JP4637692B2 - Adhesive film sticking device - Google Patents

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Description

この発明は、ウェーハの表面にデバイスが複数形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが形成され、該デバイス領域に対応する裏面が前記外周余剰領域の裏面に比して薄く加工されて前記外周余剰領域の裏面にリング状の補強部が形成され、凹状に加工されたウェーハの裏面にダイボンド用の粘着フィルムを貼着する粘着フィルム貼着装置に関するものである。   According to the present invention, a device region in which a plurality of devices are formed on the front surface of a wafer and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed, and a back surface corresponding to the device region is compared with a back surface of the outer peripheral surplus region. The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film sticking apparatus for sticking a pressure-sensitive adhesive film for die bonding to a back surface of a wafer processed into a concave shape by forming a ring-shaped reinforcing portion on the back surface of the outer peripheral surplus region.

従来から、ICやLSIなどのデバイスが複数形成されたウェーハは、ダイシング装置などの分割装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話やパソコンなどの電気機器に利用される。ここで、電気機器の軽量化および小型化を可能にするために、ウェーハの厚みは、50μm以下、30μm以上と薄く加工されるが、この薄いウェーハは、取り扱いが困難であることから、ウェーハのデバイスが形成されたデバイス領域の裏面のみを薄く研削し、このデバイス領域を囲繞する外周余剰領域にリング状の補強部を残存させ、薄くなったウェーハの取り扱いを容易にしている(特許文献1参照)。   Conventionally, a wafer on which a plurality of devices such as ICs and LSIs are formed is divided into individual devices by a dividing device such as a dicing device, and is used for electrical equipment such as a mobile phone and a personal computer. Here, in order to reduce the weight and size of electrical equipment, the thickness of the wafer is thinly processed to be 50 μm or less and 30 μm or more. However, since this thin wafer is difficult to handle, Only the back surface of the device region in which the device is formed is thinly ground, and a ring-shaped reinforcing portion is left in the outer peripheral surplus region surrounding the device region to facilitate handling of the thinned wafer (see Patent Document 1). ).

その後、このウェーハは、個々のデバイスに分割される前に、ダイボンド用の粘着フィルムであるDAF(ダイアタッチフィルム)が裏面に配設され、個々のデバイスに分割された後に、リードフレームなどにダイボンドされる。   Then, before the wafer is divided into individual devices, DAF (die attach film), which is a die-bonding adhesive film, is disposed on the back surface, and after the wafer is divided into individual devices, the wafer is die-bonded to a lead frame or the like. Is done.

特開平5−121384号公報JP-A-5-121384

しかしながら、裏面が凹状に加工されたウェーハの裏面に上述したDAFを密着させて貼着する場合、リング状の補強部が邪魔になってDAFの貼着処理が困難であり、ウェーハとDAFとの間に空気等が介在して確実な貼着を行うことができない場合が生ずるという問題点があった。   However, when the DAF is adhered to the back surface of the wafer whose back surface is processed into a concave shape, the ring-shaped reinforcing portion is in the way and the DAF is not easily bonded. There is a problem in that there are cases where reliable adhesion cannot be performed due to air or the like interposed therebetween.

この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、裏面が凹状に加工されたウェーハの裏面にDAFを密着して容易かつ確実に貼着することができる粘着フィルム貼着装置を提供することを目的とする。   This invention is made in view of the above, and provides the adhesive film sticking apparatus which can adhere | attach DAF on the back surface of the wafer by which the back surface was processed into the concave shape, and can adhere easily and reliably. With the goal.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる粘着フィルム貼着装置は、ウェーハの表面にデバイスが複数形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが形成され、該デバイス領域に対応する裏面が前記外周余剰領域の裏面に比して薄く加工されて前記外周余剰領域の裏面にリング状の補強部が形成され、凹状に加工されたウェーハの裏面にダイボンド用の粘着フィルムを貼着する粘着フィルム貼着装置であって、前記ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、前記粘着フィルムを保持する粘着フィルム保持手段と、前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段とを収容し、前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段と円筒形状の減圧チャンバーの内壁とで密閉されるように囲まれる空間を形成して該空間を減圧する減圧チャンバーと、前記減圧チャンバー内で前記ウェーハ保持手段に保持されたウェーハのデバイス領域に対応する裏面と前記粘着フィルム保持手段に保持された粘着フィルムとを接近させ、前記ウェーハと前記粘着フィルムとの空間を減圧させつつ押圧し、前記ウェーハのデバイス領域に対応する裏面に前記粘着フィルムを貼着させる制御手段と、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, an adhesive film sticking apparatus according to the present invention includes a device region in which a plurality of devices are formed on the surface of a wafer, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. Formed on the back surface of the wafer, the back surface corresponding to the device region is processed to be thinner than the back surface of the outer periphery surplus region, and a ring-shaped reinforcement is formed on the back surface of the outer periphery surplus region. An adhesive film adhering apparatus for adhering an adhesive film for die bonding, the wafer holding means for holding the wafer, the adhesive film holding means for holding the adhesive film, the wafer holding means, and the adhesive film holding means accommodating the door, surrounded to be sealed with the inner wall of the vacuum chamber of the wafer holding means and the adhesive film holding means and the cylindrical A vacuum chamber that forms a space and depressurizes the space, a back surface corresponding to a device region of the wafer held by the wafer holding means in the vacuum chamber, and an adhesive film held by the adhesive film holding means are approached And a controller that presses the space between the wafer and the pressure-sensitive adhesive film while reducing the pressure, and attaches the pressure-sensitive adhesive film to the back surface corresponding to the device region of the wafer.

また、請求項2にかかる粘着フィルム貼着装置は、上記の発明において、前記粘着フィルム保持手段の保持面の直径は、前記ウェーハの裏面に形成されたリング状の補強部の内径よりも小さく、かつ前記粘着フィルム保持手段の保持面は、前記デバイス領域に対応していることを特徴とする。   Further, in the above invention, the pressure-sensitive adhesive film sticking apparatus according to claim 2 is such that the diameter of the holding surface of the pressure-sensitive adhesive film holding means is smaller than the inner diameter of the ring-shaped reinforcing portion formed on the back surface of the wafer, And the holding surface of the said adhesive film holding means respond | corresponds to the said device area | region.

この発明にかかる粘着フィルム貼着装置は、制御手段が、減圧チャンバー内でウェーハ保持手段に保持されたウェーハのデバイス領域に対応する裏面と粘着フィルム保持手段に保持された粘着フィルムとを接近させ、この接近した前記ウェーハと前記粘着フィルムとの空間を減圧させつつ押圧し、前記ウェーハのデバイス領域に対応する裏面に前記粘着フィルムを貼着させるようにしているので、裏面が凹状に加工されたウェーハの裏面に対するDAFの密着を容易に行うことができるとともに貼着を確実に行うことができるという効果を奏する。   In the adhesive film sticking apparatus according to the present invention, the control means causes the back surface corresponding to the device region of the wafer held by the wafer holding means in the decompression chamber and the adhesive film held by the adhesive film holding means to approach, Since the space between the wafer and the adhesive film that are close to each other is pressed while reducing the pressure, and the adhesive film is attached to the back surface corresponding to the device region of the wafer, the wafer whose back surface is processed into a concave shape As a result, the DAF can be easily adhered to the back surface, and the sticking can be reliably performed.

以下、この発明を実施するための最良の形態である粘着フィルム貼着装置について図面を参照して説明する。   Hereinafter, an adhesive film sticking apparatus which is the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、粘着フィルムを貼着する対象であるウェーハの加工について説明する。図1に示したウェーハWの表面Waは、デバイス領域W1と外周余剰領域W2とを有する。デバイス領域W1には、ストリートSによって区画された複数のデバイスDが形成され、このデバイス領域W1の外周側には、デバイスDが形成されていない外周余剰領域W2が形成される。このデバイス領域W1は、外周余剰領域W2に囲繞されている。このウェーハWの表面Waは、ウェーハWの裏面Wbを研磨するにあたり、図2に示すように、デバイスDを保護するためにテープ等の保護部材1が貼着される。   First, processing of a wafer that is an object to which an adhesive film is attached will be described. The surface Wa of the wafer W shown in FIG. 1 has a device region W1 and an outer peripheral surplus region W2. A plurality of devices D partitioned by streets S are formed in the device region W1, and an outer peripheral surplus region W2 in which no device D is formed is formed on the outer peripheral side of the device region W1. This device region W1 is surrounded by the outer peripheral surplus region W2. When the back surface Wb of the wafer W is polished on the front surface Wa of the wafer W, a protective member 1 such as a tape is attached to protect the device D as shown in FIG.

その後、ウェーハWの裏面Wbのうちのデバイス領域W1に対応する部分、すなわち、デバイス領域1の裏側を研削して所望の厚さにする。この研削には、たとえば図3に示す研削装置2を用いることができる。   Thereafter, the portion corresponding to the device region W1 in the back surface Wb of the wafer W, that is, the back side of the device region 1 is ground to a desired thickness. For this grinding, for example, a grinding device 2 shown in FIG. 3 can be used.

研削装置2は、ウェーハを保持するチャックテーブル20と、チャックテーブル20に保持されたウェーハに対して研削を施す研削部21とを備えている。研削部21は、垂直方向の軸心を有する回転軸22と、回転軸22の下端に装着されたホイール23と、ホイール23の下面に固着された砥石部24とを有する。ウェーハWは、保護部材1側がチャックテーブル20によって保持され、裏面Wbが露出した状態となる。そして、チャックテーブル20が回転するとともに、ホイール23が回転しながら、研削部21が下降することによって、回転する砥石部24がウェーハWの裏面Wbに接触して研削が行われる。このとき、砥石部24は、ウェーハWの表面Waに形成されたデバイス領域W1の裏側に接触させ、その外周側を研削しないようにする。デバイス領域W1の裏側が所望量研削されると、研削が終了する。このようにして、裏面Wbのうちのデバイス領域W1に対応する部分のみを研削することによって、図4および図5に示すように、裏面Wbに凹部W3が形成され、外周余剰領域W2に対応する部分には、研削前と同じ厚さを有するリング状補強部W4が残存する。たとえば、リング状補強部W4の幅は、2〜3mm程度であればよい。また、リング状補強部W4の厚さは、数百μmあることが望ましい。一方、デバイス領域W1の厚さは、30μm程度にまで薄くすることができる。   The grinding apparatus 2 includes a chuck table 20 that holds a wafer, and a grinding unit 21 that performs grinding on the wafer held on the chuck table 20. The grinding unit 21 includes a rotary shaft 22 having a vertical axis, a wheel 23 attached to the lower end of the rotary shaft 22, and a grindstone portion 24 fixed to the lower surface of the wheel 23. The wafer W is in a state where the protective member 1 side is held by the chuck table 20 and the back surface Wb is exposed. As the chuck table 20 rotates and the wheel 23 rotates, the grinding unit 21 descends, so that the rotating grindstone unit 24 comes into contact with the back surface Wb of the wafer W to perform grinding. At this time, the grindstone portion 24 is brought into contact with the back side of the device region W1 formed on the surface Wa of the wafer W so that the outer peripheral side thereof is not ground. When the desired amount of the back side of the device region W1 is ground, the grinding is finished. In this way, by grinding only the portion corresponding to the device region W1 in the back surface Wb, as shown in FIGS. 4 and 5, a recess W3 is formed in the back surface Wb, corresponding to the outer peripheral surplus region W2. The ring-shaped reinforcing portion W4 having the same thickness as that before grinding remains in the portion. For example, the width of the ring-shaped reinforcing portion W4 may be about 2 to 3 mm. Further, it is desirable that the thickness of the ring-shaped reinforcing portion W4 is several hundred μm. On the other hand, the thickness of the device region W1 can be reduced to about 30 μm.

ここで、リング状補強部W4を有した凹状のウェーハWは、図6に示す粘着フィルム貼着装置3を用いて、裏面Wbのデバイス領域W1に対応する凹部に粘着フィルム(DAF)36を貼着する処理が施される。   Here, the concave wafer W having the ring-shaped reinforcing portion W4 is bonded to the concave portion corresponding to the device region W1 on the back surface Wb by using the adhesive film sticking apparatus 3 shown in FIG. Processing to wear is performed.

図6に示すように、粘着フィルム貼着装置3は、上下に昇降し、ウェーハWを真空吸着力によって保持するウェーハ保持部31と、上下に昇降し、DAF36を真空吸着力によって保持するDAF保持部32と、ウェーハ保持部31とDAF保持部32とによって挟まれた空間を形成し、この空間を真空吸引する減圧チャンバー33と、ウェーハ保持部31とDAF保持部32と減圧チャンバー33とを保持し、各部の制御を行う装置本体部30とを有する。   As shown in FIG. 6, the adhesive film sticking apparatus 3 moves up and down to hold the wafer W by a vacuum suction force, and moves up and down to hold the DAF 36 by a vacuum suction force. A space sandwiched between the part 32, the wafer holding part 31 and the DAF holding part 32 is formed, and the decompression chamber 33 for vacuum-sucking the space, the wafer holding part 31, the DAF holding part 32, and the decompression chamber 33 are retained. And an apparatus main body 30 that controls each part.

ウェーハ保持部31およびDAF保持部32は、装置本体部30に対してそれぞれアーム31a,32aを介して円盤状のチャックテーブル34,35を有し、チャックテーブル34,35は、減圧チャンバー33に向けて対向する位置に配置される。減圧チャンバー33は、円筒形状をなし、その内径は、チャックテーブル34,35の外径にほぼ一致し、チャックテーブル34,35が減圧チャンバー33内に挿入された場合、チャックテーブル34,35によって挟まれた空間が密閉されるようにしている。一方、減圧チャンバー33の側面中央には、減圧チャンバー33内と装置本体部30との間を連通するバキューム孔33aが設けられ、このバキューム孔33aは、減圧チャンバー33を固定保持する減圧チャンバー保持部33b内に設けられる。   The wafer holding unit 31 and the DAF holding unit 32 have disk-shaped chuck tables 34 and 35 via the arms 31 a and 32 a, respectively, with respect to the apparatus main body 30, and the chuck tables 34 and 35 are directed toward the decompression chamber 33. Are arranged at opposite positions. The decompression chamber 33 has a cylindrical shape, and its inner diameter substantially matches the outer diameter of the chuck tables 34 and 35. When the chuck tables 34 and 35 are inserted into the decompression chamber 33, they are sandwiched between the chuck tables 34 and 35. The sealed space is sealed. On the other hand, a vacuum hole 33 a that communicates between the inside of the decompression chamber 33 and the apparatus main body 30 is provided at the center of the side surface of the decompression chamber 33, and the vacuum hole 33 a is a decompression chamber holding portion that holds the decompression chamber 33 fixedly. 33b.

装置本体部30は、ウェーハ保持部31およびDAF保持部32の昇降駆動の制御を行う昇降駆動制御部30aと、チャックテーブル34,35および減圧チャンバー33に対する真空吸引を行うポンプ部30bと、昇降駆動制御部30aとポンプ部30bとの制御を行う制御部30cとを有する。ウェーハ保持部31およびDAF保持部32は、各アーム31a,32aの上下方向に取り付けられたラックギア31b,32bとモータに取り付けられたピニオンギア31c,32cとが噛み合うことによってピニオンギア31c,32cの回転運動が直線運動に変換される。このウェーハ保持部31およびDAF保持部32の上下昇降の手段は、これに限らず、ボールネジなどを用いて駆動するようにしてもよい。   The apparatus main body 30 includes an elevating drive control unit 30a that controls the elevating drive of the wafer holding unit 31 and the DAF holding unit 32, a pump unit 30b that performs vacuum suction with respect to the chuck tables 34 and 35 and the decompression chamber 33, and an elevating drive. It has the control part 30c which controls the control part 30a and the pump part 30b. The wafer holding unit 31 and the DAF holding unit 32 rotate the pinion gears 31c and 32c when the rack gears 31b and 32b attached in the vertical direction of the arms 31a and 32a mesh with the pinion gears 31c and 32c attached to the motor. Motion is converted to linear motion. The means for raising and lowering the wafer holding unit 31 and the DAF holding unit 32 is not limited to this and may be driven using a ball screw or the like.

ここで、図6および図7を参照して、粘着フィルム貼着装置3に対するウェーハWおよびDAF36の取付について説明する。図7に示すように、ウェーハWは、表面Wa側がチャックテーブル34の下面に向けてチャックテーブル34に取り付けられる。なお、図7では保護部材1が示されていないが、図6に示すように表面Waには保護部材1が取り付けられている。したがって、ウェーハWは、真空吸着によって保護部材1を介してチャックテーブル34に取り付けられる。一方、DAF36は、一方の面の全面に剥離紙36aが取り付けられた状態で、この剥離紙36aが、チャックテーブル35の保持面35aの上面に向けてチャックテーブル35に取り付けられる。したがって、DAF36は、剥離紙36aを介してチャックテーブル35の保持面35aに取り付けられる。   Here, with reference to FIG. 6 and FIG. 7, attachment of the wafer W and DAF 36 with respect to the adhesive film sticking apparatus 3 is demonstrated. As shown in FIG. 7, the wafer W is attached to the chuck table 34 with the surface Wa side facing the lower surface of the chuck table 34. Although the protective member 1 is not shown in FIG. 7, the protective member 1 is attached to the surface Wa as shown in FIG. Therefore, the wafer W is attached to the chuck table 34 via the protective member 1 by vacuum suction. On the other hand, the DAF 36 is attached to the chuck table 35 with the release paper 36 a attached to the entire surface of one side thereof, and the release paper 36 a facing the upper surface of the holding surface 35 a of the chuck table 35. Accordingly, the DAF 36 is attached to the holding surface 35a of the chuck table 35 via the release paper 36a.

この粘着フィルム貼着装置3を用いてウェーハWの凹部にDAF36を貼着させる動作について説明すると、まず、ウェーハWおよびDAF36がそれぞれチャックテーブル34,35に取り付けられた状態で、チャックテーブル34を下降させるとともにチャックテーブル35を上昇させて、各チャックテーブル34,35を減圧チャンバー33に挿入させ、チャックテーブル34とチャックテーブル35とをガイドしつつ近接させる。その後、チャックテーブル34上のウェーハWとチャックテーブル35上のDAF36との距離dが所定の距離d1になった場合、バキューム孔33aを介してウェーハWとDAF36と減圧チャンバー33とによって形成される空間Eを減圧しつつ、ウェーハWとDAF36とを押圧することによって貼着させる。所定の距離d1とは、たとえば、0.5mm〜1.0mmである。また、バキューム孔33aは、この所定の距離d1のときに形成される空間Eに連通する。このような貼着を行うことによって、ウェーハWの凹部底面とDAF36との間に空気などが介在しないため、確実な貼着を行うことができる。   The operation of adhering the DAF 36 to the concave portion of the wafer W using the adhesive film adhering apparatus 3 will be described. First, the chuck table 34 is lowered while the wafer W and the DAF 36 are attached to the chuck tables 34 and 35, respectively. The chuck table 35 is raised and the chuck tables 34 and 35 are inserted into the decompression chamber 33, and the chuck table 34 and the chuck table 35 are brought close to each other while being guided. Thereafter, when the distance d between the wafer W on the chuck table 34 and the DAF 36 on the chuck table 35 reaches a predetermined distance d1, the space formed by the wafer W, the DAF 36, and the decompression chamber 33 through the vacuum hole 33a. Adhering is performed by pressing the wafer W and the DAF 36 while reducing the pressure of E. The predetermined distance d1 is, for example, 0.5 mm to 1.0 mm. Further, the vacuum hole 33a communicates with the space E formed at the predetermined distance d1. By performing such adhesion, air or the like does not intervene between the bottom surface of the concave portion of the wafer W and the DAF 36, so that reliable adhesion can be performed.

ここで、図8に示すタイムチャートをもとに、制御部30cによる貼着制御処理について説明する。制御部30cは、まず、チャックテーブル34,35にそれぞれウェーハWおよびDAF36を吸引力F1の力で真空吸着させる。一方、減圧チャンバー33は、大気に開放されており、吸引力F2の値は0である。   Here, the sticking control process by the control unit 30c will be described based on the time chart shown in FIG. First, the controller 30c vacuum-sucks the wafer W and the DAF 36 to the chuck tables 34 and 35 with the force of the suction force F1, respectively. On the other hand, the decompression chamber 33 is open to the atmosphere, and the value of the suction force F2 is zero.

その後、制御部30cは、距離dが所定の距離d1になる時点t1のとき、減圧チャンバー33に対する吸引力をF3に増大させる。このとき、吸引力F3は、吸引力F1と同等にし、真空状態にする。そして、さらに距離dを縮め、各ウェーハ保持部31およびDAF保持部32の押圧によって、ウェーハWおよびDAF36との貼着が確実に行われる。特に、空間Eが減圧されて真空状態になるので、ウェーハWとDAF36との間の貼着面に介在する可能性のある空気などが確実に取り除かれ、確実な貼着を行うことができる。なお、F1の吸引力がF3の吸引力と同じになると、ウェーハWは、チャックテーブル34から脱落するが、距離dは、0.5mm〜1.0mmと小さいため、問題はない。   Thereafter, the control unit 30c increases the suction force to the decompression chamber 33 to F3 at the time t1 when the distance d reaches the predetermined distance d1. At this time, the suction force F3 is equal to the suction force F1 and is in a vacuum state. Further, the distance d is further reduced, and the wafer W and the DAF 36 are securely attached to each other by the pressing of the wafer holding units 31 and the DAF holding unit 32. In particular, since the space E is depressurized to be in a vacuum state, air that may be present on the bonding surface between the wafer W and the DAF 36 is reliably removed, and reliable bonding can be performed. If the suction force of F1 is the same as the suction force of F3, the wafer W falls off from the chuck table 34, but there is no problem because the distance d is as small as 0.5 mm to 1.0 mm.

その後、制御部30cは、時点t2になると、減圧チャンバー33の吸引力をF3からF2に下げるとともに、チャックテーブル34,35の一方の吸引力をF1からF2に下げ、吸引力がF1であるチャックテーブル34,35のいずれかに、DAF36が貼着されたウェーハWを真空吸着によって保持させる。その後、制御部30cは、距離dを徐々に大きくして離隔させ、チャックテーブル34,35を、ウェーハWおよびDAF36を取り付けた初期位置に戻す。   Thereafter, at time t2, the control unit 30c reduces the suction force of the decompression chamber 33 from F3 to F2, and lowers one suction force of the chuck tables 34 and 35 from F1 to F2, so that the chucking force is F1. The wafer W to which the DAF 36 is attached is held on either the table 34 or 35 by vacuum suction. Thereafter, the control unit 30c gradually increases the distance d to separate them, and returns the chuck tables 34 and 35 to the initial positions where the wafer W and the DAF 36 are attached.

このようにして、図9に示すように、ウェーハWの裏面に形成された凹部にDAF36が確実に貼着されたウェーハWが得られる。なお、ウェーハWの表面には保護部材1が貼着されたままの状態であり、DAF36の表面には剥離紙36aが貼着されたままの状態である。   In this way, as shown in FIG. 9, a wafer W is obtained in which the DAF 36 is securely attached to the recess formed on the back surface of the wafer W. The protective member 1 is still attached to the surface of the wafer W, and the release paper 36a is still attached to the surface of the DAF 36.

その後、DAF36が貼着されたウェーハWのダイシングが行われる。まず、図10に示すように、ウェーハWの表面に貼着されている保護部材1を剥離するとともに、DAF36の剥離紙36aを剥離する。その後、このウェーハWは、図11に示すように、表面WaがダイシングテープTに貼着され、ウェーハWがダイシングテープTを介してダイシングフレームFに支持され、裏面(DAF36)が露出した状態になる。   Thereafter, dicing of the wafer W to which the DAF 36 is attached is performed. First, as shown in FIG. 10, the protective member 1 attached to the surface of the wafer W is peeled off, and the release paper 36 a of the DAF 36 is peeled off. Thereafter, as shown in FIG. 11, the wafer W is adhered to the dicing tape T, the wafer W is supported by the dicing frame F via the dicing tape T, and the back surface (DAF 36) is exposed. Become.

ダイシングフレームFに支持されたウェーハWは、表面Waに形成されたストリートSに沿って切断することによってダイシングされ、各デバイスDに分割される。このダイシングは、レーザ光をストリートSに照射することによっても実現されるが、ここでは、たとえば図12に示す切削装置4を用いてストリートSを切削する場合について説明する。   The wafer W supported by the dicing frame F is diced by cutting along the streets S formed on the surface Wa, and divided into devices D. Although this dicing is also realized by irradiating the street S with laser light, here, for example, a case where the street S is cut using the cutting device 4 shown in FIG. 12 will be described.

切削装置4は、ウェーハWを保持するチャックテーブル40と、ウェーハWを支持したダイシングフレームFを支持するフレームクランプ40aと、チャックテーブル40に保持されたウェーハWに作用して切削を行う切削部41とを有する。チャックテーブル40は、駆動源400に連結されて回転可能になっている。駆動源400は、移動基台401に固定されており、移動基台401は、切削送り部42によってX軸方向に移動可能になっている。切削送り部42は、X軸方向に配列されたボールネジ420と、ボールネジ420の一端に連結されたパルスモータ421と、ボールネジ420と平行に配列された一対のガイドレール422とから構成され、ボールネジ420には、移動基台401の下部に備えた図示しないナットが螺合している。ボールネジ420は、パルスモータ421に駆動されて回転し、それに伴って移動基台401がガイドレール422にガイドされてX軸方向に移動する構成となっている。   The cutting device 4 includes a chuck table 40 that holds the wafer W, a frame clamp 40 a that supports a dicing frame F that supports the wafer W, and a cutting unit 41 that acts on the wafer W held on the chuck table 40 to perform cutting. And have. The chuck table 40 is connected to a drive source 400 and is rotatable. The drive source 400 is fixed to the moving base 401, and the moving base 401 can be moved in the X-axis direction by the cutting feed unit 42. The cutting feed unit 42 includes a ball screw 420 arranged in the X-axis direction, a pulse motor 421 connected to one end of the ball screw 420, and a pair of guide rails 422 arranged in parallel with the ball screw 420. A nut (not shown) provided at the lower part of the movable base 401 is screwed into the nut. The ball screw 420 is driven and rotated by the pulse motor 421, and accordingly, the moving base 401 is guided by the guide rail 422 and moves in the X-axis direction.

切削部41は、ハウジング410によって回転可能に支持されたスピンドル411の先端に切削ブレード412が装着され、ハウジング410は、支持部413によって支持される。   In the cutting part 41, a cutting blade 412 is attached to the tip of a spindle 411 that is rotatably supported by a housing 410, and the housing 410 is supported by a support part 413.

ハウジング410の側部には、ウェーハWのストリートSを検出するアライメント部43が固定される。アライメント部43は、ウェーハWの裏面から透過してウェーハWの表面を撮像する赤外線カメラ430を有し、この赤外線カメラ430によって取得した画像をもとに、予め記憶されたキーパターンとのパターンマッチングなどの処理によって、切削すべきストリートSを検出する。   An alignment portion 43 that detects the street S of the wafer W is fixed to the side portion of the housing 410. The alignment unit 43 includes an infrared camera 430 that images from the back surface of the wafer W and images the front surface of the wafer W. Based on the image acquired by the infrared camera 430, pattern matching with a prestored key pattern is performed. The street S to be cut is detected by a process such as the above.

切削部41およびアライメント部43は、切り込み送り部44によってZ軸方向に移動可能となっている。切り込み送り部44は、壁部440の一方の面においてZ軸方向に配列されたボールネジ441と、このボールネジ441を回動させるパルスモータ442と、ボールネジ441と平行に配列されたガイドレール443とを有し、支持部413の内部の図示しないナットがボールネジ441に螺合している。支持部413は、パルスモータ442によって駆動されてボールネジ441が回動するのに伴ってガイドレール443にガイドされてZ軸方向に昇降し、支持部413に支持された切削部41もZ軸方向に昇降する構成となっている。   The cutting part 41 and the alignment part 43 can be moved in the Z-axis direction by a cutting feed part 44. The incision feeding portion 44 includes a ball screw 441 arranged in the Z-axis direction on one surface of the wall portion 440, a pulse motor 442 that rotates the ball screw 441, and a guide rail 443 arranged in parallel with the ball screw 441. And a nut (not shown) inside the support portion 413 is screwed into the ball screw 441. The support unit 413 is driven by the pulse motor 442 and is guided by the guide rail 443 as the ball screw 441 rotates, and moves up and down in the Z-axis direction. The cutting unit 41 supported by the support unit 413 also moves in the Z-axis direction. It is configured to move up and down.

切削部4は、割り出し送り部45によってY軸方向に移動可能になっている。割り出し送り部45は、Y軸方向に配列されたボールネジ450と、壁部440と一体に形成され、内部のナットがボールネジ450に螺合する移動基台451と、ボールネジ450を回動させるパルスモータ452と、ボールネジ450と平行に配列されたガイドレール453とを有し、移動基台451の内部の図示しないナットがボールネジ450に螺合している。移動基台451は、パルスモータ452によって駆動されてボールネジ450が回動するのに伴ってガイドレール453にガイドされてY軸方向に移動し、これに伴い切削部41もY軸方向に移動する構成となっている。   The cutting unit 4 is movable in the Y-axis direction by an index feeding unit 45. The index feeding section 45 is formed integrally with a ball screw 450 arranged in the Y-axis direction, a wall section 440, a moving base 451 in which an internal nut is screwed to the ball screw 450, and a pulse motor that rotates the ball screw 450. 452 and a guide rail 453 arranged in parallel with the ball screw 450, and a nut (not shown) inside the moving base 451 is screwed into the ball screw 450. The moving base 451 is driven by the pulse motor 452 and is guided by the guide rail 453 as the ball screw 450 is rotated, and moves in the Y-axis direction. In accordance with this, the cutting unit 41 also moves in the Y-axis direction. It has a configuration.

ダイシングテープTを介してダイシングフレームFに支持されたウェーハWはその裏面側Wbが露出した状態、すなわちDAF36が配設された側が露出した状態で、チャックテーブル40に吸引保持される。そして、チャックテーブル40が+X方向に移動することによってウェーハWが赤外線カメラ430の直下に位置付けられ、赤外線カメラ430によってウェーハWを透過させてウェーハWの表面Waが撮像され、その画像をもとにアライメント部43によってストリートSが検出されるとともに、このストリートSと切削ブレード412とのY軸方向の位置合わせが行われる。   The wafer W supported by the dicing frame F via the dicing tape T is sucked and held by the chuck table 40 with the back side Wb exposed, that is, the side where the DAF 36 is exposed. Then, when the chuck table 40 moves in the + X direction, the wafer W is positioned directly below the infrared camera 430, and the surface Wa of the wafer W is imaged by the infrared camera 430 through the wafer W, and based on the image. The alignment unit 43 detects the street S and aligns the street S with the cutting blade 412 in the Y-axis direction.

さらに、切削送り部42によってチャックテーブル40を+X軸方向に移動させるとともに、切削ブレード412を高速回転させながら、切り込み送り部44によって切削部41を下降させ、検出されたストリートSに向けて切削ブレード412を切り込ませ、このストリートSを切削する。   Further, the chuck table 40 is moved in the + X-axis direction by the cutting feed portion 42 and the cutting portion 41 is lowered by the cutting feed portion 44 while rotating the cutting blade 412 at a high speed, and the cutting blade 41 is directed toward the detected street S. 412 is cut and this street S is cut.

割り出し送り部45によって切削部41をストリートSの間隔ずつ割り出し送りさせながら順次同様の切削を行い、同方向のストリートSがすべて切削された後は、チャックテーブル40を90度回転させながら同様の切削を行うことによって、ウェーハWが個々のデバイスDに分割される。各ストリートSを切削する際は、ストリートSの延長線上のリング状補強部W4も切削するようにすれば、後にリング状補強部W4を除去する必要がなくなる。   The same cutting is sequentially performed while the cutting section 41 is indexed and fed at intervals of the streets S by the index feeding section 45, and after all the streets S in the same direction are cut, the same cutting is performed while rotating the chuck table 40 by 90 degrees. , The wafer W is divided into individual devices D. When cutting each street S, if the ring-shaped reinforcing portion W4 on the extended line of the street S is also cut, it is not necessary to remove the ring-shaped reinforcing portion W4 later.

なお、各デバイスの分割前に、リング状補強部W4の内周に沿ってその若干内側を切断し、図13に示すように、リング状補強部W4を除去するようにしてもよい。このリング状補強部W4の除去は、たとえば、ダイシングテープTを介してダイシングフレームFに支持されたウェーハWを回転させながら、リング状補強部W4の内周に沿って切削することによって実現される。リング状補強部W4が除去されると、ダイシングフレームF上にはダイシングテープTを介し、上面にDAF36が貼着されたウェーハWが残存する。このようにリング状補強部W4を各デバイスDの分割前に除去しておくと、各デバイスDの分割時に、デバイス領域W1のみを切削すればよく、リング状補強部W4を切削する必要がないため、ウェーハWを保持するチャックテーブル40の移動ストロークを短くすることができる。   Before dividing each device, the inner side of the ring-shaped reinforcing portion W4 may be cut slightly along the inner periphery to remove the ring-shaped reinforcing portion W4 as shown in FIG. The removal of the ring-shaped reinforcing portion W4 is realized, for example, by cutting along the inner periphery of the ring-shaped reinforcing portion W4 while rotating the wafer W supported by the dicing frame F via the dicing tape T. . When the ring-shaped reinforcing portion W4 is removed, the wafer W with the DAF 36 attached to the upper surface remains on the dicing frame F via the dicing tape T. If the ring-shaped reinforcing portion W4 is removed before dividing each device D in this way, only the device region W1 needs to be cut when each device D is divided, and there is no need to cut the ring-shaped reinforcing portion W4. Therefore, the moving stroke of the chuck table 40 that holds the wafer W can be shortened.

なお、上述した分割処理では、ウェーハWの裏面側からダイシングする場合について説明したが、これに限らず、表面側からダイシングするようにしてもよい。この場合、裏面の凹部に対応する凸部を有したダイシングテープを設けるようにするとよい。この凸部は、すでに貼着されたDAF36までの深さを補うものである。この裏面側からウェーハWを切削装置4によってダイシングする場合、ウェーハWは、ストリートSが形成された表面Waが露出した状態であるため、アライメントの際の撮像に用いるカメラは、赤外線カメラである必要はない。また、ダイシングの前にリング状補強部W4を除去してもよい。   In the above-described division processing, the case where dicing is performed from the back surface side of the wafer W has been described. However, the present invention is not limited to this, and dicing may be performed from the front surface side. In this case, a dicing tape having a convex portion corresponding to the concave portion on the back surface may be provided. This convex part supplements the depth to DAF36 already stuck. When the wafer W is diced from the back side by the cutting device 4, the wafer W is in a state where the surface Wa on which the streets S are formed is exposed, so the camera used for imaging during alignment needs to be an infrared camera. There is no. Further, the ring-shaped reinforcing portion W4 may be removed before dicing.

なお、上述した実施の形態では、真空吸着によるチャックテーブル34,35を用いてウェーハWおよびDAF36を保持するようにしていたが、これに限らず、静電気力を用いた静電チャックテーブルによってウェーハWおよびDAF36を保持するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the wafer W and the DAF 36 are held using the chuck tables 34 and 35 by vacuum suction. However, the present invention is not limited to this, and the wafer W is held by an electrostatic chuck table using electrostatic force. And DAF 36 may be held.

また、図4および図5に示したウェーハWに加工された後に、このウェーハWの裏面に金属などの導電膜を形成し、この導電膜を接地させて各デバイスDの試験を行い、その後、この裏面の凹部に上述したDAF36を貼着するようにしてもよい。   Further, after being processed into the wafer W shown in FIG. 4 and FIG. 5, a conductive film such as a metal is formed on the back surface of the wafer W, the conductive film is grounded, and each device D is tested. You may make it stick the DAF36 mentioned above to the recessed part of this back surface.

さらに、ウェーハWの裏面のうちのデバイス領域W1に対応する領域に凹部を形成し、この凹部の外周側に外周余剰領域を含むリング状補強部W4を形成する方法は、研削装置2による研削処理に限らず、たとえば、ウェーハWの裏面のうち形成すべき凹部以外の部分をマスキングし、このマスキングされていない部分にフッ素系ガスによってプラズマエッチングを施したり、フッ素系エッチング液でウェットエッチングを施したりすることによって凹部を形成してリング状補強部W4を形成するようにしてもよいし、CMPによって凹部を形成してリング状補強部W4を形成するようにしてもよい。   Furthermore, a method of forming a concave portion in a region corresponding to the device region W1 on the back surface of the wafer W and forming a ring-shaped reinforcing portion W4 including an outer peripheral surplus region on the outer peripheral side of the concave portion is a grinding process performed by the grinding apparatus 2. For example, a portion of the back surface of the wafer W other than the concave portion to be formed is masked, and the unmasked portion is subjected to plasma etching with a fluorine-based gas, or wet etching is performed with a fluorine-based etching solution. By doing so, the concave portion may be formed to form the ring-shaped reinforcing portion W4, or the concave portion may be formed by CMP to form the ring-shaped reinforcing portion W4.

また、上述した制御部30cは、時点t1,t2で、チャックテーブル34,35および減圧チャンバー33の吸引力を急激に変化させているが、徐々に吸引力を変化させるようにしてもよい。   Moreover, although the control unit 30c described above changes the suction force of the chuck tables 34 and 35 and the decompression chamber 33 abruptly at time points t1 and t2, the suction force may be gradually changed.

加工対象のウェーハおよび保護部材を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the wafer and protection member of a process target. ウェーハの表面に保護部材が貼着された状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the protection member was stuck on the surface of the wafer. 切削装置を用いてウェーハの凹部を形成する状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which forms the recessed part of a wafer using a cutting device. 凹部およびリング状補強部が形成されたウェーハを裏面側からみた斜視図である。It is the perspective view which looked at the wafer in which the recessed part and the ring-shaped reinforcement part were formed from the back surface side. 凹部およびリング状補強部が形成されたウェーハの断面図である。It is sectional drawing of the wafer in which the recessed part and the ring-shaped reinforcement part were formed. この発明の実施の形態である粘着フィルム貼着装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the adhesive film sticking apparatus which is embodiment of this invention. ウェーハ保持部およびウェーハ、減圧チャンバー、ならびにDAF保持部およびDAFの配置関係を説明する斜視図である。It is a perspective view explaining the arrangement | positioning relationship of a wafer holding part and a wafer, a decompression chamber, and a DAF holding part and DAF. ウェーハ保持部に保持されたウェーハおよびDAF保持部に保持されたDAF間の距離と、ウェーハ保持部およびDAF保持部の各チャックテーブルの吸引力と、減圧チャンバーの吸引力との時間変化を示すタイムシーケンス図である。Time indicating the time change of the distance between the wafer held by the wafer holding unit and the DAF held by the DAF holding unit, the suction force of each chuck table of the wafer holding unit and the DAF holding unit, and the suction force of the decompression chamber It is a sequence diagram. 粘着フィルム貼着装置によってDAFが貼着されたウェーハの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the wafer in which DAF was stuck by the adhesive film sticking apparatus. 図9に示したウェーハから保護部材を剥離する状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which peels a protection member from the wafer shown in FIG. 図10に示したウェーハがダイシングテープを介してダイシングフレームに支持された状態を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a state where the wafer shown in FIG. 10 is supported by a dicing frame via a dicing tape. ウェーハをダイシングする切削装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the cutting device which dices a wafer. ウェーハからリング状補強部を除去する状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state which removes a ring-shaped reinforcement part from a wafer.

符号の説明Explanation of symbols

1 保護部材
2 研削装置
3 被加工物搬出・搬入機構
4 切削装置
20,34,35 チャックテーブル
21 研削部
22 回転軸
23 ホイール
24 砥石部
30 装置本体部
30a 昇降駆動制御部
30b ポンプ部
30c 制御部
31 ウェーハ保持部
31a,32a アーム
31b,32b ラックギア
31c,32c ピニオンギア
32 DAF保持部
33 減圧チャンバー
33a バキューム孔
33b 減圧チャンバー保持部
36 DAF
36a 剥離紙
40 チャックテーブル
40a フレームクランプ
41 切削部
42 切削送り部
43 アライメント部
44 切り込み送り部
45 割り出し送り部
400 駆動源
401,451 移動基台
410 ハウジング
411 スピンドル
412 切削ブレード
413 支持部
420,441,450 ボールネジ
421,442,452 パルスモータ
422,443,453 ガイドレール
430 赤外線カメラ
440 壁部
W ウェーハ
Wa 表面
Wb 裏面
W1 デバイス領域
W2 外周余剰領域
W3 凹部
W4 リング状補強部
S ストリート
D デバイス
F ダイシングフレーム
T ダイシングテープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Protective member 2 Grinding device 3 Workpiece carry-in / carry-in mechanism 4 Cutting device 20, 34, 35 Chuck table 21 Grinding part 22 Rotating shaft 23 Wheel 24 Grinding wheel part 30 Apparatus main body part 30a Lift drive control part 30b Pump part 30c Control part 31 Wafer holding part 31a, 32a Arm 31b, 32b Rack gear 31c, 32c Pinion gear 32 DAF holding part 33 Depressurization chamber 33a Vacuum hole 33b Depressurization chamber holding part 36 DAF
36a Release paper 40 Chuck table 40a Frame clamp 41 Cutting part 42 Cutting feed part 43 Alignment part 44 Cutting feed part 45 Indexing feed part 400 Drive source 401,451 Moving base 410 Housing 411 Spindle 412 Cutting blade 413 Support part 420,441 450 Ball screw 421, 442, 452 Pulse motor 422, 443, 453 Guide rail 430 Infrared camera 440 Wall W Wafer Wa Front Wb Back W1 Device area W2 Peripheral surplus area W3 Recess W4 Ring-shaped reinforcement S Street D Device F Dicing frame T Dicing tape

Claims (2)

ウェーハの表面にデバイスが複数形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが形成され、該デバイス領域に対応する裏面が前記外周余剰領域の裏面に比して薄く加工されて前記外周余剰領域の裏面にリング状の補強部が形成され、凹状に加工されたウェーハの裏面にダイボンド用の粘着フィルムを貼着する粘着フィルム貼着装置であって、
前記ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、
前記粘着フィルムを保持する粘着フィルム保持手段と、
前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段とを収容し、前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段と円筒形状の減圧チャンバーの内壁とで密閉されるように囲まれる空間を形成して該空間を減圧する減圧チャンバーと、
前記減圧チャンバー内で前記ウェーハ保持手段に保持されたウェーハのデバイス領域に対応する裏面と前記粘着フィルム保持手段に保持された粘着フィルムとを接近させ、前記ウェーハと前記粘着フィルムとの空間を減圧させつつ押圧し、前記ウェーハのデバイス領域に対応する裏面に前記粘着フィルムを貼着させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする粘着フィルム貼着装置。
A device region in which a plurality of devices are formed on the front surface of the wafer and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed, and a back surface corresponding to the device region is processed thinner than a back surface of the outer peripheral surplus region. A ring-shaped reinforcing portion is formed on the back surface of the outer peripheral surplus area, and is an adhesive film sticking device for sticking a pressure-sensitive adhesive film for die bonding on the back surface of a wafer processed into a concave shape,
Wafer holding means for holding the wafer;
An adhesive film holding means for holding the adhesive film;
The wafer holding means and the adhesive film holding means are accommodated, and a space surrounded by the wafer holding means, the adhesive film holding means, and an inner wall of a cylindrical decompression chamber is formed so as to be sealed. A decompression chamber for decompression;
The back surface corresponding to the device area of the wafer held by the wafer holding means in the vacuum chamber and the adhesive film held by the adhesive film holding means are brought close to each other, and the space between the wafer and the adhesive film is reduced. Control means for pressing the adhesive film on the back surface corresponding to the device region of the wafer,
An adhesive film sticking apparatus comprising:
前記粘着フィルム保持手段の保持面の直径は、前記ウェーハの裏面に形成されたリング状の補強部の内径よりも小さく、かつ前記粘着フィルム保持手段の保持面は、前記デバイス領域に対応していることを特徴とする請求項1に記載の粘着フィルム貼着装置。   The diameter of the holding surface of the adhesive film holding means is smaller than the inner diameter of the ring-shaped reinforcing portion formed on the back surface of the wafer, and the holding surface of the adhesive film holding means corresponds to the device region. The pressure-sensitive adhesive film sticking apparatus according to claim 1.
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