JP2010091854A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same Download PDF

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Ikuna Nishikawa
育那 西川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a display grade in both of a reflection area and a transmission area, and also to prevent the corrosion due to the etchant of a pixel electrode. <P>SOLUTION: A liquid crystal display device 1 is provided with: a first transparent electrode 21 arranged over a transmission area 18 and a reflection area 19, and laminated on the surface of an insulating film 31; a reflective electrode 23 arranged in the reflection area 19, and laminated on the surface of a part in the first transparent electrode 21; and a second transparent electrode 22 arranged over the transmission area 18 and the reflection area 19 and laminated across the entire surface of the reflective electrode 23, and also laminated on the surface of the first transparent electrode 21 at the outside of the reflective electrode 23. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半透過型の液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a transflective liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

半透過型の液晶表示装置は、画像の最小単位であると共にマトリクス状に配置される画素毎に、透過領域及び反射領域を備えている。そして、半透過型液晶表示装置は、外光が十分明るいときに、反射領域において外光を反射して反射モードの表示を行うと共に、外光が暗いときに、透過領域においてバックライトからの光を透過して透過モードの表示を行うように構成されている。そのため、半透過型液晶表示装置は、外光の明るさに影響されることなく、十分なコントラストを維持し、高い視認性を得ることができる。   The transflective liquid crystal display device includes a transmission region and a reflection region for each pixel which is the minimum unit of an image and is arranged in a matrix. The transflective liquid crystal display device displays the reflection mode by reflecting the external light in the reflective area when the external light is sufficiently bright, and displays light from the backlight in the transmissive area when the external light is dark. The transmission mode is displayed through the screen. Therefore, the transflective liquid crystal display device can maintain high contrast and obtain high visibility without being affected by the brightness of external light.

すなわち、透過領域には、バックライトの光を透過するようにITO等からなる透明電極を有する一方、外光を反射するように反射領域に金属膜からなる反射電極を有している。   That is, the transmission region has a transparent electrode made of ITO or the like so as to transmit the light of the backlight, and has a reflection electrode made of a metal film in the reflection region so as to reflect outside light.

例えば、特許文献1に開示されている半透過型の液晶表示装置100は、拡大断面図である図4に示すように、ガラス基板101上に、TFT102と、このTFT102を覆う層間絶縁膜103と、層間絶縁膜103の表面に形成された反射電極104と、反射電極104を覆うように層間絶縁膜103上に形成された透明電極106とが形成されている。そして、反射電極104は、TFT102のドレイン電極105とは直接電気的に接続されておらず、且つ、透明電極106の下部が上記ドレイン電極105に電気的に接続されている。   For example, a transflective liquid crystal display device 100 disclosed in Patent Document 1 includes a TFT 102 and an interlayer insulating film 103 covering the TFT 102 on a glass substrate 101 as shown in FIG. 4 which is an enlarged sectional view. A reflective electrode 104 formed on the surface of the interlayer insulating film 103 and a transparent electrode 106 formed on the interlayer insulating film 103 so as to cover the reflective electrode 104 are formed. The reflective electrode 104 is not directly electrically connected to the drain electrode 105 of the TFT 102, and the lower part of the transparent electrode 106 is electrically connected to the drain electrode 105.

こうして、透明電極106の材料としてITOのみでなくIZOも使用することができ、しかもフリッカを有効に防止するようにしている。   Thus, not only ITO but also IZO can be used as the material of the transparent electrode 106, and flicker is effectively prevented.

また、特許文献2に開示されている半透過型の液晶表示装置100は、拡大断面図である図5に示すように、ガラス基板101上に、TFT102と、このTFT102を覆う層間絶縁膜103とを備え、層間絶縁膜103上には、第1透明電極111、反射電極104、及び第2透明電極112が、この順に積層されている。   In addition, as shown in FIG. 5 which is an enlarged cross-sectional view, a transflective liquid crystal display device 100 disclosed in Patent Document 2 includes a TFT 102 and an interlayer insulating film 103 covering the TFT 102 on a glass substrate 101. The first transparent electrode 111, the reflective electrode 104, and the second transparent electrode 112 are laminated in this order on the interlayer insulating film 103.

これら第1透明電極111、反射電極104、及び第2透明電極112の側端面は、層間絶縁膜103上において、ガラス基板101の表面に垂直な全体で1つの平面を構成するように揃って形成されている。   The side end surfaces of the first transparent electrode 111, the reflective electrode 104, and the second transparent electrode 112 are formed on the interlayer insulating film 103 so as to form one plane as a whole perpendicular to the surface of the glass substrate 101. Has been.

そして、反射電極104及び第2透明電極112を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括にウェットエッチング処理するようにしている。
特開2004−109797号公報 特開2006−330130号公報
Then, the reflective electrode 104 and the second transparent electrode 112 are patterned with the same mask pattern, and wet etching is performed at once using the same etching solution.
JP 2004-109797 A JP 2006-330130 A

しかし、上記特許文献1の液晶表示装置では、反射領域と透過領域とで透明電極の膜厚が同じであるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができない。したがって、透過率が最適な膜厚と、反射率が最適な膜厚とが異なる場合には、何れかの特性を犠牲にせざるを得ず、何れかの領域における表示品位が低下することが避けられない。   However, in the liquid crystal display device of Patent Document 1, since the transparent electrode has the same film thickness in the reflective region and the transmissive region, the optimal transmittance of light and the optimal color of display in each region. It cannot be adjusted independently. Therefore, if the film thickness with the optimal transmittance differs from the film thickness with the optimal reflectance, one of the characteristics must be sacrificed, and the display quality in any region is prevented from deteriorating. I can't.

さらに、拡大断面図である図6に示すように、レジスト107から露出している透明電極106を塩化鉄系のエッチャントを用いてエッチングする際に、透明電極106の端部が層間絶縁膜103の表面から浮き上がり、その隙間からエッチャント108が浸入する結果、反射電極104がエッチングされて浸食されてしまう問題がある。   Further, as shown in FIG. 6 which is an enlarged sectional view, when the transparent electrode 106 exposed from the resist 107 is etched using an iron chloride-based etchant, the end portion of the transparent electrode 106 is formed of the interlayer insulating film 103. As a result of rising from the surface and entering the etchant 108 through the gap, there is a problem that the reflective electrode 104 is etched and eroded.

また、上記特許文献2の液晶表示装置においても、第1透明電極111、反射電極104、及び第2透明電極112の側端面が層間絶縁膜103上で揃っているため、実際には、反射電極104及び第2透明電極112を一括にエッチングする際に、第1透明電極111と反射電極104との間にエッチャントが浸入して、反射電極104が電食されてしまう虞がある。   In the liquid crystal display device of Patent Document 2 described above, since the side end surfaces of the first transparent electrode 111, the reflective electrode 104, and the second transparent electrode 112 are aligned on the interlayer insulating film 103, the reflective electrode actually When the 104 and the second transparent electrode 112 are collectively etched, the etchant may enter between the first transparent electrode 111 and the reflective electrode 104 and the reflective electrode 104 may be eroded.

本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半透過型の液晶表示装置について、反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上すると共に、画素電極のエッチャントによる溶食を防止しようとすることにある。   The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to improve display quality in both the reflective region and the transmissive region of the transflective liquid crystal display device and to improve the display quality of the pixel electrode. The goal is to prevent erosion by the etchant.

上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有する半透過型の液晶表示装置であって、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第1透明電極と、上記反射領域に配置され、上記第1透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第1透明電極の表面に積層された第2透明電極とを備えている。   In order to achieve the above object, a liquid crystal display device according to the present invention has a transmissive region for transmitting light and performing transmissive display, and a reflective region for reflecting external light and performing reflective display. A transflective liquid crystal display device, the first transparent electrode disposed over the transmissive region and the reflective region, laminated on the surface of the insulating film, and disposed in the reflective region, the first transparent electrode The reflective electrode laminated on a part of the surface of the first transparent electrode is disposed over the transmission region and the reflective region, and is laminated on the entire surface of the reflective electrode. And a second transparent electrode laminated on the surface.

上記第1透明電極及び第2透明電極は、互いに同じ材料によって構成されていることが好ましい。   The first transparent electrode and the second transparent electrode are preferably made of the same material.

上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、ITOであってもよい。   At least one of the first transparent electrode and the second transparent electrode may be ITO.

上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、IZOであってもよい。   At least one of the first transparent electrode and the second transparent electrode may be IZO.

上記反射電極は、Alを含む金属材料によって構成されていることが好ましい。   The reflective electrode is preferably made of a metal material containing Al.

上記第1透明電極の端部及び上記第2透明電極の端部は、上記反射電極の外側において互いに揃って形成されていることが好ましい。   The end portion of the first transparent electrode and the end portion of the second transparent electrode are preferably formed so as to be aligned with each other outside the reflective electrode.

また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有し、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第1透明電極と、上記反射領域に配置され、上記第1透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第1透明電極の表面に積層された第2透明電極とを備えた半透過型の液晶表示装置を製造する方法であって、上記絶縁膜上に第1の透明導電膜を成膜する工程と、上記第1の透明導電膜の表面に金属膜を成膜し、該金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして上記反射電極を形成する工程と、上記反射電極の表面全体及び該反射電極の外側に、第2の透明導電膜を成膜する工程と、上記第1の透明導電膜及び第2の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、上記第1の透明導電膜から上記第1透明電極を形成すると共に、上記第2の透明導電膜から上記第2透明電極を形成する工程とを有する。   The method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a transmissive region for transmitting light and performing transmissive display, and a reflective region for reflecting light by reflecting external light, and the transmissive region described above. A first transparent electrode disposed over the region and the reflective region and laminated on the surface of the insulating film; a reflective electrode disposed in the reflective region and laminated on a part of the surface of the first transparent electrode; The second transparent electrode is disposed across the transmission region and the reflection region, and is laminated on the entire surface of the reflection electrode, and is laminated on the surface of the first transparent electrode outside the reflection electrode. A method of manufacturing a transflective liquid crystal display device, comprising: forming a first transparent conductive film on the insulating film; forming a metal film on a surface of the first transparent conductive film; The metal film is patterned by photolithography. A step of forming a reflective electrode; a step of forming a second transparent conductive film on the entire surface of the reflective electrode and outside the reflective electrode; and a step of forming the first transparent conductive film and the second transparent conductive film. And patterning collectively by photolithography to form the first transparent electrode from the first transparent conductive film and to form the second transparent electrode from the second transparent conductive film.

上記第1透明電極及び第2透明電極は、互いに同じ材料によって構成されていることが好ましい。   The first transparent electrode and the second transparent electrode are preferably made of the same material.

上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、ITOであってもよい。   At least one of the first transparent electrode and the second transparent electrode may be ITO.

上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、IZOであってもよい。   At least one of the first transparent electrode and the second transparent electrode may be IZO.

上記反射電極は、Alを含む金属材料によって構成されていることが好ましい。   The reflective electrode is preferably made of a metal material containing Al.

−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
-Action-
Next, the operation of the present invention will be described.

本発明に係る液晶表示装置は、透過領域において光を透過して透過表示を行う一方、反射領域において外光を反射して反射表示を行う。反射領域では、外光が第2透明電極を透過して、この第2透明電極の裏面側の反射電極において反射される。反射電極で反射された反射光は、第2透明電極を透過した後に使用者側へ出射される。   The liquid crystal display device according to the present invention performs transmissive display by transmitting light in the transmissive region, while performing reflective display by reflecting external light in the reflective region. In the reflection region, external light passes through the second transparent electrode and is reflected by the reflective electrode on the back surface side of the second transparent electrode. The reflected light reflected by the reflective electrode is emitted to the user side after passing through the second transparent electrode.

一方、透過領域では、光が絶縁膜側から第1透明電極に入射し、この第1透明電極及び第2透明電極を透過した後に、使用者側へ出射される。   On the other hand, in the transmissive region, light enters the first transparent electrode from the insulating film side, passes through the first transparent electrode and the second transparent electrode, and then is emitted to the user side.

したがって、反射領域と透過領域とで光が透過する透明電極の膜厚を異ならせることが可能になるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができる。   Therefore, since it is possible to change the film thickness of the transparent electrode through which light is transmitted between the reflective region and the transmissive region, the optimal transmittance of light and the optimal color of display are individually and independently set in each region. Can be adjusted.

さらに、反射電極は第1透明電極と第2透明電極とによって挟まれると共に、その外縁部分が全周に亘って第2透明電極に覆われることとなる。そして、反射電極の外側において第2透明電極が第1透明電極の表面に積層されていることから、第1透明電極及び第2透明電極を同時にエッチングしてこれら第1透明電極及び第2透明電極をパターニングすることが可能になる。しかも、そのとき、第1透明電極と第2透明電極との接合強度を、第1透明電極又は第2透明電極と絶縁膜との接合強度よりも大きくして、エッチャントが第1透明電極と第2透明電極との間から浸入しないようにすることが可能になる。したがって、反射電極のエッチャントによる溶食を防止することができることとなる。   Furthermore, the reflective electrode is sandwiched between the first transparent electrode and the second transparent electrode, and the outer edge portion is covered with the second transparent electrode over the entire circumference. Then, since the second transparent electrode is laminated on the surface of the first transparent electrode outside the reflective electrode, the first transparent electrode and the second transparent electrode are etched by simultaneously etching the first transparent electrode and the second transparent electrode. Can be patterned. In addition, at that time, the bonding strength between the first transparent electrode and the second transparent electrode is made larger than the bonding strength between the first transparent electrode or the second transparent electrode and the insulating film, so that the etchant becomes the first transparent electrode and the second transparent electrode. It becomes possible not to enter from between the two transparent electrodes. Therefore, the corrosion due to the etchant of the reflective electrode can be prevented.

また、上記液晶表示装置を製造する場合には、まず、絶縁膜上に第1の透明導電膜を成膜する。次に、第1の透明導電膜の表面に金属膜を成膜し、この金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして反射電極を形成する。その後、反射電極の表面全体及びこの反射電極の外側に、第2の透明導電膜を成膜する。次に、上記第1の透明導電膜及び第2の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、第1の透明導電膜から第1透明電極を形成すると共に、第2の透明導電膜から第2透明電極を形成する。   When manufacturing the liquid crystal display device, first, a first transparent conductive film is formed on the insulating film. Next, a metal film is formed on the surface of the first transparent conductive film, and this metal film is patterned by photolithography to form a reflective electrode. Thereafter, a second transparent conductive film is formed on the entire surface of the reflective electrode and on the outside of the reflective electrode. Next, the first transparent conductive film and the second transparent conductive film are collectively patterned by photolithography to form a first transparent electrode from the first transparent conductive film, and the second transparent conductive film To form a second transparent electrode.

このように製造することにより、第1透明電極の端部及び第2透明電極の端部は、反射電極の外側において互いに揃って形成されることとなる。   By manufacturing in this way, the end part of the first transparent electrode and the end part of the second transparent electrode are formed in alignment with each other outside the reflective electrode.

本発明によれば、反射領域と透過領域とで透明電極の膜厚を異ならせることが可能になるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができる。したがって、反射領域及び透過領域の双方における表示品位を向上することができる。そのことに加え、反射電極を第1透明電極と第2透明電極とによって挟むと共に、その外縁部分を全周に亘って第2透明電極により覆うことができるため、エッチャントが第1透明電極と第2透明電極との間から浸入しないようにして、反射電極のエッチャントによる溶食を防止することができる。   According to the present invention, since the thickness of the transparent electrode can be made different between the reflective region and the transmissive region, the optimal transmittance of light and the optimal color of display are individually and independently set in each region. Can be adjusted. Therefore, the display quality in both the reflective region and the transmissive region can be improved. In addition, since the reflective electrode can be sandwiched between the first transparent electrode and the second transparent electrode, and the outer edge portion can be covered with the second transparent electrode over the entire circumference, the etchant is connected to the first transparent electrode and the second transparent electrode. It is possible to prevent erosion caused by the etchant of the reflective electrode by preventing intrusion from between the two transparent electrodes.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiment.

《発明の実施形態1》
図1及び図2は、本発明の実施形態1を示している。
Embodiment 1 of the Invention
1 and 2 show Embodiment 1 of the present invention.

図1は、本実施形態1における液晶表示装置1の要部を拡大して示す断面図である。図2は、本実施形態1におけるエッチング時の透明導電膜を拡大して示す断面図である。   FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the liquid crystal display device 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the transparent conductive film during etching in the first embodiment.

本実施形態1の液晶表示装置1は、半透過型の液晶表示装置であって、光源であるバックライトの光を透過して透過表示を行うための透過領域18と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域19とを有している。   The liquid crystal display device 1 according to the first embodiment is a transflective liquid crystal display device, which transmits a backlight light serving as a light source and performs transmissive display, and reflects external light. And a reflective area 19 for performing reflective display.

液晶表示装置1は、スイッチング素子基板としてのTFT基板11と、TFT基板に対向して配置された対向基板(図示省略)と、TFT基板11及び対向基板の間に介在された液晶層(図示省略)とを備えている。液晶層は、TFT基板11と対向基板との間において枠状のシール部材(図示省略)によって囲まれて封止されている。また、TFT基板11の背面側(つまり液晶層とは反対側)には、バックライト(図示省略)が配置されている。   The liquid crystal display device 1 includes a TFT substrate 11 as a switching element substrate, a counter substrate (not shown) disposed to face the TFT substrate, and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the TFT substrate 11 and the counter substrate. ). The liquid crystal layer is enclosed and sealed between the TFT substrate 11 and the counter substrate by a frame-shaped sealing member (not shown). A backlight (not shown) is disposed on the back side of the TFT substrate 11 (that is, the side opposite to the liquid crystal layer).

上記対向基板は、例えばガラス基板の液晶層側表面に形成された、ITO等からなる共通電極、カラーフィルター及びブラックマトリクス等と、液晶層とは反対側に貼り付けられた偏光板とを備えている。   The counter substrate includes, for example, a common electrode made of ITO or the like, a color filter, a black matrix, and the like formed on the surface of the glass substrate on the liquid crystal layer side, and a polarizing plate attached to the side opposite to the liquid crystal layer. Yes.

一方、TFT基板11は、いわゆるアクティブマトリクス基板に構成されている。TFT基板11には、表示の単位領域である画素(図示省略)がマトリクス状に複数配置されている。TFT基板11には、複数のゲート配線(図示省略)が互いに平行に延びて形成されている。また、TFT基板11には、複数のソース配線(図示省略)が互いに平行に形成されており、上記ゲート配線と直交するように配置されている。そのことにより、TFT基板11には、ゲート配線及びソース配線からなる配線が格子状にパターン形成されている。   On the other hand, the TFT substrate 11 is configured as a so-called active matrix substrate. On the TFT substrate 11, a plurality of pixels (not shown), which are display unit areas, are arranged in a matrix. A plurality of gate wirings (not shown) are formed on the TFT substrate 11 so as to extend in parallel with each other. In addition, a plurality of source wirings (not shown) are formed on the TFT substrate 11 in parallel with each other, and are arranged so as to be orthogonal to the gate wiring. As a result, the TFT substrate 11 is formed with a pattern of gate lines and source lines in a grid pattern.

各画素は、上記ゲート配線とソース配線とによって区画される矩形状の領域により形成されている。各画素には、液晶層を駆動するための画素電極12が形成されている。画素電極12は、後述するように、第1透明電極21、反射電極23、及び第2透明電極22が、この順に積層して構成されている。   Each pixel is formed by a rectangular region partitioned by the gate wiring and the source wiring. In each pixel, a pixel electrode 12 for driving the liquid crystal layer is formed. As will be described later, the pixel electrode 12 is configured by laminating a first transparent electrode 21, a reflective electrode 23, and a second transparent electrode 22 in this order.

各画素には、画素電極12をスイッチング駆動するスイッチング素子であるTFT(Thin-Film Transistor:薄膜トランジスタ)13がそれぞれ設けられている。TFT13は、ゲート配線に接続されたゲート電極14と、ソース配線に接続されたソース電極15と、画素電極12に接続されたドレイン電極16とを備えている。   Each pixel is provided with a TFT (Thin-Film Transistor) 13 which is a switching element for switching and driving the pixel electrode 12. The TFT 13 includes a gate electrode 14 connected to the gate wiring, a source electrode 15 connected to the source wiring, and a drain electrode 16 connected to the pixel electrode 12.

そうして、走査電圧がゲート配線を介してゲート電極14に印加された状態で、信号電圧がソース配線からソース電極15及びドレイン電極16を介して画素電極12へ供給されるようになっている。   Thus, the signal voltage is supplied from the source wiring to the pixel electrode 12 via the source electrode 15 and the drain electrode 16 in a state where the scanning voltage is applied to the gate electrode 14 via the gate wiring. .

TFT基板11の積層構造について、図1を参照してさらに詳述する。   The laminated structure of the TFT substrate 11 will be further described in detail with reference to FIG.

TFT基板11は、透明基板としてのガラス基板25を備え、ガラス基板25の液晶層側には上記TFT13及び画素電極12等が形成される一方、液晶層とは反対側には図示省略の偏光板が貼り付けられている。   The TFT substrate 11 includes a glass substrate 25 as a transparent substrate. The TFT 13 and the pixel electrode 12 are formed on the glass substrate 25 on the liquid crystal layer side, and a polarizing plate (not shown) is provided on the opposite side of the liquid crystal layer. Is pasted.

ガラス基板25の液晶層側表面には、バッファ層26が形成されている。バッファ層26は、例えば、SiO及びSiNOがこの順に積層された積層体や、SiO等により構成されている。 A buffer layer 26 is formed on the liquid crystal layer side surface of the glass substrate 25. The buffer layer 26 is made of, for example, a stacked body in which SiO 2 and SiNO are stacked in this order, or SiO 2 .

バッファ層26の表面には、TFT13の半導体層27が島状にパターン形成されている。半導体層27は、例えばCGS(Continuous Grain silicon:連続粒界結晶シリコン)、LPS(Low-Temperature Poly-Silicon:低温ポリシリコン)又はα−Si(amorphous silicon:非結晶シリコン)等により構成されている。   On the surface of the buffer layer 26, the semiconductor layer 27 of the TFT 13 is patterned in an island shape. The semiconductor layer 27 is made of, for example, CGS (Continuous Grain silicon), LPS (Low-Temperature Poly-Silicon), α-Si (amorphous silicon), or the like. .

また、バッファ層26上には、半導体層27を覆うようにゲート絶縁膜28が形成されている。ゲート絶縁膜28は、SiN及びSiOがこの順に積層された積層体、SiO、又はSiN等により構成されている。 A gate insulating film 28 is formed on the buffer layer 26 so as to cover the semiconductor layer 27. The gate insulating film 28 is composed of a stacked body in which SiN and SiO 2 are stacked in this order, SiO 2 , SiN, or the like.

ゲート絶縁膜28の表面には、上記半導体層27に対向するように配置されたゲート電極14が形成されている。ゲート電極14は、例えば、TaN及びWがこの順に積層された積層体、Mo、MoW、Ti及びAlがこの順に積層された積層体等によって構成されている。   A gate electrode 14 is formed on the surface of the gate insulating film 28 so as to face the semiconductor layer 27. The gate electrode 14 is configured by, for example, a stacked body in which TaN and W are stacked in this order, a stacked body in which Mo, MoW, Ti, and Al are stacked in this order, or the like.

また、ゲート絶縁膜28上には、ゲート電極14を覆うようにバッファ層29が形成されている。バッファ層29は、例えば、SiO及びSiNがこの順に積層された積層体、SiOとSiNとSiOとがこの順に積層された積層体、SiO、又はSiN等により構成されている。 A buffer layer 29 is formed on the gate insulating film 28 so as to cover the gate electrode 14. The buffer layer 29 is made of, for example, a laminated body in which SiO 2 and SiN are laminated in this order, a laminated body in which SiO 2 , SiN, and SiO 2 are laminated in this order, SiO 2 , SiN, or the like.

バッファ層29の表面には、ソース電極15及びドレイン電極16が形成されている。ソース電極15及びドレイン電極16は、バッファ層29及びゲート絶縁膜28を貫通して形成されたコンタクトホール30を介して半導体層27にそれぞれ接続されている。ソース電極15及びドレイン電極16は、TiとAlとTiとがこの順に積層された積層体、TiとAlとがこの順に積層された積層体、TiNとAlとTiNとがこの順に積層された積層体、MoとAl−NdとMoとがこの順に積層された積層体、又はMoとAlとMoとがこの順に積層された積層体等により構成されている。   A source electrode 15 and a drain electrode 16 are formed on the surface of the buffer layer 29. The source electrode 15 and the drain electrode 16 are connected to the semiconductor layer 27 through contact holes 30 formed through the buffer layer 29 and the gate insulating film 28, respectively. The source electrode 15 and the drain electrode 16 are a laminated body in which Ti, Al, and Ti are laminated in this order, a laminated body in which Ti and Al are laminated in this order, and a laminated body in which TiN, Al, and TiN are laminated in this order. Body, a laminated body in which Mo, Al—Nd, and Mo are laminated in this order, or a laminated body in which Mo, Al, and Mo are laminated in this order.

また、バッファ層29上には、ソース電極15及びドレイン電極16を覆うように、絶縁膜である透明樹脂膜31が形成されている。透明樹脂膜31は、感光性樹脂により構成されている。   A transparent resin film 31 that is an insulating film is formed on the buffer layer 29 so as to cover the source electrode 15 and the drain electrode 16. The transparent resin film 31 is made of a photosensitive resin.

透明樹脂膜31の表面には、画素電極12が形成されている。画素電極12は、第1透明電極21、反射電極23、及び第2透明電極22が、この順に積層して構成されている。   A pixel electrode 12 is formed on the surface of the transparent resin film 31. The pixel electrode 12 is configured by laminating a first transparent electrode 21, a reflective electrode 23, and a second transparent electrode 22 in this order.

第1透明電極21は、透過領域18及び反射領域19に亘って配置され、透明樹脂膜31の表面に積層されている。第1透明電極21は、透明樹脂膜31に貫通形成されたコンタクトホール32を介してドレイン電極16に接続されている。第1透明電極21は、ITO又はIZOによって構成されている。   The first transparent electrode 21 is disposed over the transmissive region 18 and the reflective region 19 and is laminated on the surface of the transparent resin film 31. The first transparent electrode 21 is connected to the drain electrode 16 through a contact hole 32 formed through the transparent resin film 31. The first transparent electrode 21 is made of ITO or IZO.

反射電極23は、反射領域19に配置され、第1透明電極21における一部の表面に積層されている。反射電極23は、TFT13に重なるように配置され、Alを含む金属材料によって構成されている。   The reflective electrode 23 is disposed in the reflective region 19 and is laminated on a part of the surface of the first transparent electrode 21. The reflective electrode 23 is disposed so as to overlap the TFT 13 and is made of a metal material containing Al.

第2透明電極22は、透過領域18及び反射領域19に亘って配置され、反射電極23の表面全体に積層されると共に、この反射電極23の外側において第1透明電極21の表面に積層されている。第2透明電極22は、第1透明電極21と同じ材料によって構成されている。すなわち、第1透明電極21及び第2透明電極22は、それぞれITO又はIZOにより構成されている。   The second transparent electrode 22 is disposed across the transmissive region 18 and the reflective region 19 and is laminated on the entire surface of the reflective electrode 23, and is laminated on the surface of the first transparent electrode 21 outside the reflective electrode 23. Yes. The second transparent electrode 22 is made of the same material as the first transparent electrode 21. That is, the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 are made of ITO or IZO, respectively.

尚、第1透明電極21及び第2透明電極22の材質はこれに限らず、第1透明電極21及び第2透明電極22の少なくとも一方がITO又はIZOであってもよく、他の透明導電膜によって構成されていてもよい。   The material of the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 is not limited to this, and at least one of the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 may be ITO or IZO. It may be constituted by.

そして、図1に示すように、第1透明電極21の端部及び第2透明電極22の端部は、反射電極23の外側(図1で左側)において互いに揃って形成されている。言い換えれば、第1透明電極21の端部及び第2透明電極22の端部は、連続する側面を構成している。こうして、反射領域19には、第1透明電極21、反射電極23、及び第2透明電極22の3層からなる画素電極12が形成される一方、透過領域18には、第1透明電極21及び第2透明電極22の2層からなる画素電極12が形成されている。   As shown in FIG. 1, the end portion of the first transparent electrode 21 and the end portion of the second transparent electrode 22 are formed so as to be aligned with each other outside the reflective electrode 23 (left side in FIG. 1). In other words, the end of the first transparent electrode 21 and the end of the second transparent electrode 22 constitute a continuous side surface. Thus, the pixel electrode 12 including three layers of the first transparent electrode 21, the reflective electrode 23, and the second transparent electrode 22 is formed in the reflective region 19, while the first transparent electrode 21 and the transparent electrode 18 are formed in the transmissive region 18. A pixel electrode 12 composed of two layers of the second transparent electrode 22 is formed.

上記液晶表示装置1では、図1に示すように、反射領域19において、第2透明電極22を透過した外光が反射電極23で反射され、液晶層側へ出射されることにより反射表示が行われる。一方、透過領域18では、バックライトの光が第1透明電極21及び第2透明電極22を順に透過して液晶層側へ出射し、このことにより透過表示が行われる。   In the liquid crystal display device 1, as shown in FIG. 1, in the reflection region 19, the external light transmitted through the second transparent electrode 22 is reflected by the reflection electrode 23 and emitted to the liquid crystal layer side to perform reflection display. Is called. On the other hand, in the transmissive region 18, the light from the backlight is sequentially transmitted through the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 and emitted to the liquid crystal layer side, thereby performing transmissive display.

−製造方法−
次に、上記液晶表示装置の製造方法について説明する。
-Manufacturing method-
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device will be described.

まず、ガラス基板25上にバッファ層26を一様に形成し、そのバッファ層26の表面に半導体層27をフォトリソグラフィにより島状にパターニングして形成する。続いて、ゲート絶縁膜28を形成すると共にその表面にゲート電極14をフォトリソグラフィにより形成する。次に、ゲート絶縁膜28上にバッファ層29を形成した後に、半導体層27の上方位置においてコンタクトホール30を貫通形成する。   First, the buffer layer 26 is uniformly formed on the glass substrate 25, and the semiconductor layer 27 is formed on the surface of the buffer layer 26 by patterning into an island shape by photolithography. Subsequently, the gate insulating film 28 is formed, and the gate electrode 14 is formed on the surface thereof by photolithography. Next, after forming a buffer layer 29 on the gate insulating film 28, a contact hole 30 is formed through the semiconductor layer 27.

次に、バッファ層29の表面に、ソース電極15及びドレイン電極16を、それぞれコンタクトホール30を介して半導体層27に接続されるように形成する。その後、バッファ層29上に透明樹脂膜31を形成すると共に、この透明樹脂膜31にコンタクトホール32を貫通形成する。   Next, the source electrode 15 and the drain electrode 16 are formed on the surface of the buffer layer 29 so as to be connected to the semiconductor layer 27 through the contact holes 30, respectively. Thereafter, a transparent resin film 31 is formed on the buffer layer 29, and contact holes 32 are formed through the transparent resin film 31.

次に、透明樹脂膜31上にITO又はIZO等の第1の透明導電膜を成膜する。続いて、上記第1の透明導電膜の表面に金属膜を成膜する。その後、この金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして反射電極23を形成する。   Next, a first transparent conductive film such as ITO or IZO is formed on the transparent resin film 31. Subsequently, a metal film is formed on the surface of the first transparent conductive film. Thereafter, the reflective film 23 is formed by patterning the metal film by photolithography.

次に、反射電極23の表面全体及びこの反射電極23の外側に、ITO又はIZO等の第2の透明導電膜を成膜する。その後、上記第1の透明導電膜及び第2の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、第1の透明導電膜から第1透明電極21を形成すると共に、第2の透明導電膜から第2透明電極22を形成する。このように製造することにより、第1透明電極21の端部及び第2透明電極22の端部は、反射電極23の外側において互いに揃って形成されることとなる。   Next, a second transparent conductive film such as ITO or IZO is formed on the entire surface of the reflective electrode 23 and outside the reflective electrode 23. Thereafter, the first transparent conductive film and the second transparent conductive film are collectively patterned by photolithography to form the first transparent electrode 21 from the first transparent conductive film, and the second transparent conductive film. From this, the second transparent electrode 22 is formed. By manufacturing in this way, the end portion of the first transparent electrode 21 and the end portion of the second transparent electrode 22 are formed in alignment with each other outside the reflective electrode 23.

こうして、TFT基板11を製造する。一方、ガラス基板上に共通電極やカラーフィルター等を形成して対向基板を製造する。そうして、これら対向基板とTFT基板11とを、シール部材及び液晶層を介して貼り合わせることによって、上記液晶表示装置1を製造する。   In this way, the TFT substrate 11 is manufactured. On the other hand, a common electrode, a color filter, etc. are formed on a glass substrate to manufacture a counter substrate. Then, the liquid crystal display device 1 is manufactured by bonding the counter substrate and the TFT substrate 11 through a sealing member and a liquid crystal layer.

−実施形態1の効果−
したがって、この実施形態1によると、液晶表示装置1は、反射領域19において、外光を、第2透明電極22に透過させて、この第2透明電極22の裏面側の反射電極23において反射させることができる。そして、反射電極23で反射された反射光を、第2透明電極22を透過した後に液晶層側(使用者側)へ出射させることができる。一方、透過領域では、バックライトの光を、透明樹脂膜31側から第1透明電極21に入射させ、この第1透明電極21及び第2透明電極22を透過させた後に、液晶層側(使用者側)へ出射させることができる。
-Effect of Embodiment 1-
Therefore, according to the first embodiment, the liquid crystal display device 1 transmits the external light to the second transparent electrode 22 in the reflection region 19 and reflects it on the reflection electrode 23 on the back surface side of the second transparent electrode 22. be able to. Then, the reflected light reflected by the reflective electrode 23 can be emitted to the liquid crystal layer side (user side) after passing through the second transparent electrode 22. On the other hand, in the transmissive region, the light of the backlight is incident on the first transparent electrode 21 from the transparent resin film 31 side and transmitted through the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22, and then the liquid crystal layer side (use To the person side).

したがって、反射領域19と透過領域18とにおいて光が透過する透明電極21,22の膜厚を互いに異ならせることが可能になるため、光の最適な透過率、及び表示の最適な色味を、各領域においてそれぞれ別個独立に調整することができる。したがって、反射領域19及び透過領域18の双方における表示品位を向上することができる。   Therefore, since it becomes possible to make the film thicknesses of the transparent electrodes 21 and 22 through which light is transmitted in the reflective region 19 and the transmissive region 18 different from each other, the optimal transmittance of light and the optimal color of display are obtained. Each region can be adjusted independently. Therefore, the display quality in both the reflective area 19 and the transmissive area 18 can be improved.

そのことに加え、反射電極23を第1透明電極21と第2透明電極22とによって狭持すると共に、その反射電極23の外縁部分を全周に亘って第2透明電極22により覆うことができる。さらに、反射電極23の外側において第2透明電極22を第1透明電極21の表面に積層していることから、第1透明電極21及び第2透明電極22を同時にエッチングして、これら第1透明電極21及び第2透明電極22を一括してパターニングすることができる。   In addition, the reflective electrode 23 can be held between the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22, and the outer edge portion of the reflective electrode 23 can be covered with the second transparent electrode 22 over the entire circumference. . Furthermore, since the second transparent electrode 22 is laminated on the surface of the first transparent electrode 21 outside the reflective electrode 23, the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 are simultaneously etched, and these first transparent electrodes The electrode 21 and the second transparent electrode 22 can be patterned together.

しかも、そのとき、第1透明電極21と第2透明電極22との接合強度を、第1透明電極21又は第2透明電極22と透明樹脂膜31との接合強度よりも大きくして、塩化鉄系のエッチャントが第1透明電極21と第2透明電極22との間から浸入しないようにすることができる。したがって、反射電極23のエッチャントによる溶食を防止することができる。   In addition, at that time, the bonding strength between the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 is made larger than the bonding strength between the first transparent electrode 21 or the second transparent electrode 22 and the transparent resin film 31, and iron chloride is used. The etchant of the system can be prevented from entering between the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22. Therefore, the corrosion by the etchant of the reflective electrode 23 can be prevented.

すなわち、第1透明電極21及び第2透明電極22の端部を拡大して示す図2に示すように、第1透明電極21及び第2透明電極22を一括してパターニングするときには、レジスト35を第2の透明導電膜の表面に形成した後にエッチングを行う。このとき、第1の透明導電膜(第1透明電極21)と透明樹脂膜31との接合力は、第1の透明導電膜(第1透明電極21)と第2の透明導電膜(第2透明電極22)との接合力よりも小さいため、エッチング時に、第1透明電極21の端部が透明樹脂膜31から剥がれる虞がある。ところが、第2透明電極22が強い接合力で第1透明電極21に接合しているため、エッチャント36は第1透明電極21と透明樹脂膜31との間に浸入する虞があっても、エッチャント36の第1透明電極21及び第2透明電極22の間への浸入を防止することができることとなる。その結果、塩鉄系のエッチャントを用いて第1透明電極21及び第2透明電極22のエッチングを行うことができる。   That is, as shown in FIG. 2 showing enlarged ends of the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22, when patterning the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 in a lump, the resist 35 is removed. Etching is performed after formation on the surface of the second transparent conductive film. At this time, the bonding force between the first transparent conductive film (first transparent electrode 21) and the transparent resin film 31 is such that the first transparent conductive film (first transparent electrode 21) and the second transparent conductive film (second). Since it is smaller than the bonding force with the transparent electrode 22), the end of the first transparent electrode 21 may be peeled off from the transparent resin film 31 during etching. However, since the second transparent electrode 22 is bonded to the first transparent electrode 21 with a strong bonding force, the etchant 36 may enter the gap between the first transparent electrode 21 and the transparent resin film 31. Intrusion between the 36 first transparent electrodes 21 and the second transparent electrodes 22 can be prevented. As a result, the first transparent electrode 21 and the second transparent electrode 22 can be etched using a salt iron-based etchant.

《発明の実施形態2》
図3は、本発明の実施形態2を示している。
<< Embodiment 2 of the Invention >>
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention.

図3は、本実施形態2における液晶表示装置1の要部を拡大して示す断面図である。尚、以降の各実施形態では、図1及び図2と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。   FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the liquid crystal display device 1 according to the second embodiment. In the following embodiments, the same portions as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

上記実施形態1では、画素電極12がドレイン電極16を介してTFT13の半導体層27に接続されていたのに対し、本実施形態2は、画素電極12を第2透明電極22によってドレイン電極16に直接に接続するようにしたものである。   In the first embodiment, the pixel electrode 12 is connected to the semiconductor layer 27 of the TFT 13 via the drain electrode 16, whereas in the second embodiment, the pixel electrode 12 is connected to the drain electrode 16 by the second transparent electrode 22. It is designed to be connected directly.

すなわち、液晶表示装置1は、TFT基板11と、対向基板42と、これら各基板11,42の間に設けられた液晶層43とを備えている。尚、図3では、対向基板42の詳細な構成の図示を省略している。   That is, the liquid crystal display device 1 includes a TFT substrate 11, a counter substrate 42, and a liquid crystal layer 43 provided between the substrates 11 and 42. In FIG. 3, the detailed configuration of the counter substrate 42 is not shown.

本実施形態におけるTFT13は、ボトムゲート型のTFTであり、半導体層27の表面が保護膜44によって覆われている。保護膜44はバッファ層29によって覆われている。そして、半導体層27の上方位置には、バッファ層29及び保護膜44を貫通するコンタクトホール30が形成されている。   The TFT 13 in this embodiment is a bottom gate type TFT, and the surface of the semiconductor layer 27 is covered with a protective film 44. The protective film 44 is covered with the buffer layer 29. A contact hole 30 penetrating the buffer layer 29 and the protective film 44 is formed above the semiconductor layer 27.

絶縁膜としてのバッファ層29の表面及びコンタクトホール30の内部には、ITO又はIZOからなる第1透明電極21が形成され、このことにより、第1透明電極21が半導体層27に接続されている。そして、上記実施形態1と同様に、第1透明電極21の表面には反射電極23が形成されると共に、第1透明電極の上には、反射電極23を覆うように第2透明電極22が積層されている。   A first transparent electrode 21 made of ITO or IZO is formed on the surface of the buffer layer 29 serving as an insulating film and inside the contact hole 30, whereby the first transparent electrode 21 is connected to the semiconductor layer 27. . As in the first embodiment, the reflective electrode 23 is formed on the surface of the first transparent electrode 21, and the second transparent electrode 22 is formed on the first transparent electrode so as to cover the reflective electrode 23. Are stacked.

−実施形態2の効果−
したがって、この実施形態2によっても、反射領域19と透過領域18とにおいて光が透過する透明電極21,22の膜厚を互いに異ならせることが可能になるため、反射領域19及び透過領域18の双方における表示品位を向上することができる。そのことに加え、反射電極23の外縁部分を全周に亘って第2透明電極22により覆うことができるため、反射電極23のエッチャントによる溶食を防止することができる。さらに、ドレイン電極16の構造を省略して、製造プロセスを簡略化することができる。
-Effect of Embodiment 2-
Therefore, according to the second embodiment as well, it is possible to make the thicknesses of the transparent electrodes 21 and 22 through which light is transmitted in the reflective region 19 and the transmissive region 18 different from each other. Display quality can be improved. In addition, since the outer edge portion of the reflective electrode 23 can be covered with the second transparent electrode 22 over the entire circumference, it is possible to prevent corrosion due to the etchant of the reflective electrode 23. Further, the manufacturing process can be simplified by omitting the structure of the drain electrode 16.

以上説明したように、本発明は、半透過型の液晶表示装置及びその製造方法について有用である。   As described above, the present invention is useful for a transflective liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

図1は、本実施形態1における液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view illustrating a main part of the liquid crystal display device according to the first embodiment. 図2は、本実施形態1におけるエッチング時の透明導電膜を拡大して示す断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the transparent conductive film during etching in the first embodiment. 図3は、本実施形態2における液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of the liquid crystal display device according to the second embodiment. 図4は、従来の液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a conventional liquid crystal display device. 図5は、従来の液晶表示装置の要部を拡大して示す断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a main part of a conventional liquid crystal display device. 図6は、従来におけるエッチング時の透明導電膜を拡大して示す断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a transparent conductive film during conventional etching.

符号の説明Explanation of symbols

1 液晶表示装置
11 TFT基板
12 画素電極
13 TFT
18 透過領域
19 反射領域
21 第1透明電極
22 第2透明電極
23 反射電極
25 ガラス基板
29 バッファ層(絶縁膜)
31 透明樹脂膜(絶縁膜)
35 レジスト
36 エッチャント
1 Liquid crystal display device
11 TFT substrate
12 pixel electrodes
13 TFT
18 Transmission area
19 Reflection area
21 First transparent electrode
22 Second transparent electrode
23 Reflective electrode
25 glass substrate
29 Buffer layer (insulating film)
31 Transparent resin film (insulating film)
35 resist
36 Etchant

Claims (11)

光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有する半透過型の液晶表示装置であって、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第1透明電極と、
上記反射領域に配置され、上記第1透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第1透明電極の表面に積層された第2透明電極とを備えている
ことを特徴とする液晶表示装置。
A transflective liquid crystal display device having a transmissive region for transmitting light and performing transmissive display, and a reflective region for reflecting light by reflecting external light,
A first transparent electrode that is disposed over the transmission region and the reflection region and is laminated on the surface of the insulating film;
A reflective electrode disposed in the reflective region and laminated on a part of the surface of the first transparent electrode;
A second transparent electrode disposed over the surface of the first transparent electrode outside the reflective electrode and disposed over the entire surface of the reflective electrode. A liquid crystal display device.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記第1透明電極及び第2透明電極は、互いに同じ材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The liquid crystal display device, wherein the first transparent electrode and the second transparent electrode are made of the same material.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、ITOである
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The liquid crystal display device, wherein at least one of the first transparent electrode and the second transparent electrode is ITO.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、IZOである
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The liquid crystal display device, wherein at least one of the first transparent electrode and the second transparent electrode is IZO.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記反射電極は、Alを含む金属材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The liquid crystal display device, wherein the reflective electrode is made of a metal material containing Al.
請求項1に記載の液晶表示装置において、
上記第1透明電極の端部及び上記第2透明電極の端部は、上記反射電極の外側において互いに揃って形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
An end portion of the first transparent electrode and an end portion of the second transparent electrode are formed in alignment with each other outside the reflective electrode.
光を透過して透過表示を行うための透過領域と、外光を反射して反射表示を行うための反射領域とを有し、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、絶縁膜の表面に積層された第1透明電極と、
上記反射領域に配置され、上記第1透明電極における一部の表面に積層された反射電極と、
上記透過領域及び上記反射領域に亘って配置され、上記反射電極の表面全体に積層されると共に、該反射電極の外側において上記第1透明電極の表面に積層された第2透明電極とを備えた半透過型の液晶表示装置を製造する方法であって、
上記絶縁膜上に第1の透明導電膜を成膜する工程と、
上記第1の透明導電膜の表面に金属膜を成膜し、該金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして上記反射電極を形成する工程と、
上記反射電極の表面全体及び該反射電極の外側に、第2の透明導電膜を成膜する工程と、
上記第1の透明導電膜及び第2の透明導電膜を、フォトリソグラフィにより一括にパターニングして、上記第1の透明導電膜から上記第1透明電極を形成すると共に、上記第2の透明導電膜から上記第2透明電極を形成する工程とを有する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A transmissive region for transmitting light and performing transmissive display; and a reflective region for reflecting light by reflecting external light;
A first transparent electrode that is disposed over the transmissive region and the reflective region and is laminated on the surface of the insulating film;
A reflective electrode disposed in the reflective region and laminated on a part of the surface of the first transparent electrode;
The second transparent electrode is disposed across the transmission region and the reflection region, and is laminated on the entire surface of the reflection electrode, and is laminated on the surface of the first transparent electrode outside the reflection electrode. A method of manufacturing a transflective liquid crystal display device,
Forming a first transparent conductive film on the insulating film;
Forming a metal film on the surface of the first transparent conductive film and patterning the metal film by photolithography to form the reflective electrode;
Forming a second transparent conductive film on the entire surface of the reflective electrode and on the outside of the reflective electrode;
The first transparent conductive film and the second transparent conductive film are collectively patterned by photolithography to form the first transparent electrode from the first transparent conductive film, and the second transparent conductive film Forming the second transparent electrode. The method for manufacturing a liquid crystal display device.
請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記第1透明電極及び第2透明電極は、互いに同じ材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the liquid crystal display device of Claim 7,
The method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the first transparent electrode and the second transparent electrode are made of the same material.
請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、ITOである
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the liquid crystal display device of Claim 7,
At least one of said 1st transparent electrode and said 2nd transparent electrode is ITO, The manufacturing method of the liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記第1透明電極及び第2透明電極の少なくとも一方は、IZOである
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the liquid crystal display device of Claim 7,
At least one of said 1st transparent electrode and said 2nd transparent electrode is IZO, The manufacturing method of the liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法において、
上記反射電極は、Alを含む金属材料によって構成されている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the liquid crystal display device of Claim 7,
The method for manufacturing a liquid crystal display device, wherein the reflective electrode is made of a metal material containing Al.
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