JP4612737B2 - レーザパルス発生装置およびその方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 107
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 94
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 50
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 238000002168 optical frequency-domain reflectometry Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- FOXXZZGDIAQPQI-XKNYDFJKSA-N Asp-Pro-Ser-Ser Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N1CCC[C@H]1C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CO)C(O)=O FOXXZZGDIAQPQI-XKNYDFJKSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity
- H01S5/147—External cavity lasers using a fiber as external cavity having specially shaped fibre, e.g. lensed or tapered end portion
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10038—Amplitude control
- H01S3/10046—Pulse repetition rate control
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1067—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using pressure or deformation
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0064—Anti-reflection components, e.g. optical isolators
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0656—Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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Description
また、例えば、非特許文献1は、偏光保持FBG(Polarization Maintaining Fiber Bragg Grading)を用いて偏光を保持した光帰還光路長による精密なOFDR(Optical Frequency Domain Reflectometry)計測の手法を開示する。
本願にかかるレーザパルス発生装置の一実施形態は、半導体レーザ素子と、偏光保持光ファイバと、偏光保持光ファイバと、張力を変更することにより通過帯域を変更可能なFBGを用いたバンドパス特性を示す光反射フィルタと、偏光保持光ファイバと、反射装置と、通常の光ファイバと、光アイソレータとが、ここに示した順番で、必要に応じてコネクタなどを用いて、レーザ光線を導くことができるように接続されて構成される。
半導体レーザ素子を駆動する駆動回路は、半導体レーザ素子に時間幅が狭いパルスを発生させ、偏光保持光ファイバに出射させる。
半導体レーザ素子から出射したパルスは、偏光保持光ファイバに接続された光ファイバを介して、光反射フィルタに導かれる。
また、光反射フィルタは、パルスの光電力の大部分を反射せずに通過させ、光ファイバおよび光アイソレータを介して、外部に出力する。
この実施形態で用いられる光フィルタは、張力を変更することにより、通過帯域を変更可能なFBGを用いることによりバンドパスフィルタとしての機能と、入射したパルスの光電力の一部を反射する機能とを兼ね備えている。
半導体レーザ素子を駆動する駆動回路は、半導体レーザ素子に時間幅が狭いパルスを発生させ、偏光保持光ファイバに出射させる。
半導体レーザ素子から出射したパルスは、偏光保持光ファイバに接続された光ファイバを介して、光フィルタに導かれる。
光フィルタは、パルスをフィルタリングし、その一部を半導体レーザ素子に帰還し、その他を、偏光保持光ファイバ、通常の光ファイバおよび光アイソレータを介して外部に出力する。
このような構成によっても、本願にかかるレーザパルス発生装置の上記一実施形態と同様な品質のレーザ光線のパルスが得られる。
添付図面は、本願明細書に組み込まれて、その一部をなし、本願特許請求の範囲にかかる発明の実施形態を図示しており、その説明とともに、本発明の原理を説明する役割を果たす。
本願明細書中で参照される図面は、特に断らない限り、一定の縮尺で描かれているわけではないと解されるべきである。
本願特許請求の範囲にかかる発明の実施形態は、添付図面に例示されている。
本願特許請求の範囲にかかる発明は、実施形態に関連して説明されるが、この実施形態は、本願特許請求の範囲にかかる発明を、その開示内容に限定することを意図しないことが、当業者に理解されよう。
逆に、本願特許請求の範囲にかかる発明は、本願特許請求の範囲によって規定される発明の精神、および、本願特許請求の範囲内に含まれ得る代替物、変更および均等物を包含することを意図している。
しかしながら、当業者に明らかなように、本願特許請求の範囲にかかる発明は、これら具体的に、また、詳細に説明された事項の全てを用いなくては、実施され得ないということはない。
なお、既知のコンポーネントおよび回路は、本発明の態様を不必要に分かりにくくすることがないように、詳細には記載されていないことがある。
しかし、留意すべきであるが、これらおよび類似のすべての用語は適当な物理量に関連づけられるべきものであり、これらの量に付けられた単に便宜的なラベルである。
まず、本願発明の実施形態の理解を助けるために、それがなされるに至った経緯を説明する。
図1は、半導体レーザ素子に対するレーザ光線のパルスの帰還を例示する図であって、(A)は、単位時間あたりのパルス発生の繰り返し回数が比較的少ない場合を示し、(B)は、単位時間あたりのパルス発生の繰り返し回数が比較的多い場合を示す。
図2は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還の有無に応じて得られるパルス波形を例示する図であって、(A)は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還がないときに得られるパルス波形を示し、(B)は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還があるときに得られるパルス波形を示す。
なお、図1(A),(B)を参照すると分かるように、いずれの場合であっても同じ光帰還光路長で好適な条件が満たされる。
この帰還により、図2(A)に示すように、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還がないときに得られるパルスに生じていた時間変動ジッタ(Time Jitter;以下、ジッタと記す)を大幅に減らすことができ、図2(B)に示すように、繰り返し発生するパルスのタイミングや波形にばらつきがない、きれいな波形の高品位なパルスを得ることができる。
なお、上記帰還においては、半導体レーザ素子へ帰還されるレーザ光線のパルスの光電力は、数マイクロワット程度とすべきであり、レーザ光線の偏光は、TEモードに保持されなければならない。
これらの条件を満たすことにより、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還は、非常に簡単に、しかも、非常に安価に実現され、しかも、レーザ光線のパルスの品質を大幅に高めることができる。
上記帰還においては、レーザ光線を反射して半導体レーザ素子に帰還する反射部分と半導体レーザ素子との間の光路長が長いときには、ある時点で発生されたパルス列は、この時点から長い時間が経過した後に発生されるパルス列に対して帰還され、影響を与えることになる。
従って、図1(A),(B)に示したように、パルスのパルス周波数が変わっても、図3に示すように、上記光路長を少し変更するだけで、上記ジッタを軽減するために適合した条件が、パルスのパルス周波数の変更前と同様に得られる。
例えば、パルスのパルス周波数が1GHzであり、上記光路として、ループに巻かれた10mの偏光保持(PM)光ファイバ(fiber-pigtail-code;光路長100m)が用いられたときには、あるパルスは、100個後のパルスに対して帰還される。
同様に、パルスのパルス周波数が1.01GHzであり、上記光路として、10mのPM光ファイバが用いられたときには、あるパルスは、101個後のパルスに対して帰還されるので、パルスのパルス周波数を1GHzから1.01GHzに変更しても、パルスの帰還によるジッタの軽減効果が得られる。
ここで、長い光ファイバのループの直径を少し変化させて張力(テンション)を変え、張力の変化に応じて光路長を少し変更することにより、パルスを半導体レーザ素子に帰還するタイミングを調整することにより、パルス周波数を、1GHzよりもわずかに高い周波数に調整することも、1.01GHzよりわずかに低い周波数に調整することもできる。
図3において、四角印を付して示される点は、光ファイバの長さ1mでのテンションを与えない場合に好適な条件群を示し、星印を付して示される点は、光ファイバの長さをわずかにテンションを与えて伸張させた場合に好適な条件群を示す。
図3に示すように、光ファイバにテンションを与えるか否かにより現れる好適条件群は、互いにわずかに異なり、繰り返し現れる。
従って、使用者は、実際に用いるパルス周波数において好適な条件が得られるように、光ファイバに与えるテンションを変えることにより、簡単に調整を行うことができる。
半導体レーザ素子に帰還されるパルスが、発振キャビティ(cavity)において選択される波長のレーザ光線の光子の数を増やし、他の波長のレーザ光線の発振の種および他の波長の誘導放出のための電荷の変動が抑えられるからである。
例えば、高速光通信装置用の光測定装置の光源としては、図4に実線で示すような、立ち上がり部分の波形と立ち下がり部分の波形とが対称なレーザ光線のパルスが望ましい。
なお、図4などに示された波形の概容と、図2などに示された実測波形とは反転した関係にあるが、以下の説明におけるパルス波形の立ち上がりおよび立ち下がりは、図4に示されたパルス波形が基準とされる。
しかしながら、従来のレーザ光線のパルスは、図4に点線で示すように、キャリア密度の変動と共振器長の変動の組み合わせによる動的波長のチャーピングシフトを含んでおり、パルスの前半の波長(λ1)と後半の波長(λ2〜λ4)とは、少し異なっている。
このチャーピング、それに起因するパルス後半でのサイドローブ、ペデスタルは、そのままでは元のパルス幅や立ち上がりたち下がりに比較してさほど大きな比率で影響を与えない。
しかしながら、これらは、光パルスを波長分散補正による線形圧縮やスペクトル拡張による非線形圧縮でさらに短パルス化する波形処理を行うときに、理想的圧縮過程に従わないので、波形整形の品質に大きな悪影響を与えてしまう。
つまり、半導体レーザ素子に帰還されるレーザ光線のパルスもまた、図4に示したパルスの前半と後半での波長の差、および、波形のサイドローブおよびペデスタルを含んでいるので、半導体レーザ素子に帰還されるパルスもまた、半導体レーザ素子が発生するパルスの後半の波長の変動および波形に影響を与えてしまう。
以下に説明する本願発明の実施形態は、以上説明したような経緯でなされ、半導体レーザ素子に帰還されるパルスの波長を選択することにより、図4に示した半導体レーザ素子が発生するパルスの後半の波長および波形の変動を抑えることができるように工夫されている。
以下に説明するように、具体的には、本願発明の実施形態は、図5(A)に示すように、波長スペクトルλ1〜λ4を含むレーザ光線のパルスから、図5(B)パルスの波形の前半の部分の波長スペクトルλ1のみを選択し、半導体レーザ素子に帰還するように構成されている。
このように、レーザ光線のパルスの波形の前半部分の波長スペクトルλ1のみを選択的に、タイミングを調整して半導体レーザ素子に帰還することにより、パルスの波形の立ち上がり及び立ち下がりがより急峻となり、図4に示したパルスの前半と後半での波長の差、および、波形のサイドローブおよびペデスタルが改善される(よりトランスフォームリミットに近い光パルスとなる)。
以下、本願発明の実施形態を説明する。
図6は、本発明の実施形態を示す第1の図であって、第1のレーザパルス発生装置1の構成を示す。
図6に示すように、第1のレーザパルス発生装置1は、発信器10(駆動装置)、レーザダイオードモジュール(LDモジュール;レーザ光線発生装置)12、PM光ファイバ14−1〜14−3(第1〜第5の導光路)、コネクタ16−1,16−2、任意・通常の光ファイバ18−1,18−2、光フィルタ20、部分反射器22(反射装置)および光アイソレータ24から構成される。
なお、以下、光ファイバ18−1,18−2など、複数ある構成部分を総称して、単に光ファイバ18などと記すことがある。
また、以下の各図において、実質的に同じ構成部分には、同じ符号が付される。
LDモジュール12は、例えば、利得のスイッチング法による直接変調が可能なバタフライ型レーザーダイオードモジュール、より安価で単純なTOSA型モジュール、あるいは、半導体励起固体レーザ(DPSS)であって、発信器10により駆動されてレーザ光線のパルスを発生し、PM光ファイバ14に対して出射する。
また、LDモジュール12は、PM光ファイバ14−1〜14−3および光フィルタ20を介して帰還されるパルスを受け入れる。
PM光ファイバ14−1は、PM光ファイバ14−2とコネクタ16−1により接続され、LDモジュール12とコネクタ16−1との間で、パルスを、その偏光を保持して導く。
なお、パルス周波数が連続的に変更されるときには、PM光ファイバ14−1,14−3の長さをわずかずつ、精密に調整する必要がある。
このような調整は、PMファイバ14−1,14−3を、与えられたテンションに応じて伸縮させることにより可能とされる。
PM光ファイバ14−2は、PM光ファイバ14−1と光フィルタ20とに接続され、これらの間でパルスを導く。
光フィルタ20は、例えば、通過帯域を調整可能な狭帯域のバンドパス特性を示すFP(Fabry-Perot)フィルタであって、PM光ファイバ14−2から入射するパルスの波長スペクトルの内、図4などに示したパルスの前半の波長スペクトル(発振波長の短波長部分)のみを通過させてPM光ファイバ14−3に出射する。
また、光フィルタ20は、PM光ファイバ14−3から入射するパルスの波長スペクトルの内、図4などに示したパルスの前半の波長スペクトルのみを通過させてPM光ファイバ14−2に出射する。
なお、光フィルタ20が出力するパルスは、図7(b−1)に示すLDモジュール12が出射するレーザ光線の波長スペクトルと、図7(b−3)に示す光フィルタ20の特性とを乗算した波長スペクトルを含む。
このように櫛形の特定を示すエタロン型光フィルタは、作成が難しいが、エタロン型光フィルタの採用は、その櫛型特性をわずかにシフトさせることにより、LDモジュール12の異なる発振波長の他のLDモジュールへの変更に対応できるという利点をもたらす。
PM光ファイバ14−3は、光フィルタ20と接続され、光ファイバ18−1と、コネクタ16−2内に収容された部分反射器22を介して接続され、光フィルタ20と光ファイバ18−1との間でパルスを導く。
部分反射器22は、例えば、コネクタ16−2に収容可能な形状のガラス板に、高屈折率素材を蒸着させた薄膜(DLC膜)により、図7(b−2)に示す特性で、PM光ファイバ14−3から入射したパルスの95〜99.5%(特定的には、例えば98%)を通過させて光ファイバ18−1に出射する。
また、部分反射器22は、通過させたパルス以外を反射して、PM光ファイバ14−3に対して出射する。
光アイソレータ24は、光ファイバ18−1から入射したパルスを、光ファイバ18−2に対して出射し、光ファイバ18−2から入射した光が、PM光ファイバ14−3側に入射することを防ぎ、光ファイバ18−1から出射したパルスが、LDモジュール12から部分反射装置22までのレーザパルス発生装置1の構成部分に反射して戻らないようにする(隔離する)。
光ファイバ18−2に入射したパルスは、例えば、光測定装置に導かれ、測定のための光源として用いられる。
以下、図6に示した第1のレーザパルス発生装置1の全体的な動作を説明する。
図7(a)に示すように、発信器10は、LDモジュール12を駆動して、0.6〜0.7nm程度の波長スペクトル幅のレーザ光線のパルスを発生させ、PM光ファイバ14−1に出射する。
図7(b−1)に示すように、PM光ファイバ14−1は、コネクタ16−1を介してPM光ファイバ14−2に、入射したパルスの偏光を保持して出射する。
また、PM光ファイバ14−1は、LDモジュール12へのパルスの帰還のタイミングを調整する。
PM光ファイバ14−3は、光フィルタ20から入射したパルスを、コネクタ16−2に内蔵された部分反射器22に出射する。
部分反射器22は、図7(b−2)に示したような特性で、PM光ファイバ14−3から入射したパルスの例えば98%を通過させて光ファイバ18−1に出射し、残りを反射してPM光ファイバ14−3に戻す。
一方、部分反射器22により反射されたパルスは、PM光ファイバ14−3、光フィルタ20、PM光ファイバ14−2およびPM光ファイバ14−1を介して、LDモジュール12がパルスを発生する直前にLDモジュール12に帰還される。
以上説明したLDモジュール12へのパルスの帰還により、パルスの波長スペクトル幅は、図7(a)に示した0.6〜0.7nm程度から、図7(c)に示す0.3〜0.4nm程度に狭められて、レーザパルス発生装置1から出力される。
以下、本発明の他の実施形態として、第2のレーザパルス発生装置2を説明する。
図8は、本発明の実施形態を示す第2の図であって、第2のレーザパルス発生装置2の構成を示す。
図9(A)は、図8に示したタイミング調整部32,34の断面図を例示する図であり、図9(B)は、FBGフィルタ30の構成を例示する図である。
図8に示すように、第2のレーザパルス発生装置2は、第1のレーザパルス発生装置1に、PM光ファイバ14−1,14−2に、コイル状の第1および第2のタイミング調整部32,34を付加した構成をとる。
また、第2のレーザパルス発生装置2においては、第1のレーザパルス発生装置1における光フィルタ20および部分反射装置22が、これらの機能を兼ね備えたFBGを用いて、偏光保持および反射光に対するバンドパス特性を実現した反射型のFBGフィルタ30(光反射フィルタ)で置換されている。
タイミング32,34においては、ドラム320,340の間隙の間隔を広くすることにより、PM光ファイバ14−1,14−2にかけられるテンションが強くなり、PM光ファイバ14−1,14−3が引き延ばされ、長くなる。
反対に、ドラム320,340の間隙の間隔を狭くすることにより、PM光ファイバ14−1,14−2にかけられるテンションが弱くなり、PM光ファイバ14−1,14−3が元の長さに戻り、短くなる。
例えば、ドラム320,340に巻かれるPMファイバ14−1,14−2の長さを10m程度とすると、ドラム320,340の間隙の間隔の調整により、光路長を数cm〜十数cm程度、調整することができる。
アクチュエータ304−1,304−2の近傍には、ヒータ306−1,306−2が配設される。
ヒータ306−1,306−2によりアクチュエータ304−1,304−2を加熱したり、加熱を止めたりすることにより、アクチュエータ304−1,304−2の形状が変化し、基板302−1,302−2の間隙の間隔が変化し、FGB300に与えられるテンションが調整される。
この反対に、ドラム320,340の間隙を短くすると、PM光ファイバ14−1,14−2が縮んで、パルスに与えられる遅延が小さくなる。
このように、タイミング調整部32,34によりPM光ファイバ14−1,14−2の長さを調節することにより、LDモジュール12へのパルスの帰還のタイミングが調整すされる。
また、FBGフィルタ30は、図9(B)に示した構成により、FBG300の長軸方向に加えられる張力を1%以下、変更することにより、通過帯域を変更することができる。
つまり、FBG300の長軸方向に与えられる張力を強くすることにより、通過帯域が長波長側に移され、弱くすることにより、通過帯域が短波長側に移される。
以下、レーザパルス発生装置2の調整方法を説明する。
図10は、図8に示した第2のレーザパルス発生装置2の調整方法を示す図である。
なお、図10において、(a−1)は、LDモジュール12が発生したパルスの波長スペクトルを示し、(a−2)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30による反射光に対するフィルタリングなしでLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波長スペクトルを示す。
また、図10においてし、(b−1)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30により反射光をフィルタリングしてLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波形を示し、(b−2)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30による反射光に対するフィルタリングなしでLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波形を示す。
また、図10において、(c)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30により反射光をフィルタリングしてLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波長スペクトルを示す。
まず、レーザパルス発生装置2から出力されるパルスを、5GHz程度の周波数の光信号の波形観測が可能なオシロスコープおよびスペクトルアナライザで観測する。
図2(A)に示したようにパルスに生じる時間変動が、図2(A),(B)および図10(c)に示すように軽減されるように、図9(A)に示したタイミング調整部32,34のドラム320,340の間隙の間隔が調整される。
パルス波形の立ち下がりを最も急峻とし、チャーピングおよびペデスタルを最少とするためには、通常、FBGフィルタ30の反射光の通過帯域の中心は、発振波長ピークから半値幅で50〜70%短波長部分(なにも処理を施さないパルスの波長のピークから0.1〜0.15nm短い波長)となる。
光電力の一部を、FBGフィルタ30で反射光をフィルタリングしてLDモジュール12に帰還することにより得られたパルスの波形(図10(b−1))と、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30による反射光に対するフィルタリングなしでLDモジュール12に帰還することにより得られたパルスの波形(図10(b−2))とを比較すると分かるように、以上の調整により、パルスの波形の立ち下がりが改善される。
従って、図10(b−1)に示す波形における改善により、光パルスの活用における大きく重要な問題が解決される。
このように適切に調整されたレーザパルス発生装置2により、レーザパルス発生装置1(図6)よってと同様に、LDモジュール12で発生されたレーザ光線のパルスの波形が改善され、波長スペクトルを狭まって出力される。
これに対して、第1および第2のレーザパルス発生装置1,2(図6,図8)において、光フィルタ20および部分反射器22が併用されると(図10(c))、パルスの波長スペクトル幅が、0.7nm程度から0.36nm程度に、大幅に改善される。
また、同様に、部分反射器22のみが用いられた場合と、光フィルタ20および部分反射器22が併用された場合とを比較すると、図10(b)に示すように、パルスの立ち下がりの波形が大幅に改善され、発振スペクトル広がりも大幅に狭くなっている
また、第1のレーザパルス発生装置1においては、帰還のタイミング調整のために、PM光ファイバ14−1,14−3の長さの変更を要するが、第2のレーザパルス発生装置2においては、パルスをLDモジュール12に帰還するタイミングの調整に用いる長尺の光ファイバーの光路長の調整が、コンパクトなタイミング調整部32,34の直径変更のみ実現される。
従って、帰還のタイミング調整のために、PM光ファイバ14−1,14−3の長さを細かく変更しなければならない第1のレーザパルス発生装置1におけるパルス帰還のタイミング調整に比べて、第2のレーザパルス発生装置2においては、精密で連続的なパルス帰還のタイミング調整が実現される。
以下、第2のレーザパルス発生装置2の全体的な動作を説明する。
図7(a)に示したように、第2のレーザパルス発生装置2においても、発信器10は、LDモジュール12を駆動して、0.6〜0.7nm程度の波長スペクトル幅のレーザ光線のパルスを発生させ、PM光ファイバ14−1に出射する。
図7(b−1)に示したように、PM光ファイバ14−1は、コネクタ16−1を介してPM光ファイバ14−2に、入射したパルスの偏光を保持して出射する。
FBGフィルタ30は、FBGフィルタ30は、PM光ファイバ14−2から入射したパルスの例えば98%を通過させて光ファイバ18−1に出射し、残りを反射する。
また、FBGフィルタ30は、図7(b−3)に示したような特性で、PM光ファイバ14−2から入射したパルスの反射光をフィルタリングし、パルスの前半の短波長スペクトルを通過させ、PM光ファイバ14−3に対して出射する。
なお、FBGフィルタ30は、反射したパルスに対してのみバンドパス特性を示し、通過させたパルスに対しては、ほとんどバンドパス特性を示さない。
PM光ファイバ14−3は、光フィルタ20から入射したパルスを、コネクタ16−2を介して接続された光ファイバ18−1に出射する。
一方、FBGフィルタ30により反射されたパルスは、PM光ファイバ14−2,14−1を介して、LDモジュール12がパルスを発生する直前にLDモジュール12に帰還される。
以上説明したLDモジュール12へのパルスの帰還により、パルスの波長スペクトル幅は、図7(a)に示した0.6〜0.7nm程度から、図7(c)に示す0.3〜0.4nm程度に狭められて、レーザパルス発生装置2から出力される。
また、上記実施形態は、本願特許請求の範囲にかかる発明の技術的範囲を、その開示内容に限定することを意図しておらず、その開示内容に照らして、様々に変更され、変形されうる。
また、上記実施形態は、本願特許請求の範囲にかかる発明の原理およびその実際的な応用を最もよく説明できるように選択され、記載されているので、当業者は、上記実施形態の開示内容に基づいて、本願特許請求の範囲にかかる発明およびその実施形態を、ありうべき全ての実際の用途に最適とするための種々の変更を加えて利用することができる。
また、本願特許請求の範囲にかかる発明の技術的範囲は、その記載および均等物によって画定されるように意図されている。
また、第1および第2のレーザパルス発生装置1,2において、光フィルタ20およびFBGフィルタ30は、第1および第2のレーザパルス発生装置1,2が、同等の正方を発揮できる限りにおいて、DLC、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、オールパスフィルタおよびこれらの2つ以上の組み合わせに置換されうる。
また、第2のレーザパルス発生装置2においては、PM光ファイバ14−3は、通常の光ファイバ18に置換されうる。
また、第2のレーザパルス発生装置2においては、PM光ファイバ14−1,14−2は、単一のPM光ファイバ14に置換されうる。
また、第2のレーザパルス発生装置2は、タイミング調整部32,34のいずれかのみを備えてもよい。
10・・・発信器,
12・・・LDモジュール,
14・・・PM光ファイバ,
16・・・コネクタ,
32,34・・・タイミング調整部,
320,340・・・ドラム,
18・・・光ファイバ,
20・・・光フィルタ,
22・・・部分反射器,
24・・・光アイソレータ,
30・・・FBGフィルタ,
300・・・FBG,
302・・・基板,
304・・・アクチュエータ,
306・・・ヒータ,
Claims (18)
- レーザ光線発生装置と、
駆動装置と、
第1の導光路と、
光フィルタと、
第2の導光路と、
反射装置と
を有するレーザパルス発生装置であって、
前記レーザ光線発生装置は、駆動されて、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた前記第1の導光路に出射し、
前記駆動装置は、レーザ光線発生装置を駆動してレーザ光線のパルスを発生させ、
前記第1の導光路は、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを前記光フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
前記光フィルタは、前記レーザ光線の短波長部分の波長スペクトルを通過させるバンドパスフィルタであって、前記第1の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて前記第2の導光路に出射し、前記第2の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて前記第1の導光路に出射し、
前記第2の導光路は、前記光フィルタと反射装置との間で前記パルスを導き、
前記反射装置は、前記第2の導光路により導かれたパルスの光電力の一部のみを反射して、前記第2の導光路、前記光フィルタおよび前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させる
レーザパルス発生装置。 - 前記反射装置を通過したパルスを導く第3の導光路
をさらに有する請求項1に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記第1の導光路は、
第4の導光路と、
第5の導光路と
を有し、
前記第4の導光路は、前記レーザ光線発生装置と前記第5の導光路との間で、偏光を保持して前記パルスを導き、
前記光フィルタと前記第4の導光路との間で、パルスを導く第5の導光路と
を有する
請求項1に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記パルスの前記レーザ光線発生装置への帰還のタイミングは、前記パルスが、その後の前記パルスが発生される直前に、前記レーザ光線発生装置へ帰還されるように調整される
請求項3に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記反射装置は、入射されたパルス光電力の0.5〜5%を反射する
請求項1に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記レーザ光線発生装置は、半導体レーザ素子または半導体励起固体レーザである
請求項1に記載のレーザパルス発生装置。 - レーザ光線発生装置と、
駆動装置と、
第1の導光路と、
光反射フィルタと
を有するレーザパルス発生装置であって、
前記レーザ光線発生装置は、駆動されて、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた前記第1の導光路に出射し、
前記駆動装置は、レーザ光線発生装置を駆動してレーザ光線のパルスを発生させ、
前記第1の導光路は、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを光反射フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
前記光反射フィルタは、バンドパス特性を示し、前記第1の導光路から入射した前記パルスの所定の波長スペクトルの光電力の短波長部分の波長の成分のみを反射して、前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させる
レーザパルス発生装置。 - 前記光反射フィルタを通過したパルスを導く第3の導光路
をさらに有する請求項7に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記光反射フィルタは、前記第1の導光路と前記第3の導光路との間で前記パルスを導くFBGを用いて実現される
請求項8に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記光反射フィルタが通過させる波長の成分は、前記FBGに対して加えられる張力の変更により変更されうる
請求項9に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記FBGは、入射された前記パルスの偏光を保持する
請求項9に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記第1の導光路は、
第4の導光路と、
第5の導光路と
を有し、
前記第4の導光路は、前記レーザ光線発生装置と前記第5の導光路との間で、偏光を保持して前記パルスを導き、
前記光反射フィルタと前記第4の導光路との間で、パルスを導く第5の導光路と
を有する
請求項9に記載のレーザパルス発生装置。 - )
前記第4の導光路および前記第5の導光路またはこれらのいずれかは、光ファイバであって、保持部材の周囲に巻かれ、保持部材から光ファイバに与えられる張力の変更に応じて長さが変化し、前記パルスの前記レーザ光線発生装置への帰還のタイミングを調整する
請求項12に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記パルスの前記レーザ光線発生装置への帰還のタイミングは、前記パルスが、その後の前記パルスが発生される直前に、前記レーザ光線発生装置へ帰還されるように調整される
請求項13に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記反射装置は、入射されたパルス光電力の0.5〜5%を反射する
請求項7に記載のレーザパルス発生装置。 - 前記レーザ光線発生装置は、半導体レーザ素子または半導体励起固体レーザである
請求項7に記載のレーザパルス発生装置。 - レーザ光線発生装置を駆動して、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線のパルスを発生させて、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた第1の導光路に出射させ、
前記第1の導光路により、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを、前記レーザ光線の短波長部分の波長スペクトルを通過させるバンドパス特性を示す光フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
前記光フィルタにより、前記第1の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて第2の導光路に出射し、前記第2の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて前記第1の導光路に出射し、
前記第2の導光路により、前記光フィルタと反射装置との間で前記パルスを導き、
前記反射装置により、前記第2の導光路により導かれたパルスの一部のみを反射して、前記第2の導光路、前記光フィルタおよび前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還する
レーザパルス発生方法。 - レーザ光線発生装置を駆動して、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた第1の導光路に出射させ、
前記第1の導光路により、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを、バンドパス特性を示す光反射フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
前記光反射フィルタは、前記第1の導光路から入射した前記パルスの所定の波長スペクトルの光電力の短波長部分の波長の成分のみを反射して、前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させる
レーザパルス発生装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/061244 WO2009153875A1 (ja) | 2008-06-19 | 2008-06-19 | レーザパルス発生装置およびその方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4612737B2 true JP4612737B2 (ja) | 2011-01-12 |
JPWO2009153875A1 JPWO2009153875A1 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=41433805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009535159A Expired - Fee Related JP4612737B2 (ja) | 2008-06-19 | 2008-06-19 | レーザパルス発生装置およびその方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8073018B2 (ja) |
JP (1) | JP4612737B2 (ja) |
WO (1) | WO2009153875A1 (ja) |
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2008
- 2008-06-19 WO PCT/JP2008/061244 patent/WO2009153875A1/ja active Application Filing
- 2008-06-19 JP JP2009535159A patent/JP4612737B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-19 US US12/665,636 patent/US8073018B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP2007035661A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Kochi Univ Of Technology | 短光パルス発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8073018B2 (en) | 2011-12-06 |
JPWO2009153875A1 (ja) | 2011-11-24 |
WO2009153875A1 (ja) | 2009-12-23 |
US20100195682A1 (en) | 2010-08-05 |
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---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101012 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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