JP4678471B2 - 均衡が取れたデュアルエッジでトリガーされたデータビットシフトの回路および方法 - Google Patents
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Description
(技術分野)
本発明は、集積回路デバイスに関し、具体的には、メモリデバイスにおいて用いられるビットシフト回路および方法に関する。
【0002】
(発明の背景)
従来のコンピュータシステムは、従来、プロセッサ用の命令を格納する読出し専用メモリ(「ROM」)、およびプロセッサがデータを書き込み得、そしてデータを読み出し得るシステムメモリを含む、種々のメモリデバイスに結合されたプロセッサ(図示せず)を含む。プロセッサは、通常、スタティックランダムアクセスメモリ(「SRAM」)である外部キャッシュメモリとも通信し得る。プロセッサは、入力デバイス、出力デバイス、およびデータ格納デバイスとも通信する。
【0003】
プロセッサは通常、比較的高速で動作する。少なくとも400MHzのクロック速度で動作する、Pentium(R)およびPentium(R)IIマイクロプロセッサなどのプロセッサが現在利用可能である。しかし、既存のコンピュータシステムの残りのコンポーネントは、SRAMキャッシュメモリを除けば、プロセッサの速度で動作することが可能でない。この理由により、システムメモリデバイス、入力デバイス、出力デバイスおよびデータ格納デバイスは、プロセッサバスに直接結合されない。むしろ、システムメモリデバイスは通常、メモリコントローラ、バスブリッジまたは同様のデバイスを介してプロセッサバスに結合され、入力デバイス、出力デバイス、およびデータ格納デバイスは、バスブリッジを介してプロセッサバスに結合される。メモリコントローラにより、システムメモリデバイスが、プロセッサのクロック周波数より実質的に低いクロック周波数で動作することが可能になる。同様に、バスブリッジにより、入力デバイス、出力デバイス、およびデータ格納デバイスが、プロセッサのクロック周波数より実質的に低い周波数で動作することが可能になる。現在、例えば、300MHzのクロック周波数を有するプロセッサは、システムメモリデバイスおよび他のコンポーネントを制御する66MHzのクロック周波数を有するマザーボード上に取り付けられ得る。
【0004】
プロセッサにとって、システムメモリにアクセスすることは頻繁に行う動作である。例えば、300MHzで動作するプロセッサが、例えば、66MHzで動作するシステムメモリデバイスからデータを読み出したり、またはデータを書き込んだりするために必要な時間は、プロセッサがその動作を達成することが可能な速度を著しく遅くする。したがって、システムメモリデバイスの動作速度を速めるために多大な努力が払われてきた。
【0005】
システムメモリデバイスは通常、ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)である。初めは、DRAMは非同期であり、したがって、マザーボードのクロック速度でさえも動作しなかった。実際、非同期のDRAMへのアクセスは、待ち状態を生成して、DRAMがメモリ伝送を終了するまでプロセッサを停止することが必要であることが多い。しかし、非同期のDRAMの動作速度は、バーストおよびページモードDRAMなどの革新(これは、各メモリアクセスに対してアドレスをDRAMに提供することを必要としない)を経て速くすることに成功した。より近年には、マザーボードのクロック速度でパイプライン化されたデータ伝送を可能にする、同期のダイナミックランダムアクセスメモリ(「SDRAM」)が開発されてきた。しかし、SDRAMであっても通常、現在利用可能なプロセッサのクロック速度で動作することが不可能である。したがって、SDRAMをプロセッサバスに直接接続することは不可能であり、代わりに、SDRAMとプロセッサバスとの間に、メモリコントローラ、バスブリッジ、または同様のデバイスを介してインターフェースを取り付ける必要がある。プロセッサの動作速度とSDRAMの動作速度とのずれは、プロセッサがシステムメモリへのアクセスを必要とする動作を完了し得る速度を制限し続ける。
【0006】
この動作速度のずれに対する解決策として、SLDRAMメモリデバイスとして公知のパケット化されたメモリデバイスの形態が提案されてきた。SLDRAMアーキテクチャにおいて、システムメモリは、プロセッサバスを介して直接、またはメモリコントローラを介して、プロセッサに結合され得る。アドレス信号および制御信号を別個にシステムメモリに提供することを必要とせず、SLDRAMメモリデバイスは、制御情報およびアドレス情報の両方を含むコマンドパケットを受信する。次いで、SLDRAMメモリデバイスは、プロセッサバスのデータバス部分に直接結合され得るデータバス上でデータを出力または受信する。
【0007】
このようなSLDRAMメモリデバイスの一例は、図1に知られる。メモリデバイス30は、コマンドクロック信号CMDCLKを受信し、そして内部クロック信号ICLK、および多数の他のクロック信号、およびメモリデバイス30における種々の動作のタイミングを制御するタイミング信号を生成する、クロック生成回路40を含む。メモリデバイス30は、コマンドバッファ46およびアドレス取り込み回路48(これは、内部クロック信号ICLKを受信する)、10ビットのコマンドバス50上のコマンドパケットCA0〜CA9、およびライン52上のFLAG信号も含む。メモリコントローラ(図示せず)または他のデバイスは通常、コマンドクロック信号CMDCLKと同期を取って、コマンドパケットCA0〜CA9をメモリデバイス30に伝達する。上述したように、コマンドパケット(これは通常、4つの10ビットのパケットワードを含む)は、各メモリ伝送用に制御情報およびアドレス情報を含む。FLAG信号は、コマンドパケットの開始を識別し、さらに、初期化シーケンスの開始を合図する。コマンドバッファ46は、バス50からコマンドパケットを受信し、コマンドパケットの少なくとも一部とIDレジスタ56からの識別データとを比較して、コマンドパケットがメモリデバイス30に向けられているか、または他の所定のメモリデバイス(図示せず)に向けられているかを判定する。コマンドバッファ46が、コマンドパケットがメモリデバイス30に向けられていると判定すると、コマンドバッファ46はコマンドデコーダおよびシーケンサ60にコマンドワードを提供する。コマンドデコーダおよびシーケンサ60は、多数の内部制御信号を生成して、メモリ伝送の間にメモリデバイス30の動作を制御する。
【0008】
アドレス取り込み回路48はさらに、コマンドバス50からコマンドワードを受信して、コマンドパケット内のアドレス情報に対応する20ビットのアドレスを出力する。アドレスはアドレスシーケンサ64に提供される。アドレスシーケンサ64は、バス66上で対応する3ビットのバンクアドレス、バス68上で10ビットのロウアドレス、およびバス70上で7ビットのカラムアドレスを生成する。カラムアドレスおよびロウアドレスは、以下に説明するように、カラムアドレスパス73およびロウアドレスパス75によって処理される。
【0009】
従来のDRAMの問題のうちの一つは、DRAMアレイ内の回路部をプレチャージし、平衡にするために必要な時間に起因して、その速度が比較的遅いことである。図1に示すパケット化されたDRAM30は、複数のメモリバンク80、この場合、8つのメモリバンク80a〜hを用いることによって、この問題を著しく回避する。1つのバンク80aから読み出しの後、バンク80aは、残りのバンク80b〜hがアクセスされている間に、プレチャージされ得る。メモリバンク80a〜hはそれぞれ、各ロウのラッチ/デコーダ/ドライバ82a〜hからロウアドレスを受信する。ロウのラッチ/デコーダ/ドライバ82a〜hはすべて、プレデコーダ84から同じロウアドレスを受信する。代わって、プレデコーダ84は、マルチプレクサ90によって決定された、ロウアドレスレジスタ86、冗長ロウ回路87、またはリフレッシュカウンタ88のいずれかからロウアドレスを受信する。しかし、バンクアドレスレジスタ96からのバンクアドレスの機能として、バンク制御論理94によって決定された、ロウのラッチ/デコーダ/ドライバ82a〜hのうちの1つのみが、任意のある時間にアクティブである。
【0010】
バス70上のカラムアドレスは、カラムのラッチ/デコーダ100に付与される。カラムのラッチ/デコーダ100は、I/Oゲート信号をI/Oゲート回路102に供給する。I/Oゲート回路102は、センス増幅器104を介してメモリバンク80a〜hのカラムとインターフェースで繋がれる。データは、センス増幅器104およびI/Oゲート回路102およびデータパスサブシステム108を介して、メモリバンク80a〜hにか、またはメモリバンク80a〜hから結合される。データパスサブシステム108は、読み出しデータパス110および書き込みデータパス112を含む。読み出しデータパス110は、I/Oゲート回路102からのデータを格納する読み出しラッチ120を含む。図3に示すメモリデバイス30において、64ビットのデータが読み出しラッチ120に格納される。次いで、読み出しラッチ120は、4つの16ビットのデータワードを出力マルチプレクサ122に提供する。出力マルチプレクサ122は順次、16ビットのデータワードのそれぞれを読み出しFIFOバッファ124に供給する。連続する16ビットのデータワードは、クロック生成器40によって生成されたクロック信号DCLKによって読み出しFIFOバッファ124にクロック書き込みされる。次いで、16ビットのデータワードは、読み出しFIFOバッファ124からクロック信号RCLKによってクロック読み出しされる。クロック信号RCLKは、プログラム可能遅延回路126を介してDCLK信号を結合することによって得られる。読み出しFIFOバッファ124は順次、RCLK信号と同期で16ビットのデータワードをドライバ回路128に付与する。次いで、ドライバ回路は、16ビットのデータワードをデータバス130に付与する。ドライバ回路128はさらに、データクロック信号DCLKをクロックライン132に付与する。DCLK信号がDCLK信号に対して最適位相を有するため、DCLK信号が読み出しデータをメモリコントローラ(図示せず)、プロセッサ、または他のデバイスにクロックするように、プログラム可能遅延回路126は、メモリデバイスの初期化の間にプログラムされる。
【0011】
書き込みデータパス112は、データバス130に結合されたバッファ受信機(receiver buffer)140を含む。バッファ受信機140は順次、データバス130から4つの入力レジスタ142に16ビットのワードを付与する。4つの入力レジスタ142はそれぞれ、クロック生成回路144からの信号によって選択的にイネーブルにされる。クロック生成回路は、データクロックDCLKに応答してこれらのイネーブル信号を生成する。イネーブル信号は、書き込み動作に関して、メモリ制御器、プロセッサ、または他のデバイスからライン132上でメモリデバイス30に付与される。コマンドクロック信号CMDCLKおよびコマンドパケットCA0〜CA9と同様、メモリ制御器または他のデバイス(図示せず)は通常、データクロック信号DCLKと同期で、データをメモリデバイス30に伝達する。入力レジスタが適切な時間に書き込みデータを取り込み得るように、クロック生成器144は、初期化の間に、クロック信号がDCLK信号に対して入力レジスタ142に付与されるタイミングを調整するようにプログラムされる。したがって、入力レジスタ142は順次、4つの16ビットのデータワードを格納して、これらを組み合わせて1つの64ビットのデータワードにする。このデータワードは書き込みFIFOバッファ148に付与される。データは、クロック生成器144からクロック信号によって書き込みFIFOバッファ148にクロック書き込みされ、データは、内部書き込みクロックWCLK信号によって書き込みFIFOバッファ148からクロック読み出される。WCLK信号はクロック生成器40によって生成される。64ビットの書き込みデータは、書き込みラッチおよびドライバ150に付与される。書き込みラッチおよびドライバ150は、I/Oゲート回路102およびセンス増幅器104を介して、メモリバンク80a〜hのうちの1つに64ビット書き込みデータを付与する。
【0012】
図2のブロック図により詳細に、コマンドバッファ46を示す。図2を参照して、複数のパケットワードからなるコマンドパケットは、コマンドバス50を介してシフトレジスタ172に付与される。シフトレジスタ172は順次、クロック信号CLKに応答してパケットワードを受信する。シフトレジスタ172はN個のステージを有する。N個のステージはそれぞれMビットの幅を有する。したがって、各コマンドワードはM*Nビットであり得る。M*Nビットのコマンドワードがシフトレジスタ172にシフトした後、制御回路174はLOAD信号を生成する。LOAD信号は格納レジスタ178に付与される。次いで、格納レジスタ178はシフトレジスタ172内に格納されたデータをすべてロードする。
【0013】
格納レジスタ178がロードされた後、格納レジスタ178は、M*Nビットのコマンドワードを、デコーダ180、IDレジスタ182、および比較回路184に連続して出力する。格納レジスタ178はさらにバス190上にコマンドワードを出力し、比較回路はCHPSEL信号を生成する。以下に説明するように、CHPSEL信号は、ハイ(high)でアクティブである場合、コマンドバッファ46を含むメモリデバイス30に、バス190上でコマンドワードに対応する機能を実行させる。
【0014】
デコーダ180、IDレジスタ182、および比較器184の機能は、コマンドワードを調査して、コマンドワードがコマンドバッファ46を含むメモリデバイス30に向けられているか否かを決定する。コマンドワードがメモリデバイス30向けである場合、比較器184はアクティブなCHPSEL信号を生成する。CHPSEL信号は、メモリデバイス30に、バス190上でコマンドワードに対応する動作を実行させる。顕著に、メモリデバイス30がこのコマンドを実行している場合、次のパケットワードがシフトレジスタ172にシフトされる。したがって、コマンドバッファ46を含むメモリデバイス30は、継続的にコマンドワードを受信および処理することが可能である。
【0015】
コマンドバッファ46の必要な部分は特許請求する本発明において本質的なものでは幾分ないため、説明を簡潔にするためにこれは図2から省略されていることに留意されたい。例えば、コマンドバッファ46は、格納レジスタ178から出力されたコマンドワードをパイプライン化する回路部、コマンドワードからより低いレベルのコマンド信号を生成する回路部などを含む。
【0016】
コマンドバッファ46がコマンドパケットを受信および提供し得る最大速度を制限する1つの考慮は、シフトレジスタ172内に含まれる複数のシフトレジスタがデータをシフトし得る速度である。従来のシフトレジスタは通常、シフト動作を制御するフリップフロップおよびゲートからなる。従来のシフトレジスタは、クロックパルスに応答してデータをシフトし、クロック信号の速度に限定されたスループットを有する。クロック速度を上げると、シフトレジスタのスループットが上がる。しかし、このアプローチは、他のメモリ回路(これもクロック信号によって動作する)に対して、従来のシフトレジスタのスループットを上げない。
【0017】
スループットを上げる一つのアプローチは、クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの両方に基づいてデータをシフトするシフトレジスタを用いることである。結果は、1つのクロックエッジまたは1つのクロックパルスのみに応答してデータをシフトする従来のシフトレジスタのスループットの2倍で実質的にデータをシフトし得るデュアルエッジシフトレジスタである。
【0018】
デュアルエッジシフトレジスタは通常、シフトの動作およびラッチの動作をより高速で実行する一連のクロック信号を必要とする。例えば、クロック信号の非相補バージョンおよび相補バージョンの両方をデュアルエッジシフトレジスタに提供して、シフトレジスタ内でデータを交互にシフトおよびラッチすることが必要であり得る。しかし、デュアルエッジシフトレジスタがシフトの動作およびラッチの動作を実際に実行し得る最大速度は、シフトレジスタを用いて生成されるクロック相補信号の質(すなわち、対称性)によって制限され得る。
【0019】
一連の非相補クロック信号および相補クロック信号を生成する従来の方法は、否定回路を介して非相補クロック信号を反転することに関与する。否定回路の出力は、デュアルエッジシフトレジスタに提供される相補クロック信号である。しかし、相補クロック信号をこのような様態で生成すると、結果生じる相補クロック信号は、否定回路の伝播の遅延により、元の非相補クロック信号から歪む。幾つかの例において、相補クロック信号は、50ピコ秒も歪み得る。
【0020】
非相補クロック信号および歪んだ相補クロック信号をデュアルエッジシフトレジスタに付与すると、シフトの動作およびラッチの動作のデューティサイクルが不均衡になる。したがって、クロック速度が上がると、シフトレジスタのシフトミスの可能性またはラッチデータが誤差を有する可能性も高くなる。非相補クロック信号と相補クロック信号との間の時間遅延が現在のクロック速度で許容可能であり得るが、時間遅延は次世代のより高速のメモリシステムに対して問題を提示し得る。不均衡なシフトレジスタに関連付けられたこれらの問題は、システムメモリエラーとしてそれ自体顕著である。したがって、スループットが高く、デューティサイクルが均衡なビットシフト回路が必要である。
【0021】
(発明の要旨)
デューティサイクルの均衡がより取れている、シフトの動作を有するビットシフト回路は、クロック回路およびシフトレジスタの両方を含む。上記クロック回路は、2つの入力クロック信号から2組の相補クロック信号を生成する。各組の非反転および反転クロック信号のクロック移行は、歪みが小さい、または位置が合わされたクロックエッジを有する。上記2組の相補クロック信号はシフトレジスタに提供される。上記シフトレジスタは、上記相補クロック信号に応答して、入力端子に付与されたデータビットをシフトし、出力端子に付与された上記データビットをシフトする。
【0022】
上記シフトレジスタは、1組の相補クロック信号の上記クロック移行の際に、入力端子からの上記データビットをシフトおよびラッチする、少なくとも1つのシフトレジスタのステージを含む。次いで、上記シフトレジスタのステージは、他方の組の相補クロック信号の上記クロック移行の際に、出力端子において上記データビットをシフトおよびラッチする。上記シフトレジスタのステージは、2つのラッチのステージを含み、各ラッチのステージは、ラッチ回路に結合された出力を有するインバータを有する。各ラッチのステージの上記インバータは、スイッチング機構を介して電圧供給端子および接地端子それぞれに結合することによって、交互にイネーブルにされ、これにより、あるラッチ回路から他方のラッチ回路に上記データビットがシフトされる。上記スイッチング機構は、上記クロック回路によって生成された上記2組の相補クロック信号の論理状態に基づいて導電性となる。
【0023】
(発明の詳細な説明)
図3は、本発明の原理によるビットシフト回路200の一実施形態を示す。ビットシフト回路200をシフトレジスタ172のステージと置換してもよい(図2)。図3に示すように、ビットシフト回路200は、エッジの位置が合わせられたクロック回路206およびシフトレジスタ208を組み合わせて形成される。エッジの位置が合わせられたクロック回路206は、入力端子202においてクロック信号CLKを受信し、入力端子204においてクロック信号CLKに対して直交したCLK90を受信する。CLKクロック信号およびCLK90クロック信号の両方が、メモリデバイス内のあらゆるところでクロック生成回路(図示せず)によって生成される。エッジの位置が合わせられたクロック回路206は、エッジの位置が合わせられた、非相補クロック信号CBおよび相補クロック信号CN、ならびにCLK信号およびCLK90信号から、非相補クロック信号CBに対して直交した非相補クロック信号C90Bおよび相補クロック信号CNに対して直交した相補クロック信号C90Nをそれぞれ生成する。「エッジの位置が合わせられた」は、本明細書において、生成された非相補クロック信号および相補クロック信号のクロック移行間の歪みが比較的小さいことと定義する。例えば、CBクロック信号の立ち上がりエッジは、CNクロック信号の立ち下がりエッジと実質的に位置が合わせられる。エッジの位置が合わせられたクロック回路206がいかにエッジの位置が合わせられた相補クロック信号を生成するかに関するより詳細な説明を以下に提供する。
【0024】
シフトレジスタ208は、入力クロック端子210、212、214および216それぞれにおいて、CB、CN、C90B、C90Nのクロック信号を受信する。シフトレジスタ208は、シリアルデータ入力端子218においてDATA信号も受信する。DATA信号は通常、コマンドバッファ46(図1)に付与される一連のパケットワードのそれぞれにおけるビットなど、データビットのシリアルストリームである。シフトレジスタ208は、CB、CNおよびC90B、C90Nのクロック信号、ならびにDATA信号を受信するように結合された、少なくとも1つのシフトレジスタのステージ224aを含む。しかし、シフトレジスタ208は、ビットシフト回路200の用途に応じて、任意の数のシフトレジスタのステージを含み得る。例えば、図2を参照して、シフトレジスタ172に適した代替物は、N個のシフトレジスタのステージを必要とする。さらなるシフトレジスタのステージは、図3においてシフトレジスタのステージ224b〜cによって表される。但し、シフトレジスタのステージ224cはシフトレジスタ208における最後のステージを表す。各シフトレジスタのステージ224a〜cは、CB、CNおよびC90B、C90Nのクロック信号を受信するように結合され、データビット(これは、入力端子Sから出力端子Dにシフトされる)を受信するように結合される。幾つかのシフトレジスタのステージを直列に接続することによって、シリアルデータ入力端子218に付与されるデータビットは、CB、CN、C90B、C90Nのクロック信号に応答して、各連続したシフトレジスタのステージ224a〜cを介して、出力端子232にシフトされ得る。
【0025】
ビットシフト回路200の動作に必須ではないが、シフトレジスタ208は、各シフトレジスタのステージ224a〜cの出力端子Dに結合された並列の出力端子230a〜cも含み得る。ビットシフト回路200にビットごとにシフトされたマルチビットのワードを抽出する、並列の出力端子230a〜cは、メモリデバイス内の他の回路(図示せず)に結合され得る。例えば、N個のシフトレジスタのステージを有するビットシフト回路200を、メモリデバイス30のコマンドバッファ46(図1)内で用いてもよい。コマンドバッファ内でのシフトレジスタまたはビットシフト回路の使用は、1998年6月25日に出願されたManningの米国特許第09/104,423号にさらに記載されている。本明細書において同文献を参考として援用する。
【0026】
シフトレジスタ208と共にエッジの位置が合わせられたクロック回路206は、より対称的で均衡が取れたデューティサイクルを有するビットシフト回路200を提供することによって、従来のシフトレジスタに関連付けられた上述の問題を克服する。クロック回路206によって生成された、エッジの位置が合わせられたCB、CNおよびC90B、C90Nのクロック信号は、シフトレジスタのステージ224a〜cをイネーブルにして、より均衡の取れた様態でシフトの動作およびラッチの動作を実行する。したがって、シフトレジスタのステージ224a〜cがデータビットをシフトミスして、メモリシステムのエラーが生じる可能性が減少する。上述したように、メモリシステムのクロック速度が上がると、より均衡が取れたビットシフト回路の必要性がより重要になる。
【0027】
エッジの位置が合わせられたクロック回路206として用いられ得るエッジの位置が合わせられたクロック回路240の一実施形態を図4により詳細に示す。エッジの位置が合わせられたクロック回路240は、2つのエッジの位置が合わせられたクロック生成器250および252を含む。クロック生成器250および252は、比較的歪みのないクロック移行を有する、エッジの位置が合わせられた非相補クロック信号および相補クロック信号を生成する。エッジの位置が合わせられたクロック生成器250、252は、1998年12月22日にKeethに対して発行された米国特許第5,852,378号に記載される歪みが小さい、一重のエンドの差動信号コンバータ(low−skew single−ended−to−differential signal converter)に類似する。本明細書において同文献を参考として援用する。
【0028】
クロック生成器250に関して、クロック生成器250は、2つの直列に接続されたインバータ256a、258aを有し、それぞれは、従来の伝送ゲート260a、262a、264a、および266aの相補制御端子に結合された出力を有する。伝送ゲート260a、262a、264aおよび266aは、従来の伝送ゲート回路であり、伝送ゲートの入力端子と出力端子との間にPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを並列に結合することによって実施され得る。伝送ゲート260aおよび266aは電圧供給端子に結合された入力端子を有し、伝送ゲート262aおよび264aは接地端子に結合された入力端子を有する。インバータおよびインバータ256a、258aの2回反転されたクロック信号は、電圧供給端子または接地端子にノード270aおよび272aを一方ずつ結合するように、伝送ゲート260a、262a、264aおよび266aを調整する。したがって、CLK信号が前後になる場合、ノード270aおよび272aの電圧も変化する。
【0029】
インバータ258aの出力信号がインバータ256aの出力信号に対して遅延していても、非相補クロック信号CBおよび相補クロック信号CNが位置が合わせられたクロックのエッジを有するように、インバータ276aおよび278aはバッファとして作動する。インバータ258aの出力に結合された制御端子は、制御端子がインバータ256aの出力に結合されるとすぐに結果生じるクロック信号を受信するわけではない。しかし、最初に到着するインバータ256aの出力信号によるノード270aおよび272aの電圧の小さい変化は、インバータ276aおよび278aそれぞれをトリガーするには十分ではない。インバータ276aおよび278aは、インバータ258aが出力信号を生成するまでトリガーしない。コンデンサ280aおよび282aはそれぞれ、インバータ276aおよび278aの出力と接地との間に結合されて、ノード270aおよび272aにおける変化電圧(changing voltage)から任意のさらなるスイッチングノイズをフィルタリングし得る。
【0030】
クロック生成器252は、クロック生成器250に関して上述した様態と同じ様態で構築され、そして動作する。しかし、クロック生成器252は、入力クロック信号CLK90(これはCLK信号に直交する信号である)を受信し、非相補のエッジの位置が合わせられたクロック信号C90Bおよび相補のエッジの位置が合わせられたクロック信号C90Nを生成する。図6に示すのは、エッジの位置が合わせられたクロック回路240によって生成されたCB、CN、C90BおよびC90Nの信号のタイミングの図である。これらの信号はシフトレジスタ208に付与されて、シフトレジスタ208を介したデータビットのシフトを調整する。
【0031】
図5は、シフトレジスタ208の各シフトレジスタのステージ224a〜c(図3)に用いられ得るシフトレジスタのステージ284の一実施形態を示す。シフトレジスタのステージ284は、入力端子Sにおけるデータビットを2つのラッチステージ290および292を介して出力端子Dにシフトする。ラッチステージ290、292はそれぞれ、エッジの位置が合わせられたクロック回路206によって生成されたCB、CN、C90BおよびC90Nの信号の組み合わせを受信すると、データビットをラッチ回路にシフトする。
【0032】
ラッチステージ290は、データビットを受信するように結合された入力端子S、およびラッチ回路296に結合された出力を有するCMOSインバータ294を含む。PMOSトランジスタ300のソースは、2対の直列に接続されたPMOSトランジスタ304、306および308、310を介して、電圧供給端子に結合される。NMOSトランジスタ302のソースは、2対の直列に接続されたNMOSトランジスタ312、314および316、318を介して、接地端子に結合される。図5に示すように、CMOSインバータ294の入力端子Sにおけるデータビットは、CMOSインバータが電圧供給端子および接地端子の両方に結合された場合に、ラッチ回路296によってラッチされる。これは、C90N信号およびCN信号がロー(low)であり、かつ、CB信号およびC90B信号がハイ(high)である場合、あるいは、C90N信号およびCN信号がローで、かつ、C90B信号およびCB信号がハイである場合のみ起こる。
【0033】
ラッチステージ292は、ラッチ回路296の出力に結合された入力端子、およびラッチ回路322に結合された出力端子を有するCMOSインバータ320を有する。PMOSトランジスタのドレイン324およびNMOSトランジスタのドレイン326は、CMOSインバータ294に類似した構成を介して、電圧供給端子および接地端子に結合される。すなわち、PMOSトランジスタ328、330および332、334は、PMOSトランジスタ324のソースに結合され、NMOSトランジスタ336、338および340、342はNMOSトランジスタ326のソースに結合される。図5に示すように、ラッチ回路296によってラッチされたデータビットは、C90N信号およびCB信号がローであり、かつ、CN信号およびC90B信号がハイである場合、あるいは、C90B信号およびCN信号がローで、かつ、C90N信号およびCB信号がハイである場合に、ラッチ回路322にシフトされる。
【0034】
インバータ350および352は、ラッチ回路322の出力に直列で結合される。インバータの出力は、シフトレジスタ208の出力端子Dである。インバータ350および352は、ラッチ回路322の出力に対してバッファとして作動し、入力データビットの真のバージョンが出力端子Dにおいて提供されるように、シフトされたデータを反転する。
【0035】
エッジの位置が合わせられたクロック回路106の協働したシフトレジスタのステージ284の動作を図6に関して説明する。図6に示すように、インバータ294および320はCLKクロック信号の各サイクルごとに交互に2回起動され、所与の回にはインバータは1つのみ起動される。したがって、インバータ294および320が引き続いて起動されるごとに、データビットはシフトレジスタのステージ284を介してシフトされる。または、同様に、2つのデータビットは、CLK信号の各サイクルごとに、シフトレジスタのステージ284を介してシフトされ得る。
【0036】
例えば、CLK信号のある期間は、時間t0〜t3によって規定される。時間t0において、インバータ294が起動され、入力端子Sにおける第1(ロー)のデータビットがラッチ回路296によってラッチされる。時間t1において、ラッチ回路296の第1のデータビットがラッチ回路322にシフトされ得るように、インバータ294が停止され、インバータ320が同時に起動される。時間t1に続く固定時間(図6に図示せず)の後、インバータ350および352の伝播遅延に起因して、第1のデータビットは出力端子Dにおいて現れる。時間t2において、インバータ320が停止され、インバータ294が再度起動される。入力端子Sにおける第2(ハイ)のデータビットがラッチ回路296によってラッチされる。時間t3において、インバータ294が停止され、インバータ320が起動される。したがって、ラッチ回路296によってラッチされた第2のデータビットはここで、ラッチ回路322にシフトされる。この後即、第2のデータビットは出力端子Dに現れる。2つのデータビットがCLK信号の各サイクルの間、シフトレジスタのステージ284を介してシフトされるように、時間t0〜t3によって規定されるクロック期間は繰り返す。上述したように、幾つかのシフトレジスタのステージ182は、マルチビットシフトレジスタを形成するように直列で接続され得、データビットは、CB、CN、C90BおよびC90Nに応答して、各続くシフトレジスタのステージを介してシフトされる。
【0037】
直列トランジスタの対の個々のトランジスタがONにされる順序は重要ではないが、電圧供給または接地端子に結合されたトランジスタが最初にONにされた様態で各クロック信号を接続することによって、幾つかの利点が得られ得る。例えば、トランジスタ306および316をONにする前にトランジスタ304および318をONにすると、スイッチング時間がより速いCMOSインバータ294が得られ得る。しかし、当業者であれば、どのトランジスタが最初にONに入れられるかに関わらず、シフトレジスタのステージ284が機能することを理解する。
【0038】
ビットシフト回路200の別の実施形態は、図4に示す、エッジの位置が合わせられたクロック回路240を有し、1998年6月25日に出願されたManningに対する米国特許第09/104,423号に記載される、クロック回路の出力端子に結合された、エッジの位置が合わせられたクロック回路206を含む。結果的にクロック回路206は、上述の文献に記載されるシフトレジスタのステージを含むシフトレジスタ208に結合される。上述の文献に記載されるように、エッジの位置が合わせられたクロック回路240を、2つの対の直列インバータの代わりに、クロック回路のNANDゲートおよびNORゲートの出力に結合すると、より均衡が取れた様態でシフトの動作およびラッチの動作を実行するビットシフト回路200が得られる。上述の文献は本明細書において上に援用しており、したがって、同文献に記載されるクロック回路およびシフトレジスタのステージの詳細な説明を、説明を簡潔にするために省く。
【0039】
M個のシフトレジスタ208(図1)が並列に結合される用途において、当業者であれば、エッジの位置が合わせられたクロック回路206はシフトレジスタ208それぞれに必ずしも必要ではないことを理解する。1つのクロック回路206によって生成されたCB、CN、C90BおよびC90Nのクロック信号がM個のシフトレジスタ208のそれぞれに結合された場合に、1つのエッジの位置が合わせられたクロック回路206が用いられ得る。上述したような用途の一例は、Mビット幅のコマンドワードを受信するコマンドバッファである。
【0040】
図7に示すのは、ビットシフト回路200の実施形態を含み、そして図1のコマンドバッファ46に置換され得るコマンドバッファ370の一部である。図7を参照して、コマンドバッファ370は、複数のパケットワードからなるコマンドパケットCAを受信する。パケットワードは、コマンドバス374を介してシフトレジスタ372に付与される。シフトレジスタ372は、図3に示すビットシフト回路を含む。バス374の幅Mはシフトレジスタ372のサイズに対応し、コマンドパケット内のパケットワードの数Nは、シフトレジスタ372のステージ数の約数に対応する。図7に示すシフトレジスタ372は、コマンドパケット内にあるステージ数の半分のステージ(すなわち、パケットワードが4つあるため2つのシフトステージ)を有する。したがって、シフトレジスタ372は、クロック信号CLKに応答して、2つの20ビットのパケットワードからなる2つのグループを順次受信する。4つのワードコマンドのパケットの開始と同時に、FLAG信号は、シフトレジスタ372と共にCLK信号によってクロック読み出しされる制御回路375に付与される。
【0041】
2つのパケットワードがシフトレジスタ372にシフトされた後、制御回路375は、第1の格納レジスタ376に付与されるLOAD1の信号を生成する。次いで、シフトレジスタ372からの最初の2つのパケットワードが第1の格納レジスタ376にロードされる。さらに2つのパケットワードがシフトレジスタ372にシフトされた後、制御回路375は第2の格納レジスタ378に付与されるLOAD2の信号を生成する。次いで、シフトレジスタ372からの残りの2つのパケットワードは、第2の格納レジスタ376にロードされる。次いで、第1の格納レジスタ376および第2の格納レジスタ378は、コマンドバス390上に40ビットのコマンドワードY<39:0>を一括して出力する。
【0042】
コマンドバス390上のコマンドワードY<39:0>は、本発明の一実施形態による、カラムコマンド装置(「CCU」)398およびロウコマンド装置(「RCU」)396を含むコマンド装置394に付与される。RCU396はロウアドレスおよびロウコマンドの処理を担い、CCU398はカラムアドレスおよびカラムコマンドの処理を担う。
【0043】
CCU398は、カラムアドレスおよびバンクアドレスをカラムアドレスバス400に、ハイレベルコマンドをコマンド実行装置402に、そしてタイミング信号を直列のシフトレジスタ404a〜nによって形成されたシーケンサ403に出力する。シフトレジスタ404は、図3に示すビットシフト回路200を含む。シフトレジスタ404は、CCU398からのコマンド信号に応答して、コマンド実行装置402によって発行されたカラムコマンドのタイミングを制御する。
【0044】
コマンドバッファ370の構造および動作は、1997年12月19日に出願されたManningに対する米国特許出願第08/994,461号により詳細に記載されている。同文献を本明細書において参考として援用する。
【0045】
図8はコンピュータシステム410のブロック図である。コンピュータシステム410は、図3に示すビットシフト回路に類似したビットシフト回路200を含むメモリデバイス416a〜cを含む。コンピュータシステム410は、メモリ制御器418を介して3つのSLDRAMのパケット化されたダイナミックランダムアクセスメモリデバイス416a〜cに結合された、プロセッサバス414を有するプロセッサ412を含む。コンピュータシステム410はまた、プロセッサバス414、バスブリッジ422および拡張バス424(例えば、業界標準アーキテクチャ(「ISA」)バスまたは周辺部品相互接続(規格)(PCI)バス)を介してプロセッサ412に結合された、キーパッドまたはマウスなどの1つ以上の入力デバイス420も含む。入力デバイス420により、オペレータまたは電子デバイスが、データをコンピュータシステム410に入力することが可能になる。1つ以上の出力デバイス430はプロセッサ412に結合されて、プロセッサ412によって生成されたデータを表示または出力する。出力デバイス430は、拡張バス424、バスブリッジ422およびプロセッサバス414を介してプロセッサ412に結合される。出力デバイス424の例は、プリンタおよびビデオ表示装置を含む。1つ以上のデータ格納デバイス438は、プロセッサバス414、バスブリッジ422および拡張バス424を介してプロセッサ412に結合されて、これにより格納媒体(図示せず)にデータを格納するか、格納媒体からデータを取り出す。格納デバイス438および格納媒体の例は、固定したディスクドライブのフロッピー(R)ディスクドライブ、テープカセットおよびコンパクトディスクの読出し専用メモリドライブを含む。
【0046】
動作の間に、プロセッサ412は、メモリ制御器418を介してメモリデバイス416a〜cと通信する。メモリ制御器418は、制御情報およびアドレス情報の両方を含むメモリデバイス416a〜cのコマンドパケットを送信する。データは、プロセッサ412とメモリデバイス416a〜cとの間で、メモリ制御器418およびプロセッサバス414を介して結合される。すべてのメモリデバイス416a〜cがメモリ制御器418と同じコンダクタに結合されるが、1つのメモリデバイス416a〜cのみが一度にデータを読み出すかまたは書き込むため、バス接続が回避される。バス接続は、一意的な識別子を有するメモリデバイス416a〜cのそれぞれ、およびこれらのコンポーネントのうちの1つのみを選択する識別コードを含むコマンドパケットによって回避される。
【0047】
コンピュータシステム410は、複数の他のコンポーネントおよび信号ラインも含むが、説明を簡潔にするために図8からは省いてある。例えば、以下に説明するように、メモリデバイス416a〜cはさらに、内部タイミング信号を提供するコマンドクロック信号、メモリデバイス416にデータをクロック書き込みするデータクロック信号、およびコマンドパケットの開始を示すFLAG信号を受信する。
【0048】
上述の説明から、本明細書において本発明の特定の実施形態を例示を目的として記載してきたが、本発明の意図および範囲から逸脱せずに種々の改変を行い得ることが理解される。例えば、図5に示すように、ラッチステージ290は、CNおよびC90Nがローであり、かつ、CBおよびC90Bがハイである場合、またはCNおよびC90Nがハイであり、かつ、CBおよびC90Bがローである場合に起動され、ラッチステージ292は、CBおよびC90Nがローであり、かつ、CNおよびC90Bがハイである場合、またはCBおよびC90Nがローであり、かつ、CNおよびC90Bがハイである場合に起動される。しかし、ラッチステージ290および282を起動する組み合わせが切替えられるように、直列に接続されたPMOSトランジスタとNMOSトランジスタのゲートに付与されるCN、CB、C90BおよびC90Nの信号の組み合わせを変更してもよい。したがって、本発明は上掲の特許請求の範囲によってを除いては限定されない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、SLDRAMメモリデバイスのブロック図である。
【図2】 図2は、図1のメモリデバイスで使用可能なコマンドバッファのブロック図である。
【図3】 図3は、本発明の一実施形態によるビットシフト回路のブロック図である。
【図4】 図4は、本発明の一実施形態による、エッジの位置が合わされたクロック回路の模式図である。
【図5】 図5は、本発明の一実施形態による、シフトレジスタの模式図である。
【図6】 図6は、図3のビットシフト回路内にあるクロック信号を示すタイミング図である。
【図7】 図7は、図3のビットシフト回路を含む、図1のメモリデバイス内で使用可能なコマンドバッファのブロック図である。
【図8】 図8は、図3のビットシフト回路を有するメモリデバイスを含むコンピュータシステムのブロック図である。
Claims (41)
- デュアルエッジでトリガーされたビットシフト回路であって、
第1のクロック信号を受信するように結合された第1のクロック回路、および第2のクロック信号を受信するように結合された第2のクロック回路を有するクロック生成器であって、各クロック回路は、非相補クロック信号を提供する第1の出力端子および相補クロック信号を提供する第2の出力端子を有し、各クロック回路は、各クロック回路によって受信された各クロック信号の第1および第2の状態に応答して、該第1の出力端子を第1および第2の基準電圧に交互に結合する第1のスイッチをさらに有し、各クロック回路によって受信された各クロック信号の該第1および該第2の状態に応答して、該第2の出力端子を該第2および該第1の基準電圧に交互に結合する第2のスイッチをさらに有する、クロック生成器と、
該第1および該第2のクロック回路の該出力端子に結合されたシフトレジスタであって、第1の所定の関係を有する該第1および該第2のクロック信号に応答して入力ビットを受信するように結合された入力端子、および第2の所定の関係を有する該第1および該第2のクロック信号に応答して出力ビットを提供する出力端子をさらに有し、該シフトレジスタは、該第1のクロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して該出力端子において新しい出力ビットを提供する、シフトレジスタと
を含む、デュアルエッジでトリガーされたビットシフト回路。 - 前記シフトレジスタは、該シフトレジスタの前記入力端子と前記出力端子との間で直列に結合された複数のシフトレジスタのステージを含み、各シフトレジスタのステージは、入力端子および出力端子を有し、前記第1のクロック回路からの前記非相補クロック信号および前記相補クロック信号と前記第2のクロック回路からの前記非相補クロック信号および前記相補クロック信号に応答して、該入力端子から該出力端子に該入力ビットをシフトするように適合された、請求項1に記載のビットシフト回路。
- 各シフトレジスタのステージは、
データビットを受信するように結合された第1のラッチステージであって、該第1のラッチステージは、第1の所定の論理関係を有する前記第1の非相補クロック信号および前記第2の相補クロック信号に応答して、該データビットをラッチする、第1のラッチステージと、
該第1のラッチステージから該データビットを受信するように結合された第2のラッチステージであって、該第2のラッチステージは、第2の所定の論理関係を有する該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号に応答して、該データビットをラッチする、第2のラッチステージと
を含み、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号の該所定の論理関係が変化する場合に、該データビットが該第1のラッチステージから該第2のラッチステージにシフトされる、請求項2に記載のビットシフト回路。 - 前記第1および前記第2のラッチステージが、
前記データビットおよび出力端子を受信するように結合された入力端子を有するインバータであって、該インバータは第1および第2の供給端子をさらに有する、インバータと、
第1の基準端子と該インバータの該第1の供給端子との間に結合された第1のスイッチング回路であって、前記第1の非相補クロック信号および前記第2の相補クロック信号を受信するようにさらに結合され、該第1のスイッチング回路は、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号の前記所定の論理関係に応答して、該第1の供給端子に該第1の基準端子を結合する、第1のスイッチング回路と、
該インバータの該第2の供給端子と第2の基準端子との間に結合された第2のスイッチング回路であって、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号を受信するようにさらに結合され、該第2のスイッチング回路は、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号の該所定の論理関係に応答して、該第2の基準端子に第2の供給端子を結合する、第2のスイッチング回路と、
該インバータの該第1および該第2の供給端子が、該第1および該第2のスイッチング回路を介して該第1および該第2の基準端子それぞれに結合されたことに応答して、該データビットをラッチする該インバータの該出力に結合されたラッチ回路と
を含む、請求項3に記載のビットシフト回路。 - 前記第1のスイッチング回路は第1および第2の1対の直列に接続されたスイッチを含み、各対は、前記第1の基準端子と前記第1の供給端子との間に結合され、各スイッチは、前記クロック生成器から各クロック信号を受信するように結合された制御端子を有し、
前記第2のスイッチング回路は第1および第2の1対の直列に接続されたスイッチを含み、各対は、前記第2の基準端子と前記第2の供給端子との間に結合され、各スイッチは、前記クロック生成器から各クロック信号を受信するように結合された制御端子を有する、請求項4に記載のビットシフト回路。 - 前記第1のスイッチング回路の前記第1および前記第2の1対のスイッチはPMOSトランジスタを含み、前記第2のスイッチング回路の前記第1および前記第2の1対のスイッチはNMOSトランジスタを含む、請求項5に記載のビットシフト回路。
- 前記ラッチ回路は2つのインバータを含み、各インバータは、他方のインバータの該入力端子に結合された出力端子を有する、請求項4に記載のビットシフト回路。
- 前記第1および前記第2のクロック回路が、
各クロック信号を受信するように結合された入力を有し、さらに出力も有する第1のインバータと、
該第1のインバータの該出力に結合された入力を有し、さらに出力も有する第2のインバータと、
第1、第2、第3および第4の伝送ゲートであって、各伝送ゲートは、各入力端子および出力端子を有し、さらにそれぞれ非相補制御端子および相補制御端子を有する、第1、第2、第3および第4の伝送ゲートと
を含み、
該第1および該第4の伝送ゲートの該入力端子は第1の基準端子に結合され、該第2および該第3の伝送ゲートの該入力端子は第2の基準端子に結合され、
該第1のインバータの該出力は、該第1および該第3の伝送ゲートの該非相補制御端子、ならびに該第2および該第4の伝送ゲートの該相補制御端子に結合され、
該第2のインバータの該出力は、該第2および該第4の伝送ゲートの該非相補制御端子、ならびに該第1および該第3の伝送ゲートの該相補制御端子に結合され、
該第1および該第2の伝送ゲートの該出力端子に結合された入力端子を有し、該非相補クロック信号を提供する出力端子をさらに有する、第1の出力バッファと、 該第3および該第4の伝送ゲートの該出力端子に結合された入力端子を有し、該相補クロック信号を提供する出力端子をさらに有する、第2の出力バッファと
を含む、請求項1に記載のビットシフト回路。 - 前記第1、前記第2、前記第3および前記第4の伝送ゲートが、前記入力と前記出力との間に並列で結合された第1および第2のスイッチを含み、該第1のスイッチは、前記非相補制御端子に結合されたゲート端子を有し、該第2のスイッチは、前記相補制御端子に結合されたゲート端子を有する、請求項8に記載のビットシフト回路。
- 前記第2のクロック信号は前記第1のクロック信号に対して直交しているクロック信号である、請求項1に記載のビットシフト回路。
- 均衡が取れたデュアルエッジでトリガーされたビットシフト回路であって、
第1および第2のクロック回路であって、それぞれは、それぞれ1つのクロック信号を受信するように結合され、非相補出力端子および相補出力端子を有して、該各クロック信号から生成された第1の非相補クロック信号および第2の相補クロック信号を提供する、第1および第2のクロック回路と、
入力端子および出力端子を有し、該入力端子と該出力端子との間で直列で結合された複数のシフトレジスタのステージをさらに有するシフトレジスタであって、各シフトレジスタのステージは、入力端子および出力端子を有し、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号に応答して、該入力端子から該出力端子に入力ビットをシフトし、該第1のクロック回路によって受信される前記クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して該出力端子において新しい出力ビットを提供する、シフトレジスタと
を含む、均衡が取れたデュアルエッジでトリガーされたビットシフト回路。 - 各シフトレジスタのステージは、
データビットを受信するように結合された第1のラッチステージであって、該第1のラッチステージは、前記第1の非相補クロック信号および前記第2の相補クロック信号の第1の論理関係に応答して該データビットをラッチする、第1のラッチステージと、
該第1のラッチステージから該データビットを受信するように結合された第2のラッチステージであって、該第2のラッチステージは、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号の第2の論理関係に応答して、該データビットをラッチする、第2のラッチステージと
を含み、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号の該論理関係が変化する場合に、該データビットが該第1のラッチステージから該第2のラッチステージにシフトされる、請求項11に記載のビットシフト回路。 - 前記第1および前記第2のラッチステージが、
前記データビットを受信するように結合された入力端子および出力端子を有するインバータであって、該インバータは第1および第2の供給端子をさらに有する、インバータと、
第1の基準端子と該インバータの該第1の供給端子との間に結合され、前記第1の非相補クロック信号および前記第2の相補クロック信号を受信するように結合された制御端子を有する、第1および第2の1対の直列に接続されたスイッチと、
該インバータの該第2の供給端子と第2の基準端子との間に結合され、該第1の非相補クロック信号および該第2の相補クロック信号を受信するように結合された制御端子を有する、第3および第4の1対の直列に接続されたスイッチと、
該第1または該第2の1対の直列に接続されたスイッチのうちの1つ、および該第3または該第4の1対の直列に接続されたスイッチのうちの1つが同時に導電性である場合に、該インバータが駆動されたことに応答して該データビットをラッチするように、該インバータの該出力に結合されたラッチと
を含む、請求項12に記載のビットシフト回路。 - 前記第1および前記第2のクロック回路が、
前記入力クロック信号を受信するように結合された第1のインバータの入力、および第1のインバータの出力を有する第1のインバータと、
第1のインバータの出力に結合された第2のインバータの入力および第2のインバータの出力を有する第2のインバータと、
第1の入力端子、第1の出力端子、第1のインバータの出力に結合された第1の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第1の相補制御端子を有する第1の伝送ゲートと、
第2の入力端子、第2の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第2の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第2の相補制御端子を有する第2の伝送ゲートと、
第3の入力端子、第3の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第3の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第3の相補制御端子を有する第3の伝送ゲートと、
第4の入力端子、第4の出力端子、該第2のインバータの出力に結合された第4の非相補制御端子、および該第1のインバータの出力に結合された第4の相補制御端子を有する第4の伝送ゲートと、
該第1および該第4の入力端子に結合された第1の電圧源と、
該第2および該第3の入力端子に結合された第2の電圧源と、
該第1および該第2の出力端子に結合された入力端子を有し、非反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第1の出力バッファと、
該第3および該第4の出力端子に結合された入力端子を有し、反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第2の出力バッファと
を含む、請求項11に記載のビットシフト回路。 - 前記第1、前記第2、前記第3および前記第4の伝送ゲートが、前記入力と前記出力との間に並列で結合された第1および第2のスイッチを含み、該第1のスイッチは、前記非相補制御端子に結合されたゲート端子を有し、該第2のスイッチは、前記相補制御端子に結合されたゲート端子を有する、請求項14に記載のビットシフト回路。
- 前記第2のクロック回路によって受信される各クロック信号は、前記第1のクロック回路によって受信される各クロック信号に対して直交しているクロック信号である、請求項11に記載のビットシフト回路。
- デュアルエッジでトリガーされたビットシフト回路であって、
第1および第2のシングルツーデュアル(single−to−dual)のエッジの位置が合わせられたクロック生成器であって、それぞれは、各入力クロック信号を受信するように結合された入力端子と、各入力クロック信号から生成された第1および第2のエッジの位置が合わせられた相補出力クロック信号を提供する出力端子とを有する、第1および第2のシングルツーデュアルのエッジの位置が合わせられたクロック生成器と、
該第1および該第2のクロック生成器の該出力端子に結合された少なくとも1つのシフトレジスタのステージであって、該少なくとも1つのシフトレジスタのステージは、データビットを受信するように結合され、該第1のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して該データビットをラッチするように動作可能である、入力端子を有し、該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して該データビットを提供する出力端子をさらに有する、少なくとも1つのシフトレジスタのステージと
を含む、デュアルエッジでトリガーされたビットシフト回路。 - 前記第1および前記第2のシングルツーデュアルエッジの位置が合わせられたクロック生成器であって、
前記入力クロック信号を受信するように結合された第1のインバータの入力、および第1のインバータの出力を有する第1のインバータと、
第1のインバータの出力に結合された第2のインバータの入力、および第2のインバータの出力を有する第2のインバータと、
第1の入力端子、第1の出力端子、第1のインバータの出力に結合された第1の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第1の相補制御端子を有する第1の伝送ゲートと、
第2の入力端子、第2の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第2の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第2の相補制御端子を有する第2の伝送ゲートと、
第3の入力端子、第3の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第3の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第3の相補制御端子を有する第3の伝送ゲートと、
第4の入力端子、第4の出力端子、該第2のインバータの出力に結合された第4の非相補制御端子、および該第1のインバータの出力に結合された第4の相補制御端子を有する第4の伝送ゲートと、
該第1および該第4の入力端子に結合された第1の電圧源と、
該第2および該第3の入力端子に結合された第2の電圧源と、
該第1および該第2の出力端子に結合された入力端子を有し、非反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第1の出力バッファと、
該第3および該第4の出力端子に結合された入力端子を有し、反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第2の出力バッファと
を含む、請求項17に記載のビットシフト回路。 - 前記少なくとも1つのシフトレジスタのステージであって、
第1および第2の電圧供給源と、
前記データビットを受信するように結合された入力端子、および出力端子を有する第1の否定回路であって、該第1のインバータは第1および第2の供給端子をさらに有する、第1の否定回路と、
該第1のインバータの該出力端子に結合された入力端子、および出力端子をさらに有する第1のラッチ回路であって、該第1のラッチは、該第1および該第2の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、該データビットをラッチする、第1のラッチ回路と、
該第1のラッチ回路の該出力端子に結合された入力端子、および出力端子を有する第2の否定回路であって、該第2のインバータは第3および第4の供給端子をさらに有する、第2の否定回路と、
該第2の否定回路の該出力端子に結合された入力端子、および該データビットを提供する出力端子をさらに有する第2のラッチであって、該第3および該第4の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、該データビットをラッチする、第2のラッチと、
該第1の電圧供給源と該第1および該第3の供給端子との間、ならびに該第2の電圧供給源と該第2および該第4の供給端子との間で結合されたスイッチング回路であって、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補出力クロック信号を受信するようにさらに結合され、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号に応答して、該第1および該第2の電圧供給源の両方に該第1および該第2のインバータを交互に結合する、スイッチング回路と
を含む、請求項17に記載のビットシフト回路。 - 前記スイッチング回路であって、
前記第1の供給端子と前記第1の電圧供給源との間に結合された、第1および第2の1対の直列に接続されたスイッチと、
前記第2の供給端子と前記第2の電圧供給源との間に結合された、第3および第4の1対の直列に接続されたスイッチと、
前記第3の供給端子と前記第1の電圧供給源との間に結合された、第5および第6の1対の直列に接続されたスイッチと、
前記第4の供給端子と前記第2の電圧供給源との間に結合された、第7および第8の1対の直列に接続されたスイッチと
を含む、請求項19に記載のビットシフト回路。 - 前記第1、前記第2、前記第5および前記第6の1対の直列に接続されたスイッチは、1対の直列に接続されたPMOSトランジスタを含み、前記第3、前記第4、前記第7および前記第8の1対の直列に接続されたスイッチは、1対の直列に接続されたNMOSトランジスタを含む、請求項20に記載のビットシフト回路。
- 前記第1および前記第2のラッチは2つのインバータを含み、各インバータは、他方のインバータの該入力端子に結合された出力端子を有する、請求項19に記載のビットシフト回路。
- 前記第2のシングルツーデュアルのエッジの位置が合わせられたクロック生成器によって受信された各クロック信号は前記第1のシングルツーデュアルのエッジの位置が合わせられたクロック生成器によって受信された各クロック信号に対して直交しているクロック信号である、請求項17に記載のビットシフト回路。
- メモリデバイス内のコマンドワードを受信および取り込むためのコマンドバッファであって、
入力端子、出力端子およびクロック端子を有する、デュアルエッジでトリガーされたシフトレジスタであって、該シフトレジスタの該入力端子はMビット幅のバスに結合され、
第1のクロック信号を受信するように結合された第1のクロック回路、および第2のクロック信号を受信するように結合された第2のクロック回路を有する少なくとも1つのクロック生成器であって、各クロック回路は、第1および第2の出力端子を有して、それぞれ非相補クロック信号および相補クロック信号を提供し、各クロック回路は、各クロック回路によって受信された各クロック信号の第1および第2の状態に応答して、該第1の出力端子を第1および第2の基準電圧に交互に結合する第1のスイッチをさらに有し、各クロック回路によって受信された各クロック信号の該第1および該第2の状態に応答して、該第2の出力端子を該第2および該第1の基準電圧に交互に結合する第2のスイッチをさらに有する、クロック生成器と、
M個のシフトレジスタであって、それぞれは、該コマンドワードの各コマンドビットを受信するように結合され、該第1および該第2のクロック回路の該出力端子にさらに結合され、該M個のシフトレジスタはそれぞれ、N個のシフトレジスタのステージを有し、各シフトレジスタのステージは、各コマンドビットを受信するように結合された入力端子を有し、第1の所定の関係を有する該第1および該第2のクロック信号に応答して各コマンドビットをラッチするように動作可能であり、第2の所定の関係を有する該第1および該第2のクロック信号に応答して該コマンドビットを提供する出力端子をさらに有し、該第1のクロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して該出力端子において新しいコマンドビットを提供する、M個のシフトレジスタとを含む、シフトレジスタと、
開始端子、クロック端子、および出力端子を有する制御回路であって、該制御回路は、開始信号が該開始端子に付与された後、該クロック端子に付与された所定数のクロック信号に応答して、ロード信号を生成する、制御回路と、
N*Mの格納セルを有する格納レジスタであって、該セルのそれぞれは、出力端子、各シフトレジスタのステージの該出力に結合された入力端子、および該制御回路の該出力端子に結合されたロード端子を有し、該格納セルはそれぞれ、該格納セルの該ロード端子に付与された該ロード信号に応答して、各シフトレジスタのステージの該出力端子において信号を格納し、該N*Mの格納セルはコマンドワードを一括して出力する、格納レジスタと
を含む、コマンドバッファ。 - 前記第1および前記第2のクロック回路であって、
前記入力クロック信号を受信するように結合された第1のインバータの入力、および第1のインバータの出力を有する第1のインバータと、
第1のインバータの出力に結合された第2のインバータの入力、および第2のインバータの出力を有する第2のインバータと、
第1の入力端子、第1の出力端子、第1のインバータの出力に結合された第1の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第1の相補制御端子を有する第1の伝送ゲートと、
第2の入力端子、第2の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第2の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第2の相補制御端子を有する第2の伝送ゲートと、
第3の入力端子、第3の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第3の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第3の相補制御端子を有する第3の伝送ゲートと、
第4の入力端子、第4の出力端子、該第2のインバータの出力に結合された第4の非相補制御端子、および該第1のインバータの出力に結合された第4の相補制御端子を有する第4の伝送ゲートと、
該第1および該第4の入力端子に結合された第1の電圧源と、
該第2および該第3の入力端子に結合された第2の電圧源と、
該第1および該第2の出力端子に結合された入力端子を有し、非反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第1の出力バッファと、
該第3および該第4の出力端子に結合された入力端子を有し、反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第2の出力バッファと
を含む、請求項24に記載のコマンドバッファ。 - 各シフトレジスタのステージであって、
第1および第2の電圧供給源と、
各コマンドビットを受信するように結合された入力端子、および出力端子を有する第1の否定回路であって、該第1のインバータは第1および第2の供給端子をさらに有する、第1の否定回路と、
該第1のインバータの該出力端子に結合された入力端子、および出力端子をさらに有する第1のラッチ回路であって、該第1のラッチは、該第1および該第2の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、各コマンドビットをラッチする、第1のラッチ回路と、
該第1のラッチ回路の該出力端子に結合された入力端子、および出力端子を有する第2の否定回路であって、該第2のインバータは第3および第4の供給端子をさらに有する、第2の否定回路と、
該第2の否定回路の該出力端子に結合された入力端子、および各コマンドビットを提供する出力端子をさらに有する第2のラッチであって、該第2のラッチは、該第3および該第4の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、各コマンドビットをラッチする、第2のラッチと、
該第1の電圧供給源と該第1および該第3の供給端子との間、ならびに該第2の電圧供給源と該第2および該第4の供給端子との間で結合されたスイッチング回路であって、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号を受信するようにさらに結合され、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号に応答して、該第1および該第2の電圧供給源の両方に該第1および該第2のインバータを交互に結合する、スイッチング回路と
を含む、請求項24に記載のコマンドバッファ。 - メモリデバイスであって、
コマンドワードに応答して、ロウアドレスおよびカラムアドレスによって決定された場所においてデータを格納するように適合されたメモリセルの少なくとも1つのアレイと、
該ロウアドレスを受信およびデコードし、該コマンドワードに応答して、該ロウアドレスに対応するメモリセルのロウを選択するように適合された、ロウアドレス回路と、
データを受信するか、または該コマンドワードに応答して、該カラムアドレスに対応する選択されたロウ内のメモリセルのうちの1つに該データを付与するように適合された、カラムアドレス回路と、
該コマンドワードに応答して、外部端子と該カラムアドレス回路との間でデータを結合するように適合された、データパス回路と、
Mビットバス上で受信されたN Mビットのワードのコマンドパケットに応答して、該コマンドワードを生成するコマンドワード生成器であって、
入力端子、出力端子およびクロック端子を有する、デュアルエッジでトリガーされたシフトレジスタであって、該シフトレジスタの該入力端子は該Mビット幅のバスに結合され、
第1のクロック信号を受信するように結合された第1のクロック回路、および第2のクロック信号を受信するように結合された第2のクロック回路を有する少なくとも1つのクロック生成器であって、各クロック回路は、第1および第2の出力端子を有して、それぞれ非相補クロック信号および相補クロック信号を提供し、各クロック回路は、各クロック回路によって受信された各クロック信号の第1および第2の状態に応答して、該第1の出力端子を第1および第2の基準電圧に交互に結合する第1のスイッチをさらに有し、各クロック回路によって受信された各クロック信号の該第1および該第2の状態に応答して、該第2の出力端子を該第2および該第1の基準電圧に交互に結合する第2のスイッチをさらに有する、クロック生成器と、
M個のシフトレジスタであって、それぞれは、該コマンドワードの各コマンドビットを受信するように結合され、該第1および該第2のクロック回路の該出力端子にさらに結合され、該M個のシフトレジスタはそれぞれ、N個のシフトレジスタのステージを有し、各シフトレジスタのステージは、各コマンドビットを受信するように結合された入力端子を有し、第1の所定の関係を有する該第1および該第2のクロック信号に応答して各コマンドビットをラッチするように動作可能であり、第2の所定の関係を有する該第1および該第2のクロック信号に応答して該コマンドビットを提供する出力端子をさらに有し、該第1のクロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して該出力端子において新しいコマンドビットを提供する、シフトレジスタと
を含む、シフトレジスタと、
開始端子、クロック端子および出力端子を有する制御回路であって、該制御回路は、開始信号が該開始端子に付与された後、該クロック端子に付与された所定数のクロック信号に応答して、ロード信号を生成する、制御回路と、
N*Mの格納セルを有する格納レジスタであって、該セルのそれぞれは、出力端子、各シフトレジスタのステージの該出力に結合された入力端子、および該制御回路の該出力端子に結合されたロード端子を有し、該格納セルはそれぞれ、該格納セルの該ロード端子に付与された該ロード信号に応答して、各シフトレジスタのステージの該出力端子において信号を格納し、該N*Mの格納セルはコマンドワードを一括して出力する、格納レジスタと
を含む、コマンドワード生成器と
を含む、メモリデバイス。 - 前記第1および前記第2のクロック回路であって、
前記入力クロック信号を受信するように結合された第1のインバータの入力、および第1のインバータの出力を有する第1のインバータと、
第1のインバータの出力に結合された第2のインバータの入力、および第2のインバータの出力を有する第2のインバータと、
第1の入力端子、第1の出力端子、第1のインバータの出力に結合された第1の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第1の相補制御端子を有する第1の伝送ゲートと、
第2の入力端子、第2の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第2の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第2の相補制御端子を有する第2の伝送ゲートと、
第3の入力端子、第3の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第3の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第3の相補制御端子を有する第3の伝送ゲートと、
第4の入力端子、第4の出力端子、該第2のインバータの出力に結合された第4の非相補制御端子、および該第1のインバータの出力に結合された第4の相補制御端子を有する第4の伝送ゲートと、
該第1および該第4の入力端子に結合された第1の電圧源と、
該第2および該第3の入力端子に結合された第2の電圧源と、
該第1および該第2の出力端子に結合された入力端子を有し、非反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第1の出力バッファと、
該第3および該第4の出力端子に結合された入力端子を有し、反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第2の出力バッファと
を含む、請求項27に記載のメモリデバイス。 - 各シフトレジスタのステージであって、
第1および第2の電圧供給源と、
各コマンドビットを受信するように結合された入力端子、および出力端子を有する第1の否定回路であって、該第1のインバータは第1および第2の供給端子をさらに有する、第1の否定回路と、
該第1のインバータの該出力端子に結合された入力、および出力端子をさらに有する第1のラッチ回路であって、該第1のラッチは、該第1および該第2の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、各コマンドビットをラッチする、第1のラッチ回路と、
該第1のラッチ回路の該出力端子に結合された入力端子、および出力端子を有する第2の否定回路であって、該第2のインバータは第3および第4の供給端子をさらに有する、第2の否定回路と、
該第2の否定回路の該出力端子に結合された入力端子、および各コマンドビットを提供する出力端子をさらに有する第2のラッチであって、該第2のラッチは、該第3および該第4の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、各コマンドビットをラッチする、第2のラッチと、
該第1の電圧供給源と該第1および該第3の供給端子との間、ならびに該第2の電圧供給源と該第2および該第4の供給端子との間で結合されたスイッチング回路であって、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号を受信するようにさらに結合され、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号に応答して、該第1および該第2の電圧供給源の両方に該第1および該第2のインバータを交互に結合する、スイッチング回路と
を含む、請求項27に記載のメモリデバイス。 - コンピュータシステムであって、
プロセッサバスを有するプロセッサと、
該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、データを該コンピュータシステム内に入力することを可能にするように適合された入力デバイスと、
該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、データを該コンピュータシステムから出力することを可能にするように適合された出力デバイスと、
該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合されたメモリデバイスであって、
コマンドワードに応答して、ロウアドレスおよびカラムアドレスによって決定された場所においてデータを格納するように適合されたメモリセルの少なくとも1つのアレイと、
該ロウアドレスを受信およびデコードし、該コマンドワードに応答して、該ロウアドレスに対応するメモリセルのロウを選択するように適合された、ロウアドレス回路と、
データを受信するか、または該コマンドワードに応答して、該カラムアドレスに対応する該選択されたロウ内の該メモリセルのうちの1つに該データを付与するように適合された、カラムアドレス回路と、
該コマンドワードに応答して、外部端子と該カラムアドレス回路との間でデータを結合するように適合された、データパス回路と、
Mビットバス上で受信されたN Mビットのワードのコマンドパケットに応答して、該コマンドワードを生成するコマンドワード生成器であって、
入力端子、出力端子およびクロック端子を有する、デュアルエッジでトリガーされたシフトレジスタであって、該シフトレジスタの該入力端子は該Mビット幅のバスに結合され、
第1のクロック信号を受信するように結合された第1のクロック回路、および第2のクロック信号を受信するように結合された第2のクロック回路を有する少なくとも1つのクロック生成器であって、各クロック回路は、第1および第2の出力端子を有して、それぞれ非相補クロック信号および相補クロック信号を提供し、各クロック回路は、各クロック回路によって受信された各クロック信号の第1および第2の状態に応答して、該第1の出力端子を第1および第2の基準電圧に交互に結合する第1のスイッチをさらに有し、各クロック回路によって受信された各クロック信号の該第1および該第2の状態に応答して、該第2の出力端子を該第2および該第1の基準電圧に交互に結合する第2のスイッチをさらに有する、クロック生成器と、
M個のシフトレジスタであって、それぞれは、該コマンドワードの各コマンドビットを受信するように結合され、該クロック回路の該出力端子にさらに結合され、該M個のシフトレジスタはそれぞれ、N個のシフトレジスタのステージを有し、各シフトレジスタのステージは、各コマンドビットを受信するように結合された入力端子を有し、該第1のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して各コマンドビットをラッチするように動作可能であり、該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して該コマンドビットを提供する出力端子をさらに有する、M個のシフトレジスタと
を含む、シフトレジスタと、
開始端子、クロック端子および出力端子を有する制御回路であって、該制御回路は、開始信号が該開始端子に付与された後、該クロック端子に付与された所定数のクロック信号に応答して、ロード信号を生成する、制御回路と、
N*Mの格納セルを有する格納レジスタであって、該セルのそれぞれは、出力端子、各シフトレジスタのステージの該出力に結合された入力端子、および該制御回路の該出力端子に結合されたロード端子を有し、該格納セルはそれぞれ、該格納セルの該ロード端子に付与された該ロード信号に応答して、各シフトレジスタのステージの該出力端子において信号を格納し、該N*Mの格納セルはコマンドワードを一括して出力する、格納レジスタと
を含む、コマンドワード生成器と
を含む、コンピュータシステム。 - 前記第1および前記第2のクロック回路であって、
前記入力クロック信号を受信するように結合された第1のインバータの入力、および第1のインバータの出力を有する第1のインバータと、
第1のインバータの出力に結合された第2のインバータの入力、および第2のインバータの出力を有する第2のインバータと、
第1の入力端子、第1の出力端子、第1のインバータの出力に結合された第1の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第1の相補制御端子を有する第1の伝送ゲートと、
第2の入力端子、第2の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第2の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第2の相補制御端子を有する第2の伝送ゲートと、
第3の入力端子、第3の出力端子、該第1のインバータの出力に結合された第3の非相補制御端子、および該第2のインバータの出力に結合された第3の相補制御端子を有する第3の伝送ゲートと、
第4の入力端子、第4の出力端子、該第2のインバータの出力に結合された第4の非相補制御端子、および該第1のインバータの出力に結合された第4の相補制御端子を有する第4の伝送ゲートと、
該第1および該第4の入力端子に結合された第1の電圧源と、
該第2および該第3の入力端子に結合された第2の電圧源と、
該第1および該第2の出力端子に結合された入力端子を有し、非反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第1の出力バッファと、
該第3および該第4の出力端子に結合された入力端子を有し、反転クロック信号を提供する出力をさらに有する、第2の出力バッファと
を含む、請求項30に記載のコンピュータシステム。 - 各シフトレジスタのステージであって、
第1および第2の電圧供給源と、
各コマンドビットを受信するように結合された入力端子、および出力端子を有する第1の否定回路であって、該第1のインバータは第1および第2の供給端子をさらに有する、第1の否定回路と、
該第1のインバータの該出力端子に結合された入力端子、および出力端子をさらに有する第1のラッチ回路であって、該第1のラッチは、該第1および該第2の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、各コマンドビットをラッチする、第1のラッチ回路と、
該第1のラッチ回路の該出力端子に結合された入力端子、および出力端子を有する第2の否定回路であって、該第2のインバータは第3および第4の供給端子をさらに有する、第2の否定回路と、
該第2の否定回路の該出力端子に結合された入力端子、および各コマンドビットを提供する出力端子をさらに有する第2のラッチであって、該第2のラッチは、該第3および該第4の供給端子が該第1および該第2の電圧供給源それぞれに結合されたことに応答して、各コマンドビットをラッチする、第2のラッチと、
該第1の電圧供給源と該第1および該第3の供給端子との間、ならびに該第2の電圧供給源と該第2および該第4の供給端子との間で結合されたスイッチング回路であって、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号を受信するようにさらに結合され、該第1および該第2のエッジの位置が合わせられた相補クロック信号に応答して、該第1および該第2の電圧供給源の両方に該第1および該第2のインバータを交互に結合する、スイッチング回路と
を含む、請求項30に記載のコンピュータシステム。 - デュアルエッジでトリガーされたデータビットのシフトのための方法であって、
第1および第2の歪みが小さい、非相補および相補クロック信号を生成する工程と、
該第1および該第2の歪みが小さい、非相補および相補クロック信号に応答して、シフトレジスタのステージを介して該データビットをシフトする工程と、
該第1の非相補クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して、出力端子において新しいデータビットを提供する工程と
を包含する、方法。 - 生成する工程は、
第1のノードを第1の基準端子に、そして第2のノードを第2の基準端子に結合する工程、および該第1のノードを該第2の基準端子に、そして該第2のノードを該第1の基準端子に結合する工程を交互に行う工程と、
該第1のノードに結合された第1のバッファ回路、および該第2のノードに結合された第2のバッファ回路をトリガーする工程と
を包含する、請求項33に記載の方法。 - シフトする工程は、
該第1の歪みが小さい、非相補および相補クロック信号の各クロック移行に応答して、第1の論理回路を第1および第2の基準電圧に結合する工程と、
該第1の論理回路の該出力をラッチする工程と、
該第2の歪みが小さい、非相補および相補クロック信号の各クロック移行に応答して、第2の論理回路を該第1および該第2の基準電圧に結合する工程と、
該第2の論理回路の該出力をラッチする工程と
を包含する、請求項33に記載の方法。 - 前記第1および前記第2の論理回路を結合する工程は、前記第1および前記第2の歪みが小さい、非相補および相補クロック信号に応答して、1対のスイッチを閉じる工程を包含する、請求項35に記載の方法。
- 1対のスイッチを閉じる工程は一方のスイッチを他方の前に閉じる工程を包含する、請求項36に記載の方法。
- デュアルエッジでトリガーされたデータビットのシフトのための方法であって、
第1の組の相補クロック信号のクロックのエッジの位置を合わせる工程と、
第2の組の相補クロック信号のクロックのエッジの位置を合わせる工程と、
該第1および該第2の組の相補クロック信号に応答して、シフトレジスタのステージを介して該データビットをシフトする工程と、
該第1の組の相補クロック信号の該クロック信号のうちの1つの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの各々に応答して、出力端子において新しいデータビットを提供する工程と
を包含する、方法。 - 前記第1および前記第2の組の相補クロック信号の前記クロックエッジの位置を合わせる工程は、入力クロック信号の移行に応答して、第1のバッファ回路を第1の基準電圧に、第2のバッファ回路を第2の基準電圧に結合する工程、および該第1のバッファ回路を該第2の基準電圧に、該第2のバッファ回路を該第1の基準電圧に結合する工程を交互に行う工程を包含する、請求項38に記載の方法。
- 前記データビットをシフトする工程は、
前記第1の組の相補クロック信号のクロック移行に応答して、第1のラッチ回路内でデータビットをラッチする工程と、
前記第2の組の相補クロック信号のクロック移行に応答して、第2のラッチ回路内で第1のラッチ回路から該データビットをラッチする工程と
を包含する、請求項38に記載の方法。 - 前記第1および前記第2のラッチ回路内において前記データビットをラッチする工程は、
前記第1および前記第2の相補クロック信号のクロック移行に応答して、第1および第2の供給端子に相補スイッチの1対を結合する工程と、
該結合された相補スイッチの1対の前記出力をラッチする工程と
を包含する、請求項40に記載の方法。
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