JP4607773B2 - 撮像素子および撮像システム - Google Patents
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Description
14 撮像部
16 前処理部
18 信号処理部
20 システム制御部
28 キズ座標メモリ
40 CCD
96 ダーク処理部
98 副信号処理部
104 ダーク取得部
106 ダーク補正部
124 漏れ取得部
126 漏れ補正部
Claims (20)
- 被写界からの入射光を信号電荷に光電変換する複数の受光素子が配列され、相対的に広い面積を有する受光素子を主画素とし、相対的に狭い面積を有する受光素子を副画素とし、前記主画素と前記副画素とに前記入射光に含まれる所定の波長範囲を通す所定の色フィルタセグメントを対応させ、前記主画素と前記副画素とで生成された信号電荷を選択的に垂直方向に転送する列転送手段に読み出す撮像素子において、該撮像素子は、
最終的に前記被写界の画像生成に用いる受光素子の有効な範囲内の前記副画素の一部が遮光される遮光副画素があることを特徴とする撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、該撮像素子は、前記主画素と前記副画素とを複合させたセルが形成されることを特徴とする撮像素子。
- 請求項1に記載の撮像素子において、該撮像素子は、前記入射光の到来する側の前記主画素と前記副画素のそれぞれに集光機能を有する光学手段が配され、
該光学手段は、さらに、前記主画素の受光面積を覆う光学系の曲率に比べて前記副画素に対する光学系の曲率を大きく形成されることを特徴とする撮像素子。 - 請求項1、2または3に記載の撮像素子において、該撮像素子は、前記副画素のうち、前記入射光の短波長範囲を通す色フィルタセグメントが配される副画素を前記遮光副画素とする割合が、前記短波長以外の波長範囲を通す色フィルタセグメントが配される副画素を前記遮光副画素とする割合より多いことを特徴とする撮像素子。
- 請求項1、2または3に記載の撮像素子において、該撮像素子は、前記色フィルタセグメントの色が最も多く配される副画素の遮光する割合を他の色が配される副画素の遮光する割合よりも多いことを特徴とする撮像素子。
- 被写界からの入射光を信号電荷に光電変換する複数の受光素子が配列され、相対的に広い面積を有する受光素子を主画素とし、相対的に狭い面積を有する受光素子を副画素とし、前記主画素と前記副画素とに前記入射光に含まれる所定の波長範囲を通す所定の色フィルタセグメントを対応させ、前記主画素と前記副画素とで生成された信号電荷を選択的に垂直方向に転送する列転送手段に読み出す撮像素子を用い、該撮像素子で得られる画像データに信号処理する信号処理手段を含む撮像システムにおいて、
該撮像素子は、最終的に前記被写界の画像生成に用いる受光素子の有効な範囲内の前記副画素の一部が遮光される遮光副画素があることを特徴とする撮像システム。 - 請求項6に記載のシステムにおいて、該システムは、該遮光副画素から得られる暗電流をダークレベルとして用いて、前記有効な範囲の前記画像データを前記ダークレベルで補正することを特徴とする撮像システム。
- 請求項6または7に記載のシステムにおいて、該システムは、前記主画素と前記副画素における受光面積の比を用いて、前記ダークレベルを決定し、前記有効な範囲の前記画像データを前記ダークレベルで補正することを特徴とする撮像システム。
- 請求項6、7または8に記載のシステムにおいて、該システムは、該システム内の温度が所定の温度以上の温度では、あらかじめ測定した温度毎の前記ダークレベルで前記有効な範囲の前記画像データを補正することを特徴とする撮像システム。
- 請求項6ないし9のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記信号処理手段は、前記遮光副画素で本来得られる副画素の画素データを、該遮光副画素の周囲にある副画素または周囲にある主画素からの画素データを用いて補間し、生成する補間手段を含むことを特徴とする撮像システム。
- 請求項6ないし10のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記信号処理手段は、前記遮光副画素にキズが存在する結果に応じて前記ダークレベルの基準である基準ダークデータから除いて該基準ダークデータを作成する手段を含むことを特徴とする撮像システム。
- 請求項6ないし11のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記信号処理手段は、前記遮光副画素の対象における画素データとあらかじめ規定した画素データとの差が第1の差より大きいとの結果に応じて前記ダークレベルの基準である基準ダークデータから除くレベル判定手段を含むことを特徴とする撮像システム。
- 請求項6ないし12のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記信号処理手段は、前記遮光副画素の対象における画素データと該対象の周囲に位置する遮光副画素の画素データとの差が第2の差より小さいか否かを比較する周辺比較手段を含むことを特徴とする撮像システム。
- 請求項13に記載のシステムにおいて、前記周辺比較手段は、暗いシーンの領域が所定の領域割合より多いシーンで動作させる副画素モードにおいて、前記遮光副画素の画素データと前記副画素の画素データとの差が第2の差より小さい結果に応じて該副画素の画素データを前記基準ダークデータとしてメモリ手段に取り込み、
前記信号処理手段は、さらに、得られた基準ダークデータを基に供給される画像に対するダーク補正することを特徴とする撮像システム。 - 請求項6ないし14のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記信号処理手段は、前記主画素からの信号電荷の読出しにともない前記副画素から漏れ出る信号電荷の量を漏れデータとして取得する漏れ取得手段を含み、
該漏れ取得手段は、前記遮光副画素に対する前記主画素からの画素データを取得する第1の取得手段と、
前記遮光副画素と対をなす前記主画素の周辺に位置する前記副画素と対をなす前記主画素からの画素データを取得する第2の取得手段と、
第2の取得手段で取得した画素データと第1の取得手段で取得した画素データとの差を前期漏れデータとして算出する漏れ産出手段とを含むことを特徴とする撮像システム。 - 請求項6ないし15のいずれか一項に記載のシステムにおいて、該システムは、前記撮像素子からの信号読出しを少なくとも、2フィールド以上で読み出し、
さらに、少なくとも2フレーム以上を連続的に撮影するモードにおいて、信号読出しは、前記主画素と前記副画素の読出し順序を前のフレームと交互に入れ換えて読み出すことを特徴とする撮像システム。 - 請求項6ないし16のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記撮像素子は、前記主画素と前記副画素とを複合させたセルが形成されることを特徴とする撮像システム。
- 請求項6ないし17のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記撮像素子は、前記入射光の到来する側の前記主画素と前記副画素のそれぞれに集光機能を有する光学手段が配され、
該光学手段は、さらに、前記主画素の受光面積を覆う光学系の曲率に比べて前記副画素に対する光学系の曲率を大きく形成されることを特徴とする撮像システム。 - 請求項6ないし18のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記撮像素子は、前記副画素のうち、前記入射光の短波長範囲を通す色フィルタセグメントが配される副画素を前記遮光副画素とする割合が、前記短波長以外の波長範囲を通す色フィルタセグメントが配される副画素を前記遮光副画素とする割合より多いことを特徴とする撮像システム。
- 請求項6ないし19のいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記撮像素子は、前記色フィルタセグメントの色が最も多く配される副画素の遮光する割合を他の色が配される副画素の遮光する割合よりも多いことを特徴とする撮像システム。
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US20220359584A1 (en) * | 2019-07-12 | 2022-11-10 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Photodetector |
CN112086474A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-12-15 | 清华大学深圳国际研究生院 | 荧光探测用图像传感器件 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004222154A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
JP2004312553A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ホワイトバランス制御方法及び撮像装置 |
JP2007019820A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
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---|---|---|---|---|
US6791619B1 (en) * | 1998-09-01 | 2004-09-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | System and method for recording management data for management of solid-state electronic image sensing device, and system and method for sensing management data |
JP4018820B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2007-12-05 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置および信号読出し方法 |
JP4050906B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2008-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
US7427735B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for setting black level in an imager using both optically black and tied pixels |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004222154A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
JP2004312553A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ホワイトバランス制御方法及び撮像装置 |
JP2007019820A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
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