JP4621053B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method Download PDF

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Description

本発明は、塗布液を噴霧供給して、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に塗布膜を形成する基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法に関する。   The present invention provides a substrate processing for forming a coating film on a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as “substrate”) by spraying a coating liquid. The present invention relates to an apparatus, a substrate processing system, and a substrate processing method.

従来より、スプレーノズルから吐出される霧状のフォトレジスト液によって基板に塗布膜を形成する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。   2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a substrate processing apparatus that forms a coating film on a substrate with a mist-like photoresist liquid discharged from a spray nozzle (for example, Patent Document 1).

特開２００５−０１９５６０号公報JP 2005-019560 A

しかし、発明者は、特許文献１の基板処理装置において、次のような解決課題が存在することを発見した。すなわち、発明者は、（１）特許文献１の基板処理装置によってフォトレジスト液が基板に噴霧供給され、基板上にフォトレジスト膜が形成されると、図１３および図１４に示すように、レジスト膜上に球形パーティクルが発生する場合があること、（２）そして、この球形パーティクルの発生を原因として、露光不良が発生し、その結果、露光処理より後工程で基板の処理不良が発生すること、を発見した。   However, the inventor has found that the following problem exists in the substrate processing apparatus of Patent Document 1. That is, the inventor (1) when the photoresist liquid is sprayed and supplied to the substrate by the substrate processing apparatus of Patent Document 1 and a photoresist film is formed on the substrate, as shown in FIG. 13 and FIG. Spherical particles may be generated on the film. (2) And, due to the generation of the spherical particles, an exposure failure occurs, and as a result, a substrate processing failure occurs after the exposure process. , Found.

図１３は、表面に段差を有する基板９に形成されたレジスト膜８上で発生する球形パーティクル５を説明するための図である。図１４は、表面が平坦な基板９に形成されたレジスト膜８上で発生する球形パーティクル５を説明するための図である。ここでは、図１３および図１４を参照しつつ、球形パーティクルについて説明する。   FIG. 13 is a diagram for explaining the spherical particles 5 generated on the resist film 8 formed on the substrate 9 having a step on the surface. FIG. 14 is a diagram for explaining the spherical particles 5 generated on the resist film 8 formed on the substrate 9 having a flat surface. Here, the spherical particles will be described with reference to FIGS. 13 and 14.

球形パーティクル５は、フォトレジスト液と成分に違いは確認されず、フォトレジストに由来すると推測する異物である。図１３に示すように、球形パーティクル５は、上平坦部９ｂおよび下平坦部９ｃだけでなく、段差エッジ部９ａにも発生する。   The spherical particle 5 is a foreign substance which is not confirmed in the photoresist liquid and the component and is assumed to be derived from the photoresist. As shown in FIG. 13, the spherical particles 5 are generated not only in the upper flat portion 9b and the lower flat portion 9c but also in the step edge portion 9a.

また、図１３に示すように、球形パーティクルは、球形パーティクル５ａ〜５ｃのように略球形形状を有する場合もあるし、球形パーティクル５ｄのようにドーム形状や滑らかな曲面形状を有する場合があり、その内側は中実状となる。さらに、球形パーティクルは、段差エッジ部９ａを有する基板９のレジスト膜８上（図１３参照）だけでなく、表面が平坦なレジスト膜８上（図１４参照）にも発生する。   Further, as shown in FIG. 13, the spherical particles may have a substantially spherical shape like spherical particles 5a to 5c, or may have a dome shape or a smooth curved surface shape like spherical particles 5d. The inside is solid. Furthermore, spherical particles are generated not only on the resist film 8 (see FIG. 13) of the substrate 9 having the step edge portion 9a but also on the resist film 8 having a flat surface (see FIG. 14).

このような球形パーティクルは、以下のようなメカニズムによって形成されると推測する。すなわち、フォトレジスト液が基板に噴霧供給される際に、または、フォトレジスト液のミストが基板９に付着する際に、このミストの一部が特異的に乾燥するなどして球形パーティクルの元になる前駆体が生成される。この球形パーティクル前駆体は、基板に噴霧されたフォトレジスト液と同化しにくい性質を有すると推測する。   It is assumed that such spherical particles are formed by the following mechanism. That is, when the photoresist liquid is sprayed on the substrate, or when the mist of the photoresist liquid adheres to the substrate 9, a part of the mist is specifically dried to generate spherical particles. A precursor is produced. This spherical particle precursor is presumed to have a property that is difficult to assimilate with the photoresist liquid sprayed on the substrate.

したがって、このような球形パーティクル前駆体が基板に噴霧されたフォトレジスト液の表面に付着していたり、フォトレジスト液中に存在していると、基板上のフォトレジスト液が固化した際に、前駆体そのものが、あるいは、前駆体を核として成長したものが、球形パーティクルとして、その存在が視認されたものと推測する。   Therefore, if such a spherical particle precursor adheres to the surface of the photoresist liquid sprayed on the substrate or exists in the photoresist liquid, the precursor liquid is solidified when the photoresist liquid on the substrate is solidified. It is presumed that the body itself or the one grown from the precursor as a nucleus was visually recognized as a spherical particle.

なお、球形パーティクルの前駆体は噴霧された基板上のフォトレジスト液と外観上で見分けがつかず、前駆体を元として球形パーティクルが生成したのがいつであるか、必ずしも明らかでない。以下の説明において、基板上のレジスト膜のような塗布膜上に球形パーティクルの存在が確認されることを、球形パーティクルが「顕在化する」と呼ぶことにする。   The precursor of the spherical particles is indistinguishable from the appearance of the photoresist solution on the sprayed substrate, and it is not always clear when the spherical particles are generated based on the precursor. In the following description, the presence of spherical particles on a coating film such as a resist film on a substrate is referred to as “realization of spherical particles”.

このような球形パーティクルが顕在化すると、レジスト膜の膜厚にバラツキが生ずることになる。すなわち、球形パーティクルが発生した部分は、球形パーティクルが発生していない部分と比較してレジスト膜の膜厚が厚くなる。その結果、球形パーティクルが発生した部分では、露光処理後に実行される現像処理において現像ムラが発生し、後工程で基板の処理不良が発生する。   When such spherical particles become obvious, the resist film thickness varies. In other words, the portion where the spherical particles are generated has a thicker resist film than the portion where the spherical particles are not generated. As a result, in the portion where the spherical particles are generated, development unevenness occurs in the development processing executed after the exposure processing, and a substrate processing defect occurs in a subsequent process.

また、この球形パーティクルは、基板を回転させつつ基板中心の上方からフォトレジスト液を供給してレジスト膜を形成する装置（例えば、スピンコータ）においては発生せず、すなわち、球形パーティクルの発生に起因する基板の処理不良は、フォトレジスト液を噴霧塗布する装置に固有の解決課題である。   Further, the spherical particles are not generated in an apparatus (for example, a spin coater) for forming a resist film by supplying a photoresist solution from above the center of the substrate while rotating the substrate, that is, due to generation of spherical particles. Substrate processing failure is a unique problem to be solved by an apparatus for spray coating a photoresist solution.

そして、この球形パーティクルの問題は、フォトレジスト液を噴霧供給する場合だけでなく、カラーフィルタの形成に使用されるカラーレジスト液や、例えば、ポリイミド樹脂を含み層間絶縁膜の形成に使用される処理液を基板に噴霧供給する場合にも同様に発生する。   The problem with this spherical particle is not only when spraying a photoresist solution, but also with a color resist solution used for forming a color filter, for example, a process used for forming an interlayer insulating film containing a polyimide resin. The same occurs when the liquid is sprayed onto the substrate.

そこで、本発明では、噴霧供給された処理液によって、基板上に良好な塗布膜を形成することができる基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法を提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing system, and a substrate processing method capable of forming a good coating film on a substrate with a sprayed processing solution.

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、高分子材料を溶剤に溶解させた塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部と、前記溶剤を含む消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部と、を備えることを特徴とする。 To solve the above problems, the invention of claim 1, a substrate processing apparatus for forming a coating film on a substrate, by spraying a coating liquid obtained by dissolving a polymer material in a solvent to a substrate, said substrate A first discharge unit that forms a coating film, and a second that causes the spherical particles and the spherical particle precursor on the coating film to disappear by spraying the disappearance liquid containing the solvent onto the coating film applied to the substrate. And a discharge portion.

また、請求項２の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、高分子材料を含む塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部と、前記塗布液と親和性を有する消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部と、を備えることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for forming a coating film on a substrate, wherein a first discharge for forming the coating film on a substrate by spraying a coating liquid containing a polymer material on the substrate. And a second discharge unit that causes the spherical particles and the spherical particle precursor on the coating film to disappear by spraying on the coating film coated on the substrate with a disappearing liquid having affinity with the coating liquid , It is characterized by providing.

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、基板を保持する保持部に対して、前記第１および前記第２の吐出部を相対的に移動させる移動手段、をさらに備えることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first or second aspect , the first and second ejection units are moved relative to the holding unit that holds the substrate. And a moving means.

また、請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記保持部は、基板を保持しつつ回転し、前記移動手段は、前記保持部の回転中心を通る軌跡に沿って前記第１および前記第２の吐出部を移動させることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the third aspect , the holding portion rotates while holding the substrate, and the moving means follows a trajectory passing through the rotation center of the holding portion. The first and second ejection units are moved.

また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記第１および第２の吐出部は、単一のアームに取り付けられており、前記移動手段は、前記単一のアームを移動させることにより、前記第１および前記第２の吐出部を前記軌跡に沿って移動させることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the fourth aspect , the first and second ejection units are attached to a single arm, and the moving means is the single processing unit. By moving the arm, the first and second ejection units are moved along the locus.

また、請求項６の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記第１および前記消失液を基板に噴霧する際に、前記移動手段は、前記第１および第２の吐出部を前記基板面に沿って走査させることを特徴とする。 Further, the invention of claim 6 is the substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein when the first and the disappearing liquids are sprayed onto the substrate, the moving means moves the first and second discharge sections. The scanning is performed along the substrate surface.

また、請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、少なくとも前記塗布液が塗布される間、基板を加熱する加熱部、をさらに備えることを特徴とする。 The invention of claim 7, wherein the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, at least while the coating liquid is applied, the heating unit for heating the substrate, further comprising a And

また、請求項８の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１の吐出部は、第１の処理部に配設されており、前記第２の吐出部は、前記塗布液によって形成された塗布膜の上に、前記消失液の噴霧を可能とする第２の処理部に配設されていることを特徴とする。 According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first or second aspect , the first discharge section is disposed in the first processing section, and the second discharge section Is disposed on a coating film formed of the coating solution in a second processing section that enables spraying of the disappearing solution .

また、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記高分子材料は、感光性樹脂であることを特徴とする。 The invention according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 , wherein the polymer material is a photosensitive resin.

また、請求項１０の発明は、請求項９に記載の基板処理装置において、前記感光性樹脂は、フォトレジストであることを特徴とする。 According to a tenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the ninth aspect , the photosensitive resin is a photoresist.

また、請求項１１の発明は、請求項９に記載の基板処理装置において、前記感光性樹脂は、カラーレジストであることを特徴とする。 According to an eleventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the ninth aspect , the photosensitive resin is a color resist.

また、請求項１２の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記高分子材料は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする。 The invention of claim 12 is, in the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to claim 8, wherein the polymeric material, characterized in that it is a polyimide resin.

また、請求項１３の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、高分子材料を溶剤に溶解させた塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、前記溶剤を含む消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、を備えることを特徴とする。 The invention of claim 13 is a substrate processing system for forming a coating film on a substrate, wherein the coating film is formed on the substrate by spraying a coating solution obtained by dissolving a polymer material in a solvent onto the substrate. A spherical substrate and a spherical particle precursor on the coating film disappear by spraying a first substrate processing apparatus having a first discharge unit and a coating solution applied to the substrate with a disappearing liquid containing the solvent. And a second substrate processing apparatus having a second discharge unit, and a transfer apparatus for transferring the substrate between the first and second substrate processing apparatuses.

また、請求項１４の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、高分子材料を含む塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、前記塗布液と親和性を有する消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、を備えることを特徴とする。 The invention according to claim 14 is a substrate processing system for forming a coating film on a substrate, wherein a first discharge for forming the coating film on a substrate by spraying a coating liquid containing a polymer material onto the substrate. The spherical particles and the spherical particle precursor on the coating film are eliminated by spraying the coating film coated on the substrate with a first substrate processing apparatus having a portion and a disappearing liquid having an affinity for the coating liquid And a second substrate processing apparatus having a second discharge unit, and a transfer apparatus for transferring the substrate between the first and second substrate processing apparatuses.

また、請求項１５の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、(a) 高分子材料を溶剤に溶解させた塗布液を基板に噴霧供給することによって、基板に前記塗布膜を形成する工程と、(b) 前記塗布液によって形成された前記塗布膜の上に、前記溶剤を含む消失液を噴霧供給することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる工程と、を備えることを特徴とする。 The invention of claim 15 is a substrate processing method for forming a coating film on a substrate, wherein: (a) the coating solution in which a polymer material is dissolved in a solvent is sprayed and supplied to the substrate; forming a film, (b) on the coating film formed by the coating solution, by spraying supplies the disappearance liquid containing the solvent, the spherical particles and the spherical particle precursors on the coating film And a step of eliminating .

また、請求項１６の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、(a) 高分子材料を含む塗布液を基板に噴霧供給することによって、基板に前記塗布膜を形成する工程と、(b) 前記塗布液によって形成された前記塗布膜の上に、前記塗布液と親和性を有する消失液を噴霧供給することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる工程と、を備えることを特徴とする。 The invention of claim 16 is a substrate processing method for forming a coating film on a substrate, wherein (a) the coating film is formed on the substrate by spraying and supplying a coating solution containing a polymer material to the substrate. a step, on the coating film formed by (b) the coating liquid, by disappearance liquid spray supply with the coating liquid affinity, spherical particles and the spherical particle precursors on the coating film And a step of eliminating .

また、請求項１７の発明は、請求項１５または請求項１６に記載の基板処理方法において、(c) 基板を加熱する工程、をさらに備えることを特徴とする。 The invention according to claim 17 is the substrate processing method according to claim 15 or 16 , further comprising the step of (c) heating the substrate.

また、請求項１８の発明は、請求項１５または請求項１６に記載の基板処理方法において、前記工程(b)は、前記工程(a)が完了した後に実行させられることを特徴とする。 The invention according to claim 18 is the substrate processing method according to claim 15 or 16 , wherein the step (b) is performed after the step (a) is completed.

また、請求項１９の発明は、請求項１８に記載の基板処理方法において、前記工程(c)は、少なくとも、前記工程(a)が開始されて前記工程(b)が開始されるまでの間、基板を加熱することを特徴とする。 The invention according to claim 19 is the substrate processing method according to claim 18 , wherein the step (c) is performed at least from the start of the step (a) to the start of the step (b). The substrate is heated.

また、請求項２０の発明は、請求項１５または請求項１６に記載の基板処理方法において、前記工程(b)は、霧状の前記消失液と、前記工程(a)によって噴霧された霧状の前記塗布液と、がほぼ混合しない状態となるように実行されることを特徴とする。 The invention of claim 20 is the substrate processing method according to claim 15 or claim 16 , wherein the step (b) includes the mist-like disappeared liquid and the mist sprayed by the step (a). The coating liquid is executed so as to be in a state where it is not substantially mixed.

請求項１、請求項３ないし請求項１２、請求項１３、請求項１５、請求項１８、および請求項２０に記載の発明によれば、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、第１の処理液の溶剤を含む第２の処理液を噴霧して供給することができる。これにより、第１の処理液の塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、第２の処理液を噴霧することによって、この球形パーティクルを塗布膜上から消失させることができる。また球形パーティクルの発生原因となる球形パーティクル前駆体をも消失させることができる。そのため、塗布膜が形成された後の基板処理を良好に実行することができる。 According to the invention described in claim 1, claim 3 to claim 12 , claim 13 , claim 15 , claim 18 , and claim 20 , on the coating film formed by the first treatment liquid. The second processing liquid containing the solvent of the first processing liquid can be sprayed and supplied. As a result, even when spherical particles become apparent on the coating film of the first treatment liquid, the spherical particles can be eliminated from the coating film by spraying the second treatment liquid. Also, the spherical particle precursor that causes the generation of spherical particles can be eliminated. Therefore, it is possible to satisfactorily execute the substrate processing after the coating film is formed.

また、請求項２ないし請求項１２、請求項１４、および請求項１６ないし請求項２０に記載の発明によれば、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を噴霧して供給することができる。これにより、第１の処理液の塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、第２の処理液を噴霧することによって、この球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を塗布膜上から消失させることができる。そのため、塗布膜を形成した後の基板処理を良好に実行することができる。 Further, according to the inventions of claims 2 to 12 , 14 , and 16 to 20 , the first treatment liquid is formed on the coating film formed by the first treatment liquid. The second treatment liquid having affinity with can be sprayed and supplied. As a result, even when spherical particles become apparent on the coating film of the first treatment liquid, the spherical particles and the spherical particle precursor disappear from the coating film by spraying the second treatment liquid. Can be made. Therefore, the substrate processing after forming the coating film can be performed satisfactorily.

特に、請求項５に記載の発明によれば、第１および第２の吐出部は単一のアームに取り付けられており、基板処理装置の部品点数を減少させることができる。そのため、基板処理装置の製造コストを低減しつつ装置のフットプリントを低減することができる。 In particular, according to the invention described in claim 5 , the first and second ejection units are attached to a single arm, and the number of parts of the substrate processing apparatus can be reduced. Therefore, the footprint of the apparatus can be reduced while reducing the manufacturing cost of the substrate processing apparatus.

特に、請求項６に記載の発明によれば、第１および第２の吐出部を静止させたまま基板の全面に第１および第２の処理液を供給することができ、第１および第２の処理液の噴霧状況をさらに安定させることができる。そのため、基板に対して良好に第１および第２の処理液を噴霧供給することができる。 In particular, according to the sixth aspect of the present invention, the first and second treatment liquids can be supplied to the entire surface of the substrate while the first and second ejection portions are stationary, and the first and second treatment liquids can be supplied. The spray state of the treatment liquid can be further stabilized. Therefore, it is possible to spray and supply the first and second processing liquids to the substrate satisfactorily.

特に、請求項７および請求項１７に記載の発明によれば、基板を加熱しつつ第１の処理液を塗布することができる。これにより、基板に塗布された第１の処理液の流動性を抑制しつつ、基板上に第１の処理液を塗布することができる。そのため、基板上の段差部分にも良好に塗布膜を形成することができる。 In particular, according to the invention described in claims 7 and 17 , the first treatment liquid can be applied while heating the substrate. Thereby, the first processing liquid can be applied onto the substrate while suppressing the fluidity of the first processing liquid applied to the substrate. Therefore, it is possible to satisfactorily form a coating film on the stepped portion on the substrate.

特に、請求項８に記載の発明によれば、第１の処理液によって基板に塗布膜を形成する処理、および、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に第２の処理液を供給する処理を、それぞれ第１および第２の処理部にて実行できる。すなわち、２つの処理を別個の処理部において実行できる。そのため、この塗布膜の形成処理と第２の処理液の供給処理とを効率的に実行でき、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。 In particular, according to the invention described in claim 8 , the process of forming the coating film on the substrate with the first processing liquid, and the second processing liquid on the coating film formed with the first processing liquid. The supplied process can be executed by the first and second processing units, respectively. That is, the two processes can be executed in separate processing units. Therefore, the coating film formation process and the second process liquid supply process can be efficiently executed, and the overall throughput of the substrate processing apparatus can be improved.

特に、請求項１３および請求項１４に記載の発明によれば、第１の処理液によって基板に塗布膜を形成する処理、および、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に第２の処理液を供給する処理を、それぞれ第１および第２の基板処理装置にて実行できる。すなわち、２つの処理を別個の基板処理装置において実行できる。そのため、第１の処理液の塗布処理と第２の処理液の供給処理とを効率的に実行でき、基板処理システム全体のスループットを向上させることができる。 In particular, according to the invention described in claim 13 and claim 14 , the process of forming the coating film on the substrate with the first processing liquid, and the second film on the coating film formed with the first processing liquid. The processing for supplying the processing liquid can be performed by the first and second substrate processing apparatuses, respectively. That is, the two processes can be executed in separate substrate processing apparatuses. Therefore, the first treatment liquid application process and the second treatment liquid supply process can be efficiently executed, and the overall throughput of the substrate processing system can be improved.

特に、請求項１９に記載の発明によれば、少なくとも、工程(a)によって第１の処理液が塗布が開始される時点から、工程(b)が開始される時点まで、基板を加熱することができる。そのため、基板に塗布された第１の処理液の流動性をさらに抑制することができる。その結果、基板が段差部分にも、良好に塗布膜の形成することができる。 In particular, according to the invention described in claim 19 , the substrate is heated at least from the time when the first treatment liquid is applied in step (a) to the time when step (b) is started. Can do. Therefore, the fluidity of the first processing liquid applied to the substrate can be further suppressed. As a result, the coating film can be satisfactorily formed on the stepped portion of the substrate.

特に、請求項２０に記載の発明によれば、第１の処理液の塗布して塗布膜を形成する処理と、第２の処理液の供給処理とを並列的に実行することができる。そのため、基板処理のスループットを向上させることができる。

Particularly, according to the twentieth aspect of the present invention, it is possible to execute the process of forming the coating film by applying the first process liquid and the process of supplying the second process liquid in parallel. Therefore, the substrate processing throughput can be improved.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本実施の形態における基板処理装置１の構成の一例を示す図である。図２および図３は、塗布部１０の概略平面図および概略側面図である。また、図４は、本実施の形態における配管構成の一例を示す図である。 <1. First Embodiment>
<1.1. Configuration of substrate processing apparatus>
FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus 1 in the present embodiment. 2 and 3 are a schematic plan view and a schematic side view of the application unit 10, respectively. Moreover, FIG. 4 is a figure which shows an example of the piping structure in this Embodiment.

ここで、基板処理装置１は、基板に純水やフォトレジスト液等の薬液（以下、これらを総称して「処理液」とも呼ぶ）を基板に向けて噴霧供給することが可能な装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、複数（本実施の形態では２つ）の塗布部１０と、ローダ部５０と、アンローダ部５５と、搬送ロボット６０と、を備える。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。   Here, the substrate processing apparatus 1 is an apparatus capable of spraying and supplying a chemical solution such as pure water or a photoresist solution (hereinafter collectively referred to as “processing solution”) to the substrate. . As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 mainly includes a plurality (two in the present embodiment) of application units 10, a loader unit 50, an unloader unit 55, and a transfer robot 60. In addition, in order to clarify those directional relationships, FIG. 1 and subsequent drawings are attached with an XYZ orthogonal coordinate system in which the Z-axis direction is a vertical direction and the XY plane is a horizontal plane, as necessary.

搬送ロボット６０は、ローダ部５０に載置されるカセットＣから基板９を１枚ずつ取り出すとともに、取り出した基板９を複数の塗布部１０に搬送する。また、搬送ロボット６０は、塗布部１０にて処理が完了した基板９を、塗布部１０から取り出すとともにアンローダ部５５に載置されたカセットＣに搬送する。このように、搬送ロボット６０は、基板の搬送部として使用される。   The transfer robot 60 takes out the substrates 9 one by one from the cassette C placed on the loader unit 50 and also transfers the taken out substrates 9 to the plurality of coating units 10. Further, the transfer robot 60 takes out the substrate 9 that has been processed by the coating unit 10 from the coating unit 10 and transfers it to the cassette C placed on the unloader unit 55. Thus, the transfer robot 60 is used as a substrate transfer unit.

ここで、本実施の形態のローダ部５０およびアンローダ部５５の使用方法はこれに限定されない。例えば、ローダ部５０のカセットＣから取り出されて所定の処理が完了した基板９を再びローダ部５０に載置されたカセットＣに搬送してもよい。また、アンローダ部５５のカセットＣから取り出されて所定の処理が完了した基板９を再びアンローダ部５５に載置されたカセットＣに搬送してもよい。さらに、アンローダ部５５のカセットＣから取り出されて所定の処理が完了した基板９をローダ部５０に載置されたカセットＣに搬送してもよい。   Here, the usage method of the loader part 50 and the unloader part 55 of this Embodiment is not limited to this. For example, the substrate 9 that has been taken out from the cassette C of the loader unit 50 and completed predetermined processing may be transported again to the cassette C placed on the loader unit 50. Further, the substrate 9 that has been taken out from the cassette C of the unloader unit 55 and completed a predetermined process may be transported to the cassette C placed on the unloader unit 55 again. Furthermore, the substrate 9 that has been taken out from the cassette C of the unloader unit 55 and completed predetermined processing may be transported to the cassette C placed on the loader unit 50.

塗布部１０は、基板９に向けて塗布液を噴霧供給することにより、基板９に塗布膜を形成するユニットである。図２ないし図４に示すように、塗布部１０は、主として、スプレーノズル１２、１５と、ノズル移動部１１と、吸着ステージ２０と、ヒータ２１と、を備える。   The coating unit 10 is a unit that forms a coating film on the substrate 9 by spraying a coating solution toward the substrate 9. As shown in FIGS. 2 to 4, the application unit 10 mainly includes spray nozzles 12 and 15, a nozzle moving unit 11, an adsorption stage 20, and a heater 21.

スプレーノズル１２は、基板９に向けて塗布液（本実施の形態ではフォトレジスト液）を供給する吐出部である。また、スプレーノズル１５は、基板９に塗布された塗布膜（本実施の形態ではレジスト膜）上に発生した球形パーティクル、および球形パーティクルの発生原因となる球形パーティクル前駆体を消失させる消失液（本実施の形態では、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate））を供給する吐出部である。スプレーノズル１２、１５のそれぞれは、いわゆる二流体ノズルによって構成されており、処理液と加圧された気体とを混合し、霧状とした処理液ミストを基板９に向けて噴霧供給する。   The spray nozzle 12 is a discharge unit that supplies a coating liquid (a photoresist liquid in the present embodiment) toward the substrate 9. Further, the spray nozzle 15 is used to remove the spherical particles generated on the coating film (resist film in the present embodiment) applied to the substrate 9 and the spherical liquid precursor that causes the generation of the spherical particles. In the embodiment, the discharge unit supplies PGMEA (propyleneglycol monomethyl ether acetate). Each of the spray nozzles 12 and 15 is constituted by a so-called two-fluid nozzle, mixes the processing liquid and the pressurized gas, and sprays and supplies the mist of the processing liquid mist toward the substrate 9.

ここで、上述のように、球形パーティクルは、塗布液として基板に供給されたフォトレジスト液によって形成される。また本実施の形態で使用されるフォトレジスト液は、高分子材料であり感光性樹脂であるレジストを、溶剤（溶媒）として使用されるＰＧＭＥＡに溶解させたものである。   Here, as described above, the spherical particles are formed by the photoresist solution supplied to the substrate as the coating solution. In addition, the photoresist liquid used in this embodiment is obtained by dissolving a resist, which is a polymer material and a photosensitive resin, in PGMEA used as a solvent (solvent).

そこで、本実施の形態では、スプレーノズル１２からの塗布液によって形成された塗布膜の上に、塗布液の溶剤を主成分とする処理液（消失液）を供給する。すなわち、塗布膜の上に供給される消失液と塗布液とはＰＧＭＥＡを含む点で共通しており、両処理液は親和性を有する。   Therefore, in the present embodiment, a treatment liquid (disappearing liquid) containing the solvent of the coating liquid as a main component is supplied onto the coating film formed by the coating liquid from the spray nozzle 12. That is, the disappearing liquid and the coating liquid supplied on the coating film are common in that they contain PGMEA, and both treatment liquids have affinity.

これにより、塗布膜上に顕在化した球形パーティクルは、消失液によって柔らかくされたり、溶かされたり、または、球形パーティクルの表面張力が低下させられることにより、塗布膜の上から消失させられる。すなわち、塗布膜の上に消失液を噴霧供給することにより、塗布膜上の球形パーティクルが塗布膜と同化する。また、塗布膜上の球形パーティクル前駆体も塗布膜と同化する。そのため、後工程での基板の処理不良を防止できる。   As a result, the spherical particles that have become apparent on the coating film are softened or melted by the disappearing liquid, or the surface tension of the spherical particles is reduced, so that the spherical particles disappear from the coating film. That is, by supplying the disappearing liquid by spraying onto the coating film, the spherical particles on the coating film are assimilated with the coating film. Also, the spherical particle precursor on the coating film is assimilated with the coating film. Therefore, it is possible to prevent a substrate processing failure in a subsequent process.

図４に戻って、スプレーノズル１２は分岐配管７３ａ、バルブ８３ａ、および配管７２を介して、スプレーノズル１５は分岐配管７３ｂ、８３ｂおよび配管７２を介して、それぞれプロセスガス供給源７６に連通接続される。   Returning to FIG. 4, the spray nozzle 12 is connected to the process gas supply source 76 via the branch pipe 73a, the valve 83a, and the pipe 72, and the spray nozzle 15 is connected to the process gas supply source 76 via the branch pipes 73b, 83b and the pipe 72, respectively. The

また、スプレーノズル１２は、配管７１およびバルブ８１を介して塗布液供給源７５に連通接続される。さらに、スプレーノズル１５は、配管７４およびバルブ８４を介して消失液供給源７７に連通接続される。   The spray nozzle 12 is connected to a coating liquid supply source 75 through a pipe 71 and a valve 81. Further, the spray nozzle 15 is connected in communication with a lost liquid supply source 77 through a pipe 74 and a valve 84.

したがって、バルブ８１、８３ａが開放されて、バルブ８３ｂ、８４が閉鎖されると、スプレーノズル１２からは霧状の塗布液が吐出され、基板９に塗布液が噴霧供給される。一方、バルブ８３ｂ、８４が開放されて、バルブ８１、８３ａが閉鎖されると、スプレーノズル１５からは霧状の消失液が吐出され、基板９に塗布液が噴霧供給される。   Therefore, when the valves 81 and 83a are opened and the valves 83b and 84 are closed, the spray nozzle 12 discharges the mist-like coating liquid and sprays the coating liquid onto the substrate 9. On the other hand, when the valves 83 b and 84 are opened and the valves 81 and 83 a are closed, the mist-like disappearing liquid is discharged from the spray nozzle 15 and the coating liquid is sprayed and supplied to the substrate 9.

なお、本実施の形態において、プロセスガス供給源７６からは、窒素ガスが供給されるが、これに限定されるものでない。塗布液や消失液に対して化学的に安定したガスであればよく、例えば、ヘリウムガスやアルゴンガス等の希ガスであってもよいし、清浄な空気であってもよい。また、塗布液供給源７５、プロセスガス供給源７６、および消失液供給源７７のそれぞれは、可能な場合、半導体工場内の共通設備として設けられる塗布液、プロセスガス、および消失液供給源を利用してもよい。   In the present embodiment, nitrogen gas is supplied from the process gas supply source 76, but the present invention is not limited to this. Any gas that is chemically stable with respect to the coating solution and the disappearing solution may be used. For example, a rare gas such as helium gas or argon gas may be used, or clean air may be used. Moreover, each of the coating liquid supply source 75, the process gas supply source 76, and the disappearance liquid supply source 77 uses a coating liquid, a process gas, and a disappearance liquid supply source provided as common equipment in the semiconductor factory, if possible. May be.

ノズル移動部１１は、吸着ステージ２０に保持された基板９に対してスプレーノズル１２、１５を移動させる移動手段である。図２に示すように、ノズル支持アーム１１ａの一方端部（基部）は、駆動部１３の回転軸１３ａに連結されている。したがって、駆動部１３を動作させることにより、ノズル支持アーム１１ａは回転軸１３ａまわりに回動する。   The nozzle moving unit 11 is a moving unit that moves the spray nozzles 12 and 15 with respect to the substrate 9 held on the suction stage 20. As shown in FIG. 2, one end portion (base portion) of the nozzle support arm 11 a is connected to the rotation shaft 13 a of the drive unit 13. Therefore, by operating the drive unit 13, the nozzle support arm 11a rotates around the rotation shaft 13a.

また、ノズル支持アーム１１ａの他方端部（先端部）１６には、複数（本実施の形態では２つ）のスプレーノズル１２、１５が取り付けられている。すなわち、スプレーノズル１２、１５は、単一のノズル支持アーム１１ａに取り付けられており、スプレーノズル１２、１５のために複数のノズル支持アームは必要とされない。そのため、塗布部１０の部品点数が減少し、基板処理装置１の製造コストを低減しつつフットプリントを低減することができる。   A plurality (two in this embodiment) of spray nozzles 12 and 15 are attached to the other end (tip) 16 of the nozzle support arm 11a. That is, the spray nozzles 12 and 15 are attached to a single nozzle support arm 11a, and a plurality of nozzle support arms are not required for the spray nozzles 12 and 15. Therefore, the number of parts of the application unit 10 is reduced, and the footprint can be reduced while reducing the manufacturing cost of the substrate processing apparatus 1.

なお、本実施の形態において、スプレーノズル１２、１５の取り付け位置は、駆動部１３によるスプレーノズル１２、１５の吐出口の軌跡が、基板９の上方であって吸着ステージ２０の回転軸２２の回転中心ＣＰの近傍を通過する軌跡Ｌとなるように調整されている。   In the present embodiment, the spray nozzles 12 and 15 are attached at a position where the trajectory of the discharge nozzles 12 and 15 by the drive unit 13 is above the substrate 9 and the rotation shaft 22 of the suction stage 20 is rotated. The locus L is adjusted so as to pass through the vicinity of the center CP.

また、スプレーノズル１２、１５は、それぞれの吐出口から基板９までの距離が１５０ｍｍ以下となるように取り付けられている。これにより、塗布液および消失液を良好に噴霧供給することができる。   The spray nozzles 12 and 15 are attached so that the distance from each discharge port to the substrate 9 is 150 mm or less. Thereby, a coating liquid and a loss | disappearance liquid can be spray-supplied favorably.

膜厚測定器１４は、基板９に形成された塗布膜の膜厚を光学的に測定する測定部である。膜厚測定器１４は、必要に応じて基板９の上方適所に配置される（図３参照）また、膜厚測定器１４は、膜厚の測定結果を制御部４０に出力することができる。これにより、制御部４０は、膜厚の測定結果に基づいて塗布液の供給量を調整するとができ、塗布膜の膜厚を調整することができる。   The film thickness measuring instrument 14 is a measuring unit that optically measures the film thickness of the coating film formed on the substrate 9. The film thickness measuring instrument 14 is disposed at an appropriate position above the substrate 9 as required (see FIG. 3). The film thickness measuring instrument 14 can output the measurement result of the film thickness to the control unit 40. Thereby, the control part 40 can adjust the supply amount of a coating liquid based on the measurement result of a film thickness, and can adjust the film thickness of a coating film.

吸着ステージ２０は、真空吸着することにより基板９を吸着保持する保持部である。また、吸着ステージ２０は、回転軸２２を介してモータ２５と連動接続される。これにより、モータ２５が駆動させられることによって、吸着ステージ２０は基板９を保持しつつ回転させることができる。   The suction stage 20 is a holding unit that sucks and holds the substrate 9 by vacuum suction. Further, the suction stage 20 is interlocked with the motor 25 via the rotating shaft 22. Thereby, the suction stage 20 can be rotated while holding the substrate 9 by driving the motor 25.

したがって、基板９が回転させられるとともに、塗布液が噴霧させられた状態でスプレーノズル１２が軌跡Ｌに沿って移動させられると、基板９の表面全体には塗布膜が形成される。また、消失液が噴霧させられた状態でスプレーノズル１５が軌跡Ｌに沿って移動させられると、基板９の表面全体には消失液が供給される。   Accordingly, when the substrate 9 is rotated and the spray nozzle 12 is moved along the locus L in a state where the coating liquid is sprayed, a coating film is formed on the entire surface of the substrate 9. Further, when the spray nozzle 15 is moved along the locus L in a state where the disappearing liquid is sprayed, the disappearing liquid is supplied to the entire surface of the substrate 9.

また、図３に示すように、吸着ステージ２０の内部には、吸着ステージ２０に保持された基板９を加熱可能とするヒータ２１が配設される。ここで、吸着ステージ２０上に保持されている基板９は、８０℃〜９０℃程度の温度に加熱された状態となっている。   As shown in FIG. 3, a heater 21 that can heat the substrate 9 held on the suction stage 20 is disposed inside the suction stage 20. Here, the substrate 9 held on the suction stage 20 is heated to a temperature of about 80 ° C. to 90 ° C.

この加熱された基板表面に対してミスト状の塗布液が付着すると、比較的早い段階でミスト状塗布液が乾燥・定着する。すなわち、この加熱処理により、基板９に塗布された塗布液の流動性が抑制される。そのため、基板９が段差エッジ部９ａ（例えば、図６参照）を有する場合であっても、段差エッジ部９ａに良好に塗布膜が形成される。   When the mist-like coating solution adheres to the heated substrate surface, the mist-like coating solution is dried and fixed at a relatively early stage. That is, the fluidity of the coating liquid applied to the substrate 9 is suppressed by this heat treatment. Therefore, even when the substrate 9 has a step edge portion 9a (for example, see FIG. 6), a coating film is favorably formed on the step edge portion 9a.

複数のリフトピン２４は、基板を支持する支持機構である。また、リフトピン２４は、昇降駆動部２３と接続される。そのため、昇降駆動部２３が動作すると、リフトピン２４に支持された基板９は、吸着位置（図３の実線位置）と、搬送ロボット６０との間で基板の受け渡しを行う受け渡し位置（図３の２点鎖線位置）と、の間で昇降させられる。   The plurality of lift pins 24 are support mechanisms that support the substrate. Further, the lift pin 24 is connected to the lifting drive unit 23. Therefore, when the elevating drive unit 23 operates, the substrate 9 supported by the lift pins 24 moves the substrate 9 between the suction position (solid line position in FIG. 3) and the transfer robot 60 (2 in FIG. 3). It is moved up and down between the dotted line position).

吸着ステージ２０の周囲には、カップ部３０が設けられている。図３に示すように、カップ部３０は、主として、外壁部３１と内壁部３２と気液分離チャンバ３３とを備える。基板９の表面に付着しなかった塗布液は気液分離チャンバ３３の排気による気流に沿って外壁部３１及び内壁部３２の間の空間を下方側に移動し、気液分離チャンバ３３に導かれる。また、外壁部３１及び内壁部３２に付着した塗布液もこれら壁面に沿って流下して外壁部３１及び内壁部３２の下部に設けられた気液分離チャンバ３３に導かれる。気液分離チャンバ３３では気液分離が行われ、カップ内部の排液及び排気が行われる。このように基板９の外側に散ったミスト状塗布液は気液分離チャンバ３３によって排液されるように構成されているので、カップ洗浄の頻度は低くなる。   A cup portion 30 is provided around the suction stage 20. As shown in FIG. 3, the cup part 30 mainly includes an outer wall part 31, an inner wall part 32, and a gas-liquid separation chamber 33. The coating liquid that has not adhered to the surface of the substrate 9 moves down the space between the outer wall portion 31 and the inner wall portion 32 along the airflow generated by the gas-liquid separation chamber 33 and is guided to the gas-liquid separation chamber 33. . In addition, the coating liquid adhering to the outer wall portion 31 and the inner wall portion 32 also flows down along these wall surfaces and is guided to the gas-liquid separation chamber 33 provided below the outer wall portion 31 and the inner wall portion 32. In the gas-liquid separation chamber 33, gas-liquid separation is performed, and drainage and exhaust of the inside of the cup are performed. Thus, since the mist-like coating liquid scattered outside the substrate 9 is configured to be drained by the gas-liquid separation chamber 33, the frequency of cup cleaning is reduced.

図１に戻って、制御部４０は、主として、プログラムや変数等を格納するメモリ４１と、メモリ４１に格納されるプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ４２と、を備える。ＣＰＵ４２は、メモリ４１に格納されるプログラムに従って、例えば、搬送ロボット６０の動作制御や、塗布部１０における駆動部１３、昇降駆動部２３、およびモータ２５の駆動制御、バルブ８１、８３ａ、８３ｂ、８４の開閉制御等を所定のタイミングで実行する。   Returning to FIG. 1, the control unit 40 mainly includes a memory 41 that stores programs, variables, and the like, and a CPU 42 that executes control according to the programs stored in the memory 41. The CPU 42 follows the program stored in the memory 41, for example, operation control of the transport robot 60, drive control of the drive unit 13, the lift drive unit 23, and the motor 25 in the coating unit 10, valves 81, 83a, 83b, 84. Open / close control and the like are executed at a predetermined timing.

＜１．２．処理液の噴霧手順＞
図５は、本実施の形態の基板処理装置１の各塗布部１０による塗布液および消失液の噴霧手順を示すフローチャートである。なお、説明の都合上、本手順が開始される前の時点において、（１）吸着ステージ２０には搬送ロボット６０から受け渡された基板９が保持されており、（２）基板９はヒータ２１によって８０℃〜９０℃程度に温調されており、（３）ノズル支持アーム１１ａの先端部１６は、位置Ｐ１に移動させられており、（４）各バルブ８１、８３ａ、８３ｂ、８４（図４参照）は閉鎖されているものとする。 <1.2. Procedure for spraying treatment liquid>
FIG. 5 is a flowchart showing a spraying procedure of the coating liquid and the disappearing liquid by each coating unit 10 of the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment. For convenience of explanation, before the start of this procedure, (1) the substrate 9 delivered from the transfer robot 60 is held on the suction stage 20, and (2) the substrate 9 is a heater 21. (3) The distal end portion 16 of the nozzle support arm 11a is moved to the position P1, and (4) each valve 81, 83a, 83b, 84 (FIG. 4) is closed.

処理液の噴霧手順では、まず、バルブ８１、８３ａが開放されて、霧状の塗布液の噴霧が開始させられる（Ｓ１０１）。なお、塗布液の噴霧状況が安定するまでに一定時間が必要な場合、位置Ｐ１にてノズル移動部１１が静止させられたまま、塗布液が噴霧される。また、先端部１６が位置Ｐ１に位置する場合、基板９には塗布液は供給されないものとする。   In the treatment liquid spraying procedure, first, the valves 81 and 83a are opened, and spraying of a mist-like coating liquid is started (S101). In addition, when a fixed time is required until the spraying state of the coating liquid is stabilized, the coating liquid is sprayed while the nozzle moving unit 11 is stationary at the position P1. In addition, it is assumed that the coating liquid is not supplied to the substrate 9 when the distal end portion 16 is located at the position P1.

スプレーノズル１２からの塗布液の噴霧状況が安定すると、基板９の表面に塗布膜を形成する処理が実行される（Ｓ１０２）。具体的には、基板９が回転させられるとともに、スプレーノズル１２が位置Ｐ１から位置Ｐ３へ軌跡Ｌに沿って移動させられる。これにより、基板９の表面には塗布液の膜が形成される。   When the spraying state of the coating liquid from the spray nozzle 12 is stabilized, a process of forming a coating film on the surface of the substrate 9 is executed (S102). Specifically, the substrate 9 is rotated and the spray nozzle 12 is moved along the locus L from the position P1 to the position P3. Thereby, a film of the coating liquid is formed on the surface of the substrate 9.

この塗布膜の形成処理が実行される際、基板９は、ヒータ２１によって温調し続けられている。すなわち、本実施の形態において、少なくとも塗布液が基板９に塗布される間、基板９はヒータ２１によって加熱され続ける。そのため、塗布液の流動性を抑制することができ、基板９の段差部にも良好に塗布膜が形成される。   When the coating film forming process is executed, the temperature of the substrate 9 is continuously controlled by the heater 21. That is, in the present embodiment, the substrate 9 continues to be heated by the heater 21 at least while the coating liquid is applied to the substrate 9. Therefore, the fluidity of the coating liquid can be suppressed, and a coating film can be satisfactorily formed on the step portion of the substrate 9.

ここで、スプレーノズル１２の移動速度は、基板周縁部と比較して吸着ステージ２０の回転軸２２の回転中心ＣＰの近傍位置（この回転中心ＣＰが基板９の中心付近と交わる場合、基板中心近傍位置）の方が高速になるように制御してもよい。   Here, the moving speed of the spray nozzle 12 is a position near the rotation center CP of the rotation shaft 22 of the suction stage 20 as compared with the peripheral edge of the substrate (when the rotation center CP intersects with the vicinity of the center of the substrate 9, the vicinity of the substrate center). The position may be controlled so as to be faster.

そして、ノズル支持アーム１１ａの先端部１６が、基板９の端部から抜け出して位置Ｐ３に到達した時点において、バルブ８１、８３ａが閉鎖されて塗布液の噴霧が停止させられるとともに、バルブ８３ｂ、８４が開放されて霧状の消失液の噴霧が開始させられる（Ｓ１０３）。   When the tip 16 of the nozzle support arm 11a comes out of the end of the substrate 9 and reaches the position P3, the valves 81 and 83a are closed to stop the spraying of the coating liquid, and the valves 83b and 84 are stopped. Is opened and spraying of the mist-like disappeared liquid is started (S103).

なお、消失液の噴霧状況が安定するまでに一定時間が必要な場合、位置Ｐ３にてノズル移動部１１を静止させたまま、消失液を噴霧する。また、先端部１６が位置Ｐ３に位置する場合、基板９には消失液が供給されないものとする。   In addition, when a fixed time is required until the disappearance liquid spraying state is stabilized, the disappearance liquid is sprayed while the nozzle moving unit 11 is stationary at the position P3. In addition, it is assumed that the disappearing liquid is not supplied to the substrate 9 when the distal end portion 16 is located at the position P3.

また、消失液の噴霧状況が安定するまでの間、基板９は、ヒータ２１によって温調し続けられている。すなわち、少なくとも、基板９に塗布液の塗布が開始されてから、基板９に消失液の噴霧供給が開始されるまでの間、基板９は加熱され続ける。そのため、塗布液の流動性をさらに抑制することができる。   Further, the temperature of the substrate 9 is continuously controlled by the heater 21 until the disappearance liquid spraying state is stabilized. That is, the substrate 9 continues to be heated at least after the application of the coating liquid to the substrate 9 is started until the spraying of the disappearing liquid is started to be applied to the substrate 9. Therefore, the fluidity of the coating liquid can be further suppressed.

塗布液の噴霧処理が完了した後、先端部１６からの消失液の噴霧状況が安定すると、基板９の表面に消失液を供給する処理が実行される（Ｓ１０４）。すなわち、基板９が回転させられるとともに、スプレーノズル１６が位置Ｐ３から位置Ｐ１へ軌跡Ｌに沿って移動させられる。これにより、基板９の表面に形成された塗布膜には消失液が供給される。そのため、塗布膜上に球形パーティクルが顕在化している場合であっても、この球形パーティクルを消失させることができる（図６参照）。また、球形パーティクルまで成長していないが塗布膜上に存在する球形パーティクル前駆体をも消失させることができる。その結果、後工程での基板の処理不良を防止できる。   After the spraying process of the coating liquid is completed, when the sprayed state of the disappearing liquid from the tip portion 16 is stabilized, a process of supplying the disappearing liquid to the surface of the substrate 9 is executed (S104). That is, the substrate 9 is rotated and the spray nozzle 16 is moved along the locus L from the position P3 to the position P1. As a result, the disappearance liquid is supplied to the coating film formed on the surface of the substrate 9. Therefore, even when spherical particles are manifested on the coating film, the spherical particles can be eliminated (see FIG. 6). Moreover, the spherical particle precursor which has not grown to the spherical particle but exists on the coating film can be eliminated. As a result, it is possible to prevent a substrate processing failure in a subsequent process.

そして、ノズル支持アーム１１ａの先端部１６が位置Ｐ１に到達した時点において、バルブ８３ｂ、８４が閉鎖されて塗布液の噴霧が停止させられることにより、処理液の噴霧処理が終了する。   And when the front-end | tip part 16 of the nozzle support arm 11a arrives at the position P1, valve | bulb 83b, 84 is closed and spraying of a coating liquid is stopped, and the spraying process of a process liquid is complete | finished.

なお、本実施の形態において、基板９に噴霧供給される消失液の供給量は、塗布液の供給量と同等かそれ以下となるようにされている。これにより、基板９に形成された塗布膜にほとんど影響を与えることなく塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させることができる。   In the present embodiment, the supply amount of the disappearing liquid sprayed to the substrate 9 is set to be equal to or less than the supply amount of the coating liquid. Thereby, the spherical particles and the spherical particle precursors on the coating film can be eliminated without substantially affecting the coating film formed on the substrate 9.

＜１．３．第１の実施の形態の基板処理装置１の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１は、基板９に形成された塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、消失液によって球形パーティクルを塗布膜上から消失させることができる。また、球形パーティクル前駆体も消失させることができる。そのため、後工程での基板の処理不良を防止することができる。 <1.3. Advantages of Substrate Processing Apparatus 1 of First Embodiment>
As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment allows the spherical particles to be removed from the coating film by the disappearing liquid even when the spherical particles are manifested on the coating film formed on the substrate 9. Can be eliminated. Also, the spherical particle precursor can be eliminated. Therefore, it is possible to prevent a substrate processing failure in a subsequent process.

＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。この第２の実施の形態における基板処理装置１００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、
（１）塗布部１１０のハードウェア構成が相違する点と、
（２）処理液の噴霧手順が相違する点と、
を除いては、第１の実施の形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。 <2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment is compared with the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.
(1) The hardware configuration of the application unit 110 is different,
(2) The difference in the spraying procedure of the treatment liquid,
Is the same as in the first embodiment. Therefore, in the following, this difference will be mainly described.

なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。   In the following description, the same reference numerals are given to the same constituent elements as those in the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment. Since the components with the same reference numerals have already been described in the first embodiment, description thereof will be omitted in the present embodiment.

＜２．１．基板処理装置の構成＞
図７は、本実施の形態の塗布部１１０の概略平面図である。塗布部１１０は、第１の実施の形態の塗布部１０と同様に、塗布液を基板９に向けて噴霧供給することにより、基板９に塗布膜を形成するユニットである。図７に示すように、塗布部１１０は、主として、スプレーノズル１２、１５と、ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂと、吸着ステージ１２０と、を備える。 <2.1. Configuration of substrate processing apparatus>
FIG. 7 is a schematic plan view of the application unit 110 of the present embodiment. The coating unit 110 is a unit that forms a coating film on the substrate 9 by spraying the coating solution toward the substrate 9 in the same manner as the coating unit 10 of the first embodiment. As shown in FIG. 7, the application unit 110 mainly includes spray nozzles 12 and 15, nozzle support arms 111 a and 111 b, and a suction stage 120.

ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂは、それぞれ塗布部１１０の所定の場所に固定される支持部材である。図７に示すように、ノズル支持アーム１１１ａの先端部１１６ａには塗布液を噴霧するスプレーノズル１２が、ノズル支持アーム１１１ｂの先端部１１６ｂには消失液を噴霧するスプレーノズル１５が、それぞれ取り付けられている。ここで、ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂは、スプレーノズル１２、１５から同時に塗布液と消失液とを噴霧した場合に、塗布膜の形成に悪影響を及ぼさない程度に、距離Ｄ１だけ離間して設けられる。   The nozzle support arms 111a and 111b are support members that are fixed at predetermined positions of the application unit 110, respectively. As shown in FIG. 7, the spray nozzle 12 for spraying the coating liquid is attached to the tip portion 116a of the nozzle support arm 111a, and the spray nozzle 15 for spraying the disappearing liquid is attached to the tip portion 116b of the nozzle support arm 111b. ing. Here, the nozzle support arms 111a and 111b are provided separated by a distance D1 so as not to adversely affect the formation of the coating film when the coating liquid and the disappearing liquid are sprayed from the spray nozzles 12 and 15 at the same time. .

なお、 ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂに取り付けられたスプレーノズル１２、１５は、それぞれの吐出口から基板９までの距離が１５０ｍｍ以下となるように取り付けられている。これにより、塗布液および消失液を良好に噴霧供給することができる。   The spray nozzles 12 and 15 attached to the nozzle support arms 111a and 111b are attached so that the distance from each discharge port to the substrate 9 is 150 mm or less. Thereby, a coating liquid and a loss | disappearance liquid can be spray-supplied favorably.

吸着ステージ１２０は、真空吸着することにより基板９を吸着保持する保持部である。また、吸着ステージ１２０は、駆動部（図示省略）によって方向Ａ（Ｙ軸と略平行な方向）および方向Ｂ（Ｘ軸と略平行な方向）に沿って移動可能に設けられている。   The suction stage 120 is a holding unit that sucks and holds the substrate 9 by vacuum suction. Further, the suction stage 120 is provided so as to be movable along a direction A (a direction substantially parallel to the Y axis) and a direction B (a direction substantially parallel to the X axis) by a drive unit (not shown).

これにより、吸着ステージ１２０は、基板９の上方において、スプレーノズル１２、１５を基板９面に沿って走査させることができる。すなわち、吸着ステージ１２０は、スプレーノズル１２、１５を移動させることなく、スプレーノズル１２、１５の吐出口を、基板９の上方の軌跡Ｍに沿って相対的に移動させることができる。そのため、塗布液および消失液の噴霧状況を安定させることができ、塗布膜の形成処理および消失液の供給処理を良好に実行できる。このように、吸着ステージ１２０は、基板９を保持する保持部としてだけでなく、スプレーノズル１２、１５を相対的に移動させる移動手段としても使用される。   Accordingly, the suction stage 120 can cause the spray nozzles 12 and 15 to scan along the surface of the substrate 9 above the substrate 9. That is, the suction stage 120 can relatively move the discharge ports of the spray nozzles 12 and 15 along the locus M above the substrate 9 without moving the spray nozzles 12 and 15. Therefore, the spraying state of the coating liquid and the disappearing liquid can be stabilized, and the coating film forming process and the disappearing liquid supplying process can be performed satisfactorily. As described above, the suction stage 120 is used not only as a holding unit that holds the substrate 9 but also as a moving unit that relatively moves the spray nozzles 12 and 15.

＜２．２．処理液の噴霧手順＞
図８は、本実施の形態の基板処理装置１００の各塗布部１１０による塗布液および消失液の噴霧手順を示すフローチャートである。図９および図１０は、噴霧手順を説明するための図である。ここでは、図７ないし図１０を参照しつつ、処理液の噴霧手順を説明する。 <2.2. Procedure for spraying treatment liquid>
FIG. 8 is a flowchart showing a spraying procedure of the coating liquid and the disappearing liquid by each coating unit 110 of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. 9 and 10 are diagrams for explaining the spraying procedure. Here, the procedure for spraying the treatment liquid will be described with reference to FIGS.

なお、説明の都合上、本手順が開始される前の時点において、（１）吸着ステージ１２０には搬送ロボット６０から受け渡された基板９が保持されており、（２）基板９はヒータ２１によって８０℃〜９０℃程度に温調されており、（３）吸着ステージ１２０は、位置Ｐ１１に移動させられており、（４）各バルブ８１、８３ａ、８３ｂ、８４（図４参照）は閉鎖されているものとする。   For convenience of explanation, before the start of this procedure, (1) the substrate 9 delivered from the transfer robot 60 is held on the suction stage 120, and (2) the substrate 9 is the heater 21. (3) The suction stage 120 is moved to the position P11, and (4) the valves 81, 83a, 83b, 84 (see FIG. 4) are closed. It is assumed that

処理液の噴霧手順では、まず、バルブ８１、８３ａが開放されて、霧状の塗布液の噴霧が開始させられる（Ｓ２０１）。なお、塗布液の噴霧状況が安定するまでに一定時間が必要な場合、位置Ｐ１１にて吸着ステージ１２０が静止させられたまま、塗布液が噴霧される。また、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１１に位置する場合、基板９には塗布液は供給されないものとする。   In the treatment liquid spraying procedure, first, the valves 81 and 83a are opened, and spraying of a mist-like coating liquid is started (S201). When a certain time is required until the spraying state of the coating liquid is stabilized, the coating liquid is sprayed while the suction stage 120 is stationary at the position P11. Further, when the suction stage 120 is located at the position P11, it is assumed that the coating liquid is not supplied to the substrate 9.

スプレーノズル１２からの塗布液の噴霧状況が安定すると、基板９の表面に塗布膜を形成する処理が実行される（Ｓ２０２）。すなわち、吸着ステージ１２０の移動が開始されて、スプレーノズル１２の吐出口が基板９上方を軌跡Ｍに沿って相対的に移動させられる。これにより、基板９に塗布液の噴霧が開始され、その基板９の表面に塗布膜が形成される。   When the spraying state of the coating liquid from the spray nozzle 12 is stabilized, a process for forming a coating film on the surface of the substrate 9 is executed (S202). That is, the movement of the suction stage 120 is started, and the discharge port of the spray nozzle 12 is relatively moved along the locus M above the substrate 9. Thereby, spraying of the coating liquid is started on the substrate 9, and a coating film is formed on the surface of the substrate 9.

この塗布膜の形成処理が実行される際、基板９は、ヒータ２１によって温調し続けられている。すなわち、本実施の形態において、少なくとも塗布液が基板９に塗布される間、基板９はヒータ２１によって加熱され続ける。そのため、塗布液の流動性を抑制することができ、基板９の段差部にも良好に塗布膜が形成される。   When the coating film forming process is executed, the temperature of the substrate 9 is continuously controlled by the heater 21. That is, in the present embodiment, the substrate 9 continues to be heated by the heater 21 at least while the coating liquid is applied to the substrate 9. Therefore, the fluidity of the coating liquid can be suppressed, and a coating film can be satisfactorily formed on the step portion of the substrate 9.

さらに吸着ステージ１２０が移動させられて、その位置が所定の位置Ｐ１２（図９参照）に到達した時点において（Ｓ２０３）、バルブ８１、８３ａに加えてバルブ８３ｂ、８４が開放される。これにより、霧状の消失液の噴霧がさらに開始させられ（Ｓ２０４）、塗布液および消失液の噴霧処理が並行して実行される。   Further, when the suction stage 120 is moved and its position reaches a predetermined position P12 (see FIG. 9) (S203), in addition to the valves 81 and 83a, the valves 83b and 84 are opened. Thereby, spraying of the mist-like disappearance liquid is further started (S204), and the spraying process of the coating liquid and the disappearance liquid is executed in parallel.

なお、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１２に到達した時点においても塗布膜の形成処理が実行されているため、吸着ステージ１２０は移動し続ける。また、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１２に到達した時点から消失液の噴霧状況が安定するまでの間、基板９がスプレーノズル１５の下方に到達して基板９に消失液が供給されないように、位置Ｐ１２が決められる。   The suction stage 120 continues to move because the coating film forming process is executed even when the suction stage 120 reaches the position P12. Also, from the time when the suction stage 120 reaches the position P12 until the disappearance liquid spraying state is stabilized, the position of the substrate 9 is prevented from being supplied to the substrate 9 by reaching the lower part of the spray nozzle 15. Is decided.

吸着ステージ１２０がさらに移動させられると、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１３（図１０参照）に到達し、基板９の表面に形成された塗布膜の上には消失液の供給が開始される。ここで、上述のように、ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂは距離Ｄ１だけ離間して設けられており、スプレーノズル１２からの霧状の塗布液と、スプレーノズル１５からの霧状の消失液とは、ほとんど混合しない。これにより、塗布液と消失液とを同時に噴霧しても、塗布膜の形成処理を良好に実行できる。すなわち、塗布膜の形成処理と、消失液の供給処理と、を略同時に実行できる。そのため、処理液の噴霧処理のスループットを向上させ、ひいては基板処理装置１００のスループットを向上させることができる。   When the suction stage 120 is further moved, the suction stage 120 reaches the position P13 (see FIG. 10), and supply of the disappearing liquid is started on the coating film formed on the surface of the substrate 9. Here, as described above, the nozzle support arms 111a and 111b are provided apart by a distance D1, and the mist-like coating liquid from the spray nozzle 12 and the mist-like disappearance liquid from the spray nozzle 15 are , Hardly mixed. Thereby, even if a coating liquid and a loss | disappearance liquid are sprayed simultaneously, the formation process of a coating film can be performed favorably. That is, the coating film formation process and the disappearance liquid supply process can be performed substantially simultaneously. Therefore, it is possible to improve the throughput of the treatment liquid spraying process, and thus improve the throughput of the substrate processing apparatus 100.

吸着ステージ１２０がさらに移動させられ、スプレーノズル１２が基板９の端部から抜け出すと、基板９に塗布液が供給されなくなり、塗布膜の形成処理が終了する（Ｓ２０５）、そして、形成処理が終了すると、バルブ８１、８３ａが閉鎖されて塗布液の噴霧が停止させられる（Ｓ２０６）。このとき、バルブ８３ｂ、８４は開放されてままであり、基板９に消失液を供給する処理は引き続き実行される。   When the suction stage 120 is further moved and the spray nozzle 12 comes out of the end of the substrate 9, the coating liquid is no longer supplied to the substrate 9, and the coating film forming process ends (S205), and the forming process ends. Then, the valves 81 and 83a are closed, and the spraying of the coating liquid is stopped (S206). At this time, the valves 83b and 84 remain open, and the process of supplying the disappearing liquid to the substrate 9 is continued.

吸着ステージ１２０がさらに移動させられ、スプレーノズル１５が基板９の端部から抜け出すと、基板９に消失液が供給されなくなり、消失液の供給処理が終了する（Ｓ２０７）。そして、バルブ８３ｂ、８４が閉鎖され、消失液の噴霧が停止させられることにより（Ｓ２０８）、処理液の噴霧処理が終了する。   When the suction stage 120 is further moved and the spray nozzle 15 comes out of the end of the substrate 9, the disappearance liquid is not supplied to the substrate 9, and the supply process of the disappearance liquid ends (S207). Then, the valves 83b and 84 are closed, and the spraying of the disappearing liquid is stopped (S208), whereby the spraying process of the processing liquid is completed.

なお、本実施の形態において、基板９に噴霧供給される消失液の供給量は、第１の実施の形態と同様に、塗布液の供給量と同等かそれ以下となるようにされている。これにより、基板９に形成された塗布膜にほとんど影響を与えることなく塗布膜上の球形パーティクルを消失させることができる。また、球形パーティクル前駆体も消失させることができる。   In the present embodiment, the supply amount of the disappearing liquid sprayed onto the substrate 9 is set to be equal to or less than the supply amount of the coating liquid, as in the first embodiment. Thereby, the spherical particles on the coating film can be eliminated without substantially affecting the coating film formed on the substrate 9. Also, the spherical particle precursor can be eliminated.

＜２．３．第２の実施の形態の基板処理システムの利点＞
以上のように、第２の実施の形態の基板処理装置１００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様に、基板９に形成された塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、消失液によって球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を塗布膜上から消失させることができる。そのため、後工程での基板の処理不良を防止することができる。 <2.3. Advantages of Substrate Processing System of Second Embodiment>
As described above, the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment is similar to the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment in the case where spherical particles are manifested on the coating film formed on the substrate 9. Even so, spherical particles and spherical particle precursors can be eliminated from the coating film by the disappearing liquid. Therefore, it is possible to prevent a substrate processing failure in a subsequent process.

また、第２の実施の形態の塗布部１１０は、塗布膜の形成処理と、消失液の供給処理とを、並列的に実行することができる。そのため、塗布部１１０における処理液の噴霧処理、ひいては基板処理装置１００のスループットを向上させることができる。   In addition, the coating unit 110 according to the second embodiment can execute the coating film formation process and the disappearance liquid supply process in parallel. Therefore, it is possible to improve the processing liquid spraying process in the application unit 110 and, consequently, the throughput of the substrate processing apparatus 100.

＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。 <3. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.

（１）第１および第２の実施の形態において、消失液はフォトレジスト液の溶剤として使用されるＰＧＭＥＡであるものとして説明したが、消失液はこれに限定されるものでない。例えば、消失液としてＰＧＭＥＡ以外の処理液であってフォトレジスト液と親和性を有するものであればよい。   (1) In the first and second embodiments, the disappearing liquid has been described as being PGMEA used as a solvent for the photoresist liquid, but the disappearing liquid is not limited to this. For example, any treatment liquid other than PGMEA as the disappearance liquid may be used as long as it has an affinity for the photoresist liquid.

（２）また、第１および第２の実施の形態において、塗布液はフォトレジスト液であり、消失液はフォトレジスト液の溶剤として使用されるＰＧＭＥＡであるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、塗布液としては、液晶ディスプレイのカラーフィルターの形成に用いられるカラーレジスト液（高分子材料であり感光性樹脂であるカラーレジストを溶剤に溶解させたもの）を使用してよく、また、その消失液としては、カラーレジスト液の溶剤、または、カラーレジスト液と親和性を有するものであればよい。また同様に、塗布液としては、層間絶縁膜の形成に用いられる絶縁膜用処理液（高分子材料の一例であるポリイミド樹脂を溶剤に溶解させたもの）を使用してよく、また、その消失液としては、絶縁膜用処理液の溶剤、または、絶縁膜用処理液と親和性を有するものであればよい。   (2) In the first and second embodiments, the coating liquid is a photoresist liquid and the disappearing liquid is PGMEA used as a solvent for the photoresist liquid. However, the present invention is not limited to this. It is not something. For example, as a coating solution, a color resist solution (a solution in which a color resist that is a polymer material and a photosensitive resin is dissolved in a solvent) used for forming a color filter of a liquid crystal display may be used. The disappearing solution may be any solvent having a color resist solution or an affinity with the color resist solution. Similarly, as the coating solution, a treatment solution for an insulating film used for forming an interlayer insulating film (a solution of a polyimide resin as an example of a polymer material in a solvent) may be used. Any solution may be used as long as it has an affinity for the insulating film processing solution or the insulating film processing solution.

（３）第１の実施の形態において、塗布液の噴霧は、ノズル支持アーム１１ａの先端部１６が位置Ｐ１から位置Ｐ３に移動するまでの期間内に実行されるがこれに限定されるものでない。基板９に形成される塗布膜の膜厚に応じて、軌跡Ｌに沿ったノズル支持アーム１１ａの移動回数（往復回数）を調整してもよい。さらに、塗布膜の膜厚に応じて、ノズル支持アーム１１ａの移動速度、および吸着ステージ２０の回転数を調整してもよい。同様に、消失液の供給量に応じて、軌跡Ｌに沿ったノズル支持アーム１１ａの移動回数（往復回数）、ノズル支持アーム１１ａの移動速度、および吸着ステージ２０の回転数を調整してもよい。   (3) In the first embodiment, the spraying of the coating liquid is performed within a period until the tip portion 16 of the nozzle support arm 11a moves from the position P1 to the position P3, but is not limited thereto. . The number of movements (the number of reciprocations) of the nozzle support arm 11a along the locus L may be adjusted according to the thickness of the coating film formed on the substrate 9. Furthermore, the moving speed of the nozzle support arm 11a and the rotation speed of the suction stage 20 may be adjusted according to the film thickness of the coating film. Similarly, the number of movements (the number of reciprocations) of the nozzle support arm 11a along the locus L, the movement speed of the nozzle support arm 11a, and the number of rotations of the suction stage 20 may be adjusted according to the supply amount of the disappearing liquid. .

（４）また、第１および第２の実施の形態において、各塗布部１０、１１０は、それぞれ同様な処理液の噴霧処理を実行するものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、複数の塗布部１０、１１０の一方において塗布膜の形成処理を実行し、塗布膜の形成処理が完了した基板９を搬送ロボット６０によって他方の塗布部１０、１１０に搬送し、この他方の塗布部１０、１１０において消失液の供給処理を実行してもよい。すなわち、塗布膜の形成処理と消失液の供給処理とを、それぞれ別個の塗布部１０、１１０によって実行してもよい。これにより、両処理を効率的に実行することが可能となり、基板処理装置１、１００全体のスループットを向上させることができる場合がある。   (4) In the first and second embodiments, the application units 10 and 110 have been described as performing the same treatment liquid spraying process. However, the present invention is not limited to this. For example, the coating film forming process is performed in one of the plurality of coating units 10 and 110, and the substrate 9 on which the coating film forming process has been completed is transported to the other coating unit 10 and 110 by the transport robot 60. Disappearing liquid supply processing may be executed in the coating units 10 and 110. That is, the coating film forming process and the disappearance liquid supplying process may be executed by the separate coating units 10 and 110, respectively. Thereby, both processes can be executed efficiently, and the overall throughput of the substrate processing apparatuses 1 and 100 may be improved.

（５）また、第１の実施の形態において、スプレーノズル１２、１５は単一のノズル支持アーム１１ａに取り付けられているがこれに限定されるものでない。例えば、基板処理装置２００の塗布部２１０（図１、図１１参照）のように、ノズル支持アーム１１ａにはスプレーノズル１２のみが取り付けられ、新たに設けられたノズル支持アーム２１１ｂ（駆動部２１３によって回転軸２１３ａまわりに回動する）にスプレーノズル１５が取り付けられたものによって塗布液および消失液の噴霧処理を実行してもよい。   (5) In the first embodiment, the spray nozzles 12 and 15 are attached to the single nozzle support arm 11a. However, the present invention is not limited to this. For example, like the coating unit 210 (see FIGS. 1 and 11) of the substrate processing apparatus 200, only the spray nozzle 12 is attached to the nozzle support arm 11a, and the newly provided nozzle support arm 211b (by the drive unit 213). The spraying process of the coating liquid and the disappearing liquid may be executed by the spray nozzle 15 attached to the rotating shaft 213a.

（６）また、第１および第２の実施の形態の基板処理装置１、１００、および上述の基板処理装置２００では、塗布液および消失液の噴霧処理は１台の基板処理装置において実行されるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、図１２に示すように、複数（図１２では２台）の基板処理装置１（１００、２００）と、各基板処理装置１（１００、２００）の間で基板９を搬送する搬送装置５１０と、を備え、複数の基板処理装置１（１００、２００）の一方において塗布膜の形成処理を実行し、塗布膜の形成された基板９の収納されたカセットＣを搬送装置５１０によって他方の基板処理装置１（１００、２００）に搬送し、この他方の基板処理装置１（１００、２００）において消失液の供給処理を実行してもよい。これにより、塗布膜の形成処理および消失液の供給処理を効率的に実行することが可能となり、基板処理システム５００全体のスループットを向上させることができる場合がある。   (6) In the substrate processing apparatuses 1 and 100 and the above-described substrate processing apparatus 200 according to the first and second embodiments, the spraying process of the coating liquid and the disappearing liquid is performed in one substrate processing apparatus. Although described as a thing, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 12, a plurality of (two in FIG. 12) substrate processing apparatuses 1 (100, 200) and a transfer apparatus 510 that transfers the substrate 9 between the substrate processing apparatuses 1 (100, 200). The coating film forming process is executed in one of the plurality of substrate processing apparatuses 1 (100, 200), and the cassette C in which the substrate 9 on which the coating film is formed is stored is transferred to the other substrate by the transfer device 510. It may be transferred to the processing apparatus 1 (100, 200), and the other substrate processing apparatus 1 (100, 200) may execute the disappearance liquid supply process. Thereby, it is possible to efficiently execute the coating film forming process and the disappearing liquid supply process, and the throughput of the entire substrate processing system 500 may be improved.

（７）また、 第１および第２の実施の形態において、吸着ステージ２０、１２０上に保持される基板９は、８０℃〜９０℃程度に温調されているものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、この範囲より高い温度に温調されてもよいし、この範囲より低い（例えば、室温程度）温度に温調されてもよい。   (7) In the first and second embodiments, the substrate 9 held on the suction stages 20 and 120 has been described as being temperature-controlled at about 80 ° C. to 90 ° C. It is not limited. For example, the temperature may be adjusted to a temperature higher than this range, or the temperature may be adjusted to a temperature lower than this range (for example, about room temperature).

（８）さらに、第１および第２の実施の形態において、基板９は略円形形状を有するものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、液晶表示装置用ガラス基板のように角型基板であってもよい。   (8) Furthermore, in the first and second embodiments, the substrate 9 has been described as having a substantially circular shape, but is not limited thereto. For example, a square substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device may be used.

本発明の第１ないし第３の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the substrate processing apparatus in the 1st thru | or 3rd Embodiment of this invention. 第１の実施の形態の塗布部の概略平面図である。It is a schematic plan view of the application part of 1st Embodiment. 第１の実施の形態の塗布部の概略側面図である。It is a schematic side view of the application part of 1st Embodiment. 第１ないし第３の実施の形態における配管構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the piping structure in 1st thru | or 3rd Embodiment. 第１および第３の実施の形態における処理液の噴霧手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the spraying procedure of the process liquid in 1st and 3rd embodiment. 基板表面の示す図である。It is a figure which shows the board | substrate surface. 第２の実施の形態の塗布部の概略平面図である。It is a schematic plan view of the application part of 2nd Embodiment. 第２の実施の形態における処理液の噴霧手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the spraying procedure of the process liquid in 2nd Embodiment. 第２の実施の形態における処理液の噴霧手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the spraying procedure of the process liquid in 2nd Embodiment. 第２の実施の形態における処理液の噴霧手順を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the spraying procedure of the process liquid in 2nd Embodiment. 本発明の変形例である塗布部の概略平面図である。It is a schematic plan view of the application part which is a modification of this invention. 本発明の変形例である基板処理システムの構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the substrate processing system which is a modification of this invention. 球形パーティクルを説明するための図である。It is a figure for demonstrating a spherical particle. 球形パーティクルを説明するための図である。It is a figure for demonstrating a spherical particle.

符号の説明Explanation of symbols

１、１００、２００ 基板処理装置
５（５ａ〜５ｄ） 球形パーティクル
８ 塗布膜
９ 基板
９ａ 段差エッジ部
１０、１１０、２１０ 塗布部
１１、２１１ ノズル移動部
１１ａ、１１１ａ、１１１ｂ、２１１ｂ ノズル支持アーム
１２、１５、１１２、１１５ スプレーノズル
２０、１２０ 吸着ステージ
２１ ヒータ
５０ ローダ部
５５ アンローダ部
６０ 搬送ロボット
７５ 塗布液供給源
７６ プロセスガス供給源
７７ 消失液供給源
５００ 基板処理システム
５１０ 搬送装置
Ｃ カセット
Ｌ 軌跡
Ｄ１ 距離 1, 100, 200 Substrate processing apparatus 5 (5a to 5d) Spherical particle 8 Coating film 9 Substrate 9a Step edge portion 10, 110, 210 Coating portion 11, 211 Nozzle moving portion 11a, 111a, 111b, 211b Nozzle support arm 12, 15, 112, 115 Spray nozzle 20, 120 Adsorption stage 21 Heater 50 Loader unit 55 Unloader unit 60 Transfer robot 75 Coating liquid supply source 76 Process gas supply source 77 Disappearing liquid supply source 500 Substrate processing system 510 Transfer device C Cassette L Trajectory D1 distance

Claims (20)

基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、
(a) 高分子材料を溶剤に溶解させた塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部と、
(b) 前記溶剤を含む消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for forming a coating film on a substrate,
(a) a first discharge unit that forms the coating film on the substrate by spraying a coating solution obtained by dissolving a polymer material in a solvent onto the substrate ;
(b) a second discharge unit that causes the spherical particles and the spherical particle precursor on the coating film to disappear by spraying the disappearing liquid containing the solvent onto the coating film applied to the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: 基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、
(a) 高分子材料を含む塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部と、
(b) 前記塗布液と親和性を有する消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for forming a coating film on a substrate,
(a) a first discharge unit that forms the coating film on the substrate by spraying a coating liquid containing a polymer material on the substrate ;
(b) a second discharge unit that causes the spherical particles and the spherical particle precursor on the coating film to disappear by spraying the disappearing liquid having an affinity for the coating liquid onto the coating film applied to the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: 請求項１または請求項２のいずれかに記載の基板処理装置において、
(c) 基板を保持する保持部に対して、前記第１および前記第２の吐出部を相対的に移動させる移動手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
(c) moving means for moving the first and second ejection units relative to the holding unit that holds the substrate;
Further comprising a substrate processing apparatus according to claim Rukoto a. 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記保持部は、基板を保持しつつ回転し、
前記移動手段は、前記保持部の回転中心の近傍を通る軌跡に沿って前記第１および前記第２の吐出部を移動させることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3 ,
The holding portion rotates while holding the substrate,
It said moving means, a substrate processing apparatus according to claim Rukoto moving the first and second ejection portion along a trajectory which passes through the vicinity of the rotation center of the holding portion. 請求項４に記載の基板処理装置において、
前記第１および第２の吐出部は、単一のアームに取り付けられており、
前記移動手段は、前記単一のアームを移動させることにより、前記第１および前記第２の吐出部を前記軌跡に沿って移動させることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4,
The first and second discharge parts are attached to a single arm;
The substrate processing apparatus, wherein the moving means moves the first and second ejection units along the locus by moving the single arm . 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記塗布液および前記消失液を基板に噴霧する際に、前記移動手段は、前記第１および第２の吐出部を前記基板面に沿って走査させることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3 ,
The substrate processing apparatus , wherein when the coating liquid and the disappearing liquid are sprayed onto the substrate, the moving unit scans the first and second ejection units along the substrate surface . 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
(d) 少なくとも前記塗布液が塗布される間、基板を加熱する加熱部、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 ,
(d) a heating unit that heats the substrate at least while the coating solution is applied;
Further comprising a substrate processing apparatus according to claim Rukoto a. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第１の吐出部は、第１の処理部に配設されており、
前記第２の吐出部は、前記塗布液によって形成された塗布膜の上に、前記消失液の噴霧を可能とする第２の処理部に配設されていることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus of Claim 1 or Claim 2 ,
The first discharge unit is disposed in the first processing unit,
Said second discharge portion, said on the coating film formed by the coating liquid, a substrate processing apparatus which is characterized that you have been provided to the second processing unit to enable spraying of the lost fluid. 請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記高分子材料は、感光性樹脂であることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 ,
The polymeric material, a substrate processing apparatus according to claim photosensitive resin der Rukoto. 請求項９に記載の基板処理装置において、
前記感光性樹脂は、フォトレジストであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 9 ,
The substrate processing apparatus , wherein the photosensitive resin is a photoresist . 請求項９に記載の基板処理装置において、
前記感光性樹脂は、カラーレジストであることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 9 ,
The substrate processing apparatus, wherein the photosensitive resin is a color resist. 請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記高分子材料は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 ,
The substrate processing apparatus , wherein the polymer material is a polyimide resin . 基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、
(a) 高分子材料を溶剤に溶解させた塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、
(b) 前記溶剤を含む消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、
(c) 前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、
を備えることを特徴とする基板処理システム。 A substrate processing system for forming a coating film on a substrate,
(a) a first substrate processing apparatus having a first discharge unit for forming the coating film on a substrate by spraying a coating solution obtained by dissolving a polymer material in a solvent on the substrate;
(b) A second substrate having a second ejection part that causes the spherical particles and the spherical particle precursors on the coating film to disappear by spraying the disappearing liquid containing the solvent onto the coating film coated on the substrate. A processing device;
(c) a transfer device for transferring a substrate between the first and second substrate processing apparatuses;
The substrate processing system according to claim Rukoto equipped with. 基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、
(a) 高分子材料を含む塗布液を基板に噴霧することによって、基板に前記塗布膜を形成する第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、
(b) 前記塗布液と親和性を有する消失液を基板に塗布された前記塗布膜に噴霧することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、
(c) 前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、
を備えることを特徴とする基板処理システム。 A substrate processing system for forming a coating film on a substrate,
(a) a first substrate processing apparatus having a first discharge unit that forms the coating film on a substrate by spraying a coating liquid containing a polymer material on the substrate;
(b) having a second discharge unit that causes the spherical particles and the spherical particle precursor on the coating film to disappear by spraying the disappearing liquid having affinity with the coating liquid onto the coating film applied to the substrate ; A second substrate processing apparatus;
(c) a transfer device for transferring a substrate between the first and second substrate processing apparatuses;
A substrate processing system comprising: 基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、
(a) 高分子材料を溶剤に溶解させた塗布液を基板に噴霧供給することによって、基板に前記塗布膜を形成する工程と、
(b) 前記塗布液によって形成された前記塗布膜の上に、前記溶剤を含む消失液を噴霧供給することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for forming a coating film on a substrate,
(a) forming a coating film on a substrate by spraying and supplying a coating solution in which a polymer material is dissolved in a solvent ;
(b) Disappearing spherical particles and spherical particle precursors on the coating film by spraying the disappearing liquid containing the solvent onto the coating film formed by the coating liquid ;
A substrate processing method comprising: 基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、
(a) 高分子材料を含む塗布液を基板に噴霧供給することによって、基板に前記塗布膜を形成する工程と、
(b) 前記塗布液によって形成された前記塗布膜の上に、前記塗布液と親和性を有する消失液を噴霧供給することによって、前記塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させる工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for forming a coating film on a substrate,
(a) forming the coating film on the substrate by spraying a coating solution containing a polymer material onto the substrate ;
(b) on the coating film formed by the coating solution, by disappearance liquid spray supply with the coating liquid and affinity step of eliminating the spherical particles and the spherical particle precursors on the coating film When,
A substrate processing method comprising: 請求項１５または請求項１６に記載の基板処理方法において、
(c) 基板を加熱する工程、
をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。 In the substrate processing method of Claim 15 or Claim 16 ,
(c) heating the substrate;
A substrate processing method, further comprising : 請求項１５または請求項１６に記載の基板処理方法において、
前記工程(b)は、前記工程(a)が完了した後に実行させられることを特徴とする基板処理方法。 In the substrate processing method of Claim 15 or Claim 16 ,
The step (b), a substrate processing method comprising Rukoto allowed to run after the step (a) has been completed. 請求項１８に記載の基板処理方法において、
前記工程(c)は、少なくとも、前記工程(a)が開始されて前記工程(b)が開始されるまでの間、基板を加熱することを特徴とする基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 18 , wherein
Wherein step (c), at least, during the up step (a) is initiated by the step (b) is started, a substrate processing method characterized that you heat the substrate. 請求項１５または請求項１６に記載の基板処理方法において、
前記工程(b)は、
(i) 霧状の前記消失液と、
(ii) 前記工程(a)によって噴霧された霧状の前記塗布液と、
がほぼ混合しない状態となるように実行されることを特徴とする基板処理方法。 In the substrate processing method of Claim 15 or Claim 16 ,
The step (b)
(i) the mist disappearing liquid;
(ii) the mist-like coating liquid sprayed in the step (a);
The substrate processing method but characterized by Rukoto be performed as a state not mixed substantially.
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