JP4612737B2 - レーザパルス発生装置およびその方法 - Google Patents

レーザパルス発生装置およびその方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4612737B2
JP4612737B2 JP2009535159A JP2009535159A JP4612737B2 JP 4612737 B2 JP4612737 B2 JP 4612737B2 JP 2009535159 A JP2009535159 A JP 2009535159A JP 2009535159 A JP2009535159 A JP 2009535159A JP 4612737 B2 JP4612737 B2 JP 4612737B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse
laser beam
light guide
laser
generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009535159A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2009153875A1 (ja
Inventor
弘二 野中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kochi University of Technology
Original Assignee
Kochi University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kochi University of Technology filed Critical Kochi University of Technology
Application granted granted Critical
Publication of JP4612737B2 publication Critical patent/JP4612737B2/ja
Publication of JPWO2009153875A1 publication Critical patent/JPWO2009153875A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/146External cavity lasers using a fiber as external cavity
    • H01S5/147External cavity lasers using a fiber as external cavity having specially shaped fibre, e.g. lensed or tapered end portion
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10038Amplitude control
    • H01S3/10046Pulse repetition rate control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/1067Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using pressure or deformation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0064Anti-reflection components, e.g. optical isolators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
    • H01S5/0656Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06821Stabilising other output parameters than intensity or frequency, e.g. phase, polarisation or far-fields

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、レーザ光線のパルスを発生するレーザパルス発生装置およびその方法に関する。
例えば、特許文献1は、偏光保持光ファイバを用い、半導体レーザに出射光の一部を帰還(feed back)するレーザパルス発生装置を開示する。
また、例えば、非特許文献1は、偏光保持FBG(Polarization Maintaining Fiber Bragg Grading)を用いて偏光を保持した光帰還光路長による精密なOFDR(Optical Frequency Domain Reflectometry)計測の手法を開示する。
日本国特許公開第2007−35661号公報 「偏波保持FBGを用いた偏波多重OFDR計測(Polarization Division Multiplexing Measurement of Optical Frequency Domain Reflectometry Using Polarization Maintaining Fiber Bragg Grating,大道他,2008年電子情報通信学会総合大会,エレクトロニクス講演論文集1,C−3−78,2008年3月18日〜21日,北九州市)」
本願発明にかかるレーザパルス発生装置の発明は、上記背景からなされたものであって、その1つの実施形態は、特殊な外部光注入条件によるレーザの特性変化を活用し、レーザ光線発生装置と、駆動装置と、第1の導光路と、光フィルタと、第2の導光路と、反射装置とを有するレーザパルス発生装置であって、前記レーザ光線発生装置は、駆動されて、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記第1の導光路に出射し、前記駆動装置は、レーザ光線発生装置を駆動してレーザ光線のパルスを発生させ、前記第1の導光路は、前記レーザ光線発生装置と前記光フィルタとの間で前記パルスを導き、前記光フィルタは、前記第1の導光路から入射した前記パルスの所定の波長スペクトルを通過させて前記第2の導光路に出射し、前記第2の導光路から入射した前記パルスの所定の波長スペクトルを通過させて前記第1の導光路に出射し、前記第2の導光路は、前記光フィルタと反射装置との間で前記パルスを導き、前記反射装置は、前記第2の導光路により導かれたパルスの光電力の一部のみを反射して、前記第2の導光路、前記光フィルタおよび前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させるように構成されている。
また、本願発明にかかるレーザパルス発生装置の発明のその他の実施形態は、レーザ光線発生装置と、駆動装置と、第1の導光路と、光反射フィルタとを有するレーザパルス発生装置であって、前記レーザ光線発生装置は、駆動されて、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記第1の導光路に出射し、前記駆動装置は、レーザ光線発生装置を駆動してレーザ光線のパルスを発生させ、前記第1の導光路は、前記レーザ光線発生装置と前記光反射フィルタとの間で前記パルスを導き、前記光反射フィルタは、前記第1の導光路から入射した前記パルスの所定の波長スペクトルの光電力の一部のみを反射して、前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させるように構成されている。
[要約]
本願にかかるレーザパルス発生装置の一実施形態は、半導体レーザ素子と、偏光保持光ファイバと、偏光保持光ファイバと、張力を変更することにより通過帯域を変更可能なFBGを用いたバンドパス特性を示す光反射フィルタと、偏光保持光ファイバと、反射装置と、通常の光ファイバと、光アイソレータとが、ここに示した順番で、必要に応じてコネクタなどを用いて、レーザ光線を導くことができるように接続されて構成される。
半導体レーザ素子を駆動する駆動回路は、半導体レーザ素子に時間幅が狭いパルスを発生させ、偏光保持光ファイバに出射させる。
半導体レーザ素子から出射したパルスは、偏光保持光ファイバに接続された光ファイバを介して、光反射フィルタに導かれる。
光反射フィルタは、パルスのチャープにより広がった波長スペクトラムの内、特定の成分を通過させてフィルタリングを行い、フィルタリングしたパルスの光電力の一部を、偏光保持光ファイバを介して、半導体レーザ素子に帰還する。
また、光反射フィルタは、パルスの光電力の大部分を反射せずに通過させ、光ファイバおよび光アイソレータを介して、外部に出力する。
本願にかかるレーザパルス発生装置の他の実施形態は、半導体レーザ素子と、偏光保持光ファイバと、光フィルタと、偏光保持光ファイバと、通常の光ファイバと、光アイソレータとが、ここに示した順番で、必要に応じてコネクタなどを用いて、レーザ光線を導くことができるように接続されて構成される。
この実施形態で用いられる光フィルタは、張力を変更することにより、通過帯域を変更可能なFBGを用いることによりバンドパスフィルタとしての機能と、入射したパルスの光電力の一部を反射する機能とを兼ね備えている。
半導体レーザ素子を駆動する駆動回路は、半導体レーザ素子に時間幅が狭いパルスを発生させ、偏光保持光ファイバに出射させる。
半導体レーザ素子から出射したパルスは、偏光保持光ファイバに接続された光ファイバを介して、光フィルタに導かれる。
光フィルタは、パルスをフィルタリングし、その一部を半導体レーザ素子に帰還し、その他を、偏光保持光ファイバ、通常の光ファイバおよび光アイソレータを介して外部に出力する。
このような構成によっても、本願にかかるレーザパルス発生装置の上記一実施形態と同様な品質のレーザ光線のパルスが得られる。
本願特許請求の範囲にかかる発明の技術的利点およびその他の技術的利点は、図面に示される実施形態の詳細な説明を読みことにより、当業者に明らかとされるであろう。
添付図面は、本願明細書に組み込まれて、その一部をなし、本願特許請求の範囲にかかる発明の実施形態を図示しており、その説明とともに、本発明の原理を説明する役割を果たす。
本願明細書中で参照される図面は、特に断らない限り、一定の縮尺で描かれているわけではないと解されるべきである。
本願特許請求の範囲にかかる発明の実施形態は、その構成および動作に関して、以下の説明を、図面とともに参照することにより、最もよく理解されるであろう。
図1は、半導体レーザ素子に対するレーザ光線のパルスの帰還を例示する図であって、(A)は、単位時間あたりのパルス発生の繰り返し回数が比較的少ない場合を示し、(B)は、単位時間あたりのパルス発生の繰り返し回数が比較的多い場合を示す。 半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還の有無に応じて得られるパルス波形を例示する図であって、(A)は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還がないときに得られるパルス波形を示し、(B)は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還があるときに得られるパルス波形を示す。 半導体レーザ素子から出力されるパルスの発生の1秒あたりの繰り返し回数と、ジッタ値との関係を示す図表であって、図中の複数の四角で示す点が、ある一定の光帰還ファイバ長において、パルスの品質が好適になる条件下のジッタ値と周波数の群を示し、図中に複数の星印が示す点が、それよりわずかに長い帰還ファイバ長において、パルスの品質が好適になる条件下のジッタ値と周波数の群を示す。 レーザ光線のパルスの所望の波形の概容(実線)と、図1〜図3を参照して説明したパルスの帰還を行って得られる実際のパルスの波形の概容(破線)とを例示する図である。 半導体レーザ素子に帰還されるレーザ光線のパルスの波長スペクトルの概容を示す図であって、(A)は、帯域制限がなされていないパルスに含まれる波長スペクトルを示し、(B)は、帯域制限がなされた帰還パルスに含まれる波長スペクトルを示す。 本発明の実施形態を示す第1の図であって、第1のレーザパルス発生装置の構成を示す。 図6に示した第1のレーザパルス発生装置の動作を示す図である。 本発明の実施形態を示す第2の図であって、第2のレーザパルス発生装置の構成を示す。 (A)は、図8に示したタイミング調整部の断面図を例示する図であり、図9(B)は、FBGフィルタの構成を例示する図である。 図8に示した第2のレーザパルス発生装置の調整方法を示す図である。
以下、本願特許請求の範囲にかかる発明の実施形態が、詳細に説明される。
本願特許請求の範囲にかかる発明の実施形態は、添付図面に例示されている。
本願特許請求の範囲にかかる発明は、実施形態に関連して説明されるが、この実施形態は、本願特許請求の範囲にかかる発明を、その開示内容に限定することを意図しないことが、当業者に理解されよう。
逆に、本願特許請求の範囲にかかる発明は、本願特許請求の範囲によって規定される発明の精神、および、本願特許請求の範囲内に含まれ得る代替物、変更および均等物を包含することを意図している。
また、本願特許請求の範囲にかかる発明の説明は、本願特許請求の範囲にかかる発明を充分に理解可能なように、具体的に、また、詳細になされる。
しかしながら、当業者に明らかなように、本願特許請求の範囲にかかる発明は、これら具体的に、また、詳細に説明された事項の全てを用いなくては、実施され得ないということはない。
なお、既知のコンポーネントおよび回路は、本発明の態様を不必要に分かりにくくすることがないように、詳細には記載されていないことがある。
しかし、留意すべきであるが、これらおよび類似のすべての用語は適当な物理量に関連づけられるべきものであり、これらの量に付けられた単に便宜的なラベルである。
[本願発明の実施形態がなされるに至った経緯]
まず、本願発明の実施形態の理解を助けるために、それがなされるに至った経緯を説明する。
図1は、半導体レーザ素子に対するレーザ光線のパルスの帰還を例示する図であって、(A)は、単位時間あたりのパルス発生の繰り返し回数が比較的少ない場合を示し、(B)は、単位時間あたりのパルス発生の繰り返し回数が比較的多い場合を示す。
図2は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還の有無に応じて得られるパルス波形を例示する図であって、(A)は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還がないときに得られるパルス波形を示し、(B)は、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還があるときに得られるパルス波形を示す。
図1(A),(B)に示すように、ある時点で半導体レーザ素子(例えば、利得スイッチングによる直接変調が可能な半導体レーザダイオード;gain switched laser diode)により発生され、出射されたレーザ光線のパルスの一部を反射して、その後のパルスの発生の直前に、半導体レーザ素子に戻すことにより、半導体レーザ素子へのパルスの帰還が実現される。
なお、図1(A),(B)を参照すると分かるように、いずれの場合であっても同じ光帰還光路長で好適な条件が満たされる。
この帰還により、図2(A)に示すように、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還がないときに得られるパルスに生じていた時間変動ジッタ(Time Jitter;以下、ジッタと記す)を大幅に減らすことができ、図2(B)に示すように、繰り返し発生するパルスのタイミングや波形にばらつきがない、きれいな波形の高品位なパルスを得ることができる。
帰還のための外部から半導体レーザ素子への光の注入は、注入される光の波長が、半導体レーザ共振器それぞれが有するモードに共鳴する波長の範囲内でないと、効率的に行われ得ないが、半導体レーザ素子自体が発生したパルスを帰還することにより、おおむねこの条件は満たされる。
なお、上記帰還においては、半導体レーザ素子へ帰還されるレーザ光線のパルスの光電力は、数マイクロワット程度とすべきであり、レーザ光線の偏光は、TEモードに保持されなければならない。
これらの条件を満たすことにより、半導体レーザ素子へのレーザ光線のパルスの帰還は、非常に簡単に、しかも、非常に安価に実現され、しかも、レーザ光線のパルスの品質を大幅に高めることができる。
半導体レーザ素子から出力されるパルスの発生の1秒あたりの繰り返し回数(単位GHz;以下、パルス周波数と記す)と、ジッタ値(単位ps)との関係を示す図表であって、図中の複数の四角で示す点が、ある一定の光帰還ファイバ長において、パルスの品質が好適になる条件下のジッタ値と周波数の群を示し、図中に複数の星印が示す点が、それよりわずかに長い帰還ファイバ長において、パルスの品質が好適になる条件下のジッタ値と周波数の群を示す。
上記帰還においては、レーザ光線を反射して半導体レーザ素子に帰還する反射部分と半導体レーザ素子との間の光路長が長いときには、ある時点で発生されたパルス列は、この時点から長い時間が経過した後に発生されるパルス列に対して帰還され、影響を与えることになる。
従って、図1(A),(B)に示したように、パルスのパルス周波数が変わっても、図3に示すように、上記光路長を少し変更するだけで、上記ジッタを軽減するために適合した条件が、パルスのパルス周波数の変更前と同様に得られる。
このことについて、具体例を挙げてさらに説明する。
例えば、パルスのパルス周波数が1GHzであり、上記光路として、ループに巻かれた10mの偏光保持(PM)光ファイバ(fiber-pigtail-code;光路長100m)が用いられたときには、あるパルスは、100個後のパルスに対して帰還される。
同様に、パルスのパルス周波数が1.01GHzであり、上記光路として、10mのPM光ファイバが用いられたときには、あるパルスは、101個後のパルスに対して帰還されるので、パルスのパルス周波数を1GHzから1.01GHzに変更しても、パルスの帰還によるジッタの軽減効果が得られる。
ここで、長い光ファイバのループの直径を少し変化させて張力(テンション)を変え、張力の変化に応じて光路長を少し変更することにより、パルスを半導体レーザ素子に帰還するタイミングを調整することにより、パルス周波数を、1GHzよりもわずかに高い周波数に調整することも、1.01GHzよりわずかに低い周波数に調整することもできる。
この調整により、必要とするさまざまなパルス周波数のパルスのジッタおよび強度変化(intensity fluctuation)が軽減されうる。
図3において、四角印を付して示される点は、光ファイバの長さ1mでのテンションを与えない場合に好適な条件群を示し、星印を付して示される点は、光ファイバの長さをわずかにテンションを与えて伸張させた場合に好適な条件群を示す。
図3に示すように、光ファイバにテンションを与えるか否かにより現れる好適条件群は、互いにわずかに異なり、繰り返し現れる。
従って、使用者は、実際に用いるパルス周波数において好適な条件が得られるように、光ファイバに与えるテンションを変えることにより、簡単に調整を行うことができる。
また、ジッタを軽減する帰還の条件を調節することにより、半導体レーザ素子における電荷濃度、および、半導体レーザ素子に対する直接変調による屈折率の変化に起因する動的なチャーピング(dynamic chirping)をも、多少、抑制することができる。
半導体レーザ素子に帰還されるパルスが、発振キャビティ(cavity)において選択される波長のレーザ光線の光子の数を増やし、他の波長のレーザ光線の発振の種および他の波長の誘導放出のための電荷の変動が抑えられるからである。
図4は、レーザ光線のパルスの所望の波形の概容と、図1〜図3を参照して説明したパルスの帰還を行って得られる実際のパルスの波形の概容とを例示する図である。
例えば、高速光通信装置用の光測定装置の光源としては、図4に実線で示すような、立ち上がり部分の波形と立ち下がり部分の波形とが対称なレーザ光線のパルスが望ましい。
なお、図4などに示された波形の概容と、図2などに示された実測波形とは反転した関係にあるが、以下の説明におけるパルス波形の立ち上がりおよび立ち下がりは、図4に示されたパルス波形が基準とされる。
しかしながら、従来のレーザ光線のパルスは、図4に点線で示すように、キャリア密度の変動と共振器長の変動の組み合わせによる動的波長のチャーピングシフトを含んでおり、パルスの前半の波長(λ1)と後半の波長(λ2〜λ4)とは、少し異なっている。
さらに、図4に点線で示すパルスの波形の後半は、パルスの波形の前半の立ち上がり(turn on)部分と対称ではなく、その立ち下がり(turn off)の傾斜が緩くなったサイドローブ(side robe)およびペデスタル(台;pedestal)を含んでいる。
このチャーピング、それに起因するパルス後半でのサイドローブ、ペデスタルは、そのままでは元のパルス幅や立ち上がりたち下がりに比較してさほど大きな比率で影響を与えない。
しかしながら、これらは、光パルスを波長分散補正による線形圧縮やスペクトル拡張による非線形圧縮でさらに短パルス化する波形処理を行うときに、理想的圧縮過程に従わないので、波形整形の品質に大きな悪影響を与えてしまう。
つまり、半導体レーザ素子に帰還されるレーザ光線のパルスもまた、図4に示したパルスの前半と後半での波長の差、および、波形のサイドローブおよびペデスタルを含んでいるので、半導体レーザ素子に帰還されるパルスもまた、半導体レーザ素子が発生するパルスの後半の波長の変動および波形に影響を与えてしまう。
つまり、図1〜図3を参照して説明したパルスの半導体レーザ素子への直接的帰還を行っただけでは、所望の波形は得られない。
以下に説明する本願発明の実施形態は、以上説明したような経緯でなされ、半導体レーザ素子に帰還されるパルスの波長を選択することにより、図4に示した半導体レーザ素子が発生するパルスの後半の波長および波形の変動を抑えることができるように工夫されている。
図5は、半導体レーザ素子に帰還されるレーザ光線のパルスの波長スペクトルの概容を示す図であって、(A)は、帯域制限がなされていないパルスに含まれる波長スペクトルを示し、(B)は、帯域制限がなされた帰還パルスに含まれる波長スペクトルを示す。
以下に説明するように、具体的には、本願発明の実施形態は、図5(A)に示すように、波長スペクトルλ1〜λ4を含むレーザ光線のパルスから、図5(B)パルスの波形の前半の部分の波長スペクトルλ1のみを選択し、半導体レーザ素子に帰還するように構成されている。
このように、レーザ光線のパルスの波形の前半部分の波長スペクトルλ1のみを選択的に、タイミングを調整して半導体レーザ素子に帰還することにより、パルスの波形の立ち上がり及び立ち下がりがより急峻となり、図4に示したパルスの前半と後半での波長の差、および、波形のサイドローブおよびペデスタルが改善される(よりトランスフォームリミットに近い光パルスとなる)。
[本願発明の実施形態]
以下、本願発明の実施形態を説明する。
図6は、本発明の実施形態を示す第1の図であって、第1のレーザパルス発生装置1の構成を示す。
図6に示すように、第1のレーザパルス発生装置1は、発信器10(駆動装置)、レーザダイオードモジュール(LDモジュール;レーザ光線発生装置)12、PM光ファイバ14−1〜14−3(第1〜第5の導光路)、コネクタ16−1,16−2、任意・通常の光ファイバ18−1,18−2、光フィルタ20、部分反射器22(反射装置)および光アイソレータ24から構成される。
なお、以下、光ファイバ18−1,18−2など、複数ある構成部分を総称して、単に光ファイバ18などと記すことがある。
また、以下の各図において、実質的に同じ構成部分には、同じ符号が付される。
発信器10は、LDモジュール12を駆動して、レーザ光線のパルスを発生させる。
LDモジュール12は、例えば、利得のスイッチング法による直接変調が可能なバタフライ型レーザーダイオードモジュール、より安価で単純なTOSA型モジュール、あるいは、半導体励起固体レーザ(DPSS)であって、発信器10により駆動されてレーザ光線のパルスを発生し、PM光ファイバ14に対して出射する。
また、LDモジュール12は、PM光ファイバ14−1〜14−3および光フィルタ20を介して帰還されるパルスを受け入れる。
PM光ファイバ14−1は、PM光ファイバ14−2とコネクタ16−1により接続され、LDモジュール12とコネクタ16−1との間で、パルスを、その偏光を保持して導く。
なお、PM光ファイバ14−1,14−3は、LDモジュール12がパルスを発生する直前に、先のパルスがLDモジュール12に帰還されるようにタイミングを合わせるために、適切な長さとされる。
なお、パルス周波数が連続的に変更されるときには、PM光ファイバ14−1,14−3の長さをわずかずつ、精密に調整する必要がある。
このような調整は、PMファイバ14−1,14−3を、与えられたテンションに応じて伸縮させることにより可能とされる。
図7は、図6に示した第1のレーザパルス発生装置1の動作を示す図である。
PM光ファイバ14−2は、PM光ファイバ14−1と光フィルタ20とに接続され、これらの間でパルスを導く。
光フィルタ20は、例えば、通過帯域を調整可能な狭帯域のバンドパス特性を示すFP(Fabry-Perot)フィルタであって、PM光ファイバ14−2から入射するパルスの波長スペクトルの内、図4などに示したパルスの前半の波長スペクトル(発振波長の短波長部分)のみを通過させてPM光ファイバ14−3に出射する。
また、光フィルタ20は、PM光ファイバ14−3から入射するパルスの波長スペクトルの内、図4などに示したパルスの前半の波長スペクトルのみを通過させてPM光ファイバ14−2に出射する。
なお、光フィルタ20が出力するパルスは、図7(b−1)に示すLDモジュール12が出射するレーザ光線の波長スペクトルと、図7(b−3)に示す光フィルタ20の特性とを乗算した波長スペクトルを含む。
なお、光フィルタ20は、図7(b−3)に示すように、狭帯域を実現するために同じフィネス(finess;ピーク間隔あたりの透過帯域の急峻さ)で通過帯域幅を狭くするために用いられるエタロン(Etalon)型フィルターの特性であっても、通過波長のピークが1つの特性であってもよい。
このように櫛形の特定を示すエタロン型光フィルタは、作成が難しいが、エタロン型光フィルタの採用は、その櫛型特性をわずかにシフトさせることにより、LDモジュール12の異なる発振波長の他のLDモジュールへの変更に対応できるという利点をもたらす。
PM光ファイバ14−3は、光フィルタ20と接続され、光ファイバ18−1と、コネクタ16−2内に収容された部分反射器22を介して接続され、光フィルタ20と光ファイバ18−1との間でパルスを導く。
部分反射器22は、コネクタ16−2において、PM光ファイバ14−3と光ファイバ18−1の端面の間に挟まれるように配設される。
部分反射器22は、例えば、コネクタ16−2に収容可能な形状のガラス板に、高屈折率素材を蒸着させた薄膜(DLC膜)により、図7(b−2)に示す特性で、PM光ファイバ14−3から入射したパルスの95〜99.5%(特定的には、例えば98%)を通過させて光ファイバ18−1に出射する。
また、部分反射器22は、通過させたパルス以外を反射して、PM光ファイバ14−3に対して出射する。
光ファイバ18−1は、PM光ファイバ14−3と光アイソレータ24とを接続し、光アイソレータ24とPM光ファイバ14−3との間でパルスを導く。
光アイソレータ24は、光ファイバ18−1から入射したパルスを、光ファイバ18−2に対して出射し、光ファイバ18−2から入射した光が、PM光ファイバ14−3側に入射することを防ぎ、光ファイバ18−1から出射したパルスが、LDモジュール12から部分反射装置22までのレーザパルス発生装置1の構成部分に反射して戻らないようにする(隔離する)。
光ファイバ18−2に入射したパルスは、例えば、光測定装置に導かれ、測定のための光源として用いられる。
[第1のレーザパルス発生装置1の全体動作]
以下、図6に示した第1のレーザパルス発生装置1の全体的な動作を説明する。
図7(a)に示すように、発信器10は、LDモジュール12を駆動して、0.6〜0.7nm程度の波長スペクトル幅のレーザ光線のパルスを発生させ、PM光ファイバ14−1に出射する。
図7(b−1)に示すように、PM光ファイバ14−1は、コネクタ16−1を介してPM光ファイバ14−2に、入射したパルスの偏光を保持して出射する。
また、PM光ファイバ14−1は、LDモジュール12へのパルスの帰還のタイミングを調整する。
光フィルタ20は、入射したパルスを、図7(b−3)に示したような特性でフィルタリングし、パルスの前半の波長スペクトル(λ1;図4など)を通過させ、PM光ファイバ14−3に対して出射する。
PM光ファイバ14−3は、光フィルタ20から入射したパルスを、コネクタ16−2に内蔵された部分反射器22に出射する。
部分反射器22は、図7(b−2)に示したような特性で、PM光ファイバ14−3から入射したパルスの例えば98%を通過させて光ファイバ18−1に出射し、残りを反射してPM光ファイバ14−3に戻す。
光ファイバ18−1は、光アイソレータ24および光ファイバ18−2を介して、入射したパルスを外部に対して出力する。
一方、部分反射器22により反射されたパルスは、PM光ファイバ14−3、光フィルタ20、PM光ファイバ14−2およびPM光ファイバ14−1を介して、LDモジュール12がパルスを発生する直前にLDモジュール12に帰還される。
以上説明したLDモジュール12へのパルスの帰還により、パルスの波長スペクトル幅は、図7(a)に示した0.6〜0.7nm程度から、図7(c)に示す0.3〜0.4nm程度に狭められて、レーザパルス発生装置1から出力される。
[第2のレーザパルス発生装置2]
以下、本発明の他の実施形態として、第2のレーザパルス発生装置2を説明する。
図8は、本発明の実施形態を示す第2の図であって、第2のレーザパルス発生装置2の構成を示す。
図9(A)は、図8に示したタイミング調整部32,34の断面図を例示する図であり、図9(B)は、FBGフィルタ30の構成を例示する図である。
図8に示すように、第2のレーザパルス発生装置2は、第1のレーザパルス発生装置1に、PM光ファイバ14−1,14−2に、コイル状の第1および第2のタイミング調整部32,34を付加した構成をとる。
また、第2のレーザパルス発生装置2においては、第1のレーザパルス発生装置1における光フィルタ20および部分反射装置22が、これらの機能を兼ね備えたFBGを用いて、偏光保持および反射光に対するバンドパス特性を実現した反射型のFBGフィルタ30(光反射フィルタ)で置換されている。
図9(A)に示すように、タイミング調整部32,34は、中央に間隔を変更可能な間隙が設けられたドラム320,340に、PM光ファイバ14−1,14−2が巻き付けられた構成をとる。
タイミング32,34においては、ドラム320,340の間隙の間隔を広くすることにより、PM光ファイバ14−1,14−2にかけられるテンションが強くなり、PM光ファイバ14−1,14−3が引き延ばされ、長くなる。
反対に、ドラム320,340の間隙の間隔を狭くすることにより、PM光ファイバ14−1,14−2にかけられるテンションが弱くなり、PM光ファイバ14−1,14−3が元の長さに戻り、短くなる。
例えば、ドラム320,340に巻かれるPMファイバ14−1,14−2の長さを10m程度とすると、ドラム320,340の間隙の間隔の調整により、光路長を数cm〜十数cm程度、調整することができる。
また、図9(B)に示すように、FBGフィルタ30は、FBG300が、中央に間隙を空けて配置された基板302−1,302−2に貼り付けられ、基板302−1,302−2の間は、形状記憶合金を材料とするアクチュエータ304−1,304−2で固定される。
アクチュエータ304−1,304−2の近傍には、ヒータ306−1,306−2が配設される。
ヒータ306−1,306−2によりアクチュエータ304−1,304−2を加熱したり、加熱を止めたりすることにより、アクチュエータ304−1,304−2の形状が変化し、基板302−1,302−2の間隙の間隔が変化し、FGB300に与えられるテンションが調整される。
なお、図9(A)に示したように、第1および第2のタイミング調整部32,34のドラム320,340の間隙の間隔を広くすると、PM光ファイバ14−1,14−2が伸びて、パルスに与えられる遅延が大きくなる。
この反対に、ドラム320,340の間隙を短くすると、PM光ファイバ14−1,14−2が縮んで、パルスに与えられる遅延が小さくなる。
このように、タイミング調整部32,34によりPM光ファイバ14−1,14−2の長さを調節することにより、LDモジュール12へのパルスの帰還のタイミングが調整すされる。
また、FBGフィルタ30は、図9(B)に示した構成により、FBG300の長軸方向に加えられる張力を1%以下、変更することにより、通過帯域を変更することができる。
つまり、FBG300の長軸方向に与えられる張力を強くすることにより、通過帯域が長波長側に移され、弱くすることにより、通過帯域が短波長側に移される。
[第2のレーザパルス発生装置2の調整方法]
以下、レーザパルス発生装置2の調整方法を説明する。
図10は、図8に示した第2のレーザパルス発生装置2の調整方法を示す図である。
なお、図10において、(a−1)は、LDモジュール12が発生したパルスの波長スペクトルを示し、(a−2)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30による反射光に対するフィルタリングなしでLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波長スペクトルを示す。
また、図10においてし、(b−1)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30により反射光をフィルタリングしてLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波形を示し、(b−2)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30による反射光に対するフィルタリングなしでLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波形を示す。
また、図10において、(c)は、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30により反射光をフィルタリングしてLDモジュール12に帰還することにより得られるパルスの波長スペクトルを示す。
まず、レーザパルス発生装置2から出力されるパルスを、5GHz程度の周波数の光信号の波形観測が可能なオシロスコープおよびスペクトルアナライザで観測する。
図2(A)に示したようにパルスに生じる時間変動が、図2(A),(B)および図10(c)に示すように軽減されるように、図9(A)に示したタイミング調整部32,34のドラム320,340の間隙の間隔が調整される。
次に、図10(b−2)に示すレーザパルス発生装置2から出力されるパルス波形の立ち下がりが、図10(b−1)に示すように、最も急峻になるように、図9(B)に示したFBGフィルタ30のFBG300に与えられる張力が調整される。
パルス波形の立ち下がりを最も急峻とし、チャーピングおよびペデスタルを最少とするためには、通常、FBGフィルタ30の反射光の通過帯域の中心は、発振波長ピークから半値幅で50〜70%短波長部分(なにも処理を施さないパルスの波長のピークから0.1〜0.15nm短い波長)となる。
光電力の一部を、FBGフィルタ30で反射光をフィルタリングしてLDモジュール12に帰還することにより得られたパルスの波形(図10(b−1))と、パルスの光電力の一部を、FBGフィルタ30による反射光に対するフィルタリングなしでLDモジュール12に帰還することにより得られたパルスの波形(図10(b−2))とを比較すると分かるように、以上の調整により、パルスの波形の立ち下がりが改善される。
このチャーピング、それに起因するパルス後半でのサイドローブ、ペデスタルは、そのままでは、元のパルス幅や立ち上がりたち下がりに比較して、さほど大きな比率で影響を与えていないように見えるが、これらは、理想的圧縮過程に従わないので、光パルスを、波長分散補正による線形圧縮やスペクトル拡張による非線形圧縮でさらに短パルス化する波形処理を行うときに、波形整形の品質に大きな悪影響を与えてしまう。
従って、図10(b−1)に示す波形における改善により、光パルスの活用における大きく重要な問題が解決される。
このように適切に調整されたレーザパルス発生装置2は、レーザパルス発生装置1(図6)と同様に、LDモジュール12で発生されたレーザー光線のパルスの波形を改善し、波長スペクトラムも狭まり出力される。
このように適切に調整されたレーザパルス発生装置2により、レーザパルス発生装置1(図6)よってと同様に、LDモジュール12で発生されたレーザ光線のパルスの波形が改善され、波長スペクトルを狭まって出力される。
図10(a)に示された無帰還時のLDモジュール12が発生するパルスの周波数成分と、図10(c)に示されたFBGフィルタ30を用いた帰還が行われたときのパルスの波長スペクトルとを参照すると容易に理解できるように、部分反射器22のみを用いてパルスをLDモジュール12に帰還した場合(図10(a))のパルスの波長スペクトル幅が、0.7nm程度から0.52nm程度に改善されるに過ぎない。
これに対して、第1および第2のレーザパルス発生装置1,2(図6,図8)において、光フィルタ20および部分反射器22が併用されると(図10(c))、パルスの波長スペクトル幅が、0.7nm程度から0.36nm程度に、大幅に改善される。
また、同様に、部分反射器22のみが用いられた場合と、光フィルタ20および部分反射器22が併用された場合とを比較すると、図10(b)に示すように、パルスの立ち下がりの波形が大幅に改善され、発振スペクトル広がりも大幅に狭くなっている
また、第1のレーザパルス発生装置1において用いられた光フィルタ20(FPフィルタ)と部分反射装置22に比べて、第2のレーザパルス発生装置2において用いられたFBGフィルタ30によれば、2つの異なる構成部分の機能が、単一の構成部分で実現されるので、調整が容易となり、第2のレーザパルス発生装置2の装置規模が小さくなる。
また、第1のレーザパルス発生装置1においては、帰還のタイミング調整のために、PM光ファイバ14−1,14−3の長さの変更を要するが、第2のレーザパルス発生装置2においては、パルスをLDモジュール12に帰還するタイミングの調整に用いる長尺の光ファイバーの光路長の調整が、コンパクトなタイミング調整部32,34の直径変更のみ実現される。
従って、帰還のタイミング調整のために、PM光ファイバ14−1,14−3の長さを細かく変更しなければならない第1のレーザパルス発生装置1におけるパルス帰還のタイミング調整に比べて、第2のレーザパルス発生装置2においては、精密で連続的なパルス帰還のタイミング調整が実現される。
[第2のレーザパルス発生装置2の全体動作]
以下、第2のレーザパルス発生装置2の全体的な動作を説明する。
図7(a)に示したように、第2のレーザパルス発生装置2においても、発信器10は、LDモジュール12を駆動して、0.6〜0.7nm程度の波長スペクトル幅のレーザ光線のパルスを発生させ、PM光ファイバ14−1に出射する。
図7(b−1)に示したように、PM光ファイバ14−1は、コネクタ16−1を介してPM光ファイバ14−2に、入射したパルスの偏光を保持して出射する。
PM光ファイバ14−2は、入射したパルスの変更を保持してFBGフィルタ30に対して出射する。
FBGフィルタ30は、FBGフィルタ30は、PM光ファイバ14−2から入射したパルスの例えば98%を通過させて光ファイバ18−1に出射し、残りを反射する。
また、FBGフィルタ30は、図7(b−3)に示したような特性で、PM光ファイバ14−2から入射したパルスの反射光をフィルタリングし、パルスの前半の短波長スペクトルを通過させ、PM光ファイバ14−3に対して出射する。
なお、FBGフィルタ30は、反射したパルスに対してのみバンドパス特性を示し、通過させたパルスに対しては、ほとんどバンドパス特性を示さない。
PM光ファイバ14−3は、光フィルタ20から入射したパルスを、コネクタ16−2を介して接続された光ファイバ18−1に出射する。
光ファイバ18−1は、光アイソレータ24および光ファイバ18−2を介して、入射したパルスを外部に対して出力する。
一方、FBGフィルタ30により反射されたパルスは、PM光ファイバ14−2,14−1を介して、LDモジュール12がパルスを発生する直前にLDモジュール12に帰還される。
以上説明したLDモジュール12へのパルスの帰還により、パルスの波長スペクトル幅は、図7(a)に示した0.6〜0.7nm程度から、図7(c)に示す0.3〜0.4nm程度に狭められて、レーザパルス発生装置2から出力される。
上記実施形態は、例示および説明のために提示されたものであって、本願特許請求の範囲にかかる発明の実施形態の全てを網羅していない。
また、上記実施形態は、本願特許請求の範囲にかかる発明の技術的範囲を、その開示内容に限定することを意図しておらず、その開示内容に照らして、様々に変更され、変形されうる。
また、上記実施形態は、本願特許請求の範囲にかかる発明の原理およびその実際的な応用を最もよく説明できるように選択され、記載されているので、当業者は、上記実施形態の開示内容に基づいて、本願特許請求の範囲にかかる発明およびその実施形態を、ありうべき全ての実際の用途に最適とするための種々の変更を加えて利用することができる。
また、本願特許請求の範囲にかかる発明の技術的範囲は、その記載および均等物によって画定されるように意図されている。
例えば、PM光ファイバ14および光ファイバ18は、第1および第2のレーザパルス発生装置1,2が、同等の性能を発揮できる限りにおいて、ガラス板あるいはプラスティックの導光手段に置換されうる。
また、第1および第2のレーザパルス発生装置1,2において、光フィルタ20およびFBGフィルタ30は、第1および第2のレーザパルス発生装置1,2が、同等の正方を発揮できる限りにおいて、DLC、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、オールパスフィルタおよびこれらの2つ以上の組み合わせに置換されうる。
また、第1のレーザパルス発生装置1は、第2のレーザパルス発生装置2と同様に、PM光ファイバ14−1,14−2,14−3の内の1つ以上にタイミング調整部32を備えうる。
また、第2のレーザパルス発生装置2においては、PM光ファイバ14−3は、通常の光ファイバ18に置換されうる。
また、第2のレーザパルス発生装置2においては、PM光ファイバ14−1,14−2は、単一のPM光ファイバ14に置換されうる。
また、第2のレーザパルス発生装置2は、タイミング調整部32,34のいずれかのみを備えてもよい。
本願特許請求の範囲にかかる発明は、幅が狭いレーザ光線のパルスを発生するために利用されうる。
符号の説明
1,2・・・レーザパルス発生装置,
10・・・発信器,
12・・・LDモジュール,
14・・・PM光ファイバ,
16・・・コネクタ,
32,34・・・タイミング調整部,
320,340・・・ドラム,
18・・・光ファイバ,
20・・・光フィルタ,
22・・・部分反射器,
24・・・光アイソレータ,
30・・・FBGフィルタ,
300・・・FBG,
302・・・基板,
304・・・アクチュエータ,
306・・・ヒータ,

Claims (18)

  1. レーザ光線発生装置と、
    駆動装置と、
    第1の導光路と、
    光フィルタと、
    第2の導光路と、
    反射装置と
    を有するレーザパルス発生装置であって、
    前記レーザ光線発生装置は、駆動されて、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた前記第1の導光路に出射し、
    前記駆動装置は、レーザ光線発生装置を駆動してレーザ光線のパルスを発生させ、
    前記第1の導光路は、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを前記光フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
    前記光フィルタは、前記レーザ光線の短波長部分の波長スペクトルを通過させるバンドパスフィルタであって、前記第1の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて前記第2の導光路に出射し、前記第2の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて前記第1の導光路に出射し、
    前記第2の導光路は、前記光フィルタと反射装置との間で前記パルスを導き、
    前記反射装置は、前記第2の導光路により導かれたパルスの光電力の一部のみを反射して、前記第2の導光路、前記光フィルタおよび前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させる
    レーザパルス発生装置。
  2. 前記反射装置を通過したパルスを導く第3の導光路
    をさらに有する請求項1に記載のレーザパルス発生装置。
  3. 前記第1の導光路は、
    第4の導光路と、
    第5の導光路と
    を有し、
    前記第4の導光路は、前記レーザ光線発生装置と前記第5の導光路との間で、偏光を保持して前記パルスを導き、
    前記光フィルタと前記第4の導光路との間で、パルスを導く第5の導光路と
    を有する
    請求項1に記載のレーザパルス発生装置。
  4. 前記パルスの前記レーザ光線発生装置への帰還のタイミングは、前記パルスが、その後の前記パルスが発生される直前に、前記レーザ光線発生装置へ帰還されるように調整される
    請求項に記載のレーザパルス発生装置。
  5. 前記反射装置は、入射されたパルス光電力の0.5〜5%を反射する
    請求項1に記載のレーザパルス発生装置。
  6. 前記レーザ光線発生装置は、半導体レーザ素子または半導体励起固体レーザである
    請求項1に記載のレーザパルス発生装置。
  7. レーザ光線発生装置と、
    駆動装置と、
    第1の導光路と、
    光反射フィルタと
    を有するレーザパルス発生装置であって、
    前記レーザ光線発生装置は、駆動されて、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた前記第1の導光路に出射し、
    前記駆動装置は、レーザ光線発生装置を駆動してレーザ光線のパルスを発生させ、
    前記第1の導光路は、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを光反射フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
    前記光反射フィルタは、バンドパス特性を示し、前記第1の導光路から入射した前記パルスの所定の波長スペクトルの光電力の短波長部分の波長の成分のみを反射して、前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させる
    レーザパルス発生装置。
  8. 前記光反射フィルタを通過したパルスを導く第3の導光路
    をさらに有する請求項に記載のレーザパルス発生装置。
  9. 前記光反射フィルタは、前記第1の導光路と前記第3の導光路との間で前記パルスを導くFBGを用いて実現される
    請求項に記載のレーザパルス発生装置。
  10. 前記光反射フィルタが通過させる波長の成分は、前記FBGに対して加えられる張力の変更により変更されうる
    請求項に記載のレーザパルス発生装置。
  11. 前記FBGは、入射された前記パルスの偏光を保持する
    請求項に記載のレーザパルス発生装置。
  12. 前記第1の導光路は、
    第4の導光路と、
    第5の導光路と
    を有し、
    前記第4の導光路は、前記レーザ光線発生装置と前記第5の導光路との間で、偏光を保持して前記パルスを導き、
    前記光反射フィルタと前記第4の導光路との間で、パルスを導く第5の導光路と
    を有する
    請求項に記載のレーザパルス発生装置。

  13. 前記第4の導光路および前記第5の導光路またはこれらのいずれかは、光ファイバであって、保持部材の周囲に巻かれ、保持部材から光ファイバに与えられる張力の変更に応じて長さが変化し、前記パルスの前記レーザ光線発生装置への帰還のタイミングを調整する
    請求項12に記載のレーザパルス発生装置。
  14. 前記パルスの前記レーザ光線発生装置への帰還のタイミングは、前記パルスが、その後の前記パルスが発生される直前に、前記レーザ光線発生装置へ帰還されるように調整される
    請求項13に記載のレーザパルス発生装置。
  15. 前記反射装置は、入射されたパルス光電力の0.5〜5%を反射する
    請求項に記載のレーザパルス発生装置。
  16. 前記レーザ光線発生装置は、半導体レーザ素子または半導体励起固体レーザである
    請求項に記載のレーザパルス発生装置。
  17. レーザ光線発生装置を駆動して、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線のパルスを発生させて、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた第1の導光路に出射させ、
    前記第1の導光路により、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを、前記レーザ光線の短波長部分の波長スペクトルを通過させるバンドパス特性を示す光フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
    前記光フィルタにより、前記第1の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて第2の導光路に出射し、前記第2の導光路から入射した前記パルスの前記短波長部分の波長スペクトルを通過させて前記第1の導光路に出射し、
    前記第2の導光路により、前記光フィルタと反射装置との間で前記パルスを導き、
    前記反射装置により、前記第2の導光路により導かれたパルスの一部のみを反射して、前記第2の導光路、前記光フィルタおよび前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還する
    レーザパルス発生方法。
  18. レーザ光線発生装置を駆動して、所定の波長スペクトルを示すレーザ光線を発生して、前記レーザ光線発生装置に対して予め決められた方向に設けられた第1の導光路に出射させ、
    前記第1の導光路により、前記レーザ光線発生装置から前記方向から入射した前記パルスを、バンドパス特性を示す光反射フィルタに導き、前記レーザ光線発生装置に帰還される前記パルスの光電力の一部を、前記方向と逆の方向に、前記レーザ光線発生装置に導き、
    前記光反射フィルタは、前記第1の導光路から入射した前記パルスの所定の波長スペクトルの光電力の短波長部分の波長の成分のみを反射して、前記第1の導光路を介して、前記レーザ光線発生装置に帰還させる
    レーザパルス発生装置。
JP2009535159A 2008-06-19 2008-06-19 レーザパルス発生装置およびその方法 Expired - Fee Related JP4612737B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2008/061244 WO2009153875A1 (ja) 2008-06-19 2008-06-19 レーザパルス発生装置およびその方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP4612737B2 true JP4612737B2 (ja) 2011-01-12
JPWO2009153875A1 JPWO2009153875A1 (ja) 2011-11-24

Family

ID=41433805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009535159A Expired - Fee Related JP4612737B2 (ja) 2008-06-19 2008-06-19 レーザパルス発生装置およびその方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8073018B2 (ja)
JP (1) JP4612737B2 (ja)
WO (1) WO2009153875A1 (ja)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263786A (ja) * 1994-03-23 1995-10-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> モード同期レーザ装置
JPH11326974A (ja) * 1998-05-07 1999-11-26 Nec Corp 注入同期型レーザ発振器およびその発振器を用いた光通信システム
JP2001308448A (ja) * 2000-04-20 2001-11-02 Natl Sci Council セルフハイブリッドモード同期によるレーザーからのパルス発生方法
JP2002164614A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Nec Corp 外部共振器型モード同期半導体レーザ装置
JP2003031897A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Nec Corp 光クロックパルス列発生装置
JP2003264335A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Nec Corp 外部共振器型波長可変パルス光源
JP2004317783A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ゲインクランプ光増幅器
WO2005006508A1 (ja) * 2003-07-11 2005-01-20 Kochi University Of Technology 短光パルス発生装置
JP2006339237A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tohoku Techno Arch Co Ltd 多波長の同期パルス光源
JP2007035661A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Kochi Univ Of Technology 短光パルス発生装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5151908A (en) * 1990-11-20 1992-09-29 General Instrument Corporation Laser with longitudinal mode selection

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263786A (ja) * 1994-03-23 1995-10-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> モード同期レーザ装置
JPH11326974A (ja) * 1998-05-07 1999-11-26 Nec Corp 注入同期型レーザ発振器およびその発振器を用いた光通信システム
JP2001308448A (ja) * 2000-04-20 2001-11-02 Natl Sci Council セルフハイブリッドモード同期によるレーザーからのパルス発生方法
JP2002164614A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Nec Corp 外部共振器型モード同期半導体レーザ装置
JP2003031897A (ja) * 2001-07-12 2003-01-31 Nec Corp 光クロックパルス列発生装置
JP2003264335A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Nec Corp 外部共振器型波長可変パルス光源
JP2004317783A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ゲインクランプ光増幅器
WO2005006508A1 (ja) * 2003-07-11 2005-01-20 Kochi University Of Technology 短光パルス発生装置
JP2006339237A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tohoku Techno Arch Co Ltd 多波長の同期パルス光源
JP2007035661A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Kochi Univ Of Technology 短光パルス発生装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8073018B2 (en) 2011-12-06
JPWO2009153875A1 (ja) 2011-11-24
WO2009153875A1 (ja) 2009-12-23
US20100195682A1 (en) 2010-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5638389B2 (ja) チューナブルモードロックレーザ
US7599405B2 (en) Method and apparatus for coherently combining multiple laser oscillators
KR100957133B1 (ko) 결합 공진기를 포함하는 다파장 광섬유 레이저 장치 및다파장 레이저의 발진 방법
US10141709B2 (en) Transient Bragg gratings in optical waveguides and their applications
US10615566B2 (en) Mode-locked and wavelength tunable optical frequency comb generation through dynamic control of microresonators
JP4913396B2 (ja) 極短パルス光源
EP2945012A1 (en) Laser device
US20140314108A1 (en) Wavelength tunable comb source
US20110170110A1 (en) Wavelength-tunable light source apparatus
JP2007193230A (ja) 光源装置
US20040052276A1 (en) Multiple wavelength pulased source
JP2022067057A (ja) リングフィルタを使用した多波長レーザ生成器
US20170237222A1 (en) Tunable mode locked laser
US9438005B1 (en) Calibration of a tunable DBR laser
JP4612737B2 (ja) レーザパルス発生装置およびその方法
WO2011075851A1 (en) System and method for the spatial tailoring of laser light using temporal phase modulation
JP2002076478A (ja) 標本化された光ファイバ格子を用いた超高速多波長レーザ装置
TW200529522A (en) Fast wavelength-tunable laser system using Fabry-Perot laser diode
JP3404242B2 (ja) 波長可変半導体レーザの駆動方法及び波長可変光源装置
JP5342096B2 (ja) 短光パルス発生装置
WO2013061708A1 (ja) モード同期レーザ光源装置及びこれを用いた光干渉断層撮影装置
US10135220B2 (en) Synchronized tunable mode-locked lasers
JP2007193231A (ja) 光源装置
JP2012078813A (ja) レーザ装置
KR102118652B1 (ko) 능동 모드 잠금 주파수별 레이저 발진 출력광 차이를 이용한 광원 장치 및 광섬유의 광특성 측정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101012

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101015

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4612737

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees