JP4563568B2 - Mounting device for semiconductor processing, plasma processing device, and vacuum processing device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体処理において液晶ディスプレイ(LCD)用のガラス基板(LCD基板)や半導体ウエハ等の被処理基板を取扱いの対象とする、載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置に関する。なお、ここで、半導体処理とは、半導体ウエハやLCD基板等の被処理基板上に半導体層、絶縁層、導電層等を所定のパターンで形成することにより、該被処理基板上に半導体デバイスや、半導体デバイスに接続される配線、電極等を含む構造物を製造するために実施される種々の処理を意味する。
【0002】
【従来の技術】
特開平7−74231号公報には、被処理基板にプラズマエッチングや成膜処理を施す処理装置が開示される。この装置では、アルミニウム等の導電性材料からなる矩形のハウジングから構成される処理室の内部に、被処理基板を支持するための載置面を有する載置台が配設される。載置台は導電性材料を用いて形成され、RF(高周波)電力を印加するための下部電極としても機能する。載置台の4隅には、載置面に対する被処理基板のロード及びアンロードをアシストするため、複数のリフタピンが上下動可能に配設される。被処理基板は、ロード及びアンロードのために搬送アームにより取扱われる時、リフタピンによって載置面から浮いた状態に支持される。
【0003】
リフタピンは協働して被処理基板を水平に支持するための支持レベルを提供するため、これ等の上下動は、被処理基板の水平状態を維持するように同期して行う必要がある。このため、載置台の下方には水平状態で上下動可能なベースプレートが配設され、このベースプレートの4隅にリフタピンが垂直上方に突出するように配設される。ベースプレートは、その下部中央部に設置された上下駆動用エアシリンダによって支持され、エアシリンダの駆動によりベースプレートと全リフタピンとが一体的に上下動する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記公報に開示の装置においては、載置台の直下のスペースが、リフタピンを同期して駆動するためのベースプレートや駆動部により占有される。このため、できるだけ処理室の近くに設置したい真空ポンプやインピーダンス・マッチングボックス等の付属機器が効率的な位置に配置できず、排気特性やRF特性が悪化する原因となっている。また、これらの付属機器を装置本体の周囲に設置する必要があることから設備全体の大型化の原因となっている。同様な問題は、載置台の周辺に配設されるクランプリング等の他の可動枠体のための駆動機構に関しても見出されている。
【0005】
本発明の1つの目的は、半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置において、載置台に配設されるリフタピンや載置台の周辺に配設される可動枠体のための駆動機構を載置台の直下のスペースから排除可能とすることにより、真空ポンプやインピーダンス・マッチングボックス等の付属機器を処理室のごく近くに配設可能とし、これにより、排気特性やRF特性を向上させることである。
【0006】
本発明の別の目的は、半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置において、載置台に配設されるリフタピンや載置台の周辺に配設される可動枠体のための駆動機構を小型化可能とすると共に、載置台の直下のスペースから排除可能とすることにより、付属機器の配置場所の自由度を高め、これにより、設備全体を小型化することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の視点に係わる半導体処理用の載置台装置は、被処理基板を支持するための載置面を有し、搬送装置により前記載置面に対して被処理基板がロード及びアンロードされる載置台と、
前記載置面に対する被処理基板のロード及びアンロードをアシストするため、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動可能に配設され、協働して前記載置面の上方で被処理基板を支持するための支持レベルを提供する複数のリフタピンと、
これらリフタピンを上下方向に移動させるように、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動可能に配置された複数のロッドと、
これら複数のロッドに夫々接続された複数の可撓性の操作ワイヤと、
これら操作ワイヤを進退駆動するための駆動機構とを具備し、
前記複数のロッドの各々の上下軸と、前記複数のリフタピンの各々の前記上下軸は、平行となるように離間しており、
前記複数の可撓性の操作ワイヤは、前記載置台の直下に付属機器を配置可能なスペースを確保するように載置台に対して配置されていることを特徴としている。
【0008】
本発明の第2の視点は、第1の視点の装置において、前記操作ワイヤは可撓性のジャケットチューブに被覆され、前記ジャケットチューブに対して進退動作するように配設され、前記ジャケットチューブは前記載置台に対して相対的に固定されることを特徴とする。
【0009】
本発明の第3の視点では、前記複数のロッドは、ガイドを介して、前記リフタピンを上下方向に移動させるように設けられ得る。
【0010】
本発明の第4の視点は、第1乃至第3のいずれかの視点の装置において、前記リフタピンは前記載置面を貫通して上方に突出する位置と、前記載置面の下側に退避する位置との間で移動するように配設されることを特徴とする。
【0011】
本発明の第5の視点は、第1乃至第4のいずれかの視点の装置において、前記載置台を包囲すると共に被処理基板を収容するための気密な収容室と、前記収容室内を真空排気するための排気系と、前記収容室内にガスを供給するための供給系と、を更に具備することを特徴とする。
【0012】
本発明の第6の視点は、第5の視点の装置において、前記各リフタピンを気密に包囲する伸縮可能なベローズを更に具備し、前記ベローズの一端部は前記リフタピンの支持体を介して前記操作ワイヤの前記一端部に接続され、前記ベローズの他端部は前記収容室の気密性を保証するように真空シール部材を介して前記載置台に対して相対的に固定されることを特徴とする。
【0013】
本発明の第7の視点は、第5の視点の装置において、前記駆動機構は前記収容室の外部に配設されることを特徴とする。
【0014】
本発明の第8の視点に係わる半導体処理用のプラズマ処理装置は、
気密な処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するための供給系と、
前記処理室内を真空排気するための排気系と、
前記処理ガスをプラズマ化するRF電界を前記処理室内に形成するための電界形成機構と、
被処理基板を支持するための載置面を有し、搬送装置により前記載置面に対して被処理基板がロード及びアンロードされる、前記処理室内に配設された載置台と、
前記載置面に対する被処理基板のロード及びアンロードをアシストするため、
前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動動可能に配設され、協働して前記載置面の上方で被処理基板を支持するための支持レベルを提供する複数のリフタピンと、
複数の可撓性の操作ワイヤと、
これら操作ワイヤを、夫々リフタピンに接続し、操作ワイヤの進退駆動によりリフタピンを上下方向に移動させるように、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動可能に配置された複数のロッドと、
前記操作ワイヤに接続され、前記操作ワイヤを進退駆動するための駆動機構と、を具備し、
前記複数のリフタピンの各々の前記上下軸は、前記複数のロッドの前記上下軸とは平行となるように離間しており、
前記複数の可撓性の操作ワイヤは、前記載置台の直下にスペースを確保するように載置台に対して配置されていることを特徴としている。
【0015】
本発明の第9の視点は、第8の視点の装置において、前記排気系は前記載置台の直下に配置された排気口及び排気ポンプを具備することを特徴とする。
【0016】
本発明の第10の視点に係わる半導体処理用の真空処理装置は、
気密な処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するための供給系と、
前記処理室内を真空排気するための排気系と、
前記処理室内に配設された、被処理基板を支持するための載置面を有する載置台と、
前記載置台の周囲で前記載置台に対して上下動可能に配設された可動枠体と、
進退動作可能な複数の可撓性の操作ワイヤと、
前記可動枠体を、この可動枠体に沿う複数の個所で、前記複数の操作ワイヤに接続し、前記操作ワイヤの進退動作に伴って前記可動枠体を前記載置台に対して上下動させるように、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動するように配設された複数の第1のロッドと、
前記複数の操作ワイヤを同時に進退駆動するための駆動機構と、
前記複数の操作ワイヤに接続し、駆動機構により前記複数の第1のロッドを同時に進退駆動させるように、上下軸に沿って上下方向に移動可能に配置された複数の第2のロッドと、
前記第1のロッドの前記上下軸は、前記第2のロッドの前記上下軸に対して平行に延びており、
前記複数の可撓性の操作ワイヤは、前記載置台の直下に付属機器を配置可能なスペースを確保するように載置台に対して配置されており、
前記駆動機構は、前記複数の可撓性の操作ワイヤを同時に進退動作させる単一のピストンロッドと、このピストンロッドを収容したシリンダとを有していることを特徴としている。
【0017】
本発明の第11の視点は、第10の視点の装置において、前記操作ワイヤは可撓性のジャケットチューブに被覆され、前記ジャケットチューブに対して進退動作するように配設され、前記ジャケットチューブは前記載置台に対して相対的に固定されることを特徴とする。
【0018】
本発明の第12の視点は、第10または第11視点の装置において、前記可動枠体は、被処理基板を前記載置台に対して固定するためのクランプリングであることを特徴とする。
【0019】
本発明の第13の視点は、第10または第11視点の装置において、前記可動枠体は、被処理基板に対する処理の均一性を向上させるためのフォーカスリングであることを特徴とする。
【0020】
本発明の第14の視点は、第10または第11視点の装置において、前記可動枠体は、被処理基板に対する前記処理ガス流れを調整するためのガス整流壁であることを特徴とする。
【0021】
更に、本発明に係る実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が省略されることで発明が抽出された場合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が周知慣用技術で適宜補われるものである。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【0023】
図1及び図2は本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング装置を示す縦断側面図及び横断平面図である。
【0024】
プラズマエッチング装置1は、アルミニウム等の導電性材料からなる矩形箱状の上部ハウジング2と、上部ハウジング2を支持する下部フレーム2aとを具備する。ハウジング2によって処理室3が形成される一方、下部フレーム2a内、即ち、処理室3の下側には、補助空間1aが形成される。処理室3の側面には、被処理基板であるLCD基板L及び搬送装置の搬送アームTAが通過するため、ゲートバルブ3aにより開閉されるポートが形成される。
【0025】
処理室3内の上部には導電性材料からなる中空の上部電極4が配設される。上部電極4は、処理室3のハウジング2と共に接地される。上部電極4は処理ガスの供給ヘッダ6としても機能し、処理ガスの供給源(図示せず)に接続される。
【0026】
処理室3内の下部にはLCD基板Lを支持するための水平な載置面7を有する載置台5が配設される。図3(a)図示の如く、載置台5の上部は、例えば表面がアルマイト処理された板状のアルミニウムよりなる上板35と、これに密着する導電性材料からなる中板36とからなる。上板35と中板36とは、ネジ等により分解可能に一体化される。中板36は、絶縁体37を介して載置台5の下板38に取付けられ、更に、下板38は、電源ケーブルなどを通すための中空円筒体13を介して処理室3の底部に固定される。なお、載置面7上には、必要に応じて、静電チャック(図示せず)を配設することができる。
【0027】
一体化された載置台5の上板35及び中板36により、上部電極4に対して平行に対向する下部電極5aが構成される。下部電極5aの底部には給電板9が配設され、給電板9はケーブル9aを介して、処理室3の下側の補助空間1a内の側部に設置されたRF電源10に接続される。RF電源10から下部電極5aにRF電力を印加することにより、処理ガスをプラズマ化するRF電界が、上部電極4及び下部電極5a間で処理室3内に形成される。
【0028】
載置台5の直下で、処理室3の底部中央には排気口42が形成される。排気口42は、排気管41及びバルブ41aを介して、処理室3を真空排気するための真空ポンプ40に接続される。真空ポンプ40は、載置台5の直下において、処理室3の下側の補助空間1a内に直立状態で配設される。
【0029】
載置台5の4箇所には、載置面7に対する基板Lのロード及びアンロードをアシストするため、各箇所に1本ずつ、合計4本のリフタピン11が載置台5を貫通して上下動可能に配設される。リフタピン11は協働して基板Lを水平に支持するための支持レベルを提供する。基板Lは、ロード及びアンロードのために搬送アームTAにより取扱われる時、図1図示の如く、リフタピン11によって載置面7から浮いた状態で支持される。
【0030】
図3(a)は図1及び図2図示の装置における載置台の一部とリフタピンの支持機構及び駆動機構を示す部分縦断側面図であり、図3(b)は同駆動機構を示す平面図である。なお、各リフタピンの支持機構は同一構造であるため、以下ではその一つについて説明する。
【0031】
図3(a)図示の如く、リフタピン11の支持機構12は、処理室3の底部(即ちハウジング2の底部)と載置台5の下板38との間に配設された中空円筒体13内に配設される。円筒体13は上下フランジを有し、これ等はハウジング2と載置台5の下板38とに気密シール状態でネジ14によって固定される。これにより、処理室3内の気密性が保証された状態で、円筒体13の外部は処理室3内に連通し、内部は大気側に連通する。
【0032】
円筒体13の内部には垂直方向にLM(Linear Movement)ガイド15が配設され、ガイド15にベース16が上下動自在に支持される。ベース16の上面には支持体17を介してリフタピン11が垂直方向に突設される。リフタピン11の先端部と対向する載置台5の上板35にはリフタピン11を通すための挿通孔35aが形成され、その上端は載置台5の載置面7に開口する。
【0033】
リフタピン11を気密に包囲するように、伸縮可能なベローズ18が配設される。ベローズ18の底部は支持体17に固定される一方、ベローズ18の頂部にはフランジ19が配設される。フランジ19は載置台5の中板36の上面に形成されたフランジ19と実質的に同じ厚さの凹部内に配置される。フランジ19は上板35により中板36に押し付けられ、しかも、この凹部内でフランジ19の下側にはOリング19aが配設される。これにより、処理室3内の気密性が保証された状態で、ベローズ18の内部は処理室3内に連通し、外部は大気側に連通する。
【0034】
リフタピン11の支持機構12には、同軸ワイヤデバイス20の一端部が接続される。ワイヤデバイス20は、合成樹脂等からなる可撓性のジャケットチューブ21と、その内部にスライド自在(往復動自在)に挿通されたステンレス鋼線等からなる可撓性の操作ワイヤ22とを含む。ジャケットチューブ21の両端部には端部金具21aが配設される一方、操作ワイヤ22の両端部には硬質の金属ロッド22aが接続される。
【0035】
操作ワイヤ22と各金属ロッド22aとは端部金具21aの外側で接続され、この接続部を包囲するように硬質の円筒状ガイド32が配設される。ガイド32は後述するように、ブラケット等を介して処理室3側に固定され、即ち、ジャケットチューブ21に対して相対的に固定される。操作ワイヤ22と各金属ロッド22aとの接続部は、操作ワイヤ22がジャケットチューブ21に対して相対的にスライドするストローク範囲において、ガイド32内のみで往復動する。即ち、ジャケットチューブ21内の操作ワイヤ22の往復動に伴って金属ロッド22aのみがガイド32の開口端部に対して伸出及び退避を行う。
【0036】
支持機構12側の同軸ワイヤデバイス20の一端部において、端部金具21a及びガイド32はブラケット31を介して処理室3のハウジング2の底部に固定され、金属ロッド22aはリフタピン11に接続されたベース16に接続される。従って、操作ワイヤ22の進退によって金属ロッド22aがガイド32に対して往復動を行うと、これに伴ってベース16がLMガイド15に沿って移動し、従って、リフタピン11が上下動を行う。なお、リフタピン11のストロークは、例えば、50mmに設定される。
