JP4613382B2 - アンチモン拡散方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハにアンチモンを拡散する方法に関する。さらに詳しくは、p型反転することなくシリコンウェーハにアンチモンを拡散することができる方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の製造において、アンチモン(Sb)など不純物の拡散は、まず、シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成し(酸化工程)、ホトリソグラフィー(photolithography)技術を用いてシリコンウェーハ上に保護膜のパターン形成を行い(ホトリソグラフィー工程)、しかる後に、その保護膜をマスクとして、目的とする不純物を拡散する(拡散工程)ことにより行われる。ここでシリコンウェーハとは、シリコン単結晶基板あるいはシリコンエピタキシャルウェーハ等、ウェーハ状に形成されたシリコン単結晶のことをいう。
【0003】
従来のアンチモン拡散工程を、図5を用いてさらに詳しく説明する。まず、洗浄工程(a)で、シリコンウェーハ1を洗浄し、酸化工程(b)で、シリコンウェーハ1を酸化して全面を二酸化珪素膜2で覆う。次に、レジスト塗布工程(c)で、全面を二酸化珪素膜2で覆ったシリコンウェーハ1の表面に均一な厚さでレジストを塗布してレジスト膜3を形成し、露光工程(d)で、ICの平面パターンを焼き付けたマスク4のパターンにホトリソグラフィー技術を用いてレジスト膜3を露光し、現像工程(e)で、有機溶剤を用いた現像によりレジスト膜3の可溶部分を選択的に除去してマスク4のパターンに対応する部分に窓2aをあけ、エッチング工程(f)で、その窓2aに露出した二酸化珪素膜2をエッチングしてシリコンウェーハ1の露出部1aを露出させ、レジスト除去工程(g)で、さらに、残りのレジスト膜3を除去する。次に、拡散源付着工程(h)で、アンチモンの拡散源5をシリコンウェーハ1の全面に付着させ、Sb拡散工程(i)で、シリコンウェーハ1を熱処理してシリコンウェーハ1の露出部1aからアンチモンを拡散させて拡散層6を形成する。拡散源付着工程(h)は、アンチモン拡散炉にシリコンウェーハ1を投入する前或いはアンチモン拡散炉内で行われる。そして、アンチモン拡散層6の形成されたシリコンウェーハ1には、酸化膜除去工程(j)で、表面の二酸化珪素膜2が除去された後には、さらに拡散工程あるいは気相エピタキシャル成長工程等の半導体素子製造工程が施される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
シリコンウェーハ1にアンチモンを拡散させて形成されるアンチモン拡散層6は、n型である。しかしながら、n型のシリコンウェーハ1に比較的高抵抗(低濃度)のアンチモン拡散層6を形成したときに、しばしば図6に示すように、拡散層6の終端部にp型反転領域7が観察される。調査の結果、このp型反転領域7はアンチモン拡散前にシリコンウェーハ1に付着したボロン(B)による汚染であることが判った。
【0005】
拡散層6の終端部にp型反転領域7が観察されるシリコンウェーハ1について、該シリコンウェーハ1の表面から拡散方向にアンチモン拡散層6をSR(拡がり抵抗:Spreading Resistance)測定した結果得られたSRプロファイルを図7に示す。SR測定は、金属探針をシリコンのような半導体結晶に点接触させて金属探針と半導体結晶との間の抵抗を測定する方法であり、点接触の針先から流れ出した電流Iが半導体結晶内で放射状に拡がるときに生じる電圧降下がI・Rsのとき、このRsを拡がり抵抗と呼ぶ。
【0006】
図7において、縦軸はSR値、横軸はシリコンウェーハ1の深さを示し、図中の点線はSRプロファイル11を示している。SRプロファイル11は、n型のアンチモンが拡散されているのでシリコンウェーハ1の表面(シリコンウェーハ1の深さ0μmの箇所)においてSR値が約1×102Ωであるが、シリコンウェーハ1の深さが深くなって行くに従ってSR値が高くなり、深さ約1.4μm〜1.7μmのp型反転領域7では(5〜9)×106Ωのピーク値を示し、シリコンウェーハ1本来のSR値よりも一旦高くなる。この領域では、導電型はn型からp型に反転している。そして、さらに深くなるとSR値は徐々に下がり、深さ約3μm〜4μmではSR抵抗値が約5×104Ωで略安定する。この領域の導電型はn型である。
【0007】
ボロンによりシリコンウェーハ1が汚染されることがあることは公知である。例えば、特開平5−253447号公報において、クリーンルームで使用されるHEPAフィルタの濾材を構成しボロンを含むガラス繊維がHFに侵されて腐食すると、空気がボロンにより汚染されことが記載されており、その解決手段として、清浄空気を取り込むファンとHEPAフィルタとの間に格子構造状のガス吸着フィルタを設けることが提案されている。
【0008】
また、アンチモン拡散源のSbCl3をスピンコート法によりシリコンウェーハ上に塗布する際に、ボロン汚染されることが特公平6−46625号公報に記載されており、その解決手段として、ホトリソグラフィー技術にてパターニングして形成した所定の開口部を酸化して、薄い酸化膜を形成した後に、スピンコート法によりSbCl3を塗布することが提案されている。
【0009】
しかし、前記格子構造状のガス吸着フィルタを設けるには多額の費用がかかり、また、開口部に薄い酸化膜を形成した後にスピンコート法によりSbCl3を塗布する方法では、アンチモン拡散の前に行う工程が増加するという問題がある。
【0010】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、アンチモン拡散時に発生し易いボロン汚染によるp型反転領域の形成を簡便に防止することのできる方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項1の発明のアンチモン拡散方法は、アンチモン拡散炉にシリコンウェーハを投入して該シリコンウェーハにアンチモンを拡散するアンチモン拡散方法において、前記シリコンウェーハに1×10 12 atoms/cm 2 以上1×10 14 atoms/cm 2 以下のアルミニウムを付着させた後、該シリコンウェーハを前記アンチモン拡散炉に投入することにより前記シリコンウェーハにアンチモンを拡散することを特徴とする。
【0012】
さらに、請求項2の発明のアンチモン拡散方法は、アンチモン拡散前に行うシリコンウェーハの洗浄の際に、アンチモン拡散が施されるシリコンウェーハをアルミニウム含有水溶液に浸すことにより、1×1012atoms/cm2以上1×1014atoms/cm2以下のアルミニウムを前記シリコンウェーハの表面に付着させた後に、アルミニウムの付着したシリコンウェーハをアンチモン拡散炉に投入することを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、図面に基づき本発明の実施形態を詳述する。図1は、シリコンウェーハ1の表面にアルミニウムを付着させる本発明の方法を示す工程図である。図1に示す工程は、図5(g)において行われるレジスト除去工程の一例である。
【0014】
まず、シリコンウェーハ1のレジスト膜除去槽(洗浄槽丸1、丸2)において、まず、強力な酸化力により有機物を酸化・分解して除去する熱硫酸−過酸化水素(H2SO4/H2O2)水洗浄により、図5のエッチング工程(f)後にシリコンウェーハ1上に残存するレジスト膜3を完全に除去する。
続いて、洗浄槽丸3、丸4にて超純水を用いてシリコンウェーハ1をリンスした後に、洗浄槽丸5で、シリコンウェーハ1のエッチングとアルカリ溶液中における粒子−ウェーハ間の静電気的反発を利用するアンモニア−過酸化水素(NH3/H2O2)水洗浄により、シリコンウェーハ1上の粒子を除去する。
【0015】
さらに、洗浄槽丸6でアンモニア−過酸化水素水洗浄を続けて行うが、この洗浄槽丸6の中にアルミニウムも含有させておき、アルミニウムをシリコンウェーハ1の表面に付着させる。該洗浄槽丸6中に含有させるアルミニウムの濃度は、濃度が既知のアルミニウム標準原液等を希釈して用いることにより制御することができる。
【0016】
空気中を浮遊するボロンは、シリコンウェーハ1が空気中に暴露されるや否や、シリコンウェーハ1の表面に付着してしまう。そのボロン汚染の濃度は、ICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析:Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)法で測定すると、通常1×1011atoms/cm2〜2×1012atoms/cm2の範囲内にある。ただし、シリコンウェーハ1の表面に付着したボロンは、洗浄により容易に除去することが可能である。そこで、アンチモン拡散前に行う洗浄の際に、アルミニウム含有水溶液にシリコンウェーハ1を浸すことにより、該シリコンウェーハ1に前記アルミニウム(Al)を付着させるのである。
【0017】
アルミニウムは、酸素の存在するアンモニア−過酸化水素水溶液中でシリコンウェーハ1に付着させると速やかに反応し、安定で不活性な酸素とのコンプレックス(Complex)を形成する。すると、アルミニウム付着後にコンプレックス上に付着したボロンは、アンチモン拡散のための熱処理中に前記コンプレックスの薄膜を透過することができないままに揮発するので、p型反転領域の形成を防止することができる。
【0018】
また、シリコンウェーハの表面に既に付着していたボロンを洗浄により除去すると同時にアルミニウムと酸素とのコンプレックスを形成することができるので、シリコンウェーハと前記コンプレックスとの間にボロンが残留することを抑止できる。
【0019】
最後に、洗浄槽丸7、丸8、丸9にて超純水を用いてシリコンウェーハ1を充分リンスした後、スピンドライヤーを用いて乾燥させる。シリコンウェーハ1の表面に一旦付着したアルミニウムは不活性なコンプレックスを形成し、水に溶解することもないので洗浄槽丸7、丸8、丸9を用いた超純水リンスにおいて殆ど除去されない。これに対して、洗浄槽丸1〜丸6あるいはその前の工程において付着したボロンは、水に容易に溶解してしまうので、洗浄槽丸7、丸8、丸9を用いた超純水リンスによりボロンを容易に除去することができる。
【0020】
前記図5のレジスト除去工程(g)でのレジスト膜除去洗浄において、表面にアルミニウムを付着したシリコンウェーハ1には、工程(h)にてSb(アンチモン)拡散源を付着した後に、工程(i)にてアンチモンが拡散される。
【0021】
アンチモン拡散後に観察されるボロン汚染の量は、シリコンウェーハ1の表面に付着させるアルミニウムの量と相関がある。図2は、シリコンウェーハ1におけるアンチモン拡散前のアルミニウム濃度とアンチモン拡散後のボロン濃度との関係を示している。ボロン汚染を評価するサンプルとして、付着したボロンの濃度が1×1011atoms/cm2〜2×1012atoms/cm2 の範囲内にある、直径125mm、面方位(100)、抵抗率8Ω・cm〜12Ω・cmのn型シリコン単結晶基板を複数枚用意し、異なる濃度のアルミニウムを付着した後に、シート抵抗値約36Ω/□、拡散深さ約2μmのアンチモンを拡散した。
【0022】
アンチモン拡散前にシリコンウェーハ1の表面に付着しているアルミニウムの濃度は、ICP−MS法で測定し、アンチモン拡散後のボロン濃度は、シリコンウェーハ1の表面から約1μmの深さでSIMS(二次イオン質量分析:Secondary Ion Mass Sepctrometry)法を用いて測定した。
アンチモン拡散後に観察されるボロンの濃度は、図2から判るように、シリコンウェーハ1の表面に付着するアルミニウムの濃度が高くなるに従って減少する。ここで、アンチモン拡散後に観察されるボロンの濃度は、アンチモン拡散前にシリコンウェーハ1の表面に付着しているボロンの量により多少変化することは言うまでもない。
【0023】
図2において、シリコンウェーハ1の表面に付着したアルミニウム濃度が4.69×1010atoms/cm2の時のSRプロファイルを図7に示しており、アルミニウム濃度が1.48×1012atoms/cm2、8.75×1012atoms/cm2の時のSRプロファイルを、図3及び図4にそれぞれ示している。
アルミニウム濃度が1×1012atoms/cm2より低い図7のSRプロファイルにおいては、アンチモン拡散層6の終端部でp型反転領域7が形成される。しかし、アルミニウム濃度が1×1012atoms/cm2以上である図3と図4においては、SR値が一旦シリコンウェーハ1の抵抗値よりも高くなるものの、p型反転しない。
【0024】
これは、アルミニウムの濃度が1×1012atoms/cm2より小さい場合には、アンチモン拡散のための熱処理中にボロンが前記コンプレックスを透過し、p型反転領域を形成してしまうからである。そこで、ボロンによるp型反転領域の形成を防止するためには、シリコンウェーハに付着させるアルミニウムを、1×1012atoms/cm2以上1×1014atoms/cm2以下に調整することが好ましい。この濃度範囲でシリコンウェーハ上にアルミニウムを付着する場合には、アンチモン拡散直後に形成される二酸化珪素膜中へのアルミニウムの偏析効果が大きいので、検出可能な濃度のアルミニウムはシリコンウェーハ中に残存しない。しかし、拡散炉に投入する前に付着するアルミニウムの濃度が1×1014atoms/cm2より大きい場合には、二酸化珪素膜形成後にもシリコンウェーハ中に残存するアルミニウムが検出されるようになってしまうので好ましくない。
【0025】
すなわち、洗浄槽丸6に含有させるアルミニウムの濃度を、シリコンウェーハ1上に付着するアルミニウムが1×1012atoms/cm2以上となるように調整すれば、アンチモン拡散層6の最終端部でp型反転領域7が形成されることを防止することが可能となる。ただし、洗浄槽丸6に含有させるアルミニウムの濃度が高濃度になりすぎるとアンチモン拡散後にもシリコンウェーハ1中に検出可能な濃度のアルミニウムが残存してしまうので、1×1014atoms/cm2以下に保つようにすれば良い。
【0026】
本実施の形態においては、シリコンウェーハ1を洗浄する洗浄液中に所定量のアルミニウムを溶かし込んでおくことによりシリコンウェーハの表面に所定量のアルミニウムを付着させたが、その他のアルミニウム付着方法として、図5(g)に示すレジスト除去工程の直後にスピンコーターや刷毛でシリコンウェーハの表面にアルミニウム水溶液を塗布しても差し支えない。
【0027】
また、本実施例の形態においては、n型のシリコン単結晶基板にアンチモン拡散を行ったが、p型のシリコンウェーハにアンチモン拡散する場合においても同様にしてボロン汚染の量を抑制することができる。この場合、n型のシリコン単結晶基板をモニターとして用意し、p型のシリコンウェーハと共にアルミニウムを付着した後にアンチモン拡散すると、n型のモニターに形成されたアンチモン拡散層にはp型反転領域が形成されていないことが判る。
【0028】
さらに、本実施例の形態においては、ホトリソグラフィー工程を行いシリコンウェーハの一部分にのみアンチモン拡散を行う場合について例示したが、シリコンウェーハの主表面全体にアンチモンを拡散する場合についても適応が可能である。その場合、図5において(b)〜(f)の工程が不要である。さらに、レジスト膜の除去も不要なので、アルミニウムの付着は図1において洗浄槽丸5もしくは丸6から開始される。
【0029】
【発明の効果】
以上詳述した如く発明によれば、アルミニウムをシリコンウェーハに付着した後、このシリコンウェーハをアンチモン拡散炉に投入することによりシリコンウェーハにアンチモンを拡散するようにしているので、シリコンウェーハの表面に付着するアルミニウムの濃度を容易に制御することができる。
【0030】
また、アンチモン拡散前に行う洗浄の際に、洗浄溶液中にアルミニウムを含有させてなるアルミニウム含有水溶液にシリコンウェーハを浸して、該シリコンウェーハに前記アルミニウムを付着させることにより、シリコンウェーハの表面にアルミニウムを含有させた水溶液を付着させるための格別な設備投資が不要となる。また、アンチモン拡散の前にアルミニウムを付着させる格別な工程を設ける必要がない。また、アルミニウムと酸素とのコンプレックスとシリコンウェーハとの間にボロンが残留することも抑止することが可能となる。
【0031】
さらに、シリコンウェーハに付着させるアルミニウムを1×1012atoms/cm2以上1×1014atoms/cm2以下にすることにより、アンチモン拡散後、アルミニウムをシリコンウェーハ中に残存させることなくp型反転領域の形成を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のウェーハ表面にアルミニウムを付着させる方法を示す工程図である。
【図2】 シリコンウェーハにおけるアンチモン拡散前のアルミニウム濃度とアンチモン拡散後のボロン濃度との関係を示す図である。
【図3】 本発明の方法によりアルミニウムが付着されたシリコンウェーハを、アンチモン拡散した後のSRプロファイルの測定結果を示す図である。
【図4】 本発明の方法によりアルミニウムが付着されたシリコンウェーハを、アンチモン拡散した後のSRプロファイルの測定結果を示す他の図である。
【図5】 アンチモン拡散工程を示す図である。
【図6】 アンチモン拡散層を形成したときp型反転領域7が観察されたシリコンウェーハの縦断側面模式図である。
【図7】 従来法によりシリコンウェーハにアンチモン拡散した後のSRプロファイルの測定結果を示す図である。
【符号の説明】
1 シリコンウェーハ
2 二酸化珪素膜
3 レジスト膜
4 マスク
5 アンチモンの拡散源
6 拡散層
7 p型反転領域
11 SRプロファイル
Claims (2)
- アンチモン拡散炉にシリコンウェーハを投入して該シリコンウェーハにアンチモンを拡散するアンチモン拡散方法において、
前記シリコンウェーハに1×10 12 atoms/cm 2 以上1×10 14 atoms/cm 2 以下のアルミニウムを付着させた後、該シリコンウェーハを前記アンチモン拡散炉に投入することにより前記シリコンウェーハにアンチモンを拡散することを特徴とするアンチモン拡散方法。 - アンチモン拡散前に行うシリコンウェーハの洗浄の際に、アンチモン拡散が施されるシリコンウェーハをアルミニウム含有水溶液に浸すことにより、1×10 12 atoms/cm 2 以上1×10 14 atoms/cm 2 以下のアルミニウムを前記シリコンウェーハの表面に付着させた後に、アルミニウムの付着したシリコンウェーハをアンチモン拡散炉に投入することを特徴とするアンチモン拡散方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000051617A JP4613382B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | アンチモン拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000051617A JP4613382B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | アンチモン拡散方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001244209A JP2001244209A (ja) | 2001-09-07 |
JP4613382B2 true JP4613382B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=18573245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000051617A Expired - Fee Related JP4613382B2 (ja) | 2000-02-28 | 2000-02-28 | アンチモン拡散方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4613382B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56108527A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-28 | Hitachi Ltd | Diffusion of impurity |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259147A (ja) * | 1992-03-16 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4240637B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-03-18 | ソニー株式会社 | ウエハの表面清浄化方法 |
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2000
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56108527A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-28 | Hitachi Ltd | Diffusion of impurity |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001244209A (ja) | 2001-09-07 |
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