JP4565523B1 - 放電加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極Eを精密に移動可能なZ軸移動機構4と、電極Eの移動距離を検知する位置制御部16と、被加工物Wの加工部位と電極Eとの間の合計静電容量を測定可能な静電容量測定部12及び静電容量測定制御部17と、放電加工中に、Z軸移動機構4により電極Eを第1,第2移動位置に移動させ、位置制御部16により検知した第1,第2極間距離及び静電容量測定部12と静電容量測定制御部17により測定した第1,第2合計静電容量を用いて、加工面の加工面積を演算する加工面積演算部21と電極前進端面と加工面間の第1,第2極間静電容量を演算する静電容量演算部22を備えている。
【選択図】図2
Description
特許文献3の放電加工装置では、加工屑が加工面上に堆積している場合、加工屑と電極との間に有効放電が生じるため、除去体積vと有効放電パルス数nの誤差が大きくなる。そのため、加工深さが深くなるほど加工面積の誤差が大きくなり、その加工面積に基づいて設定される加工条件の適正値からのズレが大きくなる。
+h3(C1−C2)/(ε(h1−h2)(h2−h3)(h3−h1))
に表す式を用いて前記加工面積を演算することを特徴としている。
S=((h1+α)×(h2+α)×(h3+α)×(h1(C2−C3)+h2
(C3−C1)+h3(C1−C2)))/(ε(h1−h2)×(h1−h3)
×(h3−h2))
α=A/B
但し、A=h12 (h2(h3(C2−C3)+h4(C4−C2))
+h3h4(C3−C4))−h1(h22(h3(C1−C3)
+h4(C4−C1))+h2(h3+h4)(h3−h4)(C2−C1)+h3h4(h3(C1−C4)+h4(C3−C1)))−h2h3h4(h2(C3−C4)+h3(C4−C2)+h4(C2−C3))
B=h12 (h2(C3−C4)+h3(C4−C2)
+h4(C2−C3))−h1(h22 (C3−C4)+h32
(C4−C2)+h42 (C2−C3))+h22 (h3(C1−C4)
+h4(C3−C1))−h2(h32(C1−C4)+h42
(C3−C1))+h3h4(h3−h4)(C1−C2)
に表す式を用いて前記加工面積を演算することを特徴としている。
S=( (h1+α)×(h2+α)×(h3+α)×(h1(C2−C3)+h2(C3−C1)+h3(C1−C2))×sinθ) /(ε(h1−h2)×(h2−h3)×(h3−h1))
α=A/B
但し、A=h1 2 (h2(h3(C2−C3)+h4(C4−C2))
+h3h4(C3−C4))−h1(h2 2 (h3(C1−C3)
+h4(C4−C1))+h2(h3+h4)(h3−h4)(C2−C1)+h3h4(h3(C1−C4)+h4(C3−C1)))−h2h3h4(h2(C3−C4)+h3(C4−C2)+h4(C2−C3))
B=h1 2 (h2(C3−C4)+h3(C4−C2)
+h4(C2−C3))−h1(h2 2 (C3−C4)+h3 2
(C4−C2)+h4 2 (C2−C3))+h2 2 (h3(C1−C4)
+h4(C3−C1))−h2(h3 2 (C1−C4)+h4 2
(C3−C1))+h3h4(h3−h4)(C1−C2)
C=εS/((h1+α)sinθ) 又は
C=εS/((h2+α)sinθ) 又は
C=εS/((h3+α)sinθ) 又は
C=εS/((h4+α)sinθ)
に表す式を用いて前記加工面積及び極間静電容量を演算することを特徴としている。
請求項7の発明は、請求項2〜6の何れか1つの発明において、前記加工条件設定手段は、前記演算された加工面積又は極間静電容量に略比例するように前記電極へ供給する加工電流を設定することを特徴としている。
請求項9の発明は、請求項8の発明において、前記加工条件設定手段は、前記電極に供給する加工電流と、前記加工面積又は極間静電容量とに対応する放電パルスを設定する放電パルス設定手段を備えたことを特徴としている。
電極の前進端面に対向する被加工物の加工面の加工面積又はこの加工面積に比例する極間静電容量を精度良く演算することができる。つまり、加工面積又は極間静電容量を、電極を移動させた複数位置における極間距離と電極と被加工物の加工部位間の合計静電容量を用いて演算するため、加工面積又はこの加工面積に比例する極間静電容量を精度よく演算することができ、放電加工開始後の放電加工を中断した状態で求めた加工面積又は極間静電容量の高精度の演算値に基づいて、加工面積の変化や加工屑の発生等の極間状態に応じて放電加工パルスに関する加工条件を適正に設定することができる。
請求項3の発明によれば、被加工物の表面から加工面までの距離が未知の場合であっても、加工面積を演算する演算処理の負荷を少なくできるため、演算処理速度が速く且つ正確な加工面積の演算を実行できる。
請求項5の発明によれば、被加工物の表面から加工面までの距離が未知の場合であっても、複雑形状に形成された電極前進端と加工面間の極間静電容量であって正確に加工面積に比例する極間静電容量と誤差距離の演算を実行できる。しかも、誤差距離の算出によって、加工屑やバックラッシュ等を考慮した加工条件を設定することができる。
請求項7の発明によれば、加工条件設定手段により演算された加工面積又は極間静電容量に略比例するように電極へ供給する加工電流値を制御するため、電流の過剰供給に起因する電極の異状消耗を防止することができる。
請求項9の発明によれば、放電パルス設定手段により、電極に供給する加工電流値と、加工面積又は極間静電容量とに対応する放電パルスを設定することができる。
請求項10の発明によれば、極間距離の誤差距離に基づいてジャンプ動作のジャンプ周期とジャンプ量の少なくとも一方を設定するジャンプ動作演算手段を設けたため、加工によって発生する加工屑を加工面上から確実に排除することができ、加工処理速度の低下を防止することができる。
図1に示すように、放電加工装置Mは、電極Eと被加工物Wの間の間隙に加工液を供給し、前記電極Eから被加工物Wへ放電パルスを印加して被加工物Wを放電加工する装置である。この放電加工装置Mは、加工機本体1と、制御装置2と、加工液槽7等の周辺機器を有する。加工機本体1は、電極Eが装備されるヘッド3と、このヘッド3を上下方向(Z軸)に往復移動可能な送り装置としてのZ軸移動機構4(移動手段)と、被加工物Wを収容した加工液槽7を図1の左右方向(X軸)に水平に往復移動可能なX軸移動機構5と、加工液槽7を左右方向に直交する前後方向(Y軸)に水平に往復移動可能なY軸移動機構6と、被加工物Wを収容し且つ加工液を貯留可能な加工液槽7と、基台8と、ケーブル25等から形成されている。電極Eは、ヘッド3の下端部に脱着可能に装備された取付板に装着されている。
X軸移動機構5は、X軸可動台と、基台8に装備されたX軸方向に沿って延びる1対のX軸送りガイドとボールネジ機構とX軸モータ等で構成され、制御装置2で数値制御されるX軸モータの駆動によりX軸可動台がX軸方向へ移動駆動される。Y軸移動機構6は、Y軸可動台と、X軸可動台に装備されたY軸方向に沿って延びる1対のY軸送りガイドとボールネジ機構とY軸モータ等で構成されている。制御装置2で数値制御されるY軸モータの駆動によりY軸可動台と加工液槽7がY軸方向へ移動駆動される。
尚、静電容量測定部12は、前述の構成に限られるものではなく、少なくとも電極Eと被加工物Wの加工部位との間の合計静電容量Cを測定可能であれば種々の構成を採用可能である。
位置制御部16は、Z軸移動機構4によりヘッド3を上下方向に移動駆動することにより電極Eの前進端面から加工面までの極間距離を変更可能に形成されている。位置制御部16は、電極Eの前進端面から加工面までの極間距離を検出可能に形成されている。
C1=Cp1+Ca …(1)
但し、Cp1=εS/h1である。
C2=Cp2+Ca・d2/d1 …(2)
但し、Cp2=εS/h2である。
S=(h1・h2(C2・d1−C1・d2))/(ε(d1・h1−d2・h2))
…(3)
尚、被加工物Wの表面から電極前進端面までの距離d1,d2は、被加工物Wの表面から加工面Wfまでの距離が位置制御部16において既知であるため、第1,第2極間距離h1,h2と誘電率εを用いて算出することができる。
加工液の誘電率εは、加工面積が既知である標準電極Eaを用いて求める。図6(a)に示すように、標準電極Eaを被加工物Wの表面と接触させて電極Eaの極間距離を零に初期化する。次に、図6(b)に示すように、標準電極Eaを被加工物Wの表面から距離h0の位置まで移動し、この位置における合計静電容量C0を静電容量測定部12と静電容量測定制御部17により測定する。標準電極Eaの被加工物Wに対向する面積をS0とすると、誘電率εは次式(4)で表すことができる。
ε=h0・C0/S0 …(4)
また、加工面積Sの演算値を用いて第1,第2極間静電容量Cp1,Cp2を演算することにより、極間静電容量の増減傾向から加工屑の有無等を検出することができる。つまり、Z軸移動機構4の駆動をバックラッシュの発生しないボールネジ機構やリニアモータ等によって行う場合、h1=h2/2としたとき、理論上、Cp1=2Cp2となる。それ故、第2極間静電容量Cp2が第1極間静電容量Cp1の1/2の値よりも小さいときは被加工物Wの加工面上に加工屑が堆積していることを検出でき、第2極間静電容量Cp2が1/2Cp1よりも小さいほど、被加工物Wの加工面上の加工屑の堆積量が大きいことを検出することができる。
Cp21=εSA/(h21・sinθ) …(5)
C21=εSA/(h21・sinθ)+Ca …(6)
Cp22=εSA/(h22・sinθ) …(7)
C22=εSA/(h22・sinθ)+Ca・d22/d21 …(8)
SA=(h21・h22(C22・d21−C21・d22))
×sinθ/(ε(d21・h21−d22・h22)) …(9)
Cp21=h22(C22・d21−C21・d22)/(d21・h21−d22・h22)…(10)
前記式(7)に前記式(9)を代入することによって、第2移動位置d22における極間静電容量Cp22は次式(11)によって表すことができる。
Cp22=h21(C22・d21−C21・d22)/(d21・h21−d22・h22)…(11)
尚、図8,図9に示す加工条件テーブルは、一例にすぎず、加工液の誘電率や電極の材質と被加工物の材質の組み合わせ、若しくは加工条件等によって適宜変更可能である。
図10のマップは、誤差距離αが増大するほどジャンプ周期が小さくなるように設定され、図11のマップは、誤差距離αが増大するほどジャンプ移動量が増大するように設定されている。尚、図10,図11に示すマップは、一例にすぎず、加工形状や加工条件等によって適宜変更可能である。
S6の判定の結果、加工面積演算モードが選択されている場合、S7において加工面積演算処理を行う。加工面積演算部21は、式(3)に対して第1,第2合計静電容量C1,C2、第1,第2極間距離h1,h2及び距離d1,d2を代入することによって加工面積Sを演算する。加工面積の演算後、S9に移行する。
S6の判定の結果、静電容量演算モードが選択されている場合、S8へ移行して静電容量演算処理を行う。静電容量演算部22は、式(10)又は式(11)に対して第1,第2合計静電容量C1,C2、第1,第2極間距離h1,h2及び距離d1,d2を代入することによって第1,第2極間静電容量Cp1,Cp2の少なくとも何れか一方について演算する。尚、第1極間距離h1は、目標極間距離である。
測定した第1,第2極間距離h1,h2と、測定した電極と被加工物の加工部位間の第1,第2合計静電容量C1,C2を用いて加工面積を算出するため、被加工物Wの加工面の加工面積Sを精度よく求めることができる。また、電極前進端面が複雑形状のため、加工面積SAの演算が困難である場合でも、加工面積SAと略比例関係にある第1極間静電容量Cp21或いは第2極間静電容量Cp22を、上記と同様に精度よく求めることができる。
静電容量演算部22は、式(9)〜式(11)に基づいて極間静電容量Cp21,Cp22を演算するため、電極前進端面が複雑形状であっても、加工面積SAに比例した極間静電容量Cp21,Cp22を正確に演算することができる。
実施例1との相違点は、実施例1では被加工物Wの表面から加工面までの距離Dが既知であったのに対して、実施例2では距離Dが未知としている。
C31=Cp31+Ca(D−h31)/D …(12)
但し、極間静電容量Cp31=εSB/h31である。
C32=Cp32+Ca(D−h32)/D …(13)
但し、極間静電容量Cp32=εSB/h32である。
C33=Cp33+Ca(D−h33)/D …(14)
但し、極間静電容量Cp33=εSB/h33である。
SB=h31・h32・h33(h31(C32−C33)+h32(C33−C31)
+h33(C31−C32))/(ε(h31−h32)(h32−h33)(h33−h31))
…(15)
放電パルス設定部23は、加工電流測定部14によって検出された加工電流値と加工面積SBを用いて電流密度を演算し、この電流密度が所定の電流密度以下になるように制御している。加工条件設定部19は、実施例1と同様に、加工面積SBを図8の加工条件テーブルに適用することで、放電パルスなどの電気的加工条件を設定する。
基本的に実施例1と同様の作用、効果を奏する。しかも、被加工物Wの表面から加工面までの距離Dが不明の場合でも、第1〜第3移動位置の極間距離h31〜h33と合計静電容量C31〜C33の検出により適正な加工条件を設定することができる。
尚、図13に示す電極EBは柱形状の電極を例にして説明したが、電極EBは必ずしも柱形状である必要はないし、放電加工の進行に応じて加工面積が連続的に又は不連続的に変化するような電極であってもよい。
実施例1との相違点は、実施例1では被加工物Wの表面から加工面までの距離Dが既知であるのに対して、実施例3では距離Dが未知とされ、且つ測定した極間距離に誤差距離αを含む点である。尚、誤差距離αは、被加工物Wの加工面上に堆積した加工屑やZ軸移動機構4のギア系のバックラッシュ等に起因しており、バックラッシュが生じない場合、正の値として加工面上の加工屑の堆積量を表し、バックラッシュが生じる場合、負の値としてのバックラッシュ量と正の値としての加工屑の堆積量との合算値を表している。
C41=Cp41+Ca(D−h41−α)/D …(16)
但し、極間静電容量Cp41=εSC/(h41+α)である。
C42=Cp42+Ca(D−h42−α)/D …(17)
但し、極間静電容量Cp42=εSC/(h42+α)である。
C43=Cp43+Ca(D−h43−α)/D …(18)
但し、極間静電容量Cp43=εSC/(h43+α)である。
C44=Cp44+Ca(D−h44−α)/D …(19)
但し、極間静電容量Cp44=εS/(h44+α)である。
SC=((h41+α)×(h42+α)×(h43+α)×(h41(C42−C43)+h42(C43−C41)+h43(C41−C42)))/(ε(h41−h42)×(h41−h43)×(h43−h42)) …(20)
α=A/B …(21)
但し、A=h412 (h42(h43(C42−C43)+h44(C44−C42))
+h43h44(C43−C44))−h41(h422(h43(C41−C43)
+h44(C44−C41))+h42(h43+h44)(h43−h44)(C42−C41)+h43h44(h43(C41−C44)+h44(C43−C41)))−h42h43h44(h42(C3−C4)+h43(C4−C2)+h44(C2−C3))
B=h412 (h42(C43−C44)+h43(C44−C42)
+h44(C42−C43))−h41(h422 (C43−C44)+h432
(C44−C42)+h442 (C42−C43))+h422 (h43(C41−C44)
+h44(C43−C41))−h42(h432 (C41−C44)+h442
(C43−C41))+h43h44(h43−h44)(C41−C42)
基本的に実施例1と同様の作用、効果を奏する。しかも、被加工物Wの表面から加工面までの距離Dが不明の場合でも、第1〜第4移動位置の極間距離h41〜h44と合計静電容量C41〜C44の検出によって加工面積SCを精度よく演算し、適正な加工条件を設定することができる。しかも、誤差距離αの算出によって、加工屑やバックラッシュ等を考慮して加工面積SCを精度よく演算し、加工条件を適切に設定することができる。
尚、図14に示す電極ECは柱形状の電極を例として説明したが、電極は必ずしも柱形状である必要はなく、放電加工の進行に応じて加工面積が連続的又は不連続的に変化する電極であってもよい。
実施例1との相違点は、実施例1では被加工物Wの表面から加工面までの距離Dが既知であるのに対して、実施例4では距離Dが未知とされ、測定した極間距離に誤差距離αを含むと共に電極前進端面が複雑形状とされる点である。
C51=εSD/((h51+α)sinθ)+Ca(D−h51−α)/D …(22)
但し、極間静電容量Cp51=εSD/((h51+α)sinθ)である。
C52=εSD/((h52+α)sinθ)+Ca(D−h52−α)/D …(23)
但し、極間静電容量Cp52=εSD/((h52+α)sinθ)である。
C53=εSD/((h53+α)sinθ)+Ca(D−h53−α)/D …(24)
但し、極間静電容量Cp53=εSD/((h53+α)sinθ)である。
C54=εSD/((h54+α)sinθ)+Ca(D−h54−α)/D …(25)
但し、極間静電容量Cp54=εSD/((h54+α)sinθ)である。
SD=((h51+α)×(h52+α)×(h53+α)×(h51(C52−C53)
+h52(C53−C51)+h53(C51−C52))×sinθ)/
(ε(h51−h52)×(h52−h53)×(h53−h51)) …(26)
また、同様に式(22)〜式(25)を誤差距離αについて解くことによって、誤差距離αを求めることができる。
Cp51=((h52+α)×(h53+α)×(h51(C52−C53)
+h52(C53−C51)+h53(C51−C52)))/
((h51−h52)×(h52−h53)×(h53−h51)) …(27)
同様に、加工面積SDに基づいて極間静電容量Cp52〜Cp54を演算することができる。
1〕前記実施例においては、電極を上下方向に移動して加工処理を行う例を説明したが、本発明は電極を水平に左右方向又は前後方向へ移動して加工処理を行う放電加工装置にも適用可能である。
W 被加工物
E〜ED 電極
1 加工機本体
2 制御装置
4 Z軸移動機構
9 演算処理部
12 静電容量測定部
13 放電制御部
16 位置制御部
17 静電容量測定制御部
18 演算手段
19 加工条件設定部
21 加工面積演算部
22 静電容量演算部
23 放電パルス設定部
24 測定周期演算部
25 ジャンプ動作演算部
Claims (10)
- 電極と被加工物の間の間隙に加工液を供給し、前記電極から被加工物へ放電パルスを印加して前記被加工物を放電加工する放電加工装置において、
前記電極を移動可能で且つ電極の加工進行方向前進端面から被加工物の加工面までの極間距離を変更可能な移動手段と、
前記電極の移動距離を検知する移動距離検知手段と、
前記電極に前記間隙を隔てて対向する被加工物の加工部位と前記電極との間の合計静電容量を測定可能な静電容量測定手段と、
放電加工開始後の測定周期タイミング毎に、前記放電加工を中断した状態で、前記移動手段により前記電極を複数位置に移動させ、前記移動距離検知手段により検知した複数の極間距離及び前記静電容量測定手段により測定した複数の合計静電容量を用いて、前記加工面の加工面積又はこの加工面積に比例する極間静電容量を演算する演算手段と、
前記演算手段により演算された前記加工面積又は前記極間静電容量に基づいて放電加工パルスに関する加工条件を設定する加工条件設定手段と、
を備えたことを特徴とする放電加工装置。 - 前記加工条件設定手段は、前記加工面積をパラメータとして放電加工パルスに関するピーク電流とパルスON時間とパルスOFF時間を予め設定した第1の加工条件テーブルと、前記極間静電容量をパラメータとして放電加工パルスに関するピーク電流とパルスON時間とパルスOFF時間を予め設定した第2の加工条件テーブルを有することを特徴とする請求項1に記載の放電加工装置
- 前記演算手段は、前記電極を第1移動位置に移動させた状態において測定した第1極間距離h1及び第1合計静電容量C1、前記電極を第2移動位置に移動させた状態において測定した第2極間距離h2及び第2合計静電容量C2、前記電極を第3移動位置に移動させた状態において測定した第3極間距離h3及び第3合計静電容量C3、加工液の誘電率εとし、前記加工面積Sとしたとき、
S=h1・h2・h3(h1(C2−C3)+h2(C3−C1)
+h3(C1−C2)/(ε(h1−h2)(h2−h3)(h3−h1)) に表す式を用いて前記加工面積を演算することを特徴とする請求項1又は2に記載の放電加工装置。 - 前記演算手段は、前記電極を第1移動位置に移動させた状態において測定した第1極間距離h1と第1合計静電容量C1、前記電極を第2移動位置に移動させた状態において測定した第2極間距離h2と第2合計静電容量C2、前記電極を第3移動位置に移動させた状態において測定した第3極間距離h3と第3合計静電容量C3、前記電極を第4移動位置に移動させた状態において測定した第4極間距離h4と第4合計静電容量C4、極間距離の誤差距離α、加工液の誘電率εとし、加工面積Sとしたとき、
S=((h1+α)×(h2+α)×(h3+α)×(h1(C2−C3)+h2(C3−C1)+h3(C1−C2)))/(ε(h1−h2)×(h1−h3)×(h3−h2))
α=A/B
但し、A=h12 (h2(h3(C2−C3)+h4(C4−C2))
+h3h4(C3−C4))−h1(h22 (h3(C1−C3)
+h4(C4−C1))+h2(h3+h4)(h3−h4)(C2−C1)+h3h4(h3(C1−C4)+h4(C3−C1)))−h2h3h4(h2(C3−C4)+h3(C4−C2)+h4(C2−C3))
B=h12 (h2(C3−C4)+h3(C4−C2)
+h4(C2−C3))−h1(h22 (C3−C4)+h32
(C4−C2)+h42 (C2−C3))+h22 (h3(C1−C4)
+h4(C3−C1))−h2(h32 (C1−C4)+h42
(C3−C1))+h3h4(h3−h4)(C1−C2)
に表す式を用いて前記加工面積を演算することを特徴とする請求項1又は2に記載の放電加工装置。 - 前記演算手段は、前記電極を第1移動位置に移動させた状態において測定した第1極間距離h1及び第1合計静電容量C1、前記電極を第2移動位置に移動させた状態において測定した第2極間距離h2及び第2合計静電容量C2、前記電極を第3移動位置に移動させた状態において測定した第3極間距離h3及び第3合計静電容量C3、前記電極を第4移動位置に移動させた状態において測定した第4極間距離h4及び第4合計静電容量C4、電極前進端面と電極の軸心の間の角度θ、極間距離の誤差距離α、加工液の誘電率εとし、前記加工面積S、前記極間静電容量Cとしたとき、
S=( (h1+α)×(h2+α)×(h3+α)×(h1(C2−C3)+h2(C3−C1)+h3(C1−C2))×sinθ) /(ε(h1−h2)×(h2−h3)×(h3−h1))
α=A/B
但し、A=h1 2 (h2(h3(C2−C3)+h4(C4−C2))
+h3h4(C3−C4))−h1(h2 2 (h3(C1−C3)
+h4(C4−C1))+h2(h3+h4)(h3−h4)(C2−C1)+h3h4(h3(C1−C4)+h4(C3−C1)))−h2h3h4(h2(C3−C4)+h3(C4−C2)+h4(C2−C3))
B=h1 2 (h2(C3−C4)+h3(C4−C2)
+h4(C2−C3))−h1(h2 2 (C3−C4)+h3 2
(C4−C2)+h4 2 (C2−C3))+h2 2 (h3(C1−C4)
+h4(C3−C1))−h2(h3 2 (C1−C4)+h4 2
(C3−C1))+h3h4(h3−h4)(C1−C2)
C=εS/((h1+α)sinθ) 又は
C=εS/((h2+α)sinθ) 又は
C=εS/((h3+α)sinθ) 又は
C=εS/((h4+α)sinθ)
に表す式を用いて前記加工面積及び極間静電容量を演算することを特徴とする請求項1又は2に記載の放電加工装置。 - 前記加工条件設定手段は、前記静電容量測定手段により電極と被加工物の加工部位間の合計静電容量を測定して放電加工条件を変更する測定周期を前記演算された加工面積又は極間静電容量に基づいて変更することを特徴とする請求項2〜5の何れか1つに記載の放電加工装置。
- 前記加工条件設定手段は、前記演算された加工面積又は極間静電容量に略比例するように前記電極へ供給する加工電流を設定することを特徴とする請求項2〜6の何れか1つに記載の放電加工装置。
- 前記加工条件設定手段は、前記加工電流の電流密度を所定の電流密度以下に設定することを特徴とする請求項7に記載の放電加工装置。
- 前記加工条件設定手段は、前記電極に供給する加工電流と、前記加工面積又は極間静電容量とに対応する放電パルスを設定する放電パルス設定手段を備えたことを特徴とする請求項8に記載の放電加工装置。
- 前記加工条件設定手段は、前記極間距離の誤差距離αに基づいてジャンプ動作のジャンプ周期とジャンプ量の少なくとも一方を設定するジャンプ動作演算手段を有することを特徴とする請求項4に記載の放電加工装置。
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