【0037】
同軸ワイヤデバイス20の他端部は、下部フレーム2aの外側に配設された駆動機構23に接続される。駆動機構23の基台24にはその長手方向に沿ってガイド溝25が形成される。ガイド溝25にはスライダ26がガイド溝25に沿ってスライド自在に係合される。スライダ26は基台24に対して固定されたエアシリンダ27のスライドロッド28に連結され、エアシリンダ27によってスライダ26が駆動される。
【0038】
スライダ26にはガイド溝25と直交する方向にエンドプレート29が固定され、スライダ26と一体にスライドする。エンドプレート29には各リフタピン11に連結された操作ワイヤ22の端部の金属ロッド22aが接続される。4本の金属ロッド22aはエアシリンダ27を挟んで2本ずつ平行に配置される。ジャケットチューブ21の端部金具21a及びガイド32は固定具30等により基台24に固定される。即ち、4本のリフタピン11に対応する4個の同軸ワイヤデバイス20は共通の駆動機構23により一緒に駆動される。
【0039】
エアシリンダ27の駆動によってスライドロッド28が収縮すると、エンドプレート29を介して4本の金属ロッド22aがガイド32内へ押込まれる。このため、ジャケットチューブ21内で、操作ワイヤ22が支持機構12側に押されて前進し、これにより、各リフタピン11が同期して載置面7より突出する。
【0040】
一方、エアシリンダ27の駆動によってスライドロッド28が伸長すると、エンドプレート29を介して4本の金属ロッド22aがガイド32から引出される。このため、ジャケットチューブ21内で、操作ワイヤ22が駆動機構23側に引っ張られて後退し、これにより、各リフタピン11が同期して載置面7下へ退避する。
【0041】
図1及び図2図示のプラズマエッチング装置においては、以下のような態様でプラズマエッチングが行われる。
【0042】
先ず、基板Lが、搬送アームTAにより処理室3に搬入され、載置台5の上方に配置される。これと同時に、駆動機構23のエアシリンダ27の駆動によってスライドロッド28が収縮される。これにより、同軸ワイヤデバイス20の操作ワイヤ22を介して4本のリフタピン11が同期して駆動され、載置面7から突出する。そして、4本のリフタピン11の先端部で基板Lの4隅を突き上げて搬送アームTAから基板Lを受け取る。
【0043】
搬送アームTAが処理室3から退避した後、駆動機構23のエアシリンダ27の駆動によりスライドロッド28が伸長される。これにより、同軸ワイヤデバイス20の操作ワイヤ22を介して4本のリフタピン11が同期して駆動され、載置面7下へ退避する。従って、4本のリフタピン11の先端部に支持されていた基板Lは載置面7上に載置される。
【0044】
次に、真空ポンプ40が駆動され、排気口42を介して処理室3は真空吸引されると共に、処理ガス供給源から処理ガスが供給され、処理室3内が所定の圧力に維持される。これと共に、RF電源10から下部電極5aにRF電力が印加されることにより、上部電極4及び下部電極5a間にRF電界が形成される。処理ガスはRF電界によりプラズマ化され、このプラズマ中のイオン及び活性種により、基板Lに対してエッチングが施される。
【0045】
エッチング終了後、真空ポンプ40により所定時間に亘って処理室3内の残留ガス等の排気が行われる。その後、駆動機構23のエアシリンダ27の駆動によってスライドロッド28が収縮される。これにより、同軸ワイヤデバイス20の操作ワイヤ22を介して4本のリフタピン11が同期して駆動され、載置面7から突出する。そして、4本のリフタピン11の先端部で基板Lの4隅を突き上げて載置面7から浮いた状態に支持する。この状態で、搬送アームTAが基板Lの下側に進入し、リフタピン11から基板Lを受け取る。
【0046】
本実施の形態によれば、4本のリフタピン11を1台の駆動機構23によって同期して駆動させることができる。しかも、リフタピン11と駆動機構23とは可撓性を有する操作ワイヤ22によって連結されるため、駆動機構23は設置場所が制約されない。従って、駆動機構23は、処理室3から離れた任意の位置、例えば下部フレーム2aの外側に設置することが可能となる。
【0047】
また、リフタピン11の駆動機構23を処理室3直下の補助空間1aの外側に設置することにより、同補助空間1aを真空ポンプ40やRF電源10を設置するために利用することができる。即ち、真空ポンプ40やRF電源10を処理室3の至近位置に設置することができるため、排気管長及びRF導入経路が短くなり、排気特性やRF特性を向上させることができる。
【0048】
また、駆動機構23は従来のリフタピンの駆動機構に比べて小型化である。しかも、上述のように、処理室3直下の補助空間1aが利用可能となることから、他の付属機器の配置場所の自由度が高くなる。このため、設備全体を小型化することができる。
【0049】
図4及び図5は本発明の別の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の一部を示す縦断側面図及び全体を横断平面図である。
【0050】
この実施の形態は、図1及び図2図示のプラズマエッチング装置において、更に、基板Lを載置台5に固定するためのクランプリング57を含む。クランプリング57は基板Lの周縁部よりも内方に延在する内周端部を有し、基板Lは、クランプリング57の内周端部により載置台5の載置面7に対して押し付けられることによりクランプされる。クランプリング57、即ち矩形リング状の可動枠体は、図3(a)及び(b)図示のような同軸ワイヤデバイス20を利用して駆動される。
【0051】
具体的には、クランプリング57には、その矩形の4つの頂点に概ね対応する位置に、垂直下方に延びる4本の脚ロッド56が固定される。各脚ロッド56は、互いに連結された上側のセラミック製のロッド部分56aと下側のアルミニウム製のロッド部分56bとからなる。処理室3内の雰囲気には、セラミック製のロッド部分56aのみが直接晒される。
【0052】
一方、載置台5の周囲で、処理室3を構成するハウジング2の底部には4本の脚ロッド56を通すための挿通孔51(1個のみ示す)が形成される。挿通孔51に対向するハウジング2の底部には脚ロッド56のための支持機構52が配設される。4個の支持機構52は同一構造であるため、その一つについて説明する。
【0053】
支持機構52は、処理室3を構成するハウジング2の底部に垂直に固定されたシリンダ53を含む。シリンダ53の底部にはスライダ55が上下動自在に配設される。スライダ55の頂部に支持体54が固定され、その上に脚ロッド56が垂直状態で固定される。脚ロッド56の上端部は挿通孔51を挿通して処理室3内に突出する。
【0054】
脚ロッド56を気密に包囲するように、伸縮可能なベローズ62が配設される。ベローズ62の底部は支持体54に固定される一方、ベローズ62の頂部にはフランジ61が配設される。フランジ61はOリング60を挟んでハウジング2の底部に固定される。これにより、処理室3内の気密性が保証された状態で、ベローズ62の内部は処理室3内に連通し、外部は大気側に連通する。
【0055】
各脚ロッド56の支持機構52には、同軸ワイヤデバイス20の一端部が接続される。同軸ワイヤデバイス20は、図3(a)及び(b)を参照して述べたものと同様な構造を有する。支持機構52側の同軸ワイヤデバイス20の一端部において、端部金具21a及びガイド32はブラケット64を介してシリンダ53の底部に固定され、金属ロッド22aは脚ロッド56に接続された支持体54に接続される。従って、操作ワイヤ22の進退によって金属ロッド22aがガイド32に対して往復動を行うと、これに伴って脚ロッド56が上下動を行う。
【0056】
4個の同軸ワイヤデバイス20の他端部は、ハウジング2の底部にネジ63によって固定された駆動機構23に接続される。駆動機構23は、図3(a)及び(b)を参照して述べたものと同様な構造を有する。即ち、4本の脚ロッド56に対応する4個の同軸ワイヤデバイス20は共通の駆動機構23により一緒に駆動される。
【0057】
エアシリンダ27の駆動によってスライドロッド28が収縮すると、エンドプレート29を介して4本の金属ロッド22aがガイド32内へ押込まれる。このため、ジャケットチューブ21内で、操作ワイヤ22が支持機構52側に押されて前進し、これにより、各脚ロッド56を介してクランプリング57が載置面7に対して上昇する。
【0058】
一方、エアシリンダ27の駆動によってスライドロッド28が伸長すると、エンドプレート29を介して4本の金属ロッド22aがガイド32から引出される。このため、ジャケットチューブ21内で、操作ワイヤ22が駆動機構23側に引っ張られて後退し、これにより、各脚ロッド56を介してクランプリング57が載置面7に対して下降する。
【0059】
即ち、このようなクランプリング57の上下動により、載置面7に対する基板Lのクランプ及び解放を行うことができる。なお、図4及び図5図示のプラズマエッチング装置におけるプラズマエッチングに関するその他の態様は、図1及び図2を参照して述べたものと同様である。
【0060】
図6は本発明の更に別の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の一部を示す縦断側面図である。
【0061】
この実施の形態は、図4及び図5図示のプラズマエッチング装置においてクランプリング57を駆動するための構造を、別の矩形リング状の可動枠体であるフォーカスリング71を駆動する構造に適用したものである。この実施の形態において、脚ロッド56より下側の、支持機構52及び駆動機構23は図4を参照して述べたものと同一である。フォーカスリング71は、プラズマ中のイオンを効率的に基板Lに対して集中させる、或いは、基板Lの見掛け上の面積を大きくする等の作用を利用して、基板Lに対するプラズマ処理の均一性を向上させるために使用される。また、フォーカスリング71の高さ位置を調整することにより、プラズマ処理の均一性を最適化することができる。目的に応じて、フォーカスリング71は、導電性材料または絶縁性材料から形成することができる。
【0062】
図7は本発明の更に別の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の一部を示す縦断側面図である。
【0063】
この実施の形態は、図4及び図5図示のプラズマエッチング装置においてクランプリング57を駆動するための構造を、別の矩形リング状の可動枠体であるガス整流壁73を駆動する構造に適用したものである。この実施の形態において、脚ロッド56より下側の、支持機構52及び駆動機構23は図4を参照して述べたものと同一である。整流壁73は、基板Lを包囲可能な矩形リング状の垂直な壁面を有し、基板Lに対する処理ガスの流れを調整するために使用される。整流壁73の高さ位置を調整することにより、処理ガスの流れFa、Fbを調整し、プラズマ処理の均一性を最適化することができる。なお、図7において符号42は排気口を示す。
【0064】
図4乃至図7図示の実施の形態によっても、先の実施の形態と同様な効果が得られる。即ち、4本の脚ロッド56を1台の駆動機構23によって同期して駆動させることができる。しかも、脚ロッド56と駆動機構23とは可撓性を有する操作ワイヤ22によって連結されるため、駆動機構23は設置場所が制約されない。従って、駆動機構23は、処理室3から離れた任意の位置、例えば下部フレーム2aの外側に設置することが可能となる。
【0065】
また、脚ロッド56の駆動機構23を処理室3直下の補助空間1aの外側に設置することにより、同補助空間1aを真空ポンプ40やRF電源10を設置するために利用することができる。即ち、真空ポンプ40やRF電源10を処理室3の至近位置に設置することができるため、排気管長及びRF導入経路が短くなり、排気特性やRF特性を向上させることができる。
【0066】
また、駆動機構23は従来のクランプリング等の駆動機構に比べて小型化である。しかも、上述のように、処理室3直下の補助空間1aが利用可能となることから、他の付属機器の配置場所の自由度が高くなる。このため、設備全体を小型化することができる。なお、図4、図6及び図7においては、図示の都合上、駆動機構23は補助空間1a内に配設された状態で示される。
【0067】
なお、図4乃至図7図示の実施の形態に係るクランプリング57、フォーカスリング71、及び整流壁73は、任意に組み合せて一体的な可動枠体として形成することができる。また、クランプリング57を配設しない場合は、必要に応じて、静電チャック(図示せず)を配設すればよい。
【0068】
図8は本発明の更に別の実施の形態に係る真空処理システムの平面レイアウトを示す図である。図9は図8図示のシステムのロードロック室を示す縦断側面図である。
【0069】
この実施の形態は、図1及び図2図示のリフタピンの支持機構及び駆動機構の構造を、ロードロック室の載置台に適用したものである。具体的には、この真空処理システムは、例えば成膜やエッチングを行うための3つの処理室81、82、83と、これ等の処理室に共通の搬送室84と、搬送室84と大気側とを接続するロードロック室(真空予備室)85と、を含む。互いに接続された2つの室81〜85の間及びロードロック室85と大気側との間にはゲートバルブ86が配設される。搬送室84内には、室81〜85間で被処理基板である半導体ウエハを搬送するための搬送装置87が配設される。
【0070】
ロードロック室85は気密なハウジングからなり、ここに、不活性ガスまたはN2 ガスを供給するための供給系91と、真空排気を行うための排気系92と、が接続される。ロードロック室85内には、半導体ウエハWを支持するための円形の載置面を有する載置台95が配設される。
【0071】
載置台95の3箇所には、載置面に対するウエハWのロード及びアンロードをアシストするため、合計3本のリフタピン96が載置台95を貫通して上下動可能に配設される。ウエハWは、ロード及びアンロードのために搬送装置87の搬送アームにより取扱われる時、リフタピン96によって載置面上方の支持レベルに浮いた状態で支持される。
【0072】
リフタピン96のための支持機構12及び駆動機構23は、図3(a)及び(b)を参照して述べたものと同様な構造を有する。従って、図8及び図9図示のロードロック室85によれば、排気特性や設備の小型化に関して、図1及び図2図示の装置における効果と同様な効果を得ることができる。
【0073】
なお、上記実施の形態においては、全ての操作ワイヤ22は、共通の駆動機構23の駆動源27により一緒に駆動されるように構成されるが、夫々の操作ワイヤ22を同期して個々に駆動する複数の駆動源を使用することもできる。また、上記実施の形態においては、半導体処理としてプラズマエッチングを例に挙げて説明したが、本発明は、成膜やアッシング等の他の半導体処理に対しても適用可能である。また、本発明のリフタピンに係る特徴は、大気中に設けられた載置台に対しても適用することができる。また、本発明は、被処理基板として、LCD基板及び半導体ウエハのいずれに対しても同様に適用することができる。
【0074】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【0075】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置において、載置台に配設されるリフタピンや載置台の周辺に配設される可動枠体のための駆動機構を載置台の直下のスペースから排除可能とすることにより、真空ポンプやインピーダンス・マッチングボックス等の付属機器を処理室のごく近くに配設可能とし、これにより、排気特性やRF特性を向上させることができる。
【0076】
また、本発明によれば、半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置において、載置台に配設されるリフタピンや載置台の周辺に配設される可動枠体のための駆動機構を小型化可能とすると共に、載置台の直下のスペースから排除可能とすることにより、付属機器の配置場所の自由度を高め、これにより、設備全体を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るプラズマエッチング装置を示す縦断側面図。
【図2】図1図示の装置の横断平面図。
【図3】(a)は図1及び図2図示の装置における載置台の一部とリフタピンの支持機構及び駆動機構を示す部分縦断側面図、(b)は同駆動機構を示す平面図。
【図4】本発明の別の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の一部を示す縦断側面図。
【図5】図4図示の装置の横断平面図。
【図6】本発明の更に別の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の一部を示す縦断側面図。
【図7】本発明の更に別の実施の形態に係るプラズマエッチング装置の一部を示す縦断側面図。
【図8】本発明の更に別の実施の形態に係る真空処理システムの平面レイアウトを示す図。
【図9】図8図示のシステムのロードロック室を示す縦断側面図。
【符号の説明】
1…プラズマエッチング装置
1a…補助空間
2…上部ハウジング
3…処理室
4…上部電極
5…載置台
5…下部電極
6…供給ヘッダ
7…載置面
10…RF電源
11…リフタピン
12…支持機構
13…円筒体
15…ガイド
16…ベース
18…ベローズ
20…ワイヤデバイス
21…ジャケットチューブ
21a…端部金具
22…操作ワイヤ
22a…金属ロッド
23…駆動機構
26…スライダ
27…エアシリンダ
29…エンドプレート
32…円筒状ガイド
40…真空ポンプ
42…排気口
52…支持機構
56…脚ロッド
57…クランプリング
62…ベローズ
71…フォーカスリング
73…整流壁
81、82、83…処理室
84…搬送室
85…ロードロック室
95…載置台
96…リフタピン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a mounting table device, a plasma processing apparatus, and a vacuum processing apparatus, which are objects to be processed such as glass substrates (LCD substrates) for liquid crystal displays (LCD) and semiconductor wafers in semiconductor processing. Here, the semiconductor processing means that a semiconductor device, an insulating layer, a conductive layer, etc. are formed in a predetermined pattern on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD substrate. The various processes performed in order to manufacture the structure containing the wiring connected to a semiconductor device, an electrode, etc. are meant.
[0002]
[Prior art]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-74231 discloses a processing apparatus for performing plasma etching or film formation on a substrate to be processed. In this apparatus, a mounting table having a mounting surface for supporting a substrate to be processed is disposed inside a processing chamber composed of a rectangular housing made of a conductive material such as aluminum. The mounting table is formed using a conductive material, and also functions as a lower electrode for applying RF (high frequency) power. In order to assist loading and unloading of the substrate to be processed with respect to the mounting surface, a plurality of lifter pins are arranged at the four corners of the mounting table so as to be movable up and down. When the substrate to be processed is handled by the transfer arm for loading and unloading, the substrate to be processed is supported by the lifter pins so as to float from the placement surface.
[0003]
Since the lifter pins cooperate to provide a support level for horizontally supporting the substrate to be processed, these vertical movements need to be performed synchronously so as to maintain the horizontal state of the substrate to be processed. For this reason, a base plate that can move up and down in a horizontal state is disposed below the mounting table, and lifter pins are disposed at four corners of the base plate so as to protrude vertically upward. The base plate is supported by an up / down driving air cylinder installed at the lower center portion thereof, and the base plate and all lifter pins are integrally moved up and down by driving the air cylinder.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the apparatus disclosed in the above publication, the space immediately below the mounting table is occupied by a base plate and a driving unit for driving the lifter pins in synchronization. For this reason, accessory devices such as a vacuum pump and an impedance matching box that are desired to be installed as close to the processing chamber as possible cannot be disposed at an efficient position, which causes deterioration of exhaust characteristics and RF characteristics. In addition, since these accessory devices need to be installed around the apparatus main body, this increases the size of the entire facility. Similar problems have been found with respect to drive mechanisms for other movable frames such as clamp rings disposed around the mounting table.
[0005]
One object of the present invention is to provide a lifter pin disposed on a mounting table and a movable frame disposed around the mounting table in a mounting table apparatus, a plasma processing apparatus, and a vacuum processing apparatus for semiconductor processing. By making it possible to eliminate the drive mechanism from the space directly below the mounting table, it is possible to install auxiliary equipment such as a vacuum pump and impedance matching box very close to the processing chamber, thereby improving exhaust and RF characteristics. It is to let you.
[0006]
Another object of the present invention is to provide a lifter pin disposed on a mounting table and a movable frame disposed around the mounting table in a mounting table device, a plasma processing device, and a vacuum processing device for semiconductor processing. The drive mechanism can be reduced in size and can be excluded from the space immediately below the mounting table, thereby increasing the degree of freedom of the location of the accessory device, thereby reducing the size of the entire facility.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
First aspect of the present inventionThe mounting table device for semiconductor processing related toA mounting table having a mounting surface for supporting the substrate to be processed, on which the substrate to be processed is loaded and unloaded from the mounting surface by the transfer device;
In order to assist loading and unloading of the substrate to be processed on the mounting surface described above,Move up and down along the vertical axisA plurality of lifter pins which are arranged in a possible manner and cooperate to provide a support level for supporting the substrate to be processed above the mounting surface;
A plurality of rods arranged to be movable in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table so as to move these lifter pins in the vertical direction;
Connected to each of these rods.A plurality of flexible operating wires;
theseA drive mechanism for driving the operation wire forward and backward,
The vertical axis of each of the plurality of rods and the vertical axis of each of the plurality of lifter pins are separated so as to be parallel,
The plurality of flexible operation wires are disposed with respect to the mounting table so as to secure a space in which the accessory device can be disposed immediately below the mounting table.With featuresis doing.
[0008]
According to a second aspect of the present invention, in the apparatus according to the first aspect, the operation wire is covered with a flexible jacket tube and arranged to move forward and backward with respect to the jacket tube. It is fixed relative to the mounting table.
[0009]
Third aspect of the present inventionThen, the plurality of rods may be provided so as to move the lifter pins in the vertical direction via a guide.
[0010]
According to a fourth aspect of the present invention, in the apparatus according to any one of the first to third aspects, the lifter pin penetrates the placement surface and protrudes upward, and retracts below the placement surface. It is arrange | positioned so that it may move between the position which carries out.
[0011]
According to a fifth aspect of the present invention, in the apparatus according to any one of the first to fourth aspects, an airtight storage chamber for surrounding the mounting table and for storing a substrate to be processed, and evacuating the storage chamber And a supply system for supplying gas into the housing chamber.
[0012]
According to a sixth aspect of the present invention, in the apparatus according to the fifth aspect, the apparatus further includes an expandable / contractible bellows that airtightly surrounds each lifter pin, and one end of the bellows is operated via the lifter pin support. It is connected to the one end of the wire, and the other end of the bellows is fixed relative to the mounting table via a vacuum seal member so as to ensure the airtightness of the storage chamber. .
[0013]
According to a seventh aspect of the present invention, in the apparatus according to the fifth aspect, the drive mechanism is disposed outside the storage chamber.
[0014]
In the eighth aspect of the present inventionThe related plasma processing apparatus for semiconductor processing is
An airtight processing chamber,
A supply system for supplying a processing gas into the processing chamber;
An exhaust system for evacuating the processing chamber;
An electric field forming mechanism for forming an RF electric field for converting the processing gas into plasma in the processing chamber;
A mounting table disposed in the processing chamber, the mounting table having a mounting surface for supporting the substrate to be processed, on which the processing substrate is loaded and unloaded from the mounting surface by the transfer device;
In order to assist loading and unloading of the substrate to be processed on the mounting surface,
For the table aboveMove up and down along the vertical axisA plurality of lifter pins that are movably disposed and cooperate to provide a support level for supporting the substrate to be processed above the mounting surface;
MultipleA flexible operating wire;
A plurality of rods arranged so as to be movable in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table so that these operation wires are connected to the lifter pins, respectively, and the lifter pins are moved in the vertical direction by the advancement and retraction of the operation wires. When,
The operation wireConnected toA drive mechanism for driving the operation wire forward and backward,Comprising
The vertical axis of each of the plurality of lifter pins is separated so as to be parallel to the vertical axis of the plurality of rods,
The plurality of flexible operation wires are arranged with respect to the mounting table so as to secure a space immediately below the mounting table.With featuresis doing.
[0015]
According to a ninth aspect of the present invention, in the apparatus according to the eighth aspect, the exhaust system includes an exhaust port and an exhaust pump arranged immediately below the mounting table.
[0016]
A vacuum processing apparatus for semiconductor processing according to the tenth aspect of the present invention is:
An airtight processing chamber,
A supply system for supplying a processing gas into the processing chamber;
An exhaust system for evacuating the processing chamber;
A mounting table provided in the processing chamber and having a mounting surface for supporting a substrate to be processed;
A movable frame body arranged to be movable up and down with respect to the mounting table around the mounting table;
A plurality of flexible operation wires capable of moving back and forth;
The movable frame body is connected to the plurality of operation wires at a plurality of locations along the movable frame body, and the movable frame body is moved up and down with respect to the mounting table as the operation wire moves forward and backward. A plurality of first rods arranged to move in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table;
A drive mechanism for simultaneously advancing and retracting the plurality of operation wires;
The plurality of operation wiresTo yaConnected and driven by the drive mechanismA plurality of first rodsA plurality of second rods arranged so as to be movable in the vertical direction along the vertical axis,
The vertical axis of the first rod extends parallel to the vertical axis of the second rod;
The plurality of flexible operation wires are arranged with respect to the mounting table so as to secure a space in which the accessory device can be arranged immediately below the mounting table.
The drive mechanism includes a single piston rod that causes the plurality of flexible operation wires to simultaneously advance and retract, and a cylinder that accommodates the piston rod.
[0017]
According to an eleventh aspect of the present invention, in the apparatus according to the tenth aspect, the operation wire is covered with a flexible jacket tube and arranged to move forward and backward with respect to the jacket tube. It is fixed relative to the mounting table.
[0018]
According to a twelfth aspect of the present invention, in the apparatus according to the tenth or eleventh aspect, the movable frame body is a clamp ring for fixing the substrate to be processed to the mounting table.
[0019]
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the apparatus according to the tenth or eleventh aspect, the movable frame is a focus ring for improving processing uniformity with respect to a substrate to be processed.
[0020]
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the apparatus according to the tenth or eleventh aspect, the movable frame is a gas rectifying wall for adjusting the processing gas flow with respect to the substrate to be processed.
[0021]
Further, the embodiments of the present invention include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, when an invention is extracted by omitting some constituent elements from all the constituent elements shown in the embodiment, when the extracted invention is carried out, the omitted part is appropriately supplemented by a well-known common technique. It is what is said.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, components having substantially the same function and configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be provided only when necessary.
[0023]
1 and 2 are a longitudinal sectional side view and a transverse plan view showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
[0024]
The plasma etching apparatus 1 includes a rectangular box-shaped
[0025]
A hollow
[0026]
A mounting table 5 having a
[0027]
The integrated
[0028]
An
[0029]
In order to assist the loading and unloading of the substrate L with respect to the mounting
[0030]
FIG. 3A is a partially longitudinal side view showing a part of the mounting table, the lifter pin support mechanism and the drive mechanism in the apparatus shown in FIGS. 1 and 2, and FIG. 3B is a plan view showing the drive mechanism. It is. In addition, since the support mechanism of each lifter pin is the same structure, the one is demonstrated below.
[0031]
As shown in FIG. 3A, the
[0032]
Inside the
[0033]
An expandable /
[0034]
One end of the
[0035]
The
[0036]
At one end of the
[0037]
The other end of the
[0038]
An
[0039]
When the
[0040]
On the other hand, when the
[0041]
In the plasma etching apparatus shown in FIGS. 1 and 2, plasma etching is performed in the following manner.
[0042]
First, the substrate L is carried into the
[0043]
After the transfer arm TA is retracted from the
[0044]
Next, the
[0045]
After the etching is completed, the residual gas or the like in the
[0046]
According to the present embodiment, the four
[0047]
Further, by installing the
[0048]
The
[0049]
4 and 5 are a longitudinal sectional side view and a cross-sectional plan view showing the whole of a part of a plasma etching apparatus according to another embodiment of the present invention.
[0050]
This embodiment further includes a
[0051]
Specifically, four
[0052]
On the other hand, an insertion hole 51 (only one is shown) for passing four
[0053]
The
[0054]
An expandable /
[0055]
One end of the
[0056]
The other end portions of the four
[0057]
When the
[0058]
On the other hand, when the
[0059]
In other words, the substrate L can be clamped and released with respect to the mounting
[0060]
FIG. 6 is a longitudinal side view showing a part of a plasma etching apparatus according to still another embodiment of the present invention.
[0061]
In this embodiment, the structure for driving the
[0062]
FIG. 7 is a longitudinal side view showing a part of a plasma etching apparatus according to still another embodiment of the present invention.
[0063]
In this embodiment, the structure for driving the
[0064]
According to the embodiment shown in FIGS. 4 to 7, the same effects as those of the previous embodiment can be obtained. That is, the four
[0065]
Further, by installing the
[0066]
Further, the
[0067]
The
[0068]
FIG. 8 is a diagram showing a planar layout of a vacuum processing system according to still another embodiment of the present invention. FIG. 9 is a longitudinal side view showing a load lock chamber of the system shown in FIG.
[0069]
In this embodiment, the structure of the lifter pin support mechanism and the drive mechanism shown in FIGS. 1 and 2 is applied to a mounting table for a load lock chamber. Specifically, this vacuum processing system includes, for example, three processing
[0070]
The
[0071]
In order to assist the loading and unloading of the wafer W with respect to the mounting surface, a total of three
[0072]
The
[0073]
In the above embodiment, all the
[0074]
In addition, in the category of the idea of the present invention, those skilled in the art can conceive of various changes and modifications, and it is understood that these changes and modifications also belong to the scope of the present invention. .
[0075]
【The invention's effect】
According to the present invention, in a mounting table device, a plasma processing device, and a vacuum processing device for semiconductor processing, a drive mechanism for a lifter pin disposed on the mounting table and a movable frame disposed around the mounting table. Can be removed from the space directly under the mounting table, so that accessory equipment such as a vacuum pump and impedance matching box can be placed very close to the processing chamber, thereby improving exhaust characteristics and RF characteristics. Can do.
[0076]
Further, according to the present invention, in the mounting table device for semiconductor processing, the plasma processing device, and the vacuum processing device, for the lifter pins disposed on the mounting table and the movable frame disposed around the mounting table. By making it possible to reduce the size of the drive mechanism and to eliminate it from the space directly below the mounting table, it is possible to increase the degree of freedom of the location of the accessory device, thereby reducing the size of the entire facility.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal side view showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional plan view of the apparatus shown in FIG. 1. FIG.
3A is a partially longitudinal side view showing a part of a mounting table, a lifter pin support mechanism and a drive mechanism in the apparatus shown in FIGS. 1 and 2, and FIG. 3B is a plan view showing the drive mechanism.
FIG. 4 is a longitudinal side view showing a part of a plasma etching apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional plan view of the apparatus shown in FIG. 4. FIG.
FIG. 6 is a vertical side view showing a part of a plasma etching apparatus according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a longitudinal side view showing a part of a plasma etching apparatus according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing a planar layout of a vacuum processing system according to still another embodiment of the present invention.
9 is a longitudinal side view showing a load lock chamber of the system shown in FIG. 8. FIG.
[Explanation of symbols]
1 ... Plasma etching equipment
1a ... Auxiliary space
2… Upper housing
3. Processing chamber
4 ... Upper electrode
5 ... Mounting table
5 ... Lower electrode
6 ... Supply header
7 ... Placement surface
10 ... RF power supply
11 ... Lifter pin
12 ... Support mechanism
13 ... Cylinder
15 ... Guide
16 ... Base
18 ... Bellows
20 ... Wire device
21 ... Jacket tube
21a ... End fitting
22 ... Operation wire
22a ... Metal rod
23 ... Drive mechanism
26 ... Slider
27 ... Air cylinder
29 ... End plate
32 ... Cylindrical guide
40 ... Vacuum pump
42 ... Exhaust port
52. Support mechanism
56 ... Leg rod
57 ... Clamp ring
62 ... Bellows
71 ... Focus ring
73 ... Rectifier wall
81, 82, 83 ... processing chamber
84 ... Conveying room
85 ... Load lock room
95: Mounting table
96 ... Lifter pin
Claims (14)
前記載置面に対する被処理基板のロード及びアンロードをアシストするため、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動可能に配設され、協働して前記載置面の上方で被処理基板を支持するための支持レベルを提供する複数のリフタピンと、
これらリフタピンを上下方向に移動させるように、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動可能に配置された複数のロッドと、
これら複数のロッドに夫々接続された複数の可撓性の操作ワイヤと、
これら操作ワイヤを進退駆動するための駆動機構とを具備し、
前記複数のロッドの各々の上下軸と、前記複数のリフタピンの各々の前記上下軸は、平行となるように離間しており、
前記複数の可撓性の操作ワイヤは、前記載置台の直下に付属機器を配置可能なスペースを確保するように載置台に対して配置されていることを特徴とする半導体処理用の載置台装置。A mounting table having a mounting surface for supporting the substrate to be processed, on which the substrate to be processed is loaded and unloaded from the mounting surface by the transfer device;
In order to assist the loading and unloading of the substrate to be processed with respect to the mounting surface, it is arranged to be movable in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table and cooperates above the mounting surface A plurality of lifter pins for providing a support level for supporting a substrate to be processed;
A plurality of rods arranged to be movable in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table so as to move these lifter pins in the vertical direction;
A plurality of flexible operation wires respectively connected to the plurality of rods ;
These operating wire; and a driving mechanism for driving forward and backward,
The vertical axis of each of the plurality of rods and the vertical axis of each of the plurality of lifter pins are separated so as to be parallel,
The mounting table device for semiconductor processing, wherein the plurality of flexible operation wires are arranged with respect to the mounting table so as to secure a space in which the accessory device can be arranged immediately below the mounting table. .
前記処理室内に処理ガスを供給するための供給系と、
前記処理室内を真空排気するための排気系と、
前記処理ガスをプラズマ化するRF電界を前記処理室内に形成するための電界形成機構と、
被処理基板を支持するための載置面を有し、搬送装置により前記載置面に対して被処理基板がロード及びアンロードされる、前記処理室内に配設された載置台と、
前記載置面に対する被処理基板のロード及びアンロードをアシストするため、
前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動動可能に配設され、協働して前記載置面の上方で被処理基板を支持するための支持レベルを提供する複数のリフタピンと、
複数の可撓性の操作ワイヤと、
これら操作ワイヤを、夫々リフタピンに接続し、操作ワイヤの進退駆動によりリフタピンを上下方向に移動させるように、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動可能に配置された複数のロッドと、
前記操作ワイヤに接続され、前記操作ワイヤを進退駆動するための駆
動機構と、を具備し、
前記複数のリフタピンの各々の前記上下軸は、前記複数のロッドの前記上下軸とは平行となるように離間しており、
前記複数の可撓性の操作ワイヤは、前記載置台の直下にスペースを確保するように載置台に対して配置されていることを特徴とする半導体処理用のプラズマ処理装置。An airtight processing chamber,
A supply system for supplying a processing gas into the processing chamber;
An exhaust system for evacuating the processing chamber;
An electric field forming mechanism for forming an RF electric field for converting the processing gas into plasma in the processing chamber;
A mounting table disposed in the processing chamber, the mounting table having a mounting surface for supporting the substrate to be processed, on which the processing substrate is loaded and unloaded from the mounting surface by the transfer device;
In order to assist loading and unloading of the substrate to be processed on the mounting surface,
A plurality of lifter pins which are arranged so as to be movable in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table, and which cooperate to provide a support level for supporting the substrate to be processed above the mounting surface; ,
A plurality of flexible operating wires;
A plurality of rods arranged so as to be movable in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table so that these operation wires are connected to the lifter pins, respectively, and the lifter pins are moved in the vertical direction by the advancement and retraction of the operation wires. When,
A drive mechanism connected to the operation wire for driving the operation wire forward and backward,
The vertical axis of each of the plurality of lifter pins is separated so as to be parallel to the vertical axis of the plurality of rods,
The plasma processing apparatus for semiconductor processing, wherein the plurality of flexible operation wires are arranged with respect to the mounting table so as to secure a space immediately below the mounting table .
前記処理室内に処理ガスを供給するための供給系と、
前記処理室内を真空排気するための排気系と、
前記処理室内に配設された、被処理基板を支持するための載置面を有する載置台と、
前記載置台の周囲で前記載置台に対して上下動可能に配設された可動枠体と、
進退動作可能な複数の可撓性の操作ワイヤと、
前記可動枠体を、この可動枠体に沿う複数の個所で、前記複数の操作ワイヤに接続し、前記操作ワイヤの進退動作に伴って前記可動枠体を前記載置台に対して上下動させるように、前記載置台に対して上下軸に沿って上下方向に移動するように配設された複数の第1のロッドと、
前記複数の操作ワイヤを同時に進退駆動するための駆動機構と、
前記複数の操作ワイヤに接続し、駆動機構により前記複数の第1のロッドを同時に進退駆動させるように、上下軸に沿って上下方向に移動可能に配置された複数の第2のロッドと、
前記第1のロッドの前記上下軸は、前記第2のロッドの前記上下軸に対して平行に延びており、
前記複数の可撓性の操作ワイヤは、前記載置台の直下に付属機器を配置可能なスペースを確保するように載置台に対して配置されており、
前記駆動機構は、前記複数の可撓性の操作ワイヤを同時に進退動作させる単一のピストンロッドと、このピストンロッドを収容したシリンダとを有していることを特徴とする半導体処理用の真空処理装置。An airtight processing chamber,
A supply system for supplying a processing gas into the processing chamber;
An exhaust system for evacuating the processing chamber;
A mounting table provided in the processing chamber and having a mounting surface for supporting a substrate to be processed;
A movable frame body arranged to be movable up and down with respect to the mounting table around the mounting table;
A plurality of flexible operation wires capable of moving back and forth;
The movable frame body is connected to the plurality of operation wires at a plurality of locations along the movable frame body, and the movable frame body is moved up and down with respect to the mounting table as the operation wire moves forward and backward. A plurality of first rods arranged to move in the vertical direction along the vertical axis with respect to the mounting table;
A drive mechanism for simultaneously advancing and retracting the plurality of operation wires;
A plurality of second rods connected to the plurality of operation wires and arranged to be movable in the vertical direction along the vertical axis so as to simultaneously advance and retract the plurality of first rods by a drive mechanism;
The vertical axis of the first rod extends parallel to the vertical axis of the second rod;
The plurality of flexible operation wires are arranged with respect to the mounting table so as to secure a space in which the accessory device can be arranged immediately below the mounting table.
The drive mechanism includes a single piston rod that simultaneously moves the plurality of flexible operation wires forward and backward, and a cylinder that accommodates the piston rod, and vacuum processing for semiconductor processing, apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000309554A JP4563568B2 (en) | 1999-10-13 | 2000-10-10 | Mounting device for semiconductor processing, plasma processing device, and vacuum processing device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-291225 | 1999-10-13 | ||
JP29122599 | 1999-10-13 | ||
JP2000309554A JP4563568B2 (en) | 1999-10-13 | 2000-10-10 | Mounting device for semiconductor processing, plasma processing device, and vacuum processing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001185606A JP2001185606A (en) | 2001-07-06 |
JP4563568B2 true JP4563568B2 (en) | 2010-10-13 |
Family
ID=26558454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000309554A Expired - Fee Related JP4563568B2 (en) | 1999-10-13 | 2000-10-10 | Mounting device for semiconductor processing, plasma processing device, and vacuum processing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4563568B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9564298B2 (en) | 2013-12-04 | 2017-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4951536B2 (en) * | 2007-03-27 | 2012-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting table and substrate processing apparatus |
JP5141520B2 (en) | 2008-12-02 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
JP7374026B2 (en) * | 2020-03-11 | 2023-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment and method for manufacturing the substrate processing equipment |
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JPH1092796A (en) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4116149B2 (en) * | 1997-11-25 | 2008-07-09 | 株式会社日本製鋼所 | Single wafer load lock device |
-
2000
- 2000-10-10 JP JP2000309554A patent/JP4563568B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001185606A (en) | 2001-07-06 |
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A621 | Written request for application examination |
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