JP4613756B2 - 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、及び固体撮像素子を用いたカメラ - Google Patents
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- 複数の光電変換部から成る光電変換部列と複数の転送電極から成る転送電極列とが並設され、前記光電変換部に対応した開口が形成された遮光膜により前記転送電極列の上面及び側壁面が覆われた固体撮像素子の製造方法において、
前記遮光膜の形成プロセスが、
前記光電変換部列及び前記転送電極列が形成された半導体基板上に、遮光膜材料層を成膜するステップと、
前記遮光膜材料層上にハードマスク材料層を成膜するステップと、
前記ハードマスク材料層上にフォトレジスト材料層を成膜するステップと、
前記フォトレジスト材料層に対してパターニングを行って前記光電変換部に対応した開口を前記フォトレジスト材料層に形成することでフォトレジストマスクを形成し、その際に、前記フォトレジスト材料層に形成する開口の縁部を、前記転送電極列の側壁面において前記遮光膜材料層の表面を覆っている前記ハードマスク材料層の厚さの範囲内に位置合わせするステップと、
前記フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて前記ハードマスク材料層に対して異方性エッチングを行うことでハードマスクを形成するステップと、
前記ハードマスクをエッチングマスクとして用いて前記遮光膜材料層に対して異方性エッチングを行って、前記遮光膜材料層に前記光電変換部に対応した前記開口を形成するステップと、を含み、
前記遮光膜材料層に対して異方性エッチングを行う際に、オーバーエッチングを行うことにより、その異方性エッチングによる前記遮光膜材料層の材料除去領域を、前記転送電極列の側壁面において前記遮光膜材料層の表面を覆っている前記ハードマスクの下端部分の下方まで広げることを
を特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記ハードマスク材料層上にフォトレジスト材料層を成膜する際に、前記遮ハードマスク材料層上に裏面反射防止膜を成膜し、その上にフォトレジスト材料層を成膜することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記ハードマスクの材料として、SiO2、SiN、またはSiONを用いることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子の製造方法。
- 複数の光電変換部から成る光電変換部列と複数の転送電極から成る転送電極列とが並設され、前記光電変換部に対応した開口が形成された遮光膜により前記転送電極列の上面及び側壁面が覆われた固体撮像素子において、
前記遮光膜のうちの前記転送電極列の上面を覆っている部分並びに前記転送電極列の側壁面の上方領域を覆っている部分の表面が、前記光電変換部に対応した前記開口を異方性エッチングによって前記遮光膜に形成する際のエッチングマスクとして形成されたハードマスクにより覆われており、
前記遮光膜は、前記光電変換部側に張り出したエッジ部を有さない
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 異方性エッチングによる前記遮光膜材料層の材料除去領域が、前記転送電極列の側壁面において前記遮光膜材料層の表面を覆っている前記ハードマスクの下端部分の下方まで広げられていることを特徴とする請求項5記載の固体撮像素子。
- 前記ハードマスクが、SiO2、SiN、またはSiONで形成されていることを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。
- 複数の光電変換部から成る光電変換部列と複数の転送電極から成る転送電極列とが並設され、前記光電変換部に対応した開口が形成された遮光膜により前記転送電極列の上面及び側壁面が覆われた固体撮像素子を用いたカメラにおいて、
前記遮光膜のうちの前記転送電極列の上面を覆っている部分並びに前記転送電極列の側壁面の上方領域を覆っている部分の表面が、前記光電変換部に対応した前記開口を異方性エッチングによって前記遮光膜に形成する際のエッチングマスクとして形成されたハードマスクにより覆われており、
前記遮光膜は、前記光電変換部側に張り出したエッジ部を有さない
ことを特徴とする固体撮像素子を用いたカメラ。 - 異方性エッチングによる前記遮光膜材料層の材料除去領域が、前記転送電極列の側壁面において前記遮光膜材料層の表面を覆っている前記ハードマスクの下端部分の下方まで広げられていることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子を用いたカメラ。
- 前記ハードマスクが、SiO2、SiN、またはSiONで形成されていることを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子を用いたカメラ。
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