JP2005056994A - Plasma treatment apparatus - Google Patents

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chamber
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子 俊 夫 金
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma treatment apparatus which can prevent contamination to an object to be treated during plasma treatment and effectively evacuate in inside of a chamber. <P>SOLUTION: The plasma treatment apparatus comprises a placing board 2 for placing the object to be treated 6 of the plasma treatment, an actuator 3 to drive the placing board 2 upward and downward, and a bellows 4 for air-tightly shielding the actuator 3 from the inside of the chamber 30. In this plasma treatment apparatus, a coil spring 5 is also provided to surround the bellows 4 and to expand with upward and downward movement of the placing board 2. The placing board 2 is moved upward until the windings of the coil spring 5 are separated with each other along the spiral direction, and thereby the inside of chamber 30 is evacuated under the condition that the coil spring 5 opens the periphery of the bellows 4 to the external side. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明はプラズマ処理装置に関し、特に、チャンバ内における汚染を防止する技術の改良に関する。   The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly to an improvement in technology for preventing contamination in a chamber.

半導体デバイスの製造工程では、ウエハの表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成するプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）や、ウエハの表面に形成した薄膜にエッチ
ング処理を施すドライエッチングなどにおいて、プラズマ処理装置が使用されている（例えば、特許文献１〜５を参照）。 In semiconductor device manufacturing processes, plasma processing equipment is used in plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), which forms a thin film of silicon oxide, etc. on the wafer surface, and dry etching, which etches the thin film formed on the wafer surface. (For example, see Patent Documents 1 to 5).

従来のプラズマ処理装置の一例を図４に示す。このプラズマ処理装置２０は、チャンバ３０内に、上部電極１０と、下部電極を構成するとともにウエハ６などの被処理物が保持される載置台２とを備えている。   An example of a conventional plasma processing apparatus is shown in FIG. The plasma processing apparatus 20 includes an upper electrode 10 and a mounting table 2 that constitutes a lower electrode and holds an object to be processed such as a wafer 6 in a chamber 30.

上部電極１０には、図示しないガス供給源からガス供給路１２を介して反応ガスが供給され、その下端部に設けられた多数の貫通孔１３，１３…からチャンバ３０内へシャワー状に反応ガスが供給される。   The upper electrode 10 is supplied with a reaction gas from a gas supply source (not shown) through a gas supply path 12, and the reaction gas in a shower shape into the chamber 30 from a large number of through holes 13, 13. Is supplied.

そして、上部電極１０と、下部電極を構成する載置台２との間に反応ガスが供給された状態で、これらの電極間に、上部電極１０に接続された高周波電源１１からの高周波を印加することによってプラズマが生成され、ウエハ６に所定のプラズマ処理が施される。   Then, in a state where the reaction gas is supplied between the upper electrode 10 and the mounting table 2 constituting the lower electrode, a high frequency from the high frequency power source 11 connected to the upper electrode 10 is applied between these electrodes. As a result, plasma is generated, and the wafer 6 is subjected to predetermined plasma processing.

載置台２は、その下方に設けられたアクチュエータ３の駆動により昇降し、例えば図示しないウエハ搬送機構によってウエハ６を載置台２に載置した後、載置台２を上昇させて上部電極１０との間隔を調整してからプラズマ処理が施される。   The mounting table 2 is moved up and down by driving an actuator 3 provided below the mounting table 2. After the wafer 6 is mounted on the mounting table 2 by, for example, a wafer transfer mechanism (not shown), the mounting table 2 is lifted to contact the upper electrode 10. Plasma treatment is performed after adjusting the interval.

アクチュエータ３の周囲には、このアクチュエータ３をチャンバ３０内から気密的に遮断するベローズ４が設けられ、その上端が載置台２の下方に取り付けられ、その下端がチャンバ３０の底部側に取り付けられている。   Around the actuator 3, a bellows 4 for hermetically blocking the actuator 3 from the chamber 30 is provided. The upper end of the bellows 4 is attached below the mounting table 2, and the lower end is attached to the bottom side of the chamber 30. Yes.

このベローズ４は通常、ステンレスなどで形成されている。例えばステンレスの場合、プラズマ処理の際に、その表面がプラズマイオンによって粒子状に剥離し、特にステンレスの成分の１つであるＣｒがウエハ６の主成分であるＳｉと反応してＣｒ−Ｓｉ（クロムシリサイド）を生成し、これがウエハ６の表面に付着して、パターン不良の原因となる。このため、ベローズ４の周囲を、ウエハ汚染への影響が少ない材料を用いて形成した円筒状のベローズカバー４０で覆い、ベローズ４をプラズマ雰囲気から遮断してウエハ６への汚染を防止するようにしている。４１は、チャンバ３０の底部側に取り付けられたガイド筒であり、アクチュエータ３の駆動により載置台２とともに昇降するベローズカバー４０の移動を案内する。
特開２０００−１２４１９７号公報 特開２０００−２８６２３５号公報 特開２００２−２５２２０９号公報 特開平７−５４１５３号公報 特開平１０−７９３５０号公報 The bellows 4 is usually made of stainless steel or the like. For example, in the case of stainless steel, the surface of the stainless steel is separated into particles by plasma ions. In particular, Cr, which is one of the components of stainless steel, reacts with Si, which is the main component of the wafer 6, and Cr—Si ( (Chromium silicide) is generated and adheres to the surface of the wafer 6 to cause a pattern defect. Therefore, the periphery of the bellows 4 is covered with a cylindrical bellows cover 40 formed using a material that has little influence on wafer contamination, and the bellows 4 is shielded from the plasma atmosphere to prevent contamination of the wafer 6. ing. 41 is a guide cylinder attached to the bottom side of the chamber 30, and guides the movement of the bellows cover 40 that moves up and down together with the mounting table 2 by driving the actuator 3.
JP 2000-124197 A JP 2000-286235 A JP 2002-252209 A Japanese Patent Laid-Open No. 7-54153 JP 10-79350 A

例えば処理を施すウエハ６をチャンバ３０内に導入する際などに、チャンバ３０内を大気にさらすとその内壁に大気の成分、特に水分が吸着される。一般に、プラズマ処理においては、その効果を高めるために不純物を極力少なくする必要があり、前工程として予備真空作業が行われるが、特に水分は除去が難しく高真空下にする必要がある。このため、チャンバ３０内を、排気口３２から排気ポンプ３４により排気して、適切な処理を行うために必要な、例えば１０-8Ｔｏｒｒ以下のような真空度まで到達させる必要がある。しかし、上記の従来技術における装置では、例えばベローズカバー４０の内部空間が閉鎖構造となっているためにベローズカバー４０の内壁やベローズ４の表面などの排気が難しいなど、構造が複雑であるため、必要な真空度へ到達するまでに長時間を要し、場合によってはこのような真空度へ到達しないことも考えられる。 For example, when the wafer 6 to be processed is introduced into the chamber 30 and the chamber 30 is exposed to the atmosphere, atmospheric components, particularly moisture, are adsorbed on the inner wall. In general, in plasma processing, it is necessary to reduce impurities as much as possible in order to enhance the effect, and a preliminary vacuum operation is performed as a previous process. In particular, it is difficult to remove moisture, and it is necessary to use a high vacuum. For this reason, the inside of the chamber 30 must be exhausted from the exhaust port 32 by the exhaust pump 34 to reach a degree of vacuum, for example, 10 −8 Torr or less, which is necessary for performing appropriate processing. However, in the apparatus according to the above prior art, the structure is complicated, for example, because the inner space of the bellows cover 40 has a closed structure, and it is difficult to exhaust the inner wall of the bellows cover 40 or the surface of the bellows 4. It takes a long time to reach the required degree of vacuum, and in some cases, it is conceivable that such a degree of vacuum will not be reached.

したがって、より能力の大きい排気ポンプが必要となり、装置の費用が増加する要因ともなる。   Therefore, an exhaust pump having a higher capacity is required, which increases the cost of the apparatus.

本発明は、上記したような従来技術の問題点を解決するために為されたものであり、その目的は、プラズマ処理時における被処理物への汚染を防止するとともに、効率よくチャンバ内を排気することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and its object is to prevent contamination of the object to be processed during plasma processing and to exhaust the chamber efficiently. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of performing the above.

上記の目的を達成するために、本発明のプラズマ処理装置は、
プラズマ処理が施される被処理物を載置する載置台と、
前記載置台を昇降駆動するアクチュエータと、
前記載置台の下方に設けられ、前記アクチュエータを前記プラズマ処理装置内から気密的に遮断するベローズと、
を備えるプラズマ処理装置であって、
前記ベローズを包囲するとともに、前記載置台の昇降に伴って伸縮するコイルスプリングを備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the plasma processing apparatus of the present invention comprises:
A mounting table for mounting an object to be plasma-treated;
An actuator for moving the table up and down;
A bellows provided below the mounting table and hermetically shutting off the actuator from within the plasma processing apparatus;
A plasma processing apparatus comprising:
A coil spring that surrounds the bellows and expands and contracts as the mounting table is raised and lowered is provided.

本発明のプラズマ処理装置では、コイルスプリングの巻回線同士が螺旋方向に沿って離間するまで載置台を上昇させて、ベローズの周囲をコイルスプリングの外部空間へ開放した状態とすることができる。したがって、ベローズの表面やコイルスプリングの内周側の表面まで通気が十分に確保され、コイルスプリングの内方も効率よく且つ迅速に排気することができる。   In the plasma processing apparatus of the present invention, the mounting table is raised until the winding lines of the coil springs are separated along the spiral direction, and the periphery of the bellows can be opened to the external space of the coil spring. Accordingly, sufficient ventilation is ensured up to the surface of the bellows and the inner peripheral surface of the coil spring, and the inside of the coil spring can be exhausted efficiently and quickly.

そして、コイルスプリングの各巻回線の間を開放した状態で高真空となるまで排気を行った後、コイルスプリングの各巻回線の間を閉止した状態でプラズマ処理を行うため、プラズマ処理時において、コイルスプリングの内側の閉止空間はその真空度が高い状態に保たれ、プラズマ反応がほとんど生じることがない。   Then, after exhausting until high vacuum is achieved with the coil springs open, the plasma process is performed with the coil springs closed. The closed space inside is kept in a high vacuum state, and plasma reaction hardly occurs.

したがって、プラズマ処理時における被処理物への汚染を防止するとともに、効率よくチャンバ内を排気することが可能である。   Therefore, it is possible to prevent contamination of the object to be processed during the plasma processing and to exhaust the chamber efficiently.

以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。なお、前述した従来技術と対応する部分には同一番号を付してその説明を一部省略する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same number is attached | subjected to the part corresponding to the prior art mentioned above, and the description is partially abbreviate | omitted.

図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の排気工程時における概略断面図、図２は、図１の状態から載置台を降下させ、コイルスプリングを巻回線同士が螺旋方向に沿って当接するまで収縮させた状態を示す概略断面図、図３は、図１のプラズマ処理装
置のプラズマ処理工程時における概略断面図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention during an exhaust process. FIG. 2 is a diagram illustrating a state where the mounting table is lowered from the state of FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the plasma processing apparatus of FIG. 1 during the plasma processing step.

図１〜３に示したように、本発明のプラズマ処理装置１は、チャンバ３０内に、上部電極１０と、下部電極を構成するとともにウエハ６などの被処理物が保持される載置台２とを備えている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the plasma processing apparatus 1 of the present invention includes an upper electrode 10, a lower electrode, and a mounting table 2 that holds an object to be processed such as a wafer 6 in a chamber 30. It has.

上部電極１０には、図示しないガス供給源からガス供給路１２を介して反応ガスが供給され、その下端部に設けられた多数の貫通孔１３，１３…からチャンバ３０内へシャワー状に反応ガスが供給される。   The upper electrode 10 is supplied with a reaction gas from a gas supply source (not shown) through a gas supply path 12, and the reaction gas in a shower shape into the chamber 30 from a large number of through holes 13, 13. Is supplied.

そして、上部電極１０と、下部電極を構成する載置台２との間に反応ガスが供給された状態で、これらの電極間に、上部電極１０に接続された高周波電源１１からの高周波を印加することによってプラズマが生成され、ウエハ６に所定のプラズマ処理が施される。   Then, in a state where the reaction gas is supplied between the upper electrode 10 and the mounting table 2 constituting the lower electrode, a high frequency from the high frequency power source 11 connected to the upper electrode 10 is applied between these electrodes. As a result, plasma is generated, and the wafer 6 is subjected to predetermined plasma processing.

ウエハ６は、例えば静電チャックにより載置台２に吸着保持される。載置台２には、必要に応じて図示しない加熱機構が設けられ、この加熱機構によってウエハ６が加熱される。載置台２の下方には、油圧シリンダなどのアクチュエータ３が取り付けられ、このアクチュエータ３の駆動により載置台２を昇降させている。   The wafer 6 is attracted and held on the mounting table 2 by, for example, an electrostatic chuck. The mounting table 2 is provided with a heating mechanism (not shown) as necessary, and the wafer 6 is heated by this heating mechanism. An actuator 3 such as a hydraulic cylinder is attached below the mounting table 2, and the mounting table 2 is moved up and down by driving the actuator 3.

アクチュエータ３の周囲には、載置台２の昇降とともに伸縮するベローズ４が設けられている。このベローズ４は、アクチュエータ３をチャンバ３０内から気密的に遮断するように、その上端が載置台２の下方に取り付けられ、その下端がチャンバ３０の底部側に取り付けられている。   Around the actuator 3, a bellows 4 is provided that expands and contracts as the mounting table 2 moves up and down. The bellows 4 has an upper end attached below the mounting table 2 and a lower end attached to the bottom side of the chamber 30 so that the actuator 3 is hermetically cut off from the chamber 30.

本実施形態では、ベローズ４の周囲に、このベローズ４を包囲するようにコイルスプリング５が設けられている。このコイルスプリング５は、その上端が載置台２の下方に取り付けられ、その下端がチャンバ３０の底部側に取り付けられており、アクチュエータ３の駆動による載置台２の昇降に伴って伸縮するようになっている。   In the present embodiment, a coil spring 5 is provided around the bellows 4 so as to surround the bellows 4. The upper end of the coil spring 5 is attached to the lower side of the mounting table 2, and the lower end of the coil spring 5 is mounted to the bottom side of the chamber 30. ing.

プラズマ処理を行う際には、図３に示したように、アクチュエータ３を駆動して載置台２を降下させることによって、コイルスプリング５をその巻回線同士が螺旋方向に沿って当接するまで収縮させて、ベローズ４をプラズマ雰囲気から遮断する。この状態では、コイルスプリング５の巻回線同士はほぼ密着している。コイルスプリング５の材質としては、良好な密着状態が得られ、プラズマガスに対する耐食性が良好なアルミニウムが好ましく、例えば表面がアルマイト処理されたものが使用される。   When performing the plasma treatment, as shown in FIG. 3, the actuator 3 is driven to lower the mounting table 2 so that the coil spring 5 is contracted until the winding lines come into contact with each other along the spiral direction. Then, the bellows 4 is shielded from the plasma atmosphere. In this state, the winding lines of the coil spring 5 are almost in close contact with each other. As the material of the coil spring 5, aluminum having a good adhesion state and good corrosion resistance against the plasma gas is preferable, and for example, the surface of which is anodized is used.

一方、上記のプラズマ処理を行う前に、排気ポンプ３３によってチャンバ３０内を排気する際には、図１に示したように、コイルスプリング５の巻回線同士が螺旋方向に沿って離間するまで載置台２を上昇させ、ベローズ４の周囲をコイルスプリング５の外部空間へ開放した状態とする。したがって、ベローズ４の表面やコイルスプリング５の内周側の表面まで通気が十分に確保され、コイルスプリング５の内方も効率よく且つ迅速に排気することができる。   On the other hand, when the inside of the chamber 30 is evacuated by the exhaust pump 33 before performing the above plasma treatment, the winding lines of the coil spring 5 are mounted until they are separated in the spiral direction as shown in FIG. The mounting table 2 is raised, and the periphery of the bellows 4 is opened to the external space of the coil spring 5. Therefore, sufficient ventilation is ensured up to the surface of the bellows 4 and the inner peripheral surface of the coil spring 5, and the inside of the coil spring 5 can be exhausted efficiently and quickly.

このように、コイルスプリング５の各巻回線の間を開放した状態で高真空となるまで排気を行った後、コイルスプリング５の各巻回線の間を閉止した状態でプラズマ処理を行うため、プラズマ処理時においてコイルスプリング５の内側の閉止空間は、その真空度が高い状態に保たれ、プラズマ反応がほとんど生じることがない。さらに、プラズマ反応により少量の粒状物が発生したとしても、この空間外への放出が抑えられ、ウエハ６への粒状物の付着が防止される。   In this way, the plasma processing is performed in a state in which the winding lines of the coil spring 5 are closed after the exhaust lines are exhausted until a high vacuum is achieved in a state where the winding lines of the coil spring 5 are opened. In FIG. 5, the closed space inside the coil spring 5 is kept in a high vacuum state, and the plasma reaction hardly occurs. Further, even if a small amount of particulate matter is generated by the plasma reaction, the release to the outside of the space is suppressed, and adhesion of the particulate matter to the wafer 6 is prevented.

また、チャンバ３０の底部は、電気的導通のために接地され、プラズマ処理時において、高周波電源１１からの高周波電流は、上部電極１０から、プラズマ、載置台２、コイルスプリング５、チャンバ３０の底部の経路で流れるようになっている。   Further, the bottom of the chamber 30 is grounded for electrical continuity, and at the time of plasma processing, the high frequency current from the high frequency power supply 11 is supplied from the upper electrode 10 to the plasma, the mounting table 2, the coil spring 5, and the bottom of the chamber 30. It is designed to flow through the route.

以下、このように構成されたプラズマ処理装置１によるプラズマ処理について説明する。   Hereinafter, plasma processing by the plasma processing apparatus 1 configured as described above will be described.

先ず、図１に示したように、チャンバ３０内にウエハ６を導入するために、上部電極１０を上方へ移動させる。上部電極１０は、昇降可能に構成され、本実施形態では、上部電極１０に取り付けられた押し板１７の下方にスプリング１９を介装するとともに、このスプリング１９で付勢された押し板１７の位置を位置合わせ用ネジ１８で調節することによって上部電極１０の位置を規定している。１５は気密性を保持するためのベローズ、１６はベローズを取り付けるための絶縁板、１４は、絶縁体からなり、上部電極１０の昇降を案内するためのガイド部材である。   First, as shown in FIG. 1, in order to introduce the wafer 6 into the chamber 30, the upper electrode 10 is moved upward. The upper electrode 10 is configured to be movable up and down, and in this embodiment, a spring 19 is interposed below the push plate 17 attached to the upper electrode 10, and the position of the push plate 17 biased by the spring 19 is positioned. The position of the upper electrode 10 is defined by adjusting the position of the upper electrode 10 with the positioning screw 18. 15 is a bellows for maintaining airtightness, 16 is an insulating plate for attaching the bellows, and 14 is a guide member made of an insulator for guiding the raising and lowering of the upper electrode 10.

上部電極１０の昇降機構としては、上記の構成に限らず、公知の構成を採用することができる。例えば、上部電極１０にプレートなどを介してボールスクリュー機構を取り付け、ステッピングモータやパルスモータなどの駆動により上部電極１０を昇降させる構成としてもよく、あるいは油圧昇降機構などを使用してもよい。   The raising / lowering mechanism of the upper electrode 10 is not limited to the above configuration, and a known configuration can be adopted. For example, a ball screw mechanism may be attached to the upper electrode 10 via a plate or the like, and the upper electrode 10 may be moved up and down by driving a stepping motor or a pulse motor, or a hydraulic lifting mechanism or the like may be used.

このように上部電極１０を上方に移動させるとともに、アクチュエータ３の駆動により載置台２を適切な位置まで移動させた状態で、例えば図示しないウエハ搬送機構によってウエハ６を載置台２に載置する。   In this manner, the upper electrode 10 is moved upward and the mounting table 2 is moved to an appropriate position by driving the actuator 3. For example, the wafer 6 is mounted on the mounting table 2 by a wafer transfer mechanism (not shown).

次いで、図１に示したように、必要に応じてアクチュエータ３の駆動によりコイルスプリング５を伸張させ、コイルスプリング５の巻回線同士が螺旋方向に沿って離間している状態で、排気口３２に設けられた開閉弁３３を開放し、排気ポンプ３４によってチャンバ３０内を排気する。   Next, as shown in FIG. 1, the coil spring 5 is extended by driving the actuator 3 as necessary, and the winding lines of the coil spring 5 are separated from each other along the spiral direction. The provided on-off valve 33 is opened, and the inside of the chamber 30 is exhausted by the exhaust pump 34.

チャンバ３０内が所定の真空度に達したことを真空計３１で確認した後、図２に示したように、アクチュエータ３を駆動して載置台２を降下させ、コイルスプリング５をその巻回線同士が螺旋方向に沿って当接するまで収縮させ、コイルスプリング５の内方に閉止空間を形成する。   After confirming that the inside of the chamber 30 has reached a predetermined degree of vacuum with the vacuum gauge 31, as shown in FIG. 2, the actuator 3 is driven to lower the mounting table 2, and the coil spring 5 is connected between the winding lines. Is contracted until it abuts along the spiral direction, and a closed space is formed inside the coil spring 5.

次いで、図３に示したように、上部電極１０を降下させ、ウエハ６に対してプラズマ処理を施すための適切な位置まで移動させる。   Next, as shown in FIG. 3, the upper electrode 10 is lowered and moved to an appropriate position for performing plasma processing on the wafer 6.

この状態で、上部電極１０からチャンバ３０内へ反応ガスを供給する。上部電極１０には、図示しないガス供給源からガス供給路１２を介して反応ガスが供給され、その下端部に設けられた多数の貫通孔１３，１３…から、上部電極１０と載置台２の間隙へシャワー状に反応ガスが供給される。この際、チャンバ３０内を所定の真空度に保つために、反応ガスを供給するとともに排気ポンプ３２により排気口３４から排気を行う。   In this state, a reaction gas is supplied from the upper electrode 10 into the chamber 30. The upper electrode 10 is supplied with a reactive gas from a gas supply source (not shown) via a gas supply path 12, and is connected to the upper electrode 10 and the mounting table 2 from a large number of through holes 13, 13. The reaction gas is supplied to the gap in the form of a shower. At this time, in order to keep the inside of the chamber 30 at a predetermined degree of vacuum, the reaction gas is supplied and exhausted from the exhaust port 34 by the exhaust pump 32.

このように、上部電極１０と、下部電極を構成する載置台２との間に反応ガスが供給された状態で、これらの電極間に、上部電極１０に接続された高周波電源１１からの高周波を印加し、ウエハ６へ所定時間プラズマを作用させる。   Thus, in a state where the reaction gas is supplied between the upper electrode 10 and the mounting table 2 constituting the lower electrode, a high frequency from the high frequency power source 11 connected to the upper electrode 10 is generated between these electrodes. The plasma is applied to the wafer 6 for a predetermined time.

ウエハ６へプラズマ処理を施した後、ウエハ６をチャンバ３０内から取り出し、上記の操作を繰り返して各ウエハについて処理が行われる。   After the plasma processing is performed on the wafer 6, the wafer 6 is taken out from the chamber 30, and the above operation is repeated to process each wafer.

なお、ベローズ４の周囲は、コイルスプリング５のみで構成されているため、ベローズ４の交換等は簡単に行うことが可能である。   In addition, since the circumference | surroundings of the bellows 4 are comprised only with the coil spring 5, replacement | exchange etc. of the bellows 4 can be performed easily.

図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の排気工程時における概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention during an exhaust process. 図２は、図１の状態から載置台を降下させ、コイルスプリングを巻回線同士が螺旋方向に沿って当接するまで収縮させた状態を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the mounting table is lowered from the state of FIG. 1 and the coil spring is contracted until the winding lines come into contact with each other along the spiral direction. 図３は、図１のプラズマ処理装置のプラズマ処理工程時における概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the plasma processing apparatus of FIG. 1 during the plasma processing step. 図４は、従来のプラズマ処理装置の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a conventional plasma processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１…プラズマ処理装置
２…載置台
３…アクチュエータ
４…ベローズ
５…コイルスプリング
６…ウエハ
１０…上部電極
１１…高周波電源
１２…ガス供給路
１３…貫通孔
１４…ガイド部材
１５…ベローズ
１６…絶縁板
１７…押し板
１８…位置合わせ用ネジ
１９…スプリング
２０・・・プラズマ処理装置
３０…チャンバ
３１…真空計
３２…排気口
３３…開閉弁
３４…排気ポンプ
４０…ベローズカバー
４１…ガイド筒

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plasma processing apparatus 2 ... Mounting stand 3 ... Actuator 4 ... Bellows 5 ... Coil spring 6 ... Wafer 10 ... Upper electrode 11 ... High frequency power supply 12 ... Gas supply path 13 ... Through-hole 14 ... Guide member 15 ... Bellows 16 ... Insulating plate 17 ... Push plate 18 ... Positioning screw 19 ... Spring 20 ... Plasma processing device 30 ... Chamber 31 ... Vacuum gauge 32 ... Exhaust port 33 ... Open / close valve 34 ... Exhaust pump 40 ... Bellows cover 41 ... Guide tube

Claims (1)

プラズマ処理が施される被処理物を載置する載置台と、
前記載置台を昇降駆動するアクチュエータと、
前記載置台の下方に設けられ、前記アクチュエータを前記プラズマ処理装置内から気密的に遮断するベローズと、
を備えるプラズマ処理装置であって、
前記ベローズを包囲するとともに、前記載置台の昇降に伴って伸縮するコイルスプリングを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。

A mounting table for mounting an object to be plasma-treated;
An actuator for moving the table up and down;
A bellows provided below the mounting table and hermetically shutting off the actuator from within the plasma processing apparatus;
A plasma processing apparatus comprising:
A plasma processing apparatus comprising a coil spring that surrounds the bellows and expands and contracts as the mounting table is raised and lowered.

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