JP4591134B2

JP4591134B2 - Vapor deposition mask and vapor deposition method using the mask

Info

Publication number: JP4591134B2
Application number: JP2005070413A
Authority: JP
Inventors: 洋太郎白石; 郁夫小林; 有章志田
Original assignee: Nippon Seiki Co Ltd
Current assignee: Nippon Seiki Co Ltd
Priority date: 2004-03-18
Filing date: 2005-03-14
Publication date: 2010-12-01
Anticipated expiration: 2025-03-14
Also published as: JP2005298971A

Description

本発明は、蒸着室内に配設され、蒸着材料の蒸発によって被蒸着部材に所定の蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク及びこのマスクを用いた蒸着方法に関するものである。 The present invention relates to an evaporation mask that is disposed in an evaporation chamber and forms a predetermined evaporation pattern on an evaporation target member by evaporation of an evaporation material, and an evaporation method using the mask.

従来、有機ＥＬパネルとしては、ガラス材料からなる透光性基板上に、ＩＴＯ（indium tin oxide）等によって陽極となる透明電極と、正孔注入層，正孔輸送層，発光層及び電子輸送層からなる有機層と、陰極となるアルミニウム（Al）等の非透光性の背面電極とを順次積層して積層体である有機ＥＬ素子を形成し、この積層体を覆うガラス材料からなる封止部材を透光性基板上に配設してなるものが知られている。このような有機ＥＬパネルは、例えば特許文献１に開示されている。 Conventionally, as an organic EL panel, a transparent electrode serving as an anode made of ITO (indium tin oxide) or the like, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are formed on a transparent substrate made of a glass material. An organic EL element that is a laminated body is formed by sequentially laminating an organic layer made of aluminum and a non-transparent back electrode such as aluminum (Al) that becomes a cathode, and a sealing made of a glass material that covers the laminated body A member in which a member is disposed on a translucent substrate is known. Such an organic EL panel is disclosed in Patent Document 1, for example.

かかる有機ＥＬパネルは、前記有機ＥＬ素子を構成する前記各層（正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，背面電極）に対応する複数の蒸着室を有する蒸着装置に透明電極が形成された透光性基板（被蒸着部材）を投入し、前記各層を形成することで得られるものである。かかる蒸着装置における各蒸着室は、例えば真空ポンプによって高真空に保たれる。これらの蒸着室内の下側には、蒸着材料を収納するルツボ（蒸着源）と、このルツボを取り巻くように巻回される加熱コイルと、前記ルツボ及び前記加熱コイルを包囲するように配設される熱遮蔽部材とが配設され、前記加熱コイルに電流が供給されることで蒸着材料が蒸発し、この蒸発した前記蒸着材料が前記透光性基板に堆積するものであり、無電界型蒸着装置と称されている。一方、前記各蒸着室の上側には、被蒸着部材である透光性基板を有する基板ホルダーと、前記基板ホルダーの背後に配設され蒸着用マスクを有するマスクホルダーとが配設されている。前記マスクホルダーに備えられる蒸着用マスクは、金属材料からなり、透光性基板に所定の蒸着パターンを形成するための複数の開口部と、前記透光性基板への蒸着パターンの形成を阻止する遮蔽部とを有しており、蒸発した前記蒸着材料が前記蒸着用マスクに設けられる前記各開口部を通過することで前記透光性基板上に所定の蒸着パターンが形成されるようになっている。このような蒸着用マスクは、例えば特許文献２に開示されている。
特開２００１−２６７０６６号公報特開２０００−１９２２２４号公報 Such an organic EL panel has a transparent electrode in a vapor deposition apparatus having a plurality of vapor deposition chambers corresponding to the respective layers (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, back electrode) constituting the organic EL element. The translucent substrate (vapor deposition member) on which is formed is put in and the respective layers are formed. Each vapor deposition chamber in such a vapor deposition apparatus is maintained at a high vacuum by, for example, a vacuum pump. Below these vapor deposition chambers, a crucible (vapor deposition source) for storing the vapor deposition material, a heating coil wound around the crucible, and the crucible and the heating coil are disposed. A heat shielding member is disposed, and when a current is supplied to the heating coil, the vapor deposition material evaporates, and the evaporated vapor deposition material is deposited on the translucent substrate. It is called a device. On the other hand, a substrate holder having a translucent substrate as a member to be deposited and a mask holder having a deposition mask disposed behind the substrate holder are disposed above the respective deposition chambers. The vapor deposition mask provided in the mask holder is made of a metal material, and prevents a plurality of openings for forming a predetermined vapor deposition pattern on the translucent substrate and the formation of the vapor deposition pattern on the translucent substrate. A predetermined vapor deposition pattern is formed on the translucent substrate by passing the vaporized vapor deposition material through the openings provided in the vapor deposition mask. Yes. Such a vapor deposition mask is disclosed in, for example, Patent Document 2.
JP 2001-267066 A JP 2000-192224 A

前述した無電界型蒸着装置は、第１の層上に第２の層を形成する場合、例えば前記透光性基板に形成される前記有機層上に前記背面電極を構成するためのアルミニウム等の電極材料を蒸着する場合、前記蒸着用マスクの前記開口部から所定量の蒸着材料が前記透光性基板方向に侵入し、前記有機層上に一定の膜厚にて前記蒸着材料が定着するように、前記透光性基板を回転させながら蒸着させるものである。しかしながら、電気導通性及び膜厚管理の信頼性等を考慮した場合に、前記蒸着材料を部分的に厚く、あるいは部分的に薄く蒸着させたいとする膜厚調整が単一の蒸着室では不可能であり、このような膜厚調整を行う場合にあっては、少なくとも２つ以上の蒸着室（少なくとも２工程）が必要となり、製造工程が複雑化してしまうといった問題点を有している。 In the above-described electroless evaporation apparatus, when the second layer is formed on the first layer, for example, aluminum or the like for forming the back electrode on the organic layer formed on the translucent substrate. When the electrode material is vapor-deposited, a predetermined amount of the vapor-deposited material enters the translucent substrate from the opening of the vapor-deposition mask, and the vapor-deposited material is fixed on the organic layer with a certain film thickness. Further, the light-transmitting substrate is deposited while rotating. However, when considering electrical continuity and reliability of film thickness control, it is impossible to adjust the film thickness in a single vapor deposition chamber in order to deposit the vapor deposition material partially thick or partially thin. In the case of such film thickness adjustment, at least two or more vapor deposition chambers (at least two steps) are required, and there is a problem that the manufacturing process becomes complicated.

本発明の前述した問題点に着目し、単一蒸着室でも膜厚調整を行うことができる蒸着用マスク及びそのマスクを用いた蒸着方法を提供することを目的とする。 Focusing on the above-mentioned problems of the present invention, an object of the present invention is to provide a vapor deposition mask capable of adjusting the film thickness even in a single vapor deposition chamber and a vapor deposition method using the mask.

本発明は、前述した課題を解決するため、蒸着源から発せられる蒸着材料を被蒸着部材に蒸着させ所定の蒸着パターンを形成するための複数の開口部と、前記各開口部を取り巻くように設けられ前記蒸着材料の前記被蒸着部材への蒸着を阻止するための遮蔽部とを備える蒸着用マスクであって、前記開口部である第１の開口部への前記蒸着材料の侵入量を減少させ、前記蒸着材料によって形成される第１の蒸着層の膜厚を前記開口部である第２の開口部に対応する第２の蒸着層の膜厚に比べ薄く形成するための膜厚調整部を備え、
前記膜厚調整部は、前記遮蔽部上の前記開口部の周囲の一部分に設けられてなるものである。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides a plurality of openings for forming a predetermined deposition pattern by depositing a deposition material emitted from a deposition source on a deposition target member, and surrounding each of the openings. A vapor deposition mask comprising a shielding portion for preventing vapor deposition of the vapor deposition material onto the vapor deposition target member, and reducing the amount of the vapor deposition material entering the first opening which is the opening. A film thickness adjusting unit for forming a film thickness of the first vapor deposition layer formed of the vapor deposition material to be smaller than a film thickness of the second vapor deposition layer corresponding to the second opening which is the opening. Prepared ,
The film thickness adjusting part is provided in a part of the periphery of the opening on the shielding part .

また、蒸着源から発せられる蒸着材料を被蒸着部材に蒸着させ所定の蒸着パターンを形成するための複数の開口部と、前記各開口部を取り巻くように設けられ前記蒸着材料の前記被蒸着部材への蒸着を阻止するための遮蔽部とを備える蒸着用マスクを用いた蒸着方法であって、前記開口部である第１の開口部への前記蒸着材料の侵入量を減少させ、前記蒸着材料によって形成される第１の蒸着層の膜厚を前記開口部である第２の開口部によって形成される第２の蒸着層の膜厚に比べ薄く形成するための膜厚調整部を前記蒸着用マスクに一体もしくは別体に備え、前記開口部を取り巻く前記遮蔽部に部分的に前記膜厚調整部が設けられるとともに、前記蒸着用マスクを蒸着室内に配設し、前記蒸着室内において、前記蒸着源の真上に前記蒸着用マスクが位置しないように前記蒸着用マスクを前記蒸着源に対してオフセットさせて配設するとともに、前記蒸着源を移動させながら、あるいは前記被蒸着部材とともに前記蒸着用マスクを回転させながら前記蒸着材料を前記被蒸着部材に蒸着させるものである。
Also, a plurality of openings for depositing a deposition material emitted from a deposition source on a deposition target member to form a predetermined deposition pattern, and surrounding each of the openings, provided to the deposition target member of the deposition material A vapor deposition method using a vapor deposition mask including a shielding portion for preventing vapor deposition, wherein the amount of the vapor deposition material entering the first opening which is the opening is reduced, and the vapor deposition material The film thickness adjusting portion for forming the film thickness of the first vapor deposition layer to be formed thinner than the film thickness of the second vapor deposition layer formed by the second opening which is the opening is the vapor deposition mask. provided integrally or separately on the part on the film thickness adjustment part is provided in the shielding portion Rutotomoni surrounding said opening, said evaporation mask disposed in the deposition chamber, in the deposition chamber, the deposition For the deposition just above the source The vapor deposition material is disposed with the vapor deposition mask being offset with respect to the vapor deposition source so that a disc is not positioned, and the vapor deposition source is moved or the vapor deposition mask is rotated together with the vapor deposition target member. Is deposited on the deposition member.

また、前記蒸着用マスクは、第１，第２電極ラインをそれぞれ複数備え、前記各電極ラインを交差するように配設するとともに、前記各電極ライン間に少なくとも発光層を含む有機層を挟持してマトリクス状の発光部を前記被蒸着部材である透光性基板上に形成してなる有機ＥＬパネルの蒸着工程の内、陰極電極である低抵抗材料からなる一方の電極ライン及び前記一方の電極ラインを前記透光性基板の一辺に引き出すための配線部を形成する工程に用いられ、前記配線部の膜厚を前記一方の電極ラインの膜厚よりも厚く形成してなるものである。 The evaporation mask includes a plurality of first and second electrode lines, and is disposed so as to intersect the electrode lines, and sandwiches at least an organic layer including a light emitting layer between the electrode lines. One of the electrode lines and the one electrode made of a low resistance material as the cathode electrode in the vapor deposition process of the organic EL panel formed by forming the matrix light emitting part on the light-transmitting substrate as the vapor deposition member It is used in a step of forming a wiring portion for drawing a line to one side of the translucent substrate, and is formed by making the thickness of the wiring portion larger than the thickness of the one electrode line.

蒸着源から発せられる蒸着材料によって被蒸着部材に所定の蒸着パターンを形成するための開口部と、前記蒸着材料の前記被蒸着部材への蒸着を阻止する遮蔽部と、を有する蒸着用マスク及びこの蒸着マスクを用いた蒸着方法に関し、単一蒸着室でも膜厚調整を行うことが可能となる。 A vapor deposition mask having an opening for forming a predetermined vapor deposition pattern on a vapor deposition member by a vapor deposition material emitted from a vapor deposition source, and a shielding portion for preventing vapor deposition of the vapor deposition material onto the vapor deposition member, and this Regarding the vapor deposition method using a vapor deposition mask, it is possible to adjust the film thickness even in a single vapor deposition chamber.

以下、添付図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図１及び図２において、蒸着装置Ａは、排気ポート１を介して図示しない真空ポンプで高真空に排気された蒸着室２を有している。この蒸着室２の下側にはルツボ等を有する蒸着源である蒸着材料収納容器（蒸着源）３が配設されている。蒸着材料収納容器３は、真上に後述する蒸着用マスクが位置しないように、前記蒸着用マスクに対して図中右側方向へオフセットさせた状態にて蒸着室２内に配設される。 1 and 2, the vapor deposition apparatus A has a vapor deposition chamber 2 that is evacuated to a high vacuum by an unillustrated vacuum pump through an exhaust port 1. A vapor deposition material storage container (vapor deposition source) 3 which is a vapor deposition source having a crucible or the like is disposed below the vapor deposition chamber 2. The vapor deposition material storage container 3 is disposed in the vapor deposition chamber 2 in a state offset to the right side in the figure with respect to the vapor deposition mask so that the vapor deposition mask described later is not located directly above.

蒸着材料収納容器３は、図２に示すように、有機ＥＬ素子における正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，背面電極層等の何れかの層の蒸着材料４を収納するルツボ５と、このルツボ５を取り巻くように巻回されるコイル状からなる加熱部材６と、ルツボ５及び加熱部材６を包囲するように配設される熱遮蔽部材７とを有している。ルツボ５は円筒カップ型に形成され、被蒸着部材である透光性基板（後述する）側が開口する開口部５ａを備えている。また、熱遮蔽部材７はルツボ５と同じく略円筒カップ型に形成されルツボ５の開口部５ａに対応する開口部７ａを備えている。 As shown in FIG. 2, the vapor deposition material storage container 3 stores the vapor deposition material 4 of any layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a back electrode layer in the organic EL element. A crucible 5, a heating member 6 having a coil shape wound around the crucible 5, and a heat shielding member 7 disposed so as to surround the crucible 5 and the heating member 6. . The crucible 5 is formed in a cylindrical cup shape, and includes an opening 5a that opens on the side of a light-transmitting substrate (described later) that is a member to be deposited. Further, the heat shielding member 7 is formed in a substantially cylindrical cup shape like the crucible 5 and has an opening 7 a corresponding to the opening 5 a of the crucible 5.

また、ルツボ５には加熱調整を行うための制御手段８を備えている。この制御手段８は、後で詳述する検出手段９からの検出データを所定周期で入力すると共に、入力された検出データに基づき蒸着材料４の蒸発した粒子の浮遊量（蒸着状態）を所定の演算処理によって求め、この演算結果と予め設定される基準値とを比較し、この比較結果に基づいて加熱部材６に対して電流量調整等のフィードバック制御を行うものである。 The crucible 5 is provided with a control means 8 for adjusting the heating. The control means 8 inputs detection data from the detection means 9 to be described in detail later at a predetermined cycle, and determines the floating amount (vapor deposition state) of the evaporated particles of the vapor deposition material 4 based on the input detection data. The calculation result is obtained by calculation processing, the calculation result is compared with a preset reference value, and feedback control such as current amount adjustment is performed on the heating member 6 based on the comparison result.

検出手段９は、ルツボ５に収納される蒸着材料４の浮遊量を検出するための膜厚センサや濃度センサ等から構成されるもので、蒸着材料収納容器３と前記透光性基板との間の蒸着材料４の蒸着経路Ｊ１中に配設されるもので、蒸着経路Ｊ１中の蒸着材料４の蒸発した粒子の浮遊量に応じた検出データを制御手段８に出力するものである。 The detection means 9 is composed of a film thickness sensor, a concentration sensor, and the like for detecting the floating amount of the vapor deposition material 4 accommodated in the crucible 5, and between the vapor deposition material storage container 3 and the translucent substrate. The vapor deposition material 4 is disposed in the vapor deposition path J1, and detection data corresponding to the floating amount of the evaporated particles of the vapor deposition material 4 in the vapor deposition path J1 is output to the control means 8.

一方、蒸着室２の上側には、透明ガラス材からなる矩形状の被蒸着部材である透光性基板１０と、この透光性基板１０の背後（透光性基板１０の蒸着材料収納容器３側）に配設され、本発明の主要部であり、後で詳述する蒸着用マスクを有する蒸着用治具１１とが配設されている。 On the other hand, on the upper side of the vapor deposition chamber 2, a translucent substrate 10 which is a rectangular deposition member made of a transparent glass material, and behind this translucent substrate 10 (deposition material storage container 3 of the translucent substrate 10. And a vapor deposition jig 11 having a vapor deposition mask, which will be described in detail later, which is a main part of the present invention.

蒸着用治具１１は、透光性基板１０に所定の蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク１２と、この蒸着用マスク１２の背後に配設され、蒸着用マスク１２を蒸着用治具１１に取り付けるための取付固定部１３とを備えている。 The vapor deposition jig 11 is disposed behind the vapor deposition mask 12 for forming a predetermined vapor deposition pattern on the translucent substrate 10, and the vapor deposition mask 12 is attached to the vapor deposition jig 11. And an attachment fixing portion 13 for attachment to the housing.

蒸着用治具１１は、蒸着経路Ｊ１において蒸着材料４を透光性基板１０に良好に蒸着するためのステッピングモータやサーボモータ等の駆動手段から構成される回転機構１４を備えている。この回転機構１４は、回転機構１４における出力軸に蒸着用治具１１の所定箇所が連結され、透光性基板１０の幅方向における中心位置を基準として、蒸着用治具１１が図示しないコントロール装置からの指令信号に基づいて回転するように構成されている。 The vapor deposition jig 11 includes a rotating mechanism 14 including a driving unit such as a stepping motor and a servo motor for depositing the vapor deposition material 4 on the translucent substrate 10 in the vapor deposition path J1. The rotation mechanism 14 has a predetermined portion of the evaporation jig 11 connected to the output shaft of the rotation mechanism 14, and the evaporation jig 11 is a control device (not shown) based on the center position in the width direction of the translucent substrate 10. It is comprised so that it may rotate based on the command signal from.

また、蒸着室２内の蒸着材料収納容器３と蒸着用治具１１との間には、蒸着経路Ｊ１を遮断する開閉機構１５が備えれられている。この開閉機構１５は前記コントロール装置からの指令信号に基づいてシャッター１５ａの開閉を行うもので、蒸着装置Ａは、シャッター１５ａのオープン時に蒸着可能となるものである。以上の各部によって蒸着装置Ａが構成されている。 In addition, an opening / closing mechanism 15 that blocks the vapor deposition path J <b> 1 is provided between the vapor deposition material storage container 3 in the vapor deposition chamber 2 and the vapor deposition jig 11. The opening / closing mechanism 15 opens and closes the shutter 15a based on a command signal from the control device, and the vapor deposition apparatus A is capable of vapor deposition when the shutter 15a is opened. The vapor deposition apparatus A is comprised by the above each part.

図３は、蒸着用マスク１２の概略図であり、蒸着用マスク１２は、透光性基板１０に蒸着材料を蒸着させるための開口部１２ａと、前記蒸着材料の透光性基板１０への付着を阻止する遮蔽部１２ｂとを備え、ＳＵＳ４３０やＳＵＳ３０４等の金属材料からなるベース板から構成される。蒸着用マスク１２の背後には、蒸着用マスク１２の反りや歪みを抑制するための梁部１６が配設されている。蒸着用マスク１２は、ホルダー部材である梁部１６に突設された位置決めピン１６ａによって梁部１６との位置が決定されるとともに、ビス等の固定部材１６ｂによって梁部１６に固定されている。蒸着用マスク１２は、梁部１６の所定位置を取付部材１３に精度良く取り付けることで、蒸着材料収納容器３に対する配設位置が決定する。 FIG. 3 is a schematic view of the vapor deposition mask 12. The vapor deposition mask 12 has an opening 12 a for vapor deposition of the vapor deposition material on the translucent substrate 10 and adhesion of the vapor deposition material to the translucent substrate 10. And a base plate made of a metal material such as SUS430 or SUS304. Behind the vapor deposition mask 12 is a beam portion 16 for suppressing warpage and distortion of the vapor deposition mask 12. The position of the vapor deposition mask 12 with respect to the beam portion 16 is determined by positioning pins 16a projecting from the beam portion 16 as a holder member, and is fixed to the beam portion 16 by a fixing member 16b such as a screw. The vapor deposition mask 12 is attached to the attachment member 13 with a predetermined position of the beam portion 16 with high accuracy, so that the arrangement position with respect to the vapor deposition material storage container 3 is determined.

図４（ａ），（ｂ）は、蒸着用マスク１２の第１の実施形態を示すものである。蒸着用マスク１２は、蒸着材料４を透光性基板１０に蒸着させ所定の蒸着パターンを形成するための複数の開口部１２ａと、各開口部１２ａを取り巻くように設けられ蒸着材料４の透光性基板１０への蒸着を阻止するための遮蔽部１２ｂとが基部となるベース板に備えられる。また、蒸着用マスク１２は、開口部１２である第１の開口部１２ａ１への蒸着材料４の侵入量を減少させ、蒸着材料４によって形成される第１の蒸着層４ａの膜厚を、開口部である第２の開口部１２ａ２によって形成される第２の蒸着層４ｂの膜厚に比べ薄く形成するための膜厚調整部である遮蔽壁１７を備えてなる。尚、図中において、透光性基板１０上に第１，第２の蒸着層４ａ，４ｂが形成される例を示しているが、有機ＥＬ素子であれば、透光性基板１０に形成される透明電極上に正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層及び背面電極の各層からなる第１，第２の蒸着層４ａ，４ｂが形成されることになる。 4A and 4B show a first embodiment of the evaporation mask 12. The vapor deposition mask 12 is provided so as to surround the respective openings 12a and a plurality of openings 12a for depositing the vapor deposition material 4 on the translucent substrate 10 to form a predetermined vapor deposition pattern. And a shielding part 12b for preventing vapor deposition on the conductive substrate 10 is provided on the base plate serving as a base. Further, the vapor deposition mask 12 reduces the amount of the vapor deposition material 4 penetrating into the first opening 12a1, which is the opening 12, so that the film thickness of the first vapor deposition layer 4a formed by the vapor deposition material 4 can be reduced. A shielding wall 17 is provided as a film thickness adjusting unit for forming a thin film as compared with the film thickness of the second vapor deposition layer 4b formed by the second opening 12a2 that is a part. In the figure, an example in which the first and second vapor deposition layers 4a and 4b are formed on the translucent substrate 10 is shown. However, in the case of an organic EL element, it is formed on the translucent substrate 10. On the transparent electrode, the first and second vapor deposition layers 4a and 4b composed of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the back electrode are formed.

遮蔽壁１７は、遮蔽部１２ｂ上の第１の開口部１２ａ１の周囲の一部分に、即ち図中において、矩形状の第１の開口部１２ａ１の左辺から所定間隔隔て状態で、かつ左辺のみに対応するように設けられるものである。尚、遮蔽壁１７は、蒸着用マスク１２と同等な材料（熱膨張係数が類似するものが望ましい）が用いられ、エレクトロフォーミング法やエッチング法によって形成するもの、あるいは専用部品となる遮蔽壁１７を溶接あるいはねじ止めによって組み付けされて構成するものであっても良い。 The shielding wall 17 corresponds to only a part of the periphery of the first opening 12a1 on the shielding part 12b, that is, in a state of being separated from the left side of the rectangular first opening 12a1 by a predetermined distance in the drawing. Is provided. The shielding wall 17 is made of the same material as that of the evaporation mask 12 (preferably having a similar thermal expansion coefficient), and is formed by an electroforming method or an etching method, or the shielding wall 17 serving as a dedicated part. It may be configured to be assembled by welding or screwing.

遮光壁１７は、所定の高さＨを有しており、この高さＨは、下記の式（１）で設定される。
Ｈ＞（Ｗ１＋Ｗ２）・ｔａｎ^−１Ｘ・・・・（１）
但し、幅Ｗ１は、第１の開口部１２ａ１の開口幅、幅Ｗ２は、遮蔽壁１７から第１の開口部１２ａ間での幅、角度Ｘは、透光性基板（基体面）１０の法線ａに対して第１の開口部１２ａ１から蒸着材料収納容器３が取る最大角度である。 The light shielding wall 17 has a predetermined height H, and this height H is set by the following equation (1).
H> (W1 + W2) .tan ⁻¹ X (1)
However, the width W1 is the opening width of the first opening 12a1, the width W2 is the width between the shielding wall 17 and the first opening 12a, and the angle X is the method of the translucent substrate (base surface) 10. This is the maximum angle that the vapor deposition material container 3 takes from the first opening 12a1 with respect to the line a.

かかる蒸着用マスク１２を用いた蒸着方法は、膜厚調整部となる遮蔽壁１７を遮蔽部１２ｂの第１の開口部１２ａ１の周囲の一部分に備えた蒸着用マスク１２を用意し、蒸着用マスク１２を蒸着室２内に配設し、蒸着室２内において、蒸着源である蒸着材料収納容器３の真上に蒸着用マスク１２が位置しないように蒸着用マスク１２を蒸着材料収納容器３に対してオフセット（図中においては左側）させて配設するとともに、透光性基板１０とともに蒸着用マスク１２を所定速度にて回転させて蒸着材料４を透光性基板１０に蒸着させるものである。従って、遮蔽壁１７が存在する位置に形成される第１の開口部１２ａ１への蒸着材料４の侵入量が減少することから、蒸着材料４によって形成される第１の蒸着層４ａの膜厚を遮蔽壁１７が存在しない位置に形成される第２の開口部１２ａ２によって形成される第２の蒸着層４ｂの膜厚に比べ薄く形成することが可能となる。 In the vapor deposition method using the vapor deposition mask 12, a vapor deposition mask 12 having a shielding wall 17 serving as a film thickness adjusting portion around the first opening 12a1 of the shielding portion 12b is prepared. 12 is disposed in the vapor deposition chamber 2, and in the vapor deposition chamber 2, the vapor deposition mask 12 is placed in the vapor deposition material storage container 3 so that the vapor deposition mask 12 is not located directly above the vapor deposition material storage container 3 that is a vapor deposition source. The vapor deposition material 4 is vapor-deposited on the translucent substrate 10 by rotating the vapor deposition mask 12 together with the translucent substrate 10 at a predetermined speed. . Therefore, since the amount of the vapor deposition material 4 entering the first opening 12a1 formed at the position where the shielding wall 17 exists is reduced, the film thickness of the first vapor deposition layer 4a formed by the vapor deposition material 4 is reduced. It is possible to form a thin film compared to the thickness of the second vapor deposition layer 4b formed by the second opening 12a2 formed at a position where the shielding wall 17 does not exist.

次に、図５（ａ），（ｂ）を用いて蒸着用マスク１２の第２の実施形態を説明するが、前述の第１の実施形態と同様もしくは相当個所には同一符号を付してその詳細な説明は省く。 Next, a second embodiment of the vapor deposition mask 12 will be described with reference to FIGS. 5A and 5B. The same reference numerals are given to the same or corresponding portions as in the first embodiment. The detailed explanation is omitted.

第２の実施形態における蒸着用マスク１２は、前述した第１の実施形態における蒸着用マスク１２の変形例であり、第２の実施形態における蒸着用マスク１２は、第１の開口部１２ａ１の周囲の一部分、即ち矩形状の第１の開口部１２ａの３辺に対応する位置に遮蔽壁１８が形成されるとともに、それぞれの辺に対応する遮蔽壁１８が連続的に設けられことなく隙間部Ｓを有するように断続的に形成される。また、第１の開口部１２ａの左右の辺に対応する位置に形成される遮蔽壁１８は、それぞれの高さＨ１，Ｈ２が異なるように形成されている。尚、遮蔽壁１８の高さＨ１（Ｈ）は、前記式（１）により同等に設定される。 The vapor deposition mask 12 in the second embodiment is a modification of the vapor deposition mask 12 in the first embodiment described above, and the vapor deposition mask 12 in the second embodiment is around the first opening 12a1. The shielding wall 18 is formed at a position corresponding to three sides of the first opening 12a having a rectangular shape, and the clearance S is not provided continuously with the shielding wall 18 corresponding to each side. It is formed intermittently to have. Further, the shielding walls 18 formed at positions corresponding to the left and right sides of the first opening 12a are formed so that the heights H1 and H2 are different from each other. In addition, the height H1 (H) of the shielding wall 18 is set equally by the said Formula (1).

次に、図６（ａ），（ｂ）を用いて蒸着用マスク１２の第３の実施形態を説明するが、前述の第１，第２の実施形態と同様もしくは相当個所には同一符号を付してその詳細な説明は省く。 Next, the third embodiment of the vapor deposition mask 12 will be described with reference to FIGS. 6A and 6B. The same reference numerals are used for the same or corresponding portions as those in the first and second embodiments described above. A detailed description thereof will be omitted.

第３の実施形態における蒸着用マスク１２が、前述した第１，第２の実施形態における蒸着用マスク１２に比べ異なる点は、遮蔽壁１９が第１の開口部１２ａ１を部分的に覆うように設けられている点である。遮蔽壁１９は、第１の開口部１２ａ１の幅方向に対して幅狭となる第１，第２の不透明部１９ａ１，１９ａ２を構成している。尚、遮蔽壁１９は、遮蔽用マスク１２と同等な材料（熱膨張係数が類似するものが望ましい）が用いられ、エレクトロフォーミング法やエッチング法によって形成するもの、あるいは専用部品を溶接あるいはねじ止めによって組み付けされて構成するものであっても良い。 The difference between the vapor deposition mask 12 in the third embodiment and the vapor deposition mask 12 in the first and second embodiments is that the shielding wall 19 partially covers the first opening 12a1. It is a point provided. The shielding wall 19 constitutes first and second opaque portions 19a1 and 19a2 that are narrower in the width direction of the first opening 12a1. The shielding wall 19 is made of the same material as that of the shielding mask 12 (preferably having a similar thermal expansion coefficient), and is formed by an electroforming method or an etching method, or a dedicated part is welded or screwed. It may be assembled and configured.

遮蔽壁１９は、第１の開口部１２ａ１を部分的に覆うため、第１の開口部１２ａ１の長手方向に第１，第２の不透明部１９ａ１，１９ａ２が掛け渡されることで構成される。第１，第２の不透明部１９ａ１，１９ａ２の幅Ｗ３は、下記の式（２）により設定される。
Ｗ３＜ｄ１・ｔａｎＹ・・・（２）
但し、ｄ１は、各不透明部１９ａ１，１９ａ２の上面から透光性基板１０までの距離、角度Ｙは、透光性基板（基体面）１０の法線ａに対して各不透明部１９ａ１，１９ａ２間の第１の開口部１２ａ１から蒸着材料収納容器３が取る最大角度である。尚、各不透明部１９ａ１，１９ａ２の幅Ｗ３及び厚さは同等なものであるとする。 The shielding wall 19 is configured by the first and second opaque portions 19a1 and 19a2 being spanned in the longitudinal direction of the first opening 12a1 in order to partially cover the first opening 12a1. The width W3 of the first and second opaque portions 19a1 and 19a2 is set by the following equation (2).
W3 <d1 · tanY (2)
However, d1 is the distance from the upper surface of each opaque part 19a1, 19a2 to the translucent board | substrate 10, and the angle Y is between each opaque part 19a1, 19a2 with respect to the normal line a of the translucent board | substrate (base | substrate surface) 10. This is the maximum angle taken by the vapor deposition material container 3 from the first opening 12a1. It is assumed that the opaque portions 19a1 and 19a2 have the same width W3 and thickness.

次に、図７（ａ），（ｂ）を用いて蒸着用マスク１２の第４の実施形態を説明するが、前述の第１〜第３の実施形態と同様もしくは相当個所には同一符号を付してその詳細な説明は省く。 Next, a fourth embodiment of the vapor deposition mask 12 will be described with reference to FIGS. 7A and 7B. The same reference numerals are used for the same or corresponding portions as in the first to third embodiments. A detailed description thereof will be omitted.

第４の実施形態における蒸着用マスク１２は、第３の実施形態における蒸着用マスク１２の変形例であり、第１の開口部１２ａ１に備えられる遮蔽壁２０は、第１の開口部１２ａ１を部分的に覆うようにメッシュ状を成している。遮蔽壁２０は、縦方向に複数配設される縦方向不透明部２０ａ１と、横方向に複数配設される横方向不透明部２０ａ２とを備え、各不透明部２０ａ１，２０ａ２がそれぞれ第１の開口部１２ａ１に掛け渡されることで構成される。また遮蔽壁２０は、各不透明部２０ａ１，２０ａ２が第１の開口部１２ａ１の周囲の遮蔽部１２ｂにおいて、所定の高さＨ３を備えた側壁２０ｂを有するように、断面形状が略コの字状をなしている。 The vapor deposition mask 12 in the fourth embodiment is a modification of the vapor deposition mask 12 in the third embodiment, and the shielding wall 20 provided in the first opening 12a1 partially covers the first opening 12a1. It has a mesh shape to cover it. The shielding wall 20 includes a plurality of vertical opaque portions 20a1 arranged in the vertical direction and a plurality of horizontal opaque portions 20a2 arranged in the horizontal direction, and each of the opaque portions 20a1 and 20a2 has a first opening. It is configured by being routed to 12a1. The shielding wall 20 has a substantially U-shaped cross section so that each opaque portion 20a1, 20a2 has a side wall 20b having a predetermined height H3 at the shielding portion 12b around the first opening 12a1. I am doing.

各不透明部２０ａ１，２０ａ２の幅Ｗ４は、下記の式（３）により設定される。
Ｗ４＜ｄ２・ｔａｎＺ・・・（３）
但し、ｄ２は、側壁２０ｂの高さＨ３を含むとともに各不透明部２０ａ１，２０ａ２の上面から透光性基板１０までの距離、角度Ｚは、透光性基板（基体面）１０の法線ａに対して各不透明部２０ａ１，２０ａ２間の第１の開口部１２ａ１から蒸着材料収納容器３が取る最大角度である。尚、各不透明部２０ａ１，２０ａ２の幅Ｗ４及び厚さは同等なものであるとする。 The width W4 of each opaque portion 20a1, 20a2 is set by the following equation (3).
W4 <d2 · tanZ (3)
However, d2 includes the height H3 of the side wall 20b, and the distance from the upper surface of each opaque portion 20a1, 20a2 to the translucent substrate 10, the angle Z is the normal line a of the translucent substrate (base surface) 10. On the other hand, this is the maximum angle taken by the deposition material container 3 from the first opening 12a1 between the opaque portions 20a1 and 20a2. It is assumed that the opaque portions 20a1 and 20a2 have the same width W4 and thickness.

かかる蒸着用マスク１２は、蒸着材料収納容器３から発せられる蒸着材料４を透光性基板１０に蒸着させ所定の蒸着パターンを形成するための複数の開口部１２ａと、各開口部１２ａを取り巻くように設けられ蒸着材料４の透光性基板４への蒸着を阻止するための遮蔽部１２ｂとを備え、第１の開口部１２ａ１への蒸着材料４の侵入量を減少させ、蒸着材料４によって形成される第１の蒸着層４ａ１の膜厚を第２の開口部１２ａ２によって形成される第２の蒸着層４ｂの膜厚に比べ薄く形成するための膜厚調整部となる遮蔽壁１７，１８，１９，２０を備えてなるものである。 The vapor deposition mask 12 surrounds each of the openings 12a and a plurality of openings 12a for depositing the vapor deposition material 4 emitted from the vapor deposition material storage container 3 on the translucent substrate 10 to form a predetermined vapor deposition pattern. And a shielding portion 12b for preventing the vapor deposition material 4 from being deposited on the translucent substrate 4, and the amount of the vapor deposition material 4 entering the first opening 12a1 is reduced and formed by the vapor deposition material 4. Shielding walls 17, 18, which serve as film thickness adjusting portions for forming the film thickness of the first vapor deposition layer 4 a 1 to be thinner than the film thickness of the second vapor deposition layer 4 b formed by the second opening 12 a 2. 19 and 20 are provided.

また、その蒸着用マスク１２を用いた蒸着方法としては、遮蔽壁１７，１８，１９，２０を有する蒸着用マスク１２を蒸着室２内に配設し、蒸着室２内において、蒸着源である蒸着材料収納容器３の真上に蒸着用マスク１２が位置しないように蒸着用マスク１２を蒸着材料収納容器３に対してオフセットさせて配設するとともに、透光性基板１０とともに蒸着用マスク１２を回転させて蒸着材料４を透光性基板１０に蒸着させるものである。 Further, as a vapor deposition method using the vapor deposition mask 12, the vapor deposition mask 12 having the shielding walls 17, 18, 19, and 20 is disposed in the vapor deposition chamber 2, and is a vapor deposition source in the vapor deposition chamber 2. The vapor deposition mask 12 is offset with respect to the vapor deposition material storage container 3 so that the vapor deposition mask 12 is not located directly above the vapor deposition material storage container 3, and the vapor deposition mask 12 is provided together with the translucent substrate 10. The vapor deposition material 4 is vapor-deposited on the translucent substrate 10 by rotating.

従って、遮蔽壁１７，１８，１９，２０によって第１の開口部１２ａ１への蒸着材料４の侵入量が調整されるため、無電界型蒸着装置による単一蒸着室によって膜厚調整が可能となる。 Therefore, since the amount of the vapor deposition material 4 entering the first opening 12a1 is adjusted by the shielding walls 17, 18, 19, and 20, the film thickness can be adjusted by a single vapor deposition chamber using an electroless vapor deposition apparatus. .

前述した各遮光壁１７，１８，１９，２０を有する蒸着用マスク１２は、有機ＥＬパネルにおける低抵抗材料から構成される陰極電極を形成する際に有効なものとなる。具体例を図８及び図９に示す。 The vapor deposition mask 12 having the light shielding walls 17, 18, 19, and 20 described above is effective when forming a cathode electrode composed of a low resistance material in an organic EL panel. Specific examples are shown in FIGS.

図８及び図９は、マトリクス状の発光部を備える有機ＥＬパネル３０を示すものである。かかる有機ＥＬパネル３０は、透光性基板１０上に、ＩＴＯやＩＺＯ等の透光性電極材料からなり陽極電極となる第１電極ライン３１が複数列形成され、これら第１電極ライン３１間にポリイミド系等の絶縁材料からなる絶縁層３２が形成されている。そして第１電極ライン３１及び絶縁層３２上に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層及び電子注入層からなる有機層３３が形成され、有機層３３上に、アルミ（Al）やアルミリチウム（Al:Li），マグネシウム銀（Mg:Ag）等の低抵抗金属材料からなり陰極電極となる第２電極ライン（一方の電極ライン）３４が第１の電極ライン３１と直交（交差）する状態で形成されている。また、第２電極ライン３４は、ポリイミド系等の絶縁材料からなる隔壁（リブ）３５によって、単一の金属電極３６が分断されることによって得られている。 8 and 9 show an organic EL panel 30 having a matrix-like light emitting section. In the organic EL panel 30, a plurality of first electrode lines 31 made of a light-transmitting electrode material such as ITO or IZO and serving as anode electrodes are formed on the light-transmitting substrate 10, and between these first electrode lines 31. An insulating layer 32 made of an insulating material such as polyimide is formed. An organic layer 33 composed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed on the first electrode line 31 and the insulating layer 32, and aluminum ( A second electrode line (one electrode line) 34 made of a low-resistance metal material such as Al), aluminum lithium (Al: Li), magnesium silver (Mg: Ag), or the like, which is a cathode electrode, is orthogonal to the first electrode line 31. It is formed in a (crossing) state. The second electrode line 34 is obtained by dividing a single metal electrode 36 by partition walls (ribs) 35 made of an insulating material such as polyimide.

第１，第２電極ライン３１，３４は、透光性基板１０の一辺にそれそれ引き出すための配線部３１ａ，３４ａを有しており、各配線部３１ａ，３４ａの終端は、フレキシブル回路基板等の他の接続部材と電気的に接続される端子部３１ｂ，３４ｂを備えている。有機ＥＬパネル３０は、各端子部３１ｂ，３４ｂが外部に露出するようにガラス材料からなる封止部材３７によって各端子部３１ｂ，３４ｂを除く他の部分を気密的に封止している。 The first and second electrode lines 31 and 34 have wiring portions 31a and 34a for drawing out to one side of the translucent substrate 10 respectively, and the termination of each wiring portion 31a and 34a is a flexible circuit board or the like. Terminal portions 31b and 34b that are electrically connected to other connection members are provided. The organic EL panel 30 hermetically seals other portions except the terminal portions 31b and 34b by a sealing member 37 made of a glass material so that the terminal portions 31b and 34b are exposed to the outside.

かかる有機ＥＬパネル３０において、第２電極ライン３４及び第２電極ライン３４を透光性基板１０の一辺に引き出すための配線部３４ａを形成する工程（陰極電極形成工程）に前述した蒸着用マスク１２を用いた蒸着方法を適応することによって、配線部３４ａの膜厚ａを第２電極ライン３４の膜厚ｂよりも厚く形成することが可能となる。従って、この蒸着マスク１２を用いた蒸着方法によると、単一蒸着室によって膜厚調整が可能となり、例えば第２の陰極ライン３４の膜厚ｂを１００ｎｍ〜３００ｎｍとした場合に、配線部３４ａの膜厚ａを３００ｎｍ〜５００ｎｍとする膜厚調整が可能となる。有機ＥＬパネル３０は、第２電極ライン３４の配線部３４ａの引き回し長さが第１の電極ライン３１に比べ長くなり、有機ＥＬパネル３０の発光特性に悪影響を及ぼす発熱あるいは電圧降下の原因に繋がるが、低抵抗材料から形成される配線部３４ａの膜厚ａを第２電極ライン３４の膜厚ｂに比べ厚く形成することで、前述した問題点を解消することができる。 In the organic EL panel 30, the evaporation mask 12 described above in the step of forming the second electrode line 34 and the wiring portion 34 a for drawing the second electrode line 34 to one side of the translucent substrate 10 (cathode electrode forming step). By adapting the vapor deposition method using, it is possible to form the film thickness a of the wiring part 34 a thicker than the film thickness b of the second electrode line 34. Therefore, according to the vapor deposition method using the vapor deposition mask 12, the film thickness can be adjusted by a single vapor deposition chamber. For example, when the film thickness b of the second cathode line 34 is set to 100 nm to 300 nm, the wiring portion 34a The film thickness can be adjusted so that the film thickness a is 300 nm to 500 nm. In the organic EL panel 30, the length of the wiring portion 34 a of the second electrode line 34 is longer than that of the first electrode line 31, leading to heat generation or voltage drop that adversely affects the light emission characteristics of the organic EL panel 30. However, the problem described above can be solved by forming the film thickness a of the wiring portion 34a formed of the low resistance material thicker than the film thickness b of the second electrode line 34.

尚、本発明の実施形態では、蒸着用マスク１２を蒸着室２内において回転させるものであったが、本発明にあっては、蒸着源である蒸着材料収納容器３をその配設位置が変化するように回転（移動）させる蒸着方法であっても良い。 In the embodiment of the present invention, the vapor deposition mask 12 is rotated in the vapor deposition chamber 2. However, in the present invention, the arrangement position of the vapor deposition material storage container 3 which is a vapor deposition source is changed. Alternatively, a vapor deposition method that rotates (moves) so as to perform may be used.

また、本発明の実施形態では、蒸着用マスク１２に遮蔽壁１７，１８，１９，２０を一体的に設けるものであったが、本発明にあっては、膜厚調整部となる遮蔽壁を備えるホルダー部材を蒸着室２内に配設される取付固定部１３に備え、蒸着用マスク１２の開口部１２ａへの蒸着材料４の侵入量を調整するものであっても良い。 In the embodiment of the present invention, the shielding walls 17, 18, 19, and 20 are integrally provided on the vapor deposition mask 12. However, in the present invention, a shielding wall serving as a film thickness adjusting portion is provided. The holder member provided may be provided in the attachment fixing portion 13 disposed in the vapor deposition chamber 2 to adjust the amount of the vapor deposition material 4 entering the opening 12 a of the vapor deposition mask 12.

本発明の実施形態の蒸着装置を示す図である。It is a figure which shows the vapor deposition apparatus of embodiment of this invention. 同上実施形態の蒸着材料収納容器を示す図である。It is a figure which shows the vapor deposition material storage container of embodiment same as the above. 同上実施形態の蒸着用マスクを示す概略図である。It is the schematic which shows the mask for vapor deposition of embodiment same as the above. 本発明の蒸着用マスクの第１の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the mask for vapor deposition of this invention. 本発明の蒸着用マスクの第２の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the mask for vapor deposition of this invention. 本発明の蒸着用マスクの第３の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 3rd Embodiment of the mask for vapor deposition of this invention. 本発明の蒸着用マスクの第４の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 4th Embodiment of the mask for vapor deposition of this invention. 本発明の実施形態の有機ＥＬパネルを示す平面図である。It is a top view which shows the organic electroluminescent panel of embodiment of this invention. 同上実施形態の有機ＥＬパネルを示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the organic electroluminescent panel of embodiment same as the above.

Explanation of symbols

Ａ蒸着装置
２蒸着室
３蒸着材料収納容器
４蒸着材料
４ａ，４ｂ第１，第２の蒸着層
１０透光性基板（被蒸着部材）
１２蒸着用マスク
１２ａ開口部
１２ａ１，１２ａ２第１，第２の開口部
１２ｂ遮蔽部
１７，１８，１９，２０遮蔽壁（膜厚調整部）
１９ａ１，１９ａ２第１，第２の不透明部
２０ａ１，２０ａ２縦方向，横方向不透明部
３０有機ＥＬパネル
３１第１電極ライン
３３有機層
３４第２電極ライン
３４ａ配線部 A vapor deposition apparatus 2 vapor deposition chamber 3 vapor deposition material storage container 4 vapor deposition material 4a, 4b 1st, 2nd vapor deposition layer 10 Translucent substrate (deposition member)
12 evaporation mask 12a opening 12a1, 12a2 first and second opening 12b shielding part 17, 18, 19, 20 shielding wall (film thickness adjusting part)
19a1, 19a2 First and second opaque parts 20a1, 20a2 Vertical and horizontal opaque parts 30 Organic EL panel 31 First electrode line 33 Organic layer 34 Second electrode line 34a Wiring part

Claims

A plurality of openings for depositing a deposition material emitted from a deposition source on a deposition target member to form a predetermined deposition pattern, and deposition of the deposition material on the deposition target member so as to surround each of the openings A mask for vapor deposition comprising a shielding part for preventing
The amount of the vapor deposition material entering the first opening which is the opening is reduced, and the film thickness of the first vapor deposition layer formed by the vapor deposition material corresponds to the second opening which is the opening. A film thickness adjusting unit for forming a thin film compared to the film thickness of the second vapor deposition layer ,
The deposition mask, wherein the film thickness adjusting portion is provided in a part of the periphery of the opening on the shielding portion .

A plurality of openings for depositing a deposition material emitted from a deposition source on a deposition target member to form a predetermined deposition pattern, and deposition of the deposition material on the deposition target member so as to surround each of the openings A vapor deposition method using a vapor deposition mask provided with a shielding part for preventing
The amount of the vapor deposition material entering the first opening which is the opening is reduced, and the film thickness of the first vapor deposition layer formed by the vapor deposition material is formed by the second opening which is the opening. The film thickness adjusting part for forming a thin film compared to the film thickness of the second vapor deposited layer is integrated with the vapor deposition mask or provided separately , and the film thickness is partially adjusted at the shielding part surrounding the opening. parts are provided Rutotomoni, disposed in the deposition chamber of the deposition mask,
In the vapor deposition chamber, the vapor deposition mask is offset with respect to the vapor deposition source so that the vapor deposition mask is not located directly above the vapor deposition source, and
A deposition method using a deposition mask, wherein the deposition material is deposited on the deposition target member while moving the deposition source or rotating the deposition mask together with the deposition target member.

The evaporation mask includes a plurality of first and second electrode lines, and is arranged so as to intersect the electrode lines. An organic layer including at least a light emitting layer is sandwiched between the electrode lines. Of the organic EL panel formed by forming a light emitting part on the light-transmitting substrate as the member to be evaporated, one electrode line made of a low resistance material as the cathode electrode and the one electrode line It is used in a step of forming a wiring portion for drawing out to one side of the translucent substrate, and the thickness of the wiring portion is formed larger than the thickness of the one electrode line. A vapor deposition method using the vapor deposition mask according to 2 .