JP4650025B2 - Electroluminescence element - Google Patents

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本発明は、エレクトロルミネッセンス(EL)素子に係り、特にエレクトロルミネッセンス層からの光の取り出し効率が高く、かつ画素滲みが少なく、解像度が高く視認性に優れたエレクトロルミネッセンスディスプレイ素子、あるいは透明感が高く、透明感、くっきり感のあるエレクトロルミネッセンス面照明素子に関するものである。   The present invention relates to an electroluminescence (EL) element, and in particular, an electroluminescence display element having high light extraction efficiency from an electroluminescence layer, little pixel bleeding, high resolution and excellent visibility, or high transparency. The present invention relates to an electroluminescence surface illumination element having a transparent feeling and a clear feeling.

ELディスプレーに用いられるエレクトロルミネッセンス素子は、ボトムエミッションタイプにおいては、図5(a)に示すように、少なくとも透明基板5、透明電極層3、エレクトロルミネッセンス層2及び反射電極層1を有する。この透明電極層、反射電極層は目的と構成に応じてどちらが陰極であっても陽極であっても構わないが、通常のボトムエミッションタイプにおいては透明電極層が陽極、反射電極層が陰極に相当する。トップエミッションタイプにおいては、図5(c)に示すように、基板5、透明電極層3、エレクトロルミネッセンス層2及び反射電極層1、必要に応じて透光体層5Aを有する。   In the bottom emission type, the electroluminescence element used for the EL display has at least a transparent substrate 5, a transparent electrode layer 3, an electroluminescence layer 2, and a reflective electrode layer 1, as shown in FIG. Depending on the purpose and configuration, the transparent electrode layer and the reflective electrode layer may be either a cathode or an anode, but in a normal bottom emission type, the transparent electrode layer corresponds to an anode and the reflective electrode layer corresponds to a cathode. To do. As shown in FIG. 5C, the top emission type includes a substrate 5, a transparent electrode layer 3, an electroluminescent layer 2, a reflective electrode layer 1, and a translucent layer 5A as necessary.

このエレクトロルミネッセンス素子は、陽極である透明電極層3から注入された正孔に反射電極層1から注入された電子とがエレクトロルミネッセンス層2で再結合し、その再結合エネルギーによって発光中心が励起され、発光するという発光原理を有する。   In this electroluminescence element, holes injected from the transparent electrode layer 3 as an anode are recombined with electrons injected from the reflective electrode layer 1 in the electroluminescence layer 2, and the emission center is excited by the recombination energy. Have a light emission principle of emitting light.

従来、このようなエレクトロルミネッセンス素子において、光の取り出し効率を改善したものとして、図6(a)に示す如く、透明基板5と透明電極層3との間に低屈折率材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた浸み出し光拡散層6を設けたエレクトロルミネッセンス素子が提案されている(特許文献1)。   Conventionally, in such an electroluminescent device, it is assumed that the light extraction efficiency is improved, and a matrix made of a low refractive index material is interposed between the transparent substrate 5 and the transparent electrode layer 3 as shown in FIG. There has been proposed an electroluminescence element provided with a leaching light diffusion layer 6 containing particles that scatter light (Patent Document 1).

このように透明電極層3と透明基板5との間に、低屈折率材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた浸み出し光拡散層6を設けると、エレクトロルミネッセンス層2、透明電極層3と浸み出し光拡散層6との界面に入射した光の全反射量が低減される。   Thus, when the leaching light diffusion layer 6 containing particles that scatter light in a matrix made of a low refractive index material is provided between the transparent electrode layer 3 and the transparent substrate 5, the electroluminescence layer 2, The total reflection amount of the light incident on the interface between the transparent electrode layer 3 and the leaching light diffusion layer 6 is reduced.

この理由については次の通り考えられる。即ち、エレクトロルミネッセンス層2から透明電極層3を通って低屈折率材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた光拡散層6との界面に光が臨界角よりも大きな入射角で入射した場合、この光は該界面で全反射される。しかし、図6(b)に示すように、この全反射に際しては、光の一部が該界面よりも低屈折率層側(低屈折率材料からなる層側)に浸み出す如き現象が生じる(この浸み出し光は、エバネッセント波、あるいは近接場光と呼ぶことがある)。即ち、入射光の電界及び磁界が界面よりも低屈折率層側にまで存在することになる。   The reason is considered as follows. That is, light is incident at an incident angle larger than the critical angle on the interface with the light diffusion layer 6 containing particles that scatter light from the electroluminescence layer 2 through the transparent electrode layer 3 into a matrix made of a low refractive index material. When incident, this light is totally reflected at the interface. However, as shown in FIG. 6B, during this total reflection, a phenomenon occurs in which part of the light oozes out from the interface to the low refractive index layer side (layer side made of a low refractive index material). (This penetrating light may be called evanescent wave or near-field light). That is, the electric field and magnetic field of incident light exist even on the low refractive index layer side from the interface.

この浸み出し現象を利用し、光の浸み出し距離(深さ)内に低屈折率材料からなるマトリックスと屈折率の異なる粒子を存在させることにより、低屈折率層側に浸み出した光の一部が該粒子によって散乱され、最早透明電極層内の全反射光に戻ることなく散乱後、直接、もしくは反射電極層の例えばアルミ反射膜で反射された後、低屈折率層中に拡散するようになる。このようにして、光を散乱させる粒子(以下「光散乱粒子」と称す場合がある。)を透明電極層に接する低屈折率層に含有させることにより、全反射の反射率が低下し、より多くの光が透明電極層から低屈折率層側に侵入するようになり、この結果として、エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し効率が向上する。   Using this leaching phenomenon, the low refractory layer leached out by allowing particles of different refractive index from the matrix made of low refractive index material to exist within the light bleed distance (depth). Part of the light is scattered by the particles and is no longer returned to the total reflected light in the transparent electrode layer, but after being scattered directly or after being reflected by, for example, an aluminum reflective film of the reflective electrode layer, into the low refractive index layer To spread. In this way, by including particles that scatter light (hereinafter sometimes referred to as “light scattering particles”) in the low refractive index layer that is in contact with the transparent electrode layer, the reflectance of total reflection is reduced. A lot of light enters from the transparent electrode layer to the low refractive index layer side. As a result, the light extraction efficiency of the electroluminescence element is improved.

なお、特許文献1においては、図7に示す如く、反射電極層1、エレクトロルミネッセンス層2、透明電極層3、浸み出し光拡散層6a、低屈折率層4及び透明基板5の順で積層し、浸み出し光拡散層6aのマトリックスの屈折率が低屈折率層4の屈折率と同等であって、透明電極層3の屈折率より低い屈折率を有するものとした態様も提案されている。   In Patent Document 1, as shown in FIG. 7, the reflective electrode layer 1, the electroluminescence layer 2, the transparent electrode layer 3, the leaching light diffusion layer 6a, the low refractive index layer 4 and the transparent substrate 5 are laminated in this order. In addition, a mode is also proposed in which the refractive index of the matrix of the leaching light diffusing layer 6 a is equal to the refractive index of the low refractive index layer 4 and lower than the refractive index of the transparent electrode layer 3. Yes.

この態様にあっても、透明電極層3と低屈折率層4との間に設けられた浸み出し光拡散層6aの界面では、図6の場合と同様にして粒子を含有する浸み出し光拡散層6aの光拡散作用により、透明電極層3から低屈折層4側に浸み出した光の全反射を低減させる。即ち、透明電極層3と浸み出し光拡散層6aとの界面で全反射が生じる場合、全反射時に粒子含有浸み出し光拡散層6aに浸み出した光が粒子含有浸み出し光拡散層6a中の粒子によって散乱され、粒子含有浸み出し光拡散層6a側に取り出される。これにより、透明電極層から直接、あるいは反射電極の例えばアルミ反射膜で反射された後、透明電極層3の浸み出し光拡散層6a側の界面で全反射せずに浸み出し光拡散層6aに進入する光量が増加する。   Even in this embodiment, at the interface of the leaching light diffusion layer 6a provided between the transparent electrode layer 3 and the low refractive index layer 4, the leaching containing particles is performed in the same manner as in FIG. Due to the light diffusing action of the light diffusing layer 6a, the total reflection of the light leached from the transparent electrode layer 3 to the low refractive layer 4 side is reduced. That is, when total reflection occurs at the interface between the transparent electrode layer 3 and the leaching light diffusing layer 6a, the light leached into the particle-containing leaching light diffusion layer 6a during total reflection is the particle-containing leaching light diffusion. Scattered by the particles in the layer 6a and extracted to the particle-containing leaching light diffusion layer 6a side. Thereby, after being reflected directly from the transparent electrode layer, or after being reflected by, for example, an aluminum reflective film of the reflective electrode, the transparent electrode layer 3 oozes out without being totally reflected at the interface on the leaching light diffusing layer 6a side. The amount of light entering 6a increases.

この粒子含有浸み出し光拡散層6aのマトリックスと低屈折率層4とは屈折率が同等であるので、粒子含有浸み出し光拡散層6aと低屈折率層4との界面では全反射が生じにくい。この結果、透明電極層3から粒子含有浸み出し光拡散層6aに進入し、粒子含有浸み出し光拡散層6aと低屈折率層4との界面に達した光は、ほとんどがそのまま低屈折率層4に進入する。このようにして、エレクトロルミネッセンス素子からの光取り出し効率が向上する。   Since the matrix of the particle-containing exuded light diffusing layer 6 a and the low refractive index layer 4 have the same refractive index, total reflection occurs at the interface between the particle-containing exuded light diffusing layer 6 a and the low refractive index layer 4. Hard to occur. As a result, most of the light entering the particle-containing exuded light diffusing layer 6a from the transparent electrode layer 3 and reaching the interface between the particle-containing exuding light diffusing layer 6a and the low refractive index layer 4 remains as it is. Enter the rate layer 4. In this way, the light extraction efficiency from the electroluminescence element is improved.

このような浸み出し光拡散層あるいは透明電極層を導波路とする導波光を拡散させる層を設けたエレクトロルミネッセンス素子としては、特許文献1の他にも次のようなものが提案されている。
(1) 透明電極層の透明基板側の表面を光散乱性の凹凸面としたもの(特許文献2)。
(2) 透明電極層の透明基板側の表面に透明電極層と同等の屈折率を有する高屈折率層を設け、この高屈折率層の透明基板側の表面を光散乱性の凹凸面としたもの(特許文献2)。
(3) 透明電極層にエレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を含有させたもの(特許文献3)。
(4) 透明電極層と透明基板との間に、マトリックス中にエレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を分散させた粒子含有層を設けたもの(このマトリックスの屈折率は透明電極層の屈折率と同等である。)(特許文献3)。
(5) 透明電極層と透明基板との間に、エレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を含有する低屈折率層を設け、低屈折率層と透明電極層との間に、低屈折率層内の物質が透明電極層側へ拡散することを防止するバリア層を設けたもの(特許文献4)。
(6) 透明電極層と透明基板との間に、低屈折率層を設け、透明電極層と低屈折率層との間に、マトリックス中にエレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を分散させた粒子含有層を設け(このマトリックスの屈折率は低屈折率層の屈折率と同等である。)、粒子含有層と透明電極層との間に、粒子含有層内の物質が透明電極層側へ拡散することを防止するためのバリア層を設けたもの(特許文献4)。
特開2004−296437号公報 特開2004−296438号公報 特開2004−303724号公報 特開2004−319331号公報
In addition to Patent Document 1, the following is proposed as an electroluminescent element provided with a layer for diffusing guided light using such a permeation light diffusion layer or a transparent electrode layer as a waveguide. .
(1) The surface on the transparent substrate side of the transparent electrode layer is a light scattering uneven surface (Patent Document 2).
(2) A high refractive index layer having a refractive index equivalent to that of the transparent electrode layer is provided on the surface of the transparent electrode layer on the transparent substrate side, and the surface on the transparent substrate side of the high refractive index layer is a light scattering uneven surface. Thing (patent document 2).
(3) A transparent electrode layer containing particles that scatter light from the electroluminescence layer (Patent Document 3).
(4) A particle-containing layer in which particles that scatter light from the electroluminescent layer are dispersed in the matrix between the transparent electrode layer and the transparent substrate (the refractive index of this matrix is the refractive index of the transparent electrode layer) (Patent Document 3).
(5) A low refractive index layer containing particles that scatter light from the electroluminescent layer is provided between the transparent electrode layer and the transparent substrate, and a low refractive index is provided between the low refractive index layer and the transparent electrode layer. What provided the barrier layer which prevents the substance in a layer from diffusing to the transparent electrode layer side (patent document 4).
(6) A low refractive index layer is provided between the transparent electrode layer and the transparent substrate, and particles that scatter light from the electroluminescence layer are dispersed in the matrix between the transparent electrode layer and the low refractive index layer. (The refractive index of this matrix is the same as the refractive index of the low refractive index layer.) Between the particle-containing layer and the transparent electrode layer, the substance in the particle-containing layer is on the transparent electrode layer side. Provided with a barrier layer for preventing diffusion into the surface (Patent Document 4).
JP 2004-296437 A JP 2004-296438 A JP 2004-303724 A JP 2004-319331 A

しかしながら、浸み出し光拡散層を設けた先願のエレクトロルミネッセンス素子、或いはダークスポットや輝度ムラを紛わせる拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子、或いはマイクロレンズやグレーティング、フォトニクス結晶など可視光線を拡散、散乱、屈折させるサイズの凹凸形状を有する光学界面を設けたエレクトロルミネッセンス素子では、次の理由により、画素滲みの問題が起こる(以下、上記の例示した層をまとめて拡散層と記載する)。   However, it diffuses visible light such as the electroluminescent element of the prior application with a leaching light diffusing layer, or the diffusing layer that disperses dark spots and luminance unevenness, or microlenses, gratings, photonic crystals, etc. In an electroluminescent element provided with an optical interface having a concavo-convex shape of a size that scatters and refracts, a problem of pixel bleeding occurs for the following reason (hereinafter, the above exemplified layers are collectively referred to as a diffusion layer).

以下に、このような拡散層を設けた従来のエレクトロルミネッセンス素子の画素滲み発生メカニズムについて、図8を参照して説明する。   Hereinafter, a pixel bleeding generation mechanism of a conventional electroluminescence element provided with such a diffusion layer will be described with reference to FIG.

図8(a)〜(c)は、ボトムエミッション型の有機EL素子を示す。有機EL素子では、EL発光層で発光した光が直接もしくは反射陰極で反射された後、視認側へ向かうが、この際、拡散層を設けた有機EL素子では、次のような光の散乱が起きる。   8A to 8C show bottom emission type organic EL elements. In the organic EL element, the light emitted from the EL light emitting layer is reflected directly or after being reflected by the reflective cathode, and then travels toward the viewing side. At this time, in the organic EL element provided with the diffusion layer, the following light scattering occurs. Get up.

(1)メカニズム1
図8(a)に示す如く、透明基板と空気との界面で全反射された光(図8(a)中A)は一度拡散層まで戻り、そこで一部の光線が拡散され、ある光線はそのまま眼に入ってくる角度で出射される。つまりEL層のある一箇所の位置(一画素:図8(a)中※1の位置)が発光したにもかかわらず2箇所以上(例えば図8(a)中※1と※2)の位置で発光したのと同じように視認される。
これが画素滲みの原因の一つである。
(1) Mechanism 1
As shown in FIG. 8A, the light totally reflected at the interface between the transparent substrate and air (A in FIG. 8A) once returns to the diffusion layer, where some light rays are diffused, It is emitted at an angle as it enters the eye. That is, two or more positions (for example, * 1 and * 2 in FIG. 8A), even though one EL position (one pixel: the position indicated by * 1 in FIG. 8A) emits light. Visible in the same way as when emitting light.
This is one of the causes of pixel bleeding.

(2)メカニズム2
図8(a)に示す如く、透明基板から空気へと出射する光線において部分反射された光(図8(a)中B)は一度拡散層まで戻り、そこで一部の光線が拡散され、ある光線はそのまま眼に入ってくる角度で出射される。つまりEL層のある一箇所の位置(一画素:図8(a)中※1の位置)が発光したにもかかわらず2箇所以上の位置(例えば、図8(a)中※1と※3)で発光したのと同じように視認される。
これが画素滲みの原因の一つである。ただし、メカニズム1に比較すると、通常透明基板と空気との界面で反射する割合が小さいので、画素滲みに寄与する割合は小さい。
(2) Mechanism 2
As shown in FIG. 8A, the partially reflected light (B in FIG. 8A) in the light emitted from the transparent substrate to the air once returns to the diffusion layer, where some of the light is diffused. The light beam is emitted at an angle as it enters the eye. That is, two or more positions (for example, * 1 and * 3 in FIG. 8A) are emitted even though one EL position (one pixel: the position indicated by * 1 in FIG. 8A) emits light. ).
This is one of the causes of pixel bleeding. However, as compared with the mechanism 1, since the ratio of reflection at the interface between the transparent substrate and air is usually small, the ratio contributing to pixel bleeding is small.

(3)メカニズム3
図8(b)に示す如く、拡散層が反射陰極から画素サイズに対して十分に離れている場合は、拡散層で拡散された光の一部が直接、又はさらに反射陰極で反射された後出射され、眼に入ってくる(図8(b)中、B,C)。すなわち※1の一箇所の位置(画素)が発光したにも関わらず、複数の位置が発光(例えば、図8(b)の※1に加えて※2、※3)が発光したのと同じように見えるため滲んで視認される。これも画素滲みの原因となる。
(3) Mechanism 3
As shown in FIG. 8B, when the diffusion layer is sufficiently separated from the reflective cathode with respect to the pixel size, a part of the light diffused by the diffusion layer is directly reflected or further reflected by the reflective cathode. It is emitted and enters the eye (B, C in FIG. 8B). That is, * 1 is the same as emitting light (eg, * 2, * 3 in addition to * 1 in Fig. 8 (b)) even though one position (pixel) emitted light. It looks like it looks blurred. This also causes pixel bleeding.

(4)メカニズム4
図8(c)に示す如く、拡散層の厚さが画素サイズに対して十分に厚い場合には、拡散層で拡散された光の一部が直接、または拡散層内で面方向へ伝播後、もしくはさらに反射陰極で反射された後出射され、眼に入ってくる(図8(c)中、B,C,D)。すなわち図8(c)の※1の一箇所の位置(画素)が発光したにも関わらず、複数の位置が発光(例えば、図8(c)の※1に加えて※2、※3、※4)が発光したのと同じように見えるため滲んで視認される。これも画素滲みの原因となる。
(4) Mechanism 4
As shown in FIG. 8C, when the thickness of the diffusion layer is sufficiently thick with respect to the pixel size, a part of the light diffused in the diffusion layer is propagated directly or in the plane direction in the diffusion layer. Or, after being reflected by the reflecting cathode, it is emitted and enters the eye (B, C, D in FIG. 8C). That is, although one position (pixel) at * 1 in FIG. 8C emits light, a plurality of positions emit light (for example, * 2, * 3 in addition to * 1 in FIG. 8C). * 4) It looks the same as when it emits light, so it is visible. This also causes pixel bleeding.

従って、本発明は、光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子における画素滲みを解消し、解像度が高く視認性に優れた、あるいは透明感が高くくっきり感のあるエレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an electroluminescence element that eliminates pixel bleeding in an electroluminescence element provided with a light diffusion layer, has high resolution and excellent visibility, or has a high transparency and a clear feeling. To do.

本発明の要旨は、エレクトロルミネッセンス層、透明電極層、及び透明基板がこの順に配置されてなるエレクトロルミネッセンス素子において、該透明電極層と透明基板との間に光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子であって、下記(2)の条件を満たし、かつ、最表層として、反射防止フィルム、及び偏光フィルムよりなる群から選ばれる少なくとも種を含む画素滲み防止層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子に存する。
2)エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズ以下である
This onset Ming gist, the electroluminescent layer, a transparent electrode layer, and the electroluminescent device transparent substrate, which are disposed in this order, electroluminescent device having an optical diffusion layer between the transparent electrode layer and the transparent substrate a is, satisfies the following conditions (2), and, as the outermost layer, characterized by having a pixel bleeding prevention layer comprises at least one selected from the antireflection film, and a polarization-fill beam by Li Cheng group It exists in an electroluminescence element.
( 2) A reflective electrode layer is provided on the surface of the electroluminescent layer opposite to the transparent electrode layer, and the distance between the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer and the reflective electrode layer is equal to or smaller than the pixel size. There is .

なお、本発明において、エレクトロルミネッセンス素子の「最表層」とは、透明基板に対して、高度な密着性をもって形成された層のうちの最表層を指し、通常、素子の保護のために用いられるハードコートフィルム、保護フィルム等の光の偏光や位相変調、可視波長の吸収、表面反射の制御等に関与しない、単なる保護カバーは排除される。   In the present invention, the “outermost layer” of the electroluminescent element refers to the outermost layer of the layers formed with high adhesion to the transparent substrate, and is usually used for protecting the element. Simple protective covers that are not involved in light polarization and phase modulation, visible wavelength absorption, surface reflection control, etc., such as hard coat films and protective films are eliminated.

従って、本発明のエレクトロルミネッセンス素子にあっては、最表層の画素滲み防止層上に更に保護カバーを設けることができる。   Therefore, in the electroluminescent element of the present invention, a protective cover can be further provided on the outermost pixel blur preventing layer.

また、本発明において、「反射電極層」とは、光の反射と電極としての機能を担う単一の層に限らず、反射層と電極としての導電層とが積層されたものであっても良い。   Further, in the present invention, the “reflecting electrode layer” is not limited to a single layer that functions as light reflection and an electrode, and may be a layer in which a reflection layer and a conductive layer as an electrode are laminated. good.

請求項2のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項1において、前記画素滲み防止層は、偏光フィルムと、更に位相差フィルムを有することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided the electroluminescence device according to the first aspect, wherein the pixel blur preventing layer includes a polarizing film and a retardation film .

請求項3のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項2において、偏光フィルムの視認側(出射側の面)に位相差フィルムが設けられていること、即ち、最表面(上述の如く、保護カバーを除く)に位相差フィルムが配置されていることを特徴とする。   The electroluminescent device according to claim 3 is the electroluminescent device according to claim 2, wherein the polarizing film is provided with a retardation film on the viewing side (surface on the exit side), that is, the outermost surface (excluding the protective cover as described above). A retardation film is disposed on the substrate.

請求項4のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項1ないし3のいずれか1項において、下記(2)の条件を満たすことを特徴とする
2)エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの1/2以下である
According to a fourth aspect of the present invention, in the electroluminescent device according to any one of the first to third aspects, the following condition (2) is satisfied .
( 2) A reflective electrode layer is provided on the surface of the electroluminescent layer opposite to the transparent electrode layer, and the distance between the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer and the reflective electrode layer is 1 pixel size. / 2 or less .

請求項5のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項4において、下記(2)の条件を満たすことを特徴とする
2)エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの1/10以下である
The electroluminescent device according to claim 5 is characterized in that in claim 4, the following condition (2) is satisfied .
( 2) A reflective electrode layer is provided on the surface of the electroluminescent layer opposite to the transparent electrode layer, and the distance between the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer and the reflective electrode layer is 1 pixel size. / 10 or less .

請求項6のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項1ないし5のいずれか1項において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とする。   The electroluminescent element according to claim 6 is characterized in that, in any one of claims 1 to 5, the light diffusion layer is a layer having a function of diffusing light guided using a transparent electrode as a waveguide. To do.

請求項7のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項6において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光の中で特に透明電極からの浸み出し光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とする。   The electroluminescent device according to claim 7 is the electroluminescent device according to claim 6, wherein the light diffusion layer is a layer having a function of diffusing the light leached out from the transparent electrode among the light guided using the transparent electrode as a waveguide. It is characterized by being.

請求項8のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項1ないし7のいずれか1項において、前記光拡散層が、低屈折率材料からなるマトリックス中に光を拡散させる粒子を含有させた層であることを特徴とする。   The electroluminescent device according to claim 8 is the electroluminescent device according to any one of claims 1 to 7, wherein the light diffusion layer is a layer containing particles that diffuse light in a matrix made of a low refractive index material. Features.

請求項9のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項8において、該光拡散層と前記透明基板との間に低屈折率層が設けられており、該光拡散層のマトリックスの屈折率は、該低屈折率層の屈折率と同等であって、前記透明電極層の屈折率より低い屈折率を有することを特徴とする。   The electroluminescent device according to claim 9 is the electroluminescent device according to claim 8, wherein a low refractive index layer is provided between the light diffusion layer and the transparent substrate, and the refractive index of the matrix of the light diffusion layer is the low refractive index. The refractive index is equivalent to the refractive index of the refractive index layer and lower than the refractive index of the transparent electrode layer.

なお、以下において、
エレクトロルミネッセンス素子が、複数の光拡散層を有する場合の複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離、
エレクトロルミネッセンス素子がエレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有する場合の反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離、
或いは、
エレクトロルミネッセンス素子が反射電極層を有さず、1層の光拡散層が設けられている場合の光拡散層の厚さ
を、「光拡散距離」と称す場合がある。
In the following,
When the electroluminescence element has a plurality of light diffusion layers, a distance between the most distant surfaces of the plurality of light diffusion layers,
The distance between the reflective electrode layer and the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer when the electroluminescent element has the reflective electrode layer on the surface opposite to the transparent electrode layer of the electroluminescent layer;
Or
The thickness of the light diffusion layer in the case where the electroluminescence element does not have the reflective electrode layer and one light diffusion layer is provided may be referred to as “light diffusion distance”.

本発明よれば、特定の構成の画素滲み防止層を設けることにより、光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子における画素滲みを解消し、視認性に優れたエレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。このため、このエレクトロルミネッセンス素子を用いて、画素間で滲みのない視認性に優れたディスプレーを実現することができる。また、エレクトロルミネッセンス照明用途においても発光際部分に滲みが無く、透明感、くっきり感のあるエレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the pixel bleeding in the electroluminescent element which provided the light-diffusion layer can be eliminated by providing the pixel bleeding prevention layer of a specific structure, and the electroluminescent element excellent in visibility can be provided. For this reason, using this electroluminescence element, it is possible to realize a display having no visibility between pixels and having excellent visibility. In addition, even in electroluminescence lighting applications, it is possible to provide an electroluminescence element that has no blur at the light emission portion and has a transparent feeling and a clear feeling.

以下に本発明のエレクトロルミネッセンス素子の実施の形態を詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the electroluminescence element of the present invention will be described in detail.

[光拡散層]
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子の最表層として、画素滲み防止層を設けたものであり、この光拡散層による前述の光拡散距離が前記(1)〜(3)の条件を満たすものであれば、当該エレクトロルミネッセンス素子に設けられている光拡散層の構成には特に制限はなく、前述の特許文献1〜4に記載されるような、粒子による光の拡散を利用した光拡散層や粗面による光の拡散を利用した光拡散層、その他、気泡を分散させ、気泡による拡散を利用した光拡散層や、プリズム面、半球状面など、光の取り出し率向上、ダークスポットの隠蔽、発光の見掛け均一化、視野角の制御等の目的で設けられた、光を拡散、散乱させる機能を持つ層の全てが含まれる。
[Light diffusion layer]
The electroluminescence element of the present invention is provided with a pixel bleeding prevention layer as the outermost layer of the electroluminescence element provided with the light diffusion layer, and the above-mentioned light diffusion distance by the light diffusion layer is the above (1) to ( As long as the condition of 3) is satisfied, there is no particular limitation on the configuration of the light diffusion layer provided in the electroluminescence element, and as described in Patent Documents 1 to 4 above, Light extraction layer using diffusion, light diffusion layer using diffusion of light by rough surface, other light diffusion layer using dispersion by bubbles and diffusion by bubbles, prism surface, hemispherical surface, etc. All of the layers having the function of diffusing and scattering light provided for the purpose of improving the rate, concealing dark spots, uniforming the appearance of light emission, and controlling the viewing angle are included.

[光拡散距離]
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、上述のような光拡散層を有するエレクトロルミネッセンス素子であって、下記(1)〜(3)のいずれかの条件を満たすエレクトロルミネッセンス素子に適用される。
(1)複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズ以下、好ましくは1/2以下、より好ましくは1/10以下である。例えば図4(a)のように複数の光拡散層6A,6Bのうちの、光拡散層6Aの発光光線出射側の面と光拡散層6Bの発光光線入射側の面との距離Lに相当する。
(2)エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズ以下、好ましくは1/2以下、より好ましくは1/10以下である。この場合、光拡散距離とは、図4(b)のように光拡散層6Aの発光光線出射側の面と反射電極層1の発光光線入射側の面との距離Lに相当する。
(3)反射電極層がなく、1層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズ以下、好ましくは1/2以下、より好ましくは1/10以下である。この場合、光拡散距離とは、図4(c)のように光拡散層6の厚さLに相当する。
[Light diffusion distance]
The electroluminescent element of the present invention is an electroluminescent element having the light diffusion layer as described above, and is applied to an electroluminescent element that satisfies any of the following conditions (1) to (3).
(1) It has a plurality of light diffusion layers, and the distance between the most distant surfaces of the plurality of light diffusion layers is the pixel size or less, preferably 1/2 or less, more preferably 1/10 or less. For example, a plurality of light diffusion layers 6A as shown in FIG. 4 (a), the out of 6B, a distance L 1 between the light-emitting light emitting side of the surface emitting the light incident side surface of the light diffusion layer 6B of the light diffusion layer 6A Equivalent to.
(2) having a reflective electrode layer on the surface of the electroluminescent layer opposite to the transparent electrode layer, and the distance between the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer and the reflective electrode layer is less than or equal to the pixel size; Preferably it is 1/2 or less, more preferably 1/10 or less. In this case, the light diffusion distance corresponds to the distance L 2 between the light-emitting light emitting side of the surface light-emitting the light incident side of the reflective electrode layer 1 of the light diffusion layer 6A, as in Figure 4 (b).
(3) There is no reflective electrode layer, and one light diffusion layer is provided, and the thickness of the light diffusion layer is not more than the pixel size, preferably not more than 1/2, more preferably not more than 1/10. In this case, the light diffusion distance corresponds to the thickness L 3 of the light diffusing layer 6 as shown in FIG. 4 (c).

光拡散距離が画像サイズより大きいエレクトロルミネッセンス素子では、後述の比較例の結果からも明らかなように本発明に係る画素滲み防止層による画素滲み防止効果を得ることはできない。   In an electroluminescence element having a light diffusion distance larger than the image size, it is not possible to obtain a pixel blur preventing effect by the pixel blur preventing layer according to the present invention, as is apparent from the result of a comparative example described later.

なお、エレクトロルミネッセンス照明に用いる場合、この光拡散距離は発光際部のくっきり感や滲み、あるいは照明光の透明感の点で1mm以下、特に0.5mm以下であることが好ましい。光拡散距離は薄い程好ましいが、通常発光際部のくっきり感や滲み、照明光の透明感の点から10μm程度である。   When used for electroluminescence illumination, the light diffusion distance is preferably 1 mm or less, particularly 0.5 mm or less in terms of sharpness and bleeding at the light emission portion or transparency of illumination light. Although the light diffusion distance is preferably as thin as possible, it is usually about 10 μm from the viewpoint of clearness and bleeding at the time of light emission and transparency of illumination light.

[画素滲み防止層]
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、上述のような構成のエレクトロルミネッセンス素子の最表層に反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム及び色素フィルターよりなる群から選ばれる1種又は2種以上を含む画素滲み防止層、好ましくは、下記構成の画素滲み防止層を有する。
(i)偏光フィルムと位相差フィルムとからなる円偏光フィルム。特に、位相差フィルムが発光光線出射側に対して最表面となるように設ける。
(ii)反射防止フィルムを発光光線出射側に対して最表面となるように設ける。
(iii)偏光フィルムもしくは吸収フィルターを単独で発光光線出射側に対して最表面となるように設ける。
[Pixel bleeding prevention layer]
The electroluminescent device of the present invention has a pixel bleeding including one or more selected from the group consisting of an antireflection film, a polarizing film, a retardation film and a dye filter on the outermost layer of the electroluminescent device having the above-described configuration. It has a prevention layer, preferably a pixel bleeding prevention layer having the following constitution.
(I) A circularly polarizing film comprising a polarizing film and a retardation film. In particular, the retardation film is provided so as to be the outermost surface with respect to the emission light emission side.
(Ii) An antireflection film is provided so as to be the outermost surface with respect to the emission light emitting side.
(Iii) A polarizing film or an absorption filter is provided alone so as to be the outermost surface with respect to the emission light emission side.

以下に、各画素滲み防止層について、図面を参照してその画素滲み防止機構を説明する。
なお画素滲み防止層は、シースルーディスプレイのように光取り出し面(視認する面)が両側になる場合、片面の表面に設けるだけでも効果はあるが、両側の表面に設けることがより好ましい。
Hereinafter, the pixel blur preventing mechanism will be described for each pixel blur preventing layer with reference to the drawings.
Note that when the light extraction surface (viewing surface) is on both sides as in a see-through display, the pixel bleeding prevention layer is effective only by providing it on one surface, but it is more preferable to provide it on both surfaces.

(i)偏光フィルムと位相差フィルム(1/4波長フィルム)とからなる円偏光フィルム(偏光フィルムは、視認側、発光層側どちらに配置されても良いが。色滲み防止効果の点で発光層側にある方がより好ましい)を設けた場合の画素滲み防止機構を、図1を参照して説明する。   (I) A circularly polarizing film comprising a polarizing film and a retardation film (¼ wavelength film) (the polarizing film may be arranged on either the viewing side or the light emitting layer side. A pixel bleeding prevention mechanism in the case where a layer on the layer side is more preferable will be described with reference to FIG.

円偏光フィルムを設けない場合の全反射(図1中、A)あるいは透過光の反射ロス光(図1中、B)の発生する界面は、円偏光フィルムを設けることによって、透明基板〜空気界面より偏光フィルム〜空気界面へ移動する。   The interface where total reflection (A in FIG. 1) or reflection loss light of transmitted light (B in FIG. 1) occurs when the circular polarizing film is not provided is the transparent substrate-air interface by providing the circular polarizing film. It moves from the polarizing film to the air interface.

1/4波長フィルムはどちらから入射した光でも時計回りに偏光の向きを45度回す機能を持つ。従って偏光フィルムを1回通過した後に、1/4波長フィルムを2度通過すると偏光は90度回る。さらに反射陰極で反射あるいは拡散層で拡散された後、最初に通過した偏光子を再度通過する場合、90度回っているので、ほぼ全光量が遮断される。従って、図1の右側に示す通り、全反射光(図1中、C)及び反射ロス光(図1中、D)は、空気との界面での反射の際、偏光フィルム続いて位相差フィルムを通過し、さらに拡散層で拡散された後、視認側に戻ってくる際、さらに位相差フィルムを透過後、偏光フィルムに進入しこの際ほぼ全光量が吸収され、画素滲みが防止される。   The quarter-wave film has a function of rotating the direction of polarization clockwise by 45 degrees regardless of the light incident from either side. Therefore, after passing through the polarizing film once and passing through the quarter-wave film twice, the polarization turns 90 degrees. Further, when the light passes through the polarizer that has been first reflected after being reflected by the reflective cathode or diffused by the diffusion layer, since it is rotated 90 degrees, almost all light is blocked. Therefore, as shown on the right side of FIG. 1, the total reflected light (C in FIG. 1) and the reflected loss light (D in FIG. 1) are reflected at the interface with air when the polarizing film is followed by the retardation film. When the light passes through, is further diffused by the diffusion layer, and returns to the viewing side, the light further passes through the retardation film and enters the polarizing film. In this case, almost all light is absorbed and pixel blurring is prevented.

なお、偏光フィルムと位相差フィルムの積層順については、偏光フィルムが発光層側(出射側の面の反対側)にある方が好ましい。
その理由は、発光層側にあれば最初の空気界面との全反射もしくは透過光の部分反射の際に、偏光フィルム→位相差フィルム2回→偏光フィルムと透過するため、2度目の偏光フィルム透過の際にほぼ全量が吸収されるためである。この順番が逆になると、上記全反射もしくは部分反射後一度拡散層もしくは反射陰極まで戻ってから位相差フィルム、偏光フィルムと透過する際に吸収されるため、偏光フィルムによる吸収が不十分であったり、透明基板や発光層中で偏光状態が複屈折等により変化してしまう場合には、画素滲み防止効果が減少する。
In addition, about the lamination | stacking order of a polarizing film and retardation film, it is more preferable that a polarizing film exists in the light emitting layer side (opposite side of the surface of an output side).
The reason for this is that if it is on the light emitting layer side, it is transmitted through the polarizing film → the retardation film twice → the polarizing film at the time of total reflection from the first air interface or partial reflection of transmitted light. This is because almost the entire amount is absorbed. If this order is reversed, it will be absorbed when transmitted through the retardation film or polarizing film after returning to the diffusion layer or reflecting cathode once after the total reflection or partial reflection. When the polarization state changes due to birefringence or the like in the transparent substrate or the light emitting layer, the pixel blurring prevention effect is reduced.

(ii)反射防止フィルム(ARフィルム)を設けた場合の画素滲み防止機構を、図2を参照して説明する。   (Ii) A pixel bleeding prevention mechanism when an antireflection film (AR film) is provided will be described with reference to FIG.

反射防止フィルムを設けない場合の全反射光(図2中、A)、透過光の部分反射光(反射ロス光。図2中、B)の発生する界面は、反射防止フィルムを設けることによって、透明基板〜空気よりARフィルム〜空気へ移動する。   When the antireflection film is not provided, the total reflection light (A in FIG. 2), the partially reflected light of the transmitted light (reflection loss light; B in FIG. 2) is generated by providing the antireflection film. Move from transparent substrate to air to AR film to air.

図2の右側に示す通り、基板内導波光(全反射光)は抑制できないが(効果が無い。図2中、C)、基板内部分反射光は抑制できる(図2中、D)。この結果、このロス光による画素滲みは防止できる。   As shown on the right side of FIG. 2, guided light in the substrate (total reflection light) cannot be suppressed (ineffective, C in FIG. 2), but partially reflected light in the substrate can be suppressed (D in FIG. 2). As a result, pixel blurring due to this loss light can be prevented.

(iii)偏光フィルム、もしくは吸収フィルター(可視域で光線を吸収するもの)を設けた場合の画素滲み防止機構を、図3を参照して説明する。   (Iii) A pixel blur prevention mechanism when a polarizing film or an absorption filter (which absorbs light in the visible range) is provided will be described with reference to FIG.

偏光フィルム又は吸収フィルターを設けない場合の全反射光(図3中、A)、透過光の部分反射光(反射ロス光。図3中、B)の発生する界面は、偏光フィルム又は吸収フィルターを設けることによって、基板〜空気より偏光フィルム〜空気へ移動する。   When the polarizing film or the absorption filter is not provided, the total reflection light (A in FIG. 3) and the partially reflected light of the transmitted light (reflection loss light; B in FIG. 3) are generated at the interface of the polarizing film or the absorption filter. By providing, it moves from a board | substrate-air to a polarizing film-air.

図3の右側に示す通り、偏光フィルム、吸収フィルター共に可視光線をある割合で吸収するため、全反射光、反射ロス光共に3回以上偏光フィルム、吸収フィルター内を通過することで吸収される(図3中、C,D)。発光層からそのまま視認側に上がってくる光線は1回しか通過しないので吸収される割合が少ない。従って、その差の分画素滲みが少なくなる。   As shown on the right side of FIG. 3, both the polarizing film and the absorption filter absorb visible light at a certain ratio, so that both the total reflection light and the reflection loss light are absorbed by passing through the polarizing film and the absorption filter at least three times ( C, D) in FIG. Since the light rays rising from the light emitting layer to the viewer side pass only once, the ratio of absorption is small. Therefore, pixel blurring is reduced by the difference.

以下、実施例及び比較例について説明する。   Hereinafter, examples and comparative examples will be described.

なお、以下の実施例及び比較例で用いた各フィルムの詳細は次の通りである。
ARフィルム;日本油脂社製「8201UV」を使用した。使用の際には剥離紙を剥がし粘着剤層を介して貼り付けた。
1/4波長フィルム(位相差フィルム);ポリカーボネートの延伸フィルム(厚さ200nm、位相差140±20nm)を使用した。使用の際には粘着剤層を介して貼り付けた。
偏光フィルム;ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素をドープした後延伸しさらにトリアセチルセルロースフィルムで挟んだもの(厚さ200μ、コントラスト200、偏光透過率44%)を使用した。使用の際には、粘着剤層を介して貼りつけた。
The details of each film used in the following Examples and Comparative Examples are as follows.
AR film: “8201UV” manufactured by NOF Corporation was used. In use, the release paper was peeled off and attached via an adhesive layer.
1/4 wavelength film (retardation film); stretched polycarbonate film (thickness 200 nm, retardation 140 ± 20 nm) was used. At the time of use, it stuck through the adhesive layer.
Polarizing film: A polyvinyl alcohol film doped with iodine and then stretched and sandwiched between triacetyl cellulose films (thickness 200 μ, contrast 200, polarization transmittance 44%) was used. In use, it was pasted through an adhesive layer.

また、画素滲みは、デジタルカメラの撮像から目視により調べ、下記基準で評価した。
○:フィルムが無い場合に発生した画素滲みが消失した。
△:フィルムが無い場合に比べて画素滲みが少なくなった。
×:フィルムが無い場合に対して殆ど変化がない。
In addition, pixel bleeding was examined visually from the image of the digital camera and evaluated according to the following criteria.
○: Pixel blur that occurred when no film was present disappeared.
(Triangle | delta): Pixel blurring decreased compared with the case where there is no film.
X: Almost no change with respect to the case where there is no film.

各例において、屈折率測定は、原則0542に基づきソプラ社のエリプソメーターで実施したが、メソ(ナノ)ポーラス材料あるいは粒子分散材料のマトリクス部分の屈折率はエリプソメーターでは測定が難しい場合、米国メトリコン社のプリズムカプラー・モデル2010を用いて波長633nmのレーザーにより25℃で屈折率測定を実施した。   In each example, the refractive index measurement was performed with a sopra ellipsometer based on 0542 in principle. If the refractive index of the matrix portion of a meso (nano) porous material or particle dispersion material is difficult to measure with an ellipsometer, Refractive index measurements were performed at 25 ° C. with a 633 nm wavelength laser using a company's Prism Coupler Model 2010.

膜厚については蒸着膜やスパッタ膜の膜厚は、検量線からの時間管理もしくは水晶発振式膜厚計により確認した。   Regarding the film thickness, the film thickness of the deposited film or the sputtered film was confirmed by time management from a calibration curve or by a crystal oscillation type film thickness meter.

塗布膜の膜厚は、光干渉式膜厚計もしくは膜に傷をつけて段差測定することにより測定した。ガラス基板等の厚い基材についてはマイクロノギス等により測定した。   The film thickness of the coating film was measured by measuring the level difference by scratching the optical interference film thickness meter or the film. Thick substrates such as glass substrates were measured with a micro caliper or the like.

また平均粒子径についてはFIB−SEM法により測定した。   The average particle size was measured by the FIB-SEM method.

また、作成したエレクトロルミネッセンス素子を発光させる際は発光輝度300cd/mに統一して発光状態を比較し、画素サイズは0.4mm(400μm)角とした。 In addition, when the produced electroluminescent element was caused to emit light, the light emission state was compared with the light emission luminance of 300 cd / m 2 , and the pixel size was set to 0.4 mm (400 μm) square.

[光拡散距離≦画素サイズの場合]
(実施例1〜4,比較例1,2)
旭硝子(株)製無アルカリガラスAN100よりなる厚さ0.7mm、75mm角のガラス基板の表面を0.1N硝酸に1時間程浸漬して脱脂処理した後、純水で洗浄し、60℃オーブン中で乾燥した。
[When light diffusion distance ≤ pixel size]
Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2
The surface of a 0.7 mm thick, 75 mm square glass substrate made of non-alkali glass AN100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. is degreased by immersing it in 0.1 N nitric acid for about 1 hour, washed with pure water, and then heated in a 60 ° C. oven. Dried in.

一方、三菱化学(株)製MS51(テトラメトキシシランのオリゴマー)30重量%、ブチルアルコール50重量%、脱塩水8重量%、及びメタノール12重量%の液に、酸触媒(アルミアセチルアセトナート)を少量加えた。この混合液を60℃で3時間攪拌し1週間放置して熟成した。   On the other hand, an acid catalyst (aluminum acetylacetonate) is added to a solution of 30% by weight of MS51 (tetramethoxysilane oligomer) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 50% by weight of butyl alcohol, 8% by weight of demineralized water, and 12% by weight of methanol. A small amount was added. The mixture was stirred at 60 ° C. for 3 hours and left to mature for 1 week.

これを上述のガラス基板上にスピンコーターで塗布し、15分乾燥後、メタノール中に5分浸漬、引き上げて5分乾燥後、150℃オーブン中で15分加熱して低屈折率層を形成した。得られた低屈折率層の厚さは300nmであった。ソプラ社のエリプソメーターでこの低屈折率層のマトリクス部分の屈折率を測定したところ、波長550nmにおいて1.36であった。また米国メトリコン社のプリズムカプラーモデル2010を用いて波長633nmのレーザーで屈折率を測定したところ、屈折率は1.33であった。   This was coated on the above glass substrate with a spin coater, dried for 15 minutes, dipped in methanol for 5 minutes, pulled up, dried for 5 minutes, and then heated in an oven at 150 ° C. for 15 minutes to form a low refractive index layer. . The thickness of the obtained low refractive index layer was 300 nm. When the refractive index of the matrix portion of the low refractive index layer was measured with an sopra ellipsometer, it was 1.36 at a wavelength of 550 nm. Further, when the refractive index was measured with a laser having a wavelength of 633 nm using a prism coupler model 2010 manufactured by Metricon Corporation, the refractive index was 1.33.

次に、三菱化学(株)製MS51(テトラメトキシシランのオリゴマー)30重量%、ブチルアルコール50重量%、脱塩水8重量%、及びメタノール12重量%の液に、酸触媒(アルミアセチルアセトナート)を少量加え、さらにブチルアルコール中に平均粒径200nmのチタニア粒子(60%重量粒子径は150〜250nm)を出来上がった粒子含有浸み出し光拡散層中の重量百分率で15重量%となるように予め分散させた。この混合液を60℃で3時間攪拌し1週間放置して熟成した。粒子含有層中の重量百分率は前述の膜中の粒度分布を求めるのと同様の方法で実施した。マトリクスが多孔体である場合の密度はX線反射率を求めることまたは屈折率を求めることから実施した。   Next, an acid catalyst (aluminum acetylacetonate) was added to a solution of 30% by weight of MS51 (tetramethoxysilane oligomer) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 50% by weight of butyl alcohol, 8% by weight of demineralized water, and 12% by weight of methanol. In addition, titania particles having an average particle diameter of 200 nm (60% weight particle diameter is 150 to 250 nm) in butyl alcohol are made 15% by weight as a percentage by weight in the resulting particle-containing leachable light diffusion layer. Dispersed in advance. The mixture was stirred at 60 ° C. for 3 hours and left to mature for 1 week. The weight percentage in the particle-containing layer was measured in the same manner as that for obtaining the particle size distribution in the film. The density in the case where the matrix is a porous body was determined by obtaining the X-ray reflectance or obtaining the refractive index.

この塗布液を上述のガラス基板上の低屈折率層の上にディップコーターで塗布、15分乾燥後メタノール中に5分浸漬、引き上げて5分乾燥後、150℃オーブン中で15分加熱して浸み出し光拡散層を得た。なおディップコート時には裏面に保護フィルムを貼り、塗布後に剥離して、片側にのみ塗膜が形成されるようにした。   This coating solution is applied on the low refractive index layer on the above glass substrate with a dip coater, dried for 15 minutes, immersed in methanol for 5 minutes, pulled up, dried for 5 minutes, and then heated in a 150 ° C. oven for 15 minutes. A leaching light diffusion layer was obtained. At the time of dip coating, a protective film was applied to the back surface and peeled off after coating, so that a coating film was formed only on one side.

得られた散乱粒子含有浸み出し光拡散層は厚さが600nm、散乱粒子がほぼ3段分に重なった構造が観察された。   The obtained scattering particle-containing exuded light diffusion layer had a thickness of 600 nm and a structure in which scattering particles were overlapped in almost three steps.

ソプラ社のエリプソメーターで浸み出し光拡散層のマトリクス部分の屈折率を測定したところ、波長550nmにおいて1.40であった。また米国メトリコン社のプリズムカプラーモデル2010でも屈折率測定を実施したところ、波長633nmのレーザーで屈折率は1.38であった。   The refractive index of the matrix portion of the light diffusing layer which was soaked with a sopra ellipsometer was 1.40 at a wavelength of 550 nm. In addition, when the refractive index measurement was carried out using the prism coupler model 2010 manufactured by Metricon Inc. in the United States, the refractive index was 1.38 with a laser having a wavelength of 633 nm.

この散乱粒子含有浸み出し光拡散層の表面粗さをケーエルエー・テンコール社製P−15型を使用して測定した。0.5μスキャンさせて測定したところRa=8nm、Rmax=120nmであった。   The surface roughness of the scattering particle-containing leached light diffusion layer was measured using a P-15 type manufactured by KLA-Tencor. When measured by scanning 0.5 μm, Ra = 8 nm and Rmax = 120 nm.

また散乱粒子含有浸み出し光拡散層の平行光線に対する透過ロス光(散乱ロス光)は、波長550nmで52%であった。測定にはヒューレッドパッカード社の分光光度計を用い、レファレンスとしては塗布膜を形成する前のガラス基板を用いた。   Moreover, the transmission loss light (scattering loss light) with respect to the parallel rays of the scattering particle-containing leaching light diffusion layer was 52% at a wavelength of 550 nm. A spectrophotometer manufactured by Hured Packard was used for the measurement, and a glass substrate before forming the coating film was used as a reference.

この散乱粒子含有浸み出し光拡散層上にITO(インジウムティンオキサイド)を115nm厚で常温スパッタして透明電極層を形成し、さらにCuPC(銅フタロシアニン)層25nm、NPB(ナフチルペンチルベンジジン)層45nm、AlQ(アルミキノリン錯体、緑色発光色素)60nmを蒸着により形成し、最後に蒸着によりアルミニウムの反射電極層を80nm厚さに形成した。ITO層の屈折率を測定したところ2.04(550nm)であった。得られたエレクトロルミネッセンス素子は、ガラス基板/低屈折率層/浸み出し光拡散層/透明電極層(ITO)/エレクトロルミネッセンス層/反射電極層(Al)の積層体であり、光拡散距離は、855nmで画素サイズ400μmよりも小さい。 A transparent electrode layer is formed by sputtering at room temperature with a thickness of 115 nm of ITO (indium tin oxide) on the leaching light diffusion layer containing scattering particles, and further a CuPC (copper phthalocyanine) layer 25 nm, an NPB (naphthylpentylbenzidine) layer 45 nm. AlQ 3 (aluminum quinoline complex, green luminescent dye) 60 nm was formed by vapor deposition, and finally an aluminum reflective electrode layer was formed to a thickness of 80 nm by vapor deposition. The refractive index of the ITO layer was measured and found to be 2.04 (550 nm). The obtained electroluminescence element is a laminate of glass substrate / low refractive index layer / penetrating light diffusion layer / transparent electrode layer (ITO) / electroluminescence layer / reflection electrode layer (Al), and the light diffusion distance is , 855 nm and a pixel size smaller than 400 μm.

このようにして得られたエレクトロルミネッセンス素子のガラス基板上に表1に示すフィルムを設けて、画素滲みを調べ結果を表1に示した。   The film shown in Table 1 was provided on the glass substrate of the electroluminescence element thus obtained, and pixel bleeding was examined, and the results are shown in Table 1.

Figure 0004650025
Figure 0004650025

表1より、本発明によれば、浸み出し光拡散層を有するエレクトロルミネッセンス素子の画素滲みを軽減することができることが分かる。   From Table 1, it can be seen that according to the present invention, it is possible to reduce pixel bleeding of an electroluminescence element having a seepage light diffusion layer.

[光拡散距離>画素サイズの場合]
(比較例3〜8)
実施例1において、浸み出し光拡散層の塗布の際に裏面に保護フィルムを貼らずにディップ塗布を実施した以外は全く同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。得られたエレクトロルミネッセンス素子は、浸み出し光拡散層/ガラス基板/低屈折率層/浸み出し光拡散層/透明電極層(ITO)/エレクトロルミネッセンス層/反射電極層(Al)の積層体である。このエレクトロルミネッセンス素子では、ガラス基板の両側に浸み出し光拡散層が形成されたため、光拡散距離、即ち、浸み出し光拡散層の距離は0.7mm以上であり、画素の大きさより大きいものとなった。
[When light diffusion distance> pixel size]
(Comparative Examples 3 to 8)
In Example 1, an electroluminescent element was produced in exactly the same manner as in Example 1, except that dip coating was performed without applying a protective film on the back surface when the leaching light diffusion layer was applied. The obtained electroluminescence element is a laminate of a leaching light diffusion layer / glass substrate / low refractive index layer / leaching light diffusing layer / transparent electrode layer (ITO) / electroluminescence layer / reflection electrode layer (Al). It is. In this electroluminescence element, the light diffusion layer formed on both sides of the glass substrate, the light diffusion distance, that is, the distance of the light diffusion layer is 0.7 mm or more, which is larger than the size of the pixel. It became.

得られたエレクトロルミネッセンス素子の浸み出し光拡散層上に、表2に示すフィルムを設けて画素滲みを調べ、結果を表2に示した。   The film shown in Table 2 was provided on the leached light diffusion layer of the obtained electroluminescent device, and pixel bleeding was examined. The results are shown in Table 2.

Figure 0004650025
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表2より、光拡散距離が画素サイズより大きい場合には、光拡散距離間での導波の割合が多く、本発明に係る画素滲みを設けても、画素滲み抑制効果が得られないことが分かる。   From Table 2, when the light diffusion distance is larger than the pixel size, there is a large proportion of guided light between the light diffusion distances, and even if the pixel bleeding according to the present invention is provided, the pixel bleeding suppression effect cannot be obtained. I understand.

(比較例9〜13)
実施例1において、浸み出し光拡散層を形成した後、0.5mm厚のガラス基板を張り合わせ、その上に透明電極層(ITO)とエレクトロルミネッセンス層と反射電極層(Al)を積層したこと以外は同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。なお、ガラス基板の張り合わせにはUV硬化型接着剤を用いた。接着剤の厚さは5μmであった。このエレクトロルミネッセンス素子は、ガラス基板/浸み出し光拡散層/接着剤層/ガラス基板/透明電極層(ITO)/エレクトロルミネッセンス層/反射電極層(Al)の積層体であり、浸み出し光拡散層とアルミニウム反射電極との間隔は約0.5mm以上であり画素サイズよりも大きくなった。
(Comparative Examples 9-13)
In Example 1, after leaching and forming a light diffusion layer, a 0.5 mm thick glass substrate was laminated, and a transparent electrode layer (ITO), an electroluminescence layer, and a reflective electrode layer (Al) were laminated thereon. An electroluminescent element was produced in the same manner except for the above. A UV curable adhesive was used for bonding the glass substrates. The thickness of the adhesive was 5 μm. This electroluminescent element is a laminate of glass substrate / penetrating light diffusing layer / adhesive layer / glass substrate / transparent electrode layer (ITO) / electroluminescent layer / reflecting electrode layer (Al). The distance between the diffusion layer and the aluminum reflective electrode was about 0.5 mm or more, which was larger than the pixel size.

得られたエレクトロルミネッセンス素子のガラス基板上に、表3に示すフィルムを設けて画素滲みを調べ、結果を表3に示した。   The film shown in Table 3 was provided on the glass substrate of the obtained electroluminescent element to examine pixel bleeding. The results are shown in Table 3.

Figure 0004650025
Figure 0004650025

表3より、光拡散距離が画素サイズより大きい場合には、光拡散距離間での導波の割合が多く、本発明に係る画素滲みを設けても、画素滲み抑制効果が得られないことが分かる。   From Table 3, when the light diffusion distance is larger than the pixel size, there is a large proportion of guided light between the light diffusion distances, and even if the pixel bleeding according to the present invention is provided, the pixel bleeding suppression effect cannot be obtained. I understand.

本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、ディスプレーや照明等に有効であるが、その画素滲み防止効果による視認性の向上の点から、特にディスプレーに有効である。
また、本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子のいずれであっても良いが、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に好適である。
The electroluminescence element of the present invention is effective for display, illumination, and the like, but is particularly effective for display from the viewpoint of improving the visibility due to the pixel bleeding prevention effect.
The electroluminescent element of the present invention may be either an organic electroluminescent element or an inorganic electroluminescent element, but is particularly suitable for an organic electroluminescent element.

本発明において、最表層に偏光フィルム又は色素フィルターを設けた場合の画素滲み防止機構を説明する模式図である。In this invention, it is a schematic diagram explaining the pixel bleeding prevention mechanism at the time of providing a polarizing film or a pigment | dye filter in the outermost layer. 本発明において、最表層に反射防止フィルムを設けた場合の画素滲み防止機構を説明する模式図である。In this invention, it is a schematic diagram explaining the pixel bleeding prevention mechanism at the time of providing an antireflection film in the outermost layer. 本発明において、最表層に円偏光フィルムを設けた場合の画素滲み防止機構を説明する模式図である。In this invention, it is a schematic diagram explaining the pixel bleeding prevention mechanism at the time of providing a circularly-polarizing film in the outermost layer. 本発明に係る光拡散距離を示す模式図である。なお、図4において、図6と同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。It is a schematic diagram which shows the light diffusion distance which concerns on this invention. In FIG. 4, members having the same functions as those in FIG. 従来例に係るエレクトロルミネッセンス素子の断面図である。It is sectional drawing of the electroluminescent element which concerns on a prior art example. 光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子の断面図である。It is sectional drawing of the electroluminescent element which provided the light-diffusion layer. 光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子の断面図である。It is sectional drawing of the electroluminescent element which provided the light-diffusion layer. 光拡散層を設けた従来のエレクトロルミネッセンス素子の画素滲み発生のメカニズムを説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the mechanism of the pixel bleeding generation | occurrence | production of the conventional electroluminescent element which provided the light-diffusion layer.

符号の説明Explanation of symbols

1 反射電極層(陰極)
2 エレクトロルミネッセンス層
3 透明電極層
4 低屈折率層
5 透明基板
6,6a 光拡散層
1 Reflective electrode layer (cathode)
2 Electroluminescence layer 3 Transparent electrode layer 4 Low refractive index layer 5 Transparent substrate 6, 6a Light diffusion layer

Claims (9)

エレクトロルミネッセンス層、透明電極層、及び透明基板がこの順に配置されてなるエレクトロルミネッセンス素子において、該透明電極層と透明基板との間に光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子であって、
下記(2)の条件を満たし、
かつ、最表層として、反射防止フィルム、及び偏光フィルムよりなる群から選ばれる少なくとも種を含む画素滲み防止層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子
2)エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズ以下である
In an electroluminescence element in which an electroluminescence layer, a transparent electrode layer, and a transparent substrate are arranged in this order, an electroluminescence element in which a light diffusion layer is provided between the transparent electrode layer and the transparent substrate,
Satisfy the following condition (2) ,
And, as the outermost layer, antireflection film, and a polarization fill electroluminescent element characterized by having a pixel bleeding prevention layer contains at least one beam by selected from Li Cheng group.
( 2) A reflective electrode layer is provided on the surface of the electroluminescent layer opposite to the transparent electrode layer, and the distance between the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer and the reflective electrode layer is equal to or smaller than the pixel size. There is .
請求項1において、前記画素滲み防止層は、偏光フィルムと、更に位相差フィルムを有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。 2. The electroluminescence element according to claim 1, wherein the pixel blur preventing layer includes a polarizing film and a retardation film . 請求項2において、偏光フィルムの出射側の面より上に位相差フィルムが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。   The electroluminescence device according to claim 2, wherein a retardation film is provided above the surface on the emission side of the polarizing film. 請求項1ないし3のいずれか1項において、下記(2)の条件を満たすことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子
2)エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの1/2以下である
4. The electroluminescence device according to claim 1, wherein the following condition (2) is satisfied .
( 2) A reflective electrode layer is provided on the surface of the electroluminescent layer opposite to the transparent electrode layer, and the distance between the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer and the reflective electrode layer is 1 pixel size. / 2 or less .
請求項4において、下記(2)の条件を満たすことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子
2)エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの1/10以下である
5. The electroluminescence element according to claim 4, wherein the following condition (2) is satisfied .
( 2) A reflective electrode layer is provided on the surface of the electroluminescent layer opposite to the transparent electrode layer, and the distance between the surface of the light diffusion layer farthest from the reflective electrode layer and the reflective electrode layer is 1 pixel size. / 10 or less .
請求項1ないし5のいずれか1項において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。   6. The electroluminescence element according to claim 1, wherein the light diffusion layer is a layer having a function of diffusing light guided by using the transparent electrode as a waveguide. 請求項6において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光の中で特に透明電極からの浸み出し光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。   7. The electroluminescence device according to claim 6, wherein the light diffusion layer is a layer having a function of diffusing the light that has penetrated from the transparent electrode in the light guided using the transparent electrode as a waveguide. . 請求項1ないし7のいずれか1項において、前記光拡散層が、低屈折率材料からなるマトリックス中に光を拡散させる粒子を含有させた層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。   8. The electroluminescence device according to claim 1, wherein the light diffusion layer is a layer containing particles that diffuse light in a matrix made of a low refractive index material. 請求項8において、該光拡散層と前記透明基板との間に低屈折率層が設けられており、該光拡散層のマトリックスの屈折率は、該低屈折率層の屈折率と同等であって、前記透明電極層の屈折率より低い屈折率を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。   9. The low refractive index layer is provided between the light diffusion layer and the transparent substrate according to claim 8, and the refractive index of the matrix of the light diffusion layer is equal to the refractive index of the low refractive index layer. An electroluminescent element having a refractive index lower than that of the transparent electrode layer.
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