JP4661220B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents
Electro-optical device and electronic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP4661220B2 JP4661220B2 JP2005000430A JP2005000430A JP4661220B2 JP 4661220 B2 JP4661220 B2 JP 4661220B2 JP 2005000430 A JP2005000430 A JP 2005000430A JP 2005000430 A JP2005000430 A JP 2005000430A JP 4661220 B2 JP4661220 B2 JP 4661220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- substrate
- electro
- optical device
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本発明は、液晶などの電気光学物質を利用した電気光学装置、およびこの電気光学装置
を備えた電子機器に関する。
The present invention relates to an electro-optical device using an electro-optical material such as liquid crystal, and an electronic apparatus including the electro-optical device.
液晶装置などの電気光学装置は、走査信号や映像信号といった駆動信号を電気光学物質
に伝送するための配線が基板の表面上に形成された構成となっている。例えば、特許文献
1には、第1基板との間隙に液晶を保持する第2基板の表面上に走査線駆動回路が実装さ
れる液晶装置において、第1基板に形成された走査線と第2基板に形成された配線の一端
とを導通材によって導通させ、この配線の他端を走査線駆動回路に接続した構成が開示さ
れている。また、例えば第2基板にデータ線駆動回路が実装される構成のもとでは、第2
基板上に多数のデータ線が形成されて各々の端部がデータ線駆動回路に接続される。
A number of data lines are formed on the substrate, and each end is connected to a data line driving circuit.
しかしながら、この構成においては各配線の全長が相違するため、配線ごとに抵抗値が
ばらつくという問題がある。このように各配線の抵抗値が相違すると、各画素に供給され
る駆動信号の波形歪み(波形の鈍りまたは遅延など)や電圧降下の程度が配線ごとに異な
るため、例えば電気光学装置を表示デバイスとして利用した場合には、仮に総ての画素に
同一の階調を表示させようとしても、各画素によって実際に表示される階調が画素の位置
に応じて異なって表示品位が低下するといった問題がある。本発明は、このような事情に
鑑みてなされたものであり、各配線の抵抗値やそのばらつきを抑制することを目的として
いる。
However, in this configuration, since the total length of each wiring is different, there is a problem that the resistance value varies for each wiring. If the resistance value of each wiring is different in this way, the waveform distortion (waveform dullness or delay, etc.) and the voltage drop of the drive signal supplied to each pixel differ from wiring to wiring. If the same gradation is displayed on all the pixels, the gradation actually displayed by each pixel differs depending on the position of the pixel and the display quality deteriorates. There is. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to suppress the resistance value of each wiring and its variation.
この目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、相互に対向する第1基板お
よび第2基板と、第1基板と第2基板との間隙に配置された電気光学物質と、第2基板の
うち第1基板側の表面上に形成された複数の配線とを具備し、複数の配線の各々は、第2
基板のうち第1基板と重なり合う領域に第1の導電性材料によって形成された第1配線部
と、第2基板のうち第1基板の周縁から張り出した張出領域に第1導電性材料よりも抵抗
率が高い材料によって形成された第2配線部と有し、第2配線部のうち第1配線部との境
界に位置する第1部分の配線幅は、第2配線部のうち第1部分に対して第1配線部とは反
対側に位置する第2部分の配線幅よりも広いことを特徴とする。
この構成によれば、第2配線部のうち第1配線部側に位置する第1部分の配線幅がその
反対側に位置する第2部分の配線幅よりも広い寸法となっている。したがって、第2配線
部の配線幅がその全長にわたって第2部分の配線幅とされた構成と比較して第2配線部の
抵抗値が低減される。さらに、この第2部分に連結される第1配線部についても広い配線
幅を確保することができるから、各配線の抵抗値を低減することができ、これにより各配
線の抵抗値のばらつきも抑制される。
To achieve this object, an electro-optical device according to the present invention includes a first substrate and a second substrate facing each other, an electro-optical material disposed in a gap between the first substrate and the second substrate, A plurality of wirings formed on a surface on the first substrate side of the two substrates, each of the plurality of wirings being a second wiring
The first wiring part formed of the first conductive material in a region of the substrate that overlaps the first substrate, and the overhanging region of the second substrate that protrudes from the periphery of the first substrate than the first conductive material. The second wiring portion formed of a material having high resistivity, and the wiring width of the first portion located at the boundary with the first wiring portion of the second wiring portion is the first portion of the second wiring portion. On the other hand, it is characterized by being wider than the wiring width of the second portion located on the opposite side to the first wiring portion.
According to this structure, the wiring width of the 1st part located in the 1st wiring part side among the 2nd wiring parts is a dimension wider than the wiring width of the 2nd part located in the other side. Therefore, the resistance value of the second wiring portion is reduced as compared with the configuration in which the wiring width of the second wiring portion is the wiring width of the second portion over the entire length. Further, since the wide wiring width can be secured also for the first wiring portion connected to the second portion, the resistance value of each wiring can be reduced, thereby suppressing the variation of the resistance value of each wiring. Is done.
本発明の望ましい態様において、複数の配線の各々は、第2配線部のうち第1配線部と
は反対側に連結された第3配線部を有し、第2部分は、第2配線部のうち第3配線部との
境界に位置する部分である。この態様における第3配線部は、例えば図7に示される接続
端子部55である。ただし、第3配線部がICチップに接続される部分である必要は必ず
しもない。例えば、ICチップに接続される接続端子部が、第3配線部のうち第2配線部
とは反対側の端部に連結された構成も採用される。
In a preferred aspect of the present invention, each of the plurality of wirings has a third wiring part connected to the opposite side of the second wiring part to the first wiring part, and the second part is formed of the second wiring part. Of these, the portion is located at the boundary with the third wiring portion. The third wiring portion in this aspect is, for example, the
本発明の望ましい態様において、第2配線部の配線幅は、第2部分から第1部分に向か
って連続的に増加する。また、さらに他の態様において、第2配線部における第2部分の
配線幅と第2配線部における第1部分の配線幅との少なくとも一方は複数の配線について
略同一である。これらの態様によれば、第2配線部の構成の簡素化が図られる。もっとも
、第2配線部における第2部分や第1部分の配線幅が配線ごとに相違する構成としてもよ
い。この態様においては、第2配線部の面積が複数の配線について略同一とされる。
In a desirable aspect of the present invention, the wiring width of the second wiring portion continuously increases from the second portion toward the first portion. In still another aspect, at least one of the wiring width of the second portion in the second wiring portion and the wiring width of the first portion in the second wiring portion is substantially the same for the plurality of wirings. According to these aspects, the configuration of the second wiring portion can be simplified. But it is good also as a structure from which the wiring width of the 2nd part in a 2nd wiring part and a 1st part differs for every wiring. In this aspect, the area of the second wiring portion is substantially the same for the plurality of wirings.
他の態様においては、第1基板と第2基板との間隙に介在して両基板を接合する枠状の
シール材が設けられ、各配線の第1配線部と第2配線部との境界は、シール材の外周縁よ
りも内側に位置する。この態様によれば、第1配線部と外気との接触がシール材によって
阻害されるから、第1配線部の腐食を確実に抑制することができるという利点がある。
In another aspect, a frame-shaped sealing material is provided to join the two substrates with a gap between the first substrate and the second substrate, and the boundary between the first wiring portion and the second wiring portion of each wiring is It is located inside the outer peripheral edge of the sealing material. According to this aspect, since the contact between the first wiring portion and the outside air is inhibited by the sealing material, there is an advantage that the corrosion of the first wiring portion can be reliably suppressed.
また、本発明の望ましい態様においては、第2基板のうち第1基板の周縁から第1の方
向に張り出す張出領域に実装されて各配線に接続されたひとつのICチップが設けられ、
各配線の第1配線部は、第1の方向に対して第1の角度(例えば図7の角度θ1)をなし
てICチップに向かう連結部を有し、各配線の第2配線部は、第1の方向に対して第1の
角度よりも小さい第2の角度(例えば図7の角度θ2)をなして第1部分からICチップ
に向かって延在する。この態様によれば、各配線の位置に拘わらず各々の抵抗値を均等化
することができる。なお、連結部の配線幅は、複数の配線について略同一とされる。
Further, in a desirable aspect of the present invention, there is provided one IC chip that is mounted on an overhanging region that extends in the first direction from the periphery of the first substrate among the second substrate and is connected to each wiring.
The first wiring portion of each wiring has a connecting portion that is directed to the IC chip at a first angle (for example, the angle θ1 in FIG. 7) with respect to the first direction, and the second wiring portion of each wiring is The first portion extends from the first portion toward the IC chip at a second angle smaller than the first angle (for example, the angle θ2 in FIG. 7) with respect to the first direction. According to this aspect, it is possible to equalize each resistance value regardless of the position of each wiring. Note that the wiring width of the connecting portion is substantially the same for a plurality of wirings.
さらに他の態様においては、第1基板のうち電気光学物質と対向する表面上に形成され
た複数の第1駆動配線(例えば走査線およびデータ線の一方)が設けられ、各配線の第1
配線部は、第1の方向と交差する第2の方向に延在して端部が連結部に連なる上下導通部
を有し、上下導通部のうち連結部とは反対側の端部は、第1基板と第2基板との間隙に配
置された導通粒子を介して第1駆動配線に導通する。この態様によれば、第1駆動配線を
駆動するためのICチップを第2基板に実装することができるから、いわゆる額縁領域の
対称化やその狭小化が図られる。この態様においては、第2基板のうち電気光学物質と対
向する表面上に形成されて第2の方向に延在する複数の第2駆動配線(例えば走査線およ
びデータ線の他方)が設けられ、ICチップは、複数の配線および複数の第2駆動配線に
接続される。この態様によれば、第1駆動配線に信号を出力する回路と第2駆動配線に信
号を出力する回路との双方を第2基板上に実装することができる。
In yet another aspect, a plurality of first drive wirings (for example, one of scanning lines and data lines) formed on a surface of the first substrate facing the electro-optic material are provided, and the first of each wiring is provided.
The wiring portion has a vertical conduction portion extending in a second direction intersecting the first direction and having an end portion connected to the connection portion, and the end portion on the opposite side of the connection portion of the vertical conduction portion is: Conduction to the first drive wiring is made through conduction particles arranged in the gap between the first substrate and the second substrate. According to this aspect, since the IC chip for driving the first drive wiring can be mounted on the second substrate, so-called frame region can be symmetrized or narrowed. In this aspect, a plurality of second drive wirings (for example, the other of the scanning lines and the data lines) formed on the surface of the second substrate facing the electro-optical material and extending in the second direction are provided. The IC chip is connected to a plurality of wires and a plurality of second drive wires. According to this aspect, both the circuit that outputs a signal to the first drive wiring and the circuit that outputs a signal to the second drive wiring can be mounted on the second substrate.
本発明の望ましい態様において、第1配線部は、第1の導電性材料よりも抵抗率が高い
材料によって形成された第1層(例えば図9に示される第1層61)と第1の導電性材料
によって形成された第2層(例えば図9に示される第2層62)とを積層した構造となっ
ている。この態様によれば、何らかの欠陥によって第2層が断線した場合であっても、第
1層によって配線としての機能を維持することができる。また、第1層と第2配線部とを
単一の膜体から共通の工程にて一括的に形成すれば製造コストを低減することができる。
なお、第1層と第2層との位置関係は任意である。すなわち、第1層が第2層の表面上に
形成された構成であってもよいし第2層が第1層の表面上に形成された構成であってもよ
い。また、第1層と第2層との間に他の膜体(例えば図9に示される絶縁層65)が介挿
された構成としてもよい。
In a desirable aspect of the present invention, the first wiring portion includes a first layer (for example, the
The positional relationship between the first layer and the second layer is arbitrary. In other words, the first layer may be formed on the surface of the second layer, or the second layer may be formed on the surface of the first layer. Further, another film body (for example, the
なお、「配線幅」とは、典型的には配線が延在する方向と垂直な方向における当該配線
の寸法である。この観点からすると、本発明に係る電気光学装置は、相互に対向する第1
基板および第2基板と、第1基板と第2基板との間隙に配置された電気光学物質と、第2
基板のうち第1基板側の表面上に形成された複数の配線とを具備し、複数の配線の各々は
、第2基板のうち第1基板と重なり合う領域に第1の導電性材料によって形成された第1
配線部と、第2基板のうち第1基板の周縁から張り出した張出領域に第1導電性材料より
も抵抗率が高い材料によって形成された第2配線部と有し、第2配線部が延在する方向に
垂直な方向における当該第2配線部の寸法である配線幅は、第2配線部のうち第1配線部
との境界に位置する第1部分のほうが、第1部分に対して第1配線部とは反対側に位置す
る第2部分よりも大きい構成として特定される。
The “wiring width” is typically a dimension of the wiring in a direction perpendicular to the direction in which the wiring extends. From this point of view, the electro-optical device according to the present invention is the first that faces each other.
A substrate and a second substrate; an electro-optic material disposed in a gap between the first substrate and the second substrate;
A plurality of wirings formed on a surface of the substrate on the first substrate side, and each of the plurality of wirings is formed of a first conductive material in a region of the second substrate overlapping the first substrate. First
A wiring portion; and a second wiring portion formed of a material having a higher resistivity than the first conductive material in a protruding region of the second substrate that extends from the periphery of the first substrate. The wiring width, which is the dimension of the second wiring portion in the direction perpendicular to the extending direction, is such that the first portion located at the boundary with the first wiring portion of the second wiring portion is more than the first portion. It is specified as a configuration larger than the second portion located on the opposite side to the first wiring portion.
本発明に係る電気光学装置は、典型的には各種の電子機器の表示手段として利用される
。この種の電子機器としては、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機、あるいは投
射型表示装置(いわゆるプロジェクタ)が挙げられる。もっとも、本発明に係る電気光学
装置は画像の表示以外の用途にも利用され得る。例えば、本発明に係る電気光学装置は、
フォトリソグラフィ技術のもとで被加工物を選択的に露光するためのマスクとしても利用
される。
The electro-optical device according to the present invention is typically used as display means of various electronic devices. Examples of this type of electronic device include a personal computer, a mobile phone, and a projection display device (so-called projector). However, the electro-optical device according to the present invention can be used for purposes other than displaying images. For example, an electro-optical device according to the present invention is:
It is also used as a mask for selectively exposing a workpiece under a photolithography technique.
まず、電気光学物質として液晶を利用した電気光学装置(液晶装置)に本発明を適用し
た形態を説明する。なお、以下に示す各図においては、各要素を図面上で認識され得る程
度の大きさとするため、各々の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
First, an embodiment in which the present invention is applied to an electro-optical device (liquid crystal device) using liquid crystal as an electro-optical material will be described. In the drawings shown below, the dimensions and ratios are appropriately different from the actual ones in order to make each element large enough to be recognized on the drawings.
<A:電気光学装置の構成>
図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示す分解斜視図であり、図2は
、この電気光学装置を図1におけるZ方向の正側から負側にみたときの平面図である。こ
れらの図に示されるように、電気光学装置Dは、相互に対向する第1基板10と第2基板
20とを有する。第1基板10および第2基板20は、ガラスやプラスチックなど光透過
性を有する材料からなる板状の部材である。第1基板10と第2基板20とは、略長方形
の枠状に成形されたシール材30(図2においては便宜的にハッチングが施されている)
を介して貼り合わされる。
<A: Configuration of electro-optical device>
FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the invention. FIG. 2 is a plan view of the electro-optical device when viewed from the positive side in the Z direction in FIG. It is. As shown in these drawings, the electro-optical device D includes a
It is pasted through.
図1および図2に示されるように、第2基板20は第1基板10よりも外形の寸法が大
きい。第2基板20のうち第1基板10の周縁からY方向に張り出した領域(以下「張出
領域20a」という)にはひとつのICチップ40がCOG(Chip On Glass)技術によ
って実装される。さらに詳述すると、ICチップ40は、張出領域20aのうちX方向の
中央部に配置される。このICチップ40は、走査線駆動回路411および412とデー
タ線駆動回路43とを1チップに搭載した集積回路である。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図3は、図2のIII−III線からみた断面のうちシール材30によって囲まれた領域の構
成を示す断面図である。図3に示されるように、第1基板10および第2基板20とシー
ル材30とによって囲まれた空間には液晶35が封止される。なお、実際には第1基板1
0や第2基板20の各々のうち液晶35とは反対側の表面上に偏光板や位相差板が貼着さ
れるが、その図示は省略されている。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a region surrounded by the sealing
A polarizing plate and a retardation plate are attached to the surface of each of the 0 and the
図1ないし図3に示されるように、第1基板10のうち液晶35と対向する表面上には
複数の走査線15が形成される。各走査線15は、X方向に延在する帯状の電極であり、
例えばITO(Indium Tin Oxide)など光透過性を有する導電性材料によって形成される
。図2に示されるように、同図における上方から数えて奇数行目の走査線15は、X方向
の正側の端部155が第1基板10の周縁の近傍に至るように延在してその端部155が
シール材30と重なり合う。同様に、図2における上方から数えて偶数行目の走査線15
は、X方向の負側の端部155が第1基板10の周縁の近傍に至るように延在してその端
部155がシール材30と重なり合う。詳細については後述するが、奇数行目の走査線1
5はICチップ40の走査線駆動回路412に対して電気的に接続される一方、偶数行目
の走査線15は走査線駆動回路411に対して電気的に接続される。
As shown in FIGS. 1 to 3, a plurality of
For example, it is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide). As shown in FIG. 2, the odd-numbered
The
5 is electrically connected to the scanning
一方、第2基板20のうち液晶35と対向する表面上には複数の画素電極22が表示領
域Ad内にマトリクス状に配列される。各画素電極22は、ITOなどの光透過性を有す
る導電性材料からなる略矩形状の電極である。図2に示されるように、X方向に配列する
1行分の画素電極22は液晶35を挟んで1本の走査線15に対向する。ひとつの画素電
極22と、1本の走査線15のうち当該画素電極22に対向する部分と、これらの間隙に
挟まれた液晶35とによってひとつの画素が構成される。したがって、これらの画素は表
示領域Ad内にてX方向およびY方向にわたりマトリクス状に配列する。
On the other hand, on the surface of the
図4は、第2基板20のうち液晶35に対向する表面上に形成された要素の構成を示す
平面図である。なお、同図においてはひとつの画素に関わる要素のみが図示されているが
、その他の画素についても同様の構成となっている。図1ないし図4に示されるように、
第2基板20の表面上には複数のデータ線21が形成される。各データ線21は、Y方向
に並ぶ各列の画素電極22の間隙にてY方向に延在する配線である。各画素電極22とこ
れに隣接するデータ線21との間隙には二端子型非線形素子24が配置される。図1およ
び図2に示されるように、各データ線21は、表示領域Adから張出領域20aに到達す
るようにY方向に延在してその端部がデータ線駆動回路43の出力端子に接続される。
FIG. 4 is a plan view showing the configuration of elements formed on the surface of the
A plurality of
図5は、図4におけるV−V線からみた断面図(すなわちデータ線21の断面図)であ
る。図4および図5に示されるように、各データ線21は第1層211と第2層212と
を有する。第1層211のうち第1基板10の表面と略平行な表面は絶縁層215によっ
て覆われている。これに対し、第1層211のうちデータ線21の幅方向における縁端部
(エッジ部分)は絶縁層215から露出している。第2層212は、第1層211よりも
僅かに幅広に形成されて第1層211および絶縁層215を被覆する。したがって、第2
層212は、第1層211のうち絶縁層215から露出した縁端部に接触して第1層21
1と導通する。
5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 4 (that is, a cross-sectional view of the data line 21). As shown in FIGS. 4 and 5, each
The
1 is conducted.
次に、図6は、図4におけるVI−VI線からみた断面図である。図4および図6に示され
るように、二端子型非線形素子24は、Y方向を長手方向とする長尺状の第1導電層24
1と、この第1導電層241の表面を陽極酸化することによって形成された絶縁層(以下
「層間絶縁層」という)245と、層間絶縁層245の表面に相互に離間して配置された
第2導電層242aおよび242bとを有する。各データ線21の第1層211は第1導
電層241と共通の工程において同一の材料によって形成される。
Next, FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI in FIG. As shown in FIGS. 4 and 6, the two-terminal
1, an insulating layer (hereinafter referred to as “interlayer insulating layer”) 245 formed by anodizing the surface of the first
第2導電層242aは、データ線21の第2層212のうち第1導電層241に向かっ
てX方向に分岐した部分であり、層間絶縁層245を介して第1導電層241と重なり合
う。一方、第2導電層242bは、層間絶縁層245を挟んで第1導電層241と重なり
合う。各画素電極22は、第2導電層242bと電気的に接続される。各データ線21の
第2層212(第2導電層242aを含む)と二端子型非線形素子24の第2導電層24
2bとは共通の工程にて同一の材料によって形成される。
The second
2b is formed of the same material in a common process.
図4に示される二端子型非線形素子24は、第1素子S1と第2素子S2とを含む。この
うち第1素子S1は、図6に示されるように、第2導電層242aと層間絶縁層245と
第1導電層241とがデータ線21側からみてこの順番に積層された構成となっている。
このように第1素子S1は金属/絶縁体/金属のサンドイッチ構造となっているため、正
負双方向にわたるダイオードスイッチング特性を呈する。一方、第2素子S2は、第1導
電層241と層間絶縁層245と第2導電層242bとが第2基板20側からみてこの順
番に積層された構成となっている。したがって、第2素子S2は第1素子S1とは反対のダ
イオードスイッチング特性を呈する。このように、二端子型非線形素子24は、2個のダ
イオードを互いに逆向きとなるように直列に接続した構成となっているため、データ線2
1と画素電極22とがひとつのダイオードを介して接続された構成と比較して、電流−電
圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化される。
The two-terminal
Thus, since the first element S1 has a metal / insulator / metal sandwich structure, it exhibits diode switching characteristics in both positive and negative directions. On the other hand, the second element S2 has a configuration in which the first
Compared with a configuration in which 1 and the
次に、各走査線15をICチップ40の走査線駆動回路411または412に導通させ
るための配線の構成について説明する。なお、以下では特に奇数行目の走査線15を走査
線駆動回路411に導通させるための構成について説明するが、偶数行目の走査線15を
走査線駆動回路412に導通させるための構成も左右の位置関係が逆転する点を除いて同
様である。
Next, the configuration of wiring for connecting each
図2に示されるように、第2基板20のうちシール材30に沿ってY方向に延在する領
域には、各々が奇数行目の走査線15の何れかに対応する複数(すなわち走査線15の総
本数の半数)の配線50が形成される。これらの配線50は、奇数行目の各走査線15と
走査線駆動回路411とを電気的に接続するための配線である。
As shown in FIG. 2, in the region extending in the Y direction along the sealing
図7は、この配線50を拡大してシール材30とともに示す平面図である。同図に示さ
れるように、各配線50は、第1配線部51と第2配線部52と接続端子部55とがX方
向の正側に向かってこの順番に連結された構成となっている。第1配線部51と第2配線
部52とは、シール材30の内周縁と外周縁との間にて当該シール材30に沿ってX方向
に延在する直線Bを境界として区分される。すなわち、第2配線部52は境界Bに対して
張出領域20a側に位置する部分であり、第1配線部51は境界Bに対して張出領域20
aとは反対側に位置する部分である。したがって、第1配線部51は、第2基板20のう
ちシール材30の外周縁によって囲まれた領域内(換言すると第2基板20のうち第1基
板10と対向する領域内)に位置する。また、第2配線部52は、境界B上に位置する一
端部(後述する第1端部521)から張出領域20aに至るように形成されるとともに他
端部(後述する第2端部522)が接続端子部55に連結される。この接続端子部55は
ICチップ40のうち走査線駆動回路411の出力端子に接続される。
FIG. 7 is an enlarged plan view showing the
It is a part located on the opposite side to a. Accordingly, the
図8は、図7におけるVIII−VIII線からみた断面図である。同図に示されるように、各
配線50の第2配線部52は第1層61を有する。第1層61のうち第2基板20の表面
と略平行な表面は絶縁層65によって覆われる。この絶縁層65は第1層61を陽極酸化
することによって形成される。一方、第1層61のうち第2配線部52の幅方向における
縁端部は絶縁層65から露出する。
8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. As shown in the figure, the
次に、図9は、図7におけるIX−IX線からみた断面図である。同図に示されるように、
各配線50の第1配線部51は、第2配線部52と同様の第1層61および絶縁層65に
加えて第2層62を有する。第2層62は、第1層61および絶縁層65を覆う膜体であ
り、第1層61のうち絶縁層65から露出した縁端部に接触して第1層61と導通する。
さらに、図10は、図7におけるX−X線からみた断面図である。図10においては、I
Cチップ40の出力端子(走査線駆動回路412の出力端子)に形成されたバンプ45が
接続端子部55とともに図示されている。同図に示されるように、接続端子部55は、第
2配線部52と同様の第1層61と絶縁層65と第2層62とに加えて、第2層62の表
面上に形成された第3層63を有する。この第3層63は、画素電極22と共通の工程に
おいて同一の材料(例えばITO)によって形成された膜体である。ICチップ40は、
導電性の粒子471が分散された異方性導電膜47を介して第2基板20に実装される。
この状態において、接続端子部55は、ICチップ40の出力端子に形成されたバンプ4
5と第3層63との間隙に介在する粒子471を介してICチップ40の走査線駆動回路
412と導通する。
Next, FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. As shown in the figure,
The
Further, FIG. 10 is a sectional view taken along line XX in FIG. In FIG. 10, I
A
It is mounted on the
In this state, the
5 is electrically connected to the scanning
各配線50の第1層61とデータ線21の第1層211とは、二端子型非線形素子24
の第1導電層241と共通の工程において同一の材料(例えばタンタル)によって形成さ
れる。すなわち、第2基板20の全面を覆うように形成された導電性の薄膜を選択的に除
去(エッチング)することによって、各配線50の第1層61とデータ線21の第1層2
11と二端子型非線形素子24の第1導電層241とが一括的に形成される。各配線50
の絶縁層65とデータ線21の絶縁層215とは、二端子型非線形素子24の層間絶縁層
245を形成する工程において、各々の下地となる第1層61および211を陽極酸化す
ることによって一括的に形成される。さらに、第1配線部51と接続端子部55とを構成
する第2層62は、二端子型非線形素子24の第2導電層242と共通の工程において同
一の材料(例えばクロム)によって形成される。このように本実施形態における第1配線
部51は、第1層61を形成する導電性材料(タンタルやその合金)タンタルよりも抵抗
率が低い導電性材料(クロムやアルミニウムまたはその合金)からなる第2層62を含む
。この構成によれば、配線50をその全長にわたって第1層61のみによって形成した場
合と比較して配線50の抵抗を低く抑えることができる。一方、クロムやアルミニウムと
いった抵抗率が低い導電性材料は、第1層61を構成するタンタルなどの導電性材料とし
てイオン化傾向が高い(すなわち耐食性が低い)ため、水分やイオンの付着によって腐食
し易い。したがって、張出領域20aにおいて外気に接触する第2配線部52にも第2層
62を形成するとすれば、配線50が腐食して表示品位の低下が引き起こされるという問
題が生じ得る。本実施形態においては、シール材30や第1基板10によって覆われた第
1配線部51のみに第2層62が形成され、張出領域20aに露出する第2配線部52に
は第2層62が形成されていないから、第2層62に対する水分やイオンの付着を防止す
ることができる。したがって、第2層62の腐食を抑制して装置の耐久性や信頼性を向上
させることができる。
The
The first
11 and the first
In the step of forming the interlayer insulating
図7に示されるように、第1配線部51は上下導通部511と連結部512とを有する
。このうち上下導通部511は、その配線50に対応する走査線15の端部155にシー
ル材30を挟んで対向する端部(以下「導通用端部」という)51Eから、シール材30
の内周縁によって囲まれた領域内にてY方向に延在する部分である。ここで、図11は、
上下導通部511の導通用端部51Eを拡大して第1基板10上の走査線15とともに示
す平面図であり、図12は、図11におけるXII−XII線からみた断面図である。図12に
示されるように、導通用端部51Eにおいては第1層61と絶縁層65とを貫通するよう
にコンタクトホールCHが形成されている。導通用端部51Eの第2層62は、第1層6
1の縁端部に加えてコンタクトホールCHの内面にて第1層61と導通する。また、導通
用端部51Eの第2層62の表面上には、画素電極22と共通の工程において同一の材料
(例えばITO)によって第3層63が形成される。図11および図12に示されるよう
に、走査線15の端部155と導通用端部51Eの第3層63との間隙には多数の導電性
粒子31が介在する。この導電性粒子31はシール材30に分散された導電性の粒子であ
り、第1基板10と第2基板20との間隔(いわゆるセルギャップ)を略一定に維持する
スペーサとして機能するほか、走査線15の端部155と導通用端部51Eの第3層63
とに接触することによって走査線15と配線50とを導通させる役割も担っている。以上
の構成により、ICチップ40に搭載された走査線駆動回路412の出力端子は、接続端
子部55から第2配線部52および第1配線部51に至る配線50と導電性粒子31とを
介して各走査線15に電気的に接続される。
As shown in FIG. 7, the
This is a portion extending in the Y direction within a region surrounded by the inner peripheral edge. Here, FIG.
FIG. 12 is an enlarged plan view showing the
In addition to the edge portion of 1, the
It also plays a role of making the
次に、図13は、図7における第1配線部51の連結部512から接続端子部55まで
の部分を拡大して示す平面図である。図7および図13に示されるように、第1配線部5
1の連結部512は、上下導通部511に連なる端部から張出領域20aの中央部に向か
って斜め方向に延在して他方の端部が境界Bに至る。さらに詳述すると、各配線50の連
結部512は、Y方向に対して半時計回り(偶数行目の走査線15に接続される配線50
にあっては時計回り)に角度θ1をなす方向にICチップ40に向かって各々が平行に延
在する。各連結部512の配線幅Waや各々の間隔Wbは総ての配線について略同一である
。
Next, FIG. 13 is an enlarged plan view showing a portion from the connecting
One connecting
(In the clockwise direction), each extends in parallel toward the
一方、図7および図13に示されるように、第2配線部52は、連結部512に連なる
部分(以下「第1端部」という)521からICチップ40に向かって延在し、第1端部
521からみて連結部512とは反対側の部分(以下「第2端部」という)522が接続
端子部55に連結される。各配線50の第2配線部52は、ICチップ40に近い位置ほ
どこれらの第2配線部52が分布する範囲が狭くなるようにY方向の正側に向かって収束
する。ここで、張出領域20aの中央部からX方向に最も離間した配線50(奇数行目の
走査線15のうち最下方の走査線15に接続される配線50)の第2配線部52は、Y方
向に対して半時計回り(偶数行目の走査線15に接続される配線50にあっては時計回り
)に角度θ2をなす方向にICチップ40に向かって延在する。この角度θ2は、第1配線
部51の連結部512の延在方向とY方向とがなす角度θ1よりも小さい。したがって、
各配線50は、第1配線部51と第2配線部52との境界にて張出領域20aに向かって
折れ曲がる。
On the other hand, as shown in FIG. 7 and FIG. 13, the
Each
図13に示されるように、第2配線部52のうち連結部512に連結される第1端部5
21の配線幅W1は総ての配線50について略同一であり、接続端子部55に連結される
第2端部522の配線幅W2は総ての配線50について略同一である。各配線50の第2
配線部52は平面的にみると高さが略等しい台形となるから、上底の長さに相当する配線
幅W1と下底の長さに相当する配線幅W2とが総ての配線50について略同一であるという
ことは、第2配線部の面積が総ての配線50について等しいことを意味する。
As shown in FIG. 13, the first end portion 5 connected to the connecting
The wiring width W1 of 21 is substantially the same for all the
Since the
図13に示されるように、各配線50の第2配線部52のうち第1端部521における
配線幅W1は第2端部522における配線幅W2よりも大きい。例えば、配線幅W2は50
μm(マイクロメートル)程度であるのに対し、配線幅W1は80μm程度である。本実
施形態における第2配線部52の配線幅は、第2端部522から第1端部521に向かう
につれて配線幅W2から配線幅W1まで連続的に増加していく。第2配線部52の平面形状
を以上のように選定することにより、走査線駆動回路412の各出力端子から各走査線1
5までの配線抵抗を低減し、かつ、各配線50の配線抵抗を均一化することができるとい
う効果が奏される。この効果について詳述すると以下の通りである。
As shown in FIG. 13, the
The wiring width W1 is about 80 μm while it is about μm (micrometer). In the present embodiment, the wiring width of the
The effect is that the wiring resistance up to 5 can be reduced and the wiring resistance of each
いま、本実施形態に対する対比例として、第2配線部52の配線幅をその全長にわたっ
て(すなわち第2端部522から第1端部521まで)、接続端子部55の配線幅に対応
する配線幅W2とした構成を想定する。この対比例の構成においては、第2配線部52に
連結される第1配線部51を、配線幅W2に対応した配線幅に制限する必要がある。これ
に対し、本実施形態においては、第1配線部51の配線幅を、配線幅W2よりも広い配線
幅W1に対応した寸法まで拡大することができる。したがって、本実施形態によれば、対
比例と比較して各配線50の全長にわたる配線抵抗(特に第1配線部51の連結部512
の配線抵抗)を低減することができる。
As a comparison with the present embodiment, the wiring width of the
Wiring resistance) can be reduced.
