JP4618440B2 - Crystal resonator element and vibration device - Google Patents
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Description
本発明は静電気放電(ESD, Electrostatic Discharge)の保護機能を有する振動子に関し、より詳細には放電突起を通して空気中に静電気を放電する水晶振動片および振動デバイスに関する。 The present invention relates to a vibrator having an electrostatic discharge (ESD) protection function, and more particularly to a crystal vibrating piece and a vibrating device that discharge static electricity into air through discharge protrusions.
水晶振動片またはその水晶振動片を使った圧電デバイスが、電子時計やコンピュータ、携帯電話などの電子機器のクロック源、または角速度測定用として広く採用されている。近年、電子部品の集積度が上がり、それに伴い水晶振動片または圧電デバイスの小型化が一段と要求されてきている。水晶振動片または圧電デバイスの小型化は、静電気耐性を弱めることにもなってきている。 A crystal vibrating piece or a piezoelectric device using the crystal vibrating piece is widely used as a clock source of an electronic device such as an electronic timepiece, a computer, or a mobile phone, or for measuring an angular velocity. In recent years, the degree of integration of electronic components has increased, and accordingly, further downsizing of crystal vibrating pieces or piezoelectric devices has been required. Miniaturization of the quartz crystal resonator element or the piezoelectric device has also reduced the electrostatic resistance.
水晶振動片または圧電デバイスは、人体に蓄えられた静電気によってデバイスが破壊しないようにしなければならない。このため、ESD試験は、HBM( ヒューマン・ボディ・モデル )試験が行われる。また、圧電デバイスの組み立て装置などに溜まった静電気によって圧電デバイスが破壊しないように、
MM( マシーン・モデル )試験が行われている。最近は、さらなる水晶振動片または圧電デバイスの小型化から、デバイス固有の容量に帯電した電荷が電位ポテンシャルの異なる導体に接近もしくは接触する時に急速な電荷移動が起こることが問題となっており、CDM( チャージド・デバイス・モデル ) 試験も行われている。
The quartz crystal resonator element or the piezoelectric device must prevent the device from being destroyed by static electricity stored in the human body. For this reason, the ESD test is an HBM (Human Body Model) test. In addition, to prevent the piezoelectric device from being destroyed by static electricity accumulated in the assembly device of the piezoelectric device,
MM (machine model) testing is being conducted. Recently, due to further miniaturization of quartz crystal resonator pieces or piezoelectric devices, rapid charge transfer has occurred when charges charged in the capacitance inherent to the device approach or come into contact with conductors having different potential potentials. (Charged device model) Tests are also being conducted.
水晶振動片または圧電デバイスのESD耐圧は500V程度であり、他の電子部品と比べて低い値を示している。このため、水晶振動片または圧電デバイスのESD耐圧を向上させることが要求されている。特に水晶振動片または圧電デバイスの小型化に伴い、細い電極パターンにおいて、静電気放電でパターンが破壊されることが多い。
本発明の目的は、水晶振動片の電極パターン幅の狭い回路が静電気の放電反応により損傷されることを回避するために、静電気の放電反応により放電突起を介して空気中に静電荷を放電する放電保護機能を有する水晶振動片を提供することにより、上記要求を満足する。 An object of the present invention is to discharge an electrostatic charge into the air through discharge protrusions by electrostatic discharge reaction in order to avoid damage to a circuit having a narrow electrode pattern width of a crystal resonator element by electrostatic discharge reaction. The above requirements are satisfied by providing a quartz crystal resonator element having a discharge protection function.
第1の観点の水晶振動片は、水晶基板と、この水晶基板の表面の所定の領域に配置された第一および第二の金属層と、第一の金属層に形成されこの第一の金属層から第二の金属層へと形成された複数の放電突起と、を有する。
上記構成によれば、複数の放電突起に集まった静電荷と空気中の誘導電荷との間で電荷を打ち消し合う。つまり、水晶振動片の静電荷は、放電突起を通して雰囲気中の粒子を介して静電気放電反応を起こす。このため、HBM試験、MM試験またはCDM試験においても、十分に試験をパスできる水晶振動片となる。また、実際に水晶振動片が使用されている装置においても、静電気耐性を備える水晶振動片となる。
A crystal resonator element according to a first aspect includes a crystal substrate, first and second metal layers disposed in a predetermined region on the surface of the crystal substrate, and the first metal layer formed on the first metal layer. A plurality of discharge protrusions formed from the layer to the second metal layer.
According to the above configuration, the charges are canceled out between the electrostatic charges collected at the plurality of discharge protrusions and the induced charges in the air. That is, the electrostatic charge of the quartz crystal vibrating piece causes an electrostatic discharge reaction through the particles in the atmosphere through the discharge protrusion. For this reason, it becomes a crystal vibrating piece that can pass the test sufficiently even in the HBM test, the MM test, or the CDM test. Further, even in a device in which a quartz crystal resonator element is actually used, the quartz crystal resonator element has electrostatic resistance.
第2の観点の水晶振動片は、腕部と基部とからなる音叉形状であり、放電突起は基部に設けられている。
上記構成によれば、水晶振動片は音叉型水晶振動片であり、この水晶振動片には基部が形成されている。この基部にはスペース的な余裕があるため、この部分に放電突起を形成すればスペースの有効活用になる。
The quartz crystal resonator element according to the second aspect has a tuning fork shape including an arm portion and a base portion, and the discharge protrusion is provided on the base portion.
According to the above configuration, the crystal vibrating piece is a tuning fork type crystal vibrating piece, and the base is formed on the crystal vibrating piece. Since there is a space in the base, if the discharge protrusion is formed in this part, the space can be effectively used.
第3の観点の水晶振動片は、金属層は、下層の第1金属膜に上層の第2金属膜が形成された二層膜、または第3金属膜が形成された一層膜である。
上記構成によれば、水晶振動片の振動電極と同じ材料で放電突起を形成することができるため、金属膜のスパッタリング回数を増やす必要がなく、電極形成時のマスクに放電突起を描くようにするだけで足りる。
In the quartz crystal resonator element according to the third aspect, the metal layer is a two-layer film in which an upper second metal film is formed on a lower first metal film, or a single layer film in which a third metal film is formed.
According to the above configuration, since the discharge protrusion can be formed of the same material as the vibrating electrode of the crystal vibrating piece, it is not necessary to increase the number of times of sputtering of the metal film, and the discharge protrusion is drawn on the mask when forming the electrode. Just enough.
第4の観点の感光剤塗布方法は、金属層が約250オングストロームから10000オングストロームの厚さを有する。
静電気放電反応では、放電突起の電荷と空気中の誘導電荷で電気エネルギーを放出し、エレクトロマイグレーション現象が生じて放電突起の温度を上昇させる。この際に、金属層の厚さが250〜10000オングストロームであるので、放電突起が焼ける(昇華)することになる。
In the photosensitive agent coating method according to the fourth aspect, the metal layer has a thickness of about 250 angstroms to 10,000 angstroms.
In the electrostatic discharge reaction, electric energy is released by the charge of the discharge protrusion and the induced charge in the air, and an electromigration phenomenon occurs, raising the temperature of the discharge protrusion. At this time, since the thickness of the metal layer is 250 to 10000 angstroms, the discharge protrusions are burned (sublimated).
第5の観点の水晶振動片は、複数の放電突起は鋸歯状である。
鋸歯状であれば、複数の放電突起を簡易に形成することができる。
In the quartz crystal resonator element according to the fifth aspect, the plurality of discharge protrusions are serrated.
If it is serrated, a plurality of discharge protrusions can be formed easily.
第6の観点の水晶振動片によれば、渦巻状の金属膜に形成されている。
上記構成によれば、複数の箇所に複数の放電突起を形成することができる。
According to the quartz crystal resonator element of the sixth aspect, it is formed on the spiral metal film.
According to the above configuration, a plurality of discharge protrusions can be formed at a plurality of locations.
第7の観点の水晶振動片は、第一の金属層の複数の放電突起と第二の金属層との間隔は、互いに異なる。
上記構成によれば、通常、エレクトロマイグレーション現象が生じやすい一番間隔が狭い放電突起において静電気放電が最初に生じる。図7に人体の帯電電圧による放電エネルギーを示す。水晶振動片を破壊するには、十分な放電エネルギーであり、何度もサージが発生する。1つの放電突起で複数回のサージに耐えることができるが、複数回のサージにより、放電突起の先端の間隔が広がる方向に放電突起の先端が変形する。このため、放電突起の先端が変形した後には、次の放電突起でエレクトロマイグレーション現象が生じる。この次の放電突起でも複数回のサージに耐えることができる。このように、第一の金属層の複数の放電突起と第二の金属層との間隔が狭い箇所から、複数回のサージに対応できるので、万全なESDの保護機能を達成できる。
In the crystal resonator element according to the seventh aspect, the intervals between the plurality of discharge protrusions of the first metal layer and the second metal layer are different from each other.
According to the above configuration, normally, electrostatic discharge is first generated in the discharge protrusion having the narrowest interval where the electromigration phenomenon is likely to occur. FIG. 7 shows the discharge energy depending on the charging voltage of the human body. In order to destroy the crystal resonator element, the discharge energy is sufficient and a surge is generated many times. One discharge protrusion can withstand multiple surges, but the multiple discharges cause the tips of the discharge protrusions to deform in a direction in which the distance between the tips of the discharge protrusions increases. For this reason, after the tip of the discharge protrusion is deformed, an electromigration phenomenon occurs in the next discharge protrusion. Even the next discharge protrusion can withstand multiple surges. Thus, since a plurality of surges can be dealt with from a location where the distance between the plurality of discharge protrusions of the first metal layer and the second metal layer is narrow, a complete ESD protection function can be achieved.
また第8の観点の水晶振動片は、第一の金属層の複数の放電突起と第二の金属層との一番広い間隔は、この放電突起以外の第一の金属層と第二の金属層の一番狭い間隔より狭い。
上記構成によれば、エレクトロマイグレーション現象が生じやすい一番間隔が狭い放電突起において静電気放電が最初に生じる。電極パターンの一番狭い部分であっても放電突起が形成された箇所の間隔よりも広い。このため、複数回のサージが発生しても放電突起において静電気放電が生じ、電極パターンなどに影響を及ぼさない。
In the quartz resonator element of the eighth aspect, the widest distance between the plurality of discharge protrusions of the first metal layer and the second metal layer is such that the first metal layer and the second metal other than the discharge protrusions are Narrower than the narrowest spacing of the layers.
According to the above configuration, electrostatic discharge is first generated in the discharge protrusion having the narrowest interval where the electromigration phenomenon is likely to occur. Even the narrowest part of the electrode pattern is wider than the interval between the places where the discharge protrusions are formed. For this reason, even if multiple surges occur, electrostatic discharge is generated at the discharge protrusion, and the electrode pattern or the like is not affected.
また第9の観点の水晶振動片は、複数の放電突起は、フォトリソグラフィおよびエッチングにより形成する。
水晶振動片自体も数mmであり、電極パターンの狭い間隔も0.02mm程度である。このため、第一の金属膜の複数の放電突起と第二の金属膜との間隔は、0.015mm以下となる。このような微細な加工であってもフォトリソグラフィおよびエッチングであれば可能である。
In the crystal resonator element according to the ninth aspect, the plurality of discharge protrusions are formed by photolithography and etching.
The crystal vibrating piece itself is several mm, and the narrow interval between the electrode patterns is about 0.02 mm. For this reason, the interval between the plurality of discharge protrusions of the first metal film and the second metal film is 0.015 mm or less. Even such fine processing is possible by photolithography and etching.
また第10の観点の振動デバイスは、請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載の水晶振動片と、水晶振動片を真空封止するパッケージと、を有する。
振動デバイスとしても、HBM試験、MM試験またはCDM試験においても、十分に試験をパスできる。
A vibrating device according to a tenth aspect includes the crystal vibrating piece according to any one of claims 1 to 9 and a package for vacuum-sealing the crystal vibrating piece.
As a vibration device, the HBM test, MM test, or CDM test can pass the test sufficiently.
本発明によれば、水晶振動片または圧電デバイス内の放電突起で、静電荷と雰囲気中の粒子を介して誘導電荷との間で静電気放電反応を生じさせる。このため水晶振動片または圧電デバイスのESD耐圧を向上させることができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
According to the present invention, an electrostatic discharge reaction is caused between an electrostatic charge and an induced charge through particles in the atmosphere at a quartz crystal resonator element or a discharge protrusion in a piezoelectric device. For this reason, the ESD withstand voltage of the crystal vibrating piece or the piezoelectric device can be improved.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
<音叉型水晶振動片20の構成>
図1(a)は、音叉型水晶振動片20の全体構成を示した図であり、(b)は、音叉型水晶振動片20の一本の振動腕21のB−B断面図である。音叉型水晶振動片20の母材は、Zカットに加工された水晶単結晶ウエハ10で形成されている。小型で必要な性能を得るために、図1(a)に示すように、音叉型水晶振動片20は、基部29と、この基部29から図1において上方に向けて、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕21を備えている。以下、本実施形態では一対の振動腕21を備えた音叉型水晶振動片20で説明するが、3本または4本の振動腕21を備えた水晶振動片20であってもよい。
<Configuration of tuning fork type crystal vibrating piece 20>
FIG. 1A is a diagram showing an overall configuration of the tuning fork type crystal vibrating piece 20, and FIG. 1B is a BB cross-sectional view of one vibrating arm 21 of the tuning fork type crystal vibrating piece 20. The base material of the tuning fork type crystal vibrating piece 20 is formed of a crystal single crystal wafer 10 processed into a Z-cut. In order to obtain the required performance in a small size, as shown in FIG. 1A, a tuning fork type crystal vibrating piece 20 is divided into a bifurcated and parallel to a base 29 and upward from the base 29 in FIG. A pair of extending vibrating arms 21 is provided. Hereinafter, in the present embodiment, the tuning fork type crystal vibrating piece 20 including a pair of vibrating arms 21 will be described, but the crystal vibrating piece 20 including three or four vibrating arms 21 may be used.
音叉型水晶振動片20は、たとえば32.768KHzで信号を発信する振動片で、極めて小型の振動片となっており、全体の長さが2.0mm程度、幅0.5mm程度である。音叉型水晶振動片20の振動腕21の表裏面には、溝部211が形成されている。一本の振動腕21の表面に2つの溝部211が形成されており、振動腕21の裏面側にも同様に2つの溝部211が形成されている。つまり、一対の振動腕21には4箇所の溝部211が形成される。溝部211の深さは、水晶単結晶ウエハ10の厚さの約35〜45%であり、表裏面に溝部211があるため、図1(b)に示すように、溝部211の断面は、略H型に形成されている。溝部211は、CI値の上昇を抑えるために設けられている。 The tuning-fork type crystal vibrating piece 20 is a vibrating piece that transmits a signal at, for example, 32.768 KHz, and is an extremely small vibrating piece. The overall length is about 2.0 mm and the width is about 0.5 mm. Grooves 211 are formed on the front and back surfaces of the vibrating arm 21 of the tuning fork type crystal vibrating piece 20. Two groove portions 211 are formed on the surface of one vibrating arm 21, and two groove portions 211 are similarly formed on the back surface side of the vibrating arm 21. That is, four groove portions 211 are formed in the pair of vibrating arms 21. The depth of the groove 211 is about 35 to 45% of the thickness of the crystal single crystal wafer 10 and the groove 211 is present on the front and back surfaces. Therefore, as shown in FIG. It is formed in an H shape. The groove 211 is provided to suppress an increase in CI value.
音叉型水晶振動片20の基部29は、その全体が略板状に形成されている。振動腕21に対する基部29の長さは、約36%となっている。音叉型水晶振動片20の基部29には、連結部28が2箇所設けられている。連結部28は、水晶単結晶ウエハ10から、図1に示す音叉形状をフォトリソグラフィおよびウェットエッチングで形成する際に、水晶単結晶ウエハ10と音叉型水晶振動片20とを連結する部分である。 The base 29 of the tuning fork type crystal vibrating piece 20 is formed in a substantially plate shape as a whole. The length of the base 29 with respect to the vibrating arm 21 is about 36%. Two connecting portions 28 are provided on the base 29 of the tuning fork type crystal vibrating piece 20. The connecting portion 28 is a portion for connecting the crystal single crystal wafer 10 and the tuning fork type crystal vibrating piece 20 when the tuning fork shape shown in FIG. 1 is formed from the crystal single crystal wafer 10 by photolithography and wet etching.
音叉型水晶振動片20の振動腕21および基部29には、第1電極パターン23と第2電極パターン25とが形成されている。第1電極パターン23と第2電極パターン25とはともに、150オングストローム〜5000オングストロームのクロム(Cr)層の上に100オングストローム〜5000オングストロームの金(Au)層が形成された構成になっている。すなわち、第一層と第ニ層とを合わせると、250オングストローム〜10000オングストロームの電極パターンの厚さになる。また、クロム(Cr)層の代わりに、タングステン(W)層、ニッケル(Ni)層、ニッケルタングステン層またはチタン(Ti)層を使用してもよく、また金(Au)層の代わりに、銀(Ag)層を使用してもよい。また、1層からなる場合もあり、このときは、たとえばアルミ(Al)層、銅(Cu)層またはケイ素(Si)層が用いられる。 A first electrode pattern 23 and a second electrode pattern 25 are formed on the vibrating arm 21 and the base 29 of the tuning fork type crystal vibrating piece 20. Both the first electrode pattern 23 and the second electrode pattern 25 have a structure in which a gold (Au) layer of 100 angstroms to 5000 angstroms is formed on a chromium (Cr) layer of 150 angstroms to 5000 angstroms. That is, when the first layer and the second layer are combined, the thickness of the electrode pattern is 250 Å to 10000 Å. Further, a tungsten (W) layer, a nickel (Ni) layer, a nickel tungsten layer, or a titanium (Ti) layer may be used instead of the chromium (Cr) layer, and silver instead of the gold (Au) layer. An (Ag) layer may be used. In some cases, an aluminum (Al) layer, a copper (Cu) layer, or a silicon (Si) layer is used.
音叉型水晶振動片20の基部29には、図1(a)に示すように、第1基部電極23aと第2基部電極25aとが形成され、腕部21の溝部211には、第1溝電極23d,第2溝電極25dがそれぞれ形成される。また、図1(b)に示すように、(a)の左側の腕部21の両側面には、第2側面電極25cが形成されている。図示しない右側の腕部21の両側面には、第1側面電極23cが形成されている。 As shown in FIG. 1A, a first base electrode 23 a and a second base electrode 25 a are formed on the base 29 of the tuning fork type crystal vibrating piece 20, and the first groove is formed on the groove 211 of the arm 21. An electrode 23d and a second groove electrode 25d are formed, respectively. Further, as shown in FIG. 1B, second side electrodes 25c are formed on both side surfaces of the left arm portion 21 in FIG. First side electrodes 23c are formed on both side surfaces of the right arm 21 (not shown).
この第1側面電極23c、第2側面電極25cは、第1接続電極23b、第2接続電極25bを介して第1基部電極23a、第2基部電極25aに接続されている。なお、音叉型水晶振動片20の裏面も、鏡面対象の第1電極パターン23と第2電極パターン25とが形成されている。音叉型水晶振動片20は小型であるため、図1(b)に示すように、側面電極25cと溝電極23dとの隙間WAは0.02mm前後である。このため、側面電極25cと溝電極23dとが短絡したり、ESD試験で不良品が出たりしやすい。このうち何度ものESD試験に耐えることができ、また製品において、静電気で故障しにくいように、音叉型水晶振動片20の基部29には、第1放電用電極23sおよび第2放電用電極25sが形成されている。 The first side electrode 23c and the second side electrode 25c are connected to the first base electrode 23a and the second base electrode 25a via the first connection electrode 23b and the second connection electrode 25b. The first electrode pattern 23 and the second electrode pattern 25 to be mirrored are also formed on the back surface of the tuning fork type crystal vibrating piece 20. Since the tuning fork type crystal vibrating piece 20 is small, the gap WA between the side electrode 25c and the groove electrode 23d is about 0.02 mm as shown in FIG. For this reason, the side electrode 25c and the groove electrode 23d are short-circuited or defective products are likely to appear in the ESD test. Of these, the first discharge electrode 23 s and the second discharge electrode 25 s are provided on the base 29 of the tuning-fork type crystal vibrating piece 20 so that the ESD test can be endured many times and is not easily damaged by static electricity. Is formed.
<静電気放電の電極パターン>
図2は、音叉型水晶振動片20の基部29を拡大した図であり、実施形態1の静電気放電の電極パターンを示している。
図3(a)は実施形態2の静電気放電の電極パターンを示し、(b)は実施形態3の静電気放電の電極パターンを示している。
図4(a)は実施形態4の静電気放電の電極パターンを示し、(b)は実施形態5の静電気放電の電極パターンを示している。
<Electrostatic discharge electrode pattern>
FIG. 2 is an enlarged view of the base 29 of the tuning-fork type crystal vibrating piece 20 and shows an electrode pattern for electrostatic discharge according to the first embodiment.
FIG. 3A shows an electrode pattern for electrostatic discharge according to the second embodiment, and FIG. 3B shows an electrode pattern for electrostatic discharge according to the third embodiment.
4A shows an electrode pattern for electrostatic discharge according to the fourth embodiment, and FIG. 4B shows an electrode pattern for electrostatic discharge according to the fifth embodiment.
<<実施形態1>>
第1基部電極23aから渦巻き状の第1放電用電極23sと第2基部電極25aから渦巻き状の第2放電用電極25sとが形成されている。第1放電用電極23sは徐々に細い電極になり第1突起231−Nを形成する。第2放電用電極25sも徐々に細い電極になり第2突起251−Mを形成する。第1突起231−Nと第2突起251−Mとの間は、第1電極パターン23と第2電極パターン25との一番狭い間隔となっており、たとえば0.008mmに設定されている。
<< Embodiment 1 >>
A spiral first discharge electrode 23s is formed from the first base electrode 23a, and a spiral second discharge electrode 25s is formed from the second base electrode 25a. The first discharge electrode 23s gradually becomes a thin electrode and forms a first protrusion 231-N. The second discharge electrode 25s also gradually becomes a thin electrode to form the second protrusion 251-M. The space between the first protrusion 231 -N and the second protrusion 251 -M is the narrowest distance between the first electrode pattern 23 and the second electrode pattern 25, and is set to 0.008 mm, for example.
第1放電用電極23sの根元から第1突起231−Nまでの途中には、第2放電用電極25s側に伸びる複数の放電突起231−iが形成されている。また、第2放電用電極25sの根元から第2突起251−Mまでの途中には、第2放電用電極23s側に伸びる複数の第2突起251−iが形成されている。突起はそれぞれN個、M個形成されている。複数の第1突起231−iは、第2放電用電極25sとの間が一番広い幅WCから、第1突起231−Nと第2突起251−Mとの一番狭い間隔まで、間隔が変化している。また、複数の第2突起251−iは、第1放電用電極23sとの間が一番広い幅WCから、第1突起231−Nと第2突起251−Mとの一番狭い間隔まで、間隔が変化している。 A plurality of discharge protrusions 231-i extending to the second discharge electrode 25 s side are formed midway from the base of the first discharge electrode 23 s to the first protrusion 231 -N. A plurality of second protrusions 251-i extending toward the second discharge electrode 23 s are formed in the middle from the root of the second discharge electrode 25 s to the second protrusion 251 -M. N and M protrusions are respectively formed. The plurality of first protrusions 231-i are spaced from the widest width WC between the second discharge electrodes 25 s to the narrowest distance between the first protrusion 231 -N and the second protrusion 251 -M. It has changed. Also, the plurality of second protrusions 251-i is from the widest width WC between the first discharge electrode 23 s to the narrowest distance between the first protrusion 231 -N and the second protrusion 251 -M. The interval has changed.
第1突起231−iと第2放電用電極25sとの間で一番広い間隔WCは、図1(b)で示した、側面電極25cと溝電極23dとの隙間WAよりも狭く設定されている。たとえば0.015mmである。同様に、第2突起251−iと第1放電用電極23sとのとの間で一番広い間隔WCも、側面電極25cと溝電極23dとの隙間WAよりも狭く設定されている。また、第1接続電極23bと第2接続電極25bとの間隔WBも狭くなっており、たとえば0.02mm前後である。間隔WCは第1接続電極23bと第2接続電極25bとの間隔WBよりも狭い。すなわち、すべての第1突起231−iと第2放電用電極25sとの間隔は、隙間WAまたは隙間WBの狭い方よりも狭い。また、すべての第2突起251−iと第1放電用電極23sとの間隔は、隙間WAまたは隙間WBの狭い方よりも狭い。 The widest gap WC between the first protrusion 231-i and the second discharge electrode 25 s is set narrower than the gap WA between the side electrode 25 c and the groove electrode 23 d shown in FIG. Yes. For example, it is 0.015 mm. Similarly, the widest gap WC between the second protrusion 251-i and the first discharge electrode 23 s is also set narrower than the gap WA between the side electrode 25 c and the groove electrode 23 d. Further, the interval WB between the first connection electrode 23b and the second connection electrode 25b is also narrow, for example, around 0.02 mm. The interval WC is narrower than the interval WB between the first connection electrode 23b and the second connection electrode 25b. That is, the interval between all the first protrusions 231-i and the second discharge electrode 25 s is narrower than the narrower one of the gap WA or the gap WB. Further, the intervals between all the second protrusions 251-i and the first discharge electrode 23 s are narrower than the narrower one of the gap WA or the gap WB.
このため、音叉型水晶振動片20が人体または他の装置と接触した場合、静電荷は第1突起231−iおよび第2突起251−iに誘起される。静電荷は電界を形成するために第1突起231−iおよび第2突起251−iに集中する。特に一番狭い間隔が狭い突起に集中する。静電荷がある程度、第1突起231−iおよび第2突起251−iに集積される故に、空気中の粒子の反対電荷は誘導される。この時点で、静電気放電反応が第1突起231−iおよび第2突起251−iの静電荷と空気中の誘導電荷との間で生じ、両者の担持している電荷を打ち消し合う。換言すると、音叉型水晶振動片20の静電荷は、第1突起231−iおよび第2突起251−iを通して空気中の粒子と静電気放電反応をなす。 For this reason, when the tuning fork type crystal vibrating piece 20 comes into contact with a human body or another device, an electrostatic charge is induced in the first protrusion 231-i and the second protrusion 251-i. The electrostatic charge is concentrated on the first protrusion 231-i and the second protrusion 251-i to form an electric field. In particular, the narrowest interval is concentrated on the narrow protrusion. Since some static charge is accumulated on the first protrusion 231-i and the second protrusion 251-i, the opposite charge of the particles in the air is induced. At this point, an electrostatic discharge reaction occurs between the electrostatic charge of the first protrusion 231-i and the second protrusion 251-i and the induced charge in the air, canceling out the charges carried by both. In other words, the electrostatic charge of the tuning fork type crystal vibrating piece 20 causes an electrostatic discharge reaction with particles in the air through the first protrusion 231-i and the second protrusion 251-i.
静電気放電反応で、間隔の一番狭い第1突起231−Nおよび第2突起251−Mの電荷と空気中の誘導電荷は電気エネルギーを放出し、エレクトロマイグレーション(electro migration)現象が生じる。放出された電気エネルギーは第1突起231−Nおよび第2突起251−Mの温度を上昇させる。下層のクロム層および上層の金層合わせて、厚さ250〜10000オングストローム程度である。第1突起231−Nおよび第2突起251−Mで生じた静電気放電反応の高熱で、第1突起231−Nおよび第2突起251−Mの先端が互いに間隔が広がる方向に変形する。複数回のエレクトロマイグレーションにより、第1突起231−Nおよび第2突起251−Mの間隔が、次に狭い第1突起231−iおよび第2突起251−iの間隔より広がってしまう。しかし、次に狭い第1突起231−iおよび第2突起251−iでエレクトロマイグレーション現象が生じるだけで、N個+M個−1の放電突起がまだ存在している。このため、数百回の静電気放電反応に対処できる。また、すべての第1突起231−iと第2放電用電極25sとの間隔は、隙間WAまたは隙間WBの狭い方よりも狭い。また、すべての第2突起251−iと第1放電用電極23sとの間隔は、隙間WAまたは隙間WBの狭い方よりも狭い。そのため、本来の必須な電極が焼けるようなことはない。 In the electrostatic discharge reaction, the charge of the first protrusion 231-N and the second protrusion 251-M having the smallest interval and the induced charge in the air release electric energy, and an electromigration phenomenon occurs. The discharged electric energy raises the temperature of the first protrusion 231 -N and the second protrusion 251 -M. The total thickness of the lower chromium layer and the upper gold layer is about 250 to 10,000 angstroms. The tips of the first protrusion 231 -N and the second protrusion 251 -M are deformed in a direction in which the distance between the protrusions 231 -N and the second protrusion 251 -M increases due to the high heat generated by the electrostatic discharge reaction. Due to the plurality of times of electromigration, the distance between the first protrusion 231 -N and the second protrusion 251 -M is wider than the distance between the first narrower protrusion 231 -i and the second protrusion 251 -i. However, only the electromigration phenomenon occurs in the next narrow first protrusion 231-i and second protrusion 251-i, and N + M−1 discharge protrusions still exist. For this reason, it can cope with several hundred electrostatic discharge reactions. Further, the distance between all the first protrusions 231-i and the second discharge electrode 25 s is narrower than the narrower one of the gap WA or the gap WB. Further, the intervals between all the second protrusions 251-i and the first discharge electrode 23 s are narrower than the narrower one of the gap WA or the gap WB. Therefore, the original essential electrode does not burn.
図7に示したように、人体からの放電電流波形図には2つのサージピークがあり、最初のピークは手や腕の部分からの放電で、次のピークが胴体からの放電である。複数の第1突起231−iと複数の第2突起251−iとの間隔は、一番狭い間隔から徐々に広くなっているので、このような複数のサージピークを有する静電気の放電であっても対処できる。 As shown in FIG. 7, there are two surge peaks in the waveform of the discharge current from the human body, the first peak is the discharge from the hands and arms, and the next peak is the discharge from the trunk. Since the interval between the plurality of first protrusions 231-i and the plurality of second protrusions 251-i gradually increases from the narrowest interval, it is an electrostatic discharge having such a plurality of surge peaks. Can also cope.
<<実施形態2>>
図3(a)は、第1基部電極23aから形成された櫛歯状の第1放電用電極23sと第2基部電極25aから形成された櫛歯状の第2放電用電極25sとを示している。第1放電用電極23sは複数の第1突起233−iを形成する。第2放電用電極25sも複数の第2突起253−iを形成する。第1突起233−iと第2突起253−iとの間隔は、広い間隔WCから狭い間隔へと形成されている。第1突起233−Nと第2突起253−Mとの間は、第1電極パターン23と第2電極パターン25との一番狭い間隔となっており、たとえば0.008mmに設定されている。
<< Embodiment 2 >>
FIG. 3A shows a comb-shaped first discharge electrode 23s formed from the first base electrode 23a and a comb-shaped second discharge electrode 25s formed from the second base electrode 25a. Yes. The first discharge electrode 23s forms a plurality of first protrusions 233-i. The second discharge electrode 25s also forms a plurality of second protrusions 253-i. The interval between the first protrusion 233-i and the second protrusion 253-i is formed from a wide interval WC to a narrow interval. The space between the first protrusion 233-N and the second protrusion 253-M is the narrowest distance between the first electrode pattern 23 and the second electrode pattern 25, and is set to 0.008 mm, for example.
第1突起233−iと第2突起253−iとの間で一番広い間隔WCは、図1(b)で示した、側面電極25cと溝電極23dとの隙間WAよりも狭く設定されている。また、間隔WCは、第1接続電極23bと第2接続電極25bとの間隔WBよりも狭くなっていおり、たとえば0.02mm前後である。このため、音叉型水晶振動片20が人体または他の装置と接触した場合、静電荷は第1突起233−iおよび第2突起253−iに誘起される。 The widest distance WC between the first protrusion 233-i and the second protrusion 253-i is set narrower than the gap WA between the side electrode 25c and the groove electrode 23d shown in FIG. Yes. The interval WC is narrower than the interval WB between the first connection electrode 23b and the second connection electrode 25b, and is, for example, around 0.02 mm. For this reason, when the tuning fork type crystal vibrating piece 20 comes into contact with a human body or another device, an electrostatic charge is induced in the first protrusion 233-i and the second protrusion 253-i.
静電気放電反応で、第1突起233−iおよび第2突起253−iの電荷と空気中の誘導電荷は電気エネルギーを放出し、より安定な状態に達する。第1突起233−iおよび第2突起253−iで生じた静電気放電反応の高熱で、第1突起233−iおよび第2突起253−iは焼ける。しかし、一つの放電突起が焼けるだけで、N個+M個−1の放電突起がまだ存在しているので、数十回の静電気放電反応に対処できる。また、すべての第1突起233−iと第2突起253−iとの間隔は、隙間WAまたは隙間WBの狭い方よりも狭いので、本来の必須な電極パターンが焼けるようなことはない。 In the electrostatic discharge reaction, the charges of the first protrusions 233-i and the second protrusions 253-i and the induced charges in the air release electric energy and reach a more stable state. The first protrusion 233-i and the second protrusion 253-i are burned by the high heat generated by the electrostatic discharge reaction generated by the first protrusion 233-i and the second protrusion 253-i. However, since only one discharge protrusion is burned and N + M−1 discharge protrusions still exist, it is possible to cope with several tens of electrostatic discharge reactions. Further, since the interval between all the first protrusions 233-i and the second protrusions 253-i is narrower than the narrower one of the gap WA or the gap WB, the original essential electrode pattern is not burnt.
<<実施形態3>>
図3(b)に示した基部29は、第1基部電極23aから形成された櫛歯状の第1放電用電極23sと第2基部電極25aとから構成される。第1放電用電極23sは複数の第1突起233−iを形成するが、第2基部電極25aには放電用電極としての放電突起が形成されていない。第1突起233−iと第2基部電極25aとの間隔は、広い間隔WCから狭い間隔へと形成されている。第1突起233−Nと第2基部電極25aとの間は、第1電極パターン23と第2電極パターン25との一番狭い間隔となっており、たとえば0.008mmに設定される。
<< Embodiment 3 >>
The base 29 shown in FIG. 3B includes a comb-shaped first discharge electrode 23s and a second base electrode 25a formed from the first base electrode 23a. The first discharge electrode 23s forms a plurality of first protrusions 233-i, but the second base electrode 25a is not formed with discharge protrusions as discharge electrodes. The interval between the first protrusion 233-i and the second base electrode 25a is formed from a wide interval WC to a narrow interval. The space between the first protrusion 233-N and the second base electrode 25a is the narrowest distance between the first electrode pattern 23 and the second electrode pattern 25, and is set to 0.008 mm, for example.
第1突起233−iと第2基部電極25aとの間で一番広い間隔WCは、図1(b)で示した、側面電極25cと溝電極23dとの隙間WAよりも狭く設定されている。また、間隔WCは、第1接続電極23bと第2接続電極25bとの間隔WBよりも狭くなっていおり、たとえば0.02mm前後である。このため、音叉型水晶振動片20が人体または他の装置と接触した場合、静電荷は第1突起233−iに誘起される。 The widest gap WC between the first protrusion 233-i and the second base electrode 25a is set to be narrower than the gap WA between the side electrode 25c and the groove electrode 23d shown in FIG. . The interval WC is narrower than the interval WB between the first connection electrode 23b and the second connection electrode 25b, and is, for example, around 0.02 mm. For this reason, when the tuning fork type crystal vibrating piece 20 comes into contact with a human body or another device, an electrostatic charge is induced in the first protrusion 233-i.
静電気放電反応で、第1突起233−iの電荷と空気中の誘導電荷は電気エネルギーを放出し、より安定な状態に達する。第1突起233−iで生じた静電気放電反応の高熱で、第1突起233−iおよび第2突起253−iは焼ける。しかし、一つの放電突起が焼けるだけで、N個−1の放電突起がまだ存在しているので、数十回の静電気放電反応に対処できる。また、すべての第1突起233−iと第2突起253−iとの間隔は、隙間WAまたは隙間WBの狭い方よりも狭いので、本来の必須な電極パターンが焼けるようなことはない。 In the electrostatic discharge reaction, the charge of the first protrusion 233-i and the induced charge in the air release electric energy and reach a more stable state. The first protrusion 233-i and the second protrusion 253-i are burned by the high heat generated by the electrostatic discharge reaction generated at the first protrusion 233-i. However, since only one discharge protrusion is burned and N-1 discharge protrusions still exist, it is possible to cope with several tens of electrostatic discharge reactions. Further, since the interval between all the first protrusions 233-i and the second protrusions 253-i is narrower than the narrower one of the gap WA or the gap WB, the original essential electrode pattern is not burnt.
<<実施形態4>>
図4(a)に示した基部29は、第1基部電極23aから形成された櫛歯状の第1放電用電極23sと第2基部電極25aから形成された櫛歯状の第2放電用電極25sとから構成される。実施形態2では放電突起がY方向であったものが、実施形態4ではX方向になっている。第1突起235−iと第2突起255−iとの間隔は、広い間隔WCから狭い間隔へと形成されている。第1突起235−Nと第2突起255−Mとの間は、第1電極パターン23と第2電極パターン25との一番狭い間隔となっており、たとえば0.008mmに設定されている。
<< Embodiment 4 >>
The base 29 shown in FIG. 4 (a) has a comb-like first discharge electrode 23s formed from the first base electrode 23a and a comb-like second discharge electrode formed from the second base electrode 25a. 25 s. In the second embodiment, the discharge protrusion is in the Y direction, but in the fourth embodiment, the discharge protrusion is in the X direction. The interval between the first protrusion 235-i and the second protrusion 255-i is formed from a wide interval WC to a narrow interval. The space between the first protrusion 235-N and the second protrusion 255-M is the narrowest distance between the first electrode pattern 23 and the second electrode pattern 25, and is set to 0.008 mm, for example.
図3、図4には示さないが、放電突起がY方向から45度傾いた方向であってもよい。このように、小さな音叉型水晶振動片20であっても基部29には、他の部分と比べて大きなスペースがあるため、櫛歯状の第1突起235−Nと第2突起255−Mとを自由な方向に形成することができる。 Although not shown in FIGS. 3 and 4, the discharge protrusion may be inclined by 45 degrees from the Y direction. Thus, even in the small tuning-fork type crystal vibrating piece 20, the base 29 has a larger space than the other parts, and therefore, the comb-shaped first protrusion 235 -N and second protrusion 255 -M Can be formed in any direction.
<<実施形態5>>
図4(b)に示した基部29は、第1基部電極23aから形成された櫛歯状の第1放電用電極23sと第2基部電極25aとから構成される。第1放電用電極23sは複数の第1突起237−iを形成し、第2放電用電極25sも複数の第1突起237−iを形成する。第1突起237−iは第2基部電極25a向かい合い、第1突起237−iと第2基部電極25aとの間隔は、広い間隔WCから狭い間隔へと形成されている。同様に、第2突起257−iは第1基部電極23a向かい合い、第2突起257−iと第1基部電極23aとの間隔は、広い間隔WCから狭い間隔へと形成されている。第1突起237−Nと第2基部電極25aとの間は、第1電極パターン23と第2電極パターン25との一番狭い間隔となっており、たとえば0.008mmに設定される。
<< Embodiment 5 >>
The base 29 shown in FIG. 4B includes a comb-shaped first discharge electrode 23s and a second base electrode 25a formed from the first base electrode 23a. The first discharge electrode 23s forms a plurality of first protrusions 237-i, and the second discharge electrode 25s also forms a plurality of first protrusions 237-i. The first protrusion 237-i faces the second base electrode 25a, and the distance between the first protrusion 237-i and the second base electrode 25a is formed from a wide distance WC to a narrow distance. Similarly, the second protrusion 257-i faces the first base electrode 23a, and the distance between the second protrusion 257-i and the first base electrode 23a is formed from a wide space WC to a narrow space. The space between the first protrusion 237-N and the second base electrode 25a is the narrowest distance between the first electrode pattern 23 and the second electrode pattern 25, and is set to 0.008 mm, for example.
図4(b)では、複数の第1突起237−iと複数の第2突起257−iとを2段配列に設けた。図4(a)のような放電突起同士を向かい合わせて、それらを2段配列に配置しても良い。 In FIG. 4B, a plurality of first protrusions 237-i and a plurality of second protrusions 257-i are provided in a two-stage arrangement. The discharge protrusions as shown in FIG. 4A may be opposed to each other and arranged in a two-stage arrangement.
本発明では、音叉型水晶振動片20内の静電荷を、放電突起などに集中し、それにより電極パターン領域が電気的に妨害されることを防ぐ。更に、空気中の電荷が放電突起の電界に引き寄せられる。放電突起のある強度の電界を生ずる静電荷がある程度集積されると、それらは空気中の粒子と静電気放電反応をなす。電極パターン領域を損傷せず、実質的にESD耐圧を向上させる。 In the present invention, the electrostatic charge in the tuning-fork type crystal vibrating piece 20 is concentrated on the discharge protrusion and the like, thereby preventing the electrode pattern region from being electrically disturbed. Furthermore, the electric charge in the air is attracted to the electric field of the discharge protrusion. When a certain amount of electrostatic charge builds up an electric field with a certain intensity of the discharge protrusion, they undergo an electrostatic discharge reaction with particles in the air. The ESD breakdown voltage is substantially improved without damaging the electrode pattern region.
<表面実装(SMD)タイプの音叉型振動子の構成>
図5(a)は、本実施形態に係るSMDタイプの音叉型水晶振動子50を示す概略断面図である。
このSMDタイプの音叉型水晶振動子50は、上述の音叉型水晶振動片20を使用している。SMDタイプの音叉型振動子50は、その内側に空間を有する箱状のパッケージ52を有している。このパッケージ52には、その底部にベース部54を備えている。このベース部54は、酸化アルミニウム質の混練物からなるセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層し、焼結して形成されている。
<Configuration of surface mount (SMD) type tuning fork type vibrator>
FIG. 5A is a schematic cross-sectional view showing an SMD type tuning fork type crystal resonator 50 according to the present embodiment.
The SMD type tuning fork type crystal resonator 50 uses the tuning fork type crystal vibrating piece 20 described above. The SMD type tuning fork vibrator 50 has a box-shaped package 52 having a space inside. The package 52 has a base portion 54 at the bottom thereof. The base portion 54 is formed by laminating and sintering a plurality of substrates formed by molding ceramic green sheets made of an aluminum oxide-based kneaded material.
セラミック製のベース部54の上には、ニッケル上金メッキを施した封止材58が設けられており、この封止材58は、コバール等からなる蓋体56と同様の材料から形成されている。また、この封止材58の上には蓋体56が載置され、蓋体56はシーム溶接等の手法により封止材58で固定される。これらベース部54、封止材58および蓋体56で、中空の箱体を形成することになる。 A sealing material 58 plated with gold on nickel is provided on the ceramic base portion 54, and the sealing material 58 is formed of the same material as the cover 56 made of Kovar or the like. . A lid 56 is placed on the sealing material 58, and the lid 56 is fixed by the sealing material 58 by a technique such as seam welding. These base portion 54, sealing material 58 and lid 56 form a hollow box.
このように形成されているパッケージ52のベース部54上にはパッケージ側電極59が設けられている。このパッケージ側電極59の上には導電性接着剤等を介して音叉型水晶振動片20の基部電極23a、25aが固定されている。パッケージ側電極59は、パッケージの外側に形成されたタングステンメタライズ上にニッケルメッキおよび金メッキが施された電極部に接続される。 A package-side electrode 59 is provided on the base portion 54 of the package 52 thus formed. On the package side electrode 59, base electrodes 23a and 25a of the tuning-fork type crystal vibrating piece 20 are fixed via a conductive adhesive or the like. The package side electrode 59 is connected to an electrode part in which nickel plating and gold plating are performed on a tungsten metallization formed outside the package.
この音叉型水晶振動片20は、電極部から一定の電流が与えられると振動するようになっている。このとき、静電気を帯電した人体がSMDタイプの音叉型振動子50に触ったり、静電気を帯電した装置がSMDタイプの音叉型振動子50に触れたりしても、音叉型水晶振動片20には、図2ないし図4で説明した静電気放電の放電突起が形成されているので、一番狭い間隔の電極パターン間で短絡等が生じることがない。したがって、H型の音叉型水晶振動片20の性能を十分に発揮できるSMDタイプの音叉型振動子50となる。また、製造コストを上昇させることなく、SMDタイプの音叉型振動子50を製造することができる。 The tuning fork type crystal vibrating piece 20 vibrates when a constant current is applied from the electrode portion. At this time, even if a human body charged with static electricity touches the SMD type tuning fork vibrator 50 or a device charged with static electricity touches the SMD type tuning fork vibrator 50, Since the electrostatic discharge discharge protrusions described with reference to FIGS. 2 to 4 are formed, no short circuit or the like occurs between the electrode patterns with the narrowest spacing. Therefore, the SMD type tuning fork vibrator 50 that can sufficiently exhibit the performance of the H type tuning fork type crystal vibrating piece 20 is obtained. Further, the SMD type tuning fork vibrator 50 can be manufactured without increasing the manufacturing cost.
<音叉水晶発振器の構成>
図5(b)は、音叉水晶発振器60を示す図である。このデジタル音叉水晶発振器60は、上述のSMDタイプの音叉型振動子50と多くの部分で構成が共通している。したがって、SMDタイプの音叉型振動子50と音叉型水晶振動片20の構成、作用等については、同一符号を付する等して、その説明を省略する。
<Configuration of tuning fork crystal oscillator>
FIG. 5B shows a tuning fork crystal oscillator 60. The digital tuning fork crystal oscillator 60 has the same configuration in many parts as the SMD type tuning fork resonator 50 described above. Therefore, the configurations, operations, and the like of the SMD type tuning fork vibrator 50 and the tuning fork type crystal vibrating piece 20 are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
図5(b)に示す音叉型水晶発振器60は、図5(a)に示すSMDタイプの音叉振動子50の音叉型水晶振動片20の下方で、ベース部54の上に集積回路61を配置したものである。すなわち、音叉水晶発振器60では、その内部に配置された、音叉型水晶振動片20が振動すると、その振動は、集積回路61に入力され、その後、所定の周波数信号を取り出すことで、発振器として機能することになる。 In the tuning fork type crystal oscillator 60 shown in FIG. 5B, an integrated circuit 61 is disposed on the base portion 54 below the tuning fork type crystal vibrating piece 20 of the SMD type tuning fork vibrator 50 shown in FIG. It is what. That is, in the tuning fork crystal oscillator 60, when the tuning fork type crystal vibrating piece 20 disposed therein vibrates, the vibration is input to the integrated circuit 61, and then functions as an oscillator by extracting a predetermined frequency signal. Will do.
この音叉型水晶振動片20は、電極部から一定の電流が与えられると振動するようになっている。このとき、静電気を帯電した人体が音叉型水晶発振器60に触ったり、静電気を帯電した装置が音叉型水晶発振器60に触れたりしても、音叉型水晶振動片20には、図2ないし図4で説明した静電気放電の放電突起が形成されているので、一番狭い間隔の電極パターン間で短絡等が生じることがない。したがって、H型の音叉型水晶振動片20の性能を十分に発揮できる音叉型水晶発振器60となる。また、製造コストを上昇させることなく、音叉型水晶発振器60を製造することができる。 The tuning fork type crystal vibrating piece 20 vibrates when a constant current is applied from the electrode portion. At this time, even if a human body charged with static electricity touches the tuning fork type crystal oscillator 60 or a device charged with static electricity touches the tuning fork type crystal oscillator 60, the tuning fork type quartz crystal vibrating piece 20 has the following FIGS. Since the discharge protrusions for electrostatic discharge described in (1) are formed, no short circuit or the like occurs between the electrode patterns having the narrowest intervals. Therefore, the tuning-fork type crystal oscillator 60 that can sufficiently exhibit the performance of the H-type tuning-fork type crystal vibrating piece 20 is obtained. Further, the tuning fork type crystal oscillator 60 can be manufactured without increasing the manufacturing cost.
<シリンダータイプ音叉水晶発振器の構成>
図5(c)は、シリンダータイプ音叉振動子70を示す概略図である。このシリンダータイプ音叉振動子70は、上述の音叉型水晶振動片20を使用している。
図5(c)に示すようにシリンダータイプ音叉振動子70は、その内部に音叉型水晶振動片20を収容するための金属製のキャップ75を有している。このキャップ75は、ステム73に対して圧入され、その内部が真空状態に保持されるようになっている。
<Configuration of cylinder type tuning fork crystal oscillator>
FIG. 5C is a schematic diagram showing a cylinder type tuning fork vibrator 70. The cylinder type tuning fork vibrator 70 uses the tuning fork type crystal vibrating piece 20 described above.
As shown in FIG. 5C, the cylinder type tuning fork vibrator 70 has a metal cap 75 for accommodating the tuning fork type crystal vibrating piece 20 therein. The cap 75 is press-fitted into the stem 73 so that the inside thereof is maintained in a vacuum state.
また、キャップ75に収容された音叉型水晶振動片20を保持するためのリード71が2本配置されている。
この音叉型水晶振動片20は、電極部から一定の電流が与えられると振動するようになっている。このとき、静電気を帯電した人体がシリンダータイプ音叉振動子70に触ったり、静電気を帯電した装置がシリンダータイプ音叉振動子70に触れたりしても、音叉型水晶振動片20には、図2ないし図4で説明した静電気放電の放電突起が形成されているので、一番狭い間隔の電極パターン間で短絡等が生じることがない。したがって、H型の音叉型水晶振動片20の性能を十分に発揮できるシリンダータイプ音叉振動子70となる。また、製造コストを上昇させることなく、シリンダータイプ音叉振動子70を製造することができる。
Two leads 71 for holding the tuning fork type crystal vibrating piece 20 accommodated in the cap 75 are arranged.
The tuning fork type crystal vibrating piece 20 vibrates when a constant current is applied from the electrode portion. At this time, even if a human body charged with static electricity touches the cylinder-type tuning fork vibrator 70 or a device charged with static electricity touches the cylinder-type tuning fork vibrator 70, the tuning-fork type crystal vibrating piece 20 has the structure shown in FIG. Since the discharge protrusion for electrostatic discharge described with reference to FIG. 4 is formed, a short circuit or the like does not occur between the electrode patterns with the narrowest spacing. Therefore, the cylinder-type tuning fork vibrator 70 can sufficiently exhibit the performance of the H-type tuning fork type crystal vibrating piece 20. Further, the cylinder type tuning fork vibrator 70 can be manufactured without increasing the manufacturing cost.
<SMDタイプの音叉型振動子50の製造工程>
図6は、図5(a)で説明したSMDタイプの音叉型振動子50の製造の全工程を示したフローチャートである。音叉型水晶発振器60またはシリンダータイプ音叉振動子70の製造工程は、多少異なるが大筋は同じである。
<<水晶振動片の外形形成の工程>>
ステップS112では、水晶単結晶ウエハ10の全面に、耐蝕膜をスパッタリングもしくは蒸着などの手法により形成する。すなわち、圧電材料としての水晶単結晶ウエハ10を使用する場合に、金(Au)や銀(Ag)等を直接成膜することは困難なため、下地としてクロム(Cr)やチタン(Ti)等を使用する。つまり、この実施形態では、耐蝕膜としてクロム層の上に金層を重ねた金属膜を使用する。
<Manufacturing process of SMD type tuning fork vibrator 50>
FIG. 6 is a flowchart showing all steps of manufacturing the SMD type tuning fork vibrator 50 described with reference to FIG. The manufacturing process of the tuning fork crystal oscillator 60 or the cylinder type tuning fork vibrator 70 is slightly different, but the outline is the same.
<< Process for Forming External Shape of Quartz Vibrating Piece >>
In step S112, a corrosion resistant film is formed on the entire surface of the quartz single crystal wafer 10 by a technique such as sputtering or vapor deposition. That is, when using the crystal single crystal wafer 10 as a piezoelectric material, it is difficult to directly form a film of gold (Au), silver (Ag), or the like, so that chromium (Cr), titanium (Ti), etc. Is used. That is, in this embodiment, a metal film in which a gold layer is stacked on a chromium layer is used as the corrosion resistant film.
ステップS114では、クロム層および金層が形成された水晶単結晶ウエハ10に、フォトレジスト層を全面にスピンコートなどの手法で均一に塗布する。フォトレジスト層としては、たとえば、ノボラック樹脂によるポジフォトレジストを使用できる。 In step S114, a photoresist layer is uniformly applied to the entire surface of the quartz single crystal wafer 10 on which the chromium layer and the gold layer are formed by a technique such as spin coating. As the photoresist layer, for example, a positive photoresist made of novolak resin can be used.
次に、ステップS116では、露光装置を用いて、第1フォトマスクに描かれたH型の音叉型水晶振動片20のパターンをフォトレジスト層が塗布された水晶単結晶ウエハ10を露光する。ステップS116では、両面露光装置を使って365nmのi線の露光光を用いて両面を露光する。 Next, in step S116, the quartz single crystal wafer 10 on which the photoresist layer is applied to the pattern of the H-type tuning fork type quartz vibrating piece 20 drawn on the first photomask is exposed using an exposure apparatus. In step S116, both sides are exposed using i-line exposure light of 365 nm using a double-side exposure apparatus.
ステップS118では、水晶単結晶ウエハ10のフォトレジスト層を現像して、感光したフォトレジスト層を除去する。さらに、フォトレジスト層から露出した金層をたとえば、ヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いて、金層をエッチングする。次いで、金層が除去されて露出したクロム層を、たとえば硝酸第2セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングする。水溶液の濃度、温度および水溶液に浸している時間を調整して余分な箇所が侵食されないようにする。これで耐蝕膜を除去することができる。次に、フッ酸溶液をエッチング液として、フォトレジスト層および耐蝕膜から露出した水晶材料を、音叉型水晶振動片20の外形になるようにウェットエッチングを行う。このウェットエッチングは、フッ酸溶液の濃度や種類、温度等により時間が変化するが、約6時間ないし約15時間かかる。 In step S118, the photoresist layer of the crystal single crystal wafer 10 is developed, and the exposed photoresist layer is removed. Furthermore, the gold layer exposed from the photoresist layer is etched using, for example, an aqueous solution of iodine and potassium iodide. Next, the chromium layer exposed by removing the gold layer is etched with, for example, an aqueous solution of ceric ammonium nitrate and acetic acid. The concentration of the aqueous solution, the temperature, and the time of immersion in the aqueous solution are adjusted so that excess portions are not eroded. Thus, the corrosion resistant film can be removed. Next, using a hydrofluoric acid solution as an etchant, the quartz material exposed from the photoresist layer and the corrosion-resistant film is wet-etched so that the outer shape of the tuning-fork type quartz vibrating piece 20 is obtained. This wet etching takes about 6 hours to about 15 hours, although the time varies depending on the concentration, type and temperature of the hydrofluoric acid solution.
ステップS120では、不要となったフォトレジスト層と耐蝕膜を除去することによりに、図2または図4で示した音叉型水晶振動片20が形成される。
<<電極の形成の工程>>
ステップS122では、音叉型水晶振動片20を純水で洗浄し、音叉型水晶振動片20の全面に駆動電極としての励振電極などを形成するための金属膜を蒸着またはスパッタリング等の手法により形成する。この金属膜は、下地となるクロム層と、金層とで構成する。たとえば、クロム層の厚みは150〜5000オングストロームに、金層の厚みは100〜5000オングストロームにする。
In Step S120, the tuning-fork type crystal vibrating piece 20 shown in FIG. 2 or 4 is formed by removing the photoresist layer and the corrosion-resistant film that are no longer needed.
<< Electrode Formation Process >>
In step S122, the tuning fork type crystal vibrating piece 20 is washed with pure water, and a metal film for forming an excitation electrode or the like as a drive electrode is formed on the entire surface of the tuning fork type crystal vibrating piece 20 by a technique such as vapor deposition or sputtering. . This metal film is composed of a chromium layer as a base and a gold layer. For example, the chromium layer has a thickness of 150 to 5000 angstroms and the gold layer has a thickness of 100 to 5000 angstroms.
ステップS124では、全面にフォトレジストをスプレーにより塗布する。
ステップS126では、電極パターンと対応した第2フォトマスクを用意して、電極パターンをフォトレジスト層が塗布された水晶単結晶ウエハ10を露光する。第2フォトマスクには、図2ないし図4で説明した静電気放電の電極パターンが描かれている。この電極パターンは音叉型水晶振動片20の両面に形成する必要があるため、ステップS126では、365nmのi線の露光光を用いて音叉型水晶振動片20の両面を露光する。両面露光装置を使って水晶振動片20の両面を一度に露光することもでき、また、片面露光装置を使って水晶振動片20の片面を露光し、水晶振動片20を裏返して他方の片面を露光することもできる。
In step S124, a photoresist is applied to the entire surface by spraying.
In step S126, a second photomask corresponding to the electrode pattern is prepared, and the quartz single crystal wafer 10 on which the electrode layer is coated with the photoresist layer is exposed. The electrode pattern for electrostatic discharge described in FIGS. 2 to 4 is drawn on the second photomask. Since this electrode pattern needs to be formed on both surfaces of the tuning fork type crystal vibrating piece 20, in step S126, both surfaces of the tuning fork type crystal vibrating piece 20 are exposed using i-line exposure light of 365 nm. The double-sided exposure device can be used to expose both sides of the quartz crystal vibrating piece 20 at one time. Alternatively, the single-sided exposure device can be used to expose one side of the quartz crystal vibrating piece 20 and turn the quartz crystal vibrating piece 20 over to expose the other side. It can also be exposed.
ステップS128では、フォトレジスト層を現像後、感光したフォトレジストを除去する。残るフォトレジストは電極パターンと対応したフォトレジストになる。
次いで、ステップS128では、電極となる金属膜のエッチングを行う。すなわち、電極パターンと対応したフォトレジスト層から露出した金層をたとえば、ヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液でエッチングし、次にクロム層をたとえば硝酸第2セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングする。続いて、ステップS130でフォトレジストを除去する。これらの工程を経て、音叉型水晶振動片20に励振電極などが正確な位置および電極幅で形成される。
In step S128, after the photoresist layer is developed, the exposed photoresist is removed. The remaining photoresist becomes a photoresist corresponding to the electrode pattern.
Next, in step S128, the metal film to be an electrode is etched. That is, the gold layer exposed from the photoresist layer corresponding to the electrode pattern is etched with, for example, an aqueous solution of iodine and potassium iodide, and then the chromium layer is etched with, for example, an aqueous solution of ceric ammonium nitrate and acetic acid. Subsequently, the photoresist is removed in step S130. Through these steps, an excitation electrode or the like is formed on the tuning fork type crystal vibrating piece 20 with an accurate position and electrode width.
ステップS132では、水晶単結晶ウエハ10から音叉型水晶振動片20を切り取る。必要があれば、連結部28が基部29の端部より外側で切り取られていないかをチェックする。
<<周波数調整およびパッケージングの工程>>
これまでの工程により、電極が形成された音叉型水晶振動片20が得られたため、ステップS134では、図5(a)に示したセラミック製のパッケージ52に音叉型水晶振動片20を接着する。具体的には、音叉型水晶振動片20の基部29の電極部23a、25aを塗布した導電性接着剤の上に載置して、導電性接着剤を仮硬化させる。次に、硬化炉で導電性接着剤を本硬化する。
In step S <b> 132, the tuning fork type crystal vibrating piece 20 is cut from the crystal single crystal wafer 10. If necessary, it is checked whether or not the connecting portion 28 is cut off outside the end portion of the base portion 29.
<< Frequency adjustment and packaging process >>
Since the tuning fork type crystal vibrating piece 20 having the electrode formed thereon is obtained through the above steps, in step S134, the tuning fork type crystal vibrating piece 20 is bonded to the ceramic package 52 shown in FIG. Specifically, the conductive adhesive is temporarily cured by placing it on the conductive adhesive coated with the electrode portions 23a and 25a of the base 29 of the tuning-fork type crystal vibrating piece 20. Next, the conductive adhesive is fully cured in a curing furnace.
ステップS136では、さらに、音叉型水晶振動片20の振動腕21にレーザ光を照射して、振動腕21の水晶単結晶ウエハ10の一部または錘金属を蒸散・昇華させ、質量削減方式による周波数調整を行う。 In step S136, the vibrating arm 21 of the tuning-fork type quartz vibrating piece 20 is further irradiated with laser light to evaporate and sublimate part of the quartz single crystal wafer 10 or the weight metal of the vibrating arm 21, and the frequency by the mass reduction method. Make adjustments.
次に、ステップS138で、真空チャンバ内などに水晶振動片20を収容したパッケージ51を移し、封止材58により蓋体59を封止する。続いてステップS138で、最後にSMDタイプの音叉型振動子50の駆動特性などの検査を行い、SMDタイプの音叉型振動子50を完成させる。 Next, in step S 138, the package 51 containing the crystal vibrating piece 20 is moved into a vacuum chamber or the like, and the lid body 59 is sealed with the sealing material 58. Subsequently, in step S138, the SMD type tuning fork vibrator 50 is finally inspected for driving characteristics and the like, and the SMD type tuning fork vibrator 50 is completed.
上記実施形態では、音叉型水晶振動子で説明してきたがこれに限定されることはなく、他の形状の水晶振動子であってもよい。 In the above embodiment, the tuning fork type crystal resonator has been described. However, the present invention is not limited to this, and a crystal resonator having another shape may be used.
10 … 水晶単結晶ウエハ
20 … 音叉型水晶振動片、
23 … 第一電極(パターン)
25 … 第二電極(パターン)
231,233,235 … 第一電極の放電突起
251,253,255 … 第二電極の放電突起
50 … セラミック製のパッケージ音叉型振動子
60 … 音叉型水晶発振器
70 … シリンダータイプ音叉振動子
WA … 側面電極25cと溝電極23dとの一番狭い隙間
WB … 第1接続電極23bと第2接続電極25bとの一番狭い間隔
WC … 放電突起における一番広い間隔
10: Crystal single crystal wafer 20: Tuning fork type crystal vibrating piece,
23 ... 1st electrode (pattern)
25 ... Second electrode (pattern)
231, 233, 235... First electrode discharge protrusion 251, 253, 255... Second electrode discharge protrusion 50... Ceramic package tuning fork vibrator 60. Tuning fork crystal oscillator 70. The narrowest gap WB between the electrode 25c and the groove electrode 23d ... The narrowest gap WC between the first connection electrode 23b and the second connection electrode 25b ... The widest gap in the discharge protrusion
Claims (7)
前記一対の振動腕にそれぞれ形成された第一励振電極及び第二励振電極と、
前記基部の表裏面に配置され、前記第一励振電極に接続された第一基部電極および前記第二励振電極に接続された第二基部電極と、
前記第一基部電極に形成され、この第一基部電極から前記第二基部電極へと伸びた複数の放電突起と、を有し、
前記第一基部電極の複数の放電突起と第二基部電極との一番広い間隔は、前記第一励振電極と前記第二励振電極との一番狭い間隔より狭いことを特徴とする音叉型の水晶振動片。 A tuning-fork type quartz substrate having a plate-like base portion having front and back surfaces and a pair of vibrating arms extending from the base portion;
A first excitation electrode and a second excitation electrode respectively formed on the pair of vibrating arms;
A first base electrode connected to the first excitation electrode and a second base electrode connected to the second excitation electrode, arranged on the front and back surfaces of the base;
A plurality of discharge protrusions formed on the first base electrode and extending from the first base electrode to the second base electrode ;
A tuning fork type characterized in that the widest gap between the plurality of discharge protrusions of the first base electrode and the second base electrode is narrower than the narrowest gap between the first excitation electrode and the second excitation electrode . Crystal vibrating piece.
前記第一励振電極は、一方の前記振動腕の溝部に形成された第一溝電極及び他方の前記振動腕の側面に形成された第一側面電極を含み、
前記第二励振電極は、前記他方の前記振動腕の溝部に形成された第二溝電極及び前記一方の前記振動腕の側面に形成された第二側面電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の水晶振動片。 The pair of vibrating arms has a groove,
The first excitation electrode includes a first groove electrode formed in a groove portion of one of the vibrating arms and a first side electrode formed on a side surface of the other vibrating arm,
2. The second excitation electrode includes a second groove electrode formed in a groove portion of the other vibrating arm and a second side electrode formed on a side surface of the one vibrating arm. Crystal resonator element according to claim 1.
前記音叉型の水晶振動片を真空封止するパッケージと、
を有する振動デバイス。
The tuning-fork type crystal vibrating piece according to any one of claims 1 to 6 ,
A package for vacuum-sealing the tuning-fork type crystal vibrating piece;
A vibrating device having.
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JP2013197857A (en) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Seiko Instruments Inc | Piezoelectric vibration piece, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic apparatus, and wave clock |
JP7300256B2 (en) * | 2018-10-31 | 2023-06-29 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric vibrator |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236260A (en) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Mitsubishi Materials Corp | Chip-type absorber and manufacture thereof |
JP2001148277A (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Sharp Corp | Power supply circuit furnished with lightning surge voltage absorption circuit |
JP2003163540A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Kyocera Corp | Surface-mounted crystal oscillator |
JP2005191744A (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Fujitsu Media Device Kk | Surface acoustic wave filter |
JP2005204371A (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Blocking filter |
JP2006246449A (en) * | 2005-02-02 | 2006-09-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator package, and oscillation circuit |
-
2006
- 2006-09-28 JP JP2006264184A patent/JP4618440B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236260A (en) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Mitsubishi Materials Corp | Chip-type absorber and manufacture thereof |
JP2001148277A (en) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Sharp Corp | Power supply circuit furnished with lightning surge voltage absorption circuit |
JP2003163540A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Kyocera Corp | Surface-mounted crystal oscillator |
JP2005191744A (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Fujitsu Media Device Kk | Surface acoustic wave filter |
JP2005204371A (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Blocking filter |
JP2006246449A (en) * | 2005-02-02 | 2006-09-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Piezoelectric vibrator, piezoelectric vibrator package, and oscillation circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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