New! View global litigation for patent families

JP4617823B2 - A liquid discharge head, a manufacturing method of a liquid discharge apparatus and a liquid ejection head - Google Patents

A liquid discharge head, a manufacturing method of a liquid discharge apparatus and a liquid ejection head

Info

Publication number
JP4617823B2
JP4617823B2 JP2004307666A JP2004307666A JP4617823B2 JP 4617823 B2 JP4617823 B2 JP 4617823B2 JP 2004307666 A JP2004307666 A JP 2004307666A JP 2004307666 A JP2004307666 A JP 2004307666A JP 4617823 B2 JP4617823 B2 JP 4617823B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004307666A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006116839A (en )
Inventor
孝章 宮本
稔 河野
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Description

本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えば発熱素子と発熱素子を駆動するトランジスタとを一体に基板上に形成したサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。 The present invention relates to a liquid ejection head, relates to a method for manufacturing a liquid discharge apparatus and a liquid discharge head may be applied to an inkjet printer using a thermal method of forming a transistor on a substrate together to drive for example a heating element a heating element . 本発明は、塗布型の絶縁膜により層間絶縁膜を形成するようにして、この層間絶縁膜の表層、層間絶縁膜に設けられる貫通孔の内側壁面にシリコン絶縁膜を形成することにより、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止する。 The present invention, so as to form an interlayer insulating film by coating type insulating film, the surface of the interlayer insulating film, by forming a silicon insulating film on the inner wall surface of the through hole provided in the interlayer insulating film, coating type sufficiently prevent the occurrence of the step by the insulating film, and to prevent deterioration of the heating element.

近年、画像処理等の分野において、ハードコピーのカラー化に対するニーズが高まってきている。 In recent years, in the field of image processing and the like, there is a growing need for the color of the hard copy. このニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式及び熱現像銀塩方式等のカラーコピー方式が提案されている。 For this demand, conventionally, a sublimation type thermal transfer system, melt thermal transfer method, ink jet method, a color copying method such as an electrophotographic method and a thermal development silver salt method have been proposed.

これらの方式のうちインクジェット方式は、液体吐出ヘッドであるプリンタヘッドに設けられたノズルから記録液(インク)の液滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形成するものであり、簡易な構成により高画質の画像を出力することができる。 Ink jet system among these methods, the recording liquid from the nozzles provided in the printer head is a liquid ejection head droplets to the flight of (ink) is intended to form dots adhered to the recording target, simple configuration makes it possible to output high-quality images. このインクジェット方式は、ノズルからインク液滴を飛翔させる方法の相違により、静電引力方式、連続振動発生方式(ピエゾ方式)及びサーマル方式に分類される。 The ink jet system, the difference method of flying ink droplets from the nozzle, the electrostatic attraction method, are classified continuous vibration generating method (the piezo method) and a thermal method.

これらの方式のうちサーマル方式は、インクの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡によりインクをノズルから押し出して印刷対象に飛翔させる方式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷することができる。 Thermal system of these schemes, the bubble generated by the local heating of ink, a system of ejecting ink by the bubble to be printed is extruded from the nozzle, to print a color image with a simple configuration it can.

このようなサーマル方式によるプリンタヘッドは、インクを加熱する発熱素子が発熱素子を駆動するロジック集積回路による駆動回路と共に一体に半導体基板上に形成され、これによりこの種のプリンタヘッドにおいては、発熱素子を高密度に配置して確実に駆動することができるようになされている。 The printer head according to such a thermal system, is formed on a semiconductor substrate together with the drive circuit according to the logic integrated circuit heating elements for heating the ink for driving the heating elements, thereby in this type of printer head, the heat generating element the arranged densely are made to be able to reliably drive.

すなわちこのサーマル方式のプリンタにおいて、高画質の印刷結果を得るためには、発熱素子を高密度で配置する必要がある。 That is, in the printer of this thermal system, in order to obtain a print result of high image quality, it is necessary to arrange a high density heating elements. 具体的に、例えば600〔DPI〕相当の印刷結果を得るためには、発熱素子を42.333〔μm〕間隔で配置することが必要になる。 Specifically, for example, in order to obtain a 600 [DPI] corresponding print result, it is necessary to place the heating element at 42.333 [μm] interval. しかしながらこのように高密度で配置した発熱素子に個別の駆動素子を配置することは極めて困難になる。 However placing the individual drive element to the heating element disposed at a high density in this way is extremely difficult. このためプリンタヘッドでは、半導体基板上にスイッチングトランジスタ等を作成して集積回路技術により対応する発熱素子と接続し、さらには同様に半導体基板上に作成した駆動回路により各スイッチングトランジスタを駆動することにより、簡易かつ確実に各発熱素子を駆動することができるようになされている。 For this reason printer head, by connecting the heating elements corresponding by creating and integrated circuit technology the switching transistor or the like on a semiconductor substrate, further drives the respective switching transistor by a driver circuit which is created in the same manner as the semiconductor substrate it is adapted to be able to drive easily and reliably the heating elements.

すなわち図12は、この種のプリンタヘッドにおけるスイッチングトランジスタ、発熱素子近傍の構成を示す断面図である。 That is, FIG. 12 is a sectional view showing a switching transistor, the heating element near the construction in this type of printer head. このプリンタヘッド1は、シリコン基板2上にMOS(Metal Oxide Semiconductor )型電界効果型トランジスタを絶縁分離する素子分離領域が形成された後、この素子分離領域間にMOSトランジスタ3等が形成され、これにより発熱素子の駆動に供するスイッチングトランジスタ、このスイッチングトランジスタを駆動する駆動回路が半導体製造工程によるMOSトランジスタ3により構成される。 The printer head 1, after the element isolation region for insulating separating a MOS (Metal Oxide Semiconductor) type field effect transistor on a silicon substrate 2 is formed, MOS transistor 3 and the like is formed between the device isolation region, which switching transistor to be subjected to the driving of the heat generating element, the drive circuit for driving the switching transistor is constituted by the MOS transistor 3 by the semiconductor manufacturing process.

続いてMOSトランジスタ3を絶縁する層間絶縁膜等が積層された後、この層間絶縁膜に開口(コンタクトホール)が形成され、1層目の配線パターン4、1層目の配線パターン4と続く2層目の配線パターンを絶縁する層間絶縁膜5、発熱素子6が順次形成される。 After the interlayer insulating film or the like for insulating the MOS transistor 3 are laminated subsequently, opening (contact hole) in the interlayer insulating film is formed, followed by the first wiring pattern 4,1-layer wiring pattern 4 2 an interlayer insulating film 5 for insulating layers of wiring patterns, the heating element 6 are sequentially formed. ここで発熱素子6は、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaN X )、タンタルアルミ(TaAl)により作成される。 Here the heater element 6, tantalum (Ta), tantalum nitride (TaN X), is prepared by tantalum aluminum (TaAl). プリンタヘッド1は、層間絶縁膜5に開口(ビアホール)を形成して2層目の配線パターン7が形成され、これら2層構造による配線パターン4、7によりMOSトランジスタ3に発熱素子6が接続される。 The printer head 1, an interlayer insulating film 5 in the opening to form a (via hole) 2-layer wiring pattern 7 is formed, the heater element 6 in the MOS transistor 3 is connected by a wiring pattern 4 and 7 of these two-layer structure that. さらに続いて発熱素子6上に窒化シリコン(Si 34 )による絶縁保護層8、β−タンタルによる耐キャビテーション層9が順次形成される。 Insulating protective layer 8 by addition followed by heating element 6 on the silicon nitride (Si 3 N 4), the anti-cavitation layer 9 by β- tantalum are sequentially formed.

続いてプリンタヘッド1は、このようにして発熱素子6等が形成された基板2上の全面に感光性の樹脂材料が塗布され、露光現像工程により塗布した感光性樹脂の余剰な部位が除去されて樹脂層10が形成される。 The printer head 1 is followed, this way the entire surface a photosensitive resin material on the substrate 2 such as heat generating element 6 is formed is applied, excess portions of the applied photosensitive resin is removed by exposure and development step resin layer 10 is formed Te. さらにこの上層にニッケルとコバルトとの合金(Ni−Co)によるノズルシート11が貼り付けられ、これらによりインク液室、このインク液室にインクを導くインク流路及びノズルが作成される。 Furthermore the nozzle sheet 11 by alloy (Ni-Co) of nickel and cobalt is bonded to the upper layer, these by the ink chambers, ink flow path, and a nozzle for guiding the ink to the ink liquid chamber is created. プリンタヘッド1は、MOSトランジスタ3によりパルス状の電圧を発熱素子6に印加して発熱素子6を駆動し、これによりインク液滴を飛び出させるようになされている。 The printer head 1, by applying a pulse voltage to the heating element 6 drives the heating element 6 by MOS transistors 3, thereby the CPU 120 is configured to pop the ink droplets.

このように構成されるプリンタヘッド1においては、単に構成部材を積層しただけでは、絶縁保護層8の表面に配線パターン4等による段差の発生を避け得ず、これにより絶縁保護層8の上層に形成される樹脂層10の表面にも段差が現れ、この樹脂層10に貼り付けられるノズルシートと樹脂層表面との間に隙間が発生する。 In thus configured printer head 1, simply by stacking the components, not unavoidable occurrence of steps due to the wiring pattern 4 or the like on the surface of the insulating protective layer 8, thereby the upper layer of the insulating protective layer 8 also appear step on the surface of the resin layer 10 formed, a gap is generated between the pasted nozzle sheet and the resin layer surface to the resin layer 10. プリンタヘッド1は、このような隙間が発生すると、樹脂層10とノズルシート11の密着性が劣化する恐れがある。 The printer head 1, when such a gap is produced, there is a possibility that the adhesion between the resin layer 10 and the nozzle sheet 11 is degraded.

これにより従来のプリンタヘッド1では、例えば米国特許第6450622号明細書に開示の手法を適用してSOG(Spin On Glass )膜12により層間絶縁膜5を形成してこの種の段差を無くすように平坦化し、十分に強固にノズルシート11を保持するようになされている。 Thus in the conventional printer head 1, for example, US patent No. 6,450,622 Patent by applying the technique of specification to disclose an interlayer insulating film 5 by SOG (Spin On Glass) film 12 so as to eliminate a step of this kind flattened, it is adapted to retain a sufficiently firmly nozzle sheet 11. ここでSOG膜12は、アルコール成分を溶媒にしてシラノール(Si−OH)結合を含んだ塗布型の絶縁材料がスピンコート法により十分な厚みで基板表面に塗布され、これにより段差に係る部位を埋めるようにシリコン基板2の全面に成膜された後、エッチバック法により所定膜厚にエッチバックされて形成される。 Here SOG film 12, and the alcohol components in a solvent silanol (Si-OH) insulating materials coating type containing a binding is applied to the substrate surface with sufficient thickness by spin coating, thereby a portion of the step after being deposited on the entire surface of the silicon substrate 2 so as to fill, it is formed by etching back a predetermined thickness by the etch back method.

しかしながら単にSOG膜12により段差を無くすようにすると、プリンタヘッド1にあっては、発熱素子6の駆動により発熱素子6が劣化する問題がある。 However, if simply to eliminate the step by the SOG film 12, in the printer head 1, there is a problem that heating element 6 is deteriorated by the driving of the heat generating element 6. 具体的にインク液室にインクを保持しない状態で発熱素子6を駆動したところ(いわゆる空うちである)、プリンタヘッド1では、発熱素子6の抵抗値が著しく上昇し、また耐キャビテーション層9の表面が黒く変色することが確認された。 Was driven specifically ink chamber heating element 6 in a state that does not hold the ink (so-called empty out), the printer head 1, the resistance value of the heating element 6 is significantly increased, and the anti-cavitation layer 9 the surface is blackened was confirmed.

この点を詳細に検討したところ、発熱素子6の駆動による熱が直下のSOG膜12に伝搬し、この熱によりSOG膜成分自体が分解されることにより、またSOG膜中に残存している溶媒成分が脱離することにより、発熱素子が酸化して、又は発熱素子が炭化して抵抗値が著しく上昇することが判った。 Was examined this point in detail, the solvent heat due to the driving of the heat generating element 6 is propagated to the SOG film 12 immediately below, remaining by SOG film component itself is decomposed by the heat, also in the SOG film by components is eliminated, the heating elements is oxidized, or the heating elements are found to be resistance increases significantly carbonized. より具体的にSOG膜に供する塗布型絶縁材料に有機SOGを用いる場合、このような抵抗値の上昇が特に著しいことが確認された。 When using an organic SOG to a coating type insulating material to be subjected to more specifically SOG film, such rise in resistance was confirmed to be particularly significant. なおここで有機SOG膜は、R n Si(OH) 4-n (Rはアルキル基 CH 3 、C 25 、アルコシキ基 C 37等の有機基、nは1〜4の自然数)により表されるように、有機基を分子内に含むシリコン化合物であり、段差の緩和に係る平坦性に優れ、厚い膜厚により塗布してもクラックが入り難い特徴がある。 Note here organic SOG film, R n Si (OH) 4 -n (R is an alkyl group CH 3, C 2 H 5, an organic group such as alkoxy group C 3 H 7, n is a natural number of 1 to 4) by as represented, a silicon compound containing an organic group in the molecule, excellent flatness of the relaxation of the step, there is hardly characteristic cracked be applied by a thick film thickness.

この問題を解決する1つの方法として図12との対比により図13に示すように、SOG膜の塗布、エッチバックを複数回繰り返すことにより、発熱素子6の作成領域についてはSOG膜12を作成しないようにすることが考えられる。 As shown in FIG. 13 in contrast to FIG. 12 as a method for solving this problem, application of the SOG film, by repeating several times the etch-back and does not create the SOG film 12 for creating the region of the heating element 6 it is conceivable that way.

しかしながらこの種のプリンタヘッドは、近年、さらなる高密度化が求められており、このためMOSトランジスタ3が微細化され、配線パターンが、多層化、狭ピッチ化する傾向にある。 However, this type of printer head, in recent years, and higher density is required, this because of MOS transistors 3 are miniaturized, wiring patterns, multilayered, tends to narrow pitch. このように配線パターンを狭ピッチ化して、SOG膜の塗布、エッチバックを繰り返して発熱素子6の作成領域にSOG膜12を作成しないようにすると、配線パターンによる段差を十分に平坦化し得なくなる。 Thus with the wiring pattern is narrow pitch, coating the SOG film, by not creating a SOG film 12 in the creation area of ​​the heating element 6 by repeating the etching-back, not give sufficiently level the step due to the wiring pattern. これによりSOG膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することが望まれる。 Thereby sufficiently prevent the occurrence of level difference by the SOG film, and it is desired to prevent deterioration of the heating element.
米国特許第6450622号明細書 US Pat. No. 6450622

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法を提案しようとするものである。 The present invention has been made in view of the above, sufficiently prevent the occurrence of the step by a coating-type insulating film, and a liquid discharge head capable of preventing deterioration of the heat generating element, a liquid ejecting apparatus and it is intended to propose a method of manufacturing the liquid discharge head.

かかる課題を解決するため請求項1の発明においては、液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、半導体素子による発熱素子の駆動により所定のノズルより液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドに適用して、発熱素子の基板側には、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、塗布型の絶縁膜は、表層に、シリコン絶縁膜が形成され、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成されてなるようにする。 In the invention of claim 1 for solving the above problems, a heating element for heating the liquid held in the liquid chamber, and a semiconductor element for driving the heating elements are integrally formed on a substrate, the heat generating element by a semiconductor element applied to the liquid ejection head to pop the droplets of liquid from a predetermined nozzle by driving, on the substrate side of the heat generating element, an interlayer insulating film for insulating the lower layer of the upper wiring pattern is formed by coating type insulating film , insulating film coating type is a surface layer, a silicon insulating film is formed, on the inner wall surface of the through-hole that connects the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites, so that the silicon insulating film is formed.

また請求項3の発明においては、液体吐出ヘッドから飛び出す液滴を対象物に供給する液体吐出装置に適用して、液体吐出ヘッドが、液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、半導体素子による発熱素子の駆動により所定のノズルより液体の液滴を飛び出させ、発熱素子の基板側には、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、塗布型の絶縁膜は、表層に、シリコン絶縁膜が形成され、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成されてなるようにする。 In the invention of claim 3, the heating element applied to a liquid ejection apparatus for supplying the object droplets jump out of the liquid discharge head, the liquid discharge head, heat the liquid held in the liquid chamber, the heating elements formed integrally with a semiconductor element for driving the on the substrate, pops droplets of liquid from a predetermined nozzle by driving the heating element by a semiconductor device, the substrate side of the heating elements, the lower layer an upper layer of the wiring pattern insulation to the interlayer insulating film is formed by coating type insulating film, the insulating film of coating type, in the surface layer, a silicon insulating film is formed, the inner wall surface of the through-hole that connects the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites in, so that the silicon insulating film is formed.

また請求項4の発明においては、液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、半導体素子による発熱素子の駆動により所定のノズルより液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法に適用して、塗布型の絶縁膜により基板の全面を覆って、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜を作成する層間絶縁膜の作成処理と、塗布型の絶縁膜の表層にシリコン絶縁膜を形成する第1のシリコン絶縁膜の作成処理と、層間絶縁膜に、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔を作成する貫通孔の作成処理と、貫通孔の内側壁面に選択的にシリコン絶縁膜を形成する第2のシリコン絶縁膜の作成処理とを有するようにする。 In the invention of claim 4, a heating element for heating the liquid held in the liquid chamber, and a semiconductor element for driving the heating elements are integrally formed on the substrate, predetermined nozzle by driving the heating element by a semiconductor element It applied to the method of manufacturing a liquid discharge head popping more droplets of liquid, covering the entire surface of the substrate by coating type insulating film, an interlayer insulating film to create an interlayer insulating film for insulating the lower layer of the upper wiring pattern and creation processing, the creation processing of the first silicon insulating film to form a silicon insulating film on the surface layer of the coating type insulating film, the interlayer insulating film, a through hole for connecting the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites and creation processing of the through holes to create, to have a process of creating the second silicon insulating film selectively forming a silicon insulating film on the inner wall surface of the through-hole.

請求項1の構成により、液体吐出ヘッドに適用して、発熱素子の基板側には、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成されてなるようにすれば、配線パターンによる段差を塗布型の絶縁膜により十分に平坦化することができる。 The arrangement of claim 1, applied to a liquid discharge head, the substrate side of the heating element, if such an interlayer insulating film for insulating the lower layer an upper layer wiring pattern is formed by coating type insulating film , a step due to the wiring pattern can be sufficiently planarized by coating type insulating film. また請求項1の構成により、この塗布型の絶縁膜は、表層に、シリコン絶縁膜が形成され、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成されてなるようにすれば、塗布型の絶縁膜の揮発成分を、これらシリコン絶縁膜により塗布型の絶縁膜に封じ込めることができ、これによりこの揮発成分による発熱素子の劣化を防止することができる。 The structure of claim 1 The insulating film of the coating type, in the surface layer, a silicon insulating film is formed, on the inner wall surface of the through-hole that connects the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites, the silicon insulating film if so formed, the volatile components of the coating type insulating film, these silicon dielectric film can be contained in an insulating film coating type, it is possible thereby to prevent deterioration of the heating device according to the volatile component it can.

これにより請求項3、請求項4の構成によれば、塗布型の絶縁膜により段差の発生を防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる液体吐出装置、液体吐出ヘッドの製造方法を提供することができる。 Thereby claim 3, according to the configuration of claim 4, to prevent the occurrence of the step by a coating-type insulating film, and a liquid ejecting apparatus capable of preventing the deterioration of the heating element, the manufacturing method of the liquid discharge head it is possible to provide a.

本発明によれば、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる。 According to the present invention, it is possible to sufficiently prevent the occurrence of the step, and to prevent deterioration of the heating element by a coating-type insulating film.

以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。 Hereinafter, detailed embodiments of the present invention with reference to the drawings.

(1)実施例1の構成 図1は、本発明に係るラインプリンタを示す斜視図である。 (1) Configuration of the Embodiment FIG. 1 1 is a perspective view showing a line printer according to the present invention. このラインプリンタ21は、フルラインタイプのラインプリンタであり、略長方形形状によりプリンタ本体22が形成される。 The line printer 21 is a full-line type line printer, the printer main body 22 is formed by a substantially rectangular shape. ラインプリンタ21は、印刷対象である用紙23を収納した用紙トレイ24をこのプリンタ本体22の正面に形成されたトレイ出入口より装着することにより、用紙23を給紙できるようになされている。 Line printer 21 by the paper tray 24 that stores sheets 23 to be printed is mounted from the tray entrance formed at the front of the printer body 22 are adapted to the paper 23 can be fed.

ラインプリンタ21は、このようにトレイ出入口よりプリンタ本体22に用紙トレイ24が装着されて、ユーザーにより印刷が指示されると、このプリンタ本体22に設けられた給紙ローラの回転によりプリンタ本体22の背面側に向かって用紙トレイ24から用紙23が送り出され、プリンタ本体22の背面側に設けられた反転ローラによりこの用紙23の送り方向が正面方向に切り換えられる。 Line printer 21 is thus mounted paper tray 24 into the printer body 22 than the tray doorway, the user by printing is instructed, the printer body 22 by the rotation of the paper feed roller provided in the printer body 22 paper 23 from the paper tray 24 toward the rear side is fed, the feeding direction of the paper 23 is switched to the front direction by the reversing roller provided on the back side of the printer main body 22. ラインプリンタ21は、このようにして用紙送り方向が正面方向に切り換えられてなる用紙23が用紙トレイ24上を横切るように搬送され、ラインプリンタ21の正面側に配置された排出口よりトレイ25に排出される。 Line printer 21, the sheet 23 paper feed direction is switched to the front direction in this way is transported across the paper tray 24 above the discharge tray 25 from the arranged outlet on the front side of the line printer 21 It is.

ラインプリンタ21は、上側端面に上蓋26が設けられ、この上蓋26の内側、正面方向への用紙搬送途中に、矢印Aにより示すように、ヘッドカートリッジ28が交換可能に配置される。 Line printer 21, the top cover 26 is provided on the upper end surface, the inside of the upper cover 26, the middle sheet conveyance in the front direction, as indicated by the arrow A, the head cartridge 28 is replaceably arranged.

ここでヘッドカートリッジ28は、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの4色によるフルラインタイプのプリンタヘッドであり、上側に各色のインクタンク29Y、29M、29C、29Kが設けられる。 Here the head cartridge 28, the yellow, magenta, cyan, a full-line type print head according to four colors of black, the color of the ink tank 29Y to the upper, 29M, 29C, 29K are provided. ヘッドカートリッジ28は、これらインクタンク29Y、29M、29C、29Kに係るプリンタヘッドのアッセンブリーであるヘッドアッセンブリー30と、このヘッドアッセンブリー30の用紙23側に設けられて、不使用時、ヘッドアッセンブリー30に設けられたノズル列を塞いでインクの乾燥を防止するヘッドキャップ31とにより構成される。 The head cartridge 28, these ink tanks 29Y, 29M, 29C, and head assembly 30 is a assembly of a printer head according to 29K, provided on the paper 23 side of the head assembly 30, when not in use, provided in the head assembly 30 constituted by a head cap 31 for preventing drying of ink blocks the nozzle array that is. これによりラインプリンタ21においては、このヘッドカートリッジ28に設けられたヘッドアッセンブリー30の駆動により、各色のインク液滴を用紙23に付着させて所望の画像等をカラーにより印刷する。 Thus, in the line printer 21, by driving the head assembly 30 provided on the head cartridge 28, the ink droplets of each color is deposited on the paper 23 is printed by the color of the desired image or the like.

図2は、このヘッドアッセンブリー30を用紙23側より見てインク液滴Lの吐出に係る部分を拡大し、一部断面を取って示す斜視図である。 Figure 2 is an enlarged portion relating to the head assembly 30 to the ejection of ink droplets L when viewed from the sheet 23 side is a perspective view showing taking partial section. ヘッドアッセンブリー30は、インク液室の隔壁33等を作成したヘッドチップ34を順次ノズルシート35に貼り付けた後、ボンディング端子36を介してヘッドチップ34を配線して形成される。 Head assembly 30, was adhered to the head chip 34 sequentially nozzle sheet 35 that created the ink chamber of the partition wall 33 or the like, and is formed by wiring the head chip 34 through the bonding terminal 36.

ここでヘッドチップ34は、複数の発熱素子37、この複数の発熱素子37を駆動する駆動回路、この駆動回路の駆動に供する電源等を入力するボンディング端子36等が形成されたものであり、発熱素子37側より見て全体が長方形形状により形成され、この長方形形状の長辺の一辺に沿って所定ピッチにより発熱素子37が複数個設けられる。 Here the head chip 34, a plurality of heating elements 37, driving circuits for driving the plurality of heating elements 37, which like bonding terminal 36 is formed to enter a power supply or the like to be subjected to the driving of the drive circuit, heating whole when viewed from the element 37 side is formed by rectangular, heating elements 37 by a predetermined pitch along one side of the long sides of the rectangular shape are provided plural.

ヘッドチップ34は、この一辺側が開いてなるように、櫛の歯形状によりインク液室の隔壁33、インク流路の隔壁が形成され、この一辺側に沿ってインク流路が設けられる。 Head chip 34, as the one side is opened, the partition wall 33 of the ink chamber by the tooth shape of a comb, the partition wall of the ink flow path is formed, the ink flow path is provided along the one side. ヘッドチップ34は、このインク流路を間に挟んで千鳥にノズルシート35に順次配置され、これによりヘッドアッセンブリー30では、この隔壁33、ヘッドチップ34等によりインク流路を形成して、このインク流路からそれぞれ対応するインクタンク29Y、29M、29C、29Kのインクを各インク液室に導き得るようになされ、またこのようにして液室に導かれたインクを発熱素子37の駆動により加熱できるようになされている。 Head chip 34, the ink flow path are sequentially disposed on the nozzle sheet 35 sandwiched therebetween staggered between and thereby the head assembly 30, the partition wall 33, to form an ink flow path by the head chip 34 and the like, the ink an ink tank 29Y corresponding respectively from the flow channel, 29M, 29C, made ink 29K so can lead to the respective ink chambers, also be heated by driving of the thus heat-generating elements 37 of the ink guided to the liquid chamber It has been made so.

これに対してノズルシート35は、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックのインクにそれぞれ対応する用紙幅によるノズル38の列が並設されたシート状部材であり、電鋳技術によりコバルトを含むニッケル材により形成される。 Nozzle sheet 35 on the other hand, the yellow, magenta, cyan, a sheet-like member which columns are arranged in the nozzle 38 by the corresponding sheet width to the black ink, a nickel material containing cobalt by electroforming techniques It is formed. ノズルシート35は、各ノズル38の列を間に挟んで千鳥に、各ヘッドチップ34をそれぞれボンディング端子36にワイヤボンディングする際の作業用の開口40が形成される。 Nozzle sheet 35 in a staggered in between the rows of the nozzles 38, openings 40 for work at the time of wire bonding each head chip 34 to the bonding terminals 36 are formed, respectively.

図3は、このヘッドアッセンブリーに配置されるヘッドチップを周辺構成と共に示す断面図である。 Figure 3 is a sectional view showing a head chip disposed on the head assembly together with the peripheral configuration. ヘッドチップ34は、半導体製造工程により、複数チップ分がシリコン基板による半導体ウエハ上にまとめて形成された後、各チップにスクライビングされて形成される。 Head chip 34, the semiconductor manufacturing process, a plurality of chips is after being formed collectively on a semiconductor wafer of silicon substrate, it is formed by scribing into chips. ヘッドチップ34は、半導体ウエハの段階で発熱素子37側の面に隔壁33が形成され、この隔壁33の表面が平坦になるように形成されて隔壁33とノズルシート35の間の密着性を確保するようになされている。 Head chip 34, the partition wall 33 is formed on the surface of the heat generating element 37 side at the stage of the semiconductor wafer, ensuring adhesion between the partition walls 33 and the nozzle sheet 35 is a surface of the partition wall 33 is formed so as to be flat It has been made to.

すなわち図4(A)に示すように、ヘッドチップ34は、シリコン基板41が洗浄された後、シリコン窒化膜が堆積される。 That is, as shown in FIG. 4 (A), the head chip 34, after the silicon substrate 41 is cleaned, a silicon nitride film is deposited. 続いてフォトリソグラフィー工程、リアクティブイオンエッチング工程によりシリコン基板41が処理され、これによりトランジスタを形成する所定領域以外の領域よりシリコン窒化膜が取り除かれる。 Then photolithography process, the silicon substrate 41 is processed by reactive ion etching process, thereby the silicon nitride film from the region other than the predetermined region for forming a transistor is removed. これらによりヘッドチップ34は、シリコン基板41上のトランジスタを作成する領域にシリコン窒化膜が形成される。 These by the head chip 34, a silicon nitride film is formed in the region to create a transistor on a silicon substrate 41.

続いてヘッドチップ34は、シリコン窒化膜が除去されている領域に熱酸化工程により熱シリコン酸化膜が膜厚500〔nm〕により形成され、この熱シリコン酸化膜によりトランジスタを分離するための素子分離領域(LOCOS:Local oxidation of silicon)42が形成される。 Then the head chip 34 is thermal silicon oxide film by a thermal oxidation process in a region where the silicon nitride film is removed is formed by a film thickness 500 [nm], the element isolation for isolating the transistors This thermal silicon oxide film region (LOCOS: Local oxidation of silicon) 42 is formed. なおこの素子分離領域42は、その後の処理により最終的に膜厚260〔nm〕に形成される。 Note the element isolation region 42 is formed in the final film thickness 260 nm, by the subsequent treatment.

ヘッドチップ34は、続いてシリコン基板41が洗浄された後、トランジスタ形成領域にゲート用の熱酸化膜が形成される。 Head chip 34, after the silicon substrate 41 is cleaned subsequently, the thermal oxide film for the gate in the transistor forming region is formed. また続いてシリコン基板41が洗浄され、CVD(Chemical Vapor Deposition )法により膜厚70〔nm〕によるポリシリコン、膜厚70〔nm〕によるタングステンシリサイドが順次堆積される。 Further Subsequently the silicon substrate 41 is cleaned, the polysilicon by a thickness 70 [nm], tungsten silicide by thickness 70 nm, are sequentially deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition). なおタングステンシリサイドにおいては、スパッタリング法により成膜することも可能である。 In still tungsten silicide it may also be formed by a sputtering method. ヘッドチップ34は、さらにリソグラフィー工程によりゲート領域が露光処理された後、ドライエッチング法により、余剰な熱酸化膜、ポリシリコン膜、タングステンシリサイド膜が除去され、これによりゲート酸化膜43、ポリシリコン膜44、タングステンシリサイド膜45によるポリサイド構造によりゲート電極が形成される。 Head chip 34, after the gate region is exposed further processed by lithography process, a dry etching method, excess thermal oxide film, a polysilicon film, a tungsten silicide film is removed, thereby the gate oxide film 43, a polysilicon film 44, the gate electrode is formed by a polycide structure of tungsten silicide film 45. なおこの実施例において、ゲート電極は、ゲート長が2〔μm〕以下により形成される。 Note in this embodiment, the gate electrode, a gate length is formed by 2 [μm] or less.

続いてイオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板41が処理され、これにより低濃度の拡散層46が形成され、さらにソース及びドレイン領域を形成するためのイオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板41が処理され、これらによりMOS型トランジスタ47、48等が作成される。 Subsequently ion implantation process, the silicon substrate 41 is processed by the heat treatment process, thereby the low concentration diffusion layer 46 is formed, the ion implantation process for further forming source and drain regions, the silicon substrate 41 is processed by the heat treatment step It is, MOS-type transistor 47 and 48 and the like are created thereby. なおここで低濃度の拡散層46は、ゲート下のチャネル形成領域とドレインとの間の電界を緩和してソース・ドレイン間の耐圧を確保する電界緩和層である。 Note here low concentration diffusion layer 46 is an electric field relaxation layer to alleviate an electric field to ensure the breakdown voltage between the source and drain between the channel formation region and the drain under the gate. またドライバートランジスタ47は、18〔V〕程度までの耐圧を有するMOS型トランジスタであり、発熱素子37の駆動に供するものである。 The driver transistor 47 is a MOS transistor having a breakdown voltage of the extent 18 [V], those subjected to the driving of the heating elements 37. これに対してスイッチングトランジスタ48は、ドライバートランジスタ47を制御する駆動回路を構成するトランジスタであり、5〔V〕の電圧により動作するものである。 Switching transistor 48 whereas a transistor constituting a driving circuit for controlling the driver transistor 47, and operates by a voltage of 5 V.

このようにしてトランジスタ47、48が作成されると、ヘッドチップ34は、続いてCVD法によりシリコン酸化膜であるNSG(Non-doped Silicate Glass)膜、ボロンとリンが添加されたシリコン酸化膜であるBPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass )膜が順次膜厚100〔nm〕、900〔nm〕により作成され、これにより全体として膜厚が1000〔nm〕による1層目の層間絶縁膜49が作成される。 When the transistor 47 and 48 in this manner is created, the head chip 34, then a silicon oxide film by CVD NSG (Non-doped Silicate Glass) film, a silicon oxide film to which boron and phosphorus is added there BPSG (Boron Phosphorus Silicate Glass) film are sequentially thickness of 100 [nm], created by 900 [nm], the first interlayer insulating film 49 the film thickness by 1000 [nm] is created as a whole thereby .

続いてフォトリソグラフィー工程の後、C 48 /CO/O 2 /Ar系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によりシリコン半導体拡散層(ソース・ドレイン)上にコンタクトホールが作成される。 After the photolithography process followed, a contact hole is created on the silicon semiconductor diffusion layer (source-drain) by reactive ion etching using C 4 F 8 / CO / O 2 / Ar -based gas. なおここでコンタクトホールは、直径0.7〔μm〕の断面円形形状によるアスペクト比1により形成される。 Note here the contact hole is formed by an aspect ratio of 1 by circular sectional shape with a diameter of 0.7 [μm].

ヘッドチップ34は、続いて希フッ酸を用いた洗浄により、コンタクトホールにより露出したシリコン半導体拡散層の表面から自然酸化膜が除去される。 Head chip 34, followed by washing with dilute hydrofluoric acid, a natural oxide film from the surface of the silicon semiconductor diffusion layer exposed by the contact hole is removed. さらにスパッタリング法により、膜厚30〔nm〕によるチタン、膜厚70〔nm〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚30〔nm〕によるチタン、膜厚480〔nm〕によるシリコンが1〔at%〕添加されたアルミニウム、膜厚25〔nm〕による窒化酸化チタン反射防止膜が順次堆積される。 The addition sputtering titanium by thickness of 30 nm, a film thickness 70 [nm] titanium nitride by the barrier metal, is 1 [at%] silicon by titanium by thickness of 30 nm, a film thickness 480 [nm] added aluminum, titanium oxynitride antireflection film by the film thickness 25 nm, are sequentially deposited. これらによりヘッドチップ34は、第1層目の配線パターン材料が堆積されると共に、この配線パターン材料によりコンタクトホールが完全に埋め込まれる。 These by the head chip 34, the first layer of wiring pattern material is deposited, contact holes are completely filled by the wiring pattern material.

ヘッドチップ34は、続いてフォトリソグラフィー工程、BCl 3 /Cl 2ガスを用いたドライエッチング工程により、成膜された配線パターン材料が選択的に除去され、1層目の配線パターン51が作成される。 Head chip 34, followed by a photolithography process, a dry etching process using a BCl 3 / Cl 2 gas, the formed wiring pattern material is selectively removed, the first-layer wiring pattern 51 is created .

ヘッドチップ34は、続いて図4(B)に示すように、TEOS(テトラエトキシシラン:Si(OC 254 )を原料ガスとしたCVD法によりシリコン酸化膜(以下、P−TEOS膜と呼ぶ)52が膜厚200〔nm〕により成膜され、さらにTEOSとO 3を原料ガスとした常圧プラズマCVD法により、O 3により酸化されたTEOS膜(以下、O 3 −TEOS膜と呼ぶ)53が膜厚500〔nm〕により成膜される。 Head chip 34 is then as shown in FIG. 4 (B), TEOS (tetraethoxysilane: Si (OC 2 H 5) 4) a silicon oxide film by a CVD method using a raw material gas (hereinafter, P-TEOS film and referred) 52 is deposited by a thickness of 200 [nm], further by atmospheric plasma CVD method using TEOS and O 3 as a raw material gas, TEOS film is oxidized by O 3 (hereinafter, the O 3 -TEOS film hereinafter) 53 is deposited by a thickness of 500 [nm]. 続いてヘッドチップ34は、基板41上の全面にレジストが塗布された後、CHF 3 、CF 4を原料ガスとしたエッチバック法によりシリコン基板41が処理され、これにより配線パターン51により生じる段差に係る部分がO 3 −TEOS膜53により大まかに埋め込まれる。 Head chip 34 is followed, after a resist is applied over the entire surface of the substrate 41, the CHF 3, CF 4 silicon substrate 41 is processed by etching back method using a raw material gas, thereby the step caused by the wiring patterns 51 part of is embedded in roughly the O 3 -TEOS film 53.

続いてヘッドチップ34は、再びCVD法によりP−TEOS膜54が膜厚200〔nm〕により成膜された後、基板全面への塗布型絶縁材料の塗布によりSOG膜55が膜厚700〔nm〕により形成される。 Then the head chip 34 is, after the P-TEOS film 54 is deposited by a thickness of 200 [nm] by again CVD method, SOG film 55 thickness 700 by coating a coating type insulating material to the entire substrate surface [nm formed by]. さらに続いてCHF 3 、CF 4を原料ガスとしたエッチバック法によりSOG膜55が膜厚100〔nm〕に減少するまでエッチングされ、これによりシリコン基板41の全面を覆うSOG膜55が形成される。 SOG film 55 is etched until reduced to a thickness of 100 [nm], which SOG film 55 to cover the entire surface of the silicon substrate 41 is formed by a further Subsequently CHF 3, CF 4 etch back method using a source gas . ヘッドチップ34は、このようにして形成されるSOG膜55によりO 3 −TEOS膜53によっても残る段差が平坦化される。 Head chip 34, step left by O 3 -TEOS film 53 by SOG film 55 thus formed is planarized.

なおこの実施例において、塗布型の絶縁材料には、シリカガラスを主成分とする有機SOG、アルキルシロキサンポリマーを主成分とする有機SOG、アルキルシルセスキオキサンポリマーを主成分とする有機SOG、又は水素化シルセスキオキサンポリマーを主成分とする有機SOGを適用し、エッチバックには、CHF 3 /CF 4 /Arガスを使用する。 Incidentally in this embodiment, the coating type insulating material, an organic SOG mainly composed of silica glass, organic SOG, organic SOG mainly containing alkyl silsesquioxane polymer composed mainly of alkyl siloxane polymer, or applying the organic SOG composed mainly of silsesquioxane hydride polymer, the etch-back, using a CHF 3 / CF 4 / Ar gas.

このようにしてSOG膜55が作成されると、ヘッドチップ34は、続いてアッシング装置により酸素を原料ガスとした酸素プラズマがシリコン基板41上に照射され、この酸素プラズマの照射による化学反応によりSOG膜55の表面から有機基が脱離する。 When the SOG film 55 in this manner is created, the head chip 34, followed oxygen plasma oxygen ashing device as a raw material gas is irradiated on a silicon substrate 41, SOG by a chemical reaction by irradiation with the oxygen plasma organic group is desorbed from the surface of the membrane 55. またこのとき図5(A)に示すように、表面のシリコン原子が酸素と結合し、これによりSOG膜55の表面には、SOG膜55を無機化したシリコン酸化膜56が形成される。 Also as shown in FIG. 5 (A) At this time, the silicon atoms on the surface is bonded to oxygen, thereby the surface of the SOG film 55, a silicon oxide film 56 of SOG film 55 and mineralization is formed. なおこのようなプラズマの照射においては酸素を含む混合ガスを用いるようにしてもよい。 Incidentally it may be used a mixed gas containing oxygen in the irradiation of the plasma.

ヘッドチップ34は、続いてCVD法により膜厚200〔nm〕によるP−TEOS膜57が成膜され、これらにより1層目の配線パターン51と続く2層目の配線パターンとを絶縁する2層目の層間絶縁膜が積層構造により形成される。 Head chip 34, subsequently P-TEOS film 57 with a film thickness of 200 nm, is deposited by a CVD method, two layers of these by insulating the second wiring pattern that leads the first wiring patterns 51 eye interlayer insulating film is formed by laminated structure.

これによりヘッドチップ34は、発熱素子37の作成領域をも含めて、シリコン基板41側からP−TEOS膜52、O 3 −TEOS膜53、P−TEOS膜54、SOG膜55、SOG膜55を無機化したシリコン酸化膜56及びP−TEOS膜57により2層目の層間絶縁膜が形成される。 Thus the head chip 34, including the creation area of the heat generating element 37, a P-TEOS film 52, O 3 -TEOS film 53, P-TEOS film 54, SOG film 55, SOG film 55 from the silicon substrate 41 side the silicon oxide film 56 and the P-TEOS film 57 mineralized second interlayer insulating film is formed. これによりヘッドチップ34は、この2層目の層間絶縁膜にSOG膜55が適用され、配線パターン51を狭ピッチ化する場合でも、さらには配線パターン51の膜厚が厚い場合でも、層間絶縁膜の表面においては段差の発生を十分に防止することができるようになされている。 Thus the head chip 34, SOG film 55 on the interlayer insulating film of the second layer is applied, even when the narrow pitch wiring pattern 51, furthermore, even when the thickness of the wiring pattern 51 is thick, the interlayer insulating film It has been made so as to be able to sufficiently prevent the occurrence of the step in the surface of the. またこのようなSOG膜55は、下層の配線パターン51による段差に比して十分に厚い膜厚により形成した後、エッチバックして作成されることにより、SOG膜55の表面を十分に平坦化することができる。 And such SOG film 55 is formed by forming a sufficiently large thickness as compared with the step formed by the lower layer of the wiring pattern 51, by being created is etched back sufficiently flatten the surface of the SOG film 55 can do.

ヘッドチップ34は、続いて図5(B)に示すように、フォトレジスト工程、CHF 3 /CF 4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により、1層目の配線パターン51と2層目の配線パターンとを接続する貫通孔であるビアホール58がこの2層目の層間絶縁膜に形成される。 Head chip 34 is then as shown in FIG. 5 (B), photoresist process, a dry etching process using a CHF 3 / CF 4 / Ar gas, the first wiring pattern 51 and the second wiring layer via hole 58 is a through hole for connecting the pattern is formed on the interlayer insulating film of the second layer.

続いてヘッドチップ34は、図6(A)に示すように、SiH 4ガス、NH 3ガス、N 2 Oガスを用いたプラズマCVD法により窒化シリコン(Si 34 )が膜厚100〔nm〕により堆積され、これによりビアホール58の側壁、ビアホール58の底面にシリコン窒化膜59が形成される。 Then the head chip 34, as shown in FIG. 6 (A), SiH 4 gas, NH 3 gas, N 2 O gas plasma CVD of silicon nitride with (Si 3 N 4) is a film thickness 100 [nm deposited by], thereby the side wall of the via hole 58, the silicon nitride film 59 on the bottom of the via hole 58 is formed. なおこのプラズマCVDは、プラズマパワー300〜500〔W〕、成膜温度350〜400度により実行される。 Incidentally, this plasma CVD, the plasma power 300-500 [W], is executed by the film forming temperature of 350 to 400 degrees.

また続いて図6(B)に示すように、CHF 3 、CF 4を主成分とした混合プラズマによるドライエッチング法により全面がエッチバックされ、層間絶縁膜の表層に形成されたシリコン窒化膜59を除去すると共に、ビアホール58の底面からシリコン窒化膜59を除去する。 Further Subsequently, as shown in FIG. 6 (B), the entire surface is etched back by CHF 3, CF 4 dry etching method using mixed plasma composed mainly of the silicon nitride film 59 formed on the surface layer of the interlayer insulating film thereby removing to remove the silicon nitride film 59 from the bottom surface of the via hole 58. これによりヘッドチップ34は、ビアホール58の底面において、下層の配線パターンの表面が露出し、ビアホール58の側壁にのみ膜厚70〜90〔nm〕によるシリコン窒化膜59が取り残される。 Thus the head chip 34, the bottom surface of the via hole 58 to expose the surface of the lower wiring pattern, the silicon nitride film 59 by a thickness of 70 to 90 nm, only on the sidewalls of the via hole 58 is left behind. なおチタンのフッ化物は揮発し難いことにより、下層の配線パターンの表層に設けられた窒化酸化チタン反射防止膜は、このエッチバックの処理におけるフッ素系プラズマに対してエッチングストッパー層として機能し、下層の配線パターンの過剰なエッチングを防止する。 Note By fluoride titanium difficult to volatilize, titanium oxynitride antireflection film provided on the surface layer of the lower wiring pattern functions as an etching stopper layer to fluorine-based plasma in the process of this etch-back, lower to prevent excessive etching of the wiring patterns. これらの処理により、この実施例においては、図7(A)に示すように、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、選択的にシリコン絶縁膜59を形成するようになされている。 By these processes, in this embodiment, as shown in FIG. 7 (A), the inner wall surface of the through-hole that connects the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites, the selective silicon insulating film 59 formed It has been made to. なおこのようにしてビアホール58の側壁に形成するシリコン絶縁膜は、シリコン窒化膜59に代えて、シリコン酸化窒化膜、シリコン酸化膜により形成するようにしてもよい。 Incidentally silicon insulating film formed on the sidewall of the via hole 58 in this way, instead of the silicon nitride film 59, a silicon oxynitride film may be formed of a silicon oxide film. なおシリコン酸化膜を適用する場合には、SiH 4ガス、N 2 Oガスを用いたプラズマCVD法により酸化シリコンを堆積した後、エッチバックすることにより、シリコン絶縁膜を選択的に側壁に形成することができる。 Note that when applying the silicon oxide film is formed by depositing a silicon oxide by a plasma CVD method using SiH 4 gas, N 2 O gas, is etched back to form a selectively sidewall silicon dielectric film be able to.

続いてヘッドチップ34は、図8に示すように、アルゴンプラズマ処理により、ビアホール58により露出した1層目の配線パターン51の表面から自然酸化膜が除去される。 Head chip 34 is followed, as shown in FIG. 8, the argon plasma treatment, a native oxide film from the surface of the first wiring pattern 51 exposed by the via hole 58 is removed. 続いてスパッタリング法により、膜厚200〔nm〕によるチタン、膜厚600〔nm〕によるシリコンが1〔at%〕添加されたアルミニウム、膜厚25〔nm〕による窒化酸化チタン反射防止膜が順次成膜され、これらにより1層目の配線パターン材料が堆積されると共に、この配線パターン材料によりビアホール58が完全に埋め込まれる。 Then by a sputtering method, a titanium by thickness of 200 [nm], is 1 [at%] silicon by a film thickness 600 nm, added aluminum, thickness 25 nm, titanium oxynitride antireflection film are sequentially formed by It is film, these optionally with one layer of wiring pattern material is deposited, a via hole 58 is completely filled by the wiring pattern material. 続いてヘッドチップ34は、1層目の配線パターン51と同様にして2層目の配線パターン材料が選択的に除去され、2層目の配線パターン64が作成される。 Head chip 34 Following the second wiring pattern material in the same manner as the first wiring pattern 51 is selectively removed, second layer wiring pattern 64 is created.

ヘッドチップ34は、続いて2層目の配線パターン64と続く3層目の配線パターンとを絶縁する3層目の層間絶縁膜が形成される。 Head chip 34, followed by insulating the third layer of wiring pattern continues second wiring pattern 64 third interlayer insulating film is formed. 具体的にヘッドチップ34は、2層目の層間絶縁膜と同様に、P−TEOS膜65の成膜、O 3 −TEOS膜66の成膜及びエッチバック、P−TEOS膜67の成膜、SOG膜68の塗布及びエッチバック、このSOG膜68表面の無機化によるシリコン酸化膜69の形成、P−TEOS膜70の成膜が順次実施され、これらにより表面が平坦化された状態で3層目の層間絶縁膜が形成される。 Specifically head chip 34, as in the second interlayer insulating film, formation of the P-TEOS film 65, O 3 -TEOS deposition of film 66 and etched back, forming the P-TEOS film 67, coating and etchback of the SOG film 68, the formation of the silicon oxide film 69 by mineralization of SOG film 68 surface, are sequentially implemented formation of P-TEOS film 70, three layers in a state where the surface these are flattened eye interlayer insulating film is formed.

続いてヘッドチップ34は、CHF 3 /CF 4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により、3層目の層間絶縁膜に貫通孔を形成して、上層の配線パターンを下層の配線パターン64に接続するためのビアホール72が作成される。 Then the head chip 34 is a dry etching process using a CHF 3 / CF 4 / Ar gas, to form a through hole in the interlayer insulating film of the third layer, connecting the upper wiring pattern to a lower wiring pattern 64 a via hole 72 to is created. またSiH 4ガス、NH 3ガス、N 2 Oガスを用いたプラズマCVDにより膜厚100〔nm〕により窒化シリコンが堆積され、これによりこの3層目の層間絶縁膜にも、ビアホール72の側壁、ビアホール72の底面にシリコン窒化膜73が形成される。 The SiH 4 gas, NH 3 gas, the film thickness of 100 [nm] by plasma CVD using N 2 O gas is silicon nitride is deposited, thereby also the interlayer insulating film of the third layer, the sidewall of the via hole 72, silicon nitride film 73 is formed on the bottom surface of the via hole 72. なおこのプラズマCVDは、プラズマパワー300〜500〔W〕、成膜温度350〜400度により実行される。 Incidentally, this plasma CVD, the plasma power 300-500 [W], is executed by the film forming temperature of 350 to 400 degrees.

続いてヘッドチップ34は、2層目の層間絶縁膜の場合と同様に、CHF 3 、CF 4を主成分とした混合プラズマにより全面がエッチバックされ、層間絶縁膜の表層、ビアホール72の底面からシリコン窒化膜を除去し、この一連の処理によりビアホール72の側壁にのみ選択的に膜厚70〜90〔nm〕によるシリコン窒化膜73が形成される。 Head chip 34 is followed, as in the case of second interlayer insulating film, the entire surface is etched back by mixing plasma composed mainly of CHF 3, CF 4, the surface of the interlayer insulating film, from the bottom surface of the via hole 72 the silicon nitride film is removed, the silicon nitride film 73 by selectively thickness 70-90 only on the sidewalls of the via hole 72 [nm] is formed by the series of processes.

続いてヘッドチップ34は、アルゴンプラズマ処理により、ビアホール58により露出した2層目の配線パターン64の表面から自然酸化膜が除去された後、スパッタリング法により、膜厚50〜100〔nm〕によりβ−タンタルが堆積され、これにより発熱素子を形成する抵抗体膜が成膜される。 Head chip 34 is followed, due argon plasma treatment, after the natural oxide film from the surface of the second wiring pattern 64 exposed has been removed by the via holes 58, by sputtering, by thickness 50 to 100 nm, β - tantalum is deposited, this resistor film for forming a heating element is formed by. なおスパッタリングの条件は、ウエハ加熱温度200〜400度、直流印加電力2〜4〔kW〕、アルゴンガス流量25〜40〔sccm〕に設定した。 On the sputtering conditions, the wafer heating temperature of 200 to 400 degrees, the DC power applied 2-4 [kW], is set to an argon gas flow rate of 25 to 40 sccm of.

さらに続いてヘッドチップ34は、この抵抗体膜の成膜に供したスパッタリング装置により、膜厚400〔nm〕により、アルミニウム又は銅を0.5〔at%〕添加したアルミニウムを堆積し、これにより抵抗体膜を構成するタンタルとアルミニウムとの積層構造によりビアホール72を埋め込むと共に、3層目の配線パターン層を形成する。 Head chip 34 further Subsequently, the sputtering apparatus and subjected to deposition of the resistor film, the thickness of 400 [nm], aluminum or copper is deposited 0.5 [at% of the added aluminum, thereby buries a via hole 72 by a stacked structure of tantalum and aluminum that constitute the resistor film to form the third layer of wiring pattern layer.

さらに続いてヘッドチップ34は、フォトリソグラフィー工程、BCl 3 /Cl 2ガスを用いたドライエッチング工程によりタンタルとアルミニウムとの積層膜を選択的に除去し、これにより3層目の配線パターン76を形成する。 Further the head chip 34 is followed, the photolithography process, a laminated film of tantalum and aluminum are selectively removed by a dry etching process using a BCl 3 / Cl 2 gas, forming thereby the third layer of wiring pattern 76 to. また続いて硝酸−酢酸−燐酸からなる混合液を用いたウエットエッチングにより、発熱素子37の抵抗体膜を形成する部分からアルミニウム膜を選択的に除去し、これにより一端を配線パターン76により接続する折り返し形状により100〔Ω〕の抵抗値を有する発熱素子37を形成する。 The subsequently nitric - acetic - by wet etching using a mixed solution consisting of phosphoric acid, the aluminum film is selectively removed from the part forming the resistor film of the heater element 37, thereby connecting one end by a wiring pattern 76 forming the heating element 37 by the folding shape having a resistance of 100 [Ω]. なお発熱素子37においては正方形形状により作成するようにしてもよい。 In still heating element 37 may be produced by a square shape.

ヘッドチップ34は、続いて図3に示すように、インク保護層、絶縁層として機能するシリコン窒化膜77がプラズマCVD法により膜厚200〜400〔nm〕により成膜される。 Head chip 34 is then as shown in FIG. 3, the ink protective layer, a silicon nitride film 77 functioning as an insulating layer is deposited by a thickness of 200 to 400 [nm] by plasma CVD. さらに続いて耐キャビテーション材料層が膜厚100〜300〔nm〕により成膜された後、BCl 3 /Cl 2ガスを用いたパターニングにより耐キャビテーション層78が形成される。 After anti-cavitation material layer is deposited by a thickness of 100 to 300 [nm] Further subsequently, the anti-cavitation layer 78 is formed by patterning using BCl 3 / Cl 2 gas. この実施例では、タンタルをターゲットに用いたDCマグネトロン・スパッタリング装置によりβ−タンタルによる耐キャビテーション層78が形成される。 In this embodiment, the anti-cavitation layer 78 by β- tantalum by DC magnetron sputtering apparatus using a tantalum target is formed. なおここで耐キャビテーション層78は、発熱素子37の駆動によりインク液室に発生した気泡が消滅する際の物理的ダメージ(キャビテーション)を吸収して発熱素子37を保護し、また発熱素子37の駆動により高温となったインクの化学作用から発熱素子37を保護する保護層である。 Note here anti-cavitation layer 78, a physical damage when bubbles generated in the ink chamber by the driving of the heat generating element 37 disappears (cavitation) absorbed to protect the heating element 37, also driving the heat generating elements 37 by a protective layer for protecting the heat generating element 37 from the chemistry of the ink to a high temperature.

続いてヘッドチップ34は、有機系樹脂による露光硬化型のドライフィルムが圧着により配置された後、フォトリソプロセスによりインク液室、インク流路に対応する部位が取り除かれて硬化され、これによりインク液室79の隔壁33、インク流路の隔壁等が作成される。 Then the head chip 34, after the dry film exposure curable with an organic resin is disposed by bonding the ink liquid chamber by a photolithography process, portions corresponding to the ink flow path is hardened is removed, thereby ink partition wall 33 of the chamber 79, the partition wall of the ink flow path is created. ヘッドチップ34は、このようにしてシリコン基板41上に複数チップがまとめて作成された後、個々にスクライビングされて作成される。 Head chip 34, after the plurality of chips on the silicon substrate 41 was created together this way, it is created scribed herein.

(2)実施例1の動作 以上の構成において、このラインプリンタ21は(図1)、印刷に供する画像データ、テキストデータ等によるヘッドカートリッジ28の駆動により、記録対象である用紙23を所定の用紙送り機構により搬送しながら、ヘッドカートリッジ28に設けられたヘッドアッセンブリー30からインク液滴が吐出され、このインク液滴が搬送中の用紙23に付着して画像、テキスト等が印刷される。 (2) Operation of Embodiment With the above configuration 1, the line printer 21 (FIG. 1), image data used for printing by driving of the head cartridge 28 according to the text data and the like, a sheet 23 given paper feed is recorded while conveying by a mechanism, the ink droplet from the head assembly 30 provided in the head cartridge 28 is ejected, the image ink droplets adhering to the paper 23 being conveyed, the text and the like are printed.

これに対応してヘッドカートリッジ28のヘッドアッセンブリー30は(図1、図2)、インクタンク29Y、29M、29C、29Kのインクがインク流路を介して各インク液室に導かれ、発熱素子37の駆動によるインク液室に保持したインクの圧力増大により、ノズルシート35に設けられたノズル38からインク液滴Lを吐出する。 Head assembly 30 of the head cartridge 28 in response to this (Figure 1, Figure 2), an ink tank 29Y, 29M, 29C, ink 29K is guided to the ink chamber via an ink flow path, the heat generating element 37 the pressure increase in the ink held in the ink chamber by the driving of the ejects ink droplets L from the nozzle 38 provided in the nozzle sheet 35. これらによりこのラインプリンタ21は、所望の画像等を印刷することができる。 The line printer 21 These can be printed the desired image or the like.

このヘッドアッセンブリー30は(図3)、隔壁33を介してノズルシート35にヘッドチップ34を順次配置して形成され、このヘッドチップ34が半導体素子47と発熱素子37とを3層の配線パターン51、64、76により接続して形成される。 The head assembly 30 is (FIG. 3), via a partition wall 33 is formed by a head chip 34 are sequentially disposed on the nozzle sheet 35, and a heating element 37 the head chip 34 and the semiconductor device 47 of the third-layer wiring pattern 51 , it is formed by connecting the 64, 76. これにより単に構成部材を基板上に積層しただけでは下層の配線パターン51、64による段差が隔壁33の表面に生じて隔壁33とノズルシート35の密着性が劣化する。 Thus merely by stacking the components on the substrate step by lower wiring patterns 51,64 deteriorates adhesion of the partition wall 33 and the nozzle sheet 35 is formed on the surface of the partition wall 33.

このためヘッドチップ34では、配線パターン51及び64間の2層目の層間絶縁膜、配線パターン64、76間の3層目の層間絶縁膜において、O 3 −TEOS膜53、66の成膜及びエッチバックにより下層の配線パターン51、64による段差が概ね平坦化される。 For this reason head chip 34, second interlayer insulating film between the wiring patterns 51 and 64, the third interlayer insulating film between the wiring patterns 64, 76, deposition of the O 3 -TEOS film 53,66 and step due to the lower wiring patterns 51,64 is generally flattened by etch-back. またシリコン基板41の全面を覆うSOG膜55、68がこのO 3 −TEOS膜53、66の上に形成され、このSOG膜55、68によりO 3 −TEOS膜53、66によっても残る段差が平坦化されて層間絶縁膜の表面が平坦化される。 The SOG film 55,68 covering the entire surface of the silicon substrate 41 is formed on the O 3 -TEOS film 53,66, O 3 also remains stepped flat by -TEOS film 53,66 This SOG film 55,68 reduction has been the surface of the interlayer insulating film is planarized. これによりヘッドアッセンブリー30では、ヘッドチップ34上の隔壁33の表面が平坦に形成され、配線パターンを多層化、狭ピッチ化する場合でも隔壁33をノズルシート35に確実に密着させることができる。 Thus the head assembly 30, is a flat surface formed in the partition wall 33 on the head chip 34, multilayered wiring pattern, the partition wall 33 even when the narrow pitch can be reliably brought into close contact with the nozzle sheet 35.

しかしながらこのようなSOG膜55、68の採用により、ヘッドチップ34は、何ら工夫を施さなければ、発熱素子37の駆動によりSOG膜55、68から有機成分、溶媒成分が脱離し、これらの成分により発熱素子37が酸化、炭化する。 However the adoption of such a SOG film 55,68, head chip 34, if any subjected devised, organic components from SOG film 55,68 by the driving of the heat generating element 37, the solvent component is eliminated, these components heating element 37 is oxidized, carbonized.

このためヘッドチップ34において、2層目の層間絶縁膜にあっては、SOG膜55の表面に、SOG膜55を無機化したシリコン酸化膜56が形成され、さらにこのシリコン酸化膜56の表面にP−TEOS膜57によるシリコン絶縁膜が形成される。 In this order the head chip 34, in the second interlayer insulating film, on the surface of the SOG film 55, the SOG film 55 is a silicon oxide film 56 mineralization formed further on the surface of the silicon oxide film 56 silicon insulating film by P-TEOS film 57 is formed. また3層目の層間絶縁膜にあっては、SOG膜68の表面に、SOG膜68を無機化したシリコン酸化膜69、P−TEOS膜70によるシリコン絶縁膜が形成される。 Also In the interlayer insulating film of the third layer, the surface of the SOG film 68, a silicon insulating film of a silicon oxide film 69, P-TEOS film 70 of SOG film 68 and mineralization is formed. これによりヘッドチップ34は、これら層間絶縁膜にそれぞれ形成されたシリコン絶縁膜56、57、68、70により、SOG膜55、68の揮発成分をSOG膜55、68に封じ込めることができる。 Thus the head chip 34, a silicon insulating film 56,57,68,70 respectively formed in these interlayer insulating films, it is possible to contain the volatile components of the SOG film 55,68 in the SOG film 55,68.

しかしながらこれら層間絶縁膜にあっては、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔であるビアホール58、72が形成されることにより、このビアホール58、72の内側壁面を介してSOG膜55、68の揮発成分が脱離し、発熱素子37を劣化させる恐れがある。 However In the these interlayer insulating films, by holes 58, 72 is a through hole that connects the upper wiring pattern to a lower layer of the corresponding site is formed through the inner wall surface of the via hole 58, 72 SOG volatile components of the film 55,68 is desorbed, which may deteriorate the heating element 37.

このためこの実施例においては、これらビアホール58、72の内側壁面にも、改めてシリコン絶縁膜59、73が形成され、これによりこの内側壁面におけるSOG膜55、68の露出が防止される。 Therefore, in the this embodiment, even on the inside wall surface of the via holes 58, 72, is again silicon insulating film 59,73 is formed, thereby exposing the SOG film 55,68 in the inner wall surface is prevented. これらによりヘッドチップ34においては、ビアホール58、72の内側壁面についても、塗布型の絶縁膜であるSOG膜55、68の揮発成分を、これらシリコン絶縁膜59、73により塗布型の絶縁膜に封じ込めることができ、これによりこの揮発成分による発熱素子37の劣化を防止することができる。 In the head chip 34 by these, for the inner wall surface of the via hole 58, 72 also, the volatile components of the SOG film 55,68 which is an insulating film of coating type, contain an insulating film coating type These silicon insulating film 59,73 it can, thereby preventing the deterioration of the heat generating element 37 according to the volatile component.

実際上、昇温脱離ガス分析(Thermal Deposition Spectroscopy )を用いてこのようにして作成したヘッドチップ34からの揮発成分を分析したところ、SOG膜55、68から揮発成分の脱離をほぼ完全に除去できることが確認された。 In practice, using a Atsushi Nobori spectroscopy (Thermal Deposition Spectroscopy) Analysis of volatile components from the head chips 34 created in this way, almost completely elimination of volatile components from the SOG film 55,68 it was confirmed that can be removed. これらによりこの実施例においては、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができるようになされている。 In this embodiment these are adapted to be able to prevent sufficiently prevented, and deterioration of the heating element the generation of steps by coating type insulating film.

(3)実施例1の効果 以上の構成によれば、塗布型の絶縁膜により層間絶縁膜を形成するようにして、この層間絶縁膜の表層、層間絶縁膜に設けられる貫通孔の内側壁面にシリコン絶縁膜を形成することにより、塗布型の絶縁膜により段差の発生を十分に防止して、かつ発熱素子の劣化を防止することができる。 (3) Advantages of Embodiment With the above configuration 1, so as to form an interlayer insulating film by coating type insulating film, the surface of the interlayer insulating film, the inside wall surface of the through hole provided in the interlayer insulating film by forming a silicon insulating film, it is possible to sufficiently prevent the generation of steps by coating type insulating film, and to prevent deterioration of the heating element.

図9は、図3との対比により本発明の実施例2に係るプリンタに適用されるヘッドチップを示す断面図である。 Figure 9 is a sectional view showing the head chip to be applied to the printer according to the second embodiment of the present invention in comparison with FIG. この実施例に係るヘッドチップ84は、タングステンを用いたプラグにより上層の配線パターンを下層に接続する。 The head chip 84 according to this embodiment connects the upper wiring pattern to a lower layer by a plug with tungsten. すなわち図10に示すように、このヘッドチップ84は、実施例1について上述したと同様にして、シリコン基板41上にトランジスタ47及び48が形成された後、CVD法によりシリコン酸化膜であるNSG(Non-doped Silicate Glass)膜、ボロンとリンが添加されたシリコン酸化膜であるBPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass )膜が順次膜厚100〔nm〕、900〔nm〕により作成され、これにより全体として膜厚が1000〔nm〕による1層目の層間絶縁膜85が作成される。 That is, as shown in FIG. 10, the head chip 84, in the same manner as described above for Example 1, after the transistor 47 and 48 are formed on a silicon substrate 41, a silicon oxide film by CVD NSG ( Non-doped Silicate Glass) film, BPSG boron and phosphorus is a silicon oxide film which is added (boron phosphorus Silicate Glass) film are sequentially thickness of 100 [nm], created by 900 [nm], thereby overall film thickness first interlayer insulating film 85 is created by the 1000 [nm].

続いてフォトリソグラフィー工程の後、C 48 /CO/O 2 /Ar系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によりシリコン半導体拡散層(ソース・ドレイン)上にコンタクトホールが作成される。 After the photolithography process followed, a contact hole is created on the silicon semiconductor diffusion layer (source-drain) by reactive ion etching using C 4 F 8 / CO / O 2 / Ar -based gas.

ヘッドチップ84は、続いて希フッ酸を用いた洗浄により、コンタクトホールにより露出したシリコン半導体拡散層の表面から自然酸化膜が除去される。 The head chip 84, followed by washing with dilute hydrofluoric acid, a natural oxide film from the surface of the silicon semiconductor diffusion layer exposed by the contact hole is removed. さらにスパッタリング法により、膜厚50〔nm〕によるチタン、膜厚100〔nm〕による窒化チタンバリアメタルが順次堆積された後、CVD法により膜厚500〔nm〕によるタングステンが堆積され、これらによりコンタクトホールが完全に埋め込まれる。 The addition sputtering, after the titanium by a thickness of 50 [nm], titanium nitride barrier metal by thickness 100 nm, are sequentially deposited, tungsten is deposited by a thickness of 500 [nm] by CVD, the contact these hole is completely buried. さらに続いてヘッドチップ84は、エッチバック法により、コンタクトホール以外の部位からタングステン膜、窒化チタン膜、チタン膜が除去され、これによりトランジスタ47、48と1層目の配線パターンとを接続するプラグ86が作成される。 Plug head chip 84 further subsequently is etched back method, the tungsten film from sites other than the contact hole, a titanium nitride film, titanium film is removed, to thereby connect the wiring pattern of the transistors 47, 48 first layer 86 is created.

ヘッドチップ84は、続いてスパッタリング法により、膜厚20〔nm〕によるチタン、膜厚20〔nm〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚5〔nm〕によるチタン、膜厚500〔nm〕による銅が0.5〔at%〕添加されたアルミニウム、膜厚5〔nm〕によるチタン、膜厚100〔nm〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚5〔nm〕によるチタンが順次堆積され、これらにより配線パターン材料層が成膜される。 The head chip 84, followed by a sputtering method, a titanium by the thickness 20 nm, a film thickness 20 [nm] titanium nitride by the barrier metal, titanium by thickness of 5 [nm], copper due to the film thickness 500 nm, 0.5 [at% of added aluminum, thickness 5 [nm] by titanium, titanium nitride by a thickness of 100 nm, a barrier metal, titanium by thickness of 5 nm, are sequentially deposited, the wiring these patterns material layer is deposited. さらに続いてフォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、配線パターン材料層が選択的に除去され、1層目の配線パターン87が作成される。 Further subsequently photolithography, dry etching process, a wiring pattern material layer is selectively removed, the first-layer wiring pattern 87 is created.

続いてヘッドチップ84は、実施例1について上述したと同様にしてP−TEOS膜52、O 3 −TEOS膜53、P−TEOS膜54、SOG膜55、SOG膜55の表面の無機化によるシリコン酸化膜56、P−TEOS膜57が成膜されて2層目の層間絶縁膜が形成され、これによりこの実施例2においても、2層目の層間絶縁膜にSOG膜55を適用して、この2層目の層間絶縁膜の表面においては段差の発生を十分に防止するようになされている。 Then the head chip 84 is silicon by mineralization of the surface of Example P-TEOS film 52 in the same manner as described above for 1, O 3 -TEOS film 53, P-TEOS film 54, SOG film 55, SOG film 55 oxide film 56, P-TEOS film 57 is deposited second interlayer insulating film is formed, thereby also in this second embodiment, by applying the SOG film 55 on second interlayer insulating film, It is adapted to sufficiently prevent the occurrence of the step in the surface of the second interlayer insulating film. またSOG膜55の表層からの揮発成分の脱離を防止するようになされている。 And it is also adapted to prevent the elimination of volatile components from the surface of the SOG film 55.

続いてヘッドチップ84は、実施例1について上述したと同様にして、ビアホール58が形成され、さらにこのビアホール58の内側壁面に選択的にシリコン窒化膜59が形成される。 Head chip 84 is followed, in the same manner as described above for Example 1, the via holes 58 are formed, further selectively silicon nitride film 59 on the inner wall surface of the via hole 58 is formed. これによりこの実施例では、ビアホール58によるSOG膜55の内側壁面についても揮発成分の脱離を防止するようになされ、これらによりSOG膜55による発熱素子の劣化を防止するようになされている。 Thus, in this embodiment, the inner wall surface of the SOG film 55 by a via hole 58 is also adapted to prevent the elimination of volatile components, these by being adapted to prevent the deterioration of the heating element by the SOG film 55.

続いてヘッドチップ84は、図11に示すように、アルゴンプラズマ処理により、ビアホール58により露出した1層目の配線パターン51の表面から自然酸化膜が除去される。 Head chip 84 is followed, as shown in FIG. 11, the argon plasma treatment, a native oxide film from the surface of the first wiring pattern 51 exposed by the via hole 58 is removed. 続いてスパッタリング法により、膜厚100〔nm〕による窒化チタンバリアメタル膜が成膜された後、CVD法により膜厚500〔nm〕のタングステン膜が成膜され、これによりビアホール58が完全に埋め込まれる。 Then by a sputtering method, after a titanium nitride barrier metal film by a thickness of 100 nm, is deposited, a tungsten film having a thickness of 500 nm, is deposited by a CVD method, thereby a via hole 58 is completely filled with It is. 続いてエッチバックにより層間絶縁膜の表面からタングステン膜、窒化チタン膜が順次除去され、これによりビアホール58の内側のみタングステンが埋め込まれる。 Subsequently the tungsten film from the surface of the interlayer insulating film by etching back, a titanium nitride film are sequentially removed, thereby tungsten only the inside of the via hole 58 is buried.

しかしてビアホール58の内側壁面に選択的に形成されたシリコン窒化膜59は、このようにしてタングステンを埋め込む際のCVD工程におけるSOG膜からの放出ガスをもブロックし、これによりこのような放出ガスによるビアホール58内におけるタングステンの成長阻害をも防止する。 Thus silicon nitride film 59 on the inner wall surface is selectively formed in the via hole 58 is, in this way blocks also release gas from the SOG film in the CVD process when embedding the tungsten, thereby such outgassing also prevent the growth inhibition of tungsten in the via hole 58 by. これによりこの実施例では、タングステンによる埋め込み不良を防止する。 Thus, in this embodiment, to prevent the defective filling by tungsten.

続いてヘッドチップ84は、スパッタリング法により、膜厚20〔nm〕によるチタン、膜厚20〔nm〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚5〔nm〕によるチタン、膜厚500〔nm〕による銅が0.5〔at%〕添加されたアルミニウム、膜厚5〔nm〕によるチタン、膜厚100〔nm〕による窒化チタンバリアメタル、膜厚5〔nm〕によるチタンが順次堆積され、これにより2層目の配線パターン材料層が成膜される。 Head chip 84 subsequently is by sputtering titanium by a thickness of 20 nm, a film thickness 20 [nm] titanium nitride by the barrier metal, titanium by thickness of 5 [nm], copper due to the film thickness 500 nm, 0.5 [at% of added aluminum, thickness 5 [nm] by titanium, titanium nitride by a thickness of 100 nm, a barrier metal, titanium by thickness of 5 nm, are sequentially deposited, thereby two-layer eye wiring pattern material layer is deposited. ヘッドチップ84は、続いてフォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、配線パターン材料層が選択的に除去され、2層目の配線パターン64が作成される。 The head chip 84, followed by a photolithography process, a dry etching process, a wiring pattern material layer is selectively removed, second layer wiring pattern 64 is created.

ヘッドチップ84は、続いて実施例1と同様にして、P−TEOS膜65の成膜、O 3 −TEOS膜66の成膜及びエッチバック、P−TEOS膜67の成膜、SOG膜68の成膜及びエッチバック、このSOG膜68表面の無機化によるシリコン酸化膜69の形成、P−TEOS膜70の成膜が順次実施され、これらにより表面が平坦化された状態で3層目の層間絶縁膜が形成される。 The head chip 84, then in the same manner as in Example 1, deposition of P-TEOS film 65, O 3 deposition of -TEOS film 66 and etched back, forming the P-TEOS film 67, the SOG film 68 deposition and etchback, the formation of the silicon oxide film 69 by mineralization of the SOG film 68 surface is deposited successively exemplary P-TEOS film 70, third interlayer under these the state having a planarized surface insulating film is formed.

続いてヘッドチップ84は、スパッタリング法により、膜厚50〜100〔nm〕によりβ−タンタルが堆積され、これによりシリコン基板41上に抵抗体膜が成膜される。 Head chip 84 subsequently is by sputtering, the film thickness of 50 to 100 by [nm] β- tantalum is deposited, this resistor film on the silicon substrate 41 is formed by. なおスパッタリングの条件は、ウエハ加熱温度200〜400度、直流印加電力2〜4〔kW〕、アルゴンガス流量25〜40〔sccm〕に設定した。 On the sputtering conditions, the wafer heating temperature of 200 to 400 degrees, the DC power applied 2-4 [kW], is set to an argon gas flow rate of 25 to 40 sccm of. さらに続いてヘッドチップ34は、フォトリソグラフィー工程、BCl 3 /Cl 2ガスを用いたドライエッチング工程により抵抗体膜が選択的に除去され、一端を配線パターンにより接続する折り返し形状により約100〔Ω〕の抵抗値を有する発熱素子90が形成される。 Head chip 34 further Subsequently, the photolithography process, BCl 3 / Cl resistor film by a dry etching process using 2 gas is selectively removed, about 100 by the folding shape connecting one end by a wiring pattern [Ω] heating element 90 is formed to have a resistance value. なお発熱素子90においては正方形形状により作成するようにしてもよい。 In still heating element 90 may be produced by a square shape. 続いてヘッドチップ84は、CVD法により膜厚300〔nm〕によるシリコン窒化膜が成膜され、発熱素子90の絶縁保護層91が形成される。 Head chip 84 is followed, the silicon nitride film by a thickness of 300 nm, is deposited by a CVD method, an insulating protective layer 91 of the heating element 90 is formed.

さらにヘッドチップ84は、実施例1と同様にして、3層目の層間絶縁膜にビアホール72が作成され、このビアホール72の内側壁面に選択的にシリコン窒化膜73が形成される。 The head chip 84 further in the same manner as in Example 1, the via hole 72 is created in the interlayer insulating film of the third layer, selectively a silicon nitride film 73 on the inner wall surface of the via hole 72 is formed.

これによりこの実施例においては、この3層目の層間絶縁膜についても、実施例1について上述したと同様にして、揮発成分をSOG膜68に閉じ込めて、発熱素子90の劣化を防止する。 Thus, in this embodiment, for the third interlayer insulating film is also in the same manner as described above for Example 1, confine the volatile components in the SOG film 68, to prevent the deterioration of the heating element 90. またビアホール58の場合と同様に、ビアホール72にタングステンを埋め込む際のタングステンの成長阻害をも防止して、タングステンによる埋め込み不良を防止する。 Also as in the via hole 58, and also prevented the growth inhibition of tungsten when embedding tungsten in the via hole 72, to prevent the defective filling by tungsten.

しかしてヘッドチップ84は、続いてビアホール58と同様にして、タングステン膜、窒化チタン膜が順次成膜された後、エッチバックにより層間絶縁膜の表面からタングステン膜、窒化チタン膜が順次除去され、これによりビアホール72の内側のみタングステンが埋め込まれる。 Thus the head chip 84, then in the same manner as the via hole 58, a tungsten film, after a titanium nitride film are sequentially deposited, a tungsten film from the surface of the interlayer insulating film, a titanium nitride film are sequentially removed by etching back, Thus tungsten only the inside of the via hole 72 is embedded.

続いてフォトレジスト工程、CHF 3 /CF 4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により、所定箇所のシリコン窒化膜が除去され、これにより発熱素子90を配線パターンに接続する部位が露出される。 Then photoresist process, a dry etching process using a CHF 3 / CF 4 / Ar gas, a silicon nitride film of a predetermined portion is removed, this portion for connecting the heating element 90 to the wiring pattern is exposed by.

続いてヘッドチップ84は、2層目の配線パターン64と同様にして3層目の配線パターン92が作成される。 Then the head chip 84 is the third layer of wiring pattern 92 is created in the same manner as the second-layer wiring pattern 64. なお発熱素子90の表層に取り残されたこのシリコン窒化膜91は、この配線パターンを作成する際のドライエッチング処理の保護層として機能し、その結果、塩素ラジカルに曝されて膜厚が300〔nm〕から100〔nm〕に減少する。 The silicon nitride film 91 left on the surface layer of the noted heating element 90 acts as a protective layer of dry etching when creating the wiring pattern, as a result, the film thickness when exposed to chlorine radicals 300 [nm reduced to 100 [nm] from].

続いてヘッドチップ84は、図9に示すように、実施例1について上述したと同様にして、インク保護層、絶縁層として機能するシリコン窒化膜77が形成された後、耐キャビテーション層78が形成される。 Then the head chip 84, as shown in FIG. 9, in a manner similar to that described above for Example 1, an ink protective layer, after the silicon nitride film 77 functioning as an insulating layer is formed, the anti-cavitation layer 78 formed It is. また続いて、インク液室79の隔壁33、インク流路の隔壁等が作成され、個々にスクライビングされて作成される。 Further subsequently, the partition wall 33 of the ink chamber 79, is the partition wall or the like to create an ink flow path is created scribed herein.

この実施例によれば、タングステンによるプラグにより上層の配線パターンを下層に接続する場合でも、実施例1と同一の効果を得ることができる。 According to this embodiment, even when connecting the upper wiring pattern by the plug by tungsten in the lower layer, it is possible to obtain the same effect as in Example 1.

なお上述の実施例においては、塗布型の絶縁膜をSOG膜により形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、SOG膜に代えて、例えばポリアリールエーテル等を主成分とする低誘電率材料膜等、種々の塗布型絶縁膜を広く適用することができる。 Incidentally, in the aforementioned embodiment, although the coating type insulating film has dealt with the case of forming the SOG film, the present invention is not limited to this, instead of the SOG film, for example, as a main component polyaryl ether low dielectric constant material film or the like, can be widely applied to various coating type insulating film. なお塗布型の絶縁膜に低誘電率材料膜を適用する場合にあっては、エッチバック、プラズマの照射による無機化処理を省略することができる。 Note In the case of applying a low dielectric constant material film in the insulating film of the coating type, it is possible to omit the mineralizing process by etchback, plasma irradiation. またビアホールの作成においては、CHF 3 /CF 4 /Arガスを用いたドライエッチングによりビアホールの部位で塗布型絶縁膜の表面が露出するまで表層の絶縁膜をエッチングした後、続いてNH 3 、N 2 /H 2ガスを主成分としたガス系によるドライエッチングにより露出した塗布型絶縁膜をエッチングし、再びCHF 3 /CF 4 /Arガスを用いたドライエッチング工程により下層の配線パターンが露出するまでエッチングすることになる。 In the creation of the via hole, after etching the surface layer of the insulating film to expose the surface of the coating type insulating film at the site of the via hole by dry etching using CHF 3 / CF 4 / Ar gas, followed by NH 3, N 2 / H 2 gas to etch the coating type insulating film exposed by dry etching with the main component and gas systems, and to lower wiring pattern is exposed by dry etching process using again CHF 3 / CF 4 / Ar gas It will be etched.

また上述の実施例においては、カラー印刷用のフルラインタイプのプリンタヘッドに本発明を適用して4本のノズル列を作成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば白黒印刷用のフルラインタイプのプリンタヘッドに本発明を適用してノズル列を1本により作成する場合等、種々の本数によりノズル列を作成する場合に広く適用することができる。 In the embodiment described above has dealt with the case of creating a four nozzle arrays by applying the present invention to a full line type print head for color printing, the present invention is not limited to this, for example, monochrome printing etc. when creating the present invention one nozzle row by applying to the full-line type printer head use, it can be applied widely to create a nozzle array by various numbers.

また上述の実施例においては、フルラインタイプのプリンタヘッドに本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッドを特定方向に移動させるいわゆるシリアルタイプのプリンタヘッドに本発明を適用する場合にも広く適用することができる。 Also in the embodiment described above has dealt with the case of applying the present invention to the full line type printer head, the present invention is not limited to this, so-called serial type printer head that moves such as a printer head in a specific direction it can be widely applied to the case of applying the present invention.

また上述の実施例においては、本発明をプリンタヘッドに適用してインク液滴を飛び出させる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、インク液滴に代えて液滴が各種染料の液滴、保護層形成用の液滴等である液体吐出ヘッド、さらには液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、各種測定装置、各種試験装置、液滴がエッチングより部材を保護する薬剤である各種のパターン描画装置等に広く適用することができる。 Furthermore, in the aforementioned embodiment, the present invention has dealt with the case where popping the ink droplets applied to the printer head, the present invention is not limited to this, the liquid droplets of the various dyes in place of the ink droplets droplet, the liquid ejecting head is a droplet or the like for forming a protective layer, further microdispenser is droplets reagents, various measuring devices, various test devices, various an agent droplets to protect the member from etching it can be widely applied to the pattern writing apparatus or the like.

本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えば発熱素子と発熱素子を駆動するトランジスタとを一体に基板上に形成したサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用することができる。 The present invention relates to a liquid ejection head, relates to a method for manufacturing a liquid discharge apparatus and a liquid discharge head may be applied to an inkjet printer using a thermal method of forming a transistor on a substrate together to drive for example a heating element a heating element .

本発明の実施例1に係るラインプリンタを示す斜視図である。 It is a perspective view showing a line printer according to a first embodiment of the present invention. 図1のヘッドアッセンブリーのインク液滴の吐出に係る部分を拡大して示す斜視図である。 Is a perspective view showing an enlarged portion of the ink droplet ejection head assembly of Figure 1. 図2のヘッドアッセンブリーのインク液滴の吐出に係る部分を示す断面図である。 It is a sectional view of a portion of the ink droplet ejection head assembly of FIG. 図3のヘッドチップの作成工程の説明に供する断面図である。 It is a sectional view for explaining the head chip forming step of FIG. 図4の続きを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the continuation of FIG. 図5の続きを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the continuation of FIG. 図6の続きを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the continuation of FIG. 図7の続きを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the continuation of FIG. 本発明の実施例2に係るラインプリンタに適用されるヘッドチップを示す断面図である。 The head chip to be applied to a line printer according to a second embodiment of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 図9のヘッドチップの作成工程の説明に供する断面図である。 It is a sectional view for explaining the head chip forming step of FIG. 図10の続きを示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the continuation of FIG. 10. 従来のプリンタヘッドの構成を示す断面図である。 It is a sectional view showing the configuration of a conventional printer head. 図12とは異なるプリンタヘッドの構成を示す断面図である。 Is a sectional view showing a structure of a different printer head in FIG. 12.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1……プリンタヘッド、2、41……基板、3、47、48……トランジスタ、4、7、51、64、76、92……配線パターン、5……層間絶縁膜、6、37、90……発熱素子、12、55、68……SOG膜、21……ラインプリンタ、30……ヘッドアッセンブリー、34、84……ヘッドチップ、56、59、69、73……シリコン絶縁膜、58、72……ビアホール 1 ...... printer head, 2, 41 ...... substrate, 3,47,48 ...... transistor, 4,7,51,64,76,92 ...... wiring pattern 5 ...... interlayer insulating film, 6,37,90 ...... heating elements, 12,55,68 ...... SOG film, 21 ...... line printer, 30 ...... head assembly, 34,84 ...... head chip, 56,59,69,73 ...... silicon insulating film, 58, 72 ...... hole

Claims (4)

  1. 液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドにおいて、 A heating element for heating the liquid held in the liquid chamber, and a semiconductor device for driving the heat generating element integrally formed on a substrate, a droplet of the liquid from the predetermined nozzle by driving the heat generating element by the semiconductor element a liquid discharge head popping a
    前記発熱素子の前記基板側には、 On the substrate side of the heating element,
    上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、 An interlayer insulating film for insulating the lower layer of the upper wiring pattern is formed by coating type insulating film,
    前記塗布型の絶縁膜は、 The coating type insulating film,
    有機基を含むシリコン化合物により形成され、 Formed of silicon compound containing an organic group,
    表層に、シリコン絶縁膜が形成され、 In the surface layer, a silicon insulating film is formed,
    前記上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成された ことを特徴とする液体吐出ヘッド。 A liquid discharge head, characterized in that the inner wall surface of the through-holes for connecting the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites, silicon insulating film was formed.
  2. 前記内側壁面のシリコン絶縁膜は、 Silicon insulating film of said inner wall surface,
    シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜、又はシリコン酸化膜である ことを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッド。 Silicon nitride film, a liquid ejection head according to claim 1, wherein the silicon oxynitride film, or a silicon oxide film.
  3. 液体吐出ヘッドから飛び出す液滴を対象物に供給する液体吐出装置において、 A liquid discharge device for supplying the object droplets jump out of the liquid discharge head,
    前記液体吐出ヘッドが、 Wherein the liquid discharge head,
    液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させ、 A heating element for heating the liquid held in the liquid chamber, and a semiconductor device for driving the heat generating element integrally formed on a substrate, a droplet of the liquid from the predetermined nozzle by driving the heat generating element by the semiconductor element the pops,
    前記発熱素子の前記基板側には、 On the substrate side of the heating element,
    上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜が塗布型の絶縁膜により形成され、 An interlayer insulating film for insulating the lower layer of the upper wiring pattern is formed by coating type insulating film,
    前記塗布型の絶縁膜は、 The coating type insulating film,
    有機基を含むシリコン化合物により形成され、 Formed of silicon compound containing an organic group,
    表層に、シリコン絶縁膜が形成され、 In the surface layer, a silicon insulating film is formed,
    前記上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔の内側壁面に、シリコン絶縁膜が形成された ことを特徴とする液体吐出装置。 A liquid discharge apparatus characterized by the inner wall surface of the through-holes for connecting the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites, silicon insulating film was formed.
  4. 液室に保持した液体を加熱する発熱素子と、前記発熱素子を駆動する半導体素子とを基板上に一体に形成し、前記半導体素子による前記発熱素子の駆動により所定のノズルより前記液体の液滴を飛び出させる液体吐出ヘッドの製造方法において、 A heating element for heating the liquid held in the liquid chamber, and a semiconductor device for driving the heat generating element integrally formed on a substrate, a droplet of the liquid from the predetermined nozzle by driving the heat generating element by the semiconductor element the method of manufacturing a liquid discharge head popping a
    有機基を含むシリコン化合物により形成された塗布型の絶縁膜により前記基板の全面を覆って、上層の配線パターンを下層より絶縁する層間絶縁膜を作成する層間絶縁膜の作成処理と、 Covering the entire surface of the substrate by coating type insulating film formed by the silicon compound containing an organic group, and creation process of the interlayer insulating film to create an interlayer insulating film for insulating the lower layer of the upper wiring pattern,
    前記塗布型の絶縁膜の表層にシリコン絶縁膜を形成する第1のシリコン絶縁膜の作成処理と、 And generating process of the first silicon insulating film to form a silicon insulating film on the surface layer of the coating type insulating film,
    前記層間絶縁膜に、上層の配線パターンを下層の対応する部位に接続する貫通孔を作成する貫通孔の作成処理と、 In the interlayer insulating film, and the creation processing of the through holes to create a through hole for connecting the upper wiring pattern to the underlying corresponding sites,
    前記貫通孔の内側壁面に選択的にシリコン絶縁膜を形成する第2のシリコン絶縁膜の作成処理とを有する ことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 A method for manufacturing a liquid discharge head characterized by having a process of creating the second silicon insulating film selectively forming a silicon insulating film on the inside wall surface of the through hole.
JP2004307666A 2004-10-22 2004-10-22 A liquid discharge head, a manufacturing method of a liquid discharge apparatus and a liquid ejection head Expired - Fee Related JP4617823B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004307666A JP4617823B2 (en) 2004-10-22 2004-10-22 A liquid discharge head, a manufacturing method of a liquid discharge apparatus and a liquid ejection head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004307666A JP4617823B2 (en) 2004-10-22 2004-10-22 A liquid discharge head, a manufacturing method of a liquid discharge apparatus and a liquid ejection head

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006116839A true JP2006116839A (en) 2006-05-11
JP4617823B2 true JP4617823B2 (en) 2011-01-26

Family

ID=36535178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004307666A Expired - Fee Related JP4617823B2 (en) 2004-10-22 2004-10-22 A liquid discharge head, a manufacturing method of a liquid discharge apparatus and a liquid ejection head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4617823B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0872246A (en) * 1994-09-01 1996-03-19 Canon Inc Substrate for recording head, and its manufacture
JP2002296609A (en) * 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp Liquid crystal display device and its manufacturing method
JP2004276511A (en) * 2003-03-18 2004-10-07 Sony Corp Liquid discharging head, liquid discharging device and manufacturing method of liquid discharging head

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0872246A (en) * 1994-09-01 1996-03-19 Canon Inc Substrate for recording head, and its manufacture
JP2002296609A (en) * 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp Liquid crystal display device and its manufacturing method
JP2004276511A (en) * 2003-03-18 2004-10-07 Sony Corp Liquid discharging head, liquid discharging device and manufacturing method of liquid discharging head

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP2006116839A (en) 2006-05-11 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5479197A (en) Head for recording apparatus
US6420196B1 (en) Method of forming an inkjet printhead using part of active circuitry layers to form sacrificial structures
US7465041B2 (en) Inkjet printhead with inlet priming feature
US6513911B1 (en) Micro-electromechanical device, liquid discharge head, and method of manufacture therefor
US6481831B1 (en) Fluid ejection device and method of fabricating
EP1005990A2 (en) Liquid discharge head, head cartridge mounted on liquid discharge head and liquid discharge apparatus, and method for manufacturing liquid discharge head
US6209991B1 (en) Transition metal carbide films for applications in ink jet printheads
US5835112A (en) Segmented electrical distribution plane
US20110037813A1 (en) Inkjet printer head
US6902256B2 (en) Ink jet printheads
US6132032A (en) Thin-film print head for thermal ink-jet printers
US20060017774A1 (en) Ink jet head substrate, ink jet head, and method of manufacturing an ink jet head substrate
US20040085405A1 (en) Ink-jet printhead
US20030082841A1 (en) Fluid ejection device fabrication
US20060033780A1 (en) Circuit board for ink jet head, method of manufacturing the same, and ink jet head using the same
US6785956B2 (en) Method of fabricating a fluid jet printhead
US6536877B2 (en) Printer, printer head, and method for fabricating printer head formed with a multilayer wiring pattern
US6582063B1 (en) Fluid ejection device
US6709805B1 (en) Inkjet printhead nozzle plate
US7267430B2 (en) Heater chip for inkjet printhead with electrostatic discharge protection
US20090096845A1 (en) Print head die slot ribs
US6800497B2 (en) Power switching transistor and method of manufacture for a fluid ejection device
US6740536B2 (en) Devices and methods for integrated circuit manufacturing
EP0434946A2 (en) Ink jet printhead having ionic passivation of electrical circuitry
US7287838B2 (en) Liquid discharge head having protective film for heating element and substrate therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071011

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090331

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100713

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100903

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100928

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101011

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees