JP4660536B2 - ナノワイヤ光センサ及びこれを含むキット - Google Patents
ナノワイヤ光センサ及びこれを含むキット Download PDFInfo
- Publication number
- JP4660536B2 JP4660536B2 JP2007502710A JP2007502710A JP4660536B2 JP 4660536 B2 JP4660536 B2 JP 4660536B2 JP 2007502710 A JP2007502710 A JP 2007502710A JP 2007502710 A JP2007502710 A JP 2007502710A JP 4660536 B2 JP4660536 B2 JP 4660536B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanowire
- electrodes
- optical sensor
- semiconductor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims description 261
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 75
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 39
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 28
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 claims description 24
- 238000003018 immunoassay Methods 0.000 claims description 21
- 238000009739 binding Methods 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 claims description 14
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 claims description 13
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 claims description 13
- 150000007523 nucleic acids Chemical group 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 108010001336 Horseradish Peroxidase Proteins 0.000 claims description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 102000002260 Alkaline Phosphatase Human genes 0.000 claims description 8
- 108020004774 Alkaline Phosphatase Proteins 0.000 claims description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 239000012491 analyte Substances 0.000 claims description 7
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide Chemical compound CCN=C=NCCCN(C)C LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 108010047357 Luminescent Proteins Proteins 0.000 claims description 4
- 102000006830 Luminescent Proteins Human genes 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 4
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical group O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HWYHZTIRURJOHG-UHFFFAOYSA-N luminol Chemical class O=C1NNC(=O)C2=C1C(N)=CC=C2 HWYHZTIRURJOHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 108060001084 Luciferase Proteins 0.000 claims description 3
- 239000005089 Luciferase Substances 0.000 claims description 3
- NQTADLQHYWFPDB-UHFFFAOYSA-N N-Hydroxysuccinimide Chemical compound ON1C(=O)CCC1=O NQTADLQHYWFPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 108091034117 Oligonucleotide Proteins 0.000 claims description 3
- RPCBRIVIADRRGK-UHFFFAOYSA-N adamantane;dioxetane Chemical compound C1COO1.C1C(C2)CC3CC1CC2C3 RPCBRIVIADRRGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000002299 complementary DNA Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 3
- IGXWBGJHJZYPQS-SSDOTTSWSA-N D-Luciferin Chemical compound OC(=O)[C@H]1CSC(C=2SC3=CC=C(O)C=C3N=2)=N1 IGXWBGJHJZYPQS-SSDOTTSWSA-N 0.000 claims description 2
- SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N Glutaraldehyde Chemical compound O=CCCCC=O SXRSQZLOMIGNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005465 channeling Effects 0.000 claims description 2
- KNJDBYZZKAZQNG-UHFFFAOYSA-N lucigenin Chemical compound [O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.C12=CC=CC=C2[N+](C)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=C(C=CC=C2)C2=[N+](C)C2=CC=CC=C12 KNJDBYZZKAZQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 claims 8
- 108091005461 Nucleic proteins Proteins 0.000 claims 2
- 239000012099 Alexa Fluor family Substances 0.000 claims 1
- 108010004729 Phycoerythrin Proteins 0.000 claims 1
- 108010004469 allophycocyanin Proteins 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 claims 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 238000009007 Diagnostic Kit Methods 0.000 description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 10
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 7
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 6
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- -1 Schiff base compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- BZSVVCFHMVMYCR-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-ylpyridine;ruthenium Chemical group [Ru].N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 BZSVVCFHMVMYCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 210000001124 body fluid Anatomy 0.000 description 2
- 239000010839 body fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000002672 hepatitis B Diseases 0.000 description 2
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002493 microarray Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000012113 quantitative test Methods 0.000 description 2
- 238000012124 rapid diagnostic test Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 208000030507 AIDS Diseases 0.000 description 1
- 108010000239 Aequorin Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010058683 Immobilized Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 description 1
- 101000874347 Streptococcus agalactiae IgA FC receptor Proteins 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-O acridine;hydron Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3[NH+]=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000427 antigen Substances 0.000 description 1
- 108091007433 antigens Proteins 0.000 description 1
- 102000036639 antigens Human genes 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035935 pregnancy Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/76—Chemiluminescence; Bioluminescence
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
- A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
- A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
- A47J37/07—Roasting devices for outdoor use; Barbecues
- A47J37/0786—Accessories
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
- G01N33/543—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor with an insoluble carrier for immobilising immunochemicals
- G01N33/54366—Apparatus specially adapted for solid-phase testing
- G01N33/54373—Apparatus specially adapted for solid-phase testing involving physiochemical end-point determination, e.g. wave-guides, FETS, gratings
- G01N33/5438—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/58—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving labelled substances
- G01N33/581—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving labelled substances with enzyme label (including co-enzymes, co-factors, enzyme inhibitors or substrates)
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/58—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving labelled substances
- G01N33/582—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving labelled substances with fluorescent label
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/1025—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the point contact type
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
- A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
- A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
- A47J37/07—Roasting devices for outdoor use; Barbecues
- A47J37/0786—Accessories
- A47J2037/0795—Adjustable food supports, e.g. for height adjustment
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
- A47J27/00—Cooking-vessels
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
- A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
- A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
- A47J37/067—Horizontally disposed broiling griddles
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
- A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
- A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
- A47J37/0694—Broiling racks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hematology (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Cell Biology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
実施例1
シリコン基板の一面にスパッタリング蒸着法でAuを2nmの厚さで蒸着し、この基板にCVDによって500℃でInCl3とNH3を供給することで、InNナノワイヤを成長させた。図9は、基板に成長したInNナノワイヤを示す図である。この基板をイソプロピルアルコールに入れて10秒間超音波を加えて基板からナノワイヤを分離した。溶液をTi/Au電極が位置する基板に分散して電極間に20Vの電位差を加えて電極間にナノワイヤを整列して位置させた。次いで、加熱(500℃、30秒)または電子ビームを照射して電極をナノワイヤと接続させてナノワイヤセンサを製作した。電気的な接続を確認した後、図7に示すように、作製されたナノワイヤセンサを化学発光が起こる信号線と確認線に密着するように位置させた。この時、検出対象基質は、ルミノール誘導体を使用した。この時、化学発光が起こった状態で現れる電流の変化を図10に示す。このような電流の変化で対象物質に対する検出の結果を確認することができる。
サファイア基板の一面にスパッタリング蒸着法でNiを2nmの厚さで蒸着し、この基板にCVDによって700℃でTMG(trimethylgallium)、NH3及び少量のCp2Mgを供給してMgがドーピングされたGaNナノワイヤを成長させた。合成したナノワイヤを用いて実施例1と同様の方法で診断キットを構成した。ここで、検出対象基質は、アクリジニウム化合物を使用し、ナノワイヤに現れる電流の変化で対象物質に対する検出の結果を確認した。
サファイア基板の一面にスパッタリング蒸着法でNiを2nmの厚さで蒸着し、この基板にIn金属を位置させて、NH3を供給しながらInNナノワイヤを成長させた。合成したナノワイヤを用いて実施例1と同様の方法で診断キットを構成した。この時、検出対象基質は、発光蛋白質を使用し、ナノワイヤに現れる電流の変化で対象物質に対する検出の結果を確認した。
サファイア基板の一面にスパッタリング蒸着法でNiを2nmの厚さで蒸着し、この基板にCVDによって700℃でTMG(trimethylgallium)、NH3を供給してGaNナノワイヤを成長させた。次いで、DEZ(dethyl zinc)とO2を継続して供給してコアはGaN、シースはZnOから構成された半径方向に異種構造を有するナノワイヤを合成した。合成したナノワイヤを用いて実施例1と同様の方法で診断キットを構成した。ここで、検出対象基質は、アクリジニウム化合物を使用し、ナノワイヤに現れる電流の変化で対象物質に対する検出の結果を確認した。
サファイア基板の一面にスパッタリング蒸着法でAuを2nmの厚さで蒸着し、この基板にCVDによって700℃でDEZ(dethyl zinc)とO2を供給してZnOナノワイヤを成長させた。次いで、TMG(trimethylgallium)、NH3を継続して供給してGaNを表面に蒸着させた。次いで、ナノワイヤをHCl溶液で12時間処理してZnOコアを除去してGaNナノチューブを合成した。合成したナノチューブを用いて実施例1と同様の方法でキットを構成した。この時、検出対象基質は、アクリジニウム化合物を使用し、ナノワイヤに現れる電流の変化で対象物質に対する検出の結果を確認した。
サファイア基板の一面にスパッタリング蒸着法でNiを2nmの厚さで蒸着し、この基板から2cm離隔した部分にGaとIn金属を3 : 1の質量比で混ぜて位置させて、NH3を供給しながらGa1-xInxNナノワイヤを成長させた。合成したナノワイヤを用いて実施例1と同様の方法で診断キットを構成した。この時、検出対象基質は、発光蛋白質を使用し、ナノワイヤに現れる電流の変化で対象物質に対する検出の結果を確認した。
癌標識物質であるCA 125(NatuTec GmbH、Germany)をマイクロプレートに固定した後、HRPが結合されたCA 125抗体(NatuTec GmbH、Germany)を濃度を変えて結合した。次いで、ルミノールが入った発光基質溶液を加えた後、実施例1で得られたInNナノワイヤ光センサを利用して化学発光量を測定した。実験の結果、InNナノワイヤ光センサは、結合されたHRPと抗体の濃度によって定量的な反応を示した。測定結果の確認のために従来の発光及び蛍光測定装置(LS45、Perkin-Elmer)を使用して化学発光を同時に測定した。実験の結果、化学発光波長に適したナノワイヤで製造した光センサが化学発光の定量的な測定に適していることが明らかになった。
B型肝炎抗原が結合されたガラス板にフルオレセインが結合されたB型肝炎抗体を濃度を変えて結合させた。フルオレセインの励起波長である495nmのレーザを照射し、同時にInNナノワイヤ光センサでレーザと約90゜の位置で発生する蛍光を測定した。測定結果の確認のために従来の発光及び蛍光測定装置(LS45、Perkin-Elmer)を使用して蛍光を測定した。実験の結果、GaPナノワイヤ光センサは、結合されたフルオレセイン量による定量信号を示した。この実験の結果は、蛍光波長に適したナノワイヤで製造した光センサが定量的に蛍光を測定可能であることを示している。
Claims (34)
- 絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、異なる物質から形成されたコア部分とシース部分とからなる半径方向に異種構造を有することで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節される
ことを特徴とするナノワイヤ光センサ。 - 絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、2種類以上の成分が互いに固溶することで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節される
ことを特徴とするナノワイヤ光センサ。 - 前記基板が、半導体、セラミック、ガラス、高分子及びプラスチックからなる群から選択されることを特徴とする請求項1または2に記載のナノワイヤ光センサ。
- 前記電極が、Au、Ti、Pt、Pd、TiN及びこれらのうちの2つ以上の合金からなる群から選択されることを特徴とする請求項1または2に記載のナノワイヤ光センサ。
- 前記2つの電極間の距離が、2〜100マイクロメートルであることを特徴とする請求項1または2に記載のナノワイヤ光センサ。
- 前記半導体ナノワイヤが、ZnO、SnO2、CdSe、GaN、CdS、InP、GaP、GaAs、AlAs、InN、Si、Ge及びSiCからなる群から選択された1つ以上の物質から形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のナノワイヤ光センサ。
- 基板上に直径1〜100ナノメータのナノワイヤを成長させた後に分離する段階であって、
前記ナノワイヤが、2種類以上の物質から形成され、前記ナノワイヤを、異なる物質から形成されたコア部分とシース部分とからなる半径方向に異種構造を有するように形成することで、光感応波長帯域を所望の範囲に調節する段階と、
絶縁体基板上に2つの導電性金属薄膜電極を間隔が前記ナノワイヤの長さより短くなるように配置する段階と、
前記得られたナノワイヤを前記2つの電極間に分散させそして電圧を加えて、前記ナノワイヤを2つの電極の間に2つの電極を接続するように配置する段階と、
電子ビームの照射または加熱によって前記電極とナノワイヤとを電気的に接続する段階と、を含むことを特徴とするナノワイヤ光センサの製造方法。 - 基板上に直径1〜100ナノメータのナノワイヤを成長させた後に分離する段階であって、
前記ナノワイヤが、2種類以上の物質から形成され、前記ナノワイヤを、2種類以上の成分が互いに固溶することで、光感応波長帯域を所望の範囲に調節する段階と、
絶縁体基板上に2つの導電性金属薄膜電極を間隔が前記ナノワイヤの長さより短くなるように配置する段階と、
前記得られたナノワイヤを前記2つの電極間に分散させそして電圧を加えて、前記ナノワイヤを2つの電極の間に2つの電極を接続するように配置する段階と、
電子ビームの照射または加熱によって前記電極とナノワイヤとを電気的に接続する段階と、を含むことを特徴とするナノワイヤ光センサの製造方法。 - 前記基板としてシリコンまたはサファイアを使用し、前記電極としてAu、Ti、Pt、Pd、TiN及びこれらのうち2つ以上の合金からなる群から選択される物質を使用することを特徴とする請求項7または8に記載の方法。
- 前記ナノワイヤが、ZnO、SnO2、CdSe、GaN、CdS、InP、GaP、GaAs、AlAs、InN、Si、Ge及びSiCからなる群から選択された1つ以上の物質から形成されるように適切な前駆物質を供給して成長させることを特徴とする請求項7または8に記載の方法。
- 絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、適切な不純物でドーピングされることで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節されるナノワイヤ光センサと、
蛍光物質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学蛍光測定キット。 - 請求項1によるナノワイヤ光センサと、
蛍光物質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学蛍光測定キット。 - 絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、異なる物質が交互に蒸着されて長手方向に異種構造を有することで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節されるナノワイヤ光センサと、
蛍光物質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学蛍光測定キット。 - 請求項2によるナノワイヤ光センサと、
蛍光物質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学蛍光測定キット。 - 前記半導体ナノワイヤが、ZnO、SnO2、CdSe、GaN、CdS、InP、GaP、GaAs、AlAs、InN、Si、Ge及びSiCからなる群から選択された1つ以上の物質から形成されることを特徴とする請求項11〜14の何れか一項に記載の化学蛍光測定キット。
- 前記蛍光物質が、フルオレセイン(Fluorescein)、バイオジピ-FL(Biodipy-FL)、アレクサフルオルグリーン(Alexa Fluor Green)、R-フィコエリトリン(R-phycoerythrin)、フィコエリトリン-テキサスレッド(Phycoerythrin-Texas Red)、フィコエリトリン-シアニン5(Phycoerythrin-cyanine5)、フィコエリトリン-シアニン7(Phycoerythrin-cyanine7)、ペリディニン-クロロフィル蛋白質(Peridinin-chlorophyll protein)、アロフィコシアニン(Allophycocyanin)及びアロフィコシアニン-シアニン7(Allophycocyanin-cyanine7)からなる群から選択されることを特徴とする請求項11〜14の何れか一項に記載の化学蛍光測定キット。
- 絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、適切な不純物でドーピングされることで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節されるナノワイヤ光センサと、
発光酵素及び発光基質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学発光測定キット。 - 請求項1によるナノワイヤ光センサと、
発光酵素及び発光基質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学発光測定キット。 - 絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、異なる物質が交互に蒸着されて長手方向に異種構造を有することで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節されるナノワイヤ光センサと、
発光酵素及び発光基質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学発光測定キット。 - 請求項2によるナノワイヤ光センサと、
発光酵素及び発光基質を含む検出ストリップと、を含むことを特徴とする化学発光測定キット。 - 前記半導体ナノワイヤが、ZnO、SnO2、CdSe、GaN、CdS、InP、GaP、GaAs、AlAs、InN、Si、Ge及びSiCからなる群から選択された1つ以上の物質から形成されることを特徴とする請求項17〜20の何れか一項に記載の化学発光測定キット。
- 前記発光酵素が、ホースラディシュ・ペルオキシダーゼ(HRP)、アルカリホスファターゼ(AP)及びルシフェラーゼからなる群から選択されることを特徴とする請求項17〜20の何れか一項に記載の化学発光測定キット。
- 前記発光基質が、アダマンタン-ジオキセタン(Adamantane-dioxetane)、アクリジニウム(Acridinium)誘導体、ルミノール(Luminol)誘導体、ルシゲニン(Lucigenin)、ホタルルシフェリン(Firefly luciferin)、発光蛋白質(Photoprotein)、ヒドラジド(Hydrazides)及びシッフ(Schiff)塩基化合物、電気化学的な発光基質及び発光性酸素チャネリング基質からなる群から選択されることを特徴とする請求項17〜20の何れか一項に記載の化学発光測定キット。
- 分析対象物と、
請求項15〜20の何れか一項による化学蛍光測定キットまたは請求項17〜23の何れか一項による化学発光測定キットと、を含むことを特徴とする免疫分析キット。 - 前記化学蛍光測定キットのナノワイヤ光センサが、蛍光励起光源と90゜に配置されていることを特徴とする請求項24に記載の免疫分析キット。
- 前記分析対象物が、オリゴヌクレオチド、DNA、RNA、PNA及びcDNAからなる群から選択される核酸または蛋白質であることを特徴とする請求項24に記載の免疫分析キット。
- 2つ以上のナノワイヤ光センサが、マイクロアレイ化されていることを特徴とする請求項24に記載の免疫分析キット。
- 前記マイクロアレイ化されたナノワイヤ光センサが、マルチプレクサを介して接続されていて、それぞれのナノワイヤ光センサの信号を順次処理するか、またはアナログスイッチングによりそれぞれの光センサの信号を同時に処理し得ることを特徴とする請求項27に記載の免疫分析キット。
- 化学蛍光物質または化学発光酵素及び化学発光基質並びにナノワイヤ光センサを含み、前記ナノワイヤ光センサのナノワイヤの表面が化学結合物質でコーティングされていて、分析対象物がナノワイヤに直接固定され、
前記ナノワイヤ光センサは、
請求項1または2に記載のナノワイヤ光センサであるか、
絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、適切な不純物でドーピングされることで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節されるナノワイヤ光センサであるか、または、
絶縁体基板、2つの導電性金属薄膜電極及び前記2つの電極に接続され半導体物質から形成された半導体ナノワイヤを含み、前記半導体ナノワイヤは、直径が1〜100ナノメータで、長さが前記2つの電極間の間隔より大きく、特定波長で光励起によって電気抵抗が低くなる物質から形成され、
前記ナノワイヤが、2つ以上の物質から形成されたものであり、
前記ナノワイヤが、異なる物質が交互に蒸着されて長手方向に異種構造を有することで、光感応波長帯域が所望の範囲に調節されるナノワイヤ光センサである
ことを特徴とする免疫分析キット。 - 前記化学結合物質が、末端にアミン基、カルボキシル基、エポキシ基及びスルホン酸基からなる群から選択された物質が結合されたチオール誘導体または有機シラン誘導体であることを特徴とする請求項29に記載の免疫分析キット。
- 前記カルボキシル基が、N−(3−ジメチルアミノプロピル)−N−エチルカルボジイミド(EDAC)及びN−ヒドロキシスクシンイミド(NHS)を含み、前記アミン基がグルタルアルデヒドを含むことを特徴とする請求項30に記載の免疫分析キット。
- 前記分析対象物が、オリゴヌクレオチド、DNA、RNA、PNA及びcDNAからなる群から選択される核酸または蛋白質であることを特徴とする請求項29に記載の免疫分析キット。
- 2つ以上のナノワイヤ光センサが、マイクロアレイ化されていることを特徴とする請求項32に記載の免疫分析キット。
- 前記マイクロアレイ化されたナノワイヤ光センサが、マルチプレクサを介して接続されていて、それぞれのナノワイヤ光センサの信号を順次処理するか、またはアナログスイッチングによりそれぞれの光センサの信号を同時に処理し得ることを特徴とする請求項33に記載の免疫分析キット。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040015629A KR100584188B1 (ko) | 2004-03-08 | 2004-03-08 | 나노선 광센서 및 이를 포함하는 키트 |
PCT/KR2005/000646 WO2005085809A1 (en) | 2004-03-08 | 2005-03-08 | Nanowire light sensor and kit with the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010019556A Division JP5178751B2 (ja) | 2004-03-08 | 2010-01-29 | ナノワイヤ光センサ及びこれを含むキット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007528003A JP2007528003A (ja) | 2007-10-04 |
JP4660536B2 true JP4660536B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=34918723
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007502710A Expired - Fee Related JP4660536B2 (ja) | 2004-03-08 | 2005-03-08 | ナノワイヤ光センサ及びこれを含むキット |
JP2010019556A Expired - Fee Related JP5178751B2 (ja) | 2004-03-08 | 2010-01-29 | ナノワイヤ光センサ及びこれを含むキット |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010019556A Expired - Fee Related JP5178751B2 (ja) | 2004-03-08 | 2010-01-29 | ナノワイヤ光センサ及びこれを含むキット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070131924A1 (ja) |
EP (2) | EP2672257B1 (ja) |
JP (2) | JP4660536B2 (ja) |
KR (1) | KR100584188B1 (ja) |
WO (1) | WO2005085809A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7972789B2 (en) * | 2005-11-28 | 2011-07-05 | Dako Denmark A/S | Dye compounds |
KR100704007B1 (ko) | 2006-01-17 | 2007-04-04 | 한국과학기술연구원 | 화학발광 및 형광을 이용한 신속진단키트 및 이의 사용방법 |
KR100923165B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2009-10-23 | 한국전자통신연구원 | 부양형 나노선 센서 및 그 제조 방법 |
US7786440B2 (en) * | 2007-09-13 | 2010-08-31 | Honeywell International Inc. | Nanowire multispectral imaging array |
KR100948595B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2010-03-23 | 한국전자통신연구원 | 표면 개질형 나노선 센서 및 그 제작 방법 |
JP5360739B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2013-12-04 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 電子素子とその製造方法 |
KR20090109980A (ko) * | 2008-04-17 | 2009-10-21 | 한국과학기술연구원 | 가시광 대역 반도체 나노선 광센서 및 이의 제조 방법 |
KR100976865B1 (ko) * | 2008-04-28 | 2010-08-23 | 한국기계연구원 | 파장 검출 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20110074605A (ko) * | 2008-10-20 | 2011-06-30 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 나노와이어 볼로미터 광 검출기 |
US20110182823A1 (en) * | 2009-09-18 | 2011-07-28 | Stephen Oldfield | Compositions and methods for in vivo evaluation of bioluminescence |
KR101135137B1 (ko) * | 2010-05-03 | 2012-04-19 | 한국기계연구원 | 광 검출 장치 |
KR101071110B1 (ko) | 2010-07-20 | 2011-10-10 | 한국과학기술원 | 광유도 전하전달 물질을 이용한 나노 구조 광센서 |
CN103575896B (zh) * | 2012-07-19 | 2015-09-23 | 江苏省肿瘤医院 | 高灵敏可抛式多组分化学发光成像免疫传感器 |
CN103937488B (zh) * | 2014-03-25 | 2016-03-09 | 中国科学院理化技术研究所 | 基于硅纳米线的碱性磷酸酶荧光化学传感器及制法和应用 |
CN105633190B (zh) * | 2014-10-31 | 2017-02-22 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器 |
CN104952976A (zh) * | 2015-05-13 | 2015-09-30 | 宁波工程学院 | 单晶碳化硅纳米线高灵敏紫光光电探测器的制备方法 |
CN107785443A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 中国科学院金属研究所 | 透明柔性非极性GaN纳米线紫外探测器及其制备方法 |
CN107159883B (zh) * | 2017-05-01 | 2019-03-29 | 福建医科大学 | 壳聚糖-铂纳米粒子模拟氧化酶 |
KR102003122B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2019-07-24 | 건국대학교 산학협력단 | 금속나노튜브에 바이오물질을 고정하는 방법 및 이를 포함하는 바이오센서 |
CN108152485B (zh) * | 2017-12-12 | 2019-11-15 | 江南大学 | 一种基于碱性磷酸酯酶催化反应触发CdS光电流的免疫分析方法 |
KR102224541B1 (ko) | 2019-03-29 | 2021-03-05 | 연세대학교 산학협력단 | 바이오 전극, 고감도 바이오 정량 키트, 고감도 바이오 정량 장치 및 임뮤노어세이 장치 및 이를 이용한 분석 방법 |
WO2021202746A1 (en) | 2020-04-03 | 2021-10-07 | Magic Leap, Inc. | Wearable display systems with nanowire led micro-displays |
CN113599369B (zh) * | 2021-09-02 | 2022-12-23 | 苏州大学 | 一种抗氧化应激纳米试剂及其制备方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004515782A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ | ナノセンサ |
JP2005532181A (ja) * | 2002-07-08 | 2005-10-27 | ビーティージー・インターナショナル・リミテッド | ナノ構造体およびその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL135076A0 (en) * | 2000-03-15 | 2001-05-20 | Zilber Gil | An immunoassay diagnostic probe and a method for use thereof |
AU2002307008C1 (en) * | 2001-03-30 | 2008-10-30 | The Regents Of The University Of California | Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
JP2004535066A (ja) * | 2001-05-18 | 2004-11-18 | プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ | ナノスケールワイヤ及び関連デバイス |
US20030035755A1 (en) * | 2001-08-16 | 2003-02-20 | Shu-Hui Chen | Organic electroluminescence (OEL)-based biochips |
KR20030040830A (ko) * | 2001-11-16 | 2003-05-23 | 박철홍 | 휴대용 폭약감지장치 |
US6882767B2 (en) * | 2001-12-27 | 2005-04-19 | The Regents Of The University Of California | Nanowire optoelectric switching device and method |
US6894359B2 (en) * | 2002-09-04 | 2005-05-17 | Nanomix, Inc. | Sensitivity control for nanotube sensors |
US7112816B2 (en) * | 2002-04-12 | 2006-09-26 | University Of South Flordia | Carbon nanotube sensor and method of producing the same |
GB0215150D0 (en) * | 2002-07-01 | 2002-08-07 | Univ Hull | Photoelectric cell |
US20040218224A1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-11-04 | Cariffe Alan Eddy | Facsimile transmission with instruction sub-code |
-
2004
- 2004-03-08 KR KR1020040015629A patent/KR100584188B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-03-08 JP JP2007502710A patent/JP4660536B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-08 EP EP13183326.1A patent/EP2672257B1/en active Active
- 2005-03-08 EP EP05726939A patent/EP1723408A4/en not_active Ceased
- 2005-03-08 US US10/592,239 patent/US20070131924A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-08 WO PCT/KR2005/000646 patent/WO2005085809A1/en active Application Filing
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010019556A patent/JP5178751B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004515782A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ | ナノセンサ |
JP2005532181A (ja) * | 2002-07-08 | 2005-10-27 | ビーティージー・インターナショナル・リミテッド | ナノ構造体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2672257B1 (en) | 2019-05-08 |
JP2007528003A (ja) | 2007-10-04 |
EP1723408A4 (en) | 2012-08-08 |
JP5178751B2 (ja) | 2013-04-10 |
EP2672257A1 (en) | 2013-12-11 |
WO2005085809A1 (en) | 2005-09-15 |
KR100584188B1 (ko) | 2006-05-29 |
KR20050090285A (ko) | 2005-09-13 |
EP1723408A1 (en) | 2006-11-22 |
JP2010169689A (ja) | 2010-08-05 |
US20070131924A1 (en) | 2007-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4660536B2 (ja) | ナノワイヤ光センサ及びこれを含むキット | |
Pei et al. | Sandwich-type immunosensors and immunoassays exploiting nanostructure labels: A review | |
Zhang et al. | Multiplexed sandwich immunoassays using flow-injection electrochemiluminescence with designed substrate spatial-resolved technique for detection of tumor markers | |
Wujcik et al. | Antibody nanosensors: a detailed review | |
Wang et al. | Dual amplification strategy for the fabrication of highly sensitive interleukin-6 amperometric immunosensor based on poly-dopamine | |
Li et al. | Group III nitride nanomaterials for biosensing | |
Li et al. | Label-free electrochemiluminescence immunosensor for cardiac troponin I using luminol functionalized gold nanoparticles as a sensing platform | |
Irrera et al. | New generation of ultrasensitive label-free optical Si nanowire-based biosensors | |
US20070196239A1 (en) | Optical nanowire biosensor based on energy transfer | |
Prabhulkar et al. | Amperometric micro-immunosensor for the detection of tumor biomarker | |
Yuan et al. | Electrochemical strategies for the detection of cTnI | |
Ma et al. | A label-free electrochemiluminescence immunosensor based on EuPO4 nanowire for the ultrasensitive detection of Prostate specific antigen | |
WO2004011672A1 (en) | Porous nanostructured film sensor | |
Liu et al. | CdSe quantum dots as labels for sensitive immunoassay of cancer biomarker proteins by electrogenerated chemiluminescence | |
Liu et al. | Electrochemiluminescent biosensor with DNA link for selective detection of human IgG based on steric hindrance | |
Chen et al. | Sensitive electrochemical immunoassay of metallothionein-3 based on K 3 [Fe (CN) 6] as a redox-active signal and c-dots/nafion film for antibody immobilization | |
Wang et al. | A novel strategy for improving amperometric biosensor sensitivity using dual-signal synergistic effect for ultrasensitive detection of matrix metalloproteinase-2 | |
Feng et al. | New advances in accurate monitoring of breast cancer biomarkers by electrochemistry, electrochemiluminescence, and photoelectrochemistry | |
Prajesh et al. | Polysilicon field effect transistor biosensor for the detection of cardiac Troponin-I (cTnI) | |
KR20090060635A (ko) | 나노입자를 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 | |
US11536721B2 (en) | Electrochemical immunosensors | |
Liu et al. | Recent advances in nanotechnology-enhanced biosensors for α-fetoprotein detection | |
Rahmawati et al. | Electrogenerated Chemiluminescence for Immunoassay Applications | |
US20120141327A1 (en) | Label-free biosensor | |
Rodrigues et al. | On the detection of cTnI-a comparison of surface-plasmon optical-electrochemical-, and electronic sensing concepts |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091118 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091126 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091221 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101228 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4660536 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |