JP4595110B2 - フラーレン分子から成る中空構造を持つ針状結晶及びその製造方法 - Google Patents

フラーレン分子から成る中空構造を持つ針状結晶及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4595110B2
JP4595110B2 JP2004192223A JP2004192223A JP4595110B2 JP 4595110 B2 JP4595110 B2 JP 4595110B2 JP 2004192223 A JP2004192223 A JP 2004192223A JP 2004192223 A JP2004192223 A JP 2004192223A JP 4595110 B2 JP4595110 B2 JP 4595110B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
needle
fullerene
platinum
crystals
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004192223A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005306706A (ja
Inventor
薫一 宮澤
唯知 須賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute for Materials Science
Original Assignee
National Institute for Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute for Materials Science filed Critical National Institute for Materials Science
Priority to JP2004192223A priority Critical patent/JP4595110B2/ja
Priority to US10/593,870 priority patent/US8246926B2/en
Priority to PCT/JP2005/002659 priority patent/WO2005090232A1/ja
Publication of JP2005306706A publication Critical patent/JP2005306706A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4595110B2 publication Critical patent/JP4595110B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/152Fullerenes
    • C01B32/156After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/62Whiskers or needles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

本発明は、フラーレン系炭素材料、特にフラーレン分子から成る中空構造を持つ針状結晶(フラーレンシェルカプセル)及びその製造方法に関する。
フラーレン細線(フラーレンナノウィスカー、フラーレンナノファイバー)は、内外の研究所、民間企業、大学で最近注目を集めており、開発競争が激化しつつある。本発明者らは、先に、液−液界面析出法を用いてフラーレン細線を製造する方法を開発した(特許文献1、2、非特許文献1)。
この方法は、フラーレンを構成要素とする炭素細線を得るにあたり、(1)フラーレンを溶解している第1溶媒を含む溶液と、前記第1溶媒よりもフラーレンの溶解能が小さな第2溶媒とを合わせる工程、(2)前記溶液と前記第2溶媒との間に液−液界面を形成する工程、及び(3)前記液−液界面にて炭素細線を析出させる工程を含む炭素細線の製造方法である。また、本発明者らは、フラーレン細線の成長中に可視光を照射することによって、著しく成長が促進されることを明らかにして来た(非特許文献2)。
さらに、本発明者の宮澤は、C60ナノチューブを熱処理することにより非晶質炭素壁を持つフラーレンシェルチューブを発見した(非特許文献3、特願2003−346117)。
特開2003−1600号公報 米国特許出願公開20020192143号明細書 K.Miyazawa, Y.Kuwasaki, A.Obayashi and M.Kuwabara, "C60 nanowhiskers formed by the liquid-liquid interfacial precipitation method", J.Mater.Res., 17[1](2002)83-88, M.Tachibana, K. Kobayashi, T. Uchida, K. Kojima, M. Tanimura and K. Miyazawa, "Photo-assisted growth and polymerization of C60 nano whiskers", Chemical Physics Letters 374(2003) 279-285 宮澤薫一,工業材料,52[1](2004)24−25
本発明は、新規な形状的特徴を持つフラーレンを提供することを課題とする。
本発明は、C60やC60白金誘導体などのフラーレン分子から構成される中空部を有するカプセル状の針状結晶(フラーレンシェルカプセル)を提供する。本発明者らは、先に、液−液界面析出法を用いてフラーレン細線を製造する方法を開発したが、本発明は、この方法を応用して、C60フラーレン分子とC60の白金誘導体で構成されるカプセル状針状結晶(フラーレンシェルカプセル)を作製することを可能とするものである。
このフラーレンシェルカプセルは、C60などのフラーレン分子からなる中空構造を持つ針状結晶であることに、その特徴を有する。このフラーレンシェルカプセルは、フラーレンナノウィスカーの常温合成法として本発明者らが確立した液−液界面析出法によって初めて合成され、見出された物質である。フラーレン分子から成る中空な針状結晶は今までに報告されていない。フラーレンシェルカプセルは新しい形態のフラーレンであり、類例が無い。フラーレンシェルカプセルは、触媒担持材料、プラスチック複合材料素材、水素
などのガス貯蔵材料、燃料電池触媒などとしての用途を持つ。
すなわち、本発明は、(1)フラーレン分子からなる中空構造部を持ち、前記中空構造部の壁が単結晶であることを特徴とする針状結晶である。
また、本発明は、(2)フラーレン分子がC60、C70以上の高次フラーレン、金属内包フラーレン又はフラーレン誘導体であることを特徴とする上記(1)の針状結晶である。
また、本発明は、(3)加熱又は電子線により変性されたことを特徴とする上記(1)又は(2)の針状結晶である。
また、本発明は、(4)閉じた形状もしくは穴が開いた形状を持つことを特徴とする上記(1)ないし(3)のいずれかの針状結晶である。
また、本発明は、(5)60の白金誘導体を添加したC60の有機溶液にアルコール類を加えることによって行なう液−液界面析出法によってC60の針状結晶、中空構造部を持つC60針状結晶、白金もしくはC60白金誘導体を含むC60の針状結晶、又は白金もしくはC60白金誘導体を含む中空構造部を持つC60の針状結晶を製造する方法である。
また、本発明は、(6)60の白金誘導体((η−C60)Pt(PPh)を添加したC60のトルエン飽和溶液とイソプロピルアルコールによる液−液界面析出法によって、C60の針状結晶、中空構造部を持つC60針状結晶,白金もしくは白金誘導体を含むC60の針状結晶、又は白金もしくはC60白金誘導体を含む中空構造部を持つC60の針状結晶を製造する方法である。

本発明の形状的特徴を持つカプセル状フラーレンは、これまでに無かった。フラーレンシェルカプセルは、触媒担持材料、吸着剤、各種ガス貯蔵剤、軽量樹脂複合材料としての広い用途を持つ。使用後は、分解させてフラーレン分子を回収することにより、リサイクルすることが可能となる。本技術を発展させることにより、管壁がフラーレン分子のみからなる、中空なフラーレンナノファイバー(=“真性フラーレンシェルチューブ“)を作製する可能性が開かれる。
本発明者らが開発した前記の液−液界面析出法は下記のとおりである。
フラーレンを構成要素とする炭素細線を得るにあたり、(1)フラーレンを溶解している第1溶媒を含む溶液と、前記第1溶媒よりもフラーレンの溶解能が小さな第2溶媒とを合わせる工程、(2)前記溶液と前記第2溶媒との間に液−液界面を形成する工程、及び(3)前記液−液界面にて炭素細線を析出させる工程を含む。
フラーレンシェルカプセルは、前記液−液界面析出法における結晶成長速度を制御することによって生成することを可能にするものであり、常温常圧環境下、白金誘導体を添加した有機溶液(第2溶媒)を用いるのみという、簡便なプロセスで製造可能である。この
プロセスは、通常の白色蛍光灯のもとで行なうことができるが、波長を選択した光のもとで行なっても良い。
本発明の方法により閉じた形状もしくは穴が開いた形状を持つフラーレンシェルカプセルを製造できる。例えば、フラーレン誘導体、すなわち、C60の白金誘導体((η2-C60)Pt(PPh3)2)を数重量パーセント添加したC60のトルエン飽和溶液とイソプロピルアルコールによる液−液界面を形成したガラスビンを、10℃〜25℃(望ましくは20℃)で、1日〜1ヶ月以上静置し、析出法によって、中空な構造を持つ針状結晶を得ることができる。(η2-C60)Pt(PPh3)2の添加量は、C60に対して1−10mass%が望ましい。
得られる針状結晶の直径は、10ナノメートルから100マイクロメートルオーダーの範囲にある大きさであり、10ナノメートルから数マイクロメートル以上の長さを持つ。また、長さに対する直径の比で定義されるアスペクト比は、1以上である。また、このようにして生じた針状結晶に電子線照射を施して、ナノメートルサイズの白金微粒子を析出させ、分散させることが可能である。この針状結晶は、600℃以上の真空熱処理や100keV以上の高エネルギーの電子線照射などの二次的作用によって、非晶質構造とさせることができる。
さらに、本発明は、フラーレン分子からなる中空ファイバー(真性フラーレンシェルチューブ)を得る指針をも提供する。また、本方法は、上記フラーレンのみならず、C70以上の高次フラーレン,金属内包フラーレンやC60[C(COOC2H5)2]などのフラーレン誘導体全般に適用することができる。
<作製方法>
60の白金誘導体である(η2-C60)Pt(PPh3)2のトルエン飽和溶液を用意した。(η2-C60)Pt(PPh3)2 は、株式会社 サイエンスラボラトリーズから購入した。トルエンは特級試
薬を用いた。上記トルエンの飽和溶液を、適当な大きさ(内容量5mL〜20mLの大きさが望ましい)の透明ガラスビンに、半分の高さまで入れ、冷却板上において、約20℃以下に冷却した。上記のガラスビンに、約20℃以下に冷却したイソプロピルアルコール(IPA、純度は特級が望ましい)を、ピペットを用いて、静かに滴下するか、ビン壁を伝わらせるかして、注ぎ込み、フラーレンのトルエン溶液とIPAの液−液界面を形成させた。ここまでの一連の作業は、通常の白色蛍光灯のもとで行なった。上記の液−液界面を形成したガラスビンを、20℃で、13日〜55日間静置し、針状結晶を成長させた。<透過電子顕微鏡による観察>
図1には、(η2-C60)Pt(PPh3)2のトルエン飽和溶液とイソプロピルアルコールの系による液−液界面析出法で作製した(η2-C60)Pt(PPh3)2針状結晶のTEM像とそのHRTEM像及びFFT(高速フーリエ変換)図形を示す。HRTEM像から明らかなように、(η2-C60)Pt(PPh3)2分子のC60ケージ同士の間隔は、0.98nmであって、C60ナノウィスカーにおけるC60分子の中心間距離と一致する。このことは、(η2-C60)Pt(PPh3)2針状結晶が成長できるためには、C60分子が成長軸方向に稠密に配列することが必要であることを示しており、(η2-C60)Pt(PPh3)2が長繊維のファイバーとなるための重要な指針が得られている。
<作製方法>
2-C60)Pt(PPh3)2を添加したC60飽和トルエン溶液を用意した。(η2-C60)Pt(PPh3)2は、株式会社サイエンスラボラトリーズから購入した。C60は、純度99.5%(MTR社製)、トルエンは特級試薬を用いた。(η2-C60)Pt(PPh3)2の添加量は、C60に対して6mass%とした。その他は実施例1の条件と同じ条件で針状結晶を成長させた。
<透過電子顕微鏡による観察>
図2に、C60-6%(η2-C60)Pt(PPh3)2飽和トルエン溶液−IPAの系で生じたC60の中空針状結晶(フラーレンシェルカプセル)の透過電子顕微鏡(TEM)像の例を示す(JEM−4010, 400kVで観察)。図3に、フラーレンシェルカプセルのカプセル部分の拡大図を示す。中空部の存在は、モアレフリンジが観察されることにより明らかである。
閉じたフラーレンシェルカプセルの他に、図4のTEM写真に示すように、穴が開いたフラーレンシェルカプセルも作製できる。穴あきフラーレンシェルカプセルは、官能基や触媒担持作業を容易にする。図5に、図3に示したフラーレンシェルカプセルのEDX分析結果を示す。白金が検出されるので、C60の白金誘導体(η2-C60)Pt(PPh3)2が取り込まれていることが分かる。銅(Cu)のピークは、観察に用いたTEMのマイクログリッド支持体によるものである。
図6に、図3の中心部分の高分解能TEM像(HRTEM)を示す。C60ケージが1.0nmの間隔で並んでいる様子が示されている。図5と図6から、図2と図3の物質は、(η2-C60)Pt(PPh3)2を含むC60の中空針状結晶であることが明白である。図7に、(η2-C60)Pt(PPh3)2を添加した空洞の無いC60針状結晶のTEM像を示す。図8のTEM−EDX分析により、図7のC60針状結晶が、白金誘導体を含むことが確認される。
実施例1で得られた針状結晶にエネルギー400keV,ビーム密度約200pAcm-2の電子線照射を行った。図9に、非晶質となった(η2-C60)Pt(PPh3)2添加C60針状結晶のTEM像を示す。図10には、図9の針状結晶に生じた白金ナノ粒子のHRTEM像と白金ナノ粒子の(111)面の格子像を示す。このような白金ナノ粒子が分散したC60針状結晶は、燃料電池触媒として有用であることが期待される。
<C60ナノチューブ(中空ファイバー)及び中空部を持つC60針状結晶の作製方法>
60−1mol%(η2-C60)Pt(PPh3)2組成(C60−2mass%(η2-C60)Pt(PPh3)2
成)のフラーレン粉末(MTR社製)をトルエン5mLに超音波溶解して、飽和溶液を作製した。このフラーレン飽和トルエン溶液を10mLの透明ガラスビンに入れ、ほぼ等量のイソプロピルアルコール(IPA)を、ピペットを用いて静かに加え、下部がトルエン溶液、上部がIPAとなるようにして液−液界面を形成した。液温は、20℃以下に保った。このガラスビンを、低温恒温器に入れ、20℃で10日間保管した。
<透過電子顕微鏡による観察>
このガラスビン中に生じた析出物を、カーボンマイクログリッドに載せて、透過電子顕微鏡(JEM−4010,加速電圧400kV)で観察した。図11に、直径340nm,壁厚46±9nm,5μm以上の長さを持つC60ナノチューブ(C60NT)を示す。このC60NTの壁には、ナノサイズの開口部が多数存在しているので、様々な分子をチューブの内部に取り込むことが可能であり、高い比表面積をもっていることがわかる。
また、図12に図11の高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM)像を示す。図12に示すように、このC60NTは、格子定数a=1.36±0.02nmの面心立方晶(fcc)で指数付けできる。また、常温常圧のC60分子結晶(fcc,格子定数a=1.417nm)に比べて、4%ほどC60分子間の中心距離が縮小していることがわかった。
図13には、よりアスペクト比の小さいC60NTのTEM像を示す。この図13中のAのC60NTの電子回折図形に示すように、結晶質であることがわかる。さらに、このC60NT表面は多数のナノサイズの開口部を有していることもわかる。
図14に示すように、楔形の端部を持つC60のチューブ状構造(楔形中空C60針状結晶)も作製された。この図14の矢印で示すように、表面層が単結晶であることを示すモアレ縞が観察されている。また、この楔形中空C60針状結晶の表面は完全に閉じた構造を有していることがわかった。
図15には、片端のみが閉じた構造を持つC60針状結晶を示す。針状結晶Aの矢印Cで示すように、モアレ縞が生じており、表面の殻構造C60の単結晶であることがわかる。また、Bは、およそ2の小さなアスペクト比を持つC60針状結晶であるが、形状から、中空構造部を持つC60結晶の成長は、殻構造が最初に形成され、内部がその後で充填されると成長メカニズムを提案できる。
図16は上記の成長メカニズムを支持するものである。図16に、中空部Aを持つC60針状結晶の作製例である。中空部Aは、C60の針状結晶が、閉じた構造を持つ針状の結晶質殻構造が端部から成長して、内部を完全に充填できなかったためと考えられる。成長軸に沿って、より明るい、密度の薄い構造ができていることを示す線形コントラストBは、空洞部が成長時に形成されたことを示唆する。
本発明の方法によって得られるフラーレンシェルカプセルや真性フラーレンシェルチューブは、管壁がフラーレン分子からなるので、水酸基、マロン酸基、スルホン酸基などの官能基で内外を修飾することができるため、触媒、抗菌剤、活性酸素発生媒体など多様な機能を付与することができる。
2-C60)Pt(PPh3)2のトルエン飽和溶液とイソプロピルアルコールの系の液−液界面析出法を用いて作製した(η2-C60)Pt(PPh3)2針状結晶のTEM像(a)とそのHRTEM像(b)。単位胞を長方形で示す。 フラーレンシェルカプセルのTEM像(400kV)。 60フラーレンシェルカプセルのTEM像。 穴が開いたC60フラーレンシェルカプセルのTEM像。 60フラーレンシェルカプセル(図3)の透過電子顕微鏡EDX分析。 図3のフラーレンシェルカプセルに対するHRTEM像。 2-C60)Pt(PPh3)2を添加したC60針状結晶のTEM像。 60のPt誘導体((η2-C60)Pt(PPh3)2)を含有するC60針状結晶(図7)のTEM−EDX分析。 電子線照射によって非晶質となった(η2-C60)Pt(PPh3)2添加C60針状結晶のTEM像。 (a)(η2-C60)Pt(PPh3)2添加C60針状結晶を電子線照射することにより生じた白金ナノ粒子(粒子直径=3.2±0.8nm)と(b)白金ナノ粒子のHRTEM像。 60ナノチューブのTEM像。 図11のC60ナノチューブのHRTEM像。 両端部が閉じた構造を持つC60ナノチューブのTEM像。 閉じた殻構造を持つ中空な楔形C60針状結晶のTEM像。 片端のみが閉じた構造を持つC60ナノチューブ(A,B)のTEM像。 中空部Aを持つC60針状結晶のTEM像。

Claims (6)

  1. フラーレン分子からなる中空構造部を持ち、前記中空構造部の壁が単結晶であることを特徴とする針状結晶。
  2. フラーレン分子がC60、C70以上の高次フラーレン、金属内包フラーレン又はフラーレン誘導体であることを特徴とする請求項1記載の針状結晶。
  3. 加熱又は電子線により変性されたことを特徴とする請求項1又は2記載の針状結晶。
  4. 閉じた形状もしくは穴が開いた形状を持つことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の針状結晶。
  5. 60の白金誘導体を添加したC60の有機溶液にアルコール類を加えることによって行なう液−液界面析出法によってC60の針状結晶、中空構造部を持つC60針状結晶、白金もしくはC60白金誘導体を含むC60の針状結晶、又は白金もしくはC60白金誘導体を含む中空構造部を持つC60の針状結晶を製造する方法。
  6. 60の白金誘導体((η−C60)Pt(PPh)を添加したC60のトルエン飽和溶液とイソプロピルアルコールによる液−液界面析出法によって、C60の針状結晶、中空構造部を持つC60針状結晶,白金もしくは白金誘導体を含むC60の針状結晶、又は白金もしくはC60白金誘導体を含む中空構造部を持つC60の針状結晶を製造する方法。
JP2004192223A 2004-03-23 2004-06-29 フラーレン分子から成る中空構造を持つ針状結晶及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4595110B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004192223A JP4595110B2 (ja) 2004-03-23 2004-06-29 フラーレン分子から成る中空構造を持つ針状結晶及びその製造方法
US10/593,870 US8246926B2 (en) 2004-03-23 2005-02-14 Fullerene hollow structure needle crystal and C60-C70 mixed fine wire, and method for preparation thereof
PCT/JP2005/002659 WO2005090232A1 (ja) 2004-03-23 2005-02-14 フラーレン中空構造針状結晶とc60−c70混合細線及びそれらの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004085588 2004-03-23
JP2004192223A JP4595110B2 (ja) 2004-03-23 2004-06-29 フラーレン分子から成る中空構造を持つ針状結晶及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005306706A JP2005306706A (ja) 2005-11-04
JP4595110B2 true JP4595110B2 (ja) 2010-12-08

Family

ID=34993586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004192223A Expired - Fee Related JP4595110B2 (ja) 2004-03-23 2004-06-29 フラーレン分子から成る中空構造を持つ針状結晶及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8246926B2 (ja)
JP (1) JP4595110B2 (ja)
WO (1) WO2005090232A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4246590B2 (ja) * 2003-10-07 2009-04-02 独立行政法人物質・材料研究機構 フラーレン誘導体細線とその製造方法
JP4724876B2 (ja) * 2004-08-19 2011-07-13 独立行政法人産業技術総合研究所 フラーレンナノウィスカー・ナノファイバーナノチューブの液相合成方法及びその用途
JP5093436B2 (ja) * 2006-02-17 2012-12-12 独立行政法人物質・材料研究機構 物質担持フラーレンチューブとその製造方法
KR100728199B1 (ko) 2006-05-12 2007-06-13 삼성에스디아이 주식회사 연료 전지용 촉매, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 연료전지용 막-전극 어셈블리 및 이를 포함하는 연료 전지시스템
JP2008091575A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池素子および光電変換層形成用塗工液
CN101784338B (zh) 2007-07-06 2013-10-30 M技术株式会社 携载金属的碳的制造方法
JP5205672B2 (ja) * 2007-08-29 2013-06-05 独立行政法人物質・材料研究機構 フラーレン細線付き基盤とその製造方法
CN102953150B (zh) * 2012-11-14 2014-11-19 青岛科技大学 挥发扩散法制备富勒烯微纳米纤维

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001600A (ja) * 2001-04-18 2003-01-08 Univ Tokyo 炭素細線及び炭素細線の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3829789B2 (ja) * 2002-10-22 2006-10-04 トヨタ自動車株式会社 多重管カーボンナノチューブ製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003001600A (ja) * 2001-04-18 2003-01-08 Univ Tokyo 炭素細線及び炭素細線の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005090232A1 (ja) 2005-09-29
US20080003165A1 (en) 2008-01-03
JP2005306706A (ja) 2005-11-04
US8246926B2 (en) 2012-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Miyazawa Synthesis and properties of fullerene nanowhiskers and fullerene nanotubes
Huang et al. Patterned growth and contact transfer of well-aligned carbon nanotube films
Kiang et al. Structural modification of single-layer carbon nanotubes with an electron beam
JP5436528B2 (ja) カーボンナノファイバ基板上のカーボンナノチューブ
Subramoney Novel nanocarbons—structure, properties, and potential applications
JP2003001600A (ja) 炭素細線及び炭素細線の製造方法
TWI245079B (en) Method for growing highly-ordered nanofibers
US8119093B2 (en) C70fullerene tube and process for producing the same
US20070275627A1 (en) Method for fabricating field emitter electrode using array of carbon nanotubes
US8246926B2 (en) Fullerene hollow structure needle crystal and C60-C70 mixed fine wire, and method for preparation thereof
JP2006176362A (ja) カーボンナノチューブ薄膜の製造方法
Wakahara et al. Preparation of endohedral metallofullerene nanowhiskers and nanosheets
JP3843736B2 (ja) カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法、並びに、カーボンナノチューブの精製方法
Charlier et al. Catalytically assisted tip growth mechanism for single-wall carbon nanotubes
Tian et al. Synthesis and growth mechanism of various SiO2 nanostructures from straight to helical morphologies
WO2004108593A1 (ja) V族遷移金属ダイカルコゲナイド結晶からなるナノファイバー又はナノチューブ並びにその製造方法
Miyazawa et al. Structural investigation of heat-treated fullerene nanotubes and nanowhiskers
JP2009051708A (ja) フラーレン細線付き基盤とその製造方法
JP5093436B2 (ja) 物質担持フラーレンチューブとその製造方法
JP3845731B2 (ja) フラーレンシェルチューブとその製造方法
JP2006219358A (ja) ナノカーボン及び当該ナノカーボンの製造方法
KR20100033110A (ko) 소섬경 플레이트리트 탄소나노섬유 및 그 제조방법
KR100472123B1 (ko) 중공형 나노 탄소섬유 제조법
TW201221471A (en) Hydrophilic carbon nanotube composite structure
JP4784109B2 (ja) 燃料電池用電極材料とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100720

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100831

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100901

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees