JP4658007B2 - Semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、基板に半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is flip-chip mounted on a substrate.

パソコン、液晶テレビ及び電子手帳などの様々な電子機器では、薄型・軽量等の携帯性と、高精細・多階調等の表示性とに優れた液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置に画像を表示させるために、液晶ドライバが用いられる。   In various electronic devices such as personal computers, liquid crystal televisions, and electronic notebooks, liquid crystal display devices excellent in portability such as thin and light weight and display properties such as high definition and multi-gradation are widely used. A liquid crystal driver is used to display an image on the liquid crystal display device.

図５、図６に、従来例に係る液晶ドライバを示す。図５は、液晶ドライバを示す平面図であり、図６は、図５のＢ−Ｂ´線に沿った断面図である。図５、図６に示すように、フレキシブル基板１０３の上に、半導体チップ１０２が設けられている。フレキシブル基板１０３は、表面がメッキ法により形成されたＳｎで覆われたＣｕパターン１０１１が形成されたポリイミドフィルムである。Ｃｕパターン１０１１の上に、半導体チップ１０２のＡｕ突起電極（バンプ）１０１２を設けることで半導体チップ１０２は実装される。詳細には、Ｃｕパターン１０１１とＡｕ突起電極１０１２の接続部では、熱圧着により形成されているため、Ａｕ−Ｓｎ共晶層が形成されている。このように、ワイヤを使用することなく、半導体チップ１０２をフレキシブル基板１０３に実装する方法をフリップチップ実装という。   5 and 6 show a liquid crystal driver according to a conventional example. FIG. 5 is a plan view showing the liquid crystal driver, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor chip 102 is provided on the flexible substrate 103. The flexible substrate 103 is a polyimide film on which a Cu pattern 1011 covered with Sn whose surface is formed by a plating method is formed. The semiconductor chip 102 is mounted by providing the Au protruding electrode (bump) 1012 of the semiconductor chip 102 on the Cu pattern 1011. Specifically, since the connection portion between the Cu pattern 1011 and the Au protruding electrode 1012 is formed by thermocompression bonding, an Au—Sn eutectic layer is formed. Thus, a method of mounting the semiconductor chip 102 on the flexible substrate 103 without using a wire is called flip chip mounting.

半導体チップ１０２とフレキシブル基板１０３との間には樹脂１０４が充填されている。樹脂１０４の充填方法では、まず、液状の樹脂材料を半導体チップ１０２近傍のフレキシブル基板１０３上に滴下し、または滴下しながら半導体チップ１０２の外縁に沿って描画する。その後、樹脂材料はフレキシブル基板１０３上を広がり半導体チップ１０２に接触する。その結果、毛細管現象により樹脂材料がフレキシブル基板１０３と半導体チップ１０２との隙間に樹脂材料が入り込むことになる。その後、硬化することで樹脂１０４が形成されるのである。   A resin 104 is filled between the semiconductor chip 102 and the flexible substrate 103. In the filling method of the resin 104, first, a liquid resin material is dropped on the flexible substrate 103 in the vicinity of the semiconductor chip 102 or drawn along the outer edge of the semiconductor chip 102 while dropping. Thereafter, the resin material spreads on the flexible substrate 103 and contacts the semiconductor chip 102. As a result, the resin material enters the gap between the flexible substrate 103 and the semiconductor chip 102 due to capillary action. Thereafter, the resin 104 is formed by curing.

通常、半導体チップ１０２とフレキシブル基板１０３との相互間を充填するための必要量と比して過剰の樹脂材料を添加するため、一部の樹脂は半導体チップ１０２の外縁からはみ出し、半導体チップ１０２の側面とフレキシブル基板１０３の平面方向に拡がる事で、その断面が略三角形のフィレット１０５を形成することとなる。このフィレット１０５は、半導体チップ１０２の素子面及び接続された電極までの水分侵入経路を塞ぐ役割をあたし、半導体装置の信頼性の向上に寄与する部材である。   Usually, since an excessive amount of resin material is added as compared with a necessary amount for filling the space between the semiconductor chip 102 and the flexible substrate 103, a part of the resin protrudes from the outer edge of the semiconductor chip 102. By expanding in the plane direction of the side surface and the flexible substrate 103, a fillet 105 having a substantially triangular cross section is formed. The fillet 105 serves to block the moisture intrusion path to the element surface of the semiconductor chip 102 and the connected electrodes, and contributes to improving the reliability of the semiconductor device.

上述の液晶ドライバ１０１は、例えば、図７に示すように、出力アウターリード１０１３群を液晶パネル１０８の入力端子群に、入力アウターリード１０１４を外部回路基板１０９の出力端子群、各端子を相互に位置合わせ後、ＡＣＦ１０１５で接続する。   For example, as shown in FIG. 7, the liquid crystal driver 101 described above includes the output outer leads 1013 group as input terminal groups of the liquid crystal panel 108, the input outer leads 1014 as output terminal groups of the external circuit board 109, and the terminals as mutual terminals. After alignment, connection is made with ACF1015.

また場合によっては、フレキシブル基板１０３が持つ柔軟性を利用してフレキシブル基板を液晶パネルの裏面（１８０°方向）や側面（９０°方向）に折り曲げる事もあり、微細化に貢献している。
特開２００５−１１６６９７号公報（２００５年４月２８日公開） In some cases, the flexible substrate 103 may be bent to the back surface (180 ° direction) or the side surface (90 ° direction) of the liquid crystal panel using the flexibility of the flexible substrate 103, contributing to miniaturization.
JP 2005-116697 A (published on April 28, 2005)

しかし、上述のようにフレキシブル基板１０３を折り曲げた状態で使用することにより、変形による力が固定されている半導体チップ１０２の角に集中することとなる。特に、半導体チップ１０２の角は点であり、この点を中心にして該当角を除く２７０°からの変形を受けるため変形の到達が集中しやすい。   However, by using the flexible substrate 103 in a bent state as described above, the force due to the deformation is concentrated on the corner of the semiconductor chip 102 that is fixed. In particular, the corner of the semiconductor chip 102 is a point, and since the deformation from 270 ° excluding the corresponding angle is centered on this point, the arrival of the deformation tends to concentrate.

上述以外の変形の態様として、液晶パネル１０８と外部回路基板１０９との熱膨張係数の違いによりフレキシブル基板１０３が液晶ドライバ１０１の出力端子群と平行方向にせん断応力を受けることがある。これにより半導体チップ１０２の角を基点に折れ目が生じる。そして、液晶パネル１０８と外部回路基板１０９の熱膨張係数の違いにより、温度変化に伴ってフレキシブル基板１０３は伸縮を繰り返すこととなり、この繰り返しに伴い折れ目角度をも変化を繰り返す結果、フレキシブル基板１０３がダメージを受けることがある。   As a modification other than the above, the flexible substrate 103 may be subjected to shear stress in a direction parallel to the output terminal group of the liquid crystal driver 101 due to a difference in thermal expansion coefficient between the liquid crystal panel 108 and the external circuit substrate 109. As a result, a crease occurs at the corner of the semiconductor chip 102 as a base point. Due to the difference in thermal expansion coefficient between the liquid crystal panel 108 and the external circuit substrate 109, the flexible substrate 103 repeatedly expands and contracts with a change in temperature. As a result, the fold angle is also changed with the repetition. May be damaged.

フレキシブル基板１０３の変形は、温度環境、液晶ドライバ１０１自身の外部出力群と平行方向の長さ、液晶パネル1枚に占める液晶ドライバの接続個数やその位置、外部回路基板と液晶パネルの間隔、半導体チップの大きさやフレキシブル基板上の位置、フレキシブル基板の曲げ方等で様々である。さらに、半導体チップ１０２の側面に設けられた樹脂（フィレット）においても、樹脂の端部（樹脂の角部）で同様の問題が発生する事がある。樹脂が配線パターンの上に設けられている場合には、この折れ曲がりの問題は配線パターンの断線を引き起こすこともある。   The deformation of the flexible substrate 103 includes the temperature environment, the length in the direction parallel to the external output group of the liquid crystal driver 101 itself, the number and position of the liquid crystal driver connected to one liquid crystal panel, the distance between the external circuit substrate and the liquid crystal panel, the semiconductor It varies depending on the size of the chip, the position on the flexible substrate, the bending method of the flexible substrate, and the like. Further, in the resin (fillet) provided on the side surface of the semiconductor chip 102, the same problem may occur at the end portion (resin corner portion) of the resin. When the resin is provided on the wiring pattern, this bending problem may cause the wiring pattern to be disconnected.

引用文献１には、上記問題を回避する技術の一例が開示されている。具体的には、液晶ドライバを折り曲げた時に、樹脂角が起点となった折れが発生しないよう樹脂の端部から薄い樹脂を延長することで柔軟性を持たせ、折り曲げの基点を作らないにようにしている。しかしながら、半導体チップの外縁の全てに薄い樹脂が延長されているため、半導体チップの配置に要する面積が増大してしまい、半導体装置の微細化の妨げになることがある。また、引用文献１の図５には、半導体チップの４つの角から放射状に延長した薄い樹脂を形成した例が開示されているが、フレキシブル基板の変形態様によっては、半導体チップの辺に直交する方向に配置された配線パターンにダメージを与えることを回避できないことがある。   Cited Document 1 discloses an example of a technique for avoiding the above problem. Specifically, when a liquid crystal driver is bent, a thin resin is extended from the end of the resin so that it will not bend starting from the resin corner, so that flexibility is provided and a bending base point is not created. I have to. However, since the thin resin is extended all over the outer edge of the semiconductor chip, the area required for disposing the semiconductor chip increases, which may hinder miniaturization of the semiconductor device. Further, FIG. 5 of the cited document 1 discloses an example in which a thin resin extending radially from four corners of the semiconductor chip is formed, but depending on the deformation mode of the flexible substrate, it is orthogonal to the side of the semiconductor chip. It may not be possible to avoid damaging the wiring pattern arranged in the direction.

本発明の目的は、液晶パネルと外部回路基板の伸縮差等によりフレキシブル基板が繰り返し変形する場合に、やがて配線パターンの断線してしまう事を防止し、微細化および信頼性の向上が図られた半導体装置を提供することにある。   The object of the present invention is to prevent the wiring pattern from being disconnected in the event that the flexible substrate is repeatedly deformed due to a difference in expansion / contraction between the liquid crystal panel and the external circuit substrate, thereby miniaturizing and improving reliability. It is to provide a semiconductor device.

本発明に係る半導体装置は、導電性パターンが設けられたフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の上に設けられた半導体チップであって、前記導電性パターンと該半導体チップの突起電極とを接続することで実装される半導体チップと、前記フレキシブル基板と前記半導体チップとの間に設けられた第１樹脂と、前記半導体チップを平面視したとき、該半導体チップの側面に設けられた第２樹脂と、を含み、第２樹脂は、前記半導体チップの側面に設けられ、部分的に該半導体チップとの距離が大きくなる方向に突出した平面形状の突出部分を有し、前記突出部分の突出の方向は、突出部分が設けられている辺と交差する方向であり、上記突出部分は、フレキシブル基板の面内方向に働くせん断応力により生じる折り目同士が交わる部分のみに設けられていることを特徴とする。 A semiconductor device according to the present invention is a flexible substrate provided with a conductive pattern, and a semiconductor chip provided on the flexible substrate, wherein the conductive pattern and a protruding electrode of the semiconductor chip are connected. A first chip provided between the flexible substrate and the semiconductor chip, a second resin provided on a side surface of the semiconductor chip when viewed in plan, The second resin is provided on a side surface of the semiconductor chip, and has a planar protruding portion that partially protrudes in a direction in which the distance from the semiconductor chip increases, and the protruding direction of the protruding portion is , direction der is, the protruding portion intersecting with the side projecting portions are provided, fold each other caused by the shear stress acting on the plane direction of the flexible substrate intersects parts Provided only to said Rukoto.

上記構成によれば、半導体チップの側面に設けられた第２樹脂は、部分的に突出した平面形状を有している。半導体チップが実装された基板は、この基板に接続される他の回路基板等の影響を受け変形を繰り返すことがある。このように変形を繰り返すことで、固定端である半導体チップの周囲で変形による力の集中が起きてしまうことがあり、力が集中する点の下方に設けられている配線パターンの断線が起きることがある。しかしながら、本発明によれば、変形による力の集中点に突出部分を設けることで、力の集中による歪を吸収することができる。その結果、配線パターンの断線を予防でき、信頼性が向上した半導体装置を提供することができる。また、突出部分を必要な箇所に設けるだけで足り、半導体装置の微細化を実現することができる。   According to the above configuration, the second resin provided on the side surface of the semiconductor chip has a partially protruding planar shape. A substrate on which a semiconductor chip is mounted may be repeatedly deformed under the influence of other circuit boards connected to the substrate. By repeating the deformation in this way, the concentration of force due to the deformation may occur around the semiconductor chip that is the fixed end, and the wiring pattern provided below the point where the force concentrates may be disconnected. There is. However, according to the present invention, it is possible to absorb distortion due to force concentration by providing a protruding portion at a force concentration point due to deformation. As a result, disconnection of the wiring pattern can be prevented, and a semiconductor device with improved reliability can be provided. Further, it is sufficient to provide the protruding portion at a necessary portion, and the miniaturization of the semiconductor device can be realized.

本発明に係る半導体装置では、前記突出部分は、前記辺の端に設けられていることが好ましい。この構成によれば、半導体チップの端は、変形による力が集中しやすいが、突出部分が設けられていることにより、配線パターンの断線を防止することができる。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the protruding portion is provided at an end of the side. According to this configuration, the force due to deformation tends to concentrate on the end of the semiconductor chip, but the provision of the protruding portion can prevent the wiring pattern from being disconnected.

本発明に係る半導体装置では、前記半導体チップが矩形であり、前記突出部分は、該半導体チップの長手方向の辺に設けられていることが好ましい。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the semiconductor chip is rectangular and the protruding portion is provided on a side in the longitudinal direction of the semiconductor chip.

本発明に係る半導体装置では、前記突出部分の先端は、前記半導体チップとの距離が大きくなるに従って膜厚が小さくなることが好ましい。この構成によれば、突出部の先端は、半導体チップからの距離が大きくなるに従って膜厚が小さくなるよう傾斜を有することで、突出部分自体が角を形成することがなく、新たな変形による力の集中点を形成することを抑制することができる。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the film thickness of the tip of the protruding portion decreases as the distance from the semiconductor chip increases. According to this configuration, the tip of the protruding portion has an inclination so that the film thickness decreases as the distance from the semiconductor chip increases, so that the protruding portion itself does not form a corner and force due to new deformation. It is possible to suppress the formation of the concentration point.

本発明に係る半導体装置では、少なくとも２以上の突出部分を有することが好ましい。この構成によれば、変形による力の吸収を効率よく行うことができる。   The semiconductor device according to the present invention preferably has at least two or more protruding portions. According to this configuration, it is possible to efficiently absorb force due to deformation.

本発明に係る半導体装置では、前記突出部分は、前記基板において、その幅が６〜８０μｍである前記導電性パターンの上方に設けられていることが好ましい。前記基板の複数の出力端子が設けられている側に設けられていることが好ましい。この構成によれば、基板上の配線パターンの保護をより確実に行うことができる。   In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the protruding portion is provided on the substrate above the conductive pattern having a width of 6 to 80 μm. It is preferable that the substrate is provided on the side where a plurality of output terminals are provided. According to this configuration, it is possible to more reliably protect the wiring pattern on the substrate.

本発明に係る半導体装置では、前記突出部分は柔軟であり、その鉛筆硬度は、Ｈ〜４Ｈであることが好ましい。この構成によれば、突出部分自体が新たな変形による力の集中点となることを抑制できる。その結果、突出部分の下層にある配線の断線を抑制することができる。 In the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the protruding portion is flexible and the pencil hardness is H to 4H. According to this structure, it can suppress that protrusion part itself becomes a concentration point of the force by new deformation | transformation. As a result, disconnection of the wiring in the lower layer of the protruding portion can be suppressed .

本発明に係る半導体装置は、以上のように、半導体チップの周囲に突出した突出部分を有することで、基板の変形による力の発生を抑制することができ、配線パターンの断線を予防することができるという効果を奏する。   As described above, the semiconductor device according to the present invention has the protruding portion protruding around the semiconductor chip, so that generation of force due to deformation of the substrate can be suppressed, and disconnection of the wiring pattern can be prevented. There is an effect that can be done.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施形態）
図１および図２を参照しつつ、第１の実施形態に係る半導体装置について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ´線に沿った断面図である。なお、本実施形態では、半導体装置が液晶ドライバの場合を例として説明する。 (First embodiment)
The semiconductor device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view schematically showing the semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. In the present embodiment, a case where the semiconductor device is a liquid crystal driver will be described as an example.

図１に示すように、本実施形態に係る液晶ドライバ（半導体装置）１では、フレキシブル基板（基板）３の上に半導体チップ１が設けられている。液晶ドライバ１としての構成材料およびフリップチップ接続法に関しての説明は、公知の技術と同様に行うことができる。   As shown in FIG. 1, in a liquid crystal driver (semiconductor device) 1 according to this embodiment, a semiconductor chip 1 is provided on a flexible substrate (substrate) 3. The explanation about the constituent material as the liquid crystal driver 1 and the flip-chip connection method can be performed in the same manner as a known technique.

液晶ドライバ１は、フレキシブル基板３と、その上に設けられた半導体チップ２と、フレキシブル基板３と半導体チップ２との相互間に埋め込まれた第１樹脂４と、平面視したときに半導体チップ２の側面に設けられた第２樹脂５と、を含む。   The liquid crystal driver 1 includes a flexible substrate 3, a semiconductor chip 2 provided on the flexible substrate 3, a first resin 4 embedded between the flexible substrate 3 and the semiconductor chip 2, and the semiconductor chip 2 when viewed in plan. And a second resin 5 provided on the side surface.

第２樹脂５は、半導体チップ２の側面に設けられている。第２樹脂５は、図２に示すように、半導体チップ２の側面との距離が大きくなるにつれて膜厚が小さくなる。つまり、半導体チップ２から離れるに従って、上面の位置が低くなるよう傾斜している。第２樹脂５の一部には、突出部分６が設けられている。突出部分６は、図１に示すように、半導体チップ２を平面視したときに、半導体チップ２との距離が大きくなる方向に突出している樹脂である。第２樹脂５と突出部分６とは、一つの部材からなり、その上面は連続した面を形成することができる。また、第２樹脂５と突出部分６とが別々の部材から構成されていてもよいことは言うまでもない。   The second resin 5 is provided on the side surface of the semiconductor chip 2. As shown in FIG. 2, the thickness of the second resin 5 decreases as the distance from the side surface of the semiconductor chip 2 increases. That is, the position of the upper surface is inclined so as to become lower as the distance from the semiconductor chip 2 increases. A protruding portion 6 is provided on a part of the second resin 5. As shown in FIG. 1, the protruding portion 6 is a resin protruding in a direction in which the distance from the semiconductor chip 2 increases when the semiconductor chip 2 is viewed in plan. The 2nd resin 5 and the protrusion part 6 consist of one member, and the upper surface can form a continuous surface. Moreover, it cannot be overemphasized that the 2nd resin 5 and the protrusion part 6 may be comprised from the separate member.

突出部分６の突出方向は、突出部分６が設けられている半導体チップ２の辺と交差する方向である。より好ましくは直行する方向であることが好ましい。また、突出部分６は、半導体チップ２の任意の辺においてより角に近い領域に設けられていることが好ましい。これは、半導体チップ２の角は、フレキシブル基板３の変形時の力を最も受けやすい領域であり、この角近傍に設けられている配線パターンが断線しやすいという問題があるが、このような問題を回避することができるためである。   The protruding direction of the protruding portion 6 is a direction that intersects the side of the semiconductor chip 2 on which the protruding portion 6 is provided. More preferably, the direction is orthogonal. Further, the protruding portion 6 is preferably provided in a region closer to the corner on any side of the semiconductor chip 2. This is because the corner of the semiconductor chip 2 is the region that is most susceptible to the deformation force of the flexible substrate 3, and there is a problem that the wiring pattern provided in the vicinity of this corner is likely to be disconnected. This is because it can be avoided.

突出部分６は、図２に示すように、その上面が基板１０の上面とほぼ平行となっていることが好ましい。つまり、第２樹脂５は、半導体チップ２との距離が大きくなるにつれて、膜厚が小さくなるように傾斜した面を有するのに対して、平らな面（基板の上面とほぼ平行な面）を有している。さらに、突出部分６の先端は、その先端に向かうに従って、膜厚が小さくなるように傾斜した断面を有する。これは、突出部分６が、急峻な山型で先端が尖っている場合、この突出部分６自体があらたな力の集中を招く恐れがあるため、この現象を回避するためである。   As shown in FIG. 2, the upper surface of the protruding portion 6 is preferably substantially parallel to the upper surface of the substrate 10. That is, the second resin 5 has a flat surface (a surface substantially parallel to the upper surface of the substrate), whereas the second resin 5 has a surface inclined so that the film thickness decreases as the distance to the semiconductor chip 2 increases. Have. Furthermore, the tip of the protruding portion 6 has a cross section that is inclined so that the film thickness decreases toward the tip. This is for avoiding this phenomenon because when the protruding portion 6 has a steep mountain shape and has a sharp tip, the protruding portion 6 itself may cause a new concentration of force.

突出部分６は、樹脂材料を形成した後に、この樹脂材料を硬化して形成されるが、硬化後も柔軟な状態であることが好ましい。この態様によれば、フレキシブル基板３の変形による力を吸収しやすくなり、フレキシブル基板３に設けられている配線パターンの保護を確実に行うことができる。   The protruding portion 6 is formed by curing the resin material after forming the resin material, but it is preferable that the protruding portion 6 be in a flexible state even after curing. According to this aspect, it becomes easy to absorb the force due to the deformation of the flexible substrate 3, and the wiring pattern provided on the flexible substrate 3 can be reliably protected.

また、突出部分６の硬度は鉛筆硬度Ｈ〜４Ｈであることが好ましい。この態様によれば、突出部分６自体が新たなに変形による力の集中点となってしまい、突出部分６の下に設けられている配線パターンの断線を予防することができないという問題を回避することができる。   Moreover, it is preferable that the hardness of the protrusion part 6 is pencil hardness H-4H. According to this aspect, the protruding portion 6 itself becomes a new concentration point of force due to deformation, and the problem that the disconnection of the wiring pattern provided under the protruding portion 6 cannot be prevented is avoided. be able to.

突出部分６の形成方法は、半導体チップ２とフレキシブル基板３との間に樹脂材料を吐出ノズルを介して注入する際に、半導体チップ２とフレキシブル基板３との相互間に注入し終えた後、いったん、半導体チップ２の側面近傍に配置し、樹脂を滴下させながら吐出ノズルを半導体チップから半導体チップの角に対して直角方向に離れるように描画することで形成することができる。あるいは、半導体チップ２とフレキシブル基板３の隙間に充填した後、この方法を採用しても良い。また、半導体チップ２とフレキシブル基板３の隙間に充填するため、樹脂材料をノズルから吐出しながら、隙間に充填すると同時にノズルを半導体チップから離れるように描画することでも形成する事ができる。特に、隙間に充填すると同時にノズルを半導体チップから離れるように描画する場合には、半導体チップとフレキシブル基板３の隙間が多列バンプ等により複雑な構造で樹脂が隙間に入るのに一定の時間を要する場合、樹脂が隙間に充填する前に半導体チップ２の上面に這い上がるという不具合を防止できる効果も持っている。   The method of forming the protruding portion 6 is that when the resin material is injected between the semiconductor chip 2 and the flexible substrate 3 through the discharge nozzle, after the injection between the semiconductor chip 2 and the flexible substrate 3 is completed, Once formed near the side surface of the semiconductor chip 2 and the resin nozzle is dropped, the discharge nozzle is drawn away from the semiconductor chip in a direction perpendicular to the corner of the semiconductor chip. Alternatively, this method may be adopted after the gap between the semiconductor chip 2 and the flexible substrate 3 is filled. Further, since the gap between the semiconductor chip 2 and the flexible substrate 3 is filled, the resin material can be discharged from the nozzle while filling the gap and drawing the nozzle away from the semiconductor chip. In particular, when drawing the nozzle so as to be separated from the semiconductor chip at the same time as filling the gap, the gap between the semiconductor chip and the flexible substrate 3 has a complicated structure due to multi-row bumps, etc., and it takes a certain time for the resin to enter the gap. If necessary, it also has an effect of preventing a problem that the resin creeps up to the upper surface of the semiconductor chip 2 before filling the gap.

また、樹脂材料を隙間に充填した後、一旦、樹脂材料を滴下させ、やがて拡がる段階で第２樹脂５と接する事で突出部分６を形成する事も可能である。また、半導体チップ２とフレキシブル基板３との間に第１樹脂４および第２樹脂５を形成した後、あらためて突出部分６を形成することも可能である。   Further, after the resin material is filled in the gap, the resin material is once dropped, and the protruding portion 6 can be formed by coming into contact with the second resin 5 at a stage where the resin material expands. Further, after the first resin 4 and the second resin 5 are formed between the semiconductor chip 2 and the flexible substrate 3, the protruding portion 6 can be formed again.

以下に、突出部分６の形状の一例を示す。この例においては、半導体チップ２として、長辺方向が１１．０ｍｍ、短辺方向が１．８ｍｍの長方形のチップを選択する。この場合、突出部分６の長さ（突出方向の長さ）は、１ｍｍであり、通常の第２樹脂５の長さは１ｍｍとすることができる。つまり、突出部分６が設けられている領域では、第２樹脂５の先端（突出部分６の先端（半導体チップ２と最も離れた位置にある端部））から、半導体チップ２の辺までの総距離は、２ｍｍであるのに対して、突出部分６が設けられていない領域では、第２樹脂５の先端と半導体チップ２の辺とまでの距離は１ｍｍである。また、突出部分６の先端から半導体チップ２までの距離と、通常の第２樹脂５の先端から半導体チップ２までの距離との比は、０．３〜３であることが好ましい。   Below, an example of the shape of the protrusion part 6 is shown. In this example, a rectangular chip having a long side direction of 11.0 mm and a short side direction of 1.8 mm is selected as the semiconductor chip 2. In this case, the length of the protruding portion 6 (length in the protruding direction) is 1 mm, and the length of the normal second resin 5 can be 1 mm. That is, in the region where the projecting portion 6 is provided, the total distance from the tip of the second resin 5 (the tip of the projecting portion 6 (the end located farthest from the semiconductor chip 2) to the side of the semiconductor chip 2). While the distance is 2 mm, the distance from the tip of the second resin 5 to the side of the semiconductor chip 2 is 1 mm in the region where the protruding portion 6 is not provided. The ratio of the distance from the tip of the protruding portion 6 to the semiconductor chip 2 and the distance from the tip of the normal second resin 5 to the semiconductor chip 2 is preferably 0.3 to 3.

また、本願発明者は、樹脂材料として株式会社ナミックス社のＳＬ−８を、フレキシブル基板３として株式会社日立化成社のソルダレジストＳＮ９０００を準備し、このフレキシブル基板３上に樹脂材料を滴下させたとき、半導体チップ１０２の辺から突出部分６の先端までの距離を、１．５ｍｍ、第２樹脂５の長さを１ｍｍとする事で良好な形状の突出部分６を形成できることを確認した。つまり、樹脂材料で描画するときに、突出部分６の長さをある程度確保する必要がある。これにより、第２樹脂５に吸収されることなく、良好な形状の突出部分６を形成することができる。このとき、第２樹脂５を良好に形成するためには、突出部分６の先端から半導体チップ２までの距離と、第２樹脂５の先端から半導体チップ２までの距離との比は、０．３〜３であることが好ましい。   In addition, when the present inventor prepared SL-8 of NAMICS Co., Ltd. as a resin material, and a solder resist SN9000 of Hitachi Chemical Co., Ltd. as a flexible substrate 3, the resin material was dropped on the flexible substrate 3. It was confirmed that the protruding portion 6 having a good shape can be formed by setting the distance from the side of the semiconductor chip 102 to the tip of the protruding portion 6 to 1.5 mm and the length of the second resin 5 to 1 mm. That is, when drawing with a resin material, it is necessary to secure a certain length of the protruding portion 6. Thereby, the protruding portion 6 having a good shape can be formed without being absorbed by the second resin 5. At this time, in order to satisfactorily form the second resin 5, the ratio of the distance from the tip of the protruding portion 6 to the semiconductor chip 2 and the distance from the tip of the second resin 5 to the semiconductor chip 2 is 0. It is preferable that it is 3-3.

次に、本実施形態に係る半導体装置の作用効果について図３、図８および図９を参照しつつ説明する。図３および図８は、本実施形態に係る半導体装置の作用効果を示すための平面図である。図９は、図８のＡ部の拡大図である。   Next, functions and effects of the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3, 8, and 9. 3 and 8 are plan views for illustrating the operational effects of the semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 9 is an enlarged view of a portion A in FIG.

まず、図８および図９を参照しつつ、従来例に係る半導体装置の問題点について説明する。図８に示すように、液晶ドライバ１０１は、外部からの振動、特に、液晶パネル１０８と外部回路基板１０９との熱膨張係数の違いにより液晶ドライバ１０１に矢印Ａ，Ｂに示す方向の付加を繰り返し受けることとなる。その結果、半導体チップ２の角の近傍において、折れ目１０７ａ、１０７ｂが生じる。このとき、折れ目１０７ａ、１０７ｂは、外部材料の伸縮差のサイクルにより折れ目の角度が変化した折れ目をそれぞれ指している。この折れ目１０７ａ、１０７ｂの交点１０１０には、変形による力の集中することとなり、図９に示すように、配線パターン１０１１の断線を招くことがある。   First, the problems of the semiconductor device according to the conventional example will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 8, the liquid crystal driver 101 repeatedly adds the directions indicated by arrows A and B to the liquid crystal driver 101 due to external vibrations, in particular, the difference in thermal expansion coefficient between the liquid crystal panel 108 and the external circuit board 109. Will receive. As a result, folds 107a and 107b are generated in the vicinity of the corners of the semiconductor chip 2. At this time, the folds 107a and 107b respectively indicate folds in which the angle of the fold has changed due to the expansion / contraction difference cycle of the external material. The force due to the deformation is concentrated at the intersection 1010 of the folds 107a and 107b, and the wiring pattern 1011 may be disconnected as shown in FIG.

しかしながら、図３に示すように、本実施形態に係る半導体装置では、折れ目７ａ、７ｂの交点１０に突出部分６が設けられている。そのため、この交点１０の位置に突出部分６が設けられているため、突出部分６が変形による力を吸収できることとなり、その結果、突出部分６の下方にある配線パターンの断線を予防することができるのである。   However, as shown in FIG. 3, in the semiconductor device according to the present embodiment, the protruding portion 6 is provided at the intersection 10 of the folds 7a and 7b. Therefore, since the protruding portion 6 is provided at the position of the intersection point 10, the protruding portion 6 can absorb the force caused by the deformation, and as a result, disconnection of the wiring pattern below the protruding portion 6 can be prevented. It is.

通常、フレキシブル基板３へ実装される半導体チップ２は、柔軟なフレキシブル基板３へ実装するため半導体チップ自身が機械的強度を持っている必要があり、この点を考慮すると、半導体チップ２の厚さは、４００μｍ〜６２５μｍであることが好ましい。   Normally, the semiconductor chip 2 mounted on the flexible substrate 3 needs to have mechanical strength in order to be mounted on the flexible flexible substrate 3, and considering this point, the thickness of the semiconductor chip 2 Is preferably 400 μm to 625 μm.

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る半導体装置について、図４を参照しつつ説明する。なお、以下の説明では、第１の実施形態との相違点について説明する。そのため、説明の便宜上、第１の実施形態で説明した部材と同様の機能を有する部材には、同一の番号を付し、その説明は省略する。 (Second Embodiment)
Next, a semiconductor device according to a second embodiment will be described with reference to FIG. In the following description, differences from the first embodiment will be described. Therefore, for convenience of explanation, members having the same functions as those explained in the first embodiment are given the same numbers, and explanation thereof is omitted.

図４に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置では、半導体チップ２の角の４箇所に突出部分６が設けられている。半導体チップ２の各角に設けることで４つの角周辺および樹脂角に折り曲げの繰り返しが集中することがあったとしても、突出部分６が繰り返しの変形による力を吸収してくれるため、配線パターンが断線してしまうなどの不具合を回避することができる。   As shown in FIG. 4, in the semiconductor device according to the second embodiment, protruding portions 6 are provided at four corners of the semiconductor chip 2. Even if the repeated bending is concentrated around the four corners and the resin corner by providing at each corner of the semiconductor chip 2, the protruding portion 6 absorbs the force due to the repeated deformation, so that the wiring pattern is Problems such as disconnection can be avoided.

また、図１〜図４に示す半導体装置では、半導体チップ２が１つの場合について説明しているが、複数の半導体チップを搭載するフレキシブル基板でも適用できる。その場合、例えば図３では、左端の半導体チップ２はその長辺側の左側に突出部分６を設け、複数の半導体チップの右端にある半導体チップでは、その長辺側の右側に突出部分６を設ける。   In the semiconductor device shown in FIGS. 1 to 4, the case where there is one semiconductor chip 2 has been described. However, the present invention can also be applied to a flexible substrate on which a plurality of semiconductor chips are mounted. In this case, for example, in FIG. 3, the leftmost semiconductor chip 2 is provided with a protruding portion 6 on the left side of the long side, and the semiconductor chip at the right end of the plurality of semiconductor chips is provided with a protruding portion 6 on the right side of the long side. Provide.

また、図１または図２においては、突出部分６が一つの場合を示し、図４においては、突出部分６が４つ設けられている場合を示したが、突出部分６の個数はこれに制限されない。例えば、図１または図２に示す半導体装置では、突出部分６が図示されている辺と同じ辺に、他の突出部分が設けられていてもよい。   Further, FIG. 1 or FIG. 2 shows a case where there is one projecting portion 6, and FIG. 4 shows a case where four projecting portions 6 are provided, but the number of projecting portions 6 is limited to this. Not. For example, in the semiconductor device shown in FIG. 1 or FIG. 2, another protruding portion may be provided on the same side as the side where the protruding portion 6 is illustrated.

また、図３に示すように、半導体装置が液晶ドライバである場合、入力アウターリードは本数が少なく、配線を太くできるが、液晶パネルと接続する出力アウターリードは本数が多いことから配線幅が狭い。このように配線幅が狭いことで、フレキシブル基板３の変形による断線等の影響を受けやすいことから出力アウターリード側に１つもしくは複数の突出部分６を設けることが好ましい。   As shown in FIG. 3, when the semiconductor device is a liquid crystal driver, the number of input outer leads is small and the wiring can be thickened. However, the number of output outer leads connected to the liquid crystal panel is large and the wiring width is narrow. . Since the wiring width is narrow in this manner, it is easy to be affected by disconnection or the like due to deformation of the flexible substrate 3, and therefore it is preferable to provide one or a plurality of protruding portions 6 on the output outer lead side.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

本発明によれば、半導体チップがフリップチップ実装により実装されている基板であって、基板上に形成されている配線パターンがせん断応力を受けることにより断線する可能性のある基板に適用することができる。   According to the present invention, the present invention can be applied to a substrate on which a semiconductor chip is mounted by flip-chip mounting, and a wiring pattern formed on the substrate may be disconnected due to shear stress. it can.

本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 図１のＡ−Ａ´線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the AA 'line of FIG. 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の作用効果を説明する図である。It is a figure explaining the effect of the semiconductor device concerning a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the semiconductor device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 従来例に係る半導体装置を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the semiconductor device which concerns on a prior art example. 図５のＢ−Ｂ´線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the BB 'line of FIG. 従来例に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the semiconductor device which concerns on a prior art example. 本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の作用効果を説明する図である。It is a figure explaining the effect of the semiconductor device concerning a 1st embodiment of the present invention. 図８のＡ部を拡大した図面である。It is drawing which expanded the A section of FIG.

１ 液晶ドライバ（半導体装置）
２ 半導体チップ
３ フレキシブル基板（基板）
４ 第１樹脂
５ 第２樹脂
６ 突出部分
７ 折れ目（基板が変形することにより生じる）
８ 液晶パネル
９ 外部回路基板
１０ 交点 1 LCD driver (semiconductor device)
2 Semiconductor chip 3 Flexible substrate (substrate)
4 1st resin 5 2nd resin 6 Protruding part 7 Folding (It arises when a substrate changes)
8 LCD panel 9 External circuit board 10 Intersection

Claims (7)

導電性パターンが設けられたフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板の上に設けられた半導体チップであって、前記導電性パターンと該半導体チップの突起電極とを接続することで実装される半導体チップと、
前記フレキシブル基板と前記半導体チップとの間に設けられた第１樹脂と、
前記半導体チップを平面視したとき、該半導体チップの側面に設けられた第２樹脂と、を含み、
第２樹脂は、前記半導体チップの側面に設けられ、部分的に該半導体チップとの距離が大きくなる方向に突出した平面形状の突出部分を有し、
前記突出部分の突出の方向は、突出部分が設けられている辺と交差する方向であり、
上記突出部分は、フレキシブル基板の面内方向に働くせん断応力により生じる折り目同士が交わる部分のみに設けられていることを特徴とする半導体装置。 A flexible substrate provided with a conductive pattern;
A semiconductor chip provided on the flexible substrate, the semiconductor chip mounted by connecting the conductive pattern and the protruding electrode of the semiconductor chip; and
A first resin provided between the flexible substrate and the semiconductor chip;
A second resin provided on a side surface of the semiconductor chip when the semiconductor chip is viewed in plan,
The second resin is provided on a side surface of the semiconductor chip, and has a planar protruding portion that partially protrudes in a direction in which the distance from the semiconductor chip increases.
Direction of projection of the projecting portion, up direction der intersecting the side projecting portions are provided,
The protruding part is a semiconductor device which is characterized that you have provided only in a portion folds each other caused by the shear stress acting on the plane direction of the flexible substrate intersect. 前記突出部分は、前記辺の端に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the protruding portion is provided at an end of the side. 前記半導体チップが矩形であり、前記突出部分は、該半導体チップの長手方向の辺に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor chip is rectangular, and the protruding portion is provided on a side in a longitudinal direction of the semiconductor chip. 前記突出部分の先端は、前記半導体チップとの距離が大きくなるに従って膜厚が小さくなることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。   4. The semiconductor device according to claim 1, wherein a film thickness of the tip of the protruding portion decreases as the distance from the semiconductor chip increases. 少なくとも２以上の突出部分を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device has at least two protruding portions. 前記突出部分は、前記基板において、その幅が６〜８０μｍである前記導電性パターンの上方に設けられていることを特徴とした請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the protruding portion is provided on the substrate above the conductive pattern having a width of 6 to 80 μm. 前記突出部分の鉛筆硬度は、Ｈ〜４Ｈであることを特徴とした請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置。 The semiconductor device according to claim 1, wherein the protruding portion has a pencil hardness of H to 4H .
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000323624A (en) * 1999-05-12 2000-11-24 Nec Corp Semiconductor device and manufacture thereof

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