JP4599343B2 - リソグラフィ装置、パターニングデバイスおよびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
[0023]− 放射ビームB(例えばUV放射または他の放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0024]− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1位置決め装置PMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
[0025]− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0026]− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
[0068] アライメントIDB換算とは、特定のプロセスについて1回、例えばSEMサンプルからの直接的なIDB測定値とアラインメント測定値との比較を使用して求められるプロセス特有のパラメータである。
[0072] アライメントDC換算とは、特定のプロセスについて1回、例えばSEMサンプルからの直接的なCD測定値とアラインメント測定値との比較を使用して求められるプロセス特有のパラメータである。
[0076] 全ての測定は基準に対して実行されるので、読み出しは完全に読み出しツールから独立している。したがって、この方法は、近接ウェーハのツールから独立した認定を達成する。
Claims (7)
- リソグラフィ装置で使用するパターニングデバイスであって、
近接構造体を有する少なくとも1つの近接マークを備え、
前記近接構造体は、前記近接マークの長さ方向に沿って所定数隣接配置され、
前記各近接構造体は、前記近接マークの長さ方向に沿って順次隣接配置されたスペース構造体、基準構造体及び検査構造体を有し、
前記基準構造体には、前記近接マークの長さ方向に延在する線が前記近接マークの幅方向に沿って基準ピッチで第1の数だけ配置され、
前記検査構造体には、前記近接マークの長さ方向に延在する線が前記近接マークの幅方向に沿って検査ピッチで第2の数だけ配置される、
パターニングデバイス。 - 前記基準構造体の前記線が、前記リソグラフィ装置の限界寸法にほぼ等しい幅を有し、
前記限界寸法が、前記リソグラフィ装置によって前記基板へと転送される問題の構造体の最小寸法に対応する、
請求項1に記載のパターニングデバイス。 - 線の数と線の幅との積が、前記基準構造体と前記検査構造体との両方で同じである、
請求項1に記載のパターニングデバイス。 - 前記基準構造体の前記線が、前記リソグラフィ装置の限界寸法にほぼ等しい幅を有し、
前記限界寸法が、前記リソグラフィ装置によって前記基板へと転送される問題の構造体の最小寸法に対応し、
前記検査構造体の前記線の前記幅が、前記基準構造体の前記線の前記幅とほぼ等しく、
前記第1の数が前記第2の数と等しく、
前記基準ピッチが前記検査ピッチと等しくない、
請求項1に記載のパターニングデバイス。 - 線の数と線の幅との積が、前記基準構造体と前記検査構造体との両方で同じである、
請求項4に記載のパターニングデバイス。 - 前記基準構造体の前記線が、前記リソグラフィ装置の限界寸法とほぼ等しい幅を有し、
前記限界寸法が、前記リソグラフィ装置によって前記基板へと転送される問題の構造体の最小寸法に対応し、
前記検査構造体の前記線の前記幅が、前記基準構造体の前記線の前記幅の整数倍大きい、
請求項1に記載のパターニングデバイス。 - 線の数と線の幅との積が、前記基準構造体と前記検査構造体との両方で同じである、
請求項6に記載のパターニングデバイス。
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DE102006056625B4 (de) * | 2006-11-30 | 2014-11-20 | Globalfoundries Inc. | Verfahren und Teststruktur zum Bestimmen von Fokuseinstellungen in einem Lithographieprozess auf der Grundlage von CD-Messungen |
EP2131243B1 (en) * | 2008-06-02 | 2015-07-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating a stage position |
EP2458441B1 (en) * | 2010-11-30 | 2022-01-19 | ASML Netherlands BV | Measuring method, apparatus and substrate |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012425A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 露光量測定方法と露光量測定用マスク |
JP2001022051A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Nec Corp | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
JP2002169266A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Nikon Corp | マスク、結像特性計測方法、及び露光方法 |
JP2003142385A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2004363313A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Nikon Corp | 位置ずれ計測方法および装置、並びに位置ずれ計測用レチクル |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3328676B2 (ja) * | 1991-11-28 | 2002-09-30 | 株式会社ニコン | 投影光学系の検査方法、マスク基板、及びマーク形成方法 |
JP2803936B2 (ja) * | 1992-01-21 | 1998-09-24 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及びパターン露光方法 |
JP3309865B2 (ja) * | 1992-10-02 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 結像特性計測方法及び該方法で使用されるマスク |
DE69531854T2 (de) * | 1994-08-02 | 2004-08-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren zur wiederholten abbildung eines maskenmusters auf einem substrat |
JPH10213895A (ja) * | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Sony Corp | レチクルの合わせ測定用マーク |
US6833221B2 (en) * | 2001-01-05 | 2004-12-21 | Litel Instruments | Method and apparatus for proper ordering of registration data |
US6884552B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof |
JP3884371B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2007-02-21 | 株式会社東芝 | レチクル、露光モニタ方法、露光方法、及び半導体装置の製造方法 |
SG108975A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Marker structure for alignment or overlay to correct pattern induced displacement, mask pattern for defining such a marker structure and lithographic projection apparatus using such a mask pattern |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012425A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 露光量測定方法と露光量測定用マスク |
JP2001022051A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Nec Corp | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
JP2002169266A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Nikon Corp | マスク、結像特性計測方法、及び露光方法 |
JP2003142385A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2004363313A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Nikon Corp | 位置ずれ計測方法および装置、並びに位置ずれ計測用レチクル |
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