吸収されるか、反
射される光の量に関して著しい差を示すことが好まし
い。電子−正孔キャリア活性状態は、誘導されたビーム
によって衝当される際に、状態のうちの少なくとも１つ
において、記憶エリアからＬＡＳＬに到達する光の量に
比例してＬＡＳＬ内に生成される。この電子−正孔キャ
リア対活性状態は、最初に光ビームによって生成される
キャリアの数によって、かつ／またはダイオード接合を
横切って流れる（ダイオード実施形態）か、電磁波を放
出しながら再結合する（フォトルミネセンス実施形態）
か、あるいは光導電性ＬＡＳＬの実効導電率を変化させ
る（光導電性実施形態）、生成されるキャリアの小部分
によって調整されることができる。 【００２３】ＬＡＳＬが記憶層の上側に配置される場合
には、波長変換器として動作するフォトルミネセンス層
であることが好ましい。ＬＡＳＬによって放射される光
は、記憶エリアの状態にしたがって、記憶層の記憶エリ
アにおいて部分的に反射されるか、あるいは吸収され
る。その後、伝送される光は光導伝体に衝当し、記憶エ
リアの状態を判定するために検出されるキャリア活性状
態を引き起こす。別法では、記憶層の上側にあるＬＡＳ
Ｌは、上側保護層として機能する場合もある。これらの
実施形態は以下にさらに詳細に説明されるであろう。 【００２４】したがって、各データ記憶エリアに格納さ
れるデータの特性（その状態によって表される）は、読
出し段階中に光ビームによって生成されるキャリアの数
および活性状態における著しい差に反映される。典型的
には、読出し光ビームは、記憶エリアにおいて望まれて
いない書込みが生じないように、書込み光ビームよりも
低い強度レベルで誘導される。光ビームが誘導される場
合に、３つの媒体タイプのための電子−正孔キャリア対
の活性状態に関して、材料の異なる状態間で著しい差異
を与えるために適した材料は、種々のカルコゲン系化合
物を含むであろう。 【００２５】図１を参照すると、本発明を理解するため
の背景が開示される。データ記憶システム１０は、少な
くとも２つの層１４、１６を有するメモリ記憶ユニット
１２を含む。層１４は、多数のデータ記憶エリア１８、
１９を有するデータ記憶層である。層１４および１６
は、そこを横切って電子および／または正孔キャリアが
流れる接合部１５を有するダイオード１７を形成する。
そのダイオードには、用いられる材料に応じて、ｐ−ｎ
接合、ｎ−ｎ’あるいはｐ−ｐ’ホモタイプへテロ接合
あるいはショットキーバリア素子のような、電荷キャリ
アを分離するための内在電界を提供する任意のタイプの
ものを用いることができる。記憶エリアは、発光素子あ
るいは近接場光学系のようなビーム放出器２３からのビ
ームを用いることにより、書込みおよび読出しが行われ
る。検出回路２０が接合部１５間に接続されており、記
憶エリア内のデータを指示するキャリア輸送を読み取る
ための１つの方法を示す。 【００２６】１つの背景の例では、発光ユニット２４か
ら誘導される光ビーム２２を用いて、記憶層１４のエリ
ア１９においてその状態を局部的に変更することによ
り、データビットが書き込まれる。別の記憶エリア１８
は、別の読出しサイクルにおいて類似の発光ユニット２
３によって照射される場合がある。図に示されるよう
に、記憶エリア１８はある状態にあり、記憶エリア１９
は別の状態に変化している。記憶エリア１８および１９
の異なる状態は、読出し機能中のビット検出において著
しい差異を与えなければならない。 【００２７】記憶層１４は、光学式記録において典型的
に用いられる材料のような相変化材料を含む場合があ
る。これらの材料は、予め選択された時間にわたって所
定の温度プロファイルで加熱することにより、結晶状態
から非晶質状態に可逆的に変化することができる。相変
化材料を溶融するだけの十分に高い強度の光ビームでそ
のエリアを加熱し、その後、ビームの強度を急激に低減
し、そのエリアを急冷することにより、その状態が結晶
状態から非晶質状態に変更される場合がある。相変化材
料を急冷することにより、アニールするための時間を用
いることなく、その材料を急速に冷却し、非晶質状態に
することができる。記憶エリアの状態は、光ビームを用
いて、相変化材料をアニールするために十分なだけ加熱
することにより、非晶質状態から結晶状態に変更される
場合がある。別法では、その材料は、異なる時間の間、
異なる温度を用いて、１つの結晶状態から別の結晶状態
に変更される場合がある。近接場エバネッセント光場を
調整して、温度−時間プロファイルを適用し、相を変化
させることができる。抵抗性加熱素子あるいは印加され
る電界あるいは磁界のような、他のエネルギー源を用い
て、記憶エリア１４の大きな領域に作用し、記憶エリア
１８および１９の相変化に局部的に影響を及ぼす際に光
ビーム２２を補助することもできる。 【００２８】読出し機能中に、光放出器２２は、書込み
サイクル中よりも低いレベルであるが、それでも記憶エ
リア１８、１９内の電荷キャリアを局部的に励起するの
に十分なだけのエネルギーを有するエネルギー場を放出
することが好ましい。記憶エリア１４においてキャリア
が励起される場合には、生成されるキャリアの数（「生
成効率」）は、光ビーム２２が入射する記憶エリア１
８、１９の状態に依存するであろう。生成効率に影響を
及ぼす要因は、記憶層のバンド構造である。ある符号を
有する生成されたキャリア（電子あるいは正孔）の一部
は、内在電界の影響下で、ダイオードインターフェース
４７を横切って通り抜けるであろう（「収集効率」）。
収集効率は、特に、読出し光子が入射し、内在電界の効
果を持つエリア内あるいはその周囲の再結合率および移
動度に依存する。電圧源２１によって検出回路２０間に
別の電界がかけられる場合がある。キャリアがダイオー
ド境界部１５を通過する結果として生じる電流は、境界
接合部１５間で得られる検出信号２２によってモニタさ
れ、データ記憶エリア４５の状態を判定することができ
る。別法では、ダイオードが、電流が接合部を横切って
流れることなく「開回路」で動作することができ、ダイ
オードにかかる開回路電圧をモニタすることができる。 【００２９】こうして、読出し光子によってダイオード
１７間に生成される電流の変動は、局部的な生成効率お
よび局部的な収集効率との両方に依存することができ
る。これらの要因はいずれも、光子が入射する領域の状
態によって影響を及ぼされる。記憶層１４の相変化材料
は、多数のカルコゲニド系相変化材料を含む、適当な電
気的特性（バンドギャップ、移動度、キャリア寿命、キ
ャリア密度等）を有する多数の相変化材料から構成され
ることができる。 【００３０】記憶層に隣接する層 図２および図３は、図１に示される環境内の２つの異な
る実装形態におけるＬＡＳＬの原理を示す。キャリアを
生成するために、かつ／または読出しモード中に光ビー
ムによってキャリアが生成される場所および効率、およ
び／または生成された後のこれらのキャリアの流れに作
用するために、記憶層に隣接する付加層（ＬＡＳＬ）が
設けられる。この概念は、本明細書においてさらに記載
されるように、限定はしないが、半導体ダイオード、光
導電性領域およびフォトルミネセンス領域を含む、キャ
リア輸送を読み取るための種々の異なる素子に適用され
る場合がある。 【００３１】ダイオード構成３０が図２に示されてお
り、隣接層３２が記憶層３１の真下に配置される。この
状態では、隣接層３２は、キャリア輸送が検出される接
合部３６を有するダイオードを形成する。この構成にお
いて、記憶層３１およびＬＡＳＬ３２はいくつかの態様
において相互作用する場合がある。 【００３２】１つの応用形態では、ＬＡＳＬ３２はキャ
リアの一次発生器として用いられ、記憶層はビームの可
変吸収体および／または反射体として機能する。このア
プローチでは、記憶層３１の各部分の状態に応じて、異
なる量の光がＬＡＳＬ３２に達するであろう。大部分の
場合において、その部分が結晶状態である場合、非晶質
部分の場合よりも多くの光子がＬＡＳＬ３２まで貫通す
るであろう。したがって、記憶エリア３５の真下にある
ＬＡＳＬ３２内のキャリアの生成は、記憶エリア３５内
のビットの存否に応じて変動するであろう。 【００３３】このアプローチの１つの利点は、データ記
憶およびデータ検出の機能が分離され、結果として、各
機能に対する最良の材料を選択できることである。した
がって、記憶層３１のために用いられる材料は主に、デ
ータを格納するために所望のように状態を変更するため
の能力、および光が吸収あるいは反射される度合いに関
する状態間の著しい差異に基づいて選択されるであろ
う。記憶層３１は、層３３との良好なダイオード接合部
を形成するために必要とされる電気的特性を有する必要
はない。対照的に、ＬＡＳＬ３２のために用いられる材
料は主に、キャリアを生成するための能力と、ＬＡＳＬ
３２において生成されるキャリアのための高い収集効率
で、層３３との接合部を形成するための能力とに基づい
て選択されるであろう。 【００３４】図２に示される構造のための別の応用形態
では、記憶層３１は、ＬＡＳＬ３２とダイオード層３３
との間のダイオード境界部（３２／３３境界部）におい
て収集されるキャリアに影響を及ぼすように構成あるい
は選択される。この構成では、キャリアは層３１あるい
は層３２のいずれかにおいて生成されることができ、３
２／３３境界部検出エリアに達するキャリアの数は主
に、記憶層３１とＬＡＳＬ３２との間の相互作用のタイ
プおよび程度によって影響を及ぼされる。 【００３５】より具体的には、記憶層３１の状態は、
（１）３２／３３ダイオード境界部に到達する、記憶層
３１によって生成されるキャリアの数と、（２）３１／
３２記憶層／ＬＡＳＬ境界部における電子−正孔対の再
結合率と、（３）記憶層３１およびＬＡＳＬ３２内の電
界（内在電界および印加される電界）への記憶層３１の
影響とにおける著しい差異によって、３２／３３ダイオ
ード境界部において収集されるキャリアに影響を及ぼす
場合がある。３１／３２境界部は漏れが小さい必要はな
く、整流接合あるいはオーム接触を形成する場合があ
る。いずれの場合でも、それはキャリアを妨げるべきで
なく、３２／３３ダイオード境界部において検出される
キャリアのタイプに対しての再結合率は低くすべきであ
る。 【００３６】ＬＡＳＬ３２がこの構成において役割を果
たすことができるいくつかの態様が存在する。１つの態
様は、記憶層３１によって形成される場合があるものよ
りも良好な、下側層３３との接合部あるいは境界部（３
２／３３ダイオード境界部）を形成することによる。３
２／３３ダイオード境界部は、生成されるキャリアの収
集効率が高く、かつ／または読出しビームの不在時の漏
れ電流が小さい点で改善される。収集効率は、全てキャ
リア収集を妨げるようになる、再結合あるいは電荷捕捉
を生じるバンドオフセットあるいは望ましくない境界部
状態のような問題が生じないように３２／３３ダイオー
ド境界部が形成されることにより改善される。 【００３７】いくつかの場合には、別の層３３との良好
な接合部を形成し、収集効率あるいは漏れの問題を持た
ない記憶層３１のための相変化材料を見つけることが困
難な場合がある。したがって、ＬＡＳＬ３２が記憶層３
１との整流接合を形成しない実施形態では、ＬＡＳＬ３
２は、相変化を可能にする材料特性を必要とする記憶の
機能を、高いキャリア収集効率を有する漏れの小さいダ
イオード接合部を形成するために必要とされる材料特性
から分離することによりその役割を果たすことができ
る。２つの層間のこれらの材料要件を分離するＬＡＳＬ
３２を追加することにより、各層が必要とされる機能の
最適な性能を得るために選択されることができるように
なる。 【００３８】一方、記憶層３１とＬＡＳＬ３２との間の
新たな境界部およびＬＡＳＬ３２を横切って必要とされ
る過剰な輸送も考慮されなければならない。記憶層３１
において生成されるキャリアはＬＡＳＬ３２を横切って
進み、３２／３３境界部あるいは接合部によって収集さ
れなければならない。これは、ＬＡＳＬ３２内のキャリ
アのための拡散長がＬＡＳＬの厚みと比べて長くなけれ
ばならないか、あるいはキャリアの拡散長（schubweg）
がＬＡＳＬの厚みに比べて長くなるような強い電界がか
けられなければならないかのいずれかを意味する。 【００３９】またＬＡＳＬ３２を用いて、キャリアの増
幅あるいは増倍を行うこともできる。その場合には、Ｌ
ＡＳＬ内のインパクトイオン化あるいは電子なだれ効果
を引き起こすだけの十分な強度を有する電界がＬＡＳＬ
３２間にかけられる。しかしながら、これは、他の層に
電界をかけることなく行うことが難しく、その電界によ
って歪みあるいは他の望ましくない効果が引き起こされ
る場合があることに留意されたい。 【００４０】第３の応用形態では、ＬＡＳＬ３２あるい
は記憶層３１のいずれかにおいてキャリアが生成される
ことができる。記憶エリア３５の相状態はＬＡＳＬ３２
の電界に影響を及ぼし、それにより信号を生成するため
にＬＡＳＬ３２／層３３ダイオード境界部を横切るキャ
リアの数に影響を及ぼすであろう。上記の構成の任意の
もの、あるいはこれらの効果の組み合わせは、検出エリ
アにおけるキャリアの検出を容易にし、ビット検出誤り
の可能性を大幅に低減するであろう。 【００４１】図３に示されるように、隣接層３７は、記
憶層３１の上側に配置される場合がある。この実施形態
では、誘導されるビームは、記憶層３１の記憶エリア３
５に到達する前に、最初に隣接層３７に衝当する。記憶
層３１は、層３３とのダイオード構造の一部を形成し、
その結果、層３１と３３との間の接合部３８を横切って
流れるキャリアがエリア３５の状態を指示する。ＬＡＳ
Ｌは、波長変換器として動作するフォトルミネセンス材
料から形成される場合があり、その波長を、誘導される
光ビームから、記憶層がキャリアを生成するためにより
適合性にある波長に変化させる。別法では、この構造的
構成は、電界がかけられる場合に、ＬＡＳＬ３７が保護
層、反射防止コーティング、あるいは導電層として用い
られるために適用される場合もある。本発明をさらに理
解するために、先に記載された接合部と類似のダイオー
ド接合部を用いる好ましい実施形態が示され、記憶エリ
アの状態を検出するためのキャリア流を確立することに
関して以下に記載される。光導電性素子およびフォトル
ミネセンス素子においてＬＡＳＬ構成を用いる２つの別
の実施形態も記載される。 【００４２】ＬＡＳＬ層とのダイオード接合部 ここで図４に注目すると、本発明の好ましい実施形態が
示される。データ記憶システム４０は、選択された記憶
エリア内のデータを読み出すことに応答して、電子−正
孔キャリア流を読み取るために、半導体ダイオード４１
を利用する。近接場光学系のような発光素子４３が、ダ
イオード４１のうちの一方の層を含むデータ記憶層４２
の上側に配置される。ＬＡＳＬ４７が記憶層４２の下側
に配置され、層４４とともにダイオード４１を形成す
る。 【００４３】記憶層４２のエリア４５において状態を局
部的に変更することによりデータビットが書き込まれ、
その場合に、発光ユニット４３を用いて、記憶層４２内
の記憶エリア４５上に誘導される光ビーム４６を放射す
る。記憶エリア４５の異なる状態は、読出し機能中のビ
ット検出において著しく異なる差異を与えなければなら
ない。抵抗性加熱素子あるいは印加される電界あるいは
磁界のような他のエネルギー源を用いて、記憶層４２の
大きな領域に作用し、記憶エリア４５の状態変化に局部
的に影響を及ぼす際に光ビーム４６を補助することもで
きる。 【００４４】読出し機能中に、光放出器４３は、図２に
関して先に説明されたように、ダイオード４１のＬＡＳ
Ｌ３２内の電荷キャリアを局部的に励起するために、低
レベルのエネルギー場を放出する。ＬＡＳＬ３２に到達
するビームの量は、記憶エリア４５の状態に依存するで
あろう。したがって、記憶層は主に、記憶エリアの状態
に応じて、読出し段階中にビームの可変吸収体あるいは
反射体として動作する。電圧源４８によって、インター
フェース４７間に付加的な電界がかけられる場合もあ
る。ダイオードインターフェース４７を通過するキャリ
アによって生じる電流は、インターフェース４７間で得
られる検出信号４９によってモニタされ、データ記憶エ
リア４５の状態を判定することができる。別法では、ダ
イオード４１間で生成される開回路光−電圧をモニタす
ることもできる。 【００４５】こうして、読出し光子によってダイオード
４１間で生成される電流の変化は、ＬＡＳＬによって影
響を及ぼされるような接合部／ＬＡＳＬ構造の局部的な
生成効率および局部的な収集効率に依存する。これらの
要因はいずれも、光子が入射する領域の状態によって影
響を及ぼされる。 【００４６】光導電性ＬＡＳＬ 図５を参照すると、記録されたビットを検出するために
光導電性が利用される別の構造が示される。記憶素子５
０は、電気的に絶縁されている基板５２と記憶層５４と
を含む。基板５２は、酸化された上側層を有するシリコ
ンから形成される場合がある。記憶層５４は、ビーム放
出器５９から誘導される光ビーム５５によって読み取ら
れることになる複数のデータ記憶エリア５８を有する。
光導電性ＬＡＳＬ層５３は、記憶層５４を通り抜ける光
の量を検出するために、記憶層５４の下側に配置され、
その光の量は記憶エリア５８の状態に依存する。光導電
層５３は、光導電性材料からなる単層、あるいは異なる
光導電性材料からなる多層を含む場合がある。 【００４７】電極対５６および５７のような複数の離隔
して配置された電極が、その電極５６および５７の上側
または下側に配置される場合があるＬＡＳＬ５３と接触
している。複数のデータ記憶エリア５８を含むデータ記
憶領域は、図５に示されるように、電極５６と５７との
間に配置される。記憶エリアは行および列に配列される
場合があり、それぞれの状態がその中に格納されたデー
タを決定する。一実施形態では、記憶エリアは、サブミ
クロンサイズ、すなわち直径が約１０ｎｍ〜３０ｎｍで
あり、約５０ｎｍだけ離隔して配置される。 【００４８】光ビーム放出器５９のアレイが記憶層５４
の上側に配置され、上記のように、誘導されるエネルギ
ービームを与える。誘導されるビーム５５は、上記のよ
うに、非晶質状態と結晶状態との間、あるいは異なる結
晶状態間で記憶エリア５８の状態を変化させるのに適し
た時間および電力パラメータを有する。超小型可動子を
用いて、記憶エリア５８上で光ビーム放出器のアレイを
走査することもできる。 【００４９】電源６２が、読出し機能中に電極５６およ
び５７間にバイアス電圧を供給する。このバイアス電圧
は、光導電層５３の面内に電界６４を引き起こす。電源
は基板５２上に形成される場合があるか、あるいはチッ
プの外側に設けられる場合がある。 【００５０】記憶エリア５８上の読出し動作中に、バイ
アス電圧が電極に印加されている間、光ビーム放出器５
９が電極５６と５７との間で走査される。光ビーム５５
が光導電層５３に衝当するとき、電子キャリアおよび正
孔キャリアが生成され、電界６４によって電極５６およ
び５７に向けて加速される。電子および正孔のこの動き
によって電流が流れるようになり、それが読出し回路６
６によって検出され、出力信号６８を与える。光導電性
ＬＡＳＬ５３に到達する光の量は、上側にある記憶層５
４の状態によって影響を及ぼされる。記憶層の状態の変
化は、読出しビーム光の吸収および／または反射の変化
によって、光導電性ＬＡＳＬ５３に到達する光の量に影
響を与えることができる。 【００５１】ＬＡＳＬ５３は、良好な光導伝体である材
料から形成されることが好ましい。こうして、結果とし
て、読出し回路６６によるキャリアの検出が改善され、
放出器５９によって作用される記憶エリアの状態を指示
する出力信号６８のエラーを最小限に抑える。この実施
形態では、再び、ＬＡＳＬによって、メモリ記憶ユニッ
トの性能を改善するために機能を分離できるようにな
る。ＬＡＳＬ材料は主にその光導電性反応に対して選択
され、データ記憶層の所望の熱的、化学的および光学的
特性は個別に設計されるようになる。 【００５２】光電流の大きさの変化をモニタすることに
より、記憶エリア５８の状態を判定することができる。
読出し回路６６からの出力６８は、所望により増幅させ
たりアナログ値からデジタル値に変換してもよい。 【００５３】フォトルミネセンスＬＡＳＬ ここで図６を参照すると、別の記憶構造が示されてお
り、読出しプロセス中に生成される電子−正孔対がその
放射性の再結合によって検出される。この構成では、Ｌ
ＡＳＬは、読出し光ビームに応答して光子を生成するフ
ォトルミネセンス材料である。ＬＡＳＬは記憶層の上側
に配置され、記憶エリアの状態に応じて、光の吸収ある
いは反射を変化させるための光フィルタとして動作す
る。フォトダイオード、光導伝体あるいは微細加工され
た光電子増倍管のような光検出器が、光子を検出するた
めに用いられる場合がある。 【００５４】この実施形態では、再び、ＬＡＳＬ７４に
よって、メモリ記憶ユニットの性能を改善するために機
能を分離できるようになる。ＬＡＳＬ材料は主に、光ビ
ーム放出器によって生成される波長から、記憶層７７に
よって最適に用いるための波長範囲に光を変換する能力
に対して選択される。記憶層７７は主に、ＬＡＳＬ７４
からの光の放出に応答して、相を変化させるための能力
に対して選択される。こうして、光ビームのための低コ
ストで、使いやすい放出器と、書き込まれた状態と書き
込まれていない状態との間の光の吸収および反射におい
て著しい差異を与える相変化材料とを選択することがで
きる。ＬＡＳＬは、放出器からある波長で光を受信し、
記憶材料の要求に対応するように別の波長で光を生成す
ることにより、調和させる。 【００５５】図６に示されるように、フォトルミネセン
スＬＡＳＬ７４は、記憶ユニット７０の表面上に堆積さ
れる。光放出器７６は、その表面上に光ビーム７８を誘
導するために、フォトルミネセンスＬＡＳＬ７４の表面
付近に配置される。記憶層７７は、ＬＡＳＬ７４の下側
で、かつ層７１および７３から形成されるフォトダイオ
ード構造あるいはいくつかの他のタイプの光検出器の上
側に配置される。 【００５６】データは、選択された記憶エリア７９に光
ビーム７８を照射し、記憶層の光吸収あるいは反射特性
を変更することにより、記憶層７７に格納される。記憶
層材料には、多数のカルコゲニド系相変化材料のうちの
任意のものを用いることができる。記憶層７７の光吸収
あるいは反射特性は、多数の異なる態様、たとえば、電
子バンド構造を変化させることにより、かつ／または光
学的特性に影響を及ぼす欠陥を導入することにより変更
される場合がある。ＬＡＳＬ７４は、下側にある記憶層
７７への書込み段階中の高い温度に十分に耐えられる材
料から形成される。 【００５７】読出しモード中に、光ビーム７８は、望ま
れていない書込みを防ぐために低いパワー密度を有す
る。書き込まれた記憶エリア７９は、書き込まれていな
い、記憶層７７上の他のエリア８０とは異なる数の光子
を吸収および／または反射するであろう。記憶層を通過
する光子は、フォトダイオード内に電子および正孔キャ
リアの流れを生成するであろう。各記憶エリアが光ビー
ムによって衝当されるのに応じて、フォトダイオード７
０の層間に接続される計測器７５によって、フォトダイ
オード境界部７２間の電流あるいは電圧が測定され、そ
れぞれ読み取られた記憶エリアの状態が判定される。こ
こで層７１がフォトダイオードの層を形成するために用
いられ、その結果、ＬＡＳＬ層がその機能を提供する必
要がないことは理解されたい。記憶層７７がフォトダイ
オード機能に対応するのに適した材料から形成される場
合には、層７１をなくすことができる。 【００５８】「フォトルミネセンスＬＡＳＬ」の実施形
態については、さらに説明することが望ましい。ここで
説明される３つ全ての好ましい実施例では、記憶層が可
変吸収体および／または反射体として用いられることに
留意されたい。上記の最初の２つの好ましい実施形態間
の差は主に、記憶層を通り抜ける光が如何に検出される
かに関する差である（第１の場合にはフォトダイオー
ド、第２の場合には光導伝体）。フォトルミネセンスＬ
ＡＳＬの場合には、任意のタイプの光検出器が用いられ
るが、読出しビームの光はフォトルミネセンス光に変換
され、その際、記憶層によって部分的に吸収あるいは反
射される。 【００５９】ある波長あるいは波長範囲の光を異なる波
長あるいは波長範囲の光に変換することに関してはいく
つかの理由がある。１つの理由は、低コストで、製造し
やすい放出器の波長範囲が、最良の相変化材料が、書き
込まれた状態と書き込まれていない状態との間で吸収お
よび反射の著しい差異を与えるところの波長範囲に一致
しないことである。ルミネセンスＬＡＳＬは、放出器の
光を、好ましい相変化材料により適した波長範囲に変換
するために用いられる場合がある。波長を変換するため
の別の理由は、低コストで、製造しやすい光検出器の最
良の感度の範囲に、より一致する波長あるいは波長範囲
の光を生成することである。 【００６０】波長を変換するための別の理由は、１つの
ルミネセンスＬＡＳＬあるいは異なる波長で発光するい
くつかのルミネセンスＬＡＳＬ層を組み込み、多数の相
変化記憶層内のビットにアクセスするために用いること
ができる、低コストで、製造しやすい１つの放出器を用
いて、多数の波長の光を生成することである（その場
合、各記憶層は異なる波長範囲に一致する）。 【００６１】上記の構造に対する別の実施形態は、ＬＡ
ＳＬの上側に記憶層を配置し、記憶層を用いて、ルミネ
センスＬＡＳＬに到達する光の量をフィルタリングする
ことである。ＬＡＳＬから放出される光子の検出は、適
当な光検出器によって達成されるであろう。 【００６２】ＬＡＳＬ方法 ここで図７を参照すると、本発明の方法９０の好ましい
実施形態が示される。ステップ９２では、その上にデー
タを有するデータ記憶エリアを有するデータ記憶層を含
むデータ記憶ユニットが設けられる。次にステップ９４
では、記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）が、データ記憶
エリアに隣接して配置されることが好ましい。ステップ
９６では、光ビームが、光ビーム放出器から、ＬＡＳＬ
およびデータ記憶層に向けて誘導される。次にステップ
９８では、光がデータ記憶エリアを通過する際に、その
データ記憶エリアの状態に応じて変化する量だけ光ビー
ムの一部がフィルタリングされ、それによりそのデータ
記憶エリアからのデータを読み出す。ステップ１００で
は、ＬＡＳＬに到達する光の量に応じて、ＬＡＳＬ内に
キャリア流が生成される。最後にステップ１０２では、
このキャリア輸送が、ＬＡＳＬとの間でキャリアが流通
することができる検出領域において検出される。 【００６３】隣接層内に堆積されるエネルギーは、ビー
ムが隣接層上に衝当するのに応じて生成される電荷キャ
リアから成ることが好ましい。別法では、隣接層内に堆
積されるエネルギーは、ビームが隣接層上に衝当するの
に応じて生成される光子から成る場合がある。 【００６４】ＬＡＳＬ層は、記憶層よりビームの近くに
存在する場合がある。そのような場合には、ＬＡＳＬ層
は、それが保護層として用いられるとき、光ビームに概
ね透過性を有する可能性が高い。フォトルミネセンスの
場合、ＬＡＳＬは透過性でないことが好ましいが、ある
波長を別の波長に光を変換するために用いられる。ダイ
オードおよび光導伝体の場合には、隣接層は、状態に応
じて変化する吸収体あるいは反射体としても動作する
か、あるいは読出しビームによって生成される電子−正
孔対の再結合率に影響を及ぼす場合がある。ＬＡＳＬ内
のキャリア流は、記憶層内の書き込まれた領域の近接性
に起因して、印加されるか、あるいは内在する電界の変
化に応じて影響を受ける場合がある。 【００６５】光ビームが用いられる場合があるため、透
明電極で記憶層あるいは隣接層を覆うことができ、それ
が有利な場合がある。たとえば、均一な上側および下側
電極は、本発明のダイオード構成要素間に形成されるバ
イアス用の電界の均一性を高めるであろう。導電性基板
が用いられる場合には、光源と反対側にある基板の表面
に、あるいは機械的な支持のみを与える絶縁性基板が用
いられる場合には、基板の上側に、背面電極が存在する
こともできる。光学的ビームを用いるとき、その上側表
面全体を覆う透明な上側電極を用いることができる。 【００６６】また記憶層は、書込みモード中に、酸化の
ような化学的変化、あるいはバンプあるいはピットの形
成のような熱機械的変化を防ぐために、保護層で覆われ
る場合もある。隣接層は、それが小さなビットを書き込
むことができるほど十分に薄い限り、保護層を形成する
ことができる。保護層には、単なるパッシベーション層
が用いられるか、あるいはダイオードの場合には光生成
キャリアを収集するために用いられる導電性透明電極が
用いられる場合がある。 【００６７】また記憶層は、記憶媒体全体の熱特性を高
める層で覆われる場合もある。たとえば、記憶層が相変
化材料である場合には、非晶質状態に材料の状態を変更
する際にヒートシンクとして機能することにより急冷を
補助する層と記憶層が接触することが望ましい場合があ
る。別法では、あるいは保護層に加えて、記憶層を急冷
し、非晶質化するための能力のような熱的特性を改善す
る層を、記憶層あるいは隣接層の下側に有することが望
ましい場合がある。保護的な下側層は、記憶層と基板材
料との間の相互拡散を防ぐことにより、あるいは基板か
ら記憶層の層間剥離あるいはディウェッティングを回避
することにより、素子の耐久性を高めることもできる。 【００６８】記憶層を覆う層、すなわちＬＡＳＬは、反
射防止コーティングのような光学的特性を高めるために
用いられる場合もある。そのようなコーティングは、記
憶層あるいは隣接層に吸収される、光源からの光の量を
増加するために用いることもできる。別法では、あるい
は保護層とともに、記憶層の下側にある層、すなわちＬ
ＡＳＬは、光学的特性を高めるために、あるいは伝送さ
れる光のうちのある量を反射して記憶層あるいはＬＡＳ
Ｌに戻すために用いられることもできる。 【００６９】記憶層の下側にあるバッファ層が、成長モ
ードを制御し、かつ記憶層および／またはＬＡＳＬの薄
膜構造を改善するために用いられる場合もある。ＬＡＳ
Ｌ自体がバッファ層として機能する場合もある。たとえ
ば、バッファ層は、その上側にある層が特定の結晶相あ
るいは方位で形成されるようにする場合がある。結晶相
および方位の制御は、ＬＡＳＬあるいはデータ記憶層の
所望の電気的、光学的あるいは熱的特性を達成する際に
重要な場合がある。 【００７０】記憶層に隣接する１つの層が示されるが、
本発明の範囲内で多数のＬＡＳＬが用いられる場合があ
ることは理解されたい。さらに、ＬＡＳＬは記憶層に隣
接するものとして記載されるが、そのような層は、先に
記載された層のようないくつかの他の層によって記憶層
から離隔される場合があり、それでも本発明の範囲内で
記憶層に隣接するものと見なされる場合があることを理
解されたい。 【００７１】本発明の他の変形形態では、ＬＡＳＬは、
（１）データ記憶層のための保護層、（２）データ記憶
層のための拡散障壁、（３）データ記憶層のための熱特
性改善層および／または（４）ＬＡＳＬ上のデータ記憶
層の成長促進層のうちの１つあるいは複数の役割を果た
す場合がある。 【００７２】上記の実施形態は本発明を代表するもので
あるが、本明細書および添付の請求の範囲を検討するこ
とにより、あるいは開示される発明の実施形態を実施す
ることから、他の実施形態が当業者には明らかになるで
あろう。本明細書およびその中の実施形態は単なる例示
と見なされ、本発明は添付の請求の範囲およびその等価
物によって規定されることが意図されている。以下にお
いては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる
例示的な実施形態を示す。 １. データ記憶ユニットであって、その上にデータを
格納されたデータ記憶エリア（４５）を有するデータ記
憶層（４２）と、前記データ記憶エリア（４５）から前
記データを読み出すために、前記データ記憶層（４２）
に向けて光のビーム（４６）を選択的に誘導するための
光ビーム放出器（４３）であって、前記記憶層（４２）
は前記光のビーム（４６）に対して部分的に透過性を有
し、前記記憶エリア（４５）は前記記憶層（４２）を通
過する光の量をフィルタリングする、光ビーム放出器
と、前記データ記憶層（４２）に隣接する層（ＬＡＳ
Ｌ）（４７）であって、前記ＬＡＳＬ（４７）に到達す
る光の量に応じてキャリアが生成される、該隣接する層
（ＬＡＳＬ）と、前記ＬＡＳＬ（４７）との間でキャリ
アが流動可能である検出領域（４４／４７境界部）であ
って、前記記憶エリア（４５）の状態を判定するため
に、前記検出領域内のキャリア輸送が測定される、検出
領域と、を含むデータ記憶ユニット。 ２. 前記ＬＡＳＬ（４７）の下側にある別のフォトダ
イオード層（４４）をさらに含み、前記ＬＡＳＬ（４
７）は、前記フォトダイオード層（４４）とともにフォ
トダイオード（４１）を形成し、前記検出領域は、前記
ＬＡＳＬ（４７）と前記フォトダイオード層（４４）と
の間の接合部である請求項１に記載のデータ記憶ユニッ
ト。 ３. 前記ＬＡＳＬ（４７）は、その中に第１および第
２の電極（５６、５７）を有する光導伝体（５０）であ
り、前記検出領域（６４）は、前記第１の電極（５６）
と前記第２の電極（５７）との間のエリアである請求項
１に記載のデータ記憶ユニット。 ４. 前記ＬＡＳＬはフォトルミネセンス層（７４）で
あり、前記検出領域は、前記ＬＡＳＬと光通信可能な光
子検出器（７５）である請求項１に記載のデータ記憶ユ
ニット。 ５. その上にデータを有するデータ記憶エリア（４
５）を有するデータ記憶層（４２）を含むデータ記憶ユ
ニットにおいてデータを読み出すための方法であって、
記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）（４７）を配置するこ
と、光ビーム検出器（４３）から前記ＬＡＳＬ（４７）
と前記データ記憶層（４２）とに向けて光ビーム（４
６）を誘導すること、前記データ記憶層（４２）内の前
記データ記憶エリア（４５）の状態に応じて変化する量
だけ、前記データ記憶層（４２）を通過する光の一部を
フィルタリングすること、前記ビーム放出器（４３）か
ら前記ＬＡＳＬ（４７）に到達する光の量に応じて、前
記ＬＡＳＬ（４７）においてキャリア流を生成するこ
と、前記ＬＡＳＬ（４７）との間でキャリアが流動可能
である検出領域（４４／４７境界部）において、キャリ
ア輸送を測定すること、を含む方法。 ６. 前記ＬＡＳＬ（４７）はフォトダイオード層（４
４）とともにフォトダイオード（４１）を形成し、前記
検出領域は、前記ＬＡＳＬ（４７）と前記フォトダイオ
ード層（４４）との間の接合部（４４／４７境界部）で
ある請求項５に記載の方法。 ７. 前記ＬＡＳＬ（４７）は、その中に第１および第
２の電極（５６、５７）を有する光導伝体（５０）であ
り、前記検出領域（６４）は、前記第１の電極（５６）
と前記第２の電極（５７）との間のエリアである請求項
５に記載の方法。 ８. 前記ＬＡＳＬ（４７）はフォトルミネセンス層
（７４）であり、前記検出領域は、前記ＬＡＳＬと光通
信可能な光子検出器（７５）である請求項５に記載の方
法。 ９. その上にデータを格納するために少なくとも２つ
の状態を有するデータ記憶エリア（４５）を含むデータ
記憶層（４２）を有するデータ記憶ユニットであって、
前記記憶エリア（４５）の状態を判定するためのキャリ
アが生成される前記データ記憶層（４２）に隣接する層
（ＬＡＳＬ）（４７）を含むデータ記憶ユニット。 １０. その上にデータを格納するためのデータ記憶エ
リア（４５）を含むデータ記憶層（４２）を有するデー
タ記憶ユニットであって、少なくとも２つの状態の間で
変化することができる前記データ記憶エリア内に媒体を
含み、該媒体は、光フィルタリング特性に関して、前記
状態間で著しい差異を与えるための役割を果たすデータ
記憶ユニット。 【００７３】 【発明の効果】本発明によれば、高密度メモリ記憶素子
内の小型のデータセルを読み出すために、より多量のキ
ャリアを生成することができる技術、および光あるいは
電子から検出可能なキャリアにエネルギーを変換する効
率的な方法を実現することができる。さらに、データの
検出がより容易に行われるように高密度データを格納
し、かつ読み出すためのメモリ構造および方法を実現す
ることもできる。
分野に関する。より詳細には、本発明は記憶層に隣接す
る層を用いてデータ検出に作用する情報記憶装置に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】パームトップコンピュータ、デジタルカ
メラおよびセルラー電話のような電子装置は、より複雑
なデータ処理および記憶回路を実装しているにも関わら
ず、よりコンパクトに、かつ小型化されつつある。さら
に、映像、音声およびグラフィックスのようなテキスト
以外のタイプのデジタル通信が広く普及してきており、
それに固有の複雑な情報を搬送するために、大量のデー
タを必要とする。これらの開発は、より低コストで、か
つ非常にコンパクトなパッケージにおいて、より複雑な
データを取り扱うことができる新たな記憶技術に対する
大きな需要を生み出してきた。 【０００３】この要求に対する１つの回答は、１９９６
年９月１７日にGibson等に付与された米国特許第５，５
５７，５９６号に開示される素子のような、超高密度の
記憶素子の開発であった。このシステムは、情報を格納
し、かつ読み取るために、可動プラットフォーム上にあ
る情報記憶媒体エリアに対して電子ビームを生成する複
数の電子放出器を提供する。微小電気機械システム（Ｍ
ＥＭＳ）技術に基づく超小型可動子が、電子放出器に対
してプラットフォームを移動させ、プラットフォーム上
の選択された記憶媒体エリアと並列に通信できるように
する。Gibson等の特許では、電子ビームが種々の強度で
記憶媒体エリアに衝当し、記憶材料のある様相を選択的
に変更し、たとえば、非晶質相と結晶相との間で、ある
いはリードバック電子ビームに対するダイオード記憶媒
体の応答のような、リードバック刺激に対する記憶媒体
の応答に影響を与える異なる結晶相間で、記憶材料の状
態を変化させる。 【０００４】より高速に、かつさらにコンパクトなエリ
アにおいて、より複雑なデータをより大量に取り扱うた
めに、さらに小型化し、かつさらに能力を拡張すること
が引き続き要求されている。業界内では、数十〜数百ナ
ノメートルの範囲内にデータを記憶する方向に向かって
いる。 【０００５】このレベルでデータを格納しようとするた
めのいくつかの試みが現われている。情報の記憶および
読取りのプロセスは益々困難な作業になり、電子ビーム
を用いるデータの書込みおよび読出しはいくつかの制約
を与える。この技術では、静電破壊、望ましくない場所
からの電界放出、および比較的大きく、高コストの電力
供給のための要件に伴う問題を回避するために、低エネ
ルギーの電子を用いることができる。しかしながら、低
エネルギーの電子は貫通深度が非常に短く、このアプロ
ーチは媒体の表面条件に非常に影響を受けやすくなるの
で、データ検出が困難になる。さらに、記憶媒体の上側
には非常に薄い層しか存在しない場合があるので、記憶
層の上側において保護層あるいは導電性電極を用いるこ
とが難しくなる。さらに、電子リードバックを用いる記
憶素子の安定性および反復性は、記憶媒体の自由表面の
機械的および熱的特性によって制限される場合がある。
層が厚くなると低エネルギーの電子が到達するのが妨げ
られるので、低エネルギー電子ビームアドレス指定方式
では、非常に薄い保護クラッディング層しか用いること
ができない。 【０００６】ＣＤ−ＲＷおよびＤＶＤ−ＲＷドライブの
ようないくつかの小型の記憶装置では、レーザのような
誘導された光ビームを用いて記憶媒体の光反射率を可逆
的に変化させることにより、データが書き込まれ、かつ
／または検出される。データ記憶密度が増し、小型化が
進むと、レーザの回折限界スポットサイズによって、下
限値が、書き込まれるビットのサイズに設定される。し
かしながら、この回折限界は、小さなアパーチャを通し
て放射されるエバネッセント光を与える近接場光源を用
いて回避されることができる。そのようなシステムで
は、光子ビームを記憶エリアに照射し、その後、データ
記憶エリアから放出される電子、正孔あるいは光子（こ
れ以降、「キャリア」と呼ばれる）の流れを検出するこ
とにより、データが検出される場合がある。誘導光ビー
ムシステムを用いてキャリア流を検出することにより高
密度記憶素子においてデータを読み出すための一例が、
「Data Storage Media Utilizing Directed Light Beam
and Near-Field Optical Sources」というタイトルの
本発明人による同時係属の米国特許出願（２００１年５
月２５日に出願された第０９／８６５，９４０号）に示
される。 【０００７】密度を著しく高めたデータの記憶は、デー
タを読み出す作業において問題を引き起こす。高密度記
憶素子は、隣接する選択されていないメモリセルからの
干渉に起因して、かつ読取りプロセスから生成される電
子、光子あるいは正孔の流れが小さいので検出が非常に
困難になり、データ検出における誤りが増加するので、
データを読み取るのが益々困難になる。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、高密度メモリ記憶素子内の小型のデータセルを
読み出すために、より多量のキャリアを生成することが
できる技術、および光あるいは電子から検出可能なキャ
リアにエネルギーを変換する効率的な方法を提供するこ
とである。本発明のさらに別の目的は、データの検出が
より容易に行われるように高密度データを格納し、かつ
読み出すためのメモリ構造および方法を提供することで
ある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明は、誘導された光
ビームを用いて、キャリアの流れを生成することによ
り、メモリ記憶素子内のデータを読み出すための高密度
メモリ記憶素子を提供し、それは誤りを最小限に抑えな
がら、データの読取りおよび検出を改善するために、キ
ャリア輸送に作用するための強化構造および方法を含
む。本明細書において用いられる「キャリア」は、ここ
に記載される層のうちの１つの半導体材料上に光子を衝
当することにより生成される電子、正孔および／または
光子のことを指す。本明細書において用いられる「キャ
リア輸送」は、媒体内のキャリアの動きあるいは流れの
ことを指す。強化構造は、検出を改善し、誤りの可能性
を低減するために、検出点におけるキャリア輸送に寄与
あるいは作用する、記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）で
ある。 【００１０】本発明の１つの好ましい実施形態では、デ
ータ記憶ユニットは、読出し段階中にデータを読み出す
ための複数のデータ記憶エリアを有するデータ記憶層を
含む。選択されたデータ記憶エリアにビームを選択的に
誘導し、その中に格納されるデータを読み出すために、
ビーム放出器のアレイがデータ記憶層に近接して配置さ
れる。媒体が、書込みサイクル中に第１の光あるいは電
子ビームによって複数の状態間で変更されることができ
るデータ記憶エリア上に配置される。複数の状態は、読
出し段階中に光ビームに応答して著しい差を示す。この
差は、（１）その異なる状態における媒体の光吸収およ
び／または光反射の特性、（２）その状態がキャリアを
生成あるいは再結合する能力、および／または（３）キ
ャリアの生成および再結合に影響を及ぼす局部電界への
その状態の影響力に関連する場合がある。 【００１１】データ記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）
が、読出し段階中にキャリアの流れ（輸送）を生成する
か、あるいはそれに影響を及ぼすために設けられる。さ
らに、ＬＡＳＬは、自らが有する電気的、光学的または
熱的特性のいずれか通して、あるいは記憶層の特性を改
善することにより、素子スタックの電気的、光学的ある
いは熱的特性を改善する場合がある。ＬＡＳＬにおける
キャリアの生成および輸送は、ビーム放出器からのビー
ムの直接的な衝当、データ記憶層からのキャリア輸送、
および／またはＬＡＳＬあるいは記憶層に印加される電
界の結果として生じる場合がある。データ記憶エリアあ
るいはＬＡＳＬと導通する検出領域が、読出し段階中に
電子−正孔対の活性状態を判定するために設けられ、電
子−正孔対の活性状態は各記憶エリアの状態に関連す
る。検出器が、各記憶エリアの状態を判定するために、
検出領域内の電子−正孔対の活性状態を読み取る。 【００１２】別の好ましい実施形態では、データ記憶ユ
ニットは、その上にデータが格納されたデータ記憶エリ
アを有するデータ記憶層を含む。データ記憶層に向けて
光ビームを選択的に誘導し、データ記憶エリアからデー
タを読み出すために、光ビーム放出器が配置される。記
憶層は、光のビームに対して部分的に透過性を有する。
記憶エリアは光が記憶エリアを通過するためのフィルタ
であり、フィルタリングされる光の量は、記憶エリアの
状態に依存する。１つの層（ＬＡＳＬ）がデータ記憶層
に隣接して配置され、ＬＡＳＬに到達する光の量に応答
してキャリアが生成される。検出領域内のキャリア輸送
を測定し、記憶エリアの状態を判定するために、検出領
域がＬＡＳＬとの間で光を伝送することができる。 【００１３】本発明の別の実施形態は、その上にデータ
を含むデータ記憶エリアを有するデータ記憶層を含むデ
ータ記憶ユニットにおいてデータを読み出すための方法
を含む。１つの層（ＬＡＳＬ）が記憶層に隣接して配置
される。ビーム放出器からのビームが、ＬＡＳＬおよび
データ記憶層に向けて光ビームを誘導する。データ記憶
層を通過するビームは、データ記憶層内のデータ記憶エ
リアの状態に応じて変化する量だけフィルタリングされ
る。ビーム放出器からＬＡＳＬに到達する光の量に対応
するキャリア流がＬＡＳＬにおいて生成される。ＬＡＳ
Ｌとの間でキャリアが流通可能な検出領域に輸送された
キャリアが測定され、データ記憶エリアの状態が判定さ
れる。 【００１４】キャリアは、記憶エリア媒体の状態にも依
存する、電流、電圧あるいは光線の変化のような活性状
態あるいは応答を提供する。キャリアの相対的な活性状
態は、読出し段階中に検出器によって読み取られ、記憶
エリアにおけるデータビットの存否が判定される。 【００１５】別の実施形態は、その上にデータを格納す
るための少なくとも２つの状態を有するデータ記憶エリ
アを含むデータ記憶層を有するデータ記憶ユニットに関
連する。データ記憶層に隣接して１つの層（ＬＡＳＬ）
が配置され、記憶エリアの状態を判定するためのキャリ
アが生成される。 【００１６】別の好ましい実施形態では、データ記憶ユ
ニットは、その上にデータを格納するためのデータ記憶
エリアを含むデータ記憶層を有する。少なくとも２つの
状態の間で変化することができるデータ記憶エリア内に
媒体が設けられる。その媒体は、光線フィルタリング特
性に関して、状態間に著しい差異を提供するための役割
を果たす。 【００１７】本発明の他の態様および利点は、一例とし
て本発明の原理を例示する添付の図面とともに、以下に
記載される詳細な説明から明らかになるであろう。 【００１８】 【発明の実施の形態】背景 本発明は、記憶エリア内のデータを読み出すために誘導
される光ビームを用いることが好ましい。記憶層は、誘
導された光ビームに応答して状態を変更することが可能
な記憶層の記憶エリアにある媒体を利用する。本明細書
において用いられる用語「光ビーム」は、レーザおよび
近接場光学系によって生成されるエバネッセント場のよ
うな誘導される光ビームを含む。 【００１９】１つのタイプの記憶媒体は、非晶質状態と
結晶状態との間で変化するか、あるいはビームの量、強
度および持続時間に応じて、光あるいは電子ビームに応
答してそのような状態内の種々の相に変化する材料であ
る。光ビームは、通常低い強度で、誘導されたビームで
そのエリアを照射あるいは刺激することにより、作用さ
れたエリア内のデータを読み出すためにも用いられる。
記憶エリアは、各記憶エリアの状態に応じて、光ビーム
に応答して変化する。 【００２０】電子ビームに応答するデータ記憶エリアの
この状態変化のさらに詳細な説明は、米国特許第５，５
５７，５９６号（Gibson等）に与えられる。本明細書に
おいて用いられる用語「状態」は、異なる結晶状態と非
晶質状態、ならびに化学的組成の変化、あるいは構造、
あるいは捕捉された電荷の密度、場所または特性の変
化、あるいは関連する電気的特性に影響を及ぼす欠陥の
密度およびタイプを含むことを意味する。 【００２１】ＬＡＳＬは、読み取られている記憶エリア
の状態を判定するために検出されることができる、いく
つかのタイプのキャリア流あるいは輸送を生成すること
により、誘導される読出しビームに応答する特性を有す
ることが好ましい。 【００２２】以下に説明されるように、光ビームはＬＡ
ＳＬに対して、ＬＡＳＬが記憶層の下側にある場合には
記憶層を通して間接的に、あるいはＬＡＳＬが記憶層の
上側にある場合には直接に誘導される。第１の場合に
は、記憶層の記憶エリアによって、光は部分的にフィル
タリングされる。本明細書において用いられる用語「フ
ィルタリングされる」は、吸収され、反射され、かつ／
または影響を及ぼされるか、変化することを意味する。
記憶エリア内の媒体の複数の状態が、吸収されるか、反
射される光の量に関して著しい差を示すことが好まし
い。電子−正孔キャリア活性状態は、誘導されたビーム
によって衝当される際に、状態のうちの少なくとも１つ
において、記憶エリアからＬＡＳＬに到達する光の量に
比例してＬＡＳＬ内に生成される。この電子−正孔キャ
リア対活性状態は、最初に光ビームによって生成される
キャリアの数によって、かつ／またはダイオード接合を
横切って流れる（ダイオード実施形態）か、電磁波を放
出しながら再結合する（フォトルミネセンス実施形態）
か、あるいは光導電性ＬＡＳＬの実効導電率を変化させ
る（光導電性実施形態）、生成されるキャリアの小部分
によって調整されることができる。 【００２３】ＬＡＳＬが記憶層の上側に配置される場合
には、波長変換器として動作するフォトルミネセンス層
であることが好ましい。ＬＡＳＬによって放射される光
は、記憶エリアの状態にしたがって、記憶層の記憶エリ
アにおいて部分的に反射されるか、あるいは吸収され
る。その後、伝送される光は光導伝体に衝当し、記憶エ
リアの状態を判定するために検出されるキャリア活性状
態を引き起こす。別法では、記憶層の上側にあるＬＡＳ
Ｌは、上側保護層として機能する場合もある。これらの
実施形態は以下にさらに詳細に説明されるであろう。 【００２４】したがって、各データ記憶エリアに格納さ
れるデータの特性（その状態によって表される）は、読
出し段階中に光ビームによって生成されるキャリアの数
および活性状態における著しい差に反映される。典型的
には、読出し光ビームは、記憶エリアにおいて望まれて
いない書込みが生じないように、書込み光ビームよりも
低い強度レベルで誘導される。光ビームが誘導される場
合に、３つの媒体タイプのための電子−正孔キャリア対
の活性状態に関して、材料の異なる状態間で著しい差異
を与えるために適した材料は、種々のカルコゲン系化合
物を含むであろう。 【００２５】図１を参照すると、本発明を理解するため
の背景が開示される。データ記憶システム１０は、少な
くとも２つの層１４、１６を有するメモリ記憶ユニット
１２を含む。層１４は、多数のデータ記憶エリア１８、
１９を有するデータ記憶層である。層１４および１６
は、そこを横切って電子および／または正孔キャリアが
流れる接合部１５を有するダイオード１７を形成する。
そのダイオードには、用いられる材料に応じて、ｐ−ｎ
接合、ｎ−ｎ’あるいはｐ−ｐ’ホモタイプへテロ接合
あるいはショットキーバリア素子のような、電荷キャリ
アを分離するための内在電界を提供する任意のタイプの
ものを用いることができる。記憶エリアは、発光素子あ
るいは近接場光学系のようなビーム放出器２３からのビ
ームを用いることにより、書込みおよび読出しが行われ
る。検出回路２０が接合部１５間に接続されており、記
憶エリア内のデータを指示するキャリア輸送を読み取る
ための１つの方法を示す。 【００２６】１つの背景の例では、発光ユニット２４か
ら誘導される光ビーム２２を用いて、記憶層１４のエリ
ア１９においてその状態を局部的に変更することによ
り、データビットが書き込まれる。別の記憶エリア１８
は、別の読出しサイクルにおいて類似の発光ユニット２
３によって照射される場合がある。図に示されるよう
に、記憶エリア１８はある状態にあり、記憶エリア１９
は別の状態に変化している。記憶エリア１８および１９
の異なる状態は、読出し機能中のビット検出において著
しい差異を与えなければならない。 【００２７】記憶層１４は、光学式記録において典型的
に用いられる材料のような相変化材料を含む場合があ
る。これらの材料は、予め選択された時間にわたって所
定の温度プロファイルで加熱することにより、結晶状態
から非晶質状態に可逆的に変化することができる。相変
化材料を溶融するだけの十分に高い強度の光ビームでそ
のエリアを加熱し、その後、ビームの強度を急激に低減
し、そのエリアを急冷することにより、その状態が結晶
状態から非晶質状態に変更される場合がある。相変化材
料を急冷することにより、アニールするための時間を用
いることなく、その材料を急速に冷却し、非晶質状態に
することができる。記憶エリアの状態は、光ビームを用
いて、相変化材料をアニールするために十分なだけ加熱
することにより、非晶質状態から結晶状態に変更される
場合がある。別法では、その材料は、異なる時間の間、
異なる温度を用いて、１つの結晶状態から別の結晶状態
に変更される場合がある。近接場エバネッセント光場を
調整して、温度−時間プロファイルを適用し、相を変化
させることができる。抵抗性加熱素子あるいは印加され
る電界あるいは磁界のような、他のエネルギー源を用い
て、記憶エリア１４の大きな領域に作用し、記憶エリア
１８および１９の相変化に局部的に影響を及ぼす際に光
ビーム２２を補助することもできる。 【００２８】読出し機能中に、光放出器２２は、書込み
サイクル中よりも低いレベルであるが、それでも記憶エ
リア１８、１９内の電荷キャリアを局部的に励起するの
に十分なだけのエネルギーを有するエネルギー場を放出
することが好ましい。記憶エリア１４においてキャリア
が励起される場合には、生成されるキャリアの数（「生
成効率」）は、光ビーム２２が入射する記憶エリア１
８、１９の状態に依存するであろう。生成効率に影響を
及ぼす要因は、記憶層のバンド構造である。ある符号を
有する生成されたキャリア（電子あるいは正孔）の一部
は、内在電界の影響下で、ダイオードインターフェース
４７を横切って通り抜けるであろう（「収集効率」）。
収集効率は、特に、読出し光子が入射し、内在電界の効
果を持つエリア内あるいはその周囲の再結合率および移
動度に依存する。電圧源２１によって検出回路２０間に
別の電界がかけられる場合がある。キャリアがダイオー
ド境界部１５を通過する結果として生じる電流は、境界
接合部１５間で得られる検出信号２２によってモニタさ
れ、データ記憶エリア４５の状態を判定することができ
る。別法では、ダイオードが、電流が接合部を横切って
流れることなく「開回路」で動作することができ、ダイ
オードにかかる開回路電圧をモニタすることができる。 【００２９】こうして、読出し光子によってダイオード
１７間に生成される電流の変動は、局部的な生成効率お
よび局部的な収集効率との両方に依存することができ
る。これらの要因はいずれも、光子が入射する領域の状
態によって影響を及ぼされる。記憶層１４の相変化材料
は、多数のカルコゲニド系相変化材料を含む、適当な電
気的特性（バンドギャップ、移動度、キャリア寿命、キ
ャリア密度等）を有する多数の相変化材料から構成され
ることができる。 【００３０】記憶層に隣接する層 図２および図３は、図１に示される環境内の２つの異な
る実装形態におけるＬＡＳＬの原理を示す。キャリアを
生成するために、かつ／または読出しモード中に光ビー
ムによってキャリアが生成される場所および効率、およ
び／または生成された後のこれらのキャリアの流れに作
用するために、記憶層に隣接する付加層（ＬＡＳＬ）が
設けられる。この概念は、本明細書においてさらに記載
されるように、限定はしないが、半導体ダイオード、光
導電性領域およびフォトルミネセンス領域を含む、キャ
リア輸送を読み取るための種々の異なる素子に適用され
る場合がある。 【００３１】ダイオード構成３０が図２に示されてお
り、隣接層３２が記憶層３１の真下に配置される。この
状態では、隣接層３２は、キャリア輸送が検出される接
合部３６を有するダイオードを形成する。この構成にお
いて、記憶層３１およびＬＡＳＬ３２はいくつかの態様
において相互作用する場合がある。 【００３２】１つの応用形態では、ＬＡＳＬ３２はキャ
リアの一次発生器として用いられ、記憶層はビームの可
変吸収体および／または反射体として機能する。このア
プローチでは、記憶層３１の各部分の状態に応じて、異
なる量の光がＬＡＳＬ３２に達するであろう。大部分の
場合において、その部分が結晶状態である場合、非晶質
部分の場合よりも多くの光子がＬＡＳＬ３２まで貫通す
るであろう。したがって、記憶エリア３５の真下にある
ＬＡＳＬ３２内のキャリアの生成は、記憶エリア３５内
のビットの存否に応じて変動するであろう。 【００３３】このアプローチの１つの利点は、データ記
憶およびデータ検出の機能が分離され、結果として、各
機能に対する最良の材料を選択できることである。した
がって、記憶層３１のために用いられる材料は主に、デ
ータを格納するために所望のように状態を変更するため
の能力、および光が吸収あるいは反射される度合いに関
する状態間の著しい差異に基づいて選択されるであろ
う。記憶層３１は、層３３との良好なダイオード接合部
を形成するために必要とされる電気的特性を有する必要
はない。対照的に、ＬＡＳＬ３２のために用いられる材
料は主に、キャリアを生成するための能力と、ＬＡＳＬ
３２において生成されるキャリアのための高い収集効率
で、層３３との接合部を形成するための能力とに基づい
て選択されるであろう。 【００３４】図２に示される構造のための別の応用形態
では、記憶層３１は、ＬＡＳＬ３２とダイオード層３３
との間のダイオード境界部（３２／３３境界部）におい
て収集されるキャリアに影響を及ぼすように構成あるい
は選択される。この構成では、キャリアは層３１あるい
は層３２のいずれかにおいて生成されることができ、３
２／３３境界部検出エリアに達するキャリアの数は主
に、記憶層３１とＬＡＳＬ３２との間の相互作用のタイ
プおよび程度によって影響を及ぼされる。 【００３５】より具体的には、記憶層３１の状態は、
（１）３２／３３ダイオード境界部に到達する、記憶層
３１によって生成されるキャリアの数と、（２）３１／
３２記憶層／ＬＡＳＬ境界部における電子−正孔対の再
結合率と、（３）記憶層３１およびＬＡＳＬ３２内の電
界（内在電界および印加される電界）への記憶層３１の
影響とにおける著しい差異によって、３２／３３ダイオ
ード境界部において収集されるキャリアに影響を及ぼす
場合がある。３１／３２境界部は漏れが小さい必要はな
く、整流接合あるいはオーム接触を形成する場合があ
る。いずれの場合でも、それはキャリアを妨げるべきで
なく、３２／３３ダイオード境界部において検出される
キャリアのタイプに対しての再結合率は低くすべきであ
る。 【００３６】ＬＡＳＬ３２がこの構成において役割を果
たすことができるいくつかの態様が存在する。１つの態
様は、記憶層３１によって形成される場合があるものよ
りも良好な、下側層３３との接合部あるいは境界部（３
２／３３ダイオード境界部）を形成することによる。３
２／３３ダイオード境界部は、生成されるキャリアの収
集効率が高く、かつ／または読出しビームの不在時の漏
れ電流が小さい点で改善される。収集効率は、全てキャ
リア収集を妨げるようになる、再結合あるいは電荷捕捉
を生じるバンドオフセットあるいは望ましくない境界部
状態のような問題が生じないように３２／３３ダイオー
ド境界部が形成されることにより改善される。 【００３７】いくつかの場合には、別の層３３との良好
な接合部を形成し、収集効率あるいは漏れの問題を持た
ない記憶層３１のための相変化材料を見つけることが困
難な場合がある。したがって、ＬＡＳＬ３２が記憶層３
１との整流接合を形成しない実施形態では、ＬＡＳＬ３
２は、相変化を可能にする材料特性を必要とする記憶の
機能を、高いキャリア収集効率を有する漏れの小さいダ
イオード接合部を形成するために必要とされる材料特性
から分離することによりその役割を果たすことができ
る。２つの層間のこれらの材料要件を分離するＬＡＳＬ
３２を追加することにより、各層が必要とされる機能の
最適な性能を得るために選択されることができるように
なる。 【００３８】一方、記憶層３１とＬＡＳＬ３２との間の
新たな境界部およびＬＡＳＬ３２を横切って必要とされ
る過剰な輸送も考慮されなければならない。記憶層３１
において生成されるキャリアはＬＡＳＬ３２を横切って
進み、３２／３３境界部あるいは接合部によって収集さ
れなければならない。これは、ＬＡＳＬ３２内のキャリ
アのための拡散長がＬＡＳＬの厚みと比べて長くなけれ
ばならないか、あるいはキャリアの拡散長（schubweg）
がＬＡＳＬの厚みに比べて長くなるような強い電界がか
けられなければならないかのいずれかを意味する。 【００３９】またＬＡＳＬ３２を用いて、キャリアの増
幅あるいは増倍を行うこともできる。その場合には、Ｌ
ＡＳＬ内のインパクトイオン化あるいは電子なだれ効果
を引き起こすだけの十分な強度を有する電界がＬＡＳＬ
３２間にかけられる。しかしながら、これは、他の層に
電界をかけることなく行うことが難しく、その電界によ
って歪みあるいは他の望ましくない効果が引き起こされ
る場合があることに留意されたい。 【００４０】第３の応用形態では、ＬＡＳＬ３２あるい
は記憶層３１のいずれかにおいてキャリアが生成される
ことができる。記憶エリア３５の相状態はＬＡＳＬ３２
の電界に影響を及ぼし、それにより信号を生成するため
にＬＡＳＬ３２／層３３ダイオード境界部を横切るキャ
リアの数に影響を及ぼすであろう。上記の構成の任意の
もの、あるいはこれらの効果の組み合わせは、検出エリ
アにおけるキャリアの検出を容易にし、ビット検出誤り
の可能性を大幅に低減するであろう。 【００４１】図３に示されるように、隣接層３７は、記
憶層３１の上側に配置される場合がある。この実施形態
では、誘導されるビームは、記憶層３１の記憶エリア３
５に到達する前に、最初に隣接層３７に衝当する。記憶
層３１は、層３３とのダイオード構造の一部を形成し、
その結果、層３１と３３との間の接合部３８を横切って
流れるキャリアがエリア３５の状態を指示する。ＬＡＳ
Ｌは、波長変換器として動作するフォトルミネセンス材
料から形成される場合があり、その波長を、誘導される
光ビームから、記憶層がキャリアを生成するためにより
適合性にある波長に変化させる。別法では、この構造的
構成は、電界がかけられる場合に、ＬＡＳＬ３７が保護
層、反射防止コーティング、あるいは導電層として用い
られるために適用される場合もある。本発明をさらに理
解するために、先に記載された接合部と類似のダイオー
ド接合部を用いる好ましい実施形態が示され、記憶エリ
アの状態を検出するためのキャリア流を確立することに
関して以下に記載される。光導電性素子およびフォトル
ミネセンス素子においてＬＡＳＬ構成を用いる２つの別
の実施形態も記載される。 【００４２】ＬＡＳＬ層とのダイオード接合部 ここで図４に注目すると、本発明の好ましい実施形態が
示される。データ記憶システム４０は、選択された記憶
エリア内のデータを読み出すことに応答して、電子−正
孔キャリア流を読み取るために、半導体ダイオード４１
を利用する。近接場光学系のような発光素子４３が、ダ
イオード４１のうちの一方の層を含むデータ記憶層４２
の上側に配置される。ＬＡＳＬ４７が記憶層４２の下側
に配置され、層４４とともにダイオード４１を形成す
る。 【００４３】記憶層４２のエリア４５において状態を局
部的に変更することによりデータビットが書き込まれ、
その場合に、発光ユニット４３を用いて、記憶層４２内
の記憶エリア４５上に誘導される光ビーム４６を放射す
る。記憶エリア４５の異なる状態は、読出し機能中のビ
ット検出において著しく異なる差異を与えなければなら
ない。抵抗性加熱素子あるいは印加される電界あるいは
磁界のような他のエネルギー源を用いて、記憶層４２の
大きな領域に作用し、記憶エリア４５の状態変化に局部
的に影響を及ぼす際に光ビーム４６を補助することもで
きる。 【００４４】読出し機能中に、光放出器４３は、図２に
関して先に説明されたように、ダイオード４１のＬＡＳ
Ｌ３２内の電荷キャリアを局部的に励起するために、低
レベルのエネルギー場を放出する。ＬＡＳＬ３２に到達
するビームの量は、記憶エリア４５の状態に依存するで
あろう。したがって、記憶層は主に、記憶エリアの状態
に応じて、読出し段階中にビームの可変吸収体あるいは
反射体として動作する。電圧源４８によって、インター
フェース４７間に付加的な電界がかけられる場合もあ
る。ダイオードインターフェース４７を通過するキャリ
アによって生じる電流は、インターフェース４７間で得
られる検出信号４９によってモニタされ、データ記憶エ
リア４５の状態を判定することができる。別法では、ダ
イオード４１間で生成される開回路光−電圧をモニタす
ることもできる。 【００４５】こうして、読出し光子によってダイオード
４１間で生成される電流の変化は、ＬＡＳＬによって影
響を及ぼされるような接合部／ＬＡＳＬ構造の局部的な
生成効率および局部的な収集効率に依存する。これらの
要因はいずれも、光子が入射する領域の状態によって影
響を及ぼされる。 【００４６】光導電性ＬＡＳＬ 図５を参照すると、記録されたビットを検出するために
光導電性が利用される別の構造が示される。記憶素子５
０は、電気的に絶縁されている基板５２と記憶層５４と
を含む。基板５２は、酸化された上側層を有するシリコ
ンから形成される場合がある。記憶層５４は、ビーム放
出器５９から誘導される光ビーム５５によって読み取ら
れることになる複数のデータ記憶エリア５８を有する。
光導電性ＬＡＳＬ層５３は、記憶層５４を通り抜ける光
の量を検出するために、記憶層５４の下側に配置され、
その光の量は記憶エリア５８の状態に依存する。光導電
層５３は、光導電性材料からなる単層、あるいは異なる
光導電性材料からなる多層を含む場合がある。 【００４７】電極対５６および５７のような複数の離隔
して配置された電極が、その電極５６および５７の上側
または下側に配置される場合があるＬＡＳＬ５３と接触
している。複数のデータ記憶エリア５８を含むデータ記
憶領域は、図５に示されるように、電極５６と５７との
間に配置される。記憶エリアは行および列に配列される
場合があり、それぞれの状態がその中に格納されたデー
タを決定する。一実施形態では、記憶エリアは、サブミ
クロンサイズ、すなわち直径が約１０ｎｍ〜３０ｎｍで
あり、約５０ｎｍだけ離隔して配置される。 【００４８】光ビーム放出器５９のアレイが記憶層５４
の上側に配置され、上記のように、誘導されるエネルギ
ービームを与える。誘導されるビーム５５は、上記のよ
うに、非晶質状態と結晶状態との間、あるいは異なる結
晶状態間で記憶エリア５８の状態を変化させるのに適し
た時間および電力パラメータを有する。超小型可動子を
用いて、記憶エリア５８上で光ビーム放出器のアレイを
走査することもできる。 【００４９】電源６２が、読出し機能中に電極５６およ
び５７間にバイアス電圧を供給する。このバイアス電圧
は、光導電層５３の面内に電界６４を引き起こす。電源
は基板５２上に形成される場合があるか、あるいはチッ
プの外側に設けられる場合がある。 【００５０】記憶エリア５８上の読出し動作中に、バイ
アス電圧が電極に印加されている間、光ビーム放出器５
９が電極５６と５７との間で走査される。光ビーム５５
が光導電層５３に衝当するとき、電子キャリアおよび正
孔キャリアが生成され、電界６４によって電極５６およ
び５７に向けて加速される。電子および正孔のこの動き
によって電流が流れるようになり、それが読出し回路６
６によって検出され、出力信号６８を与える。光導電性
ＬＡＳＬ５３に到達する光の量は、上側にある記憶層５
４の状態によって影響を及ぼされる。記憶層の状態の変
化は、読出しビーム光の吸収および／または反射の変化
によって、光導電性ＬＡＳＬ５３に到達する光の量に影
響を与えることができる。 【００５１】ＬＡＳＬ５３は、良好な光導伝体である材
料から形成されることが好ましい。こうして、結果とし
て、読出し回路６６によるキャリアの検出が改善され、
放出器５９によって作用される記憶エリアの状態を指示
する出力信号６８のエラーを最小限に抑える。この実施
形態では、再び、ＬＡＳＬによって、メモリ記憶ユニッ
トの性能を改善するために機能を分離できるようにな
る。ＬＡＳＬ材料は主にその光導電性反応に対して選択
され、データ記憶層の所望の熱的、化学的および光学的
特性は個別に設計されるようになる。 【００５２】光電流の大きさの変化をモニタすることに
より、記憶エリア５８の状態を判定することができる。
読出し回路６６からの出力６８は、所望により増幅させ
たりアナログ値からデジタル値に変換してもよい。 【００５３】フォトルミネセンスＬＡＳＬ ここで図６を参照すると、別の記憶構造が示されてお
り、読出しプロセス中に生成される電子−正孔対がその
放射性の再結合によって検出される。この構成では、Ｌ
ＡＳＬは、読出し光ビームに応答して光子を生成するフ
ォトルミネセンス材料である。ＬＡＳＬは記憶層の上側
に配置され、記憶エリアの状態に応じて、光の吸収ある
いは反射を変化させるための光フィルタとして動作す
る。フォトダイオード、光導伝体あるいは微細加工され
た光電子増倍管のような光検出器が、光子を検出するた
めに用いられる場合がある。 【００５４】この実施形態では、再び、ＬＡＳＬ７４に
よって、メモリ記憶ユニットの性能を改善するために機
能を分離できるようになる。ＬＡＳＬ材料は主に、光ビ
ーム放出器によって生成される波長から、記憶層７７に
よって最適に用いるための波長範囲に光を変換する能力
に対して選択される。記憶層７７は主に、ＬＡＳＬ７４
からの光の放出に応答して、相を変化させるための能力
に対して選択される。こうして、光ビームのための低コ
ストで、使いやすい放出器と、書き込まれた状態と書き
込まれていない状態との間の光の吸収および反射におい
て著しい差異を与える相変化材料とを選択することがで
きる。ＬＡＳＬは、放出器からある波長で光を受信し、
記憶材料の要求に対応するように別の波長で光を生成す
ることにより、調和させる。 【００５５】図６に示されるように、フォトルミネセン
スＬＡＳＬ７４は、記憶ユニット７０の表面上に堆積さ
れる。光放出器７６は、その表面上に光ビーム７８を誘
導するために、フォトルミネセンスＬＡＳＬ７４の表面
付近に配置される。記憶層７７は、ＬＡＳＬ７４の下側
で、かつ層７１および７３から形成されるフォトダイオ
ード構造あるいはいくつかの他のタイプの光検出器の上
側に配置される。 【００５６】データは、選択された記憶エリア７９に光
ビーム７８を照射し、記憶層の光吸収あるいは反射特性
を変更することにより、記憶層７７に格納される。記憶
層材料には、多数のカルコゲニド系相変化材料のうちの
任意のものを用いることができる。記憶層７７の光吸収
あるいは反射特性は、多数の異なる態様、たとえば、電
子バンド構造を変化させることにより、かつ／または光
学的特性に影響を及ぼす欠陥を導入することにより変更
される場合がある。ＬＡＳＬ７４は、下側にある記憶層
７７への書込み段階中の高い温度に十分に耐えられる材
料から形成される。 【００５７】読出しモード中に、光ビーム７８は、望ま
れていない書込みを防ぐために低いパワー密度を有す
る。書き込まれた記憶エリア７９は、書き込まれていな
い、記憶層７７上の他のエリア８０とは異なる数の光子
を吸収および／または反射するであろう。記憶層を通過
する光子は、フォトダイオード内に電子および正孔キャ
リアの流れを生成するであろう。各記憶エリアが光ビー
ムによって衝当されるのに応じて、フォトダイオード７
０の層間に接続される計測器７５によって、フォトダイ
オード境界部７２間の電流あるいは電圧が測定され、そ
れぞれ読み取られた記憶エリアの状態が判定される。こ
こで層７１がフォトダイオードの層を形成するために用
いられ、その結果、ＬＡＳＬ層がその機能を提供する必
要がないことは理解されたい。記憶層７７がフォトダイ
オード機能に対応するのに適した材料から形成される場
合には、層７１をなくすことができる。 【００５８】「フォトルミネセンスＬＡＳＬ」の実施形
態については、さらに説明することが望ましい。ここで
説明される３つ全ての好ましい実施例では、記憶層が可
変吸収体および／または反射体として用いられることに
留意されたい。上記の最初の２つの好ましい実施形態間
の差は主に、記憶層を通り抜ける光が如何に検出される
かに関する差である（第１の場合にはフォトダイオー
ド、第２の場合には光導伝体）。フォトルミネセンスＬ
ＡＳＬの場合には、任意のタイプの光検出器が用いられ
るが、読出しビームの光はフォトルミネセンス光に変換
され、その際、記憶層によって部分的に吸収あるいは反
射される。 【００５９】ある波長あるいは波長範囲の光を異なる波
長あるいは波長範囲の光に変換することに関してはいく
つかの理由がある。１つの理由は、低コストで、製造し
やすい放出器の波長範囲が、最良の相変化材料が、書き
込まれた状態と書き込まれていない状態との間で吸収お
よび反射の著しい差異を与えるところの波長範囲に一致
しないことである。ルミネセンスＬＡＳＬは、放出器の
光を、好ましい相変化材料により適した波長範囲に変換
するために用いられる場合がある。波長を変換するため
の別の理由は、低コストで、製造しやすい光検出器の最
良の感度の範囲に、より一致する波長あるいは波長範囲
の光を生成することである。 【００６０】波長を変換するための別の理由は、１つの
ルミネセンスＬＡＳＬあるいは異なる波長で発光するい
くつかのルミネセンスＬＡＳＬ層を組み込み、多数の相
変化記憶層内のビットにアクセスするために用いること
ができる、低コストで、製造しやすい１つの放出器を用
いて、多数の波長の光を生成することである（その場
合、各記憶層は異なる波長範囲に一致する）。 【００６１】上記の構造に対する別の実施形態は、ＬＡ
ＳＬの上側に記憶層を配置し、記憶層を用いて、ルミネ
センスＬＡＳＬに到達する光の量をフィルタリングする
ことである。ＬＡＳＬから放出される光子の検出は、適
当な光検出器によって達成されるであろう。 【００６２】ＬＡＳＬ方法 ここで図７を参照すると、本発明の方法９０の好ましい
実施形態が示される。ステップ９２では、その上にデー
タを有するデータ記憶エリアを有するデータ記憶層を含
むデータ記憶ユニットが設けられる。次にステップ９４
では、記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）が、データ記憶
エリアに隣接して配置されることが好ましい。ステップ
９６では、光ビームが、光ビーム放出器から、ＬＡＳＬ
およびデータ記憶層に向けて誘導される。次にステップ
９８では、光がデータ記憶エリアを通過する際に、その
データ記憶エリアの状態に応じて変化する量だけ光ビー
ムの一部がフィルタリングされ、それによりそのデータ
記憶エリアからのデータを読み出す。ステップ１００で
は、ＬＡＳＬに到達する光の量に応じて、ＬＡＳＬ内に
キャリア流が生成される。最後にステップ１０２では、
このキャリア輸送が、ＬＡＳＬとの間でキャリアが流通
することができる検出領域において検出される。 【００６３】隣接層内に堆積されるエネルギーは、ビー
ムが隣接層上に衝当するのに応じて生成される電荷キャ
リアから成ることが好ましい。別法では、隣接層内に堆
積されるエネルギーは、ビームが隣接層上に衝当するの
に応じて生成される光子から成る場合がある。 【００６４】ＬＡＳＬ層は、記憶層よりビームの近くに
存在する場合がある。そのような場合には、ＬＡＳＬ層
は、それが保護層として用いられるとき、光ビームに概
ね透過性を有する可能性が高い。フォトルミネセンスの
場合、ＬＡＳＬは透過性でないことが好ましいが、ある
波長を別の波長に光を変換するために用いられる。ダイ
オードおよび光導伝体の場合には、隣接層は、状態に応
じて変化する吸収体あるいは反射体としても動作する
か、あるいは読出しビームによって生成される電子−正
孔対の再結合率に影響を及ぼす場合がある。ＬＡＳＬ内
のキャリア流は、記憶層内の書き込まれた領域の近接性
に起因して、印加されるか、あるいは内在する電界の変
化に応じて影響を受ける場合がある。 【００６５】光ビームが用いられる場合があるため、透
明電極で記憶層あるいは隣接層を覆うことができ、それ
が有利な場合がある。たとえば、均一な上側および下側
電極は、本発明のダイオード構成要素間に形成されるバ
イアス用の電界の均一性を高めるであろう。導電性基板
が用いられる場合には、光源と反対側にある基板の表面
に、あるいは機械的な支持のみを与える絶縁性基板が用
いられる場合には、基板の上側に、背面電極が存在する
こともできる。光学的ビームを用いるとき、その上側表
面全体を覆う透明な上側電極を用いることができる。 【００６６】また記憶層は、書込みモード中に、酸化の
ような化学的変化、あるいはバンプあるいはピットの形
成のような熱機械的変化を防ぐために、保護層で覆われ
る場合もある。隣接層は、それが小さなビットを書き込
むことができるほど十分に薄い限り、保護層を形成する
ことができる。保護層には、単なるパッシベーション層
が用いられるか、あるいはダイオードの場合には光生成
キャリアを収集するために用いられる導電性透明電極が
用いられる場合がある。 【００６７】また記憶層は、記憶媒体全体の熱特性を高
める層で覆われる場合もある。たとえば、記憶層が相変
化材料である場合には、非晶質状態に材料の状態を変更
する際にヒートシンクとして機能することにより急冷を
補助する層と記憶層が接触することが望ましい場合があ
る。別法では、あるいは保護層に加えて、記憶層を急冷
し、非晶質化するための能力のような熱的特性を改善す
る層を、記憶層あるいは隣接層の下側に有することが望
ましい場合がある。保護的な下側層は、記憶層と基板材
料との間の相互拡散を防ぐことにより、あるいは基板か
ら記憶層の層間剥離あるいはディウェッティングを回避
することにより、素子の耐久性を高めることもできる。 【００６８】記憶層を覆う層、すなわちＬＡＳＬは、反
射防止コーティングのような光学的特性を高めるために
用いられる場合もある。そのようなコーティングは、記
憶層あるいは隣接層に吸収される、光源からの光の量を
増加するために用いることもできる。別法では、あるい
は保護層とともに、記憶層の下側にある層、すなわちＬ
ＡＳＬは、光学的特性を高めるために、あるいは伝送さ
れる光のうちのある量を反射して記憶層あるいはＬＡＳ
Ｌに戻すために用いられることもできる。 【００６９】記憶層の下側にあるバッファ層が、成長モ
ードを制御し、かつ記憶層および／またはＬＡＳＬの薄
膜構造を改善するために用いられる場合もある。ＬＡＳ
Ｌ自体がバッファ層として機能する場合もある。たとえ
ば、バッファ層は、その上側にある層が特定の結晶相あ
るいは方位で形成されるようにする場合がある。結晶相
および方位の制御は、ＬＡＳＬあるいはデータ記憶層の
所望の電気的、光学的あるいは熱的特性を達成する際に
重要な場合がある。 【００７０】記憶層に隣接する１つの層が示されるが、
本発明の範囲内で多数のＬＡＳＬが用いられる場合があ
ることは理解されたい。さらに、ＬＡＳＬは記憶層に隣
接するものとして記載されるが、そのような層は、先に
記載された層のようないくつかの他の層によって記憶層
から離隔される場合があり、それでも本発明の範囲内で
記憶層に隣接するものと見なされる場合があることを理
解されたい。 【００７１】本発明の他の変形形態では、ＬＡＳＬは、
（１）データ記憶層のための保護層、（２）データ記憶
層のための拡散障壁、（３）データ記憶層のための熱特
性改善層および／または（４）ＬＡＳＬ上のデータ記憶
層の成長促進層のうちの１つあるいは複数の役割を果た
す場合がある。 【００７２】上記の実施形態は本発明を代表するもので
あるが、本明細書および添付の請求の範囲を検討するこ
とにより、あるいは開示される発明の実施形態を実施す
ることから、他の実施形態が当業者には明らかになるで
あろう。本明細書およびその中の実施形態は単なる例示
と見なされ、本発明は添付の請求の範囲およびその等価
物によって規定されることが意図されている。以下にお
いては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる
例示的な実施形態を示す。 １. データ記憶ユニットであって、その上にデータを
格納されたデータ記憶エリア（４５）を有するデータ記
憶層（４２）と、前記データ記憶エリア（４５）から前
記データを読み出すために、前記データ記憶層（４２）
に向けて光のビーム（４６）を選択的に誘導するための
光ビーム放出器（４３）であって、前記記憶層（４２）
は前記光のビーム（４６）に対して部分的に透過性を有
し、前記記憶エリア（４５）は前記記憶層（４２）を通
過する光の量をフィルタリングする、光ビーム放出器
と、前記データ記憶層（４２）に隣接する層（ＬＡＳ
Ｌ）（４７）であって、前記ＬＡＳＬ（４７）に到達す
る光の量に応じてキャリアが生成される、該隣接する層
（ＬＡＳＬ）と、前記ＬＡＳＬ（４７）との間でキャリ
アが流動可能である検出領域（４４／４７境界部）であ
って、前記記憶エリア（４５）の状態を判定するため
に、前記検出領域内のキャリア輸送が測定される、検出
領域と、を含むデータ記憶ユニット。 ２. 前記ＬＡＳＬ（４７）の下側にある別のフォトダ
イオード層（４４）をさらに含み、前記ＬＡＳＬ（４
７）は、前記フォトダイオード層（４４）とともにフォ
トダイオード（４１）を形成し、前記検出領域は、前記
ＬＡＳＬ（４７）と前記フォトダイオード層（４４）と
の間の接合部である請求項１に記載のデータ記憶ユニッ
ト。 ３. 前記ＬＡＳＬ（４７）は、その中に第１および第
２の電極（５６、５７）を有する光導伝体（５０）であ
り、前記検出領域（６４）は、前記第１の電極（５６）
と前記第２の電極（５７）との間のエリアである請求項
１に記載のデータ記憶ユニット。 ４. 前記ＬＡＳＬはフォトルミネセンス層（７４）で
あり、前記検出領域は、前記ＬＡＳＬと光通信可能な光
子検出器（７５）である請求項１に記載のデータ記憶ユ
ニット。 ５. その上にデータを有するデータ記憶エリア（４
５）を有するデータ記憶層（４２）を含むデータ記憶ユ
ニットにおいてデータを読み出すための方法であって、
記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）（４７）を配置するこ
と、光ビーム検出器（４３）から前記ＬＡＳＬ（４７）
と前記データ記憶層（４２）とに向けて光ビーム（４
６）を誘導すること、前記データ記憶層（４２）内の前
記データ記憶エリア（４５）の状態に応じて変化する量
だけ、前記データ記憶層（４２）を通過する光の一部を
フィルタリングすること、前記ビーム放出器（４３）か
ら前記ＬＡＳＬ（４７）に到達する光の量に応じて、前
記ＬＡＳＬ（４７）においてキャリア流を生成するこ
と、前記ＬＡＳＬ（４７）との間でキャリアが流動可能
である検出領域（４４／４７境界部）において、キャリ
ア輸送を測定すること、を含む方法。 ６. 前記ＬＡＳＬ（４７）はフォトダイオード層（４
４）とともにフォトダイオード（４１）を形成し、前記
検出領域は、前記ＬＡＳＬ（４７）と前記フォトダイオ
ード層（４４）との間の接合部（４４／４７境界部）で
ある請求項５に記載の方法。 ７. 前記ＬＡＳＬ（４７）は、その中に第１および第
２の電極（５６、５７）を有する光導伝体（５０）であ
り、前記検出領域（６４）は、前記第１の電極（５６）
と前記第２の電極（５７）との間のエリアである請求項
５に記載の方法。 ８. 前記ＬＡＳＬ（４７）はフォトルミネセンス層
（７４）であり、前記検出領域は、前記ＬＡＳＬと光通
信可能な光子検出器（７５）である請求項５に記載の方
法。 ９. その上にデータを格納するために少なくとも２つ
の状態を有するデータ記憶エリア（４５）を含むデータ
記憶層（４２）を有するデータ記憶ユニットであって、
前記記憶エリア（４５）の状態を判定するためのキャリ
アが生成される前記データ記憶層（４２）に隣接する層
（ＬＡＳＬ）（４７）を含むデータ記憶ユニット。 １０. その上にデータを格納するためのデータ記憶エ
リア（４５）を含むデータ記憶層（４２）を有するデー
タ記憶ユニットであって、少なくとも２つの状態の間で
変化することができる前記データ記憶エリア内に媒体を
含み、該媒体は、光フィルタリング特性に関して、前記
状態間で著しい差異を与えるための役割を果たすデータ
記憶ユニット。 【００７３】 【発明の効果】本発明によれば、高密度メモリ記憶素子
内の小型のデータセルを読み出すために、より多量のキ
ャリアを生成することができる技術、および光あるいは
電子から検出可能なキャリアにエネルギーを変換する効
率的な方法を実現することができる。さらに、データの
検出がより容易に行われるように高密度データを格納
し、かつ読み出すためのメモリ構造および方法を実現す
ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】読み取られるデータ記憶エリアの状態を検出す
るために半導体ダイオード接合部を利用するデータ記憶
素子の概略的な断面図である。 【図２】記憶層の下側に隣接する層構造を有する、本発
明のＬＡＳＬの原理を例示する概略的な断面図である。 【図３】記憶層の上側に隣接する層構造を有する、本発
明のＬＡＳＬの原理を例示する概略的な断面図である。 【図４】本発明の第１の好ましい実施形態による、半導
体ダイオード接合部およびＬＡＳＬ構成を利用するデー
タ記憶素子の概略的な断面図である。 【図５】本発明の別の好ましい実施形態による、光導電
性領域およびＬＡＳＬ構成を利用するデータ記憶素子の
概略的な断面図である。 【図６】本発明の別の好ましい実施形態による、フォト
ルミネセンス構造およびＬＡＳＬ構成を利用するデータ
記憶素子の概略的な断面図である。 【図７】本発明の１つの好ましい方法を示す流れ図であ
る。 【符号の説明】 ４０ データ記憶システム ４１ ダイオード ４２ データ記憶層 ４３ 光ビーム放出器 ４４ フォトダイオード層 ４５ データ記憶エリア ４６ 光のビーム ４７ データ記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ） ４８ 電圧源 ４９ 検出信号 ５０ 光導電体 ５６ 第1の電極 ５７ 第2の電極 ６４ 検出領域 ７４ フォトルミネセンス層 ７５ 光子検出器
るために半導体ダイオード接合部を利用するデータ記憶
素子の概略的な断面図である。 【図２】記憶層の下側に隣接する層構造を有する、本発
明のＬＡＳＬの原理を例示する概略的な断面図である。 【図３】記憶層の上側に隣接する層構造を有する、本発
明のＬＡＳＬの原理を例示する概略的な断面図である。 【図４】本発明の第１の好ましい実施形態による、半導
体ダイオード接合部およびＬＡＳＬ構成を利用するデー
タ記憶素子の概略的な断面図である。 【図５】本発明の別の好ましい実施形態による、光導電
性領域およびＬＡＳＬ構成を利用するデータ記憶素子の
概略的な断面図である。 【図６】本発明の別の好ましい実施形態による、フォト
ルミネセンス構造およびＬＡＳＬ構成を利用するデータ
記憶素子の概略的な断面図である。 【図７】本発明の１つの好ましい方法を示す流れ図であ
る。 【符号の説明】 ４０ データ記憶システム ４１ ダイオード ４２ データ記憶層 ４３ 光ビーム放出器 ４４ フォトダイオード層 ４５ データ記憶エリア ４６ 光のビーム ４７ データ記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ） ４８ 電圧源 ４９ 検出信号 ５０ 光導電体 ５６ 第1の電極 ５７ 第2の電極 ６４ 検出領域 ７４ フォトルミネセンス層 ７５ 光子検出器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 アリソン・チャイケン
アメリカ合衆国カリフォルニア州94539,
フレモント，エスパリト・アベニュー・47
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 データ記憶ユニットであって、 その上にデータを格納されたデータ記憶エリア（４５）
を有するデータ記憶層（４２）と、 前記データ記憶エリア（４５）から前記データを読み出
すために、前記データ記憶層（４２）に向けて光のビー
ム（４６）を選択的に誘導するための光ビーム放出器
（４３）であって、前記記憶層（４２）は前記光のビー
ム（４６）に対して部分的に透過性を有し、前記記憶エ
リア（４５）は前記記憶層（４２）を通過する光の量を
フィルタリングする、光ビーム放出器と、 前記データ記憶層（４２）に隣接する層（ＬＡＳＬ）
（４７）であって、前記ＬＡＳＬ（４７）に到達する光
の量に応じてキャリアが生成される、該隣接する層（Ｌ
ＡＳＬ）と、 前記ＬＡＳＬ（４７）との間でキャリアが流動可能であ
る検出領域（４４／４７境界部）であって、前記記憶エ
リア（４５）の状態を判定するために、前記検出領域内
のキャリア輸送が測定される、検出領域と、を含むデー
タ記憶ユニット。
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|---|---|---|---|
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| JP2002314176A Pending JP2003223789A (ja) | 2001-10-31 | 2002-10-29 | 記憶層に隣接する層を用いるデータ記憶媒体および方法 |
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