JP4628837B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、偏光板及びλ/4板(位相差板)が設けられた液晶表示装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device provided with a polarizing plate and a λ / 4 plate (retardation plate) and a method for manufacturing the same.

液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く利用されている。特に、画素毎にスイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor :薄膜トランジスタ)が設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもCRT(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れているため、テレビやパーソナルコンピュ−タ等のディスプレイに広く使用されている。   A liquid crystal display device is advantageous in that it is thin and lightweight, can be driven at a low voltage and consumes less power, and is widely used in various electronic devices. In particular, an active matrix type liquid crystal display device in which a TFT (Thin Film Transistor) is provided as a switching element for each pixel is superior in terms of display quality to comparable to a CRT (Cathode-Ray Tube). Widely used in displays such as televisions and personal computers.

一般的な液晶表示装置は、相互に対向して配置された2枚の基板の間に液晶を封入した構造を有している。一方の基板にはTFT及び画素電極等が形成され、他方の基板にはカラーフィルタ及びコモン(共通)電極等が形成されている。以下、TFT及び画素電極等が形成された基板をTFT基板と呼び、TFT基板に対向して配置される基板を対向基板と呼ぶ。また、TFT基板と対向基板との間に液晶を封入してなる構造物を液晶パネルと呼ぶ。   A general liquid crystal display device has a structure in which liquid crystal is sealed between two substrates arranged to face each other. A TFT, a pixel electrode, and the like are formed on one substrate, and a color filter, a common (common) electrode, and the like are formed on the other substrate. Hereinafter, a substrate on which a TFT, a pixel electrode, and the like are formed is referred to as a TFT substrate, and a substrate disposed to face the TFT substrate is referred to as a counter substrate. A structure in which liquid crystal is sealed between a TFT substrate and a counter substrate is called a liquid crystal panel.

液晶表示装置には、バックライトを光源とし液晶パネルを透過する光により画像を表示する透過型液晶表示装置と、外光(自然光又は電灯光)の反射を利用して画像を表示する反射型液晶表示装置と、暗いところではバックライトを使用し、明るいところでは外光の反射を利用して画像を表示する半透過型液晶表示装置とがある。   The liquid crystal display device includes a transmissive liquid crystal display device that displays an image by light transmitted through a liquid crystal panel using a backlight as a light source, and a reflective liquid crystal that displays an image using reflection of external light (natural light or electric light). There are display devices and transflective liquid crystal display devices that use a backlight in dark places and display images using reflection of external light in bright places.

反射型液晶表示装置は、バックライトが不要なため、透過型液晶表示装置よりも消費電力が小さいという利点がある。また、周囲が明るい場所では、バックライトを利用する透過型液晶表示装置よりも、外光を利用する反射型液晶表示装置又は半透過型液晶表示装置のほうが画像が綺麗に見えることが多い。   The reflective liquid crystal display device has an advantage that power consumption is smaller than that of the transmissive liquid crystal display device because a backlight is unnecessary. Further, in a place where the surroundings are bright, an image is often seen more clearly with a reflective liquid crystal display device or a transflective liquid crystal display device using external light than with a transmissive liquid crystal display device using a backlight.

特許第3420663号公報には、1画素内に反射電極と透明電極とが設けられた半透過型液晶表示装置が記載されている。この特許公報に記載されているように、一般的な半透過型液晶表示装置では、液晶パネルの両側にそれぞれ偏光板及びλ/4板(位相差板)が配置されている。偏光板はその吸収軸を相互に直交させて配置され、λ/4板はその遅相軸を相互に直交させて配置される。また、特許第3031229号公報にも、液晶パネルの両側にそれぞれ偏光板及びλ/4板を配置した液晶表示装置が記載されている。   Japanese Patent No. 3420663 describes a transflective liquid crystal display device in which a reflective electrode and a transparent electrode are provided in one pixel. As described in this patent publication, in a general transflective liquid crystal display device, a polarizing plate and a λ / 4 plate (retardation plate) are arranged on both sides of a liquid crystal panel, respectively. The polarizing plate is disposed with its absorption axes orthogonal to each other, and the λ / 4 plate is disposed with its slow axes orthogonal to each other. Japanese Patent No. 3031229 also describes a liquid crystal display device in which a polarizing plate and a λ / 4 plate are arranged on both sides of a liquid crystal panel.

図1は、従来の半透過型液晶表示装置の構造を示す模式図である。この図1に示すように、半透過型液晶表示装置は、液晶パネル10と、液晶パネル10の裏面側(図1では下側)に配置されたバックライトユニット20と、液晶パネル10を挟んで配置された2枚の偏光板14a,14bと、液晶パネル10と裏面側の偏光板14aとの間に配置されたλ/4板15aと、液晶パネル10と前面側(観察者側:図1では上側))の偏光板14bとの間に配置されたλ/4板15bとにより構成されている。偏光板14a,14bは、前述したように、その吸収軸を相互に直交させて配置されている。また、λ/4板15a,15bは、その遅相軸を相互に直交させて配置されている。   FIG. 1 is a schematic view showing the structure of a conventional transflective liquid crystal display device. As shown in FIG. 1, the transflective liquid crystal display device includes a liquid crystal panel 10, a backlight unit 20 disposed on the back side of the liquid crystal panel 10 (lower side in FIG. 1), and the liquid crystal panel 10. The two polarizing plates 14a and 14b arranged, the λ / 4 plate 15a arranged between the liquid crystal panel 10 and the polarizing plate 14a on the back side, the liquid crystal panel 10 and the front side (observer side: FIG. 1) In this case, the λ / 4 plate 15b is disposed between the polarizing plate 14b on the upper side). As described above, the polarizing plates 14a and 14b are arranged with their absorption axes orthogonal to each other. The λ / 4 plates 15a and 15b are arranged with their slow axes orthogonal to each other.

液晶パネル10は、2枚の基板11,12と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶(垂直配向型液晶)からなる液晶層13とにより構成されている。また、液晶パネル10には多数の画素がマトリクス状に配列されており、各画素にはAl(アルミニウム)等の反射率が高い金属からなる反射電極17aが配置された反射領域とITO(Indium-Tin Oxide)等の透明導電体からなる透明電極17bが配置された透過領域とが設けられている。この図1に示す例では、裏面側の基板(TFT基板)11に反射電極17a及び透明電極17bが設けられている。また、前面側の基板(対向基板)12には、各画素共通のコモン電極18が形成されている。   The liquid crystal panel 10 is composed of two substrates 11 and 12 and a liquid crystal layer 13 made of liquid crystal (vertical alignment type liquid crystal) having negative dielectric anisotropy enclosed between them. In addition, a large number of pixels are arranged in a matrix on the liquid crystal panel 10, and each pixel has a reflective region in which a reflective electrode 17a made of a metal having high reflectivity such as Al (aluminum) is disposed, and ITO (Indium- And a transparent region in which a transparent electrode 17b made of a transparent conductor such as Tin Oxide is disposed. In the example shown in FIG. 1, a reflective electrode 17a and a transparent electrode 17b are provided on a substrate (TFT substrate) 11 on the back side. Further, a common electrode 18 common to each pixel is formed on the front substrate (counter substrate) 12.

バックライトユニット20は、光源21と、反射板22と、導光板23とにより構成されている。光源21は導光板23の端面近傍に配置されており、この光源21から出射された光は直接又は反射板22で反射されて導光板23の端面から導光板23内に進入する。導光板23の裏面側には例えば反射層が設けられており、前面側には例えば散乱層が設けられている。そして、この導光板23は、端面から入力された光を液晶パネル10に向けて均一に出力する。   The backlight unit 20 includes a light source 21, a reflection plate 22, and a light guide plate 23. The light source 21 is disposed in the vicinity of the end face of the light guide plate 23, and the light emitted from the light source 21 enters the light guide plate 23 from the end face of the light guide plate 23 directly or after being reflected by the reflecting plate 22. For example, a reflective layer is provided on the back side of the light guide plate 23, and a scattering layer is provided on the front side. The light guide plate 23 uniformly outputs the light input from the end face toward the liquid crystal panel 10.

このように構成された半透過型液晶表示装置において、画素電極(反射電極17a及び透明電極17b)とコモン電極18との間に電圧を印加していないときには黒表示(暗表示)となり、画素電極とコモン電極18との間に所定の電圧を印加すると白表示(明表示)となる。画素電極とコモン電極18との間に印加する電圧を制御することにより、パネル前面側に出射される光の量を調整することができる。そして、1画素毎に画素電極とコモン電極18との間に印加する電圧を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像を表示することができる。
特許第3410663号公報 特許第3031229号公報
In the transflective liquid crystal display device configured as described above, when no voltage is applied between the pixel electrode (the reflective electrode 17a and the transparent electrode 17b) and the common electrode 18, black display (dark display) is obtained. When a predetermined voltage is applied between the common electrode 18 and the common electrode 18, white display (bright display) is obtained. By controlling the voltage applied between the pixel electrode and the common electrode 18, the amount of light emitted to the front side of the panel can be adjusted. A desired image can be displayed on the liquid crystal display device by controlling the voltage applied between the pixel electrode and the common electrode 18 for each pixel.
Japanese Patent No. 3410663 Japanese Patent No. 3031229

しかしながら、本願発明者等は、上述した従来の半透過型液晶表示装置には以下に示す問題点があると考える。   However, the present inventors consider that the above-described conventional transflective liquid crystal display device has the following problems.

図2は従来の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図、図3は同じくその白表示時における光の状態を示す模式図である。なお、図2,図3において、図1と同一物には同一符号を付している。また、図2,図3において、30は液晶層中の液晶分子を示している。   FIG. 2 is a schematic diagram showing the light state during black display of a conventional transflective liquid crystal display device, and FIG. 3 is a schematic diagram showing the light state during white display. 2 and 3, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. 2 and 3, reference numeral 30 denotes liquid crystal molecules in the liquid crystal layer.

パネル前面側(図2,図3では上側)からの光は、偏光板14bを通るときに直線偏光光となり、λ/4板15bにより一定の方向に回転(図2,図3では左回転)する円偏光光に変換される。この光は、反射電極17aで反射されて逆回転(図2,図3では右回転)の円偏光光となり、λ/4板15bにより直線偏光光に変換される。   Light from the front side of the panel (upper side in FIGS. 2 and 3) becomes linearly polarized light when passing through the polarizing plate 14b and is rotated in a certain direction by the λ / 4 plate 15b (left rotation in FIGS. 2 and 3). Converted into circularly polarized light. This light is reflected by the reflective electrode 17a, becomes circularly polarized light of reverse rotation (right rotation in FIGS. 2 and 3), and is converted into linearly polarized light by the λ / 4 plate 15b.

このとき、図2に示すように、黒表示時には液晶分子30が基板面に対し垂直に配向しており、直線偏光光の偏光方向が偏光板14bの透過軸の方向に対して垂直となるため、光が偏光板14bで遮断される。また、図3に示すように、白表示時には液晶分子30が基板面に平行に配向し、その液晶分子30の屈折率異方性の影響により直線偏光光の偏光方向が偏光板14bの透過軸の方向に平行となるため、光が偏光板14bを透過してパネル前面側に出力される。   At this time, as shown in FIG. 2, the liquid crystal molecules 30 are aligned perpendicularly to the substrate surface during black display, and the polarization direction of the linearly polarized light is perpendicular to the direction of the transmission axis of the polarizing plate 14b. , The light is blocked by the polarizing plate 14b. In addition, as shown in FIG. 3, during white display, the liquid crystal molecules 30 are aligned parallel to the substrate surface, and the polarization direction of linearly polarized light is influenced by the refractive index anisotropy of the liquid crystal molecules 30 and the transmission axis of the polarizing plate 14b. Therefore, the light passes through the polarizing plate 14b and is output to the front side of the panel.

一方、バックライトユニット20から出力された光は、パネル裏面側の偏光板14aを通るときに直線偏光光となり、λ/4板15aにより一定の方向に回転(図2,図3では右回転)する円偏光光に変換され、透明電極17bを透過する。この光は、前面側のλ/4板15bにより直線偏光光に変換される。このとき、図2に示すように、黒表示時には直線偏光光の偏光方向が偏光板14bの透過軸の方向に対して垂直となるため、光が偏光板14bで遮断される。また、図3に示すように、白表示時には液晶分子30の屈折率異方性の影響により直線偏光光の偏光方向が偏光板14bの透過軸の方向に平行となるため、光が偏光板14bを透過してパネル前面側に出力される。   On the other hand, the light output from the backlight unit 20 becomes linearly polarized light when passing through the polarizing plate 14a on the back side of the panel, and is rotated in a certain direction by the λ / 4 plate 15a (right rotation in FIGS. 2 and 3). Is converted into circularly polarized light that passes through the transparent electrode 17b. This light is converted into linearly polarized light by the front side λ / 4 plate 15b. At this time, as shown in FIG. 2, during black display, the polarization direction of the linearly polarized light is perpendicular to the direction of the transmission axis of the polarizing plate 14b, so that the light is blocked by the polarizing plate 14b. Also, as shown in FIG. 3, during white display, the polarization direction of the linearly polarized light is parallel to the direction of the transmission axis of the polarizing plate 14b due to the influence of the refractive index anisotropy of the liquid crystal molecules 30, so that the light is polarized. Is transmitted to the front side of the panel.

従来の半透過型液晶表示装置では、上述したように、透過領域ではバックライトユニット20から出射された光が透明電極17bを透過して液晶パネル10の前面側に出力される。しかし、反射領域では、バックライトユニット20から出射された光が偏光板14aに吸収されて無駄になる。すなわち、バックライトユニット20から出力された光は、偏光板14aを通るときに直線偏光光となり、λ/4板15aにより一定の方向に回転(図2,図3では右回転)する円偏光光に変換される。この光は、反射電極17aで反射されて逆回転(図2,図3では左回転)の円偏光光となり、λ/4板15aにより直線偏光光に変換される。この直線偏光光は、偏光方向が偏光板14aの透過軸に対して直交する方向になるので、偏光板14aを通過することができない。   In the conventional transflective liquid crystal display device, as described above, in the transmissive region, the light emitted from the backlight unit 20 is transmitted through the transparent electrode 17b and output to the front side of the liquid crystal panel 10. However, in the reflection region, the light emitted from the backlight unit 20 is absorbed by the polarizing plate 14a and is wasted. That is, the light output from the backlight unit 20 becomes linearly polarized light when passing through the polarizing plate 14a, and is circularly polarized light that rotates in a certain direction (rotates clockwise in FIGS. 2 and 3) by the λ / 4 plate 15a. Is converted to This light is reflected by the reflective electrode 17a and becomes a circularly polarized light of reverse rotation (left rotation in FIGS. 2 and 3), and is converted into linearly polarized light by the λ / 4 plate 15a. The linearly polarized light cannot pass through the polarizing plate 14a because the polarization direction is perpendicular to the transmission axis of the polarizing plate 14a.

液晶表示装置では、より一層の省電力化が要望されている。しかしながら、上述したように、バックライトユニット20から出力されて反射電極17aで反射された光は、最終的に偏光板14aに吸収されてしまうので無駄となっている。仮に、反射電極17aで反射された光をバックライトユニット20に戻すことができれば、その光を再度透過領域に出射させることが可能になり、光の利用効率が向上して従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。   In the liquid crystal display device, further power saving is demanded. However, as described above, the light output from the backlight unit 20 and reflected by the reflective electrode 17a is eventually absorbed by the polarizing plate 14a, and is wasted. If the light reflected by the reflective electrode 17a can be returned to the backlight unit 20, the light can be emitted again to the transmission region, and the light utilization efficiency is improved, which is even more than in the past. It becomes possible to save power.

また、従来の液晶表示装置では、以下に示す問題点もある。すなわち、TFT基板の製造の過程で、配線(ゲートバスライン及びデータバスライン等)の断線や短絡等の欠陥が発生することがある。これらの欠陥は実際に液晶パネルを形成し、偏光板を貼合わせた後に判明することが殆どである。λ/4板がない場合は偏光板を介して配線等を観察することができるので、TFT基板の欠陥箇所を目視で検出することができる。しかし、液晶パネルと偏光板との間にλ/4板を配置した液晶表示装置の場合は、配線等で反射された光が偏光板を透過することができないため、欠陥の検査を目視で行うことができない。   The conventional liquid crystal display device also has the following problems. That is, in the process of manufacturing the TFT substrate, defects such as disconnection or short circuit of wiring (gate bus line, data bus line, etc.) may occur. Most of these defects are found after actually forming a liquid crystal panel and laminating a polarizing plate. When there is no λ / 4 plate, wiring and the like can be observed through the polarizing plate, so that a defective portion of the TFT substrate can be detected visually. However, in the case of a liquid crystal display device in which a λ / 4 plate is disposed between the liquid crystal panel and the polarizing plate, the light reflected by the wiring or the like cannot pass through the polarizing plate, so the defect is inspected visually. I can't.

以上から、本発明の目的は、バックライトユニットから反射領域に出射された光をバックライトユニットに戻すことができて、従来に比べて光の利用効率がより一層向上する液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。   As described above, an object of the present invention is to allow the light emitted from the backlight unit to the reflection area to be returned to the backlight unit, and to improve the light utilization efficiency compared to the conventional liquid crystal display device and its manufacture Is to provide a method.

また、本発明の他の目的は、液晶パネルの両側にそれぞれ位相差板及び偏光板が配置された液晶表示装置において、バスライン等の欠陥の検査を目視で行うことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。   Another object of the present invention is a liquid crystal display device in which retardation plates and polarizing plates are respectively arranged on both sides of the liquid crystal panel, and a liquid crystal display device capable of visually inspecting defects such as bus lines and the like. It is to provide a manufacturing method.

上記した課題は、第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、前記第1の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第1のλ/4板及び第1の偏光板と、前記第2の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第2のλ/4板及び第2の偏光板とを有し、前記第1の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される画素電極とが形成され、前記第1のλ/4板、又は前記第1のλ/4板及び前記第1の偏光板には、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられ、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとの一方で反射された光は、前記開口部を通じて前記第1のλ/4板及び前記第1の偏光板を透過することを特徴とする液晶表示装置により解決する。 The above-described problem includes a first substrate, a second substrate disposed to face the first substrate, and a liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal panel including a plurality of pixels arranged, a first λ / 4 plate disposed on a surface of the first substrate opposite to the surface on the liquid crystal layer side, and A first polarizing plate, a second λ / 4 plate and a second polarizing plate disposed on a surface opposite to the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and the first polarizing plate. On the surface of the substrate on the liquid crystal layer side, a plurality of gate bus lines to which scanning signals are supplied, a plurality of data bus lines to which display signals are supplied, and provided for each pixel are driven by the scanning signals. And a pixel electrode that is provided for each pixel and to which the display signal is supplied via the switching element The first λ / 4 plate, or the first λ / 4 plate and the first polarizing plate are aligned with at least one of the gate bus line and the data bus line. An opening is provided at a position, and light reflected by at least one of the gate bus line and the data bus line passes through the opening and the first λ / 4 plate and the first polarizing plate. This is solved by a liquid crystal display device characterized by transmitting light.

本発明においては、第1の基板の液晶層側の面と反対の面側に第1のλ/4板及び第1の偏光板が配置されており、これらの第1のλ/4板及び第1の偏光板のうちの少なくとも一方には、ゲートバスライン及びデータバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられている。これにより、液晶パネルにλ/4板及び偏光板を接合した後であっても、ゲートバスライン又はデータバスラインを目視することができて、欠陥箇所を容易に特定することができる。   In the present invention, the first λ / 4 plate and the first polarizing plate are disposed on the surface of the first substrate opposite to the surface on the liquid crystal layer side, and these first λ / 4 plate and At least one of the first polarizing plates has an opening at a position aligned with at least one of the gate bus line and the data bus line. Thus, even after the λ / 4 plate and the polarizing plate are bonded to the liquid crystal panel, the gate bus line or the data bus line can be visually observed, and the defective portion can be easily identified.

また、反射電極を有する液晶表示装置の場合、第1のλ/4板及び第1の偏光板のいずれか一方の反射電極に整合する位置に開口部を設けることにより、バックライトユニットから出力されて反射電極で反射された光をバックライトユニットに戻すことができる。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。   Further, in the case of a liquid crystal display device having a reflective electrode, an output is provided from the backlight unit by providing an opening at a position that matches the reflective electrode of either the first λ / 4 plate or the first polarizing plate. Thus, the light reflected by the reflective electrode can be returned to the backlight unit. Thereby, the utilization efficiency of light can be improved, and further power saving can be achieved as compared with the conventional case.

上記した課題は、第1の基板の第1の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、前記第1の基板の第2の面上にλ/4板を接合する工程と、前記λ/4板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ/4板を露出させる工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ/4板をエッチングする工程と、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法により解決する。   The above-described problems include a step of forming a plurality of gate bus lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of data bus lines to which a display signal is supplied on the first surface of the first substrate; A step of bonding a λ / 4 plate on the second surface of one substrate, a step of forming a photoresist film on the λ / 4 plate, and exposing the photoresist film, followed by development processing. Exposing the λ / 4 plate at a position aligned with the gate bus line and the data bus line, etching the λ / 4 plate using the photoresist film as a mask, and removing the photoresist film. This is solved by a method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step; and a step of disposing a second substrate so as to face the first substrate and enclosing a liquid crystal therebetween.

本発明においては、第1の基板の一方の面(第1の面)上にゲートバスライン及びデータバスラインを形成した後、第1の基板の他方の面(第2の面)上にλ/4板を接合し、このλ/4板のゲートバスライン及びデータバスラインに整合する位置に開口部を形成する。このようにして製造された液晶表示装置では、液晶パネルに偏光板を接合した後であっても、ゲートバスライン及びデータバスラインで反射された光を目視することができる。これにより、ゲートバスライン及びデータバスラインの欠陥箇所を容易に特定することができる。   In the present invention, after forming a gate bus line and a data bus line on one surface (first surface) of the first substrate, λ is formed on the other surface (second surface) of the first substrate. / 4 plate is joined, and an opening is formed at a position aligned with the gate bus line and data bus line of the λ / 4 plate. In the liquid crystal display device thus manufactured, the light reflected by the gate bus line and the data bus line can be visually observed even after the polarizing plate is bonded to the liquid crystal panel. As a result, it is possible to easily identify a defective portion of the gate bus line and the data bus line.

以下、本発明について、添付の図面を参照して説明する。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

(第1の実施形態)
図4は本発明の第1の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図5は図4のI−I線による断面図、図6は図4のII−II線による断面図である。
(First embodiment)
4 is a plan view showing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line II in FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.

本実施形態の液晶表示装置は、図5,図6に示すように、液晶パネル100と、液晶パネル100に接合されたλ/4板141a,141b及び偏光板(直線偏光板)142a,142bと、バックライトユニット(図示せず)とにより構成されている。なお、バックライトユニットの構造は基本的に従来と同様である(図1参照)。   As shown in FIGS. 5 and 6, the liquid crystal display device of this embodiment includes a liquid crystal panel 100, λ / 4 plates 141 a and 141 b and polarizing plates (linear polarizing plates) 142 a and 142 b joined to the liquid crystal panel 100. And a backlight unit (not shown). The structure of the backlight unit is basically the same as the conventional one (see FIG. 1).

液晶パネル100は、相互に対向して配置されたTFT基板110及び対向基板130と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層140とにより構成されている。   The liquid crystal panel 100 includes a TFT substrate 110 and a counter substrate 130 disposed to face each other, and a liquid crystal layer 140 made of liquid crystal having negative dielectric anisotropy enclosed between them.

λ/4板141aは液晶パネル100の裏面側(図5,図6では下側)に接合されており、このλ/4板141aの上(図5,図6では下側)には偏光板142aが接合されている。また、λ/4板141bは液晶パネル100の前面側(図5,図6では上側)に接合されており、このλ/4板141bの上には偏光板142bが接合されている。偏光板142a,142bは吸収軸が相互に直交するように配置されている。また、λ/4板141a,141bは、その遅相軸を相互に直交させ、且つ遅相軸と隣接する偏光板の吸収軸とのなす角度が45°となるように配置されている。本実施形態においては、図5,図6に示すように、裏面側のλ/4板141aには、ゲートバスライン112及びデータバスライン115に整合する位置に、開口部150が設けられている。   The λ / 4 plate 141a is bonded to the back side (lower side in FIGS. 5 and 6) of the liquid crystal panel 100, and a polarizing plate is placed on the λ / 4 plate 141a (lower side in FIGS. 5 and 6). 142a is joined. The λ / 4 plate 141b is bonded to the front side (the upper side in FIGS. 5 and 6) of the liquid crystal panel 100, and the polarizing plate 142b is bonded to the λ / 4 plate 141b. The polarizing plates 142a and 142b are arranged so that the absorption axes are orthogonal to each other. Further, the λ / 4 plates 141a and 141b are arranged so that their slow axes are orthogonal to each other, and the angle formed by the slow axis and the absorption axis of the adjacent polarizing plate is 45 °. In the present embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the λ / 4 plate 141 a on the back side is provided with an opening 150 at a position aligned with the gate bus line 112 and the data bus line 115. .

TFT基板110には、図4に示すように、水平方向(X軸方向)に伸びる複数のゲートバスライン112と、垂直方向(Y軸方向)に伸びる複数のデータバスライン115とが形成されている。ゲートバスライン112は垂直方向に一定の間隔(例えば約300μm)で配置されており、データバスライン115は水平方向に一定の間隔(例えば約100μm)で配置されている。ゲートバスライン112の幅は例えば10μmであり、データバスライン115の幅は例えば7μmである。これらのゲートバスライン112及びデータバスライン115により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。また、TFT基板110には、補助容量バスライン113が、ゲートバスライン112と平行に且つ各画素領域の中央部を横断するように形成されている。   As shown in FIG. 4, a plurality of gate bus lines 112 extending in the horizontal direction (X-axis direction) and a plurality of data bus lines 115 extending in the vertical direction (Y-axis direction) are formed on the TFT substrate 110. Yes. The gate bus lines 112 are arranged at a constant interval (for example, about 300 μm) in the vertical direction, and the data bus lines 115 are arranged at a constant interval (for example, about 100 μm) in the horizontal direction. The width of the gate bus line 112 is, for example, 10 μm, and the width of the data bus line 115 is, for example, 7 μm. Each rectangular area defined by the gate bus line 112 and the data bus line 115 is a pixel area. Further, the auxiliary capacitance bus line 113 is formed on the TFT substrate 110 so as to be parallel to the gate bus line 112 and cross the central portion of each pixel region.

TFT基板110には、各画素毎に、TFT116、透明電極120a.120b,120c及び補助容量電極118が形成されている。透明電極120a.120b,120cはITO(Indium-Tin Oxide)等の透明導電体からなる。これらの透明電極120a,120b,120cは、例えば一辺が約80μmのほぼ正方形の形状に形成されている。また、各透明電極120a.120b,120cは、ITOからなる接続配線120dにより相互に電気的に接続されている。   The TFT substrate 110 includes a TFT 116, a transparent electrode 120a. 120b and 120c and the auxiliary capacitance electrode 118 are formed. Transparent electrode 120a. 120b and 120c are made of a transparent conductor such as ITO (Indium-Tin Oxide). These transparent electrodes 120a, 120b, and 120c are formed in a substantially square shape having a side of about 80 μm, for example. Each transparent electrode 120a. 120b and 120c are electrically connected to each other by a connection wiring 120d made of ITO.

透明電極120aは、コンタクトホール119aを介してTFT116のソース電極116bから伸び出した配線118aに電気的に接続されている。また、透明電極120bは、コンタクトホール119bを介して補助容量電極118に電気的に接続されている。   The transparent electrode 120a is electrically connected to the wiring 118a extending from the source electrode 116b of the TFT 116 through the contact hole 119a. The transparent electrode 120b is electrically connected to the auxiliary capacitance electrode 118 through the contact hole 119b.

ゲートバスライン112には駆動回路(図示せず)から走査信号が供給され、データバスライン115には駆動回路から表示信号が供給される。TFT116は走査信号により駆動されてオン状態又はオフ状態になり、オン状態のときにはデータバスライン115に供給された表示信号を画素電極(透明電極120a,120b,120c)に伝達する。   A scanning signal is supplied to the gate bus line 112 from a driving circuit (not shown), and a display signal is supplied to the data bus line 115 from the driving circuit. The TFT 116 is driven by the scanning signal to be turned on or off, and transmits the display signal supplied to the data bus line 115 to the pixel electrodes (transparent electrodes 120a, 120b, 120c) when being turned on.

以下、図5及び図6を参照して、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。最初に、TFT基板110の製造方法について説明する。   Hereinafter, with reference to FIGS. 5 and 6, a manufacturing method of the liquid crystal display device of the present embodiment will be described. First, a method for manufacturing the TFT substrate 110 will be described.

まず、スパッタ法により、TFT基板110のベースとなるガラス基板110aの上に、例えばAl(アルミニウム)−Ti(チタン)の積層構造を有する金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン112及び補助容量バスライン113を形成する。   First, a metal film having a laminated structure of, for example, Al (aluminum) -Ti (titanium) is formed on a glass substrate 110a serving as a base of the TFT substrate 110 by sputtering. Then, the metal film is patterned by a photolithography method to form the gate bus line 112 and the auxiliary capacitor bus line 113.

次に、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition )法により、ガラス基板110aの上側全面にSiO2 を0.3μmの厚さに堆積させて第1の絶縁膜(ゲート絶縁膜)114を形成する。そして、この第1の絶縁膜114の所定の領域上に、TFT116の活性層となる半導体膜(アモルファスシリコン又はポリシリコン膜)116aを形成する。その後、ガラス基板110aの上側全面に例えばSiN膜を形成し、このSiN膜をパターニングして、半導体膜116aのチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜117を形成する。 Next, a first insulating film (gate insulating film) 114 is formed by depositing SiO 2 to a thickness of 0.3 μm on the entire upper surface of the glass substrate 110a by, eg, CVD (Chemical Vapor Deposition). Then, a semiconductor film (amorphous silicon or polysilicon film) 116 a that becomes an active layer of the TFT 116 is formed on a predetermined region of the first insulating film 114. After that, for example, a SiN film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 110a, and this SiN film is patterned to form a channel protective film 117 on a region to be a channel of the semiconductor film 116a.

次に、ガラス基板110aの上側全面にTi−Al−Tiの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン115と、ソース電極116bと、ソース電極116bに接続した配線118aと、ドレイン電極116cと、補助容量電極118とを形成する。データバスライン115は、前述したようにドレイン電極116cと接続して形成する。また、ソース電極116bはチャネル保護膜117を挟んでドレイン電極116cと対向する位置に形成する。更に、補助容量電極118は、第1の絶縁膜114を挟んで補助容量バスライン113に対向する位置に形成する。これらの補助容量電極118、第1の絶縁膜114及び補助容量バスライン113により、補助容量が構成される。   Next, a metal film having a laminated structure of Ti—Al—Ti is formed on the entire upper surface of the glass substrate 110a, and this metal film is patterned by a photolithography method, so that the data bus line 115, the source electrode 116b, the source A wiring 118a connected to the electrode 116b, a drain electrode 116c, and an auxiliary capacitance electrode 118 are formed. The data bus line 115 is formed in connection with the drain electrode 116c as described above. The source electrode 116b is formed at a position facing the drain electrode 116c with the channel protective film 117 interposed therebetween. Further, the auxiliary capacitance electrode 118 is formed at a position facing the auxiliary capacitance bus line 113 with the first insulating film 114 interposed therebetween. The auxiliary capacitance electrode 118, the first insulating film 114, and the auxiliary capacitance bus line 113 constitute an auxiliary capacitance.

次に、ガラス基板110aの裏面側にλ/4板141aを接合し、このλ/4板141aのゲートバスライン112及びデータバスライン115に整合する位置に開口部150を形成する。λ/4板141aの開口部の形成方法について、図7(a)〜(d)を参照して説明する。   Next, a λ / 4 plate 141a is bonded to the back side of the glass substrate 110a, and an opening 150 is formed at a position aligned with the gate bus line 112 and the data bus line 115 of the λ / 4 plate 141a. A method for forming the opening of the λ / 4 plate 141a will be described with reference to FIGS.

まず、図7(a)に示すように、ガラス基板110aの裏面側にλ/4板141aを貼り付ける。λ/4板141aとしては、例えば住友化学工業社製SEH−4601351を使用することができる。   First, as shown in FIG. 7A, a λ / 4 plate 141a is attached to the back side of the glass substrate 110a. As the λ / 4 plate 141a, for example, SEH-4601351 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. can be used.

次に、図7(b)に示すように、λ/4板141aの上(図7(b)では下側)にネガ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜151を形成する。その後、このフォトレジスト膜151を、ゲートバスライン112及びデータバスライン115が形成された面側(図7(b)では上側)から露光した後、現像処理を施す。   Next, as shown in FIG. 7B, a negative photoresist is applied on the λ / 4 plate 141a (the lower side in FIG. 7B) to form a photoresist film 151. Thereafter, the photoresist film 151 is exposed from the side (the upper side in FIG. 7B) on which the gate bus line 112 and the data bus line 115 are formed, and then developed.

これにより、図7(c)に示すように、フォトレジスト膜151のうち露光された部分が残り、ゲートバスライン112及びデータバスライン115に整合する部分が除去される。その後、ウェットエッチング法により、λ/4板141aのうちフォトレジスト膜151に覆われていない部分を除去して、図7(d)に示すように開口部150を形成する。その後、フォトレジスト膜151を除去する。   As a result, as shown in FIG. 7C, the exposed portion of the photoresist film 151 remains, and the portions matching the gate bus line 112 and the data bus line 115 are removed. Thereafter, a portion of the λ / 4 plate 141a that is not covered with the photoresist film 151 is removed by a wet etching method to form an opening 150 as shown in FIG. Thereafter, the photoresist film 151 is removed.

このようにしてガラス基板110aの裏面側にλ/4板141aを接合し、開口部150を形成した後、ガラス基板110aの上側全面に例えばSiO2 からなる厚さが0.3μmの第2の絶縁膜(最終保護膜)119を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により第2の絶縁膜119に、配線118aに通じるコンタクトホール119aと、補助容量電極118に通じるコンタクトホール119bとを形成する。これらのコンタクトホール119a,119bの大きさは、例えば5×5μmとする。 After the λ / 4 plate 141a is bonded to the back surface side of the glass substrate 110a in this way and the opening 150 is formed, the second upper surface of the glass substrate 110a having a thickness of 0.3 μm made of, for example, SiO 2 is formed. An insulating film (final protective film) 119 is formed. Then, a contact hole 119a leading to the wiring 118a and a contact hole 119b leading to the auxiliary capacitance electrode 118 are formed in the second insulating film 119 by photolithography. The size of these contact holes 119a and 119b is, for example, 5 × 5 μm.

次に、スパッタ法により、ガラス基板110aの上側全面にITO膜を形成する。そして、このITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極120a,120b,120c及びそれらの間を接続する接続配線120dを形成する。前述したように、これらの透明電極120a,120b,120cは例えば一辺が約80μmのほぼ正方形の形状とする。また、各透明電極120a,120b,120c間の間隔は、例えば8μmとし、接続配線120の幅は例えば5μmとする。透明電極120aはコンタクトホール119aを介して配線118aに電気的に接続され、透明電極120bはコンタクトホール119bを介して補助容量電極118に電気的に接続される。   Next, an ITO film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 110a by sputtering. Then, this ITO film is patterned by a photolithography method to form transparent electrodes 120a, 120b, 120c and connection wirings 120d connecting them. As described above, these transparent electrodes 120a, 120b, and 120c have a substantially square shape with a side of about 80 μm, for example. The interval between the transparent electrodes 120a, 120b, 120c is, for example, 8 μm, and the width of the connection wiring 120 is, for example, 5 μm. The transparent electrode 120a is electrically connected to the wiring 118a through the contact hole 119a, and the transparent electrode 120b is electrically connected to the auxiliary capacitance electrode 118 through the contact hole 119b.

次いで、ガラス基板110aの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極120a,120b,120cの表面を覆う垂直配向膜(図示せず)を形成する。これにより、TFT基板110が完成する。   Next, for example, polyimide is applied to the entire upper surface of the glass substrate 110a to form a vertical alignment film (not shown) that covers the surfaces of the transparent electrodes 120a, 120b, and 120c. Thereby, the TFT substrate 110 is completed.

なお、本実施形態ではゲートバスライン112及びデータバスライン115を形成した後にガラス基板110aの裏面側にλ/4板141aを接合して開口部150を形成する場合について説明したが、λ/4板141aの接合及び開口部150の形成は、例えばガラス基板110上に第2の絶縁膜119又は透明電極120a,120b,120cを形成した後に実施してもよい。   In this embodiment, the case where the opening 150 is formed by bonding the λ / 4 plate 141a to the back side of the glass substrate 110a after forming the gate bus line 112 and the data bus line 115 has been described. The bonding of the plate 141a and the formation of the opening 150 may be performed after the second insulating film 119 or the transparent electrodes 120a, 120b, and 120c are formed on the glass substrate 110, for example.

次に、対向基板130の製造方法について説明する。まず、対向基板130のベースとなるガラス基板130aの上(図5,図6では下側)に、Cr(クロム)等の金属又は黒色樹脂によりブラックマトリクス132を形成する。このブラックマトリクス132は、TFT基板110側のゲートバスライン112、データバスライン115及びTFT116に対向する位置に、ゲートバスライン112及びデータバスライン115の幅よりも若干広く形成する。本実施形態では、ブラックマトリクス132の幅を、ゲートバスライン112及びデータバスライン115よりも両側にそれぞれ8μmづつ広く形成する。前述したようにゲートバスライン112の幅が10μm、データバスライン115の幅が7μmであるとすると、ブラックマトリクス132のうちゲートバスライン112に対向する部分の幅は26μm、データバスライン115に対向する部分の幅は23μmとする。   Next, a method for manufacturing the counter substrate 130 will be described. First, the black matrix 132 is formed on a glass substrate 130a serving as a base of the counter substrate 130 (on the lower side in FIGS. 5 and 6) using a metal such as Cr (chrome) or a black resin. The black matrix 132 is formed slightly wider than the gate bus lines 112 and the data bus lines 115 at positions facing the gate bus lines 112, the data bus lines 115, and the TFTs 116 on the TFT substrate 110 side. In the present embodiment, the width of the black matrix 132 is formed wider by 8 μm on both sides than the gate bus line 112 and the data bus line 115. As described above, when the width of the gate bus line 112 is 10 μm and the width of the data bus line 115 is 7 μm, the width of the portion of the black matrix 132 facing the gate bus line 112 is 26 μm and facing the data bus line 115. The width of the portion to be made is 23 μm.

次に、赤色感光性樹脂、緑色感光性樹脂及び青色感光性樹脂を使用して、ガラス基板130aの上にカラーフィルタ133を形成する。各画素には、赤色、緑色及び青色のいずれか1色のカラーフィルタ133が配置される。本実施形態においては、水平方向に隣接する赤色画素、緑色画素及び青色画素の3つの画素により1つのピクセルが構成され、種々の色の表示を可能としている。   Next, a color filter 133 is formed on the glass substrate 130a using a red photosensitive resin, a green photosensitive resin, and a blue photosensitive resin. In each pixel, a color filter 133 of any one of red, green, and blue is arranged. In the present embodiment, one pixel is constituted by three pixels of a red pixel, a green pixel, and a blue pixel adjacent in the horizontal direction, and various colors can be displayed.

次に、スパッタ法により、カラーフィルタ133の上にITOからなるコモン電極134を形成する。その後、コモン電極134の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を所定の露光マスクを介して露光し、その後現像処理を施して、ほぼ円錐状の突起物(配向制御用構造物)135を形成する。これらの突起物135は、それぞれ透明電極120a,120b,120cの中心部に対向する位置に形成する。これらの突起物135の底面の直径は例えば約10μmとし、高さは例えば2.5μmとする。なお、配向制御用構造物としては、上述した突起物の他にも、電極に設けたスリットや窪みを使用することができる。   Next, the common electrode 134 made of ITO is formed on the color filter 133 by sputtering. After that, a photoresist is applied on the common electrode 134 to form a photoresist film, this photoresist film is exposed through a predetermined exposure mask, and then subjected to a development treatment, so that a substantially conical protrusion ( Orientation control structure) 135 is formed. These protrusions 135 are formed at positions facing the central portions of the transparent electrodes 120a, 120b, and 120c, respectively. The diameter of the bottom surface of these protrusions 135 is, for example, about 10 μm, and the height is, for example, 2.5 μm. In addition to the protrusions described above, slits and depressions provided in the electrodes can be used as the alignment control structure.

次いで、ガラス基板130aの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、コモン電極134及び突起物135の表面を覆う垂直配向膜(図示せず)を形成する。これにより、対向基板130が完成する。   Next, for example, polyimide is applied to the entire upper surface of the glass substrate 130 a to form a vertical alignment film (not shown) that covers the surfaces of the common electrode 134 and the protrusions 135. Thereby, the counter substrate 130 is completed.

このようにして製造されたTFT基板110と対向基板130とをスペーサ(図示せず)を挟んで相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル100とする。そして、液晶パネル100の裏面側のλ/4板141aの上(図5,図6では下側)に偏光板142aを接合し、前面側(図5,図6では上側)にλ/4板141b及び偏光板142bを接合する。また、液晶パネル100の裏面側にバックライトユニットを取り付ける。   The TFT substrate 110 and the counter substrate 130 manufactured in this way are arranged so as to face each other with a spacer (not shown) interposed therebetween, and a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sealed between them. The liquid crystal panel 100 is assumed. Then, a polarizing plate 142a is bonded on the λ / 4 plate 141a on the back side of the liquid crystal panel 100 (lower side in FIGS. 5 and 6), and the λ / 4 plate on the front side (upper side in FIGS. 5 and 6). 141b and the polarizing plate 142b are joined. A backlight unit is attached to the back side of the liquid crystal panel 100.

このように製造された本実施形態の液晶表示装置において、透明電極120a.120b,120cとコモン電極134との間に電圧を印加すると、液晶層140中の液晶分子は印加電圧に応じた角度で傾斜する。本実施形態の液晶表示装置では、パネル前面側から見たときに、液晶分子が突起物135を中心として放射状に配向する。   In the liquid crystal display device of the present embodiment thus manufactured, the transparent electrodes 120a. When a voltage is applied between 120b, 120c and the common electrode 134, the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 140 are inclined at an angle corresponding to the applied voltage. In the liquid crystal display device of this embodiment, when viewed from the front side of the panel, the liquid crystal molecules are aligned radially around the protrusions 135.

バックライトユニットから出射された光は、裏面側の偏光板142aを通るときに直線偏光光となり、λ/4板141aにより円偏光光に変換される。この円偏光光は透明電極120a.120b,120cを透過し、更に液晶層140を通って前面側のλ/4板141bに到達する。そして、このλ/4板141bにより直線偏光に変換され、液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が偏光板142bを透過してパネル前面側に出力される。   The light emitted from the backlight unit becomes linearly polarized light when passing through the polarizing plate 142a on the back side, and is converted into circularly polarized light by the λ / 4 plate 141a. This circularly polarized light is transmitted through the transparent electrodes 120a. The light passes through 120b and 120c, and further passes through the liquid crystal layer 140 to reach the λ / 4 plate 141b on the front surface side. The λ / 4 plate 141b converts the light into linearly polarized light, and an amount of light corresponding to the tilt angle of the liquid crystal molecules passes through the polarizing plate 142b and is output to the front side of the panel.

本実施形態においては、裏面側のλ/4板141aには、ゲートバスライン112及びデータバスライン115に対向する位置に、開口部150が設けられている。従って、裏面側から偏光板142aを透過し、ゲートバスライン112及びデータバスライン115等で反射された光は、偏光板142aを透過する。これにより、液晶パネル100にλ/4板141a及び偏光板142aを接合した後であっても、ゲートバスライン112及びデータバスライン115等の欠陥の検査を目視で行うことができ、欠陥箇所を容易に特定することができる。   In the present embodiment, the λ / 4 plate 141 a on the back surface side is provided with an opening 150 at a position facing the gate bus line 112 and the data bus line 115. Therefore, the light transmitted through the polarizing plate 142a from the back side and reflected by the gate bus line 112, the data bus line 115, and the like passes through the polarizing plate 142a. Thereby, even after the λ / 4 plate 141a and the polarizing plate 142a are bonded to the liquid crystal panel 100, the inspection of the defects such as the gate bus line 112 and the data bus line 115 can be visually performed, and the defective portion is identified. Can be easily identified.

なお、上述した実施形態では本発明を透過型液晶表示装置に適用した場合について説明しているが、本発明は半透過型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置に適用することも可能である。   In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to a transmissive liquid crystal display device is described. However, the present invention can also be applied to a transflective liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device.

また、上述の実施形態では裏面側のλ/4板141aに開口部150を形成しているが、裏面側の偏光板142aのゲートバスライン112及びデータバスライン115に整合する位置に開口部を形成しても、同様の効果を得ることができる。   In the above-described embodiment, the opening 150 is formed in the λ / 4 plate 141a on the back side. However, the opening is formed at a position matching the gate bus line 112 and the data bus line 115 of the polarizing plate 142a on the back side. Even if it forms, the same effect can be acquired.

(第2の実施形態)
図8は本発明の第2の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図9は図8のIII −III 線による断面図である。本実施形態は、本発明を半透過型液晶表示装置に適用した例を示している。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a sectional view taken along line III-III in FIG. This embodiment shows an example in which the present invention is applied to a transflective liquid crystal display device.

本実施形態の液晶表示装置は、図9に示すように、液晶パネル200と、液晶パネル200に接合されたλ/4板241a,241b及び偏光板(直線偏光板)242a,242bと、液晶パネル200の裏面側(図9では下側)に配置されたバックライトユニット(図示せず)とにより構成されている。なお、バックライトユニットの構造は従来と基本的に同様である(図1参照)。   As shown in FIG. 9, the liquid crystal display device of this embodiment includes a liquid crystal panel 200, λ / 4 plates 241a and 241b and polarizing plates (linear polarizing plates) 242a and 242b joined to the liquid crystal panel 200, and a liquid crystal panel. And a backlight unit (not shown) disposed on the back surface side of 200 (lower side in FIG. 9). The structure of the backlight unit is basically the same as the conventional one (see FIG. 1).

液晶パネル200は、相互に対向して配置されたTFT基板210及び対向基板130と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層140とにより構成されている。   The liquid crystal panel 200 includes a TFT substrate 210 and a counter substrate 130 disposed to face each other, and a liquid crystal layer 140 made of liquid crystal having negative dielectric anisotropy enclosed between them.

TFT基板210には、図8に示すように、水平方向(X軸方向)に伸びる複数のゲートバスライン212と、垂直方向(Y軸方向)に伸びる複数のデータバスライン215とが形成されている。ゲートバスライン212は垂直方向に一定の間隔(例えば300μm)で配置されており、データバスライン215は水平方向に一定の間隔(例えば100μm)で配置されている。これらのゲートバスライン212及びデータバスライン215により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。また、TFT基板210には、補助容量バスライン213が、ゲートバスライン212と平行に且つ各画素領域の中央部を横断するように形成されている。   As shown in FIG. 8, a plurality of gate bus lines 212 extending in the horizontal direction (X-axis direction) and a plurality of data bus lines 215 extending in the vertical direction (Y-axis direction) are formed on the TFT substrate 210. Yes. The gate bus lines 212 are arranged at regular intervals (for example, 300 μm) in the vertical direction, and the data bus lines 215 are arranged at regular intervals (for example, 100 μm) in the horizontal direction. Each rectangular area defined by the gate bus line 212 and the data bus line 215 is a pixel area. Further, the auxiliary capacitance bus line 213 is formed on the TFT substrate 210 so as to be parallel to the gate bus line 212 and cross the central portion of each pixel region.

また、TFT基板210には、各画素毎に、TFT216と、補助容量電極218と、反射電極220と、透明電極222a,222b,222cとが形成されている。TFT216はゲートバスライン212の一部をゲート電極としており、ゲート電極のY軸方向の両側にソース電極216b及びドレイン電極216cが配置されている。   The TFT substrate 210 is provided with a TFT 216, an auxiliary capacitance electrode 218, a reflective electrode 220, and transparent electrodes 222a, 222b, and 222c for each pixel. The TFT 216 uses a part of the gate bus line 212 as a gate electrode, and a source electrode 216b and a drain electrode 216c are arranged on both sides of the gate electrode in the Y-axis direction.

一つの画素領域は、データバスライン215に沿って並ぶ3つの領域に分割されている。以下、これらの3つの領域のうちの中央の領域を反射領域Bと呼び、反射領域Bを挟む2つの領域を第1の透過領域A1及び第2の透過領域A2と呼ぶ。   One pixel region is divided into three regions arranged along the data bus line 215. Hereinafter, the central region of these three regions is referred to as a reflection region B, and two regions sandwiching the reflection region B are referred to as a first transmission region A1 and a second transmission region A2.

第1の透過領域A1には透明電極222aが配置され、反射領域Bには透明電極222bが配置され、第2の透明電極A2には透明電極222cが配置されている。これらの透明電極222a,222b,222cはいずれもITO等の透明導電体により形成され、透明電極222a,222b,222cと同時に形成された透明導電体からなる接続配線222dを介して相互に電気的に接続されている。透明電極222aは、コンタクトホール219aを介してソース電極216bから伸び出した配線218aに電気的に接続されている。   A transparent electrode 222a is disposed in the first transmission region A1, a transparent electrode 222b is disposed in the reflection region B, and a transparent electrode 222c is disposed in the second transparent electrode A2. These transparent electrodes 222a, 222b, and 222c are all formed of a transparent conductor such as ITO, and are electrically connected to each other via a connection wiring 222d that is made of a transparent conductor formed simultaneously with the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c. It is connected. The transparent electrode 222a is electrically connected to the wiring 218a extending from the source electrode 216b through the contact hole 219a.

また、反射領域Bの透明電極222bの下には、ほぼ矩形の反射電極220が形成されている。この反射電極220の表面は、例えばAl等の反射率の高い金属により形成されている。更に、反射電極220の下方には補助容量電極218が形成されている。反射電極220は、コンタクトホール218bを介して補助容量電極218に電気的に接続されている。   A substantially rectangular reflective electrode 220 is formed below the transparent electrode 222b in the reflective region B. The surface of the reflective electrode 220 is made of a metal having high reflectivity such as Al. Further, an auxiliary capacitance electrode 218 is formed below the reflective electrode 220. The reflective electrode 220 is electrically connected to the auxiliary capacitance electrode 218 through the contact hole 218b.

対向基板130には、第1の実施形態と同様に、ブラックマトリクス132、カラーフィルタ133、コモン電極134及び配向制御用突起物135等が形成されている。   Similar to the first embodiment, a black matrix 132, a color filter 133, a common electrode 134, an alignment control protrusion 135, and the like are formed on the counter substrate 130.

液晶パネル200の裏面側(図9では下側)にはλ/4板241aが接合されており、このλ/4板241aの上(図9では下側)には偏光板242aが接合されている。また、液晶パネル200の前面側(図9では上側)にはλ/4板241bが接合されており、このλ/4板241bの上には偏光板242bが接合されている。偏光板242a,242bは、その吸収軸が相互に直交するように配置されている。また、λ/4板241a、241bは、その遅相軸を相互に直交させ、且つ遅相軸と隣接する偏光板の吸収軸とのなす角度が45°となるように配置されている。   A λ / 4 plate 241a is bonded to the back side (lower side in FIG. 9) of the liquid crystal panel 200, and a polarizing plate 242a is bonded to the λ / 4 plate 241a (lower side in FIG. 9). Yes. Further, a λ / 4 plate 241b is bonded to the front side of the liquid crystal panel 200 (upper side in FIG. 9), and a polarizing plate 242b is bonded to the λ / 4 plate 241b. The polarizing plates 242a and 242b are arranged so that their absorption axes are orthogonal to each other. The λ / 4 plates 241a and 241b are arranged so that their slow axes are orthogonal to each other and the angle formed by the slow axis and the absorption axis of the adjacent polarizing plate is 45 °.

本実施形態においては、図9に示すように、裏面側のλ/4板241aには、ゲートバスライン212、データバスライン215及び反射電極220に対向する位置に、開口部250が設けられている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the λ / 4 plate 241a on the back side is provided with an opening 250 at a position facing the gate bus line 212, the data bus line 215, and the reflective electrode 220. Yes.

本実施形態においても、ゲートバスライン212には駆動回路(図示せず)から走査信号が供給され、データバスライン215には駆動回路から表示信号が供給される。また、TFT216は走査信号により駆動され、オン状態のときには表示信号を画素電極(透明電極222a,222b,222c及び反射電極220)に伝達する。   Also in this embodiment, a scanning signal is supplied to the gate bus line 212 from a driving circuit (not shown), and a display signal is supplied to the data bus line 215 from the driving circuit. The TFT 216 is driven by a scanning signal, and transmits a display signal to the pixel electrodes (transparent electrodes 222a, 222b, 222c and the reflective electrode 220) when the TFT 216 is turned on.

以下、図9及び図10,図11を参照して、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、対向基板130の製造方法は基本的に第1の実施形態と同様であるので、ここではその説明を省略する。   Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. Note that the manufacturing method of the counter substrate 130 is basically the same as that of the first embodiment, and the description thereof is omitted here.

まず、TFT基板210のベースとなるガラス基板210aの上に、例えばスパッタ法によりAl−Tiの積層構造を有する金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン212及び補助容量バスライン213を形成する。   First, a metal film having an Al—Ti laminated structure is formed on a glass substrate 210 a serving as a base of the TFT substrate 210 by, eg, sputtering. Then, the metal film is patterned by a photolithography method to form the gate bus line 212 and the auxiliary capacitor bus line 213.

次に、例えばCVD法により、ガラス基板210aの上側全面にSiO2 を0.3μmの厚さに堆積させて第1の絶縁膜(ゲート絶縁膜)214を形成する。そして、この第1の絶縁膜214の所定の領域上に、TFT216の活性層となる半導体膜(アモルファスシリコン又はポリシリコン膜)を形成する。その後、ガラス基板210aの上側全面に例えばSiN膜を形成し、このSiN膜をパターニングして、半導体膜のチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜を形成する。 Next, a first insulating film (gate insulating film) 214 is formed by depositing SiO 2 to a thickness of 0.3 μm on the entire upper surface of the glass substrate 210a by, eg, CVD. Then, a semiconductor film (amorphous silicon or polysilicon film) serving as an active layer of the TFT 216 is formed on a predetermined region of the first insulating film 214. Thereafter, for example, a SiN film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a, and this SiN film is patterned to form a channel protective film on a region to be a channel of the semiconductor film.

次に、ガラス基板210aの上側全面にTi−Al−Tiの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン215と、ソース電極216bと、ソース電極216bに接続した配線218aと、ドレイン電極216cと、補助容量電極218とを形成する。補助容量電極218は、第1の絶縁膜214を挟んで補助容量バスライン213に対向する位置に形成する。これらの補助容量電極218、第1の絶縁膜214及び補助容量バスライン213により、補助容量が構成される。   Next, a metal film having a laminated structure of Ti—Al—Ti is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a, and this metal film is patterned by a photolithography method to form a data bus line 215, a source electrode 216b, a source A wiring 218a connected to the electrode 216b, a drain electrode 216c, and an auxiliary capacitance electrode 218 are formed. The auxiliary capacitance electrode 218 is formed at a position facing the auxiliary capacitance bus line 213 with the first insulating film 214 interposed therebetween. The auxiliary capacitance electrode 218, the first insulating film 214, and the auxiliary capacitance bus line 213 constitute an auxiliary capacitance.

次に、ガラス基板210aの上側全面に例えばSiO2 からなる厚さが0.3μmの第2の絶縁膜219を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、第2の絶縁膜219に補助容量電極218に通じるコンタクトホール219bを形成する。 Next, a second insulating film 219 made of, for example, SiO 2 and having a thickness of 0.3 μm is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a. Then, a contact hole 219b leading to the auxiliary capacitance electrode 218 is formed in the second insulating film 219 by photolithography.

次に、ガラス基板210aの上側全面に、例えばTi−Al−Tiの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をパターニングして反射電極220を形成する。反射電極220は、例えば一辺が約80μmのほぼ正方形の形状とする。この反射電極220は、コンタクトホール219bを介して補助容量電極218に電気的に接続される。   Next, a metal film having a laminated structure of, for example, Ti—Al—Ti is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a, and the reflective film 220 is formed by patterning the metal film. The reflective electrode 220 has, for example, a substantially square shape with a side of about 80 μm. The reflective electrode 220 is electrically connected to the auxiliary capacitance electrode 218 through the contact hole 219b.

次に、ガラス基板210aの裏面側にλ/4板241aを接合し、そのλ/4板241aのゲートバスライン212、データバスライン215及び反射電極220に整合する位置に開口部250を形成する。λ/4板214aの開口部250の形成方法について、図10(a)〜(c)を参照して説明する。   Next, a λ / 4 plate 241a is bonded to the back surface side of the glass substrate 210a, and an opening 250 is formed at a position aligned with the gate bus line 212, the data bus line 215, and the reflective electrode 220 of the λ / 4 plate 241a. . A method for forming the opening 250 of the λ / 4 plate 214a will be described with reference to FIGS.

まず、図10(a)に示すように、ガラス基板210aの裏面側にλ/4板241aを接合する。λ/4板241aとしては、例えば住友化学工業社製SEH−4601351を使用することができる。   First, as shown in FIG. 10A, a λ / 4 plate 241a is bonded to the back side of the glass substrate 210a. As the λ / 4 plate 241a, for example, SEH-4601351 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. can be used.

次に、図10(b)に示すように、λ/4板241aの上(図11(b)では下側)にネガ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜251を形成する。その後、このフォトレジスト膜251を、ゲートバスライン212及びデータバスライン215が形成された面側(図10(b)では上側)から露光した後、現像処理を施す。   Next, as shown in FIG. 10B, a negative photoresist is applied on the λ / 4 plate 241a (lower side in FIG. 11B) to form a photoresist film 251. Thereafter, the photoresist film 251 is exposed from the surface side (the upper side in FIG. 10B) on which the gate bus line 212 and the data bus line 215 are formed, and then developed.

これにより、図10(c)に示すように、フォトレジスト膜251のうち露光された部分が残り、ゲートバスライン212、データバスライン215及び反射電極220に整合する部分が除去され、フォトレジスト膜251の開口部251aが形成される。その後、ウェットエッチング法により、λ/4板241aのうちフォトレジスト膜251に覆われていない部分を除去して、図10(d)に示すようにλ/4板241aの開口部250を形成する。その後、フォトレジスト膜251を除去する。   As a result, as shown in FIG. 10C, the exposed portion of the photoresist film 251 remains, and the portions matching the gate bus line 212, the data bus line 215, and the reflective electrode 220 are removed, and the photoresist film is removed. An opening 251a of 251 is formed. Thereafter, a portion of the λ / 4 plate 241a that is not covered with the photoresist film 251 is removed by wet etching to form an opening 250 of the λ / 4 plate 241a as shown in FIG. . Thereafter, the photoresist film 251 is removed.

このようにしてガラス基板210aの裏面側にλ/4板214aを接合し、開口部250を形成した後、図11(a)に示すように、ガラス基板210aの上側全面に例えばSiO2 からなる厚さが0.3μmの第3の絶縁膜221を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、第3の絶縁膜221に、図11(b)に示すように反射電極220が露出する開口部を形成するとともに、配線218aに通じるコンタクトホール219aを形成する。なお、このフォトリソグラフィ工程においては、反射電極220の最上層のTi層を除去してAl層を露出しておく。 After the λ / 4 plate 214a is bonded to the back side of the glass substrate 210a and the opening 250 is formed in this way, the entire upper surface of the glass substrate 210a is made of, for example, SiO 2 as shown in FIG. A third insulating film 221 having a thickness of 0.3 μm is formed. Then, by photolithography, an opening for exposing the reflective electrode 220 is formed in the third insulating film 221 as shown in FIG. 11B, and a contact hole 219a leading to the wiring 218a is formed. In this photolithography process, the uppermost Ti layer of the reflective electrode 220 is removed to expose the Al layer.

次に、スパッタ法により、ガラス基板210aの上側全面にITO膜を形成する。そして、このITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図11(c)に示すように、透明電極222a,222b,222c及びそれらの間を接続する接続配線222dを形成する。透明電極222aはコンタクトホール219aを介して配線218aに接続され、透明電極222bは第3の絶縁膜221の開口部を介して反射電極220と接続される。   Next, an ITO film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a by sputtering. Then, this ITO film is patterned by a photolithography method to form transparent electrodes 222a, 222b, 222c and connection wirings 222d that connect them as shown in FIG. 11C. The transparent electrode 222a is connected to the wiring 218a through the contact hole 219a, and the transparent electrode 222b is connected to the reflective electrode 220 through the opening of the third insulating film 221.

次いで、ガラス基板210aの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極222a,222b,222cの表面を覆う垂直配向膜(図示せず)を形成する。これにより、TFT基板210が完成する。   Next, for example, polyimide is applied to the entire upper surface of the glass substrate 210a to form a vertical alignment film (not shown) that covers the surfaces of the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c. Thereby, the TFT substrate 210 is completed.

なお、本実施形態では、ゲートバスライン212、データバスライン215及び反射電極220を形成した後にガラス基板210aの裏面側にλ/4板214aを接合して開口部250を形成する場合について説明したが、λ/4板214aの接合及び開口部250の形成は、例えばガラス基板210a上に第3の絶縁膜221又は透明電極22a,222b,222cを形成した後に実施してもよい。   In the present embodiment, the case where the opening 250 is formed by bonding the λ / 4 plate 214a to the back side of the glass substrate 210a after forming the gate bus line 212, the data bus line 215, and the reflective electrode 220 has been described. However, the bonding of the λ / 4 plate 214a and the formation of the opening 250 may be performed after the third insulating film 221 or the transparent electrodes 22a, 222b, and 222c are formed on the glass substrate 210a, for example.

このようにして製造されたTFT基板210と対向基板130とをスペーサ(図示せず)を挟んで相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル200とする。そして、液晶パネル210の裏面側のλ/4板241aの上(図9では下側)に偏光板242aを接合し、前面側(図9では上側)にλ/4板241b及び偏光板242bを接合する。   The TFT substrate 210 and the counter substrate 130 manufactured in this way are arranged to face each other with a spacer (not shown) interposed therebetween, and a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sealed between them. The liquid crystal panel 200 is assumed. Then, a polarizing plate 242a is bonded onto the λ / 4 plate 241a on the back side of the liquid crystal panel 210 (lower side in FIG. 9), and the λ / 4 plate 241b and the polarizing plate 242b are connected to the front side (upper side in FIG. 9). Join.

本実施形態の液晶表示装置においては、透明電極222a,222b,222cとコモン電極134との間に電圧を印加すると、液晶層140中の液晶分子は印加電圧に応じた角度で傾斜する。本実施形態では、パネル前面側から見たときに、液晶分子が突起物(配向制御用構造物)135を中心として放射状に配向する。   In the liquid crystal display device of this embodiment, when a voltage is applied between the transparent electrodes 222a, 222b, 222c and the common electrode 134, the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 140 are inclined at an angle corresponding to the applied voltage. In the present embodiment, when viewed from the front side of the panel, the liquid crystal molecules are aligned radially around the protrusions (alignment control structures) 135.

液晶パネル200のパネル前面側(図9では上側)から偏光板242b及びλ/4板241bを透過した光は、更にコモン電極134を透過して液晶層140内に進入する。そして、この光は反射領域Bに配置された反射電極220で反射され、コモン電極134、λ/4板242b及び偏光板242bを透過してパネル前面側に出力される。但し、偏光板242bを透過するときには、液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が偏光板242bで遮断される。   The light transmitted through the polarizing plate 242b and the λ / 4 plate 241b from the front side of the liquid crystal panel 200 (upper side in FIG. 9) further passes through the common electrode 134 and enters the liquid crystal layer 140. This light is reflected by the reflective electrode 220 disposed in the reflective region B, passes through the common electrode 134, the λ / 4 plate 242b, and the polarizing plate 242b, and is output to the front side of the panel. However, when the light passes through the polarizing plate 242b, an amount of light corresponding to the tilt angle of the liquid crystal molecules is blocked by the polarizing plate 242b.

一方、バックライトユニットから出力された光は、液晶パネル200の裏面側(図9では下側)の偏光板242a及びλ/4板241aを透過し、更に透明電極222a,222cを透過して液晶層140内に進入する。そして、この光は、コモン電極134、λ/4板241b及び偏光板242bを透過してパネル前面側に出力される。但し、透過領域A1,A2においても、反射領域Bと同様に、偏光板242bを透過するときに液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が偏光板242bで吸収される。   On the other hand, the light output from the backlight unit is transmitted through the polarizing plate 242a and the λ / 4 plate 241a on the back surface side (lower side in FIG. 9) of the liquid crystal panel 200, and further transmitted through the transparent electrodes 222a and 222c. Enter the layer 140. The light passes through the common electrode 134, the λ / 4 plate 241b, and the polarizing plate 242b and is output to the front side of the panel. However, in the transmissive regions A1 and A2, as in the reflective region B, an amount of light corresponding to the tilt angle of the liquid crystal molecules is absorbed by the polarizing plate 242b when passing through the polarizing plate 242b.

図12は、本実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。なお、図12において、20はバックライトユニットを示し、30は液晶層中の液晶分子を示している。また、パネル前面側(図12では上側)から液晶層内に入射し、反射電極220で反射されてパネル前面側に向う光の挙動、及びバックライトユニット20から出力され、透明電極222a,222cを透過してパネル前面側に向う光の挙動は図2で説明した通りであるので、ここでは説明を省略する。   FIG. 12 is a schematic diagram showing a light state during black display of the transflective liquid crystal display device of the present embodiment. In FIG. 12, 20 indicates a backlight unit, and 30 indicates liquid crystal molecules in the liquid crystal layer. In addition, the light enters the liquid crystal layer from the front side of the panel (upper side in FIG. 12), is reflected by the reflective electrode 220 and is directed toward the front side of the panel, and is output from the backlight unit 20. Since the behavior of the light transmitted through the front side of the panel is as described with reference to FIG. 2, the description thereof is omitted here.

この図12に示すように、バックライトユニット20から出力された光は、パネル裏面側の偏光板242aを通るときに直線偏光光となる。本実施形態では、偏光板242aと反射電極220との間にλ/4板がないため、偏光板242aを透過し、反射電極220で反射した光は、偏光方向が偏光板242aの透過軸の方向に平行となるため、再び偏光板242aを透過してバックライトユニット20の導光板内に進入する。そして、この光は、導光板により散乱及び反射され、最終的に透過領域に出射される。   As shown in FIG. 12, the light output from the backlight unit 20 becomes linearly polarized light when passing through the polarizing plate 242a on the back side of the panel. In this embodiment, since there is no λ / 4 plate between the polarizing plate 242a and the reflective electrode 220, the light transmitted through the polarizing plate 242a and reflected by the reflective electrode 220 has a polarization direction of the transmission axis of the polarizing plate 242a. Since it is parallel to the direction, it passes through the polarizing plate 242a again and enters the light guide plate of the backlight unit 20. Then, this light is scattered and reflected by the light guide plate, and finally emitted to the transmission region.

本実施形態の液晶表示装置においては、第1の実施形態と同様に、裏面側のλ/4板241aには、ゲートバスライン212及びデータバスライン215に対向する位置に開口部250が設けられている。従って、裏面側から偏光板242aを透過し、ゲートバスライン212及びデータバスライン215等で反射された光は、偏光板242aを透過する。これにより、液晶パネル200にλ/4板241a及び偏光板242aを接合した後であっても、ゲートバスライン212及びデータバスライン215等の欠陥の検査を目視で行うことができ、欠陥箇所を容易に特定することができる。   In the liquid crystal display device of the present embodiment, as in the first embodiment, the λ / 4 plate 241a on the back side is provided with an opening 250 at a position facing the gate bus line 212 and the data bus line 215. ing. Therefore, the light transmitted through the polarizing plate 242a from the back side and reflected by the gate bus line 212, the data bus line 215, and the like passes through the polarizing plate 242a. Thereby, even after the λ / 4 plate 241a and the polarizing plate 242a are bonded to the liquid crystal panel 200, the inspection of defects such as the gate bus line 212 and the data bus line 215 can be performed by visual inspection. Can be easily identified.

また、λ/4板241aには、反射電極220に対向する位置にも、開口部250が設けられている。従って、バックライトユニットから出力されて反射電極220で反射された光は、バックライトユニットに入射される。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。   The λ / 4 plate 241 a is also provided with an opening 250 at a position facing the reflective electrode 220. Therefore, the light output from the backlight unit and reflected by the reflective electrode 220 is incident on the backlight unit. Thereby, the utilization efficiency of light can be improved, and further power saving can be achieved as compared with the conventional case.

なお、上記実施形態ではデータバスライン215、ソース電極216b、ドレイン電極216c及び補助容量電極218の上に第3の絶縁膜221を形成し、その後反射電極220を形成するものとしたが、反射電極220と補助容量電極218とを一体化し、データバスライン215、ソース電極216b及びドレイン電極216cと同時に形成してもよい。   In the above embodiment, the third insulating film 221 is formed on the data bus line 215, the source electrode 216b, the drain electrode 216c, and the auxiliary capacitance electrode 218, and then the reflective electrode 220 is formed. 220 and the auxiliary capacitance electrode 218 may be integrated and formed simultaneously with the data bus line 215, the source electrode 216b, and the drain electrode 216c.

すなわち、第2の金属膜を形成した後、この金属膜をパターニングしてデータバスライン215、ソース電極216b、ドレイン電極216c及び反射電極220を形成する。その後、ガラス基板210aの上側全面に最終保護膜を形成し、この最終保護膜の反射電極220に整合する位置に開口部を設ける。次いで、ガラス基板210aの上側全面にITO膜を形成し、そのITO膜をパターニングして透明電極222a,222b,222cを形成する。このようにしてTFT基板を形成することにより、製造工程数を削減することができる。   That is, after forming the second metal film, the metal film is patterned to form the data bus line 215, the source electrode 216b, the drain electrode 216c, and the reflective electrode 220. Thereafter, a final protective film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a, and an opening is provided at a position that matches the reflective electrode 220 of the final protective film. Next, an ITO film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a, and the ITO film is patterned to form transparent electrodes 222a, 222b, and 222c. By forming the TFT substrate in this way, the number of manufacturing steps can be reduced.

(第3の実施形態)
図13は本発明の第3の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図14は図13のIV−IV線による断面図である。なお、本実施形態が第2の実施形態と異なる点は、TFT基板の液晶層側の面にλ/4板が設けられていることにあり、その他の構造は基本的に第2の実施形態と同様であるので、重複する部分の説明を省略する。
(Third embodiment)
FIG. 13 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. Note that this embodiment is different from the second embodiment in that a λ / 4 plate is provided on the surface of the TFT substrate on the liquid crystal layer side, and the other structure is basically the second embodiment. The description of the overlapping parts is omitted.

本実施形態の液晶表示装置においては、図14に示すように、液晶パネル200の裏面側(図14では下側)に偏光板242aが接合されており、液晶パネル200の前面側(図14では上側)にλ/4板241b及び偏光板242bが接合されている。また、TFT基板210には、第2の実施形態の第3の絶縁膜221に替えて、λ/4板252が形成されている。   In the liquid crystal display device of the present embodiment, as shown in FIG. 14, a polarizing plate 242a is bonded to the back side (lower side in FIG. 14) of the liquid crystal panel 200, and the front side (in FIG. 14). The λ / 4 plate 241b and the polarizing plate 242b are joined to the upper side. Further, a λ / 4 plate 252 is formed on the TFT substrate 210 instead of the third insulating film 221 of the second embodiment.

図15,図16は、本実施形態の液晶表示装置のTFT基板210の製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図15,図16においては、補助容量バスライン及び補助容量電極等の図示を省略している。   15 and 16 are cross-sectional views showing the method of manufacturing the TFT substrate 210 of the liquid crystal display device of this embodiment in the order of steps. In FIG. 15 and FIG. 16, illustration of the auxiliary capacity bus line, the auxiliary capacity electrode, and the like is omitted.

まず、図15(a)に示すように、TFT基板210のベースとなるガラス基板210aの上に、ゲートバスライン212、補助容量バスライン213、第1の絶縁膜214、データバスライン215、補助容量電極218、TFT216、第2の絶縁膜219及び反射電極220を形成する。反射電極220は、例えば厚さが0.1μmのAl膜により、一辺が約80μmのほぼ正方形の形状に形成する。   First, as shown in FIG. 15A, a gate bus line 212, an auxiliary capacitance bus line 213, a first insulating film 214, a data bus line 215, and an auxiliary circuit are formed on a glass substrate 210a serving as a base of the TFT substrate 210. A capacitor electrode 218, a TFT 216, a second insulating film 219, and a reflective electrode 220 are formed. The reflective electrode 220 is formed in an approximately square shape having a side of about 80 μm, for example, by an Al film having a thickness of 0.1 μm.

次に、図15(b)に示すように、ガラス基板210aの上側にλ/4板252を貼り付ける。λ/4板252としては、例えば住友化学工業社製SEH−4601351を使用することができる。   Next, as shown in FIG. 15B, a λ / 4 plate 252 is attached to the upper side of the glass substrate 210a. As the λ / 4 plate 252, for example, SEH-4601351 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. can be used.

次に、 図15(c)に示すように、λ/4板252の上にポジ型フォトレジストを塗布してレジスト膜253を形成する。その後、所定の露光マスクを介してレジスト膜253を露光した後、現像処理を施して、図16(a)に示すように、反射電極220に整合する位置にレジスト膜253の開口部253aを設ける。但し、このとき開口部253aを反射電極220よりも若干小さく形成することが好ましい。また、λ/4板252の上にネガ型フォトレジストを塗布した後、ガラス基板210aの下側からレジスト膜を露光してもよい。この場合は、ゲートバスライン212及びデータバスライン215に整合する位置にも開口部が形成される。   Next, as shown in FIG. 15C, a positive photoresist is applied on the λ / 4 plate 252 to form a resist film 253. Thereafter, the resist film 253 is exposed through a predetermined exposure mask and then developed to provide an opening 253a of the resist film 253 at a position aligned with the reflective electrode 220 as shown in FIG. . However, at this time, it is preferable to form the opening 253a slightly smaller than the reflective electrode 220. Further, after applying a negative photoresist on the λ / 4 plate 252, the resist film may be exposed from the lower side of the glass substrate 210a. In this case, an opening is also formed at a position aligned with the gate bus line 212 and the data bus line 215.

次に、レジスト膜253をエッチングマスクとしてλ/4板252をウェットエッチング又はドライエッチングして、図16(b)に示すように反射電極220を露出させる。また、このとき同時に、λ/4板252の表面からソース電極216bに接続する配線218aに通じるコンタクトホール219aを形成する。その後、レジスト膜253を除去する。   Next, the λ / 4 plate 252 is wet-etched or dry-etched using the resist film 253 as an etching mask to expose the reflective electrode 220 as shown in FIG. At the same time, a contact hole 219a leading from the surface of the λ / 4 plate 252 to the wiring 218a connected to the source electrode 216b is formed. Thereafter, the resist film 253 is removed.

次いで、図16(c)に示すように、ガラス基板210の上側全面にITOをスパッタリングしてITO膜を形成し、このITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極222a,222b,222c及び接続電極222dを形成する。その後、ガラス基板210aの上側全面にポリイミドを塗布して、透明電極222a,222b,222c及び接続配線222dの表面を覆う垂直配向膜を形成する。このようにして、本実施形態の液晶表示装置のTFT基板が完成する。   Next, as shown in FIG. 16C, ITO is sputtered on the entire upper surface of the glass substrate 210 to form an ITO film, and this ITO film is patterned by a photolithography method to obtain transparent electrodes 222a, 222b, 222c, and A connection electrode 222d is formed. Thereafter, polyimide is applied to the entire upper surface of the glass substrate 210a to form a vertical alignment film that covers the surfaces of the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c and the connection wiring 222d. In this way, the TFT substrate of the liquid crystal display device of this embodiment is completed.

本実施形態の液晶表示装置においては、裏面側に配置された偏光板242aとゲートバスライン212、データバスライン215及び反射電極220との間にλ/4板がないので、第2の実施形態と同様に、液晶パネル200に偏光板242aを接合した後であっても、ゲートバスライン212及びデータバスライン215等の欠陥の検査を目視で行うことでき、欠陥箇所を容易に特定することができる。また、バックライトユニットから出力されて反射電極220で反射された光は、バックライトユニットに戻る。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。   In the liquid crystal display device of this embodiment, there is no λ / 4 plate between the polarizing plate 242a disposed on the back surface side and the gate bus line 212, the data bus line 215, and the reflective electrode 220, so the second embodiment Similarly, even after the polarizing plate 242a is bonded to the liquid crystal panel 200, defects such as the gate bus line 212 and the data bus line 215 can be visually inspected, and the defective portion can be easily identified. it can. The light output from the backlight unit and reflected by the reflective electrode 220 returns to the backlight unit. Thereby, the utilization efficiency of light can be improved, and further power saving can be achieved as compared with the conventional case.

なお、図17に示すように、透明電極222a,222cの縁部がゲートバスライン212に重なるようにしてもよいし、図18に示すように、透明電極222a,222b,222cの縁部がデータバスライン215に重なるようにしてもよい。   As shown in FIG. 17, the edges of the transparent electrodes 222a and 222c may overlap the gate bus line 212. As shown in FIG. 18, the edges of the transparent electrodes 222a, 222b and 222c are data. You may make it overlap with the bus line 215.

画素の開口率を上げて明るい画面を得るためには、透明電極とゲートバスライン及びデータバスラインとの間隔を小さくすることが考えられる。しかし、従来の液晶表示装置では、透明電極とゲートバスライン及びデータバスラインとの間の絶縁膜(SiO2 膜又はSiN膜)の厚さが薄いので、透明電極とゲートバスライン又はデータバスラインとの間隔を小さくすると、クロストークが発生して表示品質が劣化するという問題がある。しかし、本実施形態では、透明電極222a,222b,222cとゲートバスライン212及びデータバスライン215との間にSiO2 膜又はSiN膜に比べて膜厚が十分厚いλ/4板252を配置しているので、図17,図18に示すように透明電極222a,222b,222cの縁部をゲートバスライン212又はデータバスライン215と重なるように配置しても、クロストークによる表示品質の劣化を回避することができる。 In order to obtain a bright screen by increasing the aperture ratio of the pixels, it is conceivable to reduce the distance between the transparent electrode, the gate bus line, and the data bus line. However, in the conventional liquid crystal display device, since the insulating film (SiO 2 film or SiN film) between the transparent electrode and the gate bus line and the data bus line is thin, the transparent electrode and the gate bus line or the data bus line When the interval between the two is reduced, there is a problem that crosstalk occurs and display quality deteriorates. However, in the present embodiment, a λ / 4 plate 252 that is sufficiently thicker than the SiO 2 film or the SiN film is disposed between the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c and the gate bus line 212 and the data bus line 215. Therefore, even if the edges of the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c are arranged so as to overlap the gate bus line 212 or the data bus line 215 as shown in FIGS. 17 and 18, the display quality is deteriorated due to crosstalk. It can be avoided.

(第4の実施形態)
図19は、本発明の第4の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図19において、図5と同一物には同一符号を付している。
(Fourth embodiment)
FIG. 19 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 19, the same components as those in FIG.

本実施形態が図4〜図6に示す第1の実施形態と異なる点は、裏面側に配置されたλ/4板141a及び偏光板142aのゲートバスライン112及びデータバスライン115に整合する位置に、それぞれ開口部150,160が設けられていることにある。   This embodiment is different from the first embodiment shown in FIGS. 4 to 6 in that the λ / 4 plate 141a and the polarizing plate 142a arranged on the back side are aligned with the gate bus line 112 and the data bus line 115. Are provided with openings 150 and 160, respectively.

本実施形態においては、上述の如く、偏光板142aのゲートバスライン212及びデータバスライン215に整合する位置にも開口部160が設けられているので、第1の実施形態に比べて裏面側に反射される光の量が多い。このため、本実施形態においては、第1の実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、ゲートバスライン212及びデータバスライン215の検査が容易であるという効果を奏する。   In the present embodiment, as described above, since the opening 160 is also provided at a position aligned with the gate bus line 212 and the data bus line 215 of the polarizing plate 142a, the opening 160 is provided on the back side as compared with the first embodiment. The amount of reflected light is large. For this reason, in this embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, the gate bus line 212 and the data bus line 215 can be easily inspected.

(第5の実施形態)
図20は、本発明の第5の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図20において、図9と同一物には同一符号を付している。
(Fifth embodiment)
FIG. 20 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 20, the same components as those in FIG.

本実施形態が図8,図9に示す第2の実施形態と異なる点は、この図20に示すように、裏面側に配置されたλ/4板241a及び偏光板242aのゲートバスライン212、データバスライン215及び反射電極220に整合する位置に、それぞれ開口部250,260が設けられていることにあり、その他の構造は基本的に第2の実施形態と同じであるので、ここでは重複する部分の説明を省略する。   This embodiment is different from the second embodiment shown in FIGS. 8 and 9 in that, as shown in FIG. 20, a λ / 4 plate 241a and a gate bus line 212 of a polarizing plate 242a arranged on the back surface side, The openings 250 and 260 are provided at positions matching the data bus line 215 and the reflective electrode 220, respectively, and the other structures are basically the same as those of the second embodiment. The description of the parts to be omitted is omitted.

図21は、本実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。なお、図21において、20はバックライトユニットを示し、30は液晶層中の液晶分子を示している。また、パネル前面側(図21では上側)から液晶層内に進入し、反射電極で反射されてパネル前面側に向う光の挙動、及びバックライトユニット20から出力され、透明電極222a,222cを透過してパネル前面側に向う光の挙動は図2で説明した通りであるので、ここでは説明を省略する。   FIG. 21 is a schematic diagram showing the state of light during black display of the transflective liquid crystal display device of the present embodiment. In FIG. 21, 20 represents a backlight unit, and 30 represents liquid crystal molecules in the liquid crystal layer. Further, the light enters the liquid crystal layer from the front side of the panel (upper side in FIG. 21), is reflected by the reflective electrode, and is reflected from the front side of the panel, and is output from the backlight unit 20 and transmitted through the transparent electrodes 222a and 222c. Since the behavior of light toward the front side of the panel is as described with reference to FIG. 2, the description thereof is omitted here.

この図21に示すように、バックライトユニット20から出力された光は、偏光板242aの開口部260及びλ/4板241aの開口部250内を進み、反射電極220で反射されて再び偏光板242aの開口部260及びλ/4板241aの開口部250内を通り、バックライトユニット20の導光板内に進入する。そして、この光は導光板により散乱及び反射され、最終的に透過領域に出射される。   As shown in FIG. 21, the light output from the backlight unit 20 travels through the opening 260 of the polarizing plate 242a and the opening 250 of the λ / 4 plate 241a, is reflected by the reflective electrode 220, and is again polarizing plate. The light enters the light guide plate of the backlight unit 20 through the opening 260 of 242a and the opening 250 of the λ / 4 plate 241a. Then, this light is scattered and reflected by the light guide plate and finally emitted to the transmission region.

本実施形態においては、上述の如く、偏光板242aのゲートバスライン212及びデータバスライン115に対向する部分にも開口部260が設けられているので、第1の実施形態に比べて裏面側に反射される光の量が多い。これにより、本実施形態においては、第2の実施形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、光の利用効率がより一層向上するという効果を奏する。   In the present embodiment, as described above, the opening 260 is also provided in the portion of the polarizing plate 242a facing the gate bus line 212 and the data bus line 115, so that it is on the back side as compared with the first embodiment. The amount of reflected light is large. Thereby, in this embodiment, in addition to the effect similar to 2nd Embodiment, there exists an effect that the utilization efficiency of light improves further.

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、図10,図11に示す第2の実施形態の液晶表示装置の製造方法とほぼ同様であり、ガラス基板210aの裏面側にλ/4板241aと偏光板242aとを貼り付け、フォトリソグラフィ法によりλ/4板241a及び偏光板242aのゲートバスライン212、データバスライン215及び反射電極220に整合する位置に開口部250,260を形成して製造される。   The manufacturing method of the liquid crystal display device of this embodiment is substantially the same as the manufacturing method of the liquid crystal display device of the second embodiment shown in FIGS. 10 and 11, and a λ / 4 plate 241a is formed on the back side of the glass substrate 210a. The polarizing plate 242a is pasted, and the openings 250 and 260 are formed at positions matching the λ / 4 plate 241a and the gate bus line 212, the data bus line 215, and the reflective electrode 220 of the polarizing plate 242a by photolithography. Is done.

(第6の実施形態)
図22は、本発明の第6の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図22において、図14と同一物には同一符号を付している。
(Sixth embodiment)
FIG. 22 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a sixth embodiment of the present invention. In FIG. 22, the same components as those in FIG.

本実施形態が図13,図14に示す第3の実施形態と異なる点は、TFT基板210の液晶層側の面にλ/4板252及び偏光板261を配置したことにあり、その他の構造は基本的に第3の実施形態と同じであるので、ここでは重複する部分の説明を省略する。   This embodiment is different from the third embodiment shown in FIGS. 13 and 14 in that a λ / 4 plate 252 and a polarizing plate 261 are arranged on the surface of the TFT substrate 210 on the liquid crystal layer side, and the other structure. Is basically the same as that of the third embodiment, and therefore, the description of the overlapping parts is omitted here.

本実施形態においては、第2の絶縁膜219の上に偏光板261及びλ/4板252が積層されており、透明電極222a,222cはλ/4板252の上に形成されている。また、偏光板261及びλ/4板252には、反射電極220に整合する位置に開口部が設けられており、透明電極222bはこの開口部内に露出した反射電極220の上を覆って形成されている。   In the present embodiment, a polarizing plate 261 and a λ / 4 plate 252 are stacked on the second insulating film 219, and the transparent electrodes 222 a and 222 c are formed on the λ / 4 plate 252. Further, the polarizing plate 261 and the λ / 4 plate 252 are provided with an opening at a position matching the reflective electrode 220, and the transparent electrode 222b is formed to cover the reflective electrode 220 exposed in the opening. ing.

本実施形態の液晶表示装置では、バックライトユニット(図示せず)とゲートバスライン212及びデータバスライン(図示せず)との間に偏光板がないので、第3の実施形態に比べて裏面側に反射される光の量が多い。このため、本実施形態の液晶表示装置は、第3の実施形態の液晶表示装置に比べてゲートバスライン及びデータバスライン等の欠陥の検査がより一層容易である。また、本実施形態の液晶表示装置は、反射電極220で反射されてバックライトユニットに戻る光の量が多いため、第3の実施形態の液晶表示装置に比べて光の利用効率がより一層向上する。   In the liquid crystal display device of the present embodiment, since there is no polarizing plate between the backlight unit (not shown), the gate bus line 212 and the data bus line (not shown), the back surface as compared with the third embodiment. The amount of light reflected to the side is large. For this reason, the liquid crystal display device according to the present embodiment can more easily inspect defects such as gate bus lines and data bus lines than the liquid crystal display device according to the third embodiment. In addition, since the liquid crystal display device according to the present embodiment has a large amount of light that is reflected by the reflective electrode 220 and returns to the backlight unit, the light use efficiency is further improved as compared with the liquid crystal display device according to the third embodiment. To do.

本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第3の実施形態の液晶表示装置の製造方法とほぼ同様であり、ガラス基板210aの上に第2の絶縁膜219及び反射電極220を形成した後、偏光板261及びλ/4板252を順に接合し、フォトリソグラフィ法により偏光板261及びλ/4板252の反射電極220に整合する位置に開口部を形成して製造される。   The manufacturing method of the liquid crystal display device of this embodiment is almost the same as the manufacturing method of the liquid crystal display device of the third embodiment, and after the second insulating film 219 and the reflective electrode 220 are formed on the glass substrate 210a. The polarizing plate 261 and the λ / 4 plate 252 are joined in order, and an opening is formed at a position aligned with the reflective electrode 220 of the polarizing plate 261 and the λ / 4 plate 252 by photolithography.

なお、図23に示すように、透明電極222a,222cの縁部がゲートバスライン212に重なるようにしてもよいし、図24に示すように透明電極222a,222b,222cの縁部がデータバスライン215に重なるようにしてもよい。本実施形態においては、ゲートバスライン212及びデータバスライン215と透明電極222a,222b,222cとの間に膜厚が比較的厚い偏光板261及びλ/4板252が介在しているので、図23,図24に示すように透明電極222a,222b,222cがゲートバスライン212及びデータバスライン215と重なるように配置しても、クロストークによる表示品質の劣化が回避される。また、図23,図24に示すように透明電極222a,222b,222cがゲートバスライン212及びデータバスライン215と重なるように配置することにより、開口率が向上して、画像をより明るく表示することができる。   As shown in FIG. 23, the edges of the transparent electrodes 222a and 222c may overlap the gate bus line 212, and the edges of the transparent electrodes 222a, 222b and 222c as shown in FIG. The line 215 may be overlapped. In the present embodiment, the relatively thick polarizing plate 261 and λ / 4 plate 252 are interposed between the gate bus line 212 and the data bus line 215 and the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c. 23, even if the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c are arranged so as to overlap the gate bus line 212 and the data bus line 215 as shown in FIG. 24, display quality deterioration due to crosstalk is avoided. Also, as shown in FIGS. 23 and 24, the transparent electrodes 222a, 222b, and 222c are arranged so as to overlap the gate bus line 212 and the data bus line 215, thereby improving the aperture ratio and displaying an image brighter. be able to.

(第7の実施形態)
図25は本発明の第7の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図25において、図9と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
(Seventh embodiment)
FIG. 25 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a seventh embodiment of the present invention. 25, the same components as those in FIG. 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

液晶パネル200は、TFT基板210と、対向基板130と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層140とにより構成されている。TFT基板210には、他の実施形態と同様に、ゲートバスライン、データバスライン及びTFT等が形成されている。但し、本実施形態においては、TFT基板210の第1の絶縁膜214の上に透明樹脂膜270が形成されている。この透明樹脂膜270の反射領域の表面には凹凸が設けられている。   The liquid crystal panel 200 includes a TFT substrate 210, a counter substrate 130, and a liquid crystal layer 140 made of liquid crystal having negative dielectric anisotropy sealed between them. In the TFT substrate 210, gate bus lines, data bus lines, TFTs, and the like are formed as in the other embodiments. However, in this embodiment, a transparent resin film 270 is formed on the first insulating film 214 of the TFT substrate 210. The surface of the reflective region of the transparent resin film 270 is provided with irregularities.

透明樹脂膜270の上には、λ/4板271が形成されている。このλ/4板271には、反射領域に整合する位置に開口部が設けられている。透明領域のλ/4板271の上には透明電極222a,222cが形成されている。また、反射領域には、λ/4板271の開口部に露出した透明樹脂膜270の凹凸の上に、透明電極222bが形成されている。これらの透明電極222a,222b,222cは、図8,図9に示す第2の実施形態と同様に、ITO等の透明導電体からなり、接続配線を介して相互に電気的に接続されている。   A λ / 4 plate 271 is formed on the transparent resin film 270. The λ / 4 plate 271 is provided with an opening at a position matching the reflective region. Transparent electrodes 222a and 222c are formed on the λ / 4 plate 271 in the transparent region. In the reflection region, a transparent electrode 222 b is formed on the unevenness of the transparent resin film 270 exposed at the opening of the λ / 4 plate 271. These transparent electrodes 222a, 222b, and 222c are made of a transparent conductor such as ITO, as in the second embodiment shown in FIGS. 8 and 9, and are electrically connected to each other via connection wiring. .

また、透明電極222aは、コンタクトホールを介してTFTのソース電極から伸び出した配線に接続されており、透明電極222bはコンタクトホールを介して補助容量電極と接続されている。   The transparent electrode 222a is connected to a wiring extending from the source electrode of the TFT through a contact hole, and the transparent electrode 222b is connected to the auxiliary capacitance electrode through the contact hole.

反射領域の透明電極222bの上には、表面がAl等の反射率が高い金属からなる反射電極220が形成されている。この反射電極220の表面には、その下方の樹脂膜270の凹凸に倣った凹凸が形成されている。   On the transparent electrode 222b in the reflective region, a reflective electrode 220 whose surface is made of a metal having a high reflectance such as Al is formed. On the surface of the reflective electrode 220, irregularities that follow the irregularities of the resin film 270 therebelow are formed.

液晶パネル200の裏面側(図25では下側)には偏光板242aが配置されており、前面側(図25では上側)にはλ/4板241b及び偏光板242bが配置されている。偏光板242a,242bは吸収軸を相互に直交させて配置され、λ/4板271,241bは遅相軸を相互に直交させ、且つ隣接する偏光板の吸収軸と遅相軸とのなす角度が45°となるように配置されている。   A polarizing plate 242a is disposed on the back side (lower side in FIG. 25) of the liquid crystal panel 200, and a λ / 4 plate 241b and a polarizing plate 242b are disposed on the front side (upper side in FIG. 25). The polarizing plates 242a and 242b are arranged with their absorption axes orthogonal to each other, the λ / 4 plates 271 and 241b have their slow axes orthogonal to each other, and the angle formed between the absorption axis and the slow axis of the adjacent polarizing plates Is arranged to be 45 °.

以下、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、対向基板の製造方法は第2の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。   Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment will be described. Note that the manufacturing method of the counter substrate is the same as that of the second embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

まず、TFT基板210のベースとなるガラス基板の上に、第1の実施形態と同様にしてゲートバスライン212、補助容量バスライン213、第1の絶縁膜214、TFT、データバスライン、補助容量電極218を形成する。その後、ガラス基板210aの上に透明樹脂を約2.0μmの厚さに塗布して、透明樹脂膜270を形成する。そして、この透明樹脂膜270の反射領域の部分をエッチングして凹凸を形成する。また、この透明樹脂膜270に、ソース電極から伸び出した配線に通じるコンタクトホールと、補助容量電極218に通じるコンタクトホールとを形成する。コンタクトホールの大きさは、例えば10×10μmとする。なお、本実施形態では凹凸を反射領域にのみ形成しているが、透明樹脂膜270の全面に凹凸を形成してもよい。   First, a gate bus line 212, an auxiliary capacitor bus line 213, a first insulating film 214, a TFT, a data bus line, an auxiliary capacitor are formed on a glass substrate serving as a base of the TFT substrate 210 in the same manner as in the first embodiment. An electrode 218 is formed. Thereafter, a transparent resin is applied to a thickness of about 2.0 μm on the glass substrate 210 a to form a transparent resin film 270. Then, the portion of the reflective region of the transparent resin film 270 is etched to form irregularities. In addition, a contact hole that leads to the wiring extending from the source electrode and a contact hole that leads to the auxiliary capacitance electrode 218 are formed in the transparent resin film 270. The size of the contact hole is, for example, 10 × 10 μm. In this embodiment, the unevenness is formed only on the reflective region, but the unevenness may be formed on the entire surface of the transparent resin film 270.

次に、透明樹脂膜270の上にλ/4板271を貼り付ける。そして、このλ/4板271の上にポジ型フォトレジスト膜を形成した後、露光マスクを介して反射領域のレジスト膜を選択的に露光する。その後、現像処理を施してレジスト膜を開口した後、ウェットエッチング又はドライエッチングを施してλ/4板271に開口部を形成し、反射領域の透明樹脂膜270を露出させる。   Next, a λ / 4 plate 271 is attached on the transparent resin film 270. Then, after forming a positive photoresist film on the λ / 4 plate 271, the resist film in the reflective region is selectively exposed through an exposure mask. Thereafter, development processing is performed to open the resist film, and then wet etching or dry etching is performed to form an opening in the λ / 4 plate 271 to expose the transparent resin film 270 in the reflective region.

次に、スパッタ法によりガラス基板210aの上側全面にITO膜を形成し、このITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極222a,222b,222c及びそれらの間を接続する接続配線を形成する。この場合、透明電極222bの表面には、透明樹脂膜270の表面に倣う凹凸が形成される。   Next, an ITO film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a by sputtering, and this ITO film is patterned by photolithography to form transparent electrodes 222a, 222b, 222c and connection wirings connecting them. . In this case, irregularities that follow the surface of the transparent resin film 270 are formed on the surface of the transparent electrode 222b.

次いで、ガラス基板210aの上側全面に例えば厚さが0.1μmのAl膜を形成し、このAl膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、反射電極220を形成する。この反射電極220の表面には、透明電極222bの表面に倣う凹凸が形成される。その後、ガラス基板210aの上側全面にポリイミド等を塗布して配向膜を形成する。   Next, an Al film having a thickness of, for example, 0.1 μm is formed on the entire upper surface of the glass substrate 210a, and this Al film is patterned by a photolithography method to form the reflective electrode 220. On the surface of the reflective electrode 220, irregularities that follow the surface of the transparent electrode 222b are formed. Thereafter, an alignment film is formed by applying polyimide or the like on the entire upper surface of the glass substrate 210a.

このようにして形成されたTFT基板210と対向基板130とをスペーサを挟んで対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル200とする。そして、この液晶パネル200の裏面側に偏光板242aを貼り付け、前面側にλ/4板241b及び偏光板242bを貼り付ける。また、液晶パネル200の裏面側にバックライトユニットを取り付ける。このようにして、本実施形態の液晶表示装置が完成する。   The TFT substrate 210 and the counter substrate 130 formed in this way are arranged to face each other with a spacer interposed therebetween, and a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sealed between them to form a liquid crystal panel 200. Then, a polarizing plate 242a is attached to the back side of the liquid crystal panel 200, and a λ / 4 plate 241b and a polarizing plate 242b are attached to the front side. A backlight unit is attached to the back side of the liquid crystal panel 200. In this way, the liquid crystal display device of this embodiment is completed.

本実施形態においては、第2の実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、反射電極220の表面に凹凸が設けられているので、反射型液晶表示装置として使用したときの視野角特性が良好であるという効果を奏する。   In the present embodiment, in addition to the same effects as those of the second embodiment, since the surface of the reflective electrode 220 is provided with irregularities, the viewing angle characteristics when used as a reflective liquid crystal display device Has the effect of being good.

(第8の実施形態)
図26は、本発明の第8の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
(Eighth embodiment)
FIG. 26 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to an eighth embodiment of the present invention.

本実施形態の液晶表示装置は、図26に示すように、液晶パネル300と、液晶パネル300の裏面側(図26では下側)に接合された偏光板341aと、液晶パネル300の前面側(図26では上側)に接合された偏光板341bと、液晶パネル300の裏面側に配置されたバックライトユニット(図示せず)とにより構成されている。   As shown in FIG. 26, the liquid crystal display device of the present embodiment includes a liquid crystal panel 300, a polarizing plate 341a bonded to the back side (lower side in FIG. 26) of the liquid crystal panel 300, and the front side ( 26, the polarizing plate 341b bonded to the upper side) and a backlight unit (not shown) disposed on the back side of the liquid crystal panel 300.

液晶パネル300は、相互に対向して配置されたTFT基板310及び対向基板330と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層340とにより構成されている。本実施形態においては、TFT基板310が前面側(観察者側)に配置され、対向基板330が裏面側(バックライトユニット側)に配置される。   The liquid crystal panel 300 includes a TFT substrate 310 and a counter substrate 330 arranged to face each other, and a liquid crystal layer 340 made of liquid crystal having negative dielectric anisotropy enclosed between them. In the present embodiment, the TFT substrate 310 is disposed on the front side (observer side), and the counter substrate 330 is disposed on the back side (backlight unit side).

TFT基板310には、第1の実施形態と同様に、ゲートバスライン312、データバスライン(図示せず)、TFT(図示せず)及び透明電極322a,322b,322c等が形成されている。また、TFT基板310の液晶層側の面にはλ/4板320が配置されている。   As in the first embodiment, a gate bus line 312, a data bus line (not shown), a TFT (not shown), transparent electrodes 322a, 322b, and 322c are formed on the TFT substrate 310. A λ / 4 plate 320 is disposed on the surface of the TFT substrate 310 on the liquid crystal layer side.

一方、対向基板330には、ブラックマトリクス332、カラーフィルタ333、反射膜334及びコモン電極336が形成されている。図26に示すように、カラーフィルタ333のうち反射領域に整合する部分には表面に凹凸が設けられており、この凹凸面の上にAl等の反射率が高い金属からなる反射膜334が形成されている。また、カラーフィルタ333の上にはλ/4板335が配置されている。このλ/4板335は、反射膜334に整合する部分が開口されている。コモン電極336は、反射膜334及びλ/4板335の上を覆うように形成されている。   On the other hand, a black matrix 332, a color filter 333, a reflective film 334, and a common electrode 336 are formed on the counter substrate 330. As shown in FIG. 26, the surface of the color filter 333 that matches the reflective region has irregularities on its surface, and a reflective film 334 made of a metal having a high reflectance such as Al is formed on the irregular surface. Has been. A λ / 4 plate 335 is disposed on the color filter 333. The λ / 4 plate 335 has an opening that matches the reflective film 334. The common electrode 336 is formed so as to cover the reflective film 334 and the λ / 4 plate 335.

以下、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、TFT基板310の製造方法について説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present embodiment will be described. First, a manufacturing method of the TFT substrate 310 will be described.

まず、TFT基板310のベースとなるガラス基板310aの上(図26では下側)に、例えばスパッタ法によりAl−Tiの積層構造を有する金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン312及び補助容量バスライン313を形成する。   First, a metal film having an Al—Ti laminated structure is formed on the glass substrate 310a serving as a base of the TFT substrate 310 (on the lower side in FIG. 26) by, for example, sputtering. Then, the metal film is patterned by a photolithography method to form the gate bus line 312 and the auxiliary capacitor bus line 313.

次に、例えばCVD法により、ガラス基板310aの上側全面にSiO2 を0.3μmの厚さに堆積させて第1の絶縁膜(ゲート絶縁膜)314を形成する。そして、この第1の絶縁膜314の所定の領域上に、TFTの活性層となる半導体膜を形成する。その後、ガラス基板310aの上側全面に例えばSiN膜を形成し、このSiN膜をパターニングして、半導体膜のチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜を形成する。 Next, a first insulating film (gate insulating film) 314 is formed by depositing SiO 2 to a thickness of 0.3 μm on the entire upper surface of the glass substrate 310a by, eg, CVD. Then, a semiconductor film serving as an active layer of the TFT is formed on a predetermined region of the first insulating film 314. Thereafter, for example, a SiN film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 310a, and this SiN film is patterned to form a channel protective film on a region to be a channel of the semiconductor film.

次に、ガラス基板310aの上側全面に例えばTi−Al−Tiの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、他の実施形態と同様に、データバスラインと、ソース電極と、ソース電極に接続した配線と、ドレイン電極と、補助容量電極318とを形成する。   Next, a metal film having a laminated structure of, for example, Ti—Al—Ti is formed on the entire upper surface of the glass substrate 310a, and this metal film is patterned by a photolithography method, and the data bus line is formed as in the other embodiments. A source electrode, a wiring connected to the source electrode, a drain electrode, and an auxiliary capacitance electrode 318 are formed.

次に、ガラス基板310aの上側全面に例えばSiO2 からなる厚さが0.3μmの第2の絶縁膜319を形成する。そして、この第2の絶縁膜319の上にλ/4板320を接合する。λ/4板320としては、例えば住友化学工業社製SEH−4601351を使用することができる。その後、このλ/4板320の表面からソース電極と接続した配線に通じるコンタクトホールと、補助容量電極318に通じるコンタクトホールとを形成する。 Next, a second insulating film 319 made of, for example, SiO 2 and having a thickness of 0.3 μm is formed on the entire upper surface of the glass substrate 310a. Then, a λ / 4 plate 320 is bonded on the second insulating film 319. As the λ / 4 plate 320, for example, SEH-4601351 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. can be used. Thereafter, a contact hole that leads from the surface of the λ / 4 plate 320 to the wiring connected to the source electrode and a contact hole that leads to the auxiliary capacitance electrode 318 are formed.

次に、スパッタ法により、ガラス基板310aの上側全面にITO膜を形成する。そして、このITO膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極332a,332b,332cと、それらの間の接続する接続電極とを形成する。これらの透明電極332a,332b,332cの形状は、他の実施形態と同様とする。   Next, an ITO film is formed on the entire upper surface of the glass substrate 310a by sputtering. Then, this ITO film is patterned by a photolithography method to form transparent electrodes 332a, 332b, and 332c and connection electrodes connected between them. The shapes of these transparent electrodes 332a, 332b, and 332c are the same as in the other embodiments.

次いで、ガラス基板310aの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極332a,332b,332cの表面を覆う垂直配向膜(図示せず)を形成する。これにより、TFT基板310が完成する。   Next, for example, polyimide is applied to the entire upper surface of the glass substrate 310a to form a vertical alignment film (not shown) that covers the surfaces of the transparent electrodes 332a, 332b, and 332c. Thereby, the TFT substrate 310 is completed.

次に、対向基板330の製造方法について説明する。まず、対向基板330のベースとなるガラス基板330aの上に、Cr等の金属又は黒色樹脂によりブラックマトリクス332を形成する。   Next, a method for manufacturing the counter substrate 330 will be described. First, the black matrix 332 is formed of a metal such as Cr or a black resin on the glass substrate 330a serving as the base of the counter substrate 330.

次に、赤色感光性樹脂、緑色感光樹脂及び青色感光樹脂を使用し、フォトレジスト法によりガラス基板330aの各画素領域に赤色、緑色及び青色のいずれか1色のカラーフィルタ333を形成するとともに、カラーフィルタ333のうち反射領域に整合する領域の表面に凹凸を形成する。カラーフィルタ333の厚さは、例えば1.0μmとする。   Next, a red photosensitive resin, a green photosensitive resin, and a blue photosensitive resin are used, and a color filter 333 of any one of red, green, and blue is formed in each pixel region of the glass substrate 330a by a photoresist method. Concavities and convexities are formed on the surface of the color filter 333 that matches the reflective region. The thickness of the color filter 333 is, for example, 1.0 μm.

次に、スパッタ法により、ガラス基板330aの上側全面に例えば厚さが0.1μmのAl膜を形成し、このAl膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、反射領域のカラーフィルタ333の上に反射膜334を形成する。反射膜334は、例えば一辺が約80μmのほぼ正方形の形状に形成する。この反射膜334には、カラーフィルタ333の表面の凹凸に倣う凹凸が形成される。   Next, an Al film having a thickness of, for example, 0.1 μm is formed on the entire upper surface of the glass substrate 330a by sputtering, and the Al film is patterned by photolithography to reflect on the color filter 333 in the reflective region. A film 334 is formed. The reflective film 334 is formed in a substantially square shape with a side of about 80 μm, for example. The reflection film 334 is provided with unevenness that follows the unevenness of the surface of the color filter 333.

次に、ガラス基板330aの上側にλ/4板335を接合する。λ/4板335としては、例えば住友化学工業社製SEH−4601351を使用することができる。その後、λ/4板335の上にポジ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、露光及び現像処理を施して、反射膜334に整合する位置に開口部を形成する。その後、ウェットエッチングによりλ/4板335をエッチングして反射膜334を露出させた後、フォトレジスト膜を除去する。   Next, the λ / 4 plate 335 is bonded to the upper side of the glass substrate 330a. As the λ / 4 plate 335, for example, SEH-4601351 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. can be used. Thereafter, a positive photoresist is applied on the λ / 4 plate 335 to form a photoresist film, and an exposure and development process is performed to form an opening at a position aligned with the reflective film 334. Thereafter, the λ / 4 plate 335 is etched by wet etching to expose the reflective film 334, and then the photoresist film is removed.

次いで、スパッタ法により、ガラス基板330aの上側全面にITOを堆積させてコモン電極336を形成する。その後、ガラス基板330aの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、コモン電極336の表面を覆う垂直配向膜(図示せず)を形成する。これにより、対向基板330が完成する。   Next, the common electrode 336 is formed by depositing ITO on the entire upper surface of the glass substrate 330a by sputtering. Thereafter, for example, polyimide is applied to the entire upper surface of the glass substrate 330 a to form a vertical alignment film (not shown) that covers the surface of the common electrode 336. Thereby, the counter substrate 330 is completed.

このようにして製造されたTFT基板310と対向基板330とをスペーサ(図示せず)を挟んで相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル300とする。そして、液晶パネル300の裏面側に偏光板341aを接合し、前面側に偏光板341bを接合する。更に、液晶パネル300の裏面側にバックライトユニットを取り付ける。   The TFT substrate 310 and the counter substrate 330 manufactured in this way are arranged to face each other with a spacer (not shown) interposed therebetween, and a liquid crystal having a negative dielectric anisotropy is sealed between them. A liquid crystal panel 300 is assumed. And the polarizing plate 341a is joined to the back side of the liquid crystal panel 300, and the polarizing plate 341b is joined to the front side. Further, a backlight unit is attached to the back side of the liquid crystal panel 300.

このようにして製造された本実施形態の液晶表示装置においても、ゲートバスライン312及びデータバスラインと偏光板341bとの間にλ/4板が介在しないため、液晶パネル300に偏光板341bを接合した後であっても、ゲートバスライン312及びデータバスライン等の欠陥の検査を目視で行うことができ、欠陥箇所を容易に特定することができる。また、本実施形態においては、反射膜334と偏光板341aとの間にλ/4板が介在しないので、バックライトユニットから出力されて反射膜334で反射された光は、バックライトユニットに入射される。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。   Also in the liquid crystal display device of the present embodiment manufactured in this way, the λ / 4 plate is not interposed between the gate bus line 312 and the data bus line and the polarizing plate 341b. Even after the bonding, the inspection of defects such as the gate bus line 312 and the data bus line can be visually performed, and the defective portion can be easily identified. In this embodiment, since a λ / 4 plate is not interposed between the reflective film 334 and the polarizing plate 341a, the light output from the backlight unit and reflected by the reflective film 334 is incident on the backlight unit. Is done. Thereby, the utilization efficiency of light can be improved, and further power saving can be achieved as compared with the conventional case.

(第9の実施形態)
図27は本発明の第9の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。なお、本実施形態が第8の実施形態と異なる点は、λ/4板に加えて偏光板を対向基板の液晶層側の面に配置したことにあり、その他の構造は基本的に第8の実施形態と同様であるので、図27において図26と同一物には同一符号を付してその詳しい説明を省略する。
(Ninth embodiment)
FIG. 27 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a ninth embodiment of the present invention. Note that this embodiment is different from the eighth embodiment in that a polarizing plate is disposed on the surface of the counter substrate on the liquid crystal layer side in addition to the λ / 4 plate, and the other structures are basically the eighth. 27, the same components as those in FIG. 26 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態においては、対向基板330のベースとなるガラス基板330aの上にブラックマトリクス332、カラーフィルタ333及び反射膜334を形成した後、カラーフィルタ333及び反射膜334の上に偏光板338及びλ/4板335を順に接合する。そして、λ/4板335の上に、反射領域に整合する位置に開口部が設けられたレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてλ/4板335及び偏光板338をエッチングし、反射膜334を露出させる。その後、レジスト膜を除去する。   In this embodiment, a black matrix 332, a color filter 333, and a reflective film 334 are formed on a glass substrate 330a serving as a base of the counter substrate 330, and then a polarizing plate 338 and λ are formed on the color filter 333 and the reflective film 334. / 4 plate 335 is joined in order. Then, on the λ / 4 plate 335, a resist film having an opening provided at a position matching the reflective region is formed, and the λ / 4 plate 335 and the polarizing plate 338 are etched using the resist film as a mask to reflect the light. The membrane 334 is exposed. Thereafter, the resist film is removed.

次いで、スパッタ法によりガラス基板330aの上側前面にITOを堆積させてコモン電極336を形成する。その後、コモン電極336の上に例えばポリイミドを塗布して、垂直配向膜(図示せず)を形成する。   Next, ITO is deposited on the upper front surface of the glass substrate 330a by sputtering to form a common electrode 336. Thereafter, for example, polyimide is applied on the common electrode 336 to form a vertical alignment film (not shown).

本実施形態の液晶表示装置においても、第8の実施形態と同様の効果を奏する。   The liquid crystal display device of this embodiment also has the same effect as that of the eighth embodiment.

(第10の実施形態)
図28は、本発明の第10の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図28において、図14と同一物には同一符号を付している。
本実施形態の液晶表示装置は、図28に示すように対向基板130のカラーフィルタ133とコモン電極134との間にλ/4板351を配置している。本実施形態のその他の構成は、図13,図14に示す第3の実施形態の液晶表示装置と基本的に同じである。本実施形態の液晶表示装置においても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。
(Tenth embodiment)
FIG. 28 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to the tenth embodiment of the present invention. In FIG. 28, the same components as those in FIG. 14 are denoted by the same reference numerals.
In the liquid crystal display device of this embodiment, a λ / 4 plate 351 is disposed between the color filter 133 and the common electrode 134 of the counter substrate 130 as shown in FIG. Other configurations of the present embodiment are basically the same as those of the liquid crystal display device of the third embodiment shown in FIGS. Also in the liquid crystal display device of this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.

(第11の実施形態)
図29は、本発明の第11の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図29において,図14と同一物には同一符号を付している。
(Eleventh embodiment)
FIG. 29 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to an eleventh embodiment of the present invention. 29, the same components as those in FIG. 14 are denoted by the same reference numerals.

本実施形態の液晶表示装置は、図29に示すように対向基板130のカラーフィルタ133とコモン電極134との間に偏光板352及びλ/4板351を積層して配置している。本実施形態のその他の構成は、図13,図14に示す第3の実施形態の液晶表示装置と基本的に同じである。本実施形態の液晶表示装置においても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。   In the liquid crystal display device of this embodiment, as shown in FIG. 29, a polarizing plate 352 and a λ / 4 plate 351 are laminated between a color filter 133 and a common electrode 134 of the counter substrate 130. Other configurations of the present embodiment are basically the same as those of the liquid crystal display device of the third embodiment shown in FIGS. Also in the liquid crystal display device of this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained.

以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。   Hereinafter, various aspects of the present invention will be collectively described as supplementary notes.

(付記1)第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、
前記第1の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第1のλ/4板及び第1の偏光板と、
前記第2の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第2のλ/4板及び第2の偏光板とを有し、
前記第1の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される画素電極とが形成され、
前記第1のλ/4板及び前記第1の偏光板のうちの少なくとも一方には、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
(Supplementary Note 1) Liquid crystal composed of a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal panel comprising a plurality of pixels arranged in a layer;
A first λ / 4 plate and a first polarizing plate disposed on a surface opposite to the surface on the liquid crystal layer side of the first substrate;
A second λ / 4 plate and a second polarizing plate disposed on the surface of the second substrate opposite to the surface on the liquid crystal layer side,
On the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, a plurality of gate bus lines to which scanning signals are supplied, a plurality of data bus lines to which display signals are supplied, and the scanning provided for each pixel. A switching element driven by a signal and a pixel electrode provided for each pixel and supplied with the display signal via the switching element are formed,
At least one of the first λ / 4 plate and the first polarizing plate has an opening at a position aligned with at least one of the gate bus line and the data bus line. A liquid crystal display device.

(付記2)前記画素電極が、光を透過する透過電極と、光を反射する反射電極とに分割されていることを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 2) The liquid crystal display device according to supplementary note 1, wherein the pixel electrode is divided into a transmissive electrode that transmits light and a reflective electrode that reflects light.

(付記3)前記第1のλ/4板及び前記第1の偏光板のうちの少なくとも一方には、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする付記2に記載の液晶表示装置。   (Supplementary Note 3) In Supplementary Note 2, at least one of the first λ / 4 plate and the first polarizing plate is provided with an opening at a position matching the reflective electrode. The liquid crystal display device described.

(付記4)前記透明電極は、前記スイッチング素子に電気的に接続されていることを特徴とする付記2に記載の液晶表示装置。   (Additional remark 4) The said transparent electrode is electrically connected to the said switching element, The liquid crystal display device of Additional remark 2 characterized by the above-mentioned.

(付記5)前記反射電極は、前記透明電極に接続されていることを特徴とする付記2に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 5) The liquid crystal display device according to supplementary note 2, wherein the reflective electrode is connected to the transparent electrode.

(付記6)前記反射電極と前記第1の基板との間に、補助容量を構成する補助容量バスラインが形成されていることを特徴とする付記2に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 6) The liquid crystal display device according to supplementary note 2, wherein an auxiliary capacitance bus line constituting an auxiliary capacitance is formed between the reflective electrode and the first substrate.

(付記7)更に、前記液晶パネルを前記第1の基板側から照射するバックライトユニットを有することを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 7) The liquid crystal display device according to supplementary note 1, further comprising a backlight unit that irradiates the liquid crystal panel from the first substrate side.

(付記8)前記第1及び第2の基板のうちの少なくとも一方の前記液晶層側の面上に、液晶分子の配向方向を制御する配向制御部材が設けられていることを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。   (Additional remark 8) The alignment control member which controls the alignment direction of a liquid crystal molecule is provided on the surface by the side of the said liquid crystal layer of at least one of the said 1st and 2nd board | substrates, The additional remark 1 characterized by the above-mentioned. A liquid crystal display device according to 1.

(付記9)前記液晶の誘電率異方性が負であることを特徴とする付記1に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 9) The liquid crystal display device according to supplementary note 1, wherein dielectric anisotropy of the liquid crystal is negative.

(付記10)第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、
前記第1の基板側に配置された第1のλ/4板及び第1の偏光板と、
前記第2の基板側に配置された第2のλ/4板及び第2の偏光板とを有し、
前記第1の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される反射電極とが形成され、
前記第1のλ/4板は前記第1の基板の前記液晶層側の面上に配置され、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
(Additional remark 10) The liquid crystal which consists of a 1st board | substrate, the 2nd board | substrate arrange | positioned facing the said 1st board | substrate, and the liquid crystal enclosed between the said 1st board | substrate and the said 2nd board | substrate. A liquid crystal panel comprising a plurality of pixels arranged in a layer;
A first λ / 4 plate and a first polarizing plate disposed on the first substrate side;
A second λ / 4 plate and a second polarizing plate disposed on the second substrate side;
On the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, a plurality of gate bus lines to which scanning signals are supplied, a plurality of data bus lines to which display signals are supplied, and the scanning provided for each pixel. A switching element driven by a signal, and a reflective electrode provided for each pixel and supplied with the display signal via the switching element;
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first λ / 4 plate is disposed on a surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, and an opening is provided at a position matching the reflective electrode.

(付記11)前記第1の偏光板は、前記第1の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置されていることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 11) The liquid crystal display device according to supplementary note 10, wherein the first polarizing plate is disposed on a surface side opposite to the surface on the liquid crystal layer side of the first substrate.

(付記12)前記第1の偏光板は、前記第1のλ/4板と前記第1の基板との間に配置され、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary Note 12) The first polarizing plate is disposed between the first λ / 4 plate and the first substrate, and an opening is provided at a position matching the reflective electrode. Item 13. The liquid crystal display device according to appendix 10,

(付記13)前記第2のλ/4板及び前記第2の偏光板は、いずれも前記第2の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置されていることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary Note 13) The second λ / 4 plate and the second polarizing plate are both disposed on a surface opposite to the surface on the liquid crystal layer side of the second substrate. The liquid crystal display device according to appendix 10.

(付記14)前記第2のλ/4板は、前記第2の基板の前記液晶層側の面上に配置されていることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 14) The liquid crystal display device according to supplementary note 10, wherein the second λ / 4 plate is disposed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side.

(付記15)前記第2の偏光板は、前記第2の基板の前記液晶層側の面と反対側の面側に配置されていることを特徴とする付記14に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 15) The liquid crystal display device according to supplementary note 14, wherein the second polarizing plate is disposed on a surface side of the second substrate opposite to the surface on the liquid crystal layer side.

(付記16)前記第2の偏光板は、前記第2の基板の前記液晶層側の面上に配置されていることを特徴とする付記14に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 16) The liquid crystal display device according to supplementary note 14, wherein the second polarizing plate is disposed on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side.

(付記17)1つの画素内に、前記反射電極が配置された反射領域と、光を透過する透明電極が配置された透過領域とを有することを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 17) The liquid crystal display device according to supplementary note 10, having a reflection region in which the reflection electrode is disposed and a transmission region in which a transparent electrode that transmits light is disposed in one pixel.

(付記18)前記透明電極の縁部が、前記第1の基板に垂直な方向から見たときに、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に重なることを特徴とする付記17に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 18) The supplementary note 17, wherein an edge of the transparent electrode overlaps at least one of the gate bus line and the data bus line when viewed from a direction perpendicular to the first substrate. A liquid crystal display device according to 1.

(付記19)前記反射電極の表面に、光を乱反射させる凹凸が設けられていることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 19) The liquid crystal display device according to supplementary note 10, wherein the surface of the reflective electrode is provided with irregularities for irregularly reflecting light.

(付記20)前記反射電極と前記第1の基板との間に、表面に凹凸が設けられた絶縁膜が配置され、前記反射電極の表面の凹凸は前記絶縁膜の凹凸により形成されたものであることを特徴とする付記19に記載の液晶表示装置。   (Additional remark 20) Between the said reflective electrode and said 1st board | substrate, the insulating film by which the unevenness | corrugation was provided is arrange | positioned, and the unevenness | corrugation of the surface of the said reflective electrode was formed by the unevenness | corrugation of the said insulating film. Item 20. The liquid crystal display device according to appendix 19, wherein

(付記21)前記絶縁膜が樹脂からなることを特徴とする付記20に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 21) The liquid crystal display device according to supplementary note 20, wherein the insulating film is made of a resin.

(付記22)前記反射電極と前記第1の基板との間に、補助容量を構成する補助容量バスラインが配置されていることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 22) The liquid crystal display device according to supplementary note 10, wherein an auxiliary capacitor bus line constituting an auxiliary capacitor is arranged between the reflective electrode and the first substrate.

(付記23)更に、前記液晶パネルを前記第1の基板側から照射するバックライトユニットを有することを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 23) The liquid crystal display device according to supplementary note 10, further comprising a backlight unit that irradiates the liquid crystal panel from the first substrate side.

(付記24)前記第1の基板及び前記第2の基板のうちの少なくとも一方には、液晶分子の配向方向を制御する配向制御部材が設けられていることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 24) The liquid crystal according to supplementary note 10, wherein an alignment control member for controlling an alignment direction of liquid crystal molecules is provided on at least one of the first substrate and the second substrate. Display device.

(付記25)前記液晶の誘電率異方性が負であることを特徴とする付記10に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 25) The liquid crystal display device according to supplementary note 10, wherein dielectric anisotropy of the liquid crystal is negative.

(付記26)第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置される第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルを有する液晶表示装置において、
前記第1の基板には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される透明電極とが設けられ、
前記第2の基板の前記液晶層側の面上には、前記透明電極の少なくとも一部に対向して形成された反射膜と、前記反射膜に整合する位置に開口部を有するλ/4板とが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
(Supplementary Note 26) A liquid crystal composed of a first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate. In a liquid crystal display device having a liquid crystal panel composed of layers and provided with a plurality of pixels arranged,
The first substrate includes a plurality of gate bus lines to which a scanning signal is supplied, a plurality of data bus lines to which a display signal is supplied, and a switching element provided for each pixel and driven by the scanning signal. A transparent electrode provided for each pixel and supplied with the display signal via the switching element;
A reflective film formed on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side so as to face at least a part of the transparent electrode, and a λ / 4 plate having an opening at a position matching the reflective film And a liquid crystal display device.

(付記27)前記反射膜の表面には、光を乱反射する凹凸が設けられていることを特徴とする付記26に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 27) The liquid crystal display device according to supplementary note 26, wherein the surface of the reflective film is provided with irregularities for irregularly reflecting light.

(付記28)前記反射膜と前記第2の基板との間に、表面に凹凸が設けられた樹脂膜を有し、前記反射膜の凹凸が前記樹脂膜の凹凸により形成されていることを特徴とする付記27に記載の液晶表示装置。   (Additional remark 28) It has the resin film by which the unevenness | corrugation was provided in the surface between the said reflecting film and the said 2nd board | substrate, The unevenness | corrugation of the said reflecting film is formed by the unevenness | corrugation of the said resin film, The liquid crystal display device according to appendix 27.

(付記29)前記樹脂膜がカラーフィルタであることを特徴とする付記28に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 29) The liquid crystal display device according to supplementary note 28, wherein the resin film is a color filter.

(付記30)前記λ/4板と前記第2の基板との間には偏光板が配置されていることを特徴とする付記26に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 30) The liquid crystal display device according to supplementary note 26, wherein a polarizing plate is disposed between the λ / 4 plate and the second substrate.

(付記31)前記第2の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に偏光板が配置されていることを特徴とする付記26に記載の液晶表示装置。   (Supplementary note 31) The liquid crystal display device according to supplementary note 26, wherein a polarizing plate is disposed on a surface opposite to the surface on the liquid crystal layer side of the second substrate.

(付記32)第1の基板の第1の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、
前記第1の基板の第2の面上にλ/4板を接合する工程と、
前記λ/4板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ/4板を露出させる工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ/4板をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(Supplementary Note 32) Forming a plurality of gate bus lines to which scanning signals are supplied and a plurality of data bus lines to which display signals are supplied on the first surface of the first substrate;
Bonding a λ / 4 plate on the second surface of the first substrate;
Forming a photoresist film on the λ / 4 plate;
Exposing the photoresist film and then developing to expose the λ / 4 plate at a position aligned with the gate bus line and the data bus line;
Etching the λ / 4 plate using the photoresist film as a mask;
Removing the photoresist film;
And a step of disposing a second substrate so as to face the first substrate and enclosing a liquid crystal between them.

(付記33)前記フォトレジスト膜をネガ型フォトレジストにより形成し、前記第1の基板の第1の面側に配置された光源から前記前記フォトレジスト膜を露光することを特徴とする付記32に記載の液晶表示装置の製造方法。   (Supplementary note 33) The supplementary note 32 is characterized in that the photoresist film is formed of a negative photoresist and the photoresist film is exposed from a light source disposed on the first surface side of the first substrate. The manufacturing method of the liquid crystal display device of description.

(付記34)第1の基板の第1の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、
前記第1の基板の前記第1の面上にλ/4板を接合する工程と、
前記λ/4板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ/4板を露出させる工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ/4板をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(Supplementary Note 34) Forming a plurality of gate bus lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of data bus lines to which a display signal is supplied on the first surface of the first substrate;
Bonding a λ / 4 plate on the first surface of the first substrate;
Forming a photoresist film on the λ / 4 plate;
Exposing the photoresist film and then developing to expose the λ / 4 plate at a position aligned with the gate bus line and the data bus line;
Etching the λ / 4 plate using the photoresist film as a mask;
Removing the photoresist film;
And a step of disposing a second substrate so as to face the first substrate and enclosing a liquid crystal between them.

(付記35)前記フォトレジスト膜をネガ型フォトレジストにより形成し、前記第1の基板の第2の面側に配置された光源から前記前記フォトレジスト膜を露光することを特徴とする付記34に記載の液晶表示装置の製造方法。   (Supplementary note 35) The supplementary note 34, wherein the photoresist film is formed of a negative photoresist, and the photoresist film is exposed from a light source disposed on a second surface side of the first substrate. The manufacturing method of the liquid crystal display device of description.

図1は、従来の半透過型液晶表示装置の構造を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing the structure of a conventional transflective liquid crystal display device. 図2は、従来の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a light state during black display of a conventional transflective liquid crystal display device. 図3は、従来の半透過型液晶表示装置の白表示時における光の状態を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a light state during white display of a conventional transflective liquid crystal display device. 図4は、本発明の第1の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. 図5は、図4のI−I線による断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 図6は、図4のII−II線による断面図である。6 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 図7(a)〜(d)は、第1の実施形態の液晶表示装置のλ/4板の開口部の形成方法を示す断面図である。7A to 7D are cross-sectional views illustrating a method of forming the opening of the λ / 4 plate of the liquid crystal display device according to the first embodiment. 図8は、本発明の第2の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. 図9は、図8のIII −III 線による断面図である。9 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図10は、第2の実施形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図(その1)である。FIG. 10 is a cross-sectional view (part 1) illustrating the method for manufacturing the liquid crystal display device of the second embodiment. 図11は、第2の実施形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図(その2)である。FIG. 11 is a cross-sectional view (part 2) illustrating the method for manufacturing the liquid crystal display device of the second embodiment. 図12は、第2の実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram illustrating a light state during black display of the transflective liquid crystal display device according to the second embodiment. 図13は、本発明の第3の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention. 図14は、図13のIV−IV線による断面図である。14 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 図15は、第3の実施形態の液晶表示装置のTFT基板の製造方法を示す断面図(その1)である。FIG. 15 is a cross-sectional view (part 1) illustrating the method for manufacturing the TFT substrate of the liquid crystal display device of the third embodiment. 図16は、第3の実施形態の液晶表示装置のTFT基板の製造方法を示す断面図(その2)である。FIG. 16 is a cross-sectional view (part 2) illustrating the method for manufacturing the TFT substrate of the liquid crystal display device of the third embodiment. 図17は、第3の実施形態の変形例(その1)を示す断面図であり、透明電極の縁部がゲートバスラインに重なるようにして形成された例を示している。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a modification (No. 1) of the third embodiment, and shows an example in which the edge of the transparent electrode is formed so as to overlap the gate bus line. 図18は、第3の実施形態の変形例(その2)を示す断面図であり、透明電極の縁部がデータバスラインに重なるようにして形成された例を示している。FIG. 18 is a cross-sectional view showing a modification (No. 2) of the third embodiment, and shows an example in which the edge of the transparent electrode is formed so as to overlap the data bus line. 図19は、本発明の第4の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention. 図20は、本発明の第5の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention. 図21は、第5の実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。FIG. 21 is a schematic diagram showing a light state during black display of the transflective liquid crystal display device of the fifth embodiment. 図22は、本発明の第6の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a sixth embodiment of the present invention. 図23は、第6の実施形態の変形例(その1)を示す断面図であり、透明電極の縁部がゲートバスラインに重なるようにして形成された例を示している。FIG. 23 is a cross-sectional view showing a first modification of the sixth embodiment, showing an example in which the edge of the transparent electrode is formed so as to overlap the gate bus line. 図24は、第6の実施形態の変形例(その2)を示す断面図であり、透明電極の縁部がデータバスラインに重なるようにして形成された例を示している。FIG. 24 is a cross-sectional view showing a modification (No. 2) of the sixth embodiment, and shows an example in which the edge of the transparent electrode is formed so as to overlap the data bus line. 図25は、本発明の第7の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display device according to a seventh embodiment of the present invention. 図26は、本発明の第8の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 26 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to an eighth embodiment of the present invention. 図27は、本発明の第9の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 27 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to a ninth embodiment of the present invention. 図28は、本発明の第10の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 28 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to the tenth embodiment of the present invention. 図29は、本発明の第11の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。FIG. 29 is a sectional view showing a liquid crystal display device according to an eleventh embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10,100,200,300…液晶パネル、
11,110,210,310…基板(TFT基板)、
12,130.330…基板(対向基板)
13,140,340…液晶層、
14a,14b,142a,142b,242a,242b,261,341a,341b,338,352…偏光板、
15a,15b,141a,141b,241a,241b,252,271,320,335,336,351…λ/4板、
17a,220…反射電極、
17b,120a,120b,120c,222a,222b,222c,332a,332b,332c…透明電極、
18,134,336…コモン電極、
20…バックライトユニット、
110a,130a,210a,310a,330a…ガラス基板、
112,212,312…ゲートバスライン、
113,213,313…補助容量バスライン、
114,119,214,219,221,314,319…絶縁膜、
115,215…データバスライン、
116,216…TFT、
118,218…補助容量電極、
132,332…ブラックマトリクス、
133,333…カラーフィルタ、
135…突起物(配向制御用構造物)、
150,250…開口部(λ/4板の開口部)、
151,251,253…フォトレジスト膜、
160,260…開口部(偏光板の開口部)、
270…透明樹脂膜、
334…反射膜。
10, 100, 200, 300 ... liquid crystal panel,
11, 110, 210, 310 ... substrate (TFT substrate),
12, 130.330 ... Substrate (counter substrate)
13, 140, 340 ... liquid crystal layer,
14a, 14b, 142a, 142b, 242a, 242b, 261, 341a, 341b, 338, 352... Polarizing plate,
15a, 15b, 141a, 141b, 241a, 241b, 252, 271, 320, 335, 336, 351 ... λ / 4 plate,
17a, 220 ... reflective electrode,
17b, 120a, 120b, 120c, 222a, 222b, 222c, 332a, 332b, 332c ... transparent electrodes,
18, 134, 336 ... common electrode,
20 ... Backlight unit,
110a, 130a, 210a, 310a, 330a ... glass substrate,
112, 212, 312 ... gate bus lines,
113, 213, 313 ... auxiliary capacity bus line,
114, 119, 214, 219, 221, 314, 319 ... insulating film,
115, 215 ... data bus line,
116, 216 ... TFT,
118, 218 ... auxiliary capacitance electrode,
132,332 ... black matrix,
133,333 ... color filter,
135 ... Protrusions (alignment control structures),
150, 250 ... opening (opening of λ / 4 plate),
151, 251, 253 ... Photoresist film,
160, 260 ... opening (opening of polarizing plate),
270 ... Transparent resin film,
334: Reflective film.

Claims (4)

第1の基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、
前記第1の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第1のλ/4板及び第1の偏光板と、
前記第2の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第2のλ/4板及び第2の偏光板とを有し、
前記第1の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される画素電極とが形成され、
前記第1のλ/4板、又は前記第1のλ/4板及び前記第1の偏光板には、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられ、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとの一方で反射された光は、前記開口部を通じて前記第1のλ/4板及び前記第1の偏光板を透過することを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate, a second substrate disposed opposite to the first substrate, and a liquid crystal layer made of liquid crystal sealed between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal panel provided with a plurality of pixels arranged;
A first λ / 4 plate and a first polarizing plate disposed on a surface opposite to the surface on the liquid crystal layer side of the first substrate;
A second λ / 4 plate and a second polarizing plate disposed on the surface of the second substrate opposite to the surface on the liquid crystal layer side,
On the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, a plurality of gate bus lines to which scanning signals are supplied, a plurality of data bus lines to which display signals are supplied, and the scanning provided for each pixel. A switching element driven by a signal and a pixel electrode provided for each pixel and supplied with the display signal via the switching element are formed,
The first λ / 4 plate, or the first λ / 4 plate and the first polarizing plate have an opening at a position aligned with at least one of the gate bus line and the data bus line. The light reflected from at least one of the gate bus line and the data bus line is transmitted through the first λ / 4 plate and the first polarizing plate through the opening. A characteristic liquid crystal display device.
前記画素電極が、光を透過する透過電極と、光を反射する反射電極とに分割されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode is divided into a transmissive electrode that transmits light and a reflective electrode that reflects light. 前記第1のλ/4板及び前記第1の偏光板のうち少なくとも一方には、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。   3. The liquid crystal display according to claim 2, wherein at least one of the first λ / 4 plate and the first polarizing plate is provided with an opening at a position matching the reflective electrode. apparatus. 第1の基板の第1の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、
前記第1の基板の第2の面上にλ/4板を接合する工程と、
前記λ/4板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ/4板を露出させる工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ/4板をエッチングして前記λ/4板に前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する開口部を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第1の基板に対向させて第2の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と、
前記λ/4板の開口部から前記ゲートバスライン及び前記データバスラインの欠陥を目視で検査する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Forming a plurality of gate bus lines to which scanning signals are supplied and a plurality of data bus lines to which display signals are supplied on the first surface of the first substrate;
Bonding a λ / 4 plate on the second surface of the first substrate;
Forming a photoresist film on the λ / 4 plate;
Exposing the photoresist film and then developing to expose the λ / 4 plate at a position aligned with the gate bus line and the data bus line;
Etching the λ / 4 plate using the photoresist film as a mask to form openings in the λ / 4 plate to match the gate bus lines and the data bus lines;
Removing the photoresist film;
Disposing a second substrate facing the first substrate and enclosing a liquid crystal between them;
And a step of visually inspecting the gate bus line and the data bus line for defects from the opening of the λ / 4 plate.
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