次に、図14は、各配線50の位置とその各部における配線抵抗との関係を示すグラフ
である。同図の横軸には、図7に示されるように、奇数行目の走査線15のうちICチッ
プ40に最も近い走査線15に接続される配線50の位置を「0.0」とし、奇数行目の
走査線15のうちICチップ40から最も遠い走査線15に接続される配線50の位置を
「1.0」として、複数の配線50の各々の位置が「0.0」から「1.0」までの範囲
の数値(以下「位置係数」という)として表現されている。図14の特性R1aは、各配線
50のうち第1配線部51の連結部512の抵抗値を示し、同図の特性R1bは、各配線5
0のうち第1配線部51の上下導通部511の抵抗値を示している。図7から明白なよう
に、第1配線部51における連結部512や上下導通部511の全長は位置係数が大きい
配線ほど長いから、図14に特性R1aおよび特性R1bとして示されるように、連結部51
2および上下導通部511の各々の抵抗値は、位置係数が大きい配線50ほど大きい。し
たがって、例えば連結部512が直接的にICチップ40に接続された構成(以下「対比
例」という)においては、配線50の全長にわたる抵抗値のばらつきが過大となって表示
ムラなどの原因となる。これに対し、本実施形態においては、各配線50の位置係数と当
該配線50の第2配線部52の抵抗値との大小が、各配線50の位置係数と当該配線50
の連結部512または上下導通部511の抵抗値との大小とは逆転するように第2配線部
52の全長が選定されている。すなわち、図7に示されるように、各配線50における第
2配線部52は、位置係数が小さい配線ほど全長が長くなるように設計されている。した
がって、図14の特性R2として示されるように、第2配線部52の抵抗値は、特性R1a
や特性R1bとは逆に、位置係数が大きい配線ほど低減される。これらの各部を連結して配
線50が構成される本実施形態によれば、各配線50の抵抗値のばらつきが対比例と比較
して抑制されるから、このばらつきに起因した表示ムラが抑制されるという利点がある。
特に、本実施形態においては、各配線50の抵抗値を調整するための第2配線部52が抵
抗率の高いタンタルなどの材料からなる。このように高抵抗な部分の配線幅を変化させた
場合には、クロムなど抵抗率の低い材料からなる第1配線部51の配線幅を変化させた場
合と比較して配線50全体の抵抗を大きく変動させることができるという利点がある。
Next, FIG. 14 is a graph showing the relationship between the position of each
Of 0, the resistance value of the
The resistance values of 2 and the upper and lower
The entire length of the
Contrary to the characteristic R1b, the wiring having a larger position coefficient is reduced. According to the present embodiment in which the
In particular, in the present embodiment, the
<B:変形例>
各実施形態には種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通り
である。なお、以下に示す各態様を適宜に組み合わせてもよい。
<B: Modification>
Various modifications are added to each embodiment. An example of a specific modification is as follows. In addition, you may combine each aspect shown below suitably.
(1)実施形態においては、各配線50の第2配線部52の第1端部521と第2端部5
22とが直線的に連結された構成を例示したが、図15に示されるように、第1端部52
1と第2端部522とが曲線的に連結された構成も採用される。この構成において、第1
端部521の配線幅W1が第2端部522の配線幅W2よりも大きい点は実施形態と同様で
ある。
(1) In the embodiment, the
22 illustrates the configuration in which the
A configuration in which the
The point that the wiring width W1 of the
(2)実施形態においては、各走査線15を駆動するための走査線駆動回路411および
412と各データ線21を駆動するためのデータ線駆動回路43とがひとつのICチップ
40に搭載された構成を例示したが、これらの各回路が別個のICチップとして第2基板
20に実装された構成も採用される。ただし、上述した実施形態のようにひとつのICチ
ップ40に対してデータ線21および配線50の双方が接続される構成においては、上下
導通部511から接続端子部55に至る部分(すなわち連結部512および第2配線部5
2)を比較的に長く確保する必要があるから、この部分における抵抗値が増大し易いと言
える。したがって、配線50の抵抗値を低減するとともに各配線50の抵抗値のばらつき
を抑制するという本発明の効果は、実施形態のようにひとつのICチップ40にデータ線
21および配線50の双方が接続される構成において特に有意である。
(2) In the embodiment, the scanning
Since 2) needs to be secured for a relatively long time, it can be said that the resistance value in this portion is likely to increase. Therefore, the effect of the present invention to reduce the resistance value of the
(3)実施形態においては、第1基板10に走査線15が形成されるとともに第2基板2
0にデータ線21や画素電極22が形成された構成を例示したが、これとは逆に、第1基
板10にデータ線21や画素電極22が形成されるとともに第2基板20に走査線15が
形成された構成も採用される。また、第1基板10および第2基板20の何れか観察側ま
たは背面側に位置するかは不問である。
(3) In the embodiment, the
Although the configuration in which the
(4)実施形態においては、導通用端部51Eに対して表示領域Ad側に上下導通部51
1や連結部512が形成される構成を例示したが、この構成に代えて、導通用端部51E
に対して表示領域Adとは反対側の領域(例えばシール材30によって覆われた領域)に
て上下導通部511や連結部512がY方向に延在する構成としてもよい。この構成にお
いても実施形態と同様の作用および効果が奏される。
(4) In the embodiment, the
1 and the
On the other hand, the
(5)配線50やデータ線21の層構造は実施形態に示したものに限られない。例えば、
直線Bに対して表示領域Ad側には第1層61を形成せず第1配線部51を第2層62の
みから構成してもよいし、第2層62の表面上に第3層63をさらに積層して第1配線部
51を構成してもよい。
(5) The layer structure of the
The
(6)実施形態においては、走査線15に連結される配線50に本発明を適用した構成を
例示したが、これ以外の配線にも本発明は適用される。例えば、各データ線21を、直線
Bを境界として表示領域Ad側の第1配線部と張出領域20a側の第2配線部とに区分し
、このうち第1配線部をクロムなどの導電性材料によって形成するとともに第2配線部を
これよりも抵抗率の低い材料(例えばタンタル)によって形成し、第2配線部のうち第1
配線部側の端部の配線幅をこれとは反対側の第2端部の配線幅より広くした構成も採用さ
れる。このように、本発明において「配線」の平面的な形状やこれによって伝送される信
号の種類は不問である。
(6) In the embodiment, the configuration in which the present invention is applied to the
A configuration in which the wiring width at the end on the wiring portion side is wider than the wiring width at the second end on the opposite side is also employed. Thus, in the present invention, the planar shape of the “wiring” and the type of signal transmitted thereby are not questioned.
(7)実施形態においては、二端子型のスイッチング素子たるTFD素子を備えた電気光
学装置Dを例示したが、三端子型のスイッチング素子たるTFT(Thin Film Transistor
)素子を備えた電気光学装置や、スイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の
電気光学装置にも各実施形態と同様に本発明が適用される。また、各実施形態においては
、データ線21にTFD素子が接続された構成を例示したが、この構成に代えて、走査線
15にTFD素子が接続された構成も採用される。
(7) In the embodiment, the electro-optical device D including the TFD element that is a two-terminal switching element is illustrated, but a TFT (Thin Film Transistor) that is a three-terminal switching element.
The present invention is applied to an electro-optical device having an element and a passive matrix electro-optical device having no switching element as in the embodiments. Further, in each embodiment, the configuration in which the TFD element is connected to the
(8)実施形態においては、電気光学物質として液晶を用いた構成を例示したが、有機E
L(ElectroLuminescent)などのOLED(Organic Light Emitting Diode)素子を電気
光学物質として用いた電気光学装置や、あるいはネオンやキセノンなどの不活性ガスを電
気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学装置にも本発明
は適用される。
(8) In the embodiment, the configuration using the liquid crystal as the electro-optical material is exemplified.
Various electro-optical devices such as electro-optical devices using OLED (Organic Light Emitting Diode) elements such as L (ElectroLuminescent) as electro-optical materials, or plasma display panels using inert gases such as neon and xenon as electro-optical materials The present invention also applies to an apparatus.
<C:電子機器>
次に、本発明に係る電気光学装置を表示手段として備える電子機器について説明する。
図16は、各実施形態に係る電気光学装置Dを有する携帯電話機の構成を示す斜視図であ
る。この図に示されるように、携帯電話機1200は、利用者により操作される複数の操
作ボタン1202、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口1204、および他
の端末装置に送信される音声を入力する送話口1206のほかに、各種の画像を表示する
電気光学装置Dを有する。
<C: Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus including the electro-optical device according to the invention as a display unit will be described.
FIG. 16 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone having the electro-optical device D according to each embodiment. As shown in this figure, the
なお、本発明に係る電気光学装置が利用され得る電子機器としては、図16に示される
携帯電話機のほかにも、ノート型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、プロジェク
タ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーシ
ョン、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
In addition to the mobile phone shown in FIG. 16, electronic devices that can use the electro-optical device according to the present invention include notebook personal computers, liquid crystal televisions, projectors, viewfinder types (or monitor direct view types). ) Video recorders, digital cameras, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices equipped with touch panels, and the like.
D……電気光学装置、Ad……表示領域、10……第1基板、15……走査線、20……
第2基板、20a……張出領域、21……データ線、22……画素電極、30……シール
材、31……導電性粒子、35……液晶、40……ICチップ、411,412……走査
線駆動回路、43……データ線駆動回路、24……二端子型非線形素子、241……第1
導電層、245……層間絶縁層、242a,242b……第2導電層、50……配線、5
1……第1配線部、511……上下導通部、512……連結部、52……第2配線部、5
21……第1端部、522……第2端部、55……接続端子部。
D: Electro-optical device, Ad: Display area, 10: First substrate, 15: Scan line, 20:
2nd substrate, 20a ... overhang area, 21 ... data line, 22 ... pixel electrode, 30 ... sealing material, 31 ... conductive particles, 35 ... liquid crystal, 40 ... IC chip, 411, 412 ... Scanning line drive circuit, 43 ... Data line drive circuit, 24 ... Two-terminal nonlinear element, 241 ... First
Conductive layer, 245 ... interlayer insulating layer, 242a, 242b ... second conductive layer, 50 ... wiring, 5
DESCRIPTION OF
21... First end portion, 522... Second end portion, 55... Connection terminal portion.
Claims (12)
前記第1基板と前記第2基板との間に配置された電気光学物質と、
表示領域に配置され、互いに交差する複数の駆動配線と、
前記第2基板上に形成され、前記駆動配線に接続される複数の配線と
を具備し、
前記第2基板は、前記第1基板の第1の周縁から第1の方向に張り出す張出領域と、前記第1基板と重なり合う領域を有し、
前記複数の配線は、重なり合う領域に配線されて前記駆動配線に接続される第1配線部と、前記張出領域に配線されて前記第1配線部と端子部との間を接続する第2配線部とを有し、
前記第2配線部のうち前記第1配線部との境界に位置する前記第1の方向に交差する第2の方向に沿った第1部分の配線幅は、前記第2配線部のうち前記端子部に位置する前記第2の方向に沿った第2部分の配線幅よりも広く、前記第2配線部の配線は、略同じ面積を有し、
前記第2配線部の配線のうち長さの短い配線は、前記第1配線部のうち長さの長い配線と接続され、前記第2配線部の配線のうち長さの長い配線は、前記第1配線部のうち長さの短い配線と接続されている
ことを特徴とする電気光学装置。 A first substrate and a second substrate facing each other;
An electro-optic material disposed between the first substrate and the second substrate;
A plurality of drive wires arranged in the display area and intersecting each other;
A plurality of wirings formed on the second substrate and connected to the driving wirings ;
The second substrate has an overhanging region extending in a first direction from a first peripheral edge of the first substrate, and a region overlapping the first substrate;
The plurality of wirings are wired in overlapping areas and connected to the drive wiring, and second wiring is connected to the projecting area and connects between the first wiring part and the terminal part. And
The wiring width of the first portion along the second direction intersecting the first direction located at the boundary with the first wiring portion in the second wiring portion is the terminal of the second wiring portion. Wider than the wiring width of the second part along the second direction located in the part, the wiring of the second wiring part has substantially the same area,
Of the wirings of the second wiring part, the short wiring is connected to the long wiring of the first wiring part, and the long wiring of the second wiring part is the first wiring. Connected to the short wiring in one wiring section
An electro-optical device.
前記駆動配線は、前記第1基板のうち前記電気光学物質と対向する側に形成された複数の第1駆動配線を含み、The drive wiring includes a plurality of first drive wirings formed on a side of the first substrate facing the electro-optic material,
前記第1駆動配線と前記第1配線部の配線は、前記基板間導通部を介して接続されているThe first drive wiring and the wiring of the first wiring part are connected via the inter-substrate conduction part.
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1.
前記第1配線部は、さらに、前記第1の導電性材料よりも抵抗率の低い第2の導電性材料が積層されるThe first wiring portion is further laminated with a second conductive material having a resistivity lower than that of the first conductive material.
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1 or 2.
前記第2の導電性材料は、クロムまたはアルミニウムであるThe second conductive material is chromium or aluminum.
ことを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 3.
前記第2配線部は、前記端子部と前記連結部との間を前記第1の方向に対して前記第1の角度よりも小さい第2の角度をなして接続されるThe second wiring portion is connected between the terminal portion and the connecting portion at a second angle smaller than the first angle with respect to the first direction.
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置。The electro-optical device according to any one of claims 1 to 4.
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置。 The wiring width of the second wiring portion continuously increases from the second portion toward the first portion.
The electro-optical device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that.
前記各配線の前記第1配線部と前記第2配線部との境界は、前記シール材の外周縁よりも内側に位置する
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置。 A frame-shaped sealing material that joins both the substrates interposed in the gap between the first substrate and the second substrate;
The boundary between the first wiring portion and the second wiring portion of each wiring is located inside the outer peripheral edge of the sealing material.
The electro-optical device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that.
前記第1配線部は、前記第1の方向に対して第1の角度をなして前記ICチップに向かう連結部を有し、
前記各配線の前記第2配線部は、前記第1の方向に対して前記第1の角度よりも小さい第2の角度をなして前記第1部分から前記ICチップに向かって延在する
請求項1乃至7のいずれかに記載の電気光学装置。 One IC chip mounted on an overhanging region extending in the first direction from the peripheral edge of the first substrate of the second substrate and connected to each wiring,
The first wiring portion has a connecting portion that faces the IC chip at a first angle with respect to the first direction,
The second wiring portion of each wiring extends from the first portion toward the IC chip at a second angle smaller than the first angle with respect to the first direction. The electro-optical device according to any one of 1 to 7 .
ことを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置。 The wiring width of the connecting portion is the same for the plurality of wirings.
The electro-optical device according to claim 7.
ことを特徴とする請求項5乃至9のいずれかに記載の電気光学装置。 The inter-substrate conduction part includes conductive particles disposed in a gap between the first substrate and the second substrate.
The electro-optical device according to claim 5, wherein the electro-optical device is provided.
前記ICチップは、前記複数の配線および前記複数の第2駆動配線に接続される
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれかにに記載の電気光学装置。 A plurality of second drive wirings formed on a surface of the second substrate facing the electro-optic material and extending in the second direction;
The IC chip is connected to the plurality of wirings and the plurality of second drive wirings.
The electro-optical device according to claim 1 .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000430A JP4661220B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Electro-optical device and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000430A JP4661220B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Electro-optical device and electronic apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006189548A JP2006189548A (en) | 2006-07-20 |
JP4661220B2 true JP4661220B2 (en) | 2011-03-30 |
Family
ID=36796839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005000430A Expired - Fee Related JP4661220B2 (en) | 2005-01-05 | 2005-01-05 | Electro-optical device and electronic apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4661220B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101448005B1 (en) | 2007-05-17 | 2014-10-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Thin film transistor array panel and method of manufacturing thereof |
KR100906103B1 (en) | 2007-12-31 | 2009-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Array Substrate of Liquid Crystal Display Device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035342U (en) * | 1989-06-02 | 1991-01-18 | ||
JPH0628840U (en) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | オプトレックス株式会社 | Display element |
JP2000162628A (en) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display element |
JP2004086132A (en) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2695887B2 (en) * | 1989-01-06 | 1998-01-14 | 株式会社日立製作所 | Liquid crystal display device |
JPH03289626A (en) * | 1990-04-06 | 1991-12-19 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device |
JPH0667191A (en) * | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Toshiba Corp | Liquid crystal display unit |
JP3244575B2 (en) * | 1993-10-20 | 2002-01-07 | オプトレックス株式会社 | Display element |
JP2776357B2 (en) * | 1996-01-31 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | Liquid crystal display |
JP3337910B2 (en) * | 1996-06-13 | 2002-10-28 | 松下電器産業株式会社 | Liquid crystal display device |
JPH112792A (en) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH11327464A (en) * | 1998-05-19 | 1999-11-26 | Toshiba Corp | Plane display device |
-
2005
- 2005-01-05 JP JP2005000430A patent/JP4661220B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035342U (en) * | 1989-06-02 | 1991-01-18 | ||
JPH0628840U (en) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | オプトレックス株式会社 | Display element |
JP2000162628A (en) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display element |
JP2004086132A (en) * | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006189548A (en) | 2006-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9274389B2 (en) | Flat display device having a plurality of link lines and method of fabricating the same | |
US7663726B2 (en) | Liquid crystal apparatus and electronic apparatus | |
KR100705870B1 (en) | Mounting structure, electrooptic device, substrate for electrooptic device, electronic equipment | |
JP4178090B2 (en) | Electrode wiring board and display device | |
US10181504B2 (en) | Flexible display panel with redundant bent signal lines | |
JP4321557B2 (en) | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus | |
US20230178567A1 (en) | Display substrate and display apparatus | |
JP2006071861A (en) | Electrooptic device and electronic apparatus | |
JP4905136B2 (en) | Liquid crystal device | |
US9864248B2 (en) | Semiconductor device and display device | |
US20240155761A1 (en) | Flexible Printed Circuit Board and Touch-Control Display Apparatus | |
JP2006210809A (en) | Wiring board and mounting structure, and electro-optical device and electronic equipment | |
JP4661220B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
US20120306350A1 (en) | Pixel array substrate and display panel | |
JP4352733B2 (en) | Electro-optical device substrate, electro-optical device, electronic equipment | |
JP2007025710A (en) | Electro-optical device and electronic equipment | |
JP4747572B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP7112930B2 (en) | Display device | |
JP2011158559A (en) | Substrate for electronic device and connection structure | |
KR100361624B1 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
JP2003186041A (en) | Liquid crystal display element | |
US20240206250A1 (en) | Array substrate and display apparatus | |
US20240284729A1 (en) | Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate | |
JP4069930B2 (en) | Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
JP2006189484A (en) | Wiring structure and component-mounting structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070209 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100406 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |