JP4637692B2 - Adhesive film sticking device - Google Patents
Adhesive film sticking device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4637692B2 JP4637692B2 JP2005259754A JP2005259754A JP4637692B2 JP 4637692 B2 JP4637692 B2 JP 4637692B2 JP 2005259754 A JP2005259754 A JP 2005259754A JP 2005259754 A JP2005259754 A JP 2005259754A JP 4637692 B2 JP4637692 B2 JP 4637692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive film
- back surface
- holding means
- daf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims description 38
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 101100008643 Caenorhabditis elegans daf-36 gene Proteins 0.000 description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Description
この発明は、ウェーハの表面にデバイスが複数形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが形成され、該デバイス領域に対応する裏面が前記外周余剰領域の裏面に比して薄く加工されて前記外周余剰領域の裏面にリング状の補強部が形成され、凹状に加工されたウェーハの裏面にダイボンド用の粘着フィルムを貼着する粘着フィルム貼着装置に関するものである。 According to the present invention, a device region in which a plurality of devices are formed on the front surface of a wafer and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed, and a back surface corresponding to the device region is compared with a back surface of the outer peripheral surplus region. The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film sticking apparatus for sticking a pressure-sensitive adhesive film for die bonding to a back surface of a wafer processed into a concave shape by forming a ring-shaped reinforcing portion on the back surface of the outer peripheral surplus region.
従来から、ICやLSIなどのデバイスが複数形成されたウェーハは、ダイシング装置などの分割装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話やパソコンなどの電気機器に利用される。ここで、電気機器の軽量化および小型化を可能にするために、ウェーハの厚みは、50μm以下、30μm以上と薄く加工されるが、この薄いウェーハは、取り扱いが困難であることから、ウェーハのデバイスが形成されたデバイス領域の裏面のみを薄く研削し、このデバイス領域を囲繞する外周余剰領域にリング状の補強部を残存させ、薄くなったウェーハの取り扱いを容易にしている(特許文献1参照)。 Conventionally, a wafer on which a plurality of devices such as ICs and LSIs are formed is divided into individual devices by a dividing device such as a dicing device, and is used for electrical equipment such as a mobile phone and a personal computer. Here, in order to reduce the weight and size of electrical equipment, the thickness of the wafer is thinly processed to be 50 μm or less and 30 μm or more. However, since this thin wafer is difficult to handle, Only the back surface of the device region in which the device is formed is thinly ground, and a ring-shaped reinforcing portion is left in the outer peripheral surplus region surrounding the device region to facilitate handling of the thinned wafer (see Patent Document 1). ).
その後、このウェーハは、個々のデバイスに分割される前に、ダイボンド用の粘着フィルムであるDAF(ダイアタッチフィルム)が裏面に配設され、個々のデバイスに分割された後に、リードフレームなどにダイボンドされる。 Then, before the wafer is divided into individual devices, DAF (die attach film), which is a die-bonding adhesive film, is disposed on the back surface, and after the wafer is divided into individual devices, the wafer is die-bonded to a lead frame or the like. Is done.
しかしながら、裏面が凹状に加工されたウェーハの裏面に上述したDAFを密着させて貼着する場合、リング状の補強部が邪魔になってDAFの貼着処理が困難であり、ウェーハとDAFとの間に空気等が介在して確実な貼着を行うことができない場合が生ずるという問題点があった。 However, when the DAF is adhered to the back surface of the wafer whose back surface is processed into a concave shape, the ring-shaped reinforcing portion is in the way and the DAF is not easily bonded. There is a problem in that there are cases where reliable adhesion cannot be performed due to air or the like interposed therebetween.
この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、裏面が凹状に加工されたウェーハの裏面にDAFを密着して容易かつ確実に貼着することができる粘着フィルム貼着装置を提供することを目的とする。 This invention is made in view of the above, and provides the adhesive film sticking apparatus which can adhere | attach DAF on the back surface of the wafer by which the back surface was processed into the concave shape, and can adhere easily and reliably. With the goal.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる粘着フィルム貼着装置は、ウェーハの表面にデバイスが複数形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが形成され、該デバイス領域に対応する裏面が前記外周余剰領域の裏面に比して薄く加工されて前記外周余剰領域の裏面にリング状の補強部が形成され、凹状に加工されたウェーハの裏面にダイボンド用の粘着フィルムを貼着する粘着フィルム貼着装置であって、前記ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、前記粘着フィルムを保持する粘着フィルム保持手段と、前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段とを収容し、前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段と円筒形状の減圧チャンバーの内壁とで密閉されるように囲まれる空間を形成して該空間を減圧する減圧チャンバーと、前記減圧チャンバー内で前記ウェーハ保持手段に保持されたウェーハのデバイス領域に対応する裏面と前記粘着フィルム保持手段に保持された粘着フィルムとを接近させ、前記ウェーハと前記粘着フィルムとの空間を減圧させつつ押圧し、前記ウェーハのデバイス領域に対応する裏面に前記粘着フィルムを貼着させる制御手段と、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, an adhesive film sticking apparatus according to the present invention includes a device region in which a plurality of devices are formed on the surface of a wafer, and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. Formed on the back surface of the wafer, the back surface corresponding to the device region is processed to be thinner than the back surface of the outer periphery surplus region, and a ring-shaped reinforcement is formed on the back surface of the outer periphery surplus region. An adhesive film adhering apparatus for adhering an adhesive film for die bonding, the wafer holding means for holding the wafer, the adhesive film holding means for holding the adhesive film, the wafer holding means, and the adhesive film holding means accommodating the door, surrounded to be sealed with the inner wall of the vacuum chamber of the wafer holding means and the adhesive film holding means and the cylindrical A vacuum chamber that forms a space and depressurizes the space, a back surface corresponding to a device region of the wafer held by the wafer holding means in the vacuum chamber, and an adhesive film held by the adhesive film holding means are approached And a controller that presses the space between the wafer and the pressure-sensitive adhesive film while reducing the pressure, and attaches the pressure-sensitive adhesive film to the back surface corresponding to the device region of the wafer.
また、請求項2にかかる粘着フィルム貼着装置は、上記の発明において、前記粘着フィルム保持手段の保持面の直径は、前記ウェーハの裏面に形成されたリング状の補強部の内径よりも小さく、かつ前記粘着フィルム保持手段の保持面は、前記デバイス領域に対応していることを特徴とする。
Further, in the above invention, the pressure-sensitive adhesive film sticking apparatus according to
この発明にかかる粘着フィルム貼着装置は、制御手段が、減圧チャンバー内でウェーハ保持手段に保持されたウェーハのデバイス領域に対応する裏面と粘着フィルム保持手段に保持された粘着フィルムとを接近させ、この接近した前記ウェーハと前記粘着フィルムとの空間を減圧させつつ押圧し、前記ウェーハのデバイス領域に対応する裏面に前記粘着フィルムを貼着させるようにしているので、裏面が凹状に加工されたウェーハの裏面に対するDAFの密着を容易に行うことができるとともに貼着を確実に行うことができるという効果を奏する。 In the adhesive film sticking apparatus according to the present invention, the control means causes the back surface corresponding to the device region of the wafer held by the wafer holding means in the decompression chamber and the adhesive film held by the adhesive film holding means to approach, Since the space between the wafer and the adhesive film that are close to each other is pressed while reducing the pressure, and the adhesive film is attached to the back surface corresponding to the device region of the wafer, the wafer whose back surface is processed into a concave shape As a result, the DAF can be easily adhered to the back surface, and the sticking can be reliably performed.
以下、この発明を実施するための最良の形態である粘着フィルム貼着装置について図面を参照して説明する。 Hereinafter, an adhesive film sticking apparatus which is the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、粘着フィルムを貼着する対象であるウェーハの加工について説明する。図1に示したウェーハWの表面Waは、デバイス領域W1と外周余剰領域W2とを有する。デバイス領域W1には、ストリートSによって区画された複数のデバイスDが形成され、このデバイス領域W1の外周側には、デバイスDが形成されていない外周余剰領域W2が形成される。このデバイス領域W1は、外周余剰領域W2に囲繞されている。このウェーハWの表面Waは、ウェーハWの裏面Wbを研磨するにあたり、図2に示すように、デバイスDを保護するためにテープ等の保護部材1が貼着される。
First, processing of a wafer that is an object to which an adhesive film is attached will be described. The surface Wa of the wafer W shown in FIG. 1 has a device region W1 and an outer peripheral surplus region W2. A plurality of devices D partitioned by streets S are formed in the device region W1, and an outer peripheral surplus region W2 in which no device D is formed is formed on the outer peripheral side of the device region W1. This device region W1 is surrounded by the outer peripheral surplus region W2. When the back surface Wb of the wafer W is polished on the front surface Wa of the wafer W, a
その後、ウェーハWの裏面Wbのうちのデバイス領域W1に対応する部分、すなわち、デバイス領域1の裏側を研削して所望の厚さにする。この研削には、たとえば図3に示す研削装置2を用いることができる。
Thereafter, the portion corresponding to the device region W1 in the back surface Wb of the wafer W, that is, the back side of the
研削装置2は、ウェーハを保持するチャックテーブル20と、チャックテーブル20に保持されたウェーハに対して研削を施す研削部21とを備えている。研削部21は、垂直方向の軸心を有する回転軸22と、回転軸22の下端に装着されたホイール23と、ホイール23の下面に固着された砥石部24とを有する。ウェーハWは、保護部材1側がチャックテーブル20によって保持され、裏面Wbが露出した状態となる。そして、チャックテーブル20が回転するとともに、ホイール23が回転しながら、研削部21が下降することによって、回転する砥石部24がウェーハWの裏面Wbに接触して研削が行われる。このとき、砥石部24は、ウェーハWの表面Waに形成されたデバイス領域W1の裏側に接触させ、その外周側を研削しないようにする。デバイス領域W1の裏側が所望量研削されると、研削が終了する。このようにして、裏面Wbのうちのデバイス領域W1に対応する部分のみを研削することによって、図4および図5に示すように、裏面Wbに凹部W3が形成され、外周余剰領域W2に対応する部分には、研削前と同じ厚さを有するリング状補強部W4が残存する。たとえば、リング状補強部W4の幅は、2〜3mm程度であればよい。また、リング状補強部W4の厚さは、数百μmあることが望ましい。一方、デバイス領域W1の厚さは、30μm程度にまで薄くすることができる。
The
ここで、リング状補強部W4を有した凹状のウェーハWは、図6に示す粘着フィルム貼着装置3を用いて、裏面Wbのデバイス領域W1に対応する凹部に粘着フィルム(DAF)36を貼着する処理が施される。
Here, the concave wafer W having the ring-shaped reinforcing portion W4 is bonded to the concave portion corresponding to the device region W1 on the back surface Wb by using the adhesive
図6に示すように、粘着フィルム貼着装置3は、上下に昇降し、ウェーハWを真空吸着力によって保持するウェーハ保持部31と、上下に昇降し、DAF36を真空吸着力によって保持するDAF保持部32と、ウェーハ保持部31とDAF保持部32とによって挟まれた空間を形成し、この空間を真空吸引する減圧チャンバー33と、ウェーハ保持部31とDAF保持部32と減圧チャンバー33とを保持し、各部の制御を行う装置本体部30とを有する。
As shown in FIG. 6, the adhesive
ウェーハ保持部31およびDAF保持部32は、装置本体部30に対してそれぞれアーム31a,32aを介して円盤状のチャックテーブル34,35を有し、チャックテーブル34,35は、減圧チャンバー33に向けて対向する位置に配置される。減圧チャンバー33は、円筒形状をなし、その内径は、チャックテーブル34,35の外径にほぼ一致し、チャックテーブル34,35が減圧チャンバー33内に挿入された場合、チャックテーブル34,35によって挟まれた空間が密閉されるようにしている。一方、減圧チャンバー33の側面中央には、減圧チャンバー33内と装置本体部30との間を連通するバキューム孔33aが設けられ、このバキューム孔33aは、減圧チャンバー33を固定保持する減圧チャンバー保持部33b内に設けられる。
The
装置本体部30は、ウェーハ保持部31およびDAF保持部32の昇降駆動の制御を行う昇降駆動制御部30aと、チャックテーブル34,35および減圧チャンバー33に対する真空吸引を行うポンプ部30bと、昇降駆動制御部30aとポンプ部30bとの制御を行う制御部30cとを有する。ウェーハ保持部31およびDAF保持部32は、各アーム31a,32aの上下方向に取り付けられたラックギア31b,32bとモータに取り付けられたピニオンギア31c,32cとが噛み合うことによってピニオンギア31c,32cの回転運動が直線運動に変換される。このウェーハ保持部31およびDAF保持部32の上下昇降の手段は、これに限らず、ボールネジなどを用いて駆動するようにしてもよい。
The apparatus
ここで、図6および図7を参照して、粘着フィルム貼着装置3に対するウェーハWおよびDAF36の取付について説明する。図7に示すように、ウェーハWは、表面Wa側がチャックテーブル34の下面に向けてチャックテーブル34に取り付けられる。なお、図7では保護部材1が示されていないが、図6に示すように表面Waには保護部材1が取り付けられている。したがって、ウェーハWは、真空吸着によって保護部材1を介してチャックテーブル34に取り付けられる。一方、DAF36は、一方の面の全面に剥離紙36aが取り付けられた状態で、この剥離紙36aが、チャックテーブル35の保持面35aの上面に向けてチャックテーブル35に取り付けられる。したがって、DAF36は、剥離紙36aを介してチャックテーブル35の保持面35aに取り付けられる。
Here, with reference to FIG. 6 and FIG. 7, attachment of the wafer W and
この粘着フィルム貼着装置3を用いてウェーハWの凹部にDAF36を貼着させる動作について説明すると、まず、ウェーハWおよびDAF36がそれぞれチャックテーブル34,35に取り付けられた状態で、チャックテーブル34を下降させるとともにチャックテーブル35を上昇させて、各チャックテーブル34,35を減圧チャンバー33に挿入させ、チャックテーブル34とチャックテーブル35とをガイドしつつ近接させる。その後、チャックテーブル34上のウェーハWとチャックテーブル35上のDAF36との距離dが所定の距離d1になった場合、バキューム孔33aを介してウェーハWとDAF36と減圧チャンバー33とによって形成される空間Eを減圧しつつ、ウェーハWとDAF36とを押圧することによって貼着させる。所定の距離d1とは、たとえば、0.5mm〜1.0mmである。また、バキューム孔33aは、この所定の距離d1のときに形成される空間Eに連通する。このような貼着を行うことによって、ウェーハWの凹部底面とDAF36との間に空気などが介在しないため、確実な貼着を行うことができる。
The operation of adhering the
ここで、図8に示すタイムチャートをもとに、制御部30cによる貼着制御処理について説明する。制御部30cは、まず、チャックテーブル34,35にそれぞれウェーハWおよびDAF36を吸引力F1の力で真空吸着させる。一方、減圧チャンバー33は、大気に開放されており、吸引力F2の値は0である。
Here, the sticking control process by the
その後、制御部30cは、距離dが所定の距離d1になる時点t1のとき、減圧チャンバー33に対する吸引力をF3に増大させる。このとき、吸引力F3は、吸引力F1と同等にし、真空状態にする。そして、さらに距離dを縮め、各ウェーハ保持部31およびDAF保持部32の押圧によって、ウェーハWおよびDAF36との貼着が確実に行われる。特に、空間Eが減圧されて真空状態になるので、ウェーハWとDAF36との間の貼着面に介在する可能性のある空気などが確実に取り除かれ、確実な貼着を行うことができる。なお、F1の吸引力がF3の吸引力と同じになると、ウェーハWは、チャックテーブル34から脱落するが、距離dは、0.5mm〜1.0mmと小さいため、問題はない。
Thereafter, the
その後、制御部30cは、時点t2になると、減圧チャンバー33の吸引力をF3からF2に下げるとともに、チャックテーブル34,35の一方の吸引力をF1からF2に下げ、吸引力がF1であるチャックテーブル34,35のいずれかに、DAF36が貼着されたウェーハWを真空吸着によって保持させる。その後、制御部30cは、距離dを徐々に大きくして離隔させ、チャックテーブル34,35を、ウェーハWおよびDAF36を取り付けた初期位置に戻す。
Thereafter, at time t2, the
このようにして、図9に示すように、ウェーハWの裏面に形成された凹部にDAF36が確実に貼着されたウェーハWが得られる。なお、ウェーハWの表面には保護部材1が貼着されたままの状態であり、DAF36の表面には剥離紙36aが貼着されたままの状態である。
In this way, as shown in FIG. 9, a wafer W is obtained in which the
その後、DAF36が貼着されたウェーハWのダイシングが行われる。まず、図10に示すように、ウェーハWの表面に貼着されている保護部材1を剥離するとともに、DAF36の剥離紙36aを剥離する。その後、このウェーハWは、図11に示すように、表面WaがダイシングテープTに貼着され、ウェーハWがダイシングテープTを介してダイシングフレームFに支持され、裏面(DAF36)が露出した状態になる。
Thereafter, dicing of the wafer W to which the
ダイシングフレームFに支持されたウェーハWは、表面Waに形成されたストリートSに沿って切断することによってダイシングされ、各デバイスDに分割される。このダイシングは、レーザ光をストリートSに照射することによっても実現されるが、ここでは、たとえば図12に示す切削装置4を用いてストリートSを切削する場合について説明する。 The wafer W supported by the dicing frame F is diced by cutting along the streets S formed on the surface Wa, and divided into devices D. Although this dicing is also realized by irradiating the street S with laser light, here, for example, a case where the street S is cut using the cutting device 4 shown in FIG. 12 will be described.
切削装置4は、ウェーハWを保持するチャックテーブル40と、ウェーハWを支持したダイシングフレームFを支持するフレームクランプ40aと、チャックテーブル40に保持されたウェーハWに作用して切削を行う切削部41とを有する。チャックテーブル40は、駆動源400に連結されて回転可能になっている。駆動源400は、移動基台401に固定されており、移動基台401は、切削送り部42によってX軸方向に移動可能になっている。切削送り部42は、X軸方向に配列されたボールネジ420と、ボールネジ420の一端に連結されたパルスモータ421と、ボールネジ420と平行に配列された一対のガイドレール422とから構成され、ボールネジ420には、移動基台401の下部に備えた図示しないナットが螺合している。ボールネジ420は、パルスモータ421に駆動されて回転し、それに伴って移動基台401がガイドレール422にガイドされてX軸方向に移動する構成となっている。
The cutting device 4 includes a chuck table 40 that holds the wafer W, a
切削部41は、ハウジング410によって回転可能に支持されたスピンドル411の先端に切削ブレード412が装着され、ハウジング410は、支持部413によって支持される。
In the cutting
ハウジング410の側部には、ウェーハWのストリートSを検出するアライメント部43が固定される。アライメント部43は、ウェーハWの裏面から透過してウェーハWの表面を撮像する赤外線カメラ430を有し、この赤外線カメラ430によって取得した画像をもとに、予め記憶されたキーパターンとのパターンマッチングなどの処理によって、切削すべきストリートSを検出する。
An
切削部41およびアライメント部43は、切り込み送り部44によってZ軸方向に移動可能となっている。切り込み送り部44は、壁部440の一方の面においてZ軸方向に配列されたボールネジ441と、このボールネジ441を回動させるパルスモータ442と、ボールネジ441と平行に配列されたガイドレール443とを有し、支持部413の内部の図示しないナットがボールネジ441に螺合している。支持部413は、パルスモータ442によって駆動されてボールネジ441が回動するのに伴ってガイドレール443にガイドされてZ軸方向に昇降し、支持部413に支持された切削部41もZ軸方向に昇降する構成となっている。
The cutting
切削部4は、割り出し送り部45によってY軸方向に移動可能になっている。割り出し送り部45は、Y軸方向に配列されたボールネジ450と、壁部440と一体に形成され、内部のナットがボールネジ450に螺合する移動基台451と、ボールネジ450を回動させるパルスモータ452と、ボールネジ450と平行に配列されたガイドレール453とを有し、移動基台451の内部の図示しないナットがボールネジ450に螺合している。移動基台451は、パルスモータ452によって駆動されてボールネジ450が回動するのに伴ってガイドレール453にガイドされてY軸方向に移動し、これに伴い切削部41もY軸方向に移動する構成となっている。
The cutting unit 4 is movable in the Y-axis direction by an
ダイシングテープTを介してダイシングフレームFに支持されたウェーハWはその裏面側Wbが露出した状態、すなわちDAF36が配設された側が露出した状態で、チャックテーブル40に吸引保持される。そして、チャックテーブル40が+X方向に移動することによってウェーハWが赤外線カメラ430の直下に位置付けられ、赤外線カメラ430によってウェーハWを透過させてウェーハWの表面Waが撮像され、その画像をもとにアライメント部43によってストリートSが検出されるとともに、このストリートSと切削ブレード412とのY軸方向の位置合わせが行われる。
The wafer W supported by the dicing frame F via the dicing tape T is sucked and held by the chuck table 40 with the back side Wb exposed, that is, the side where the
さらに、切削送り部42によってチャックテーブル40を+X軸方向に移動させるとともに、切削ブレード412を高速回転させながら、切り込み送り部44によって切削部41を下降させ、検出されたストリートSに向けて切削ブレード412を切り込ませ、このストリートSを切削する。
Further, the chuck table 40 is moved in the + X-axis direction by the cutting
割り出し送り部45によって切削部41をストリートSの間隔ずつ割り出し送りさせながら順次同様の切削を行い、同方向のストリートSがすべて切削された後は、チャックテーブル40を90度回転させながら同様の切削を行うことによって、ウェーハWが個々のデバイスDに分割される。各ストリートSを切削する際は、ストリートSの延長線上のリング状補強部W4も切削するようにすれば、後にリング状補強部W4を除去する必要がなくなる。
The same cutting is sequentially performed while the
なお、各デバイスの分割前に、リング状補強部W4の内周に沿ってその若干内側を切断し、図13に示すように、リング状補強部W4を除去するようにしてもよい。このリング状補強部W4の除去は、たとえば、ダイシングテープTを介してダイシングフレームFに支持されたウェーハWを回転させながら、リング状補強部W4の内周に沿って切削することによって実現される。リング状補強部W4が除去されると、ダイシングフレームF上にはダイシングテープTを介し、上面にDAF36が貼着されたウェーハWが残存する。このようにリング状補強部W4を各デバイスDの分割前に除去しておくと、各デバイスDの分割時に、デバイス領域W1のみを切削すればよく、リング状補強部W4を切削する必要がないため、ウェーハWを保持するチャックテーブル40の移動ストロークを短くすることができる。
Before dividing each device, the inner side of the ring-shaped reinforcing portion W4 may be cut slightly along the inner periphery to remove the ring-shaped reinforcing portion W4 as shown in FIG. The removal of the ring-shaped reinforcing portion W4 is realized, for example, by cutting along the inner periphery of the ring-shaped reinforcing portion W4 while rotating the wafer W supported by the dicing frame F via the dicing tape T. . When the ring-shaped reinforcing portion W4 is removed, the wafer W with the
なお、上述した分割処理では、ウェーハWの裏面側からダイシングする場合について説明したが、これに限らず、表面側からダイシングするようにしてもよい。この場合、裏面の凹部に対応する凸部を有したダイシングテープを設けるようにするとよい。この凸部は、すでに貼着されたDAF36までの深さを補うものである。この裏面側からウェーハWを切削装置4によってダイシングする場合、ウェーハWは、ストリートSが形成された表面Waが露出した状態であるため、アライメントの際の撮像に用いるカメラは、赤外線カメラである必要はない。また、ダイシングの前にリング状補強部W4を除去してもよい。 In the above-described division processing, the case where dicing is performed from the back surface side of the wafer W has been described. However, the present invention is not limited to this, and dicing may be performed from the front surface side. In this case, a dicing tape having a convex portion corresponding to the concave portion on the back surface may be provided. This convex part supplements the depth to DAF36 already stuck. When the wafer W is diced from the back side by the cutting device 4, the wafer W is in a state where the surface Wa on which the streets S are formed is exposed, so the camera used for imaging during alignment needs to be an infrared camera. There is no. Further, the ring-shaped reinforcing portion W4 may be removed before dicing.
なお、上述した実施の形態では、真空吸着によるチャックテーブル34,35を用いてウェーハWおよびDAF36を保持するようにしていたが、これに限らず、静電気力を用いた静電チャックテーブルによってウェーハWおよびDAF36を保持するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the wafer W and the
また、図4および図5に示したウェーハWに加工された後に、このウェーハWの裏面に金属などの導電膜を形成し、この導電膜を接地させて各デバイスDの試験を行い、その後、この裏面の凹部に上述したDAF36を貼着するようにしてもよい。 Further, after being processed into the wafer W shown in FIG. 4 and FIG. 5, a conductive film such as a metal is formed on the back surface of the wafer W, the conductive film is grounded, and each device D is tested. You may make it stick the DAF36 mentioned above to the recessed part of this back surface.
さらに、ウェーハWの裏面のうちのデバイス領域W1に対応する領域に凹部を形成し、この凹部の外周側に外周余剰領域を含むリング状補強部W4を形成する方法は、研削装置2による研削処理に限らず、たとえば、ウェーハWの裏面のうち形成すべき凹部以外の部分をマスキングし、このマスキングされていない部分にフッ素系ガスによってプラズマエッチングを施したり、フッ素系エッチング液でウェットエッチングを施したりすることによって凹部を形成してリング状補強部W4を形成するようにしてもよいし、CMPによって凹部を形成してリング状補強部W4を形成するようにしてもよい。
Furthermore, a method of forming a concave portion in a region corresponding to the device region W1 on the back surface of the wafer W and forming a ring-shaped reinforcing portion W4 including an outer peripheral surplus region on the outer peripheral side of the concave portion is a grinding process performed by the grinding
また、上述した制御部30cは、時点t1,t2で、チャックテーブル34,35および減圧チャンバー33の吸引力を急激に変化させているが、徐々に吸引力を変化させるようにしてもよい。
Moreover, although the
1 保護部材
2 研削装置
3 被加工物搬出・搬入機構
4 切削装置
20,34,35 チャックテーブル
21 研削部
22 回転軸
23 ホイール
24 砥石部
30 装置本体部
30a 昇降駆動制御部
30b ポンプ部
30c 制御部
31 ウェーハ保持部
31a,32a アーム
31b,32b ラックギア
31c,32c ピニオンギア
32 DAF保持部
33 減圧チャンバー
33a バキューム孔
33b 減圧チャンバー保持部
36 DAF
36a 剥離紙
40 チャックテーブル
40a フレームクランプ
41 切削部
42 切削送り部
43 アライメント部
44 切り込み送り部
45 割り出し送り部
400 駆動源
401,451 移動基台
410 ハウジング
411 スピンドル
412 切削ブレード
413 支持部
420,441,450 ボールネジ
421,442,452 パルスモータ
422,443,453 ガイドレール
430 赤外線カメラ
440 壁部
W ウェーハ
Wa 表面
Wb 裏面
W1 デバイス領域
W2 外周余剰領域
W3 凹部
W4 リング状補強部
S ストリート
D デバイス
F ダイシングフレーム
T ダイシングテープ
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記ウェーハを保持するウェーハ保持手段と、
前記粘着フィルムを保持する粘着フィルム保持手段と、
前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段とを収容し、前記ウェーハ保持手段と前記粘着フィルム保持手段と円筒形状の減圧チャンバーの内壁とで密閉されるように囲まれる空間を形成して該空間を減圧する減圧チャンバーと、
前記減圧チャンバー内で前記ウェーハ保持手段に保持されたウェーハのデバイス領域に対応する裏面と前記粘着フィルム保持手段に保持された粘着フィルムとを接近させ、前記ウェーハと前記粘着フィルムとの空間を減圧させつつ押圧し、前記ウェーハのデバイス領域に対応する裏面に前記粘着フィルムを貼着させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする粘着フィルム貼着装置。 A device region in which a plurality of devices are formed on the front surface of the wafer and an outer peripheral surplus region surrounding the device region are formed, and a back surface corresponding to the device region is processed thinner than a back surface of the outer peripheral surplus region. A ring-shaped reinforcing portion is formed on the back surface of the outer peripheral surplus area, and is an adhesive film sticking device for sticking a pressure-sensitive adhesive film for die bonding on the back surface of a wafer processed into a concave shape,
Wafer holding means for holding the wafer;
An adhesive film holding means for holding the adhesive film;
The wafer holding means and the adhesive film holding means are accommodated, and a space surrounded by the wafer holding means, the adhesive film holding means, and an inner wall of a cylindrical decompression chamber is formed so as to be sealed. A decompression chamber for decompression;
The back surface corresponding to the device area of the wafer held by the wafer holding means in the vacuum chamber and the adhesive film held by the adhesive film holding means are brought close to each other, and the space between the wafer and the adhesive film is reduced. Control means for pressing the adhesive film on the back surface corresponding to the device region of the wafer,
An adhesive film sticking apparatus comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005259754A JP4637692B2 (en) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | Adhesive film sticking device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005259754A JP4637692B2 (en) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | Adhesive film sticking device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073767A JP2007073767A (en) | 2007-03-22 |
JP4637692B2 true JP4637692B2 (en) | 2011-02-23 |
Family
ID=37934952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005259754A Active JP4637692B2 (en) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | Adhesive film sticking device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4637692B2 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5522773B2 (en) * | 2008-12-09 | 2014-06-18 | リンテック株式会社 | Semiconductor wafer holding method, chip body manufacturing method, and spacer |
JP5261308B2 (en) * | 2009-07-24 | 2013-08-14 | リンテック株式会社 | Pressing device |
CN102082078B (en) * | 2010-10-22 | 2012-10-03 | 上海技美电子科技有限公司 | Method and device suitable for laminating film for ultrathin wafer |
JP5785420B2 (en) * | 2011-03-31 | 2015-09-30 | リンテック株式会社 | Protective film forming sheet and semiconductor chip manufacturing method |
JP5895676B2 (en) | 2012-04-09 | 2016-03-30 | 三菱電機株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
JP7037422B2 (en) * | 2018-04-16 | 2022-03-16 | 株式会社ディスコ | Processing method of work piece |
JP2021129038A (en) | 2020-02-14 | 2021-09-02 | 株式会社ディスコ | Tape sticking device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121384A (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Kansai Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH0697268A (en) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Nitto Denko Corp | Sticking device for adhesive tape on wafer |
-
2005
- 2005-09-07 JP JP2005259754A patent/JP4637692B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121384A (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nec Kansai Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH0697268A (en) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Nitto Denko Corp | Sticking device for adhesive tape on wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007073767A (en) | 2007-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5613793B2 (en) | Wafer processing method | |
JP5390740B2 (en) | Wafer processing method | |
JP4637692B2 (en) | Adhesive film sticking device | |
JP4647228B2 (en) | Wafer processing method | |
US8815644B2 (en) | Wafer processing method | |
JP4749851B2 (en) | Wafer dividing method | |
JP4739900B2 (en) | Transfer device and transfer method | |
JP4800715B2 (en) | Wafer dividing method | |
JP5048379B2 (en) | Wafer processing method | |
US20070238264A1 (en) | Method and apparatus for supporting wafer | |
CN107768296B (en) | Peeling method and peeling apparatus | |
CN107452609B (en) | Wafer processing method | |
JP2010186971A (en) | Wafer processing method | |
JP2014120494A (en) | Wafer processing method | |
JP2007305628A (en) | Processing system and method therefor | |
KR20170066251A (en) | Wafer processing method | |
KR20170049397A (en) | Wafer processing method | |
JP4749849B2 (en) | Wafer dividing method | |
CN108015650B (en) | Method for processing wafer | |
JP2008218599A (en) | Method and apparatus for processing wafer | |
JP2007287796A (en) | Processing method of wafer | |
JP2012146889A (en) | Method for grinding wafer | |
JP2020131368A (en) | Grinding device | |
KR20190003348A (en) | Wafer processing method | |
JP2013219245A (en) | Method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101124 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4637692 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |