JP4663326B2 - エレクトロルミネッセンス物質および装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス物質および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4663326B2 JP4663326B2 JP2004563367A JP2004563367A JP4663326B2 JP 4663326 B2 JP4663326 B2 JP 4663326B2 JP 2004563367 A JP2004563367 A JP 2004563367A JP 2004563367 A JP2004563367 A JP 2004563367A JP 4663326 B2 JP4663326 B2 JP 4663326B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- groups
- iridium compound
- electrode
- electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 25
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 11
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 claims description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 claims 14
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 22
- -1 aryl sulphonate Chemical compound 0.000 description 18
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 14
- 229920000767 polyaniline Chemical class 0.000 description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 9
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 7
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 5
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- VMGGGNJWSPKQAK-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-4-(2-methoxypentoxy)benzene Chemical group CCCC(OC)COC1=CC=C(C#C)C=C1 VMGGGNJWSPKQAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 4
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- DRGAZIDRYFYHIJ-UHFFFAOYSA-N 2,2':6',2''-terpyridine Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2N=CC=CC=2)=N1 DRGAZIDRYFYHIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 230000005588 protonation Effects 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- MLPVBIWIRCKMJV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylaniline Chemical compound CCC1=CC=CC=C1N MLPVBIWIRCKMJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSKRBHOAJUMOKJ-UHFFFAOYSA-N 3,4-diacetylhexane-2,5-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O CSKRBHOAJUMOKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005282 allenyl group Chemical group 0.000 description 2
- IUFDZNVMARBLOJ-UHFFFAOYSA-K aluminum;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Al+3].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21.C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IUFDZNVMARBLOJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N azane;7-fluoro-2,1,3-benzoxadiazole-4-sulfonic acid Chemical compound N.OS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C2=NON=C12 JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N o-toluidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N RNVCVTLRINQCPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSOPVKUECMSWBR-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-6-phenylhex-5-ene-2,4-dione Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 CSOPVKUECMSWBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropropan-2-one Chemical compound CC(=O)C(F)(F)F FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJHFYVKVIIMXQM-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenyl)-4,4,4-trifluorobutane-1,3-dione Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 LJHFYVKVIIMXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]ethyl]amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CCN(CC(O)=O)CC(O)=O)CC(O)=O RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminobenzenesulfonic acid Chemical compound NC1=CC=CC(S(O)(=O)=O)=C1 ZAJAQTYSTDTMCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRTAGYKRWAZNGD-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluoro-1-naphthalen-2-ylbutane-1,3-dione Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)CC(=O)C(F)(F)F)=CC=C21.C1=CC=CC2=CC(C(=O)CC(=O)C(F)(F)F)=CC=C21 CRTAGYKRWAZNGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVXLFFIFNVKFBD-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluoro-1-phenylbutane-1,3-dione Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 VVXLFFIFNVKFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHBIKXOBLZWFKM-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxy-2-quinolinecarboxylic acid Chemical class C1=CC=C(O)C2=NC(C(=O)O)=CC=C21 UHBIKXOBLZWFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical class [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPSSLPDEEZGRKR-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)S(=O)(=O)O.C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)S(=O)(=O)O Chemical compound C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)S(=O)(=O)O.C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)S(=O)(=O)O NPSSLPDEEZGRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWCITZBSIDAXMT-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F.C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F WWCITZBSIDAXMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L Oxine-copper Chemical class [Cu+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N anthracen-1-amine Chemical class C1=CC=C2C=C3C(N)=CC=CC3=CC2=C1 YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVAHKIQKDXQWAR-UHFFFAOYSA-N anthracene-1-carbonitrile Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#N)=CC=CC3=CC2=C1 WVAHKIQKDXQWAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIOPPFDHKHWJIA-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-dinitrile Chemical compound C1=CC=C2C(C#N)=C(C=CC=C3)C3=C(C#N)C2=C1 BIOPPFDHKHWJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005228 aryl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical group OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N camphorsulfonic acid Chemical class C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 230000005595 deprotonation Effects 0.000 description 1
- 238000010537 deprotonation reaction Methods 0.000 description 1
- NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N dibenzoylmethane Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-M ethenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZFRKEVMBGBIBGT-UHFFFAOYSA-N ethenyl benzenesulfonate Chemical compound C=COS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 ZFRKEVMBGBIBGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOLNUNVVUJULQZ-UHFFFAOYSA-J iridium;tetrachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ir] YOLNUNVVUJULQZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M lithium;quinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=CC=CC2=NC(C(=O)[O-])=CC=C21 IMKMFBIYHXBKRX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMPITZXILSNTON-UHFFFAOYSA-N o-anisidine Chemical compound COC1=CC=CC=C1N VMPITZXILSNTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005359 phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005498 phthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 125000004424 polypyridyl Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylenedisulfotetramine Chemical compound C1N(S2(=O)=O)CN3S(=O)(=O)N1CN2C3 AGGKEGLBGGJEBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBBUSUXYMIVOS-UHFFFAOYSA-N thenoyltrifluoroacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C1=CC=CS1 TXBBUSUXYMIVOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M toluene-4-sulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0033—Iridium compounds
- C07F15/004—Iridium compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/611—Charge transfer complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
- H10K85/6565—Oxadiazole compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明は、エレクトロルミネッセンス物質およびエレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
電流が流れたときに発光する物質は公知であり、ディスプレイに広範囲で応用されている。液晶デバイスおよび、無機半導体システムに基づいたデバイスは、広範囲に用いられているが、これらは高いエネルギー消費、製造時の高コスト、低い量子効率およびフラットパネルディスプレイをつくることができないという見地に鑑みて不利である。
有機ポリマーはエレクトロルミネッセンスデバイスにおいて有用であるとの提案がなされてきたが、純色を得ることができず、製造コストが高く、また、比較的低い効率である。
別に提案された化合物としては、アルミニウムキノラート（aluminium quinolate）があるが、色の範囲を得るためには添加共存物質（ドーパント； dopants）が必要となり、また、比較的低い効率である。
特許出願 WO98/58037号は、改良された特性とよりよい結果を与えるエレクトロルミネッセンスデバイスにおいて用いることができるランタノイド錯体の範囲を開示している。特許出願 PCT/GB98/01773号、 PCT/GB99/03619号、 PCT/GB99/04030号、 PCT/GB99/04024号、 PCT/GB99/04028号、 PCT/GB00/00268号 において、希土類元素のキレートを用いたエレクトロルミネッセンス錯体、構造およびデバイスが開示されている。
米国特許 5128587号は、高い仕事関数の透明電極と、エレクトロルミネッセンス層と前記の高い仕事関数の透明電極との間に置かれた正孔伝導層、および、前記エレクトロルミネッセンス層と電子注入低仕事関数アノードとの間に置かれた電子伝導層、を有する低い仕事関数の第二電極との間に挟まれた、ランタノイド系列の希土類元素の有機金属錯体から成る、エレクトロルミネッセンスデバイスを開示している。前記正孔伝導層および前記電子伝導層は、前記デバイスのはたらきと効率を改善するために必要とされる。前記正孔伝導層は、正孔を伝送し、かつ電子を阻止するため、電子は前記電極内へ入ることができず、正孔と再結合することができない。これらキャリアーの再結合は、主に前記放射層（the emitter layer）で起こる。
われわれは、エレクトロルミネッセンス化合物と、それを含むエレクトロルミネッセンス構造とを考案した。
本発明において、以下の構造式のエレクトロルミネッセンスジイリジウム化合物が提供される。
本発明において、以下の構造式のエレクトロルミネッセンスジイリジウム化合物が提供される。
R1 および／または R2 および／または R3 および／または R4 の例は、脂肪族基、芳香族基、ならびに、複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、ならびに、置換もしくは非置換フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基（ phenanthrene ）、アントラセン基（ anthracene ）、ナフチル基およびフルオレン基（ fluorene ）、ならびに、t-ブチル基のようなアルキル基、ならびに、カルバゾールのような複素環基、を含む。
好ましい有機配位子 L1 および L2 は、フェニルピリジン、および、置換フェニルピリジン類である。
本発明は、(i) 第一電極、(ii) 前記のジイリジウム錯体（Ａ）の層、および(iii) 第二電極、を含むエレクトロルミネッセンスデバイスも提供する。
本発明は、(i) 第一電極、(ii) 前記のジイリジウム錯体（Ａ）の層、および(iii) 第二電極、を含むエレクトロルミネッセンスデバイスも提供する。
前記の第一電極はカソードとしてはたらくことができ、また、前記の第二電極はアノードとしてはたらくことができ、好ましくは、前記アノードと前記のエレクトロルミネッセンス化合物の層との間に、正孔伝送物質の層が存在する。
正孔伝送物質は、エレクトロルミネッセンスデバイスで用いられるあらゆる正孔伝送物質でありえる。
前記正孔伝送物質は、ポリ(ビニルカルバゾール)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン （ N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine ; TPD ）、アミノ基置換芳香族化合物の非置換もしくは置換ポリマー、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン類、置換ポリチオフェン類、ポリシラン類などといったアミン錯体とすることができる。ポリアニリン類の例としては、以下の構造式のポリマーがあり、
前記正孔伝送物質は、ポリ(ビニルカルバゾール)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン （ N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine ; TPD ）、アミノ基置換芳香族化合物の非置換もしくは置換ポリマー、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン類、置換ポリチオフェン類、ポリシラン類などといったアミン錯体とすることができる。ポリアニリン類の例としては、以下の構造式のポリマーがあり、
スルホン酸アリール類の例としては、p-トルエンスルホナート（ p-toluenesulphonate ）、スルホン酸ベンゼン（ benzenesulphonate ）、 9,10-アントラキノン-スルホナート （ 9,10-anthraquinone-sulphonate ）、およびスルホン酸アントラセン（ anthracenesulphonate ）があり、また、アレーンジカルボキシラートの例は、フタラート（ phthalate ）であり、また、アレーンカルボキシラートの例は、ベンゾアート（ benzoate ）である。
われわれは、ポリアニリンのような、アミノ基置換された芳香族化合物の、非置換もしくは置換ポリマーの、プロトン化したポリマーが、蒸着困難もしくは蒸着不可能であることを見出した。しかしながら、アミノ基置換された芳香族化合物の、非置換もしくは置換ポリマーを脱プロトン化すると、容易に蒸着でき、すなわちその（ポリマーの）ポリマーも蒸着可能であるということを発見した。
アミノ基置換された芳香族化合物の、非置換もしくは置換ポリマーの、蒸着可能な脱プロトン化ポリマーを用いるのが好ましい。前記のアミノ基置換された芳香族化合物の、脱プロトン化された非置換もしくは置換ポリマーは、水酸化アンモニウム、または、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムのような水酸化アルカリ金属といったアルカリで処理することによって前記ポリマーを脱プロトン化して合成する。
プロトン化の程度は、プロトン化ポリアニリンの形成と脱プロトン化によって制御できる。ポリアニリンの処理方法は、文献 A. G. MacDiarmid and A. F. Epstein, Faraday Discussions, Chem Soc.88 P319 1989 に開示されている。
前記ポリアニリンの電気伝導度は、プロトン化の程度に依存し、電気伝導度が最大となるのは、プロトン化の程度が40％から60％の間であるときであり、例えば、約50％のときである。
前記ポリマーは、実質的にすべて脱プロトン化するのが好ましい。
ポリアニリンはオクタマー単位（p=4）をとることができ、例えば、以下の構造式となる。
ポリアニリンはオクタマー単位（p=4）をとることができ、例えば、以下の構造式となる。
前記芳香環は、非置換であるか、もしくは、例えばエチル基のような炭素数が1〜20のアルキル基による置換をすることができる。
前記ポリアニリンは、アニリンのコポリマーとすることができ、また、好ましいコポリマーは、o-アニシジン（ o-anisidine ）、m-スルファニル酸（ m-sulphanilic acid ）、もしくは o-アミノフェノールとアニリンとのコポリマー、または、o-アミノフェノール、o-エチルアニリン、o-フェニレンジアミン、もしくは、アミノアントラセン類とo-トルイジン（ o-toluidine ）とのコポリマーである。
前記ポリアニリンは、アニリンのコポリマーとすることができ、また、好ましいコポリマーは、o-アニシジン（ o-anisidine ）、m-スルファニル酸（ m-sulphanilic acid ）、もしくは o-アミノフェノールとアニリンとのコポリマー、または、o-アミノフェノール、o-エチルアニリン、o-フェニレンジアミン、もしくは、アミノアントラセン類とo-トルイジン（ o-toluidine ）とのコポリマーである。
使用できるアミノ基置換芳香族化合物の他のポリマーは、置換もしくは非置換のポリアミノナフタレン類、ポリアミノアントラセン類、ポリアミノフェナントレン類など、および、他の任意の縮合ポリ芳香族化合物のポリマー、を含む。ポリアミノアントラセン類およびその合成方法は、米国特許 6,153,726号に開示されている。前記の芳香環は、非置換であるか、もしくは例えば上述で定義した基 Rによって置換することができる。
他の正孔伝送物質としては、共役ポリマー、および、米国特許 5807627号、PCT/WO90/13148 、PCT/WO92/03490 に開示もしくは参照されている任意の共役ポリマーを用いた共役ポリマー、がある。
好ましい共役ポリマーとしては、ポリ(p-フェニレンビニレン)-PPV （ poly(p-phenylenevinylene)-PPV ）および、PPVを含むコポリマーである。他の好ましいポリマーは、ポリ(2-メトキシ-5-(2-メトキシペンチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン),ポリ(2-メトキシペンチルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン) （ poly(2-methoxy-5-(2-methoxypentyloxy-1,4-phenylene vinylene, poly(2-methoxypentyloxy)-1,4-phenylenevinylene) ）、ポリ(2-メトキシ-5-(2-ドデシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン) （ poly(2-methoxy-5-(2-dodecyloxy-1,4-phenylenevinylene ）といったポリ(2,5ジアルコキシフェニレンビニレン) （ poly(2,5dialkoxyghenylene vinylene) ）、ならびに、アルコキシ基、ポリフルオレン類およびオリゴフルオレン類、ポリフェニレン類およびオリゴフェニレン類、ポリアントラセン類およびオリゴアントラセン類、ポリチオフェン類およびオリゴチオフェン類、に可溶である少なくともひとつの長鎖アルコキシ基を持つ、他のポリ(2,5ジアルコキシフェニレンビニレン) 、である
PPVにおいては、フェニレン環は、ひとつまたは複数の置換基、例えば、好ましくはメチル基であるアルキル基、好ましくはメトキシ基もしくはエトキシ基であるアルコキシ基から、それぞれ独立に選択される基、を任意に持つことができる。
PPVにおいては、フェニレン環は、ひとつまたは複数の置換基、例えば、好ましくはメチル基であるアルキル基、好ましくはメトキシ基もしくはエトキシ基であるアルコキシ基から、それぞれ独立に選択される基、を任意に持つことができる。
置換された誘導体を含む、任意のポリ(アリーレンビニレン) （ poly(arylenevinylene) ）を使用することができ、また、ポリ(p-フェニレンビニレン)内のフェニレン環は、アントラセン環またはナフチレン環のような縮合環系に置き換えることができ、また、それぞれのポリフェニレンビニレン基中のビニレン基の数は、7またはそれ以上に増やすことができる。
前記の共役ポリマーは、米国特許 5807627号 、PCT/WO90/13148 、PCT/WO92/03490 に開示されている方法でつくることができる。
前記正孔伝送層の厚さは、好ましくは、20nm〜200nmである。
前記正孔伝送層の厚さは、好ましくは、20nm〜200nmである。
上記で言及したポリアニリンのようなアミノ基置換芳香族化合物のポリマーは、他の正孔伝送物質との共役にともなうもしくはその中における、バッファ層（buffer layer）として用いることができる。
他の正孔伝送物質層の構造式は、図12〜16に示しており、ここで、式中の R1、 R2 、および R3 は、水素原子、ならびに、置換および非置換脂肪族基のような置換および非置換ヒドロカルビル基、置換および非置換芳香族基、複素環構造および多環構造、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基、もしくはチオフェニル基から選択する、同一であるかまたは異なる基であるか、あるいは、R1、 R2 および R3 は、置換および非置換縮合環芳香族基、複素環構造基および多環構造基を形成し、かつスチレンのようなモノマーと共重合できる。Xは、Se、SもしくはOであり、Yは、水素原子、置換もしくは非置換芳香族基のような置換もしくは非置換ヒドロカルビル基、複素環構造基および多環構造基、フッ素原子、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基もしくはチオフェニル基もしくはニトリル基、とすることができる。
R1 および／または R2 および／または R3 の例は、脂肪族基、芳香族基、ならびに、複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、ならびに、置換もしくは非置換フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基（ phenanthrene ）、アントラセン基（ anthracene ）、ナフチル基およびフルオレン基（ fluorene ）、ならびに、t-ブチル基のようなアルキル基、ならびに、カルバゾールのような複素環基、を含む。
本発明のある実施例においては、前記エレクトロルミネッセンス層内で、前記正孔伝送物質は、前記エレクトロルミネッセンス化合物と混合され、また、好ましいエレクトロルミネッセンス化合物は、図4bに示す構造式を有する CBP である。
前記アノードと前記正孔伝送層との間には、バッファ層を置くことができ、また、上述で列挙した任意の正孔伝送物質を用いることができる。
前記カソードと前記エレクトロルミネッセンス化合物との間に、電子注入物質の層を任意に加えることができる。前記電子注入物質は、例えばアルミニウムキノラート、リチウムキノラート、 Mx(DBM)n （式中の Mx は金属であり、 DBM はジベンゾイルメタンであり、 n は Mx の原子価であり、例えばMx はクロムである）、といった金属錯体を含み、電子注入物質中を電流が通過するときに電子を伝送する物質である。前記電子注入物質は、例えば9,10-ジシアノアントラセンのようなシアノアントラセン、シアノ基置換芳香族化合物、テトラシアノキニドジメタン（ tetracyanoquinidodimethane ）、ポリスチレンスルホナート（ a polystyrene sulphonate ）、または、図9もしくは図10に示した構造式においてフェニル環を上述で定めた置換基 R によって置換したもの、とすることもできる。層を分ける代わりに、前記電子注入物質と、エレクトロルミネッセンス物質を混合し、かつ共に析出させることができる。
前記カソードと前記エレクトロルミネッセンス化合物との間に、電子注入物質の層を任意に加えることができる。前記電子注入物質は、例えばアルミニウムキノラート、リチウムキノラート、 Mx(DBM)n （式中の Mx は金属であり、 DBM はジベンゾイルメタンであり、 n は Mx の原子価であり、例えばMx はクロムである）、といった金属錯体を含み、電子注入物質中を電流が通過するときに電子を伝送する物質である。前記電子注入物質は、例えば9,10-ジシアノアントラセンのようなシアノアントラセン、シアノ基置換芳香族化合物、テトラシアノキニドジメタン（ tetracyanoquinidodimethane ）、ポリスチレンスルホナート（ a polystyrene sulphonate ）、または、図9もしくは図10に示した構造式においてフェニル環を上述で定めた置換基 R によって置換したもの、とすることもできる。層を分ける代わりに、前記電子注入物質と、エレクトロルミネッセンス物質を混合し、かつ共に析出させることができる。
前記正孔伝送物質と、エレクトロルミネッセンス物質を混合し、かつ共に析出させることも任意に可能である。
前記正孔伝送物質、前記エレクトロルミネッセンス物質および前記電子注入物質は、構造を簡単にするために、混合して単独の層をつくることができる。
前記正孔伝送物質、前記エレクトロルミネッセンス物質および前記電子注入物質は、構造を簡単にするために、混合して単独の層をつくることができる。
アノードは、好ましくは、アノードとしてはたらく導電性ガラスもしくはプラスチック物質のような透明な基層である。好ましい基層は、錫ドープ酸化インジウム（indium tin oxide）被覆ガラスのような導電性ガラスであるが、導電性があるか、または金属もしくは導電性ポリマーのような導電性層を持つ任意のガラスを用いることができる。導電性ポリマーおよび、導電性ポリマー被覆ガラスもしくはプラスチック物質は、前記の基層にも用いることができる。
カソードは、好ましくは、例えばアルミニウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム、および、銀／マグネシウム合金、希土類金属合金などといったそれらの合金である、低い仕事関数の金属であり、好ましい金属は、アルミニウムである。アルカリ金属、希土類金属、もしくはその合金のようなフッ化金属を前記の第二電極とすることができ、例えば、金属上にフッ化金属層をつくるように用いることができる。
前記ジイリジウム化合物(A)は、例えばユウロピウム錯体である他のエレクトロルミネッセンス化合物と混合することができ、また、本発明は、(i) 第一電極、(ii) イリジウム有機金属錯体もしくは有機錯体と混合された、エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層、および(iii) 第二電極、を含むエレクトロルミネッセンスデバイスも提供する。
さらにエレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層が在るのが好ましく、本発明は、(i) 第一電極、(ii) エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層、(iii) ジイリジウム化合物と混合された、エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層、および(iv) 第二電極、を含むエレクトロルミネッセンスデバイスも提供する。
前記のエレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体は、好ましくは、構造式 (Lα)3Eu を持ち、ここで式中の Lα は有機錯体である。
本発明で用いられる、好ましいエレクトロルミネッセンス化合物は、以下の構造式を持ち、
本発明で用いられる、好ましいエレクトロルミネッセンス化合物は、以下の構造式を持ち、
例として、 (L1)(L2)(L3)Eu(Lp) は、式中の (L1)(L2)(L3) は同一もしくは異なった有機錯体、 (Lp) は中性配位子であって、種々の基群 (L1)(L2)(L3) は同一もしくは異なったものとすることができる。
Lp は単座配位子、二座配位子もしくは多座配位子とすることができ、 配位子 Lp はひとつもしくは複数とすることができる。
本発明で用いることができる、さらなるエレクトロルミネッセンス化合物は、一般構造式(Lα)nEuM2 を有し、ここで式中の M2 は非希土類金属、 Lα は前述したもの、ならびに n は Eu および M2 の結合原子価状態である。前記錯体は、さらにひとつもしくは複数の中性配位子 Lp を含むことができ、このとき一般構造式は、 (Lα)nEuM2(Lp) となり、ここで式中の Lp は前述したものである。金属 M2 は、希土類、遷移金属、ランタノイドもしくはアクチノイドではない任意の金属である。使用できる金属の例は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅(I)、銅(II)、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、錫(II)、錫(IV)、アンチモン(II)、アンチモン(IV)、鉛(II)、鉛(IV)、ならびに、種々の原子価状態の第一、第二および第三遷移金属、例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム(II)、パラジウム(IV)、白金(II)、白金(IV)、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、を含む。
本発明で用いることができる、さらなるエレクトロルミネッセンス化合物は、一般構造式(Lα)nEuM2 を有し、ここで式中の M2 は非希土類金属、 Lα は前述したもの、ならびに n は Eu および M2 の結合原子価状態である。前記錯体は、さらにひとつもしくは複数の中性配位子 Lp を含むことができ、このとき一般構造式は、 (Lα)nEuM2(Lp) となり、ここで式中の Lp は前述したものである。金属 M2 は、希土類、遷移金属、ランタノイドもしくはアクチノイドではない任意の金属である。使用できる金属の例は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅(I)、銅(II)、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、錫(II)、錫(IV)、アンチモン(II)、アンチモン(IV)、鉛(II)、鉛(IV)、ならびに、種々の原子価状態の第一、第二および第三遷移金属、例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム(II)、パラジウム(IV)、白金(II)、白金(IV)、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、を含む。
好ましくは、 Lα は、以下の構造式の化合物のようなβ-ジケトンから選択する。
R1 および／もしくは R2 および／もしくは R3 の例は、脂肪族基、芳香族基、ならびに、複素環アルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、置換および置換フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基（ phenanthrene ）、アントラセン基（ anthracene ）、ナフチル基およびフルオレン基（ fluorene ）、ならびに、t-ブチル基のようなアルキル基、ならびに、カルバゾールのような複素環基を含む。
種々の基群 Lα のうちのいくつかは、同一もしくは異なった、カルボキシラート基のような荷電基とすることもでき、これによって、基 L1 は上述で定義したもの、基群 L2 、 L3、・・・ は以下の構造式のような荷電基とすることができ、
R1 、 R2 、および R3は、XをO、S、Se もしくは NH とする以下の構造式の基とすることもできる。
種々の基群 Lα は、以下の構造式の同一もしくは異なった配位子とすることができ、
種々の基群 Lα は、以下の構造式で表わされる、同一もしくは異なったキノラート誘導体であって、
種々の基群Lαは、さらに、以下の構造式のものとすることができる。
-C-CH2=CH2-R
ここで R は上述したものである。
Lp は、以下の構造式の化合物とすることもでき、
Lp は、以下の構造式とすることもでき、
Lp キレートの他の例は、図4に示したもの、および、フルオレン、および、例えば図5に示したフルオレン誘導体、および、図6〜8に示した構造式の化合物である。
Lα および Lp の特定の例は、トリピリジル基およびTMHD、およびTMHD錯体、α,α',α''トリピリジル基 （ α,α',α'' tripyridyl ）、クラウンエーテル類、シクラン類（ cyclans ）、クリプタンスフタロシアナン類 （ cryptans phthalocyanans ）、ポルフォルイン類 （ porphoryins ）、エチレンジアミンテトラミン （ ethylene diamine tetramine; EDTA ）、DCTA、DTPAおよびTTHAである。ここでTMHD とは、 2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート （ 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato ）であり、OPNP とは、ジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン （ diphenylphosphonimide triphenyl phosphorane ）である。前記ポリアミン類の構造式は図11に示した。
Lα および Lp の特定の例は、トリピリジル基およびTMHD、およびTMHD錯体、α,α',α''トリピリジル基 （ α,α',α'' tripyridyl ）、クラウンエーテル類、シクラン類（ cyclans ）、クリプタンスフタロシアナン類 （ cryptans phthalocyanans ）、ポルフォルイン類 （ porphoryins ）、エチレンジアミンテトラミン （ ethylene diamine tetramine; EDTA ）、DCTA、DTPAおよびTTHAである。ここでTMHD とは、 2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート （ 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato ）であり、OPNP とは、ジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン （ diphenylphosphonimide triphenyl phosphorane ）である。前記ポリアミン類の構造式は図11に示した。
好ましいユウロピウム錯体は、 Eu(DBM)3OPNP である。
本発明のある実施形態では、(i) 第一電極、(ii) 正孔伝送層、(iii) イリジウム有機金属錯体もしくは有機錯体(A)と混合された、エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機錯体もしくは有機錯体の層、(iv) 電子伝送層、および(v) 第二電極、を含む構造を提供し、また、好ましくは、前記層(iii)に隣接して、ユウロピウムエレクトロルミネッセンス有機金属錯体もしくは有機錯体のひとつもしくは複数の層が存在する。
本発明のある実施形態では、(i) 第一電極、(ii) 正孔伝送層、(iii) イリジウム有機金属錯体もしくは有機錯体(A)と混合された、エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機錯体もしくは有機錯体の層、(iv) 電子伝送層、および(v) 第二電極、を含む構造を提供し、また、好ましくは、前記層(iii)に隣接して、ユウロピウムエレクトロルミネッセンス有機金属錯体もしくは有機錯体のひとつもしくは複数の層が存在する。
正孔と電子が、前記エレクトロルミネッセンス層で結合するようにするため、および前記デバイスの全体的な性能を向上させるために、バッファ層となる他の層を任意に置くこともできる。
前記ジイリジウム錯体、およびそれを組み込んだデバイスの合成の実例となる実施例において、本発明を図示する。
3,4-ジアセチル-2,5-ヘキサンジオン(I)
テトラキス(2-フェニルピリジン-C2,N')(ジ-μ-クロロ)ジイリジウム(II)
（ Tetrakis(2-phenylpyridine-C2,N')(di-μ-chloro)diiridium ）
（ Tetrakis(2-phenylpyridine-C2,N')(di-μ-chloro)diiridium ）
テトラキス(2-フェニルピリジン-C2,N')(μ-3,4-ジアセチル-2,5-ヘキサンジオナート)ジイリジウム
（ Tetrakis(2-phenylpyridine-C2,N')(μ-3,4-diacetyl-2,5-hexanedionate)diiridium ）
（ Tetrakis(2-phenylpyridine-C2,N')(μ-3,4-diacetyl-2,5-hexanedionate)diiridium ）
（デバイスの組立）
エレクトロルミネッセンスデバイスを、図17に示した。ここで、層1〜8は、(1)はITO、(2)は CuPc 、(3)は α-NPB 、(4)はエレクトロルミネッセンス混合物、(5)は BCP、(6)は Alq3 、(7)は LiF 、および(8)はAl である。前記デバイスをつくるために、プレエッチングITO被覆ガラス（a pre-etched ITO coated glass）片（10 x 10cm2）を用いた。前記デバイスは、ULVAC社（茅ヶ崎、日本）製の Solciet を使用した真空蒸着によって、前記ITO上に、連続的に層を形成して組み上げられた。各ピクセルの活性領域は 3mm x 3mm となった。構造は、
ITO/CuPc(8nm)/α-NPB(40nm)/CBP + Ir2(diacac)2(dpp)2(12%) (20nm)/BCP(6nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.7mn)/Al
であり、ここで式中の CBP は、図4bに示した構造式の R を H にした化合物であり、BCP はバソクプロイン （ bathocupron ）であり、 また、 Ir2(diacac)2(dpp)2は、実施例３で合成されたものである。
前記デバイス内に電流を通し、計測した放射された光の特性と結果を、図18〜20に示した。
本文中に図面の簡単な説明の記載無し。
Claims (9)
- 以下の構造式を有するイリジウム化合物であって、
Ｌ1及びＬ2はそれぞれ、２−フェニルピリジンであり、
Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ、同一もしくは異なった基であって、水素原子、炭素数が１または４つのアルキル基、フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントリル基、アントリル基、ナフチル基、フルオレニル基、チオフェニル基、カルバゾリル基、トリフルオリルメチル基、及びフッ素原子から選択される
ことを特徴とするイリジウム化合物。 - Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれメチルである
ことを特徴とする請求項１に記載のイリジウム化合物。 - 請求項２に記載のイリジウム化合物の製造方法であって、
- 前記反応は炭酸ナトリウムの存在下で行われる
ことを特徴とする請求項３に記載のイリジウム化合物の製造方法。 - 前記反応は２−エトキシエタノール中で行われる
ことを特徴とする請求項３に記載のイリジウム化合物の製造方法。 - 第１の電極と、第２の電極と、前記第1の電極と前記第２の電極との間にあるエレクトロルミネセント層とを備えるエレクトロルミネセントデバイスの形成方法であって、
基板に請求項１または２に記載のイリジウム化合物を真空蒸着させることにより、前記エレクトロルミネセント層を形成させる
ことを特徴とするエレクトロルミネセントデバイスの形成方法。 - 基板に４，４−ビス（９−ジカルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）と共に前記イリジウム化合物を真空蒸着して、前記イリジウム化合物と前記４，４−ビス（９−ジカルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）とを混合させたエレクトロルミネセント層を形成する
ことを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネセントデバイスの形成方法。 - 第１の電極と、
第２の電極と、
前記第1の電極と前記第２の電極との間にあるエレクトロルミネセント層とを備えるエレクトロルミネセントデバイスであって、
基板に蒸着させたイリジウム化合物を備え、該イリジウム化合物は、請求項１または２に記載のイリジウム化合物である
ことを特徴とするエレクトロルミネセントデバイス。 - 前記エレクトロルミネセント層は、前記真空蒸着されたイリジウム化合物と真空蒸着された４，４−ビス（９−ジカルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）とを備える
ことを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GBGB0230076.2A GB0230076D0 (en) | 2002-12-24 | 2002-12-24 | Electroluminescent materials and devices |
| PCT/GB2003/005660 WO2004058783A1 (en) | 2002-12-24 | 2003-12-23 | Electroluminescent materials and devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006512388A JP2006512388A (ja) | 2006-04-13 |
| JP4663326B2 true JP4663326B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=9950362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004563367A Expired - Fee Related JP4663326B2 (ja) | 2002-12-24 | 2003-12-23 | エレクトロルミネッセンス物質および装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060269778A1 (ja) |
| EP (1) | EP1578756B1 (ja) |
| JP (1) | JP4663326B2 (ja) |
| AT (1) | ATE364612T1 (ja) |
| AU (1) | AU2003290340A1 (ja) |
| DE (1) | DE60314452T2 (ja) |
| GB (1) | GB0230076D0 (ja) |
| WO (1) | WO2004058783A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1578886A2 (en) * | 2002-12-24 | 2005-09-28 | Elam-T Limited | Electroluminescent materials and devices |
| US20050164031A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Thompson Mark E. | Dual emitting dyads of heavy metal complexes as broad band emitters for organic LEDs |
| GB0417927D0 (en) * | 2004-08-12 | 2004-09-15 | Elam T Ltd | Electroluminescent materials and devices |
| WO2006024997A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | White light-emitting device |
| GB0422913D0 (en) * | 2004-10-15 | 2004-11-17 | Elam T Ltd | Electroluminescent devices |
| GB0424294D0 (en) * | 2004-11-03 | 2004-12-01 | Elam T Ltd | Buffer layer |
| GB0426675D0 (en) * | 2004-12-06 | 2005-01-05 | Elam T Ltd | Electroluminescent materials and devices |
| CN1931803B (zh) * | 2006-10-30 | 2010-12-15 | 清华大学 | 一种有机电致发光材料及其应用 |
| GB0625540D0 (en) | 2006-12-22 | 2007-01-31 | Oled T Ltd | Electroluminescent devices |
| GB0625865D0 (en) | 2006-12-29 | 2007-02-07 | Oled T Ltd | Electro-optical or opto-electronic device |
| GB0804469D0 (en) | 2008-03-11 | 2008-04-16 | Oled T Ltd | Compounds having electroluminescent or electron transport properties |
| GB201306365D0 (en) | 2013-04-09 | 2013-05-22 | Kathirgamanathan Poopathy | Heterocyclic compounds and their use in electro-optical or opto-electronic devices |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002105055A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | イリジウム錯体またはその互変異性体の製造方法 |
| WO2002043446A1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Elam-T Limied | Electroluminescent device |
| US20050186443A1 (en) * | 2000-06-12 | 2005-08-25 | Marrocco Matthew L.Iii | Polymer matrix electroluminescent materials and devices |
| JP2006512755A (ja) * | 2002-12-24 | 2006-04-13 | エラム−ティー リミテッド | エレクトロルミネッセンス物質および装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3069139B2 (ja) * | 1990-03-16 | 2000-07-24 | 旭化成工業株式会社 | 分散型電界発光素子 |
| US20020121638A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
| US6939624B2 (en) * | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Universal Display Corporation | Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence |
| WO2002045466A1 (fr) * | 2000-11-30 | 2002-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Element luminescent et ecran |
| EP1881050B1 (en) * | 2000-11-30 | 2013-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescence device and display apparatus |
| JP4438042B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置 |
| JP4310077B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2009-08-05 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物及び有機発光素子 |
-
2002
- 2002-12-24 GB GBGB0230076.2A patent/GB0230076D0/en not_active Ceased
-
2003
- 2003-12-23 DE DE60314452T patent/DE60314452T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 AU AU2003290340A patent/AU2003290340A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-23 US US10/540,732 patent/US20060269778A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-23 JP JP2004563367A patent/JP4663326B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-23 AT AT03782699T patent/ATE364612T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-12-23 WO PCT/GB2003/005660 patent/WO2004058783A1/en active IP Right Grant
- 2003-12-23 EP EP03782699A patent/EP1578756B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050186443A1 (en) * | 2000-06-12 | 2005-08-25 | Marrocco Matthew L.Iii | Polymer matrix electroluminescent materials and devices |
| JP2002105055A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | イリジウム錯体またはその互変異性体の製造方法 |
| WO2002043446A1 (en) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Elam-T Limied | Electroluminescent device |
| JP2006512755A (ja) * | 2002-12-24 | 2006-04-13 | エラム−ティー リミテッド | エレクトロルミネッセンス物質および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1578756B1 (en) | 2007-06-13 |
| JP2006512388A (ja) | 2006-04-13 |
| GB0230076D0 (en) | 2003-01-29 |
| DE60314452T2 (de) | 2008-03-20 |
| US20060269778A1 (en) | 2006-11-30 |
| WO2004058783A1 (en) | 2004-07-15 |
| EP1578756A1 (en) | 2005-09-28 |
| AU2003290340A1 (en) | 2004-07-22 |
| DE60314452D1 (de) | 2007-07-26 |
| ATE364612T1 (de) | 2007-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7011897B2 (en) | Organic light emitting materials and devices | |
| JP4937761B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス物質およびデバイス | |
| KR20070033350A (ko) | 유기금속 화합물 및 그러한 화합물로 만들어진 장치 | |
| JP2006513278A6 (ja) | 有機発光材料及びデバイス | |
| WO2006045235A1 (en) | Luminescent gold(iii) compounds, their preparation, and light-emitting devices containing same | |
| KR101105242B1 (ko) | 용액공정이 가능한 피콜리닉산 또는 피콜리닉산-엔-옥사이드 유도체를 보조리간드로 갖는 이리듐계 청색 발광화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 | |
| JP4663326B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス物質および装置 | |
| JP2006512755A (ja) | エレクトロルミネッセンス物質および装置 | |
| JP5564164B2 (ja) | エレクトロルミネセンス物質およびデバイス | |
| US20040253477A1 (en) | Electroluminescent device | |
| WO2004084325A1 (en) | Electroluminescent boron complexes | |
| JP5000497B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス物質およびデバイス | |
| JP2004535651A (ja) | エレクトロルミネセンスデバイス | |
| KR20080057377A (ko) | 발광 특성이 개선된 이리듐계 착화합물 및 이를 포함하는유기전계발광소자 | |
| US20080199727A1 (en) | Buffer Layer | |
| WO2002090465A1 (en) | Electroluminescent devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061117 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061225 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20081010 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081010 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091124 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100224 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110105 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |