JP4602740B2 - 超音波振動子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)所定の形状にバッキング層を成型する(バッキング材成型工程)。
(2)上記バッキング材成型工程の前あるいは後に、所定形状の圧電素子に設けられている電極に例えばFPC(フレキシブル基板:Flexible Printed Circuit)等からなるリード線を接続する(電極配線工程)。
(3)圧電素子とバッキング層とを接合して第1積層体を形成する(圧電振動子接合工程)。
(4)上記第1積層体を構成する圧電素子に第1音響整合層を接合して第2積層体である振動子部組を形成する(第1整合層接合工程)。
(5)上記振動子部組の第1音響整合層側からダイシング溝を加工して圧電素子を複数に分割して振動子エレメントを生成する(ダイシング工程)。
(6)上記ダイシング溝に溝埋め材を充填して補強する(溝埋め工程)。
(7)第1音響整合層に第2音響整合層を接合して第3積層体を形成する(第2音響整合層接合工程)。
(8)上記第3積層体に音響レンズを注型する(レンズ注型工程)。
(9)音響レンズを設けた第3積層体をケースに組み込む(ケース組み込み工程)。
すなわち、本発明の一態様によれば、本発明の超音波振動子の製造方法は、複数個の振動子サブエレメントからなる振動子エレメントを複数個備えた超音波振動子の製造方法である。
また、本発明の超音波振動子の製造方法は、上記導体膜が、薄膜であることが望ましい。
また、本発明によれば、導電性樹脂の厚膜乃至薄膜(導体膜)を導線とするため、配線スペースを小さくした超音波振動子の製造が可能となる。
まず、図1乃至図10を用いて本発明を適用した第1の実施の形態について説明する。
図1は、第1の実施の形態における超音波振動子の製造方法の手順を示したフローチャートであり、図2は、音響整合層圧電素子接合工程を説明するための斜視図であり、図3は、第1の分割工程を説明するための斜視図であり、図4は、第1の分割工程を説明するための上面図であり、図5は、圧電素子基板接合工程を説明するための斜視図であり、図6は、圧電素子基板接合工程を説明するための上面図であり、図7は、マスキング工程を説明するための斜視図であり、図8は、第1の実施の形態における導体膜被膜工程を説明するための上面図であり、図9は、第1の実施の形態における第2の分割工程を説明するための上面図であり、図10は、マスク部材除去後の状態を示す上面図である。
図15において、振動子エレメント82は、図11のステップS16の第2の分割工程によって分割されたものであり、分割された音響整合層21、圧電素子22、電極パターン52を有する基板51、導体膜71により構成され、第1のダイシング溝31により2つの圧電素子サブエレメントを有している。
22 圧電素子板
31 第1のダイシング溝
32 圧電素子
51 基板
52 電極パターン
71 導体膜
81 第2のダイシング溝
82 振動子エレメント
121 マスク部材
151 振動子エレメント
Claims (5)
- 複数個の振動子サブエレメントからなる振動子エレメントを複数個備えた超音波振動子の製造方法において、
接合した音響整合層と圧電素子板とに第1のダイシング溝を設けて複数の圧電素子に分割する第1の分割工程と、
前記第1の分割工程により分割された各圧電素子と基板とを接合する圧電素子基板接合工程と、
前記圧電素子基板接合工程により接合した圧電素子と基板との接合部分近傍の表面を導体膜で被う導体膜被膜工程と、
前記第1の分割工程により設けられた第1のダイシング溝と第1のダイシング溝との間で、かつ前記導体膜被膜工程により導体膜で覆われた圧電素子と基板および前記音響整合層とに第2のダイシング溝を設けることにより、前記複数個の振動子エレメントを形成する第2の分割工程と、
を有することを特徴とする超音波振動子の製造方法。 - 複数個の振動子サブエレメントからなる振動子エレメントを複数個備えた超音波振動子の製造方法において、
接合したバッキング材と圧電素子板とに第1のダイシング溝を設けて複数の圧電素子に分割する第1の分割工程と、
前記第1の分割工程により分割された各圧電素子と基板とを接合する圧電素子基板接合工程と、
前記圧電素子基板接合工程により接合した圧電素子と基板との接合部分近傍の表面を導体膜で被う導体膜被膜工程と、
前記第1の分割工程により設けられた第1のダイシング溝と第1のダイシング溝との間で、かつ前記導体膜被膜工程により導体膜で覆われた圧電素子と基板および前記バッキング材とに第2のダイシング溝を設けることにより、前記複数個の振動子エレメントを形成する第2の分割工程と、
を有することを特徴とする超音波振動子の製造方法。 - 前記圧電素子基板接合工程の後、前記導体膜被膜工程の前に、
前記圧電素子基板接合工程により前記基板と接合した各圧電素子の表面で、かつ前記第1の分割工程により設けられた第1のダイシング溝をマスクするマスキング工程を、
さらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の超音波振動子の製造方法。 - 前記導体膜は、前記第1の分割工程により設けられた第1のダイシング溝に進入しない程度の粘性を有することを特徴とする請求項1または2に記載の超音波振動子の製造方法。
- 前記導体膜は、薄膜であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の超音波振動子の製造方法。
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