JP4586613B2 - Method for forming groove in glass substrate, method for manufacturing electrostatic actuator, method for manufacturing droplet discharge head, and method for manufacturing device - Google Patents

Method for forming groove in glass substrate, method for manufacturing electrostatic actuator, method for manufacturing droplet discharge head, and method for manufacturing device Download PDF

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JP4586613B2 JP2005113144A JP2005113144A JP4586613B2 JP 4586613 B2 JP4586613 B2 JP 4586613B2 JP 2005113144 A JP2005113144 A JP 2005113144A JP 2005113144 A JP2005113144 A JP 2005113144A JP 4586613 B2 JP4586613 B2 JP 4586613B2
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Description

本発明はガラス基板の溝形成方法、静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの
製造方法及びデバイスの製造方法に関し、特にガラス基板に階段状の段差を安価に、精度
良く形成するガラス基板の溝形成方法、このガラス基板の溝形成方法を適用した静電アク
チュエータの製造方法、この静電アクチュエータの製造方法を適用した静電駆動方式のイ
ンクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドの製造方法及び静電アクチュエータの製造方法を
含むデバイスの製造方法に関するものである。
The present invention relates to a method of forming a groove in a glass substrate, a method of manufacturing an electrostatic actuator, a method of manufacturing a droplet discharge head, and a method of manufacturing a device. Groove forming method, electrostatic actuator manufacturing method using the glass substrate groove forming method, electrostatic drive type inkjet head manufacturing method and the like The present invention relates to a device manufacturing method including an actuator manufacturing method.

静電駆動方式のインクジェットヘッドにおいて、駆動電圧の上昇を引き起こすことがな
く、振動板の変位量を増加させ、液滴の吐出エネルギーを増加させる構造について検討さ
れてきた。その構造の一つに、個別電極に階段状の段差を設ける方式がある。
従来の静電アクチュエータの製造方法として、振動板と個別電極の間隔(ギャッ長)が
少なくとも2種類以上となるように階段状の段差がシリコン基板またはホウ珪酸ガラスに
個別電極の短辺方向に形成することが記載されている(例えば、特許文献1参照)。
In an electrostatic drive type inkjet head, a structure that increases the displacement amount of the diaphragm and increases the ejection energy of droplets without causing an increase in drive voltage has been studied. One of the structures is a method of providing a stepped step on the individual electrode.
As a conventional method of manufacturing an electrostatic actuator, a stepped step is formed on a silicon substrate or borosilicate glass in the short side direction so that there are at least two kinds of gaps (gap lengths) between the diaphragm and the individual electrodes. (For example, refer to Patent Document 1).

また、別の従来のインクジェットヘッドとして、振動板と個別電極の隙間として、個別
電極の長辺方向に大きな隙間部分と小さな隙間部分とが階段状に形成されていることが記
載されているが、大きな隙間部分と小さな隙間部分とを階段状に形成する方法については
記載されていない。(例えば、特許文献2参照)。
さらに、別の従来のCr膜を利用したガラス基板の溝形成方法として、ガラス基板の溝
形成用のパターニング施されたレジスト膜及びCr膜で構成された積層膜をエッチングマ
スクとして用いて、ガラス基板の表面をウエットエッチングにより溝を形成することが記
載されている。(例えば、特許文献3参照)。
特開2000−318155号公報(第1頁、図2) 特開平9−39235号公報(第1頁、図1) 特開2002−145643号公報(第1頁、図4)
In addition, as another conventional inkjet head, it is described that a large gap portion and a small gap portion are formed in a step shape in the long side direction of the individual electrode as a gap between the diaphragm and the individual electrode. There is no description about a method of forming a large gap portion and a small gap portion in a step shape. (For example, refer to Patent Document 2).
Furthermore, as another conventional method for forming a glass substrate groove using a Cr film, a glass substrate is formed by using a patterned resist film for groove formation of a glass substrate and a laminated film composed of a Cr film as an etching mask. It is described that a groove is formed on the surface of the substrate by wet etching. (For example, refer to Patent Document 3).
JP 2000-318155 A (first page, FIG. 2) JP-A-9-39235 (first page, FIG. 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-145543 (first page, FIG. 4)

特許文献1に記載の従来の静電アクチュエータの製造方法により、階段状の段差をシリ
コン基板に形成すると、ホウ珪酸ガラスを用いた場合と比較して加工がし易い反面、次の
ような欠点がある。
1)シリコン基板の単価がホウ珪酸ガラスの単価より高いため、コストが高くなる。
2)キャビティ基板を接合する際に、陽極接合ができない。
3)シリコン基板は透明でないため、静電アクチュエータ内の様子が観察できない。
また、特許文献2に記載の従来のインクジェットヘッドには段差を形成する方法につい
ては述べられておらず、特許文献3に記載の従来のCr膜を利用したガラス基板の溝形成
方法はガラス基板に1つの溝を形成する方法は記載されているが、階段状の溝を形成する
ことについては記載がない。
従って、現在、静電アクチュエータの製造を行う際に、いわゆるガラス基板に階段状の
段差を安価に、精度良く形成する方法の提案が望まれているところである。
When a stepped step is formed on a silicon substrate by the conventional method of manufacturing an electrostatic actuator described in Patent Document 1, processing is easier than when borosilicate glass is used, but the following drawbacks are present. is there.
1) Since the unit price of the silicon substrate is higher than the unit price of borosilicate glass, the cost increases.
2) Anodic bonding is not possible when bonding cavity substrates.
3) Since the silicon substrate is not transparent, the inside of the electrostatic actuator cannot be observed.
Further, the conventional ink jet head described in Patent Document 2 does not describe a method of forming a step, and the conventional groove forming method of a glass substrate using a Cr film described in Patent Document 3 is applied to the glass substrate. Although a method for forming one groove is described, there is no description about forming a stepped groove.
Therefore, at the present time, when manufacturing an electrostatic actuator, it is desired to propose a method for forming a stepped step on a so-called glass substrate with low cost and high accuracy.

本発明に係るガラス基板の溝形成方法は、ガラス基板に多段の溝を有する凹部を形成す
るガラス基板の溝形成方法において、所定の厚みを有するガラス基板の表面に耐腐食性の
金属膜を形成する第1の工程と、前記金属膜の表面に第1段目の溝に対応したレジストパ
ターンを形成し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一部をエッチングすると同時
にエッチングによりアライメントマークを形成する第2の工程と、前記金属膜のエッチン
グにより露出した前記ガラス基板の露出表面部を所定の深さとなるようにガラスエッチン
グして第1段目の溝を形成する第3の工程と、前記ガラス基板の表面に残っている前記レ
ジスト膜を剥離する第4の工程と、前記レジスト膜が剥離された金属膜に、第2段目の溝
に対応したレジストパターンを前記アライメントマークに合わせて形成し、該アライメン
トマークの部分にレジストを滴下し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一部をエ
ッチングする第5の工程と、前記金属膜のエッチングにより露出した前記ガラス基板の露
出表面部を所定の深さとなるようにガラスエッチングして前記第1段目の溝より長手方向
に大きい第2段目の溝を形成する第6の工程と、前記ガラス基板の表面に残っている前記
レジスト膜を剥離する第7の工程と、前記ガラス基板の表面に残っている金属膜をエッチ
ングして除去する第8の工程を含むことを特徴とする。
The glass substrate groove forming method according to the present invention is a glass substrate groove forming method in which a recess having a multi-step groove is formed on a glass substrate, and a corrosion-resistant metal film is formed on the surface of the glass substrate having a predetermined thickness. Forming a resist pattern corresponding to the first-stage groove on the surface of the metal film, etching a part of the metal film in accordance with the resist pattern, and simultaneously forming an alignment mark by etching. And a third step of forming a first-stage groove by glass etching the exposed surface portion of the glass substrate exposed by etching of the metal film to a predetermined depth; A resist pattern corresponding to the second-stage groove is formed on the metal film from which the resist film is peeled off in a fourth step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate. A fifth step of forming the alignment mark, dropping a resist on the alignment mark portion, and etching a part of the metal film according to the resist pattern, and exposing the metal film by etching. A sixth step of forming a second step groove larger in the longitudinal direction than the first step groove by subjecting the exposed surface portion of the glass substrate to glass etching to a predetermined depth; and a surface of the glass substrate And a seventh step of peeling the resist film remaining on the surface of the glass substrate, and an eighth step of removing the metal film remaining on the surface of the glass substrate by etching.

本発明によれば、ガラス基板の表面に第1段目の溝及び第1段目の溝より長手方向に大
きい第2段目の溝を順次形成していく場合に、それぞれ各溝に対応したレジストパターン
を形成するが、第1段目の溝を形成するためのレジストパターンを形成する際にガラス基
板の表面に形成された金属膜にアライメントマークを形成し、そのアライメントマークを
レジスト滴下によって保護するようにしたので、第2段目の溝を形成するためのレジスト
パターンを形成する際にそのアライメントマークに合わせことができ、第1段目の溝を形
成するためのレジストパターンに第2段目の溝を形成するためのレジストパターンを精度
良く合わせることができ、形成する溝の精度が向上することとなった。
また、ガラス基板の表面に最初に形成した金属膜を残したまま、第2段目の溝を形成す
るためのレジストパターンを形成できるようにしたため、工程数を削減でき、低コスト化
が可能となった。
According to the present invention, when the first step groove and the second step groove larger in the longitudinal direction than the first step groove are sequentially formed on the surface of the glass substrate, each corresponds to each groove. A resist pattern is formed. When forming a resist pattern for forming the first-stage groove, an alignment mark is formed on the metal film formed on the surface of the glass substrate, and the alignment mark is protected by dropping the resist. Therefore, when forming the resist pattern for forming the second stage groove, it can be aligned with the alignment mark, and the resist pattern for forming the first stage groove can be adjusted to the second stage. The resist pattern for forming the eye groove can be matched with high accuracy, and the accuracy of the groove to be formed is improved.
In addition, since the resist pattern for forming the second-stage groove can be formed while leaving the first metal film formed on the surface of the glass substrate, the number of steps can be reduced and the cost can be reduced. became.

また、本発明に係るガラス基板の溝形成方法は、ガラス基板に多段の溝を有する凹部を
形成するガラス基板の溝形成方法において、所定の厚みを有するガラス基板の表面に耐腐
食性の金属膜を形成する第1の工程と、前記金属膜の表面に第1段目の溝に対応したレジ
ストパターンを形成し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一部をエッチングする
と同時にエッチングによりアライメントマークを形成する第2の工程と、前記金属膜のエ
ッチングにより露出した前記ガラス基板の露出表面部を所定の深さとなるようにガラスエ
ッチングして第1段目の溝を形成する第3の工程と、前記ガラス基板の表面に残っている
前記レジスト膜を剥離する第4の工程と、前記レジスト膜が剥離された金属膜に、第2段
目の溝に対応したレジストパターンを前記アライメントマークに合わせて形成し、該アラ
イメントマークの部分にレジストを滴下し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一
部をエッチングする第5の工程と、前記金属膜のエッチングにより露出した前記ガラス基
板の露出表面部を所定の深さとなるようにガラスエッチングして前記第1段目の溝より長
手方向に大きい第2段目の溝を形成する第6の工程と、前記ガラス基板の表面に残ってい
る前記レジスト膜を剥離する第7の工程と、前記第5の工程から第7の工程を順次繰り返
してガラス基板に第2段目の溝から第3段目以上の第n段目までの溝を形成する第8の工
程と、前記ガラス基板の表面に残っている前記レジスト膜を剥離する第9の工程と、前記
ガラス基板の表面に残っている金属膜を金属膜エッチング液でエッジングして除去する第
10の工程を含むことを特徴とする。
Further, the glass substrate groove forming method according to the present invention is a glass substrate groove forming method in which a concave portion having a multi-step groove is formed on a glass substrate, and a corrosion-resistant metal film on the surface of the glass substrate having a predetermined thickness. Forming a resist pattern corresponding to the first-stage groove on the surface of the metal film, etching a part of the metal film in accordance with the resist pattern, and simultaneously etching the alignment mark And a third step of forming a first-stage groove by glass etching the exposed surface portion of the glass substrate exposed by etching of the metal film to a predetermined depth. A fourth step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate; and a resist pattern corresponding to the second-stage groove on the metal film from which the resist film has been removed. A fifth step of etching a part of the metal film in accordance with the resist pattern, and exposing the metal film by etching. A sixth step of forming a second step groove larger in the longitudinal direction than the first step groove by subjecting the exposed surface portion of the glass substrate to glass etching to a predetermined depth, and the glass substrate; The seventh step of peeling the resist film remaining on the surface of the substrate and the fifth step to the seventh step are sequentially repeated, and the glass substrate is provided with the nth step from the second step to the third step. An eighth step of forming grooves up to the step, a ninth step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate, and metal film etching of the metal film remaining on the surface of the glass substrate liquid Characterized in that it comprises a tenth step of removing by edging.

本発明によれば、ガラス基板の表面に第1段目の溝から第n段目の溝まで順次長手方向
に次第に大きく形成していく場合に、それぞれ各溝に対応したレジストパターンを形成す
るが、第1段目の溝を形成するためのレジストパターンを形成する際にガラス基板の表面
に形成された金属膜にアライメントマークを形成し、第1段目の溝以降の溝を対応するレ
ジストパターンを形成するときに、そのアライメントマークをレジスト滴下によって保護
するようにしたので、第1段目以降の溝を形成するためのレジストパターンを形成する際
にそのアライメントマークに合わせことができ、第1段目の溝を形成するためのレジスト
パターンに第2段目の溝を形成するためのレジストパターンを精度良く合わせることがで
きることとなった。
また、ガラス基板の表面に最初に形成した金属膜を残したまま、第1段目以降の溝を形
成するためのレジストパターンを形成できるようにしたため、工程数を削減でき、低コス
ト化が可能となった。
According to the present invention, a resist pattern corresponding to each groove is formed on the surface of the glass substrate in the case where the first step groove to the nth step groove are successively formed in the longitudinal direction. When forming a resist pattern for forming the first-stage groove, an alignment mark is formed on the metal film formed on the surface of the glass substrate, and the resist pattern corresponding to the groove after the first-stage groove is formed. Since the alignment mark is protected by dropping the resist when forming the resist pattern, it can be aligned with the alignment mark when forming the resist pattern for forming the first and subsequent grooves. The resist pattern for forming the second stage groove can be accurately matched with the resist pattern for forming the stage groove.
In addition, since the resist pattern for forming the first and subsequent grooves can be formed while leaving the first metal film formed on the surface of the glass substrate, the number of steps can be reduced and the cost can be reduced. It became.

本発明のガラス基板の溝形成方法においては、前記レジスト膜を剥離する工程では、レ
ジスト剥離液を使用し、該レジスト剥離液は専用の有機剥離液又は高濃度オゾン水である
ことを特徴とする。
このように、レジスト剥離液を専用の有機剥離液又は高濃度オゾン水とすることにより
、高温の濃硫酸を使用しないため、レジストを剥離した場合に金属膜にピンホールが開い
たり、表面荒れが起こったりするのを防ぐことができ、歩留りを向上することができる。
In the method for forming a groove of a glass substrate of the present invention, a resist stripping solution is used in the step of stripping the resist film, and the resist stripping solution is a dedicated organic stripping solution or high-concentration ozone water. .
In this way, by using a dedicated organic stripping solution or high-concentration ozone water as the resist stripping solution, high-temperature concentrated sulfuric acid is not used. Therefore, when the resist is stripped, pinholes are opened in the metal film or surface roughness is reduced. Can be prevented, and the yield can be improved.

本発明のガラス基板の溝形成方法においては、前記ガラス基板の表面に形成された金属
膜又は/及び前記レジスト膜が剥離された金属膜にスクラブ洗浄を行うことを特徴とする

このように、ガラス基板の表面に形成された金属膜又は/及びレジスト膜が剥離された
金属膜にスクラブ洗浄を行うことにより、その後に行われるレジストコートの際において
異物によるパターン欠損を防ぎ、歩留りを向上することができる。
The glass substrate groove forming method of the present invention is characterized in that scrub cleaning is performed on the metal film formed on the surface of the glass substrate and / or the metal film from which the resist film has been peeled off.
Thus, by scrub cleaning the metal film formed on the surface of the glass substrate and / or the metal film from which the resist film has been peeled off, pattern loss due to foreign matters is prevented during the subsequent resist coating, and the yield is reduced. Can be improved.

また、本発明に係るガラス基板の溝形成方法は、前記レジスト膜が剥離された金属膜に
、第2段目又は第n段目の溝に対応したレジストパターンを形成する際に、ITO膜のパ
ターニングを行うための新たなアライメントマークを前記金属膜の表面に形成し、前記第
7又は第9の工程の後に、前記ガラス基板の全面にITO膜を形成する工程と、前記IT
O膜に前記多段の溝を有する凹部内にITO膜を残すレジストパターンを前記新しいアラ
イメントマークに合わせて形成し、該レジストパターンに合わせて該ITO膜の一部をエ
ッチングしてITOパターンを形成する工程とを付加したことを特徴とする。
Further, in the method for forming a groove of the glass substrate according to the present invention, when forming a resist pattern corresponding to the second or n-th groove on the metal film from which the resist film has been peeled, Forming a new alignment mark for patterning on the surface of the metal film, forming an ITO film on the entire surface of the glass substrate after the seventh or ninth step, and the IT
A resist pattern that leaves the ITO film in the recess having the multi-stage groove on the O film is formed according to the new alignment mark, and an ITO pattern is formed by etching a part of the ITO film according to the resist pattern. The process is added.

本発明によれば、レジスト膜が剥離された金属膜に、第2段目又は最終段である第n段
目の溝に対応したレジストパターンを形成する際に、ITO膜のパターニングを行うため
の新たなアライメントマークを前記金属膜の表面に形成し、ガラス基板の全面にITO膜
を形成した後に、ITO膜に前記多段の溝を有する凹部内にITO膜を残すレジストパタ
ーンを前記新しいアライメントマークに合わせて形成し、該レジストパターンに合わせて
該ITO膜の一部をエッチングしてITOパターンを形成するようにしたので、ITOパ
ターンを形成する場合に、新しいアライメントマークに合わせてITO膜を残すレジスト
パターンを形成できるため、ITO膜がガラス基板の表面に残る又は乗り上げることがな
く、凹部内にITO配線を精度良く形成することが可能となる。
According to the present invention, when forming a resist pattern corresponding to the second or final n-th groove on the metal film from which the resist film has been peeled off, the ITO film is patterned. A new alignment mark is formed on the surface of the metal film, an ITO film is formed on the entire surface of the glass substrate, and then a resist pattern that leaves the ITO film in the recess having the multi-step groove on the ITO film is used as the new alignment mark. Since the ITO pattern is formed by etching a part of the ITO film according to the resist pattern, when the ITO pattern is formed, the resist that leaves the ITO film according to the new alignment mark Since the pattern can be formed, the ITO film does not remain or run on the surface of the glass substrate, and the ITO wiring is accurately placed in the recess. It is possible to Ku formation.

また、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法は、前記いずれかのガラス基板の溝
形成方法によりガラス基板に多段の溝を有する凹部を形成し、該凹部に電極が設けられた
ガラス基板に振動板を有するシリコン基板を接合し、該電極及び該電極に間隙をもって対
向する振動板を備えた静電アクチュエータを製造することを特徴とする。
前記いずれかのガラス基板の溝形成方法によりガラス基板に多段の溝を有する凹部を形
成し、該凹部に電極が設けられたガラス基板に振動板を有するシリコン基板を接合し、該
電極及び該電極に間隙をもって対向する振動板を備えた静電アクチュエータを製造すれば
、低コストで歩留まり良く、振動板と多段の電極が良好に当接する静電アクチュエータを
製造することができる。
In addition, the method for manufacturing an electrostatic actuator according to the present invention includes forming a recess having a multi-step groove on a glass substrate by any one of the groove forming methods of the glass substrate, and vibrating the glass substrate in which an electrode is provided in the recess. A silicon substrate having a plate is bonded, and an electrostatic actuator having a vibration plate facing the electrode and the electrode with a gap is manufactured.
A concave portion having a multi-step groove is formed on the glass substrate by any one of the groove forming methods of the glass substrate, a silicon substrate having a vibration plate is bonded to the glass substrate provided with the electrode in the concave portion, and the electrode and the electrode If an electrostatic actuator having a diaphragm facing each other with a gap is manufactured, an electrostatic actuator in which the diaphragm and the multistage electrode are in good contact with each other can be manufactured at a low cost with a good yield.

また、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法は、前記ガラス基板の溝形成方法に
よりガラス基板にITOパターンが設けられた多段の溝を有する凹部を形成し、該凹部に
ITOパターンを有するガラス基板に振動板を有するシリコン基板を接合し、該電極及び
該電極に間隙をもって対向する振動板を備えた静電アクチュエータを製造することを特徴
とする。
前記ガラス基板の溝形成方法によりガラス基板にITOパターンが設けられた多段の溝
を有する凹部を形成し、該凹部にITOパターンを有するガラス基板に振動板を有するシ
リコン基板を接合し、該ITOパターン及び該ITOパターンに間隙をもって対向する振
動板を備えた静電アクチュエータを製造すれば、低コストで歩留まり良く、振動板と多段
のITOパターンが良好に当接する静電アクチュエータを製造することができる。
また、ガラス基板にシリコン基板を接合するときに、陽極接合で行っても陽極接合不良
を防止することができる。
In addition, the method for manufacturing an electrostatic actuator according to the present invention includes forming a recess having a multi-stage groove in which an ITO pattern is provided on a glass substrate by the glass substrate groove forming method, and the glass substrate having an ITO pattern in the recess. A silicon substrate having a vibration plate is bonded to the electrode, and an electrostatic actuator including the electrode and a vibration plate facing the electrode with a gap is manufactured.
A concave portion having a multi-stage groove in which an ITO pattern is provided on the glass substrate is formed by the groove forming method of the glass substrate, a silicon substrate having a vibration plate is bonded to the glass substrate having the ITO pattern in the concave portion, and the ITO pattern If an electrostatic actuator provided with a diaphragm facing the ITO pattern with a gap is manufactured, an electrostatic actuator can be manufactured at a low cost and with good yield and in which the diaphragm and the multistage ITO pattern are in good contact.
In addition, when the silicon substrate is bonded to the glass substrate, anodic bonding failure can be prevented even if anodic bonding is performed.

また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、前記いずれかの静電アクチュエータ
の製造方法により製造された静電アクチュエータのシリコン基板に、複数のノズル孔を有
するノズル基板を接合して該ノズル基板と前記シリコン基板との間に該ノズルの各々に連
通する吐出室を形成し、前記振動板の変形により該ノズルから液滴を吐出させる液滴吐出
ヘッドを製造することを特徴とする。
前記いずれかの静電アクチュエータの製造方法により製造された静電アクチュエータの
シリコン基板に、複数のノズル孔を有するノズル基板を接合して該ノズル基板と前記シリ
コン基板との間に該ノズルの各々に連通する吐出室を形成し、前記振動板の変形により該
ノズルから液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドを製造すれば、低コストで歩留まりの良い液
滴吐出ヘッドを製造することができる。
Also, the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention includes joining a nozzle substrate having a plurality of nozzle holes to a silicon substrate of an electrostatic actuator manufactured by any one of the above-described electrostatic actuator manufacturing methods. A discharge chamber that communicates with each of the nozzles is formed between the nozzle substrate and the silicon substrate, and a droplet discharge head that discharges droplets from the nozzles by deformation of the vibration plate is manufactured.
A nozzle substrate having a plurality of nozzle holes is bonded to a silicon substrate of the electrostatic actuator manufactured by any one of the electrostatic actuator manufacturing methods, and each nozzle is interposed between the nozzle substrate and the silicon substrate. If a droplet discharge head that forms a communication discharge chamber and discharges droplets from the nozzle by deformation of the vibration plate is manufactured, a droplet discharge head that is low in cost and good in yield can be manufactured.

また、本発明に係るデバイスの製造方法は、前記いずれかの静電アクチュエータの製造
方法を含むものである。
前記いずれかの静電アクチュエータの製造方法を含むことにより、低コストで歩留まり
の良いデバイスを製造することができる。
A device manufacturing method according to the present invention includes any one of the above-described electrostatic actuator manufacturing methods.
By including any one of the above-described electrostatic actuator manufacturing methods, a low-cost and high-yield device can be manufactured.

実施の形態1.
図1は本発明の実施の形態1に係る液滴吐出ヘッドの製造方法により製造された液滴吐
出ヘッドの構成の概略を示す分解斜視図、図2は同液滴吐出ヘッドの構成の概略を示す断
面図である。
図1に示すように本実施の形態1の液滴吐出ヘッドは、振動板を有する第1の基板とし
てのキャビティ基板1と、電極8を有する第2の基板としてのガラス基板2と、ノズル孔
12を有する第3の基板としてのノズル基板3が積層された三層構造となっている。
中間の第1の基板としてのキャビティ基板1は、厚さがおよそ140μmのシリコン基
板であり、底壁を振動板4とする吐出室5と、各々の吐出室5に液を供給するための共通
のリザーバー7を有する。キャビティ基板1の全面に、プラズマCVDにより、TEOS
膜を0.1μm形成し絶縁膜15としている。これは、振動板4と電極8とが当接して電
気的に短絡するのを防止するため及び液(インク)によるキャビティ基板1のエッチング
を防止するためである。
Embodiment 1 FIG.
1 is an exploded perspective view showing an outline of the configuration of a droplet discharge head manufactured by the method of manufacturing a droplet discharge head according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is an outline of the configuration of the droplet discharge head. It is sectional drawing shown.
As shown in FIG. 1, the droplet discharge head according to the first embodiment includes a cavity substrate 1 as a first substrate having a vibration plate, a glass substrate 2 as a second substrate having an electrode 8, and nozzle holes. 12 has a three-layer structure in which a nozzle substrate 3 as a third substrate having 12 is laminated.
A cavity substrate 1 serving as an intermediate first substrate is a silicon substrate having a thickness of about 140 μm, and a discharge chamber 5 having a bottom wall as a diaphragm 4 and a common for supplying a liquid to each discharge chamber 5. The reservoir 7 is provided. TEOS is formed on the entire surface of the cavity substrate 1 by plasma CVD.
A film is formed to a thickness of 0.1 μm to form the insulating film 15. This is for preventing the diaphragm 4 and the electrode 8 from coming into contact with each other and electrically short-circuiting and preventing the cavity substrate 1 from being etched by the liquid (ink).

キャビティ基板1の下面に接合される第2の基板としてのガラス基板2は、厚さ1mm
の硼珪酸ガラスを使用する。キャビティ基板1とガラス基板2の接合は陽極接合により行
う。
このガラス基板2に電極8を装着するための凹部9は例えば3段で形成されており、振
動板4とこれに対向して配置させる電極8との対向間隔、即ちギャップGを3段で形成し
ている。ギャップGの深さは、最も深い部分が190nmで最も浅い部分が150nmで
ある。
この凹部9はその内部に電極8、リード部10及び端子部11を装着できるように電極
部形状に類似したやや大きめの形状にパターン形成している。電極8は凹部9内に電極部
材(本実施の形態1ではITO)をスパッタ法で0.1μmスパッタし、電極パターンを
形成することで作製する。
したがって、本実施の形態1におけるキャビティ基板1とガラス基板2を陽極接合した
後のギャップGは、最も深い部分で120nmとなっている。
The glass substrate 2 as the second substrate bonded to the lower surface of the cavity substrate 1 has a thickness of 1 mm.
Use borosilicate glass. The cavity substrate 1 and the glass substrate 2 are joined by anodic bonding.
The concave portion 9 for mounting the electrode 8 on the glass substrate 2 is formed in, for example, three stages, and the facing interval between the diaphragm 4 and the electrode 8 disposed to face the diaphragm 4, that is, the gap G is formed in three stages. is doing. The depth of the gap G is 190 nm at the deepest part and 150 nm at the shallowest part.
The concave portion 9 is patterned in a slightly larger shape similar to the electrode portion shape so that the electrode 8, the lead portion 10, and the terminal portion 11 can be mounted therein. The electrode 8 is produced by sputtering an electrode member (ITO in the first embodiment) into the recess 9 by sputtering with a thickness of 0.1 μm to form an electrode pattern.
Therefore, the gap G after the anodic bonding of the cavity substrate 1 and the glass substrate 2 in the first embodiment is 120 nm at the deepest portion.

また、キャビティ基板1の上面に接着接合される第3の基板としてのノズル基板3は、
厚さ180μmのシリコン基板を用い、ノズル基板3の面部に、吐出室5と連通するよう
にそれぞれノズル孔12を設け、吐出室5とリザーバー7を連通するオリフィス6を設け
る。ノズル孔12は2段ノズルとなっており、インク流れの整流作用によりインクの直進
性を向上させている。
また、ノズル基板3の両端には、キャビティ基板1に形成されているリザーバ7に対向
してリザーバ7内の圧力変動を抑制するダイアフラム13が形成されている。このダイア
フラム13はノズル基板3の一部を薄肉に例えばエッチングにより加工して形成されてい
る。
なお、ノズル基板3は、第2の基板である電極基板2と同様にホウ珪酸系の硬質ガラス
やステンレス等の鋼板、プラスチック等の樹脂板等も材料として用いることができる。
Further, the nozzle substrate 3 as a third substrate bonded and bonded to the upper surface of the cavity substrate 1 is:
A silicon substrate having a thickness of 180 μm is used, and nozzle holes 12 are provided in the surface portion of the nozzle substrate 3 so as to communicate with the discharge chamber 5, and an orifice 6 for communicating the discharge chamber 5 and the reservoir 7 is provided. The nozzle hole 12 is a two-stage nozzle, and improves the straightness of the ink by the rectifying action of the ink flow.
In addition, diaphragms 13 are formed at both ends of the nozzle substrate 3 so as to face the reservoir 7 formed on the cavity substrate 1 and suppress pressure fluctuations in the reservoir 7. The diaphragm 13 is formed by processing a part of the nozzle substrate 3 into a thin wall, for example, by etching.
The nozzle substrate 3 can also be made of a borosilicate hard glass, a steel plate such as stainless steel, a resin plate such as plastic, or the like as the electrode substrate 2 as the second substrate.

上記のように構成された液滴吐出ヘッドの動作を説明する。
ガラス基板2に設けられた電極8の端子部11とキャビティ基板1に設けられた共通電
極19との間に発振回路18を接続する。そして、電極8に発振回路18により0Vから
30Vのパルス電圧を印加し、電極8の表面がプラスに帯電すると、対応する振動板4の
下面はマイナス電位に帯電する。したがって、振動板4は静電気の吸引作用により下方へ
たわむ。
次に、パルス電圧をOFFにすると、振動板4は復元する。そのため、吐出室5内の圧
力が急激に上昇し、ノズル孔12より液滴16を記録紙17に向けて吐出する。
次に、振動板4が再び下方へ撓むことにより、液滴がリザーバー7よりオリフィス6を
通じて吐出室5内に補給される。なお、キャビティ基板1と発振回路18との接続は、ド
ライエッチングによりキャビティ基板1の一部に開けた共通電極19において行う。また
、液滴吐出ヘッドへの液の供給は、電極基板2上に形成した液供給口14により行う。
The operation of the droplet discharge head configured as described above will be described.
An oscillation circuit 18 is connected between the terminal portion 11 of the electrode 8 provided on the glass substrate 2 and the common electrode 19 provided on the cavity substrate 1. When a pulse voltage of 0 V to 30 V is applied to the electrode 8 by the oscillation circuit 18 and the surface of the electrode 8 is positively charged, the lower surface of the corresponding diaphragm 4 is charged to a negative potential. Therefore, the diaphragm 4 bends downward due to electrostatic attraction.
Next, when the pulse voltage is turned off, the diaphragm 4 is restored. For this reason, the pressure in the discharge chamber 5 rapidly increases, and the droplet 16 is discharged from the nozzle hole 12 toward the recording paper 17.
Next, the vibration plate 4 is bent downward again, whereby droplets are supplied from the reservoir 7 through the orifice 6 into the discharge chamber 5. The cavity substrate 1 and the oscillation circuit 18 are connected to each other through a common electrode 19 opened in a part of the cavity substrate 1 by dry etching. The liquid is supplied to the droplet discharge head through a liquid supply port 14 formed on the electrode substrate 2.

なお、使用されるインクは、水、アルコール等の主溶媒にエチレングリコール等の界面
活性剤と、染料または顔料とを溶解または分散させることにより調整される。さらに、液
滴吐出ヘッドにヒーター等を付設すれば、ホットメルトタイプのインクも使用できる。
また、本実施の形態1の液滴吐出ヘッドは、フェイスインクジェット方式であるが、イ
ンクを吐出するノズル孔12をキャビティ基板1またはノズル基板3の端面に開口させた
エッジインクジェット方式であってもよい。
The ink used is prepared by dissolving or dispersing a surfactant such as ethylene glycol and a dye or pigment in a main solvent such as water or alcohol. Furthermore, if a heater or the like is attached to the droplet discharge head, hot melt type ink can also be used.
The droplet discharge head according to the first embodiment is a face inkjet method, but may be an edge inkjet method in which nozzle holes 12 for discharging ink are opened on the end surface of the cavity substrate 1 or the nozzle substrate 3. .

このように本実施の形態1では、主に振動板4と電極8によって静電アクチュエータが
構成されている。本実施の形態1では、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法を適
用した例として静電駆動方式の液滴吐出ヘッドを示しているが、本実施の形態1の液滴吐
出ヘッドの製造方法はミラーデバイスなどの光MEMS(Micro Electro Mechanical Syst
em)デバイス等にも応用できる。
As described above, in the first embodiment, the electrostatic actuator is mainly configured by the diaphragm 4 and the electrode 8. In the first embodiment, an electrostatic drive type droplet discharge head is shown as an example to which the method for manufacturing the electrostatic actuator according to the present invention is applied. However, the method for manufacturing the droplet discharge head according to the first embodiment is described. Is an optical MEMS (Micro Electro Mechanical Syst
em) It can also be applied to devices.

本実施の形態1の液滴吐出ヘッドにおける振動板4は、高濃度のボロンドープ層であっ
て、ボロンドープ層は所望の振動板厚と同じだけの厚さを有している。
アルカリによるSiエッチングにおけるエッチングレートは、ドーパントがボロンの場
合、高濃度(約5×1019atoms/cc以上)の領域において、非常に小さくなる。
本実施の形態1では、このことを利用し、振動板形成領域を高濃度ボロンドープ層とし
、アルカリ異方性エッチングにより、吐出室5を形成する際に、ボロンドープ層が露出し
た時点でエッチングレートが極端に小さくなる、いわゆるエッチングストップ技術により
、振動板4を所望の板厚に作製するものである。
The diaphragm 4 in the droplet discharge head of Embodiment 1 is a high-concentration boron-doped layer, and the boron-doped layer has a thickness that is the same as the desired diaphragm thickness.
When the dopant is boron, the etching rate in the Si etching with alkali is very small in a high concentration region (about 5 × 10 19 atoms / cc or more).
In the first embodiment, by utilizing this fact, when the diaphragm forming region is a high-concentration boron-doped layer and the discharge chamber 5 is formed by alkali anisotropic etching, the etching rate is increased when the boron-doped layer is exposed. The diaphragm 4 is produced to a desired plate thickness by a so-called etching stop technique that is extremely small.

本実施の形態1における液滴吐出ヘッドの第2のガラス基板2の製造方法を、図3の製
造工程図において詳細に説明する。
まず両面研磨した厚み1mmの硼珪酸ガラスのガラス基板2を用意する。(図3(a1
、a2))。
次に、ガラス基板2を炭酸カルシウム液で浄化した後、片面に耐腐食性の金属膜である
Cr膜51をスパッタリング法により100nm成膜する。(図3(b1、b2))。
なお、耐腐食性の金属膜としては、Cr膜以外にCrの上に金を積層したものや、チタ
ン膜を使用することができる。
A method of manufacturing the second glass substrate 2 of the droplet discharge head in the first embodiment will be described in detail with reference to the manufacturing process diagram of FIG.
First, a glass substrate 2 of borosilicate glass having a thickness of 1 mm polished on both sides is prepared. (Fig. 3 (a1
A2)).
Next, after purifying the glass substrate 2 with a calcium carbonate solution, a Cr film 51, which is a corrosion-resistant metal film, is formed to 100 nm on one surface by sputtering. (FIG. 3 (b1, b2)).
As the corrosion-resistant metal film, a film obtained by laminating gold on Cr or a titanium film can be used in addition to the Cr film.

Cr膜51を成膜した面にスクラブ洗浄を施した後、Cr膜51の表面にレジストを塗
布した後、レジスト膜を露光・現像して凹部9の第1段目の溝9a(最も深い部分)に対
応した第1段目のレジストパターン52を形成し、そのレジストパターン52に合わせて
Cr膜51の一部を硝酸第2セリウムアンモニウム水溶液であるCrエッチング液でエッ
チングしてCrパターンを形成する。このとき、同時に第2段目の溝9b以降のレジスト
パターンを合わせるためのアライメントマーク53も形成する。(図3(c1、c2))
。なお、スクラブ洗浄はCr膜51の表面をスポンジ、PVA、モヘア、ナイロン等の柔
らかい部材でこすって純水で洗い流すことにより行われる。
また、Cr膜51の表面に形成されるアライメントマーク53の形状は図4の(a)に
示すよう正方形をしている。
After scrub cleaning is performed on the surface on which the Cr film 51 is formed, a resist is applied to the surface of the Cr film 51, and then the resist film is exposed and developed to form the first groove 9a (the deepest portion of the recess 9). The first-stage resist pattern 52 corresponding to 2) is formed, and a portion of the Cr film 51 is etched with a Cr etchant that is an aqueous solution of ceric ammonium nitrate to match the resist pattern 52 to form a Cr pattern. . At the same time, an alignment mark 53 for aligning the resist pattern after the second-stage groove 9b is also formed. (Fig. 3 (c1, c2))
. The scrub cleaning is performed by rubbing the surface of the Cr film 51 with a soft member such as sponge, PVA, mohair, nylon, and washing with pure water.
The shape of the alignment mark 53 formed on the surface of the Cr film 51 is a square as shown in FIG.

レジストパターン52付きのCrパターンをマスクとして(以下、「Crマスク」とい
う)、ガラス基板2に対してフッ化アンモニウム水溶液を用いて凹部9の第1段目の溝9
aを20nmエッチングする。フッ化アンモニウム水溶液を用いてエッチングした場合、
等方性エッチングとなるため、Crマスクの下がエッチングされ、サイドエッチングとな
る(図3の(d1))。このため、Crマスクは最終形状よりもサイドエッチング分を考
慮して小さく設計する。
Using the Cr pattern with the resist pattern 52 as a mask (hereinafter referred to as “Cr mask”), an aqueous ammonium fluoride solution is used for the glass substrate 2 to form the first groove 9 in the recess 9.
a is etched by 20 nm. When etching with aqueous ammonium fluoride solution,
Since this is isotropic etching, the area under the Cr mask is etched to form side etching ((d1) in FIG. 3). For this reason, the Cr mask is designed to be smaller in consideration of the side etching than the final shape.

所望の深さまでエッチングしたらレジストを剥離する。ただし、レジスト剥離工程では
、一般的に行われる熱硫酸によるレジスト剥離は行わず、レジスト剥離液として専用の有
機剥離液を使用する。又は高濃度オゾン水を用いて剥離する。
熱硫酸を用いてレジスト剥離を行った場合には、Cr膜がアタックされて表面にピンホ
ールが発生する可能性がある。それを避けるためには、有機剥離液または高濃度オゾン水
を用いてレジスト剥離を行うのが望ましい。
When the etching is performed to a desired depth, the resist is peeled off. However, in the resist stripping step, resist stripping with hot sulfuric acid that is generally performed is not performed, and a dedicated organic stripping solution is used as the resist stripping solution. Or peel off using high-concentration ozone water.
When resist stripping is performed using hot sulfuric acid, the Cr film may be attacked to generate pinholes on the surface. In order to avoid this, it is desirable to perform resist stripping using an organic stripping solution or high-concentration ozone water.

レジスト剥離液である有機剥離液をとして用いられる有機溶剤には、例えば次の種類が
ある。
スルホキシド類、スルホン類、ピロリドン類、アミン類、アミノアルコール類、ケトン
類、アミド類、エチレングリコール類、ジエチレングルコール類、トリエチレングリコー
ル類、プロピレングリコール類などとその誘導体
これらの溶剤の具体例としては、例えば
スルホキシド類: ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなど
スルホン類: スルホラン、ジメチルスルホン、ジエチルスルホンなど
ピロリドン類: N−メチル−2−ピロリドンなど
アミン類: 3−ジエチルアミノプロピルアミン、メチルアミノプロピ
ルアミンなど
アミノアルコール類: イソプロパノールアミン、N,N−ジエチルエタノールア
ミン、アミノエチルエタノールアミン、N−メチル−N,
N−ジエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、
3−アミノ−1−プロパノール、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミンなど
ケトン類: アセチルアセトン、メチルイソブチルケトンなど
アミド類: N,N−ジメチルホルムアシド、N,N−ジメチルアセト
アミドなど
エチングリコール類: エチレングルコール、エチレングリコールジメチルエーテ
ル、エチレングルコールモノブチルエーテル、セロソルブ
アセテートなど
ジエチレングリコール類: ジエチングルコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノ−n−ブチルエーテルなど
トリエチレングリコール類:トリエチレングルコール、トリエチレングリコールモノエ
チルエーテルなど
プロピレングリコール類: ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなど
これらのうち、比較的沸点が高く、水溶性であり、扱い易い溶剤として特に好ましいの
は、モノエタノールアミン、ジメチルスルホキシド、N−メチル−2−ピロリドン及びジ
プロピレングリコールモノメチルエーテルである。これらの溶剤を1種ないし2種以上の混
合液として用いる。
また、これらのなかで、例えば、専用のアミン系剥離液を用いた場合、80℃で1時間
、基板を浸し、超純水でリンスしてスピンドライ乾燥する。(図3(d1、d2))。
Examples of the organic solvent used as the organic stripping solution, which is a resist stripping solution, include the following types.
Sulphoxides, sulfones, pyrrolidones, amines, amino alcohols, ketones, amides, ethylene glycols, diethylene glycols, triethylene glycols, propylene glycols and their derivatives and specific examples of these solvents For example, sulfoxides: dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, etc. Sulfones: sulfolane, dimethyl sulfone, diethyl sulfone, etc. Pyrrolidones: N-methyl-2-pyrrolidone, etc. Amines: 3-diethylaminopropylamine, methylaminopropylene
Amino alcohols such as ruamine: isopropanolamine, N, N-diethylethanol
Min, aminoethylethanolamine, N-methyl-N,
N-diethanolamine, N-methylethanolamine,
3-amino-1-propanol, monoethanolamine,
Diethanolamine, etc. Ketones: Acetylacetone, methyl isobutyl ketone, etc. Amides: N, N-dimethylformacid, N, N-dimethylacetate
Amines and other ethyne glycols: ethylene glycol, ethylene glycol dimethyl ether
, Ethylene glycol monobutyl ether, cellosolve
Acetate, etc. Diethylene glycols: Dietine glycol monoethyl ether, diethylene glycol
Cole mono-n-butyl ether, etc. Triethylene glycols: triethylene glycol, triethylene glycol monoe
Propylene glycols such as tilether: Dipropylene glycol monomethyl ether, etc. Among these, monoethanolamine, dimethyl sulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone are particularly preferable as solvents having a relatively high boiling point, water solubility and easy handling. And dipropylene glycol monomethyl ether. These solvents are used as a mixture of one or more.
Of these, for example, when a dedicated amine stripping solution is used, the substrate is immersed at 80 ° C. for 1 hour, rinsed with ultrapure water, and spin-dried. (FIG. 3 (d1, d2)).

熱硫酸を用いてレジスト剥離を行った場合、Cr膜がアタックされて表面にピンホール
が発生する可能性がある。この為、有機剥離液または高濃度オゾン水を用いてレジスト剥
離を行うのが望ましい。
第1段目と同様に、Cr膜51を成膜した面にスクラブ洗浄を施した後、Cr膜51の
表面にレジストを塗布した後、レジスト膜を露光・現像して凹部9の第2段目の溝9bに
対応した第2段目のレジストパターン54を形成し、そのレジストパターン54に合わせ
てCr膜51の一部をCrエッチング液でエッチングする。
このとき、第1段目で形成したアライメントマーク53に合わせて第2段目のパターニ
ングを行う。そして、Cr膜51の一部をエッチングする前に、アライメントマーク53
が存在する部分にレジストを滴下し、アライメントマーク53部分のCrを保護する。そ
の後、Cr膜51の一部をCrエッチング液でエッチングしてCrパターンを形成する。
(図3(e1、e2))。
When resist stripping is performed using hot sulfuric acid, the Cr film may be attacked to generate pinholes on the surface. For this reason, it is desirable to perform resist stripping using an organic stripping solution or high-concentration ozone water.
As in the first step, the surface on which the Cr film 51 is formed is scrubbed, and then a resist is applied to the surface of the Cr film 51, and then the resist film is exposed and developed to form the second step of the recess 9. A second-stage resist pattern 54 corresponding to the eye groove 9 b is formed, and a part of the Cr film 51 is etched with a Cr etching solution in accordance with the resist pattern 54.
At this time, the second stage patterning is performed in accordance with the alignment mark 53 formed in the first stage. Then, before etching a part of the Cr film 51, the alignment mark 53 is used.
A resist is dropped on a portion where the mark exists, and Cr in the alignment mark 53 portion is protected. Thereafter, a part of the Cr film 51 is etched with a Cr etching solution to form a Cr pattern.
(FIG. 3 (e1, e2)).

レジスト付きの状態のCrパターンをマスクとして(Crマスク)、フッ化アンモニウ
ム水溶液を用いて第2段目の溝9bを20nmエッチングする。これも第1段目と同様、
Crマスクは最終形状よりもサイドエッチング分を考慮して小さく設計する。これにより
第1段目の溝9aの深さは40nmとなり、第2段目の溝9bの深さは20nmとなる。
所望の深さまでエッチングしたらモノエタノールアミンの混合液など専用の有機剥離液
または高濃度オゾン水を用いてレジストを剥離する。例えば、専用のアミン系剥離液を用
いた場合、80℃で1時間、基板を浸し、超純水でリンスしてスピンドライ乾燥する。(
図3(f1、f2))。
Using the Cr pattern with the resist as a mask (Cr mask), the second-stage groove 9b is etched by 20 nm using an aqueous ammonium fluoride solution. This is the same as the first stage.
The Cr mask is designed to be smaller in consideration of the side etching than the final shape. As a result, the depth of the first-stage groove 9a is 40 nm, and the depth of the second-stage groove 9b is 20 nm.
After etching to a desired depth, the resist is stripped using a dedicated organic stripping solution such as a mixed solution of monoethanolamine or high-concentration ozone water. For example, when a dedicated amine stripping solution is used, the substrate is immersed for 1 hour at 80 ° C., rinsed with ultrapure water, and spin-dried. (
FIG. 3 (f1, f2)).

第1段目及び第2段目と同様に、Cr膜51を成膜した面にスクラブ洗浄を施した後、
Cr膜51の表面にレジストを塗布した後、レジスト膜を露光・現像して凹部9の第3段
目(最も浅い部分)の溝9cに対応した第3段目のレジストパターン55を形成する。
このとき、第1段目で形成したアライメントマーク53に合わせてパターニングを行う
。そして、Cr膜51の一部をエッチングする前に、アライメントマーク53が存在する
部分にレジストを滴下し、アライメントマーク53部分のCrを保護する。その後、Cr
膜51の一部をCrエッチング液でエッチングしてCrパターンを形成する。(図3(g
1、g2))。
After scrub cleaning on the surface on which the Cr film 51 was formed, as in the first and second stages,
After a resist is applied to the surface of the Cr film 51, the resist film is exposed and developed to form a third-stage resist pattern 55 corresponding to the third-stage (shallowest) groove 9c of the recess 9.
At this time, patterning is performed according to the alignment mark 53 formed in the first stage. And before etching a part of Cr film 51, a resist is dripped at the part in which the alignment mark 53 exists, and Cr of the alignment mark 53 part is protected. Then Cr
A part of the film 51 is etched with a Cr etching solution to form a Cr pattern. (Fig. 3 (g
1, g2)).

第3段目のパターニングでは、ITO膜のパターニングを行うための以前のアライメン
トマーク53とは別の新しいアライメントマーク63をcr膜51に形成する。その新し
いアライメントマーク63の形状は図4の(b)に示すように十字形をしている。そのア
ライメントマーク63は図4の(a)に示す正方形のアライメントマーク53の中に位置
するように形成される。このアライメントマーク63もレジスト滴下により保護する。
In the third stage patterning, a new alignment mark 63 different from the previous alignment mark 53 for patterning the ITO film is formed on the cr film 51. The shape of the new alignment mark 63 has a cross shape as shown in FIG. The alignment mark 63 is formed so as to be positioned in the square alignment mark 53 shown in FIG. This alignment mark 63 is also protected by dripping the resist.

レジスト付きの状態のCrパターンをマスクとして(Crマスク)、フッ化アンモニウ
ム水溶液を用いて第3段目の溝9cを150nmエッチングする。これも第1段目及び第
2段目と同様、Crマスクは最終形状よりもサイドエッチング分を考慮して小さく設計す
る。これにより第1段目の溝9aの深さは190nmとなり、第2段目の溝9bの深さは
170nmとなり、第3段目の溝9cの深さは150nmとなる。
所望の深さまでエッチングしたら、モノエタノールアミンの混合液など専用の有機剥離
液または高濃度オゾン水を用いてレジストを剥離する。例えば、専用のアミン系剥離液を
用いた場合、80℃で1時間、基板を浸し、超純水でリンスしスピンドライン乾燥する。
(図3(h1、h2))。
Using the Cr pattern with the resist as a mask (Cr mask), the third-stage groove 9c is etched by 150 nm using an aqueous ammonium fluoride solution. As in the first and second stages, the Cr mask is designed to be smaller in consideration of the side etching than the final shape. As a result, the depth of the first-stage groove 9a is 190 nm, the depth of the second-stage groove 9b is 170 nm, and the depth of the third-stage groove 9c is 150 nm.
After etching to a desired depth, the resist is stripped using a dedicated organic stripping solution such as a mixed solution of monoethanolamine or high-concentration ozone water. For example, when a special amine-based stripping solution is used, the substrate is immersed for 1 hour at 80 ° C., rinsed with ultrapure water, and spin-dried.
(FIG. 3 (h1, h2)).

ガラス基板2をCrエッチング液に浸し、アライメントマーク、53、63を残してC
r膜51を剥離する。(図i)
つぎに、ガラス基板2を硫酸洗浄した後、今までにレジストパターンを形成した面にス
パッタリング法によりITO膜56をガラス基板2の全面に70nm成膜する。(図3(
j))。
ITO膜56を成膜した面にスクラブ洗浄を施した後、第3段目の溝9cが形成された
凹部9内にITOパターンが残るように、レジストを塗布した後、レジスト膜を露光・現
像してレジストパターンを形成する。このとき、第3段目で新規に形成したアライメント
マーク63に合わせてパターニングを行う。そしてITO膜56を塩酸と硝酸の混合液で
エッチングしてITOパターン57を形成する。(図3(k))。
Immerse the glass substrate 2 in the Cr etching solution and leave the alignment marks 53, 63 and C
The r film 51 is peeled off. (Figure i)
Next, after the glass substrate 2 is washed with sulfuric acid, an ITO film 56 is formed on the entire surface of the glass substrate 2 by sputtering on the surface on which the resist pattern has been formed so far. (Fig. 3 (
j)).
After scrub cleaning is performed on the surface on which the ITO film 56 is formed, a resist is applied so that the ITO pattern remains in the recess 9 in which the third-stage groove 9c is formed, and then the resist film is exposed and developed. Then, a resist pattern is formed. At this time, patterning is performed in accordance with the alignment mark 63 newly formed in the third stage. Then, the ITO film 56 is etched with a mixed solution of hydrochloric acid and nitric acid to form an ITO pattern 57. (FIG. 3 (k)).

ITOパターニングは第3段目で形成したアライメントマーク63に合わせるため、I
TO膜56がガラス基板2の表面に残る(乗り上げる)ことがなく、精度良く凹部9の内
部にITO配線を形成することができる。
最後に、アライメントマーク53、63があるCr膜をCrエッチング液でエッチング
して除去すると共に、ガラス基板2にサンドブラスト加工またはドリル加工によってイン
ク供給口14となる穴を形成する。(図1)
The ITO patterning is matched with the alignment mark 63 formed in the third stage, so that I
The TO film 56 does not remain (climb) on the surface of the glass substrate 2, and the ITO wiring can be formed inside the recess 9 with high accuracy.
Finally, the Cr film with the alignment marks 53 and 63 is removed by etching with a Cr etchant, and a hole to be the ink supply port 14 is formed in the glass substrate 2 by sandblasting or drilling. (Fig. 1)

実施の形態2.
図6は実施の形態1に示す液滴吐出ヘッドの製造方法により製造した液滴吐出装置の一
例を示した斜視図である。
図6に示す液滴吐出装置100は、一般的なインクジェットプリンタである。
実施の形態1に示す液滴吐出ヘッドは振動板4と電極8の間のギャップGに水蒸気など
が入り込まないため吐出安定性及び耐久性が高いため、吐出性能及び耐久性に優れた液滴
吐出装置100を得ることができる。
なお、実施の形態1に示す液滴吐出ヘッドは図6に示すインクジェットプリンタの他に
、液滴を種々変更することで、液晶ディスプレイのカラーフィルタの製造、有機EL表示
装置の発光部分の形成、生体液体の吐出等にも適用することができる。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a droplet discharge device manufactured by the method of manufacturing a droplet discharge head shown in the first embodiment.
A droplet discharge device 100 shown in FIG. 6 is a general inkjet printer.
Since the droplet discharge head shown in the first embodiment has high discharge stability and durability because water vapor does not enter the gap G between the diaphragm 4 and the electrode 8, the droplet discharge excellent in discharge performance and durability. Device 100 can be obtained.
In addition to the ink jet printer shown in FIG. 6, the droplet discharge head shown in Embodiment 1 can be used for variously changing the droplets to produce a color filter for a liquid crystal display, to form a light emitting portion of an organic EL display device, It can also be applied to the discharge of biological liquids.

実施の形態3.
図7は本発明に係る静電アクチュエータの製造方法により製造したデバイスの1例を示
した要部斜視図である。なお、図7に示すデバイス200は、光スイッチやレーザープリ
ンタ用のレーザースキャンミラーとして用いられるミラーデバイスである。
本実施の形態3に係るデバイス200は、駆動基板201に駆動部202、ヒンジ20
3、ミラー204が形成されている。また、駆動基板201に接合されている電極基板2
05には、ITO等からなる対向電極206が形成されている。なお、駆動基板201は
、実施の形態1に係る液滴吐出ヘッドのキャビィティ基板2に相当し、駆動部は振動板部
4に相当するものである。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 7 is a perspective view showing a principal part of an example of a device manufactured by the method for manufacturing an electrostatic actuator according to the present invention. The device 200 shown in FIG. 7 is a mirror device used as a laser scan mirror for an optical switch or a laser printer.
In the device 200 according to the third embodiment, a drive unit 202, a hinge 20 and a drive substrate 201 are provided.
3. A mirror 204 is formed. In addition, the electrode substrate 2 bonded to the drive substrate 201
In 05, a counter electrode 206 made of ITO or the like is formed. The drive substrate 201 corresponds to the cavity substrate 2 of the droplet discharge head according to the first embodiment, and the drive unit corresponds to the vibration plate unit 4.

図7に示すデバイス200では、駆動部202と対向電極206の間に電圧が印加され
ることにより、駆動部202が揺動する。これにより、ヒンジ203が捻れ、その力がミ
ラー204に伝わることによりミラー204が角度を変化させる。このように本実施の形
態3では、主に駆動部202、ヒンジ203、ミラー204及び対向電極206によって
静電アクチュエータが構成されている。
本実施の形態3に係るデバイス200においても、電極基板205上にパッシベーショ
ン膜(図7において図示せず)を形成し、その上に対向電極206を形成することにより
水蒸気等を遮断して、駆動部202及びミラー204の駆動安定性を向上させることがで
きる。なお、図11に示すデバイス200は、一般的にパッケージング(図示せず)によ
って真空封止されて外気と遮断されている。
In the device 200 shown in FIG. 7, the drive unit 202 swings when a voltage is applied between the drive unit 202 and the counter electrode 206. As a result, the hinge 203 is twisted and the force is transmitted to the mirror 204, whereby the mirror 204 changes its angle. As described above, in the third embodiment, the electrostatic actuator is mainly configured by the drive unit 202, the hinge 203, the mirror 204, and the counter electrode 206.
Also in the device 200 according to the third embodiment, a passivation film (not shown in FIG. 7) is formed on the electrode substrate 205, and the counter electrode 206 is formed thereon to block water vapor and the like to drive. The driving stability of the unit 202 and the mirror 204 can be improved. Note that the device 200 shown in FIG. 11 is generally vacuum-sealed by packaging (not shown) to be shut off from the outside air.

実施の形態1では、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法を適用した例として液
滴吐出ヘッドを示しているが、本発明の実施の形態1に示す静電アクチュエータの製造方
法は、その他のデバイスの製造方法にも適用することができる。具体的には、波長可変フ
ィルタ、マイクロポンプ等のMEMSデバイスの製造方法に適用可能である。
なお、本発明に係る静電アクチュエータの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及びデ
バイスの製造方法は、本発明の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の思想の範
囲内において変更することができる。
In the first embodiment, a droplet discharge head is shown as an example to which the manufacturing method of the electrostatic actuator according to the present invention is applied. However, the manufacturing method of the electrostatic actuator shown in the first embodiment of the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to a device manufacturing method. Specifically, the present invention can be applied to a method for manufacturing a MEMS device such as a wavelength tunable filter or a micropump.
The manufacturing method of the electrostatic actuator, the manufacturing method of the droplet discharge head, and the manufacturing method of the device according to the present invention are not limited to the embodiments of the present invention, and are changed within the scope of the idea of the present invention. can do.

本発明の実施の形態1の液滴吐出ヘッドの製造方法により製造された液滴吐出ヘッドの構成の概略を示す分解斜視図。FIG. 2 is an exploded perspective view showing an outline of a configuration of a droplet discharge head manufactured by the method for manufacturing a droplet discharge head according to Embodiment 1 of the present invention. 同液滴吐出ヘッドの構成の概略を示す断面図。Sectional drawing which shows the outline of a structure of the droplet discharge head. 同液滴吐出ヘッドの製造方法のガラス基板の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the glass substrate of the manufacturing method of the droplet discharge head. 同液滴吐出ヘッドの製造工程におけるCr膜のアライメントマークの形状を示す説明図。Explanatory drawing which shows the shape of the alignment mark of Cr film | membrane in the manufacturing process of the droplet discharge head. 同液滴吐出ヘッドを搭載した液滴吐出装置の一例を示した斜視図。The perspective view which showed an example of the droplet discharge apparatus which mounts the droplet discharge head. 本発明に係る静電アクチュエータを搭載したデバイスの1例を示した要部斜視図。The principal part perspective view which showed an example of the device carrying the electrostatic actuator which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 キャビティ基板、2 ガラス基板、3 ノズル基板、4 振動板、5 吐出室、6
オリフィス、7 リザーバ、8 電極、9 凹部、9a 第1段目の溝、9b 第2段
目の溝、9c 第3段目の溝、12 ノズル孔、51 金属膜(Cr膜)、52 第1段
目のレジストパターン、53 アライメントマーク、54 第2段目のレジストパターン
、55 第3段目のレジストパターン、56 ITO膜、57 ITOパターン、63
アライメントマーク。
1 cavity substrate, 2 glass substrate, 3 nozzle substrate, 4 diaphragm, 5 discharge chamber, 6
Orifice, 7 Reservoir, 8 Electrode, 9 Recess, 9a First stage groove, 9b Second stage groove, 9c Third stage groove, 12 Nozzle hole, 51 Metal film (Cr film), 52 First Stage resist pattern, 53 alignment mark, 54 Second stage resist pattern, 55 Third stage resist pattern, 56 ITO film, 57 ITO pattern, 63
Alignment mark.

Claims (9)

ガラス基板に多段の溝を有する凹部を形成するガラス基板の溝形成方法において、
所定の厚みを有するガラス基板の表面に耐腐食性の金属膜を形成する第1の工程と、
前記金属膜の表面に第1段目の溝に対応したレジストパターンを形成し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一部をエッチングすると同時にエッチングによりアライメントマークを形成する第2の工程と、
前記金属膜のエッチングにより露出した前記ガラス基板の露出表面部を所定の深さとなるようにガラスエッチングして第1段目の溝を形成する第3の工程と、
前記ガラス基板の表面に残っている前記レジスト膜を剥離する第4の工程と、
前記レジスト膜が剥離された金属膜に、第2段目の溝に対応したレジストパターンを前記アライメントマークに合わせて形成し、該アライメントマークの部分にレジストを滴下し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一部をエッチングする第5の工程と、
前記金属膜のエッチングにより露出した前記ガラス基板の露出表面部を所定の深さとなるようにガラスエッチングして前記第1段目の溝より長手方向に大きい第2段目の溝を形成する第6の工程と、
前記ガラス基板の表面に残っている前記レジスト膜を剥離する第7の工程と、
前記ガラス基板の表面に残っている金属膜をエッチングして除去する第8の工程と、
含むことを特徴とするガラス基板の溝形成方法。
In the glass substrate groove forming method of forming a recess having a multi-stage groove on a glass substrate,
A first step of forming a corrosion-resistant metal film on the surface of a glass substrate having a predetermined thickness;
Forming a resist pattern corresponding to the first-stage groove on the surface of the metal film, etching a part of the metal film according to the resist pattern, and simultaneously forming an alignment mark by etching;
A third step of forming a first stage groove by glass etching the exposed surface portion of the glass substrate exposed by etching the metal film to a predetermined depth;
A fourth step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate;
A resist pattern corresponding to the second-stage groove is formed on the metal film from which the resist film has been peeled off in accordance with the alignment mark, and a resist is dropped on the alignment mark, and the resist pattern is aligned with the resist pattern. A fifth step of etching part of the metal film;
A second step groove larger in the longitudinal direction than the first step groove is formed by glass etching the exposed surface portion of the glass substrate exposed by the etching of the metal film to a predetermined depth. And the process of
A seventh step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate;
An eighth step of removing the metal film remaining on the surface of the glass substrate by etching;
A groove forming method for a glass substrate, comprising:
ガラス基板に多段の溝を有する凹部を形成するガラス基板の溝形成方法において、
所定の厚みを有するガラス基板の表面に耐腐食性の金属膜を形成する第1の工程と、
前記金属膜の表面に第1段目の溝に対応したレジストパターンを形成し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一部をエッチングすると同時にエッチングによりアライメントマークを形成する第2の工程と、
前記金属膜のエッチングにより露出した前記ガラス基板の露出表面部を所定の深さとなるようにガラスエッチングして第1段目の溝を形成する第3の工程と、
前記ガラス基板の表面に残っている前記レジスト膜を剥離する第4の工程と、
前記レジスト膜が剥離された金属膜に、第2段目の溝に対応したレジストパターンを前記アライメントマークに合わせて形成し、該アライメントマークの部分にレジストを滴下し、該レジストパターンに合わせて該金属膜の一部をエッチングする第5の工程と、
前記金属膜のエッチングにより露出した前記ガラス基板の露出表面部を所定の深さとなるようにガラスエッチングして前記第1段目の溝より長手方向に大きい第2段目の溝を形成する第6の工程と、
前記ガラス基板の表面に残っている前記レジスト膜を剥離する第7の工程と、
前記第5の工程から第7の工程を順次繰り返してガラス基板に第2段目の溝から第3段目以上の第n段目までの溝を形成する第8の工程と、
前記ガラス基板の表面に残っている前記レジスト膜を剥離する第9の工程と、
前記ガラス基板の表面に残っている金属膜をエッチングして除去する第10の工程を、
含むことを特徴とするガラス基板の溝形成方法。
In the glass substrate groove forming method of forming a recess having a multi-stage groove on a glass substrate,
A first step of forming a corrosion-resistant metal film on the surface of a glass substrate having a predetermined thickness;
Forming a resist pattern corresponding to the first-stage groove on the surface of the metal film, etching a part of the metal film according to the resist pattern, and simultaneously forming an alignment mark by etching;
A third step of forming a first stage groove by glass etching the exposed surface portion of the glass substrate exposed by etching the metal film to a predetermined depth;
A fourth step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate;
A resist pattern corresponding to the second-stage groove is formed on the metal film from which the resist film has been peeled off in accordance with the alignment mark, and a resist is dropped on the alignment mark, and the resist pattern is aligned with the resist pattern. A fifth step of etching part of the metal film;
A second step groove larger in the longitudinal direction than the first step groove is formed by glass etching the exposed surface portion of the glass substrate exposed by the etching of the metal film to a predetermined depth. And the process of
A seventh step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate;
An eighth step of sequentially forming the fifth step to the seventh step to form a groove from the second step groove to the third step and the nth step on the glass substrate;
A ninth step of removing the resist film remaining on the surface of the glass substrate;
A tenth step of etching and removing the metal film remaining on the surface of the glass substrate;
A groove forming method for a glass substrate, comprising:
前記第4又は/及び第7の工程では、レジスト剥離液を使用し、該レジスト剥離液は専用の有機剥離液又は高濃度オゾン水であることを特徴とする請求項1又は2記載のガラス基板の溝形成方法。   3. The glass substrate according to claim 1, wherein a resist stripping solution is used in the fourth or / and the seventh step, and the resist stripping solution is a dedicated organic stripping solution or high-concentration ozone water. Groove formation method. 前記第1の工程におけるガラス基板の表面に形成された金属膜又は/及び第4、第7の工程におけるレジスト膜が剥離された金属膜にスクラブ洗浄を行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガラス基板の溝形成方法。   4. The scrub cleaning is performed on the metal film formed on the surface of the glass substrate in the first step and / or the metal film from which the resist film is peeled off in the fourth and seventh steps. The groove formation method of the glass substrate in any one of. 前記第5又は8の工程における前記レジスト膜が剥離された金属膜に、第2段目又は第n段目の溝に対応したレジストパターンを形成する際に、ITO膜のパターニングを行うための新たなアライメントマークを前記金属膜の表面に形成し、
前記第8の工程の後に、前記ガラス基板の全面にITO膜を形成する工程と、
前記ITO膜に前記多段の溝を有する凹部内にITO膜を残すレジストパターンを前記新しいアライメントマークに合わせて形成し、該レジストパターンに合わせて該ITO膜の一部をエッチングしてITOパターンを形成する工程とを、
付加したことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガラス基板の溝形成方法。
A new pattern for patterning the ITO film when forming a resist pattern corresponding to the second or nth groove on the metal film from which the resist film has been removed in the fifth or eighth step. Forming an alignment mark on the surface of the metal film,
After the eighth step, forming an ITO film on the entire surface of the glass substrate;
A resist pattern that leaves the ITO film in the concave portion having the multi-stage groove on the ITO film is formed according to the new alignment mark, and an ITO pattern is formed by etching a part of the ITO film according to the resist pattern. And the process of
The glass substrate groove forming method according to any one of claims 1 to 3, which is added.
請求項1〜4のいずれかに記載のガラス基板の溝形成方法によりガラス基板に多段の溝を有する凹部を形成し、該凹部に電極が設けられたガラス基板に振動板を有するシリコン基板を接合し、該電極及び該電極に間隙をもって対向する振動板を備えた静電アクチュエータを製造することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。   5. A glass substrate groove forming method according to claim 1, wherein a concave portion having multi-step grooves is formed in the glass substrate, and a silicon substrate having a vibration plate is bonded to the glass substrate provided with electrodes in the concave portion. And manufacturing an electrostatic actuator comprising the electrode and a diaphragm facing the electrode with a gap. 請求項5記載のガラス基板の溝形成方法によりガラス基板にITOパターンが設けられた多段の溝を有する凹部を形成し、該凹部にITOパターンを有するガラス基板に振動板を有するシリコン基板を接合し、該ITOパターン及び該ITOパターンに間隙をもって対向する振動板を備えた静電アクチュエータを製造することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。   A recess having a multistage groove in which an ITO pattern is provided on a glass substrate is formed by the method for forming a groove in a glass substrate according to claim 5, and a silicon substrate having a vibration plate is bonded to the glass substrate having the ITO pattern in the recess. An electrostatic actuator manufacturing method comprising manufacturing an electrostatic actuator comprising the ITO pattern and a diaphragm facing the ITO pattern with a gap. 請求項6又は7に記載の静電アクチュエータの製造方法により製造された静電アクチュエータのシリコン基板に、複数のノズル孔を有するノズル基板を接合して該ノズル基板と前記シリコン基板との間に該ノズルの各々に連通する吐出室を形成し、前記振動板の変形により該ノズルから液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドを製造することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。   A nozzle substrate having a plurality of nozzle holes is joined to the silicon substrate of the electrostatic actuator manufactured by the method for manufacturing an electrostatic actuator according to claim 6 or 7, and the nozzle substrate and the silicon substrate are bonded to each other. A method of manufacturing a droplet discharge head, comprising: forming a discharge chamber communicating with each of the nozzles, and manufacturing a droplet discharge head for discharging droplets from the nozzle by deformation of the vibration plate. 請求項6又は7に記載の静電アクチュエータの製造方法を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。   A device manufacturing method comprising the electrostatic actuator manufacturing method according to claim 6.
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