JP4528487B2 - 半導体レーザを有する投影装置及びその調整方法 - Google Patents

半導体レーザを有する投影装置及びその調整方法 Download PDF

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Description

本発明は投影装置に関するものであり、半導体レーザのマトリクス、投影装置により照らされるエレメント上に前記マトリクスを結像するための光学システム、前記半導体レーザを制御するための制御装置、を有し、前記制御装置は、前記光学システムを介して照らされるエレメント上に各半導体レーザにより投影される光点の輝度を検出し、検出した輝度を表す第1信号を生成するための第1検出器を含むフィードバック装置を有する。
本発明は、また、半導体レーザのマトリクスを備える投影装置を調整する方法に関する。
かような装置及び方法は、米国特許明細書第5525810号により知られている。この特許は、バーコードをスキャンするために使用される投影装置を開示している。較正モードでは、一様なスクリーンが光路上に置かれる。半導体レーザは、一つずつ連続的に活性化され、各活性化された半導体レーザによって上記一様なスクリーン上に投影される光点の強度が検出器によって検出される。検出器により生成された信号は、処理され、半導体レーザのマトリクスのための電源の制御に使用される。開示された装置は、例えば、テレビ画像投影装置のような画像を投影するためには設計されておらず、適してもいない。
レーザによって、所与の電流において供給される光の量は、温度と使用期間とに大幅に依存するため、画像投影に使用される半導体レーザは、その光出力に関して安定化されるべきである。十分な大きさを有する多くの半導体レーザでは、安定化は、レーザチップの後側に組み込まれた、レーザの光出力を計測することができるモニタ・ダイオードによって行わる。レーザ側の光の出力とモニタ・ダイオード側となる後側の光出力との比は一定なので、そのような計測は放出された光の量に支障をきたさないし、信頼性がある。その結果、後側で計測された輝度は、前側の光出力安定化のために適切に使用することができる。
画像投影に適している半導体レーザのマトリクスは、50のμmのオーダのピッチを有する。このようなマトリクスの半導体レーザから出てゆくビームの開口角は非常に広いので、ビームは0.25mmの範囲内で重なり合う。現実には、このような半導体レーザのマトリクスの全てのレーザに、一つの半導体レーザのみから光を受けるように十分小さくかつ適切に配置されたモニタ・ダイオードを設けることは、著しく困難である。
このような半導体レーザの使用期間依存は、短期間では、如何なる変化も示さない。
半導体レーザのマトリクスにおける半導体レーザが、十分な程度にまで個々に安定化され得る、導入部で開示したような投影装置を提供することが、本発明の目的である。
本発明によれば、この目的は、前記制御装置が第1調整段階及び第2調整段階で前記半導体レーザを一つ一つ制御するように調整され、前記制御装置が制御されるべき半導体レーザに関連する前記第1調整段階において前記第1信号に基づいて前記光点の輝度を調整するよう適合され、前記フィードバック装置が第1調整段階において制御されるべき半導体レーザから放出され、かつ前記光点から生じるものではない光を検出し、及び前記検出された光を表す第2信号を生成するよう適合され、前記フィードバック装置が第1調整段階において前記制御されるべき半導体レーザに関連して生成された前記第2信号を記憶するメモリを有し前記制御装置が第2調整段階において前記制御されるべき半導体レーザに関連して生成された第2信号に基づいて前記制御されるべき半導体レーザを制御するよう適合されることにより、前記制御されるべき半導体レーザに関連して前記第2調整段階において生成された第2信号が、実質的に、前記制御対象となる半導体レーザに関連する第1調整段階においてメモリに記憶された前記第2信号に一致する、という投影装置で、達成される。
本発明に従う方法は、第1調整段階において全ての半導体レーザが一つ一つ制御され、前記第1調整段階において半導体レーザが制御されるときはいつでも前記制御されるべき半導体レーザから生じ及び前記投影装置によって投影される光点の輝度が検出され、前記検出された輝度が前記輝度を予め定められた値に調整するために使用され、前記第1調整段階において制御されるべき半導体レーザから放出されかつ前記光点から生じるものではない光が検出され、前記第1調整段階において前記光点から生じたものではない前記検出された光を表す第1信号が決定され、第2調整段階において全ての半導体レーザが一つ一つ制御され、前記第2調整段階において前記制御されるべき半導体レーザから放出されかつ前記光点から生じたものではない光が検出され、前記第2調整段階において前記第2調整段階において検出されかつ前記光点から生じたものではない光を表す第2信号が生成され、前記第2調整段階において前記第2信号が前記制御されるべき半導体レーザと関連する前記第1調整段階において決定された前記第1信号と実質的に固定的な関係になるという態様で前記制御されるべき半導体レーザが調整されること、を特徴とする。
従って、前記第1の調整段階において、メモリ装置が、あらゆる制御されるべき半導体レーザから生じる光の量についてのデータで満たされ、かつ第2検出器に届く、ということが達成される。前記第2検出器は、該制御されるべき半導体レーザと光点との間の光路上には置かれない。それにもかかわらず、調整される光点の輝度の値と、前記メモリに記憶されかつ前記第2検出器により生成された信号の値と関係は、固定された関係となる。結果として、前記第2検出器によって生成される信号は安定化のために使用できる。したがって、安定化のために前記光点の検出をすることは、前記メモリへの前記第2検出器の信号の保管後では、もはや必要ではなく、記憶された前記第2検出器の信号の値を取り扱うことが可能となる、ということが達成される。
本方法の好適な実施例は、前記投影装置それ自身が使用状態にないときに前記第1調整段階が行われ、前記投影装置それ自身が使用状態にあるときに前記第2調整段階が行われること、を特徴とする。
したがって、画像の照度は、前記光点の輝度の表現として、前記投影装置をセットアップする第1調整段階で一度調整され、全ての半導体レーザに対して等しくされ、それ以降、投影の間、前記装置は、前記メモリに記憶された、各半導体レーザの前記第2検出器の信号の値を利用し、かつ利用しつづけることができる。
これら及び本発明の異なる視点は、以降に開示される実施例から明らかにされ、及び以降に開示される実施例を参照して解明されるであろう。
図1において、参照符号1は半導体レーザの1次元マトリクスを示す。該半導体レーザは、紙面に対して垂直に並列させられている。このようなマトリクス自体は既知である。この半導体レーザのマトリクス1は、図式的に示された光学システム2によってエレメント3に投影させられる。エレメント3は不透明でも半透明でもよい。もし、エレメント3が不透明であれば、投影された画像は、画像が投影されている方向と同一の方向から眺められる。これは目4によって示されている。もしエレメント3が半透明であれば、投影された画像は、目5によって図式的に示されているように、他の側から眺められ得る。2次元の画像を投影するために、図式的に示される装置6が設けられている。この装置は、エレメント3上にある半導体レーザによるマトリクス1の画像を、矢印7の方向又はその反対方向に移動させる。装置6は、往復する又は回転する鏡の装置によって既知の方法で構成される。
エレメント3上に投影される画像として許容できる画像を得るために、マトリクス1の各半導体レーザは、これら半導体レーザによって光学システム2を介してエレメント3上に投影される光点に関して、同一の入力信号に対しては同一の輝度を持つべきである。
半導体レーザが、半導体レーザの温度と半導体レーザの経過した使用時間とに大きく依存する光出力を有していることは既知である。
マトリクス1に関する半導体レーザは、非常に小さい寸法を有している。例えば、そのピッチは、しばしば、たった数十μm、例えば50μmとなる。その結果、半導体レーザのマトリクス1の熱許容量は小さくなり、光出力の変化に起因する温度変動は相対的に大きく、かつ速くなる。マトリクス1全体から安定した光出力を得るためには、所定の光出力が所定の画像信号の値に一致するように、又はその逆となるように、各半導体レーザに関する二つの連続した調整の間の期間を、1〜数秒間、好ましくはそれ以下、に制限することが勧められる
半導体レーザの光出力を安定化する既知の解決手段は、半導体レーザの後側に配置され、前側の半導体レーザから放出される光の量に直接比例する該半導体レーザからの一定量の光を受け取るフォトダイオードを使用することである。後側に配置されたフォトダイオードによって受け取られた光の量と、前側の半導体レーザから放出された光の量との関係は不変で、かつ温度と使用期間とからは独立である。しかしながら、図1に示されたような投影装置においては、半導体レーザのマトリクス1は、かように小さい寸法なので、各半導体レーザに追加のフォトダイオードを配置することは不可能であるか、又は非常に困難である。
図1の装置は、半導体レーザのマトリクス1の前記半導体レーザに対して行われる、繰り返される再調整のために設計された。半導体レーザのマトリクス1はライン8を介して制御装置9によって制御される。制御装置9は、ライン11が接続されている入力部10を有しており、ライン11を通って、前記投影装置によって表示されるべき画像の画像信号が制御装置9に供給される。ライン12を介して、制御装置9は装置6に接続されている。一つ又はそれ以上の光感知センサ13及び14を有した第1検出器は、エレメント3の片面又は両面に配置されればよい。もし前記投影装置が不透明なエレメント3に画像を投影する場合、一つ又はそれ以上の光感知センサは、センサ13の位置のような、半導体レーザのマトリクス1の投影が検出され得る位置に置かれる。もしエレメント3が半透明のものである場合、一つ又はそれ以上の光感知センサ13及び14の出力部は、エレメント3の片側又は両側に配置されても良い。光感知センサ13及び14は、ライン15を介してスイッチ17の接続部16に接続される。前記半導体レーザのマトリクス1から直接的に又は間接的に生じる光は前記第2検出器18に届くが、エレメント3から生じる光は届かない、という態様で、第2の光感知センサ18は配置される。第2検出器18は、また、一つ又はそれ以上の光感知センサを有してもよい。前記第2検出器18の出力部は、ライン19を介してスイッチ21の接続部20に接続される。スイッチ21の接続部20はスイッチ21の接続部22又は接続部23に接続され得る。接続部23はライン24を介してスイッチ17の接続部25に接続される。スイッチ17の接続部26は制御装置9の入力部27に接続される。スイッチ21の接続部22はライン28を介してメモリ29の入力部に接続される。メモリ29の出力部はライン30を介してスイッチ32の接続部31に接続される。スイッチ32の接続部33は制御装置9の入力部34に接続される。制御装置9の出力部35はライン36を経由してメモリ29のアドレス入力部に接続される。
必須ではないが、できれば調整可能な基準信号生成器37が、ライン38を介してスイッチ32の接続部39に接続される方が良い。
前述したように、半導体レーザのマトリクス1は、一つ又はそれ以上の半導体レーザに対する画像信号の等しい値において、当該半導体レーザによってエレメント3上に投影された光点が同一の輝度を有する、ということを保証するために、時折再調整されるべきである。画像信号がない場合にはいつも、適切な調整が行われるべきであるということが重要である。
この目的を達成するために、図1に示された前記装置は以下のように動作する。前記投影装置を、画像を投影するための使用状態に置く前に、前記制御装置は第1調整段階で調整される。前記第1調整段階で、スイッチ17,21及び32は図1の実線で示された状態に置かれる。
スイッチが実線で示された状態に置かれるとき、光感知センサ13及び14を有する前記第1検出器は、ライン15、接続部16、スイッチ17及び接続部26を介して制御装置9の入力部27に接続される。例えば調整可能な電圧生成器のような基準信号生成器37は、ライン38、接続部39、スイッチ32及び接続部33を介して制御装置9の入力部34に接続される。第2検出器18は、ライン19、接続部20、スイッチ21、接続部22及びライン28を介してメモリ29の入力部に接続される。メモリ29の出力部は制御装置9に接続されていない。
上記回路装置は以下のように動作する。制御装置9は、ライン8経由の、予め定められた、しかし後には任意の制御信号で、前記半導体レーザのマトリクス1の一つの半導体レーザを制御する。装置6は、光学システム2を介してエレメント3上に光点を生じさせる前記制御されるべき半導体レーザからの光の中に配置され、又はそのような状態に置かれる。従って、エレメント3上に投影される光点の輝度は、前記第1検出器のセンサ13及び14によって検出され、制御装置9の入力部27に渡される。基準信号は制御装置9の入力部34に存在する。制御装置9は、入力部27の信号と入力部34の前記基準信号とを比較するよう適応される。入力部27及び34における信号の間の差に基づいて、ライン8上の制御信号は、制御装置9により、エレメント3上の光点の輝度が、入力部27における信号が入力部34における基準信号に等しくなるか、又は該基準信号と他の所定の固定した関係となるようなセンサ13及び14により出力される信号を生じるように調整される。入力部27及び34における前記信号が等しくなった後で、制御装置9は、出力部35及びライン36に、メモリ29のアドレスを指示し、メモリ29に、ライン28上の信号値を、ライン36上のアドレスを有する記憶位置に記憶させる起因となる信号を生成する。ライン36上のアドレスは、制御装置9によって当該瞬時に制御されマトリクス1の前記半導体レーザに、単一に明確に、結び付けられる。
第2検出器18からの前記出力信号はライン28上に存在する。第2検出器からの前記出力信号は第2検出器18によって検出された光の大きさであって、その光は、前記制御されるべき半導体レーザから放出され、かつエレメント3上の光点から生じるものではない。エレメント3上の前記光点の輝度は、センサ13及び14によって構成される前記第1検出器を経由して制御装置9に供給される投影された該光点の輝度のフィードバックと、基準信号との比較によって、調整される。更に、該輝度と、直接的に単一の明確な関連にあり、かつ第2検出器18によって検出される光の量は、メモリ29の特定の記憶位置に固定される。該記憶位置は、当該瞬時に制御装置9によって制御されて、エレメント3上に投影される前記光点及び第2検出器18の両者供給するマトリクス1の前記半導体レーザと、単一の明確な関係を有する。この結果として、信号はメモリ29内の前記記憶位置に格納され、その信号は、光学システム2を介して、エレメント3上に該制御されるべき半導体レーザによって投影される光点の望まれた輝度と、単一の明確な関係となる。
したがって、計測信号を供給する第2検出器18、基準信号を供給するメモリ29、を有するフィードバック装置を使用することが可能となる。前記フィードバック装置及び制御装置9により制御される前記制御されるべき半導体レーザで構成されたフィードバック・ループによって、該制御されるべき半導体レーザから放出される前記光の量は、前記第2検出器18が、前記第1調整段階における調整において検出したのと同一の光の量又は当該光の量と固定的な関係となる光の量を検出するようなレベルに、安定化される。フィードバック・ループが、第2検出器18、メモリ29、制御装置9、該制御されるべき半導体レーザによって構成される段階は、前記第2調整段階として、以下に述べられるだろう。
前記第1調整段階で、どのように、メモリ29の特定のアドレス可能なメモリ領域がマトリクス1の前記半導体レーザの一つについて準備されるかについて説明し、また、前記第2の段階において、該メモリ領域に記憶された信号が基準信号として使用されることを説明した。このように説明された前記第1調整段階は、制御装置9を介して各半導体レーザを一つ一つ制御し、センサ13、14を有する前記第1検出手段及び基準信号装置37によって、該レーザを、該制御され半導体レーザによってエレメント3上に投影される光点と同一の輝度となるように調整することにより、マトリクス1の全ての半導体レーザについて連続的に実行される。前記光点が前記輝度に達するとすぐに、第2検出器18によって生成され、かつ第2検出器18によって検出された光の量を表す信号が、メモリ29に格納され、ライン36を介してアドレスされる。
第2検出器18の出力信号の値は、メモリ29内の、マトリクス1の半導体レーザの数に一致する複数のアドレス可能なメモリ位置に記憶され、各メモリ位置は、前記半導体レーザの一つと単一の明確な関連にあり前記メモリの値は、フィードバック・ループにおいて基準値として使用されることができる。詳細に上述したように、フィードバック・ループがメモリ29に記憶された値を使用するする段階は、第2調整段階と言われるだろう。
前記第2調整段階では、スイッチ17,21及び32は破線によって示されている状態になる。前記第2調整段階では、マトリクス1の前記半導体レーザが安定化されなければならないときはいつでも、マトリクス1の前記半導体レーザは制御装置9によって一つずつ制御され、及び該制御されるべき半導体レーザから放射される光の量は、とりわけ第2検出器18と当該制御されるべき半導体レーザに一致するメモリ29内の記憶位置とを有するフィードバック・ループによる制御装置9によって、制御される。
前記第2調整段階におけるマトリクス1の前記半導体レーザの調整中に、前記制御されるべき半導体レーザからの光が、投影されるべき画像の外側でエレメント3へ到達するのを防止するために、異なる対策を採用し得る。もし装置6が往復する又は回転する鏡である場合、前記装置6の「帰線時間」の最中は、画像信号が存在しないだろう。このような場合、半導体レーザのマトリクス1の前記半導体レーザに対して画像信号が供給されない時すぐに、制御装置9は、前記第2調整段階における調整に実行することを生じさせるだろう。制御されるべき半導体レーザから放射される前記光線は、スクリーン3には届かないか又は装置6を介して投影されるべき画像の外側でスクリーン3に届くかのいずれかである。もし後者の結果が問題になると考えられるならば、スクリーン3は、元の状態ブラックか又はとても暗いいずれかの状態にされるべき、若しくは前記光がスクリーン3へ到達することを防止するために、シャッターが光路の中に設置されるべきである。
その結果、前記制御されるべき半導体レーザから放出される前記光がエレメント3に届かないにも関わらず、前記半導体レーザは、特に第2検出器18及びメモリ29によって構成されるフィードバック・ループの補助をともなって機能でき、該制御されるべき半導体レーザが安定化されるということを保証できる、ということが成し遂げられる。この可能性により、検出器は、装置6の位置を検出することができ、該位置をライン12を介して制御装置9に伝えることができる。装置6は、また、マトリクス1の前記半導体レーザから放射される光が、装置6を介して投影されるべき画像内に来られず、ライン12を介して制御装置9から装置6に渡される装置6のための制御信号から導出され得る時すぐに、ライン12を介して制御装置9によって制御される。
装置6は、代替として、ライン12を介して制御装置9から電気的に制御され得る光シャッターでも良い。電気的に制御可能な光シャッターそれ自体は既知であり、また本発明の1部ではないので、該シャッターは、これ以上の詳細な説明は行われない。
図2は、マトリクス1の半導体レーザから来る光が、第2検出器18によって検出され得ることを保証する構成を示している。図2では、マトリクス1は、再び紙面に対して垂直に伸びている。図2では、参照符号40及び41は、半導体レーザから生じ、かつ光学システム2を通過する光線の境界を示している。参照符号42によって図式的に示された絞りは、マトリクス1と光学システム2との間に配置される。絞り42のマトリクス1に対抗している側面は、マトリクス1の半導体レーザから来る入射光を、またもや紙面に対して垂直に伸びている二つの光検出器18a及び18bの方向に反射するために、多少、広く反射している。光検出器18a及び18bの前記出力信号は、ライン43及び44を介してライン29上で信号に合成される。
図3及び図4は、第2検出器18の異なる実施例を示しており、参照符号18cで表されている。装置18cは、細長くされた、透過性を有し、かつ実質的に円筒形のエレメント45を有している。エレメント45は、最大の光のコンダクタンスを得るように、その外側が研磨されていることが好ましい。エレメント45の外周の一部は、光反射物質46が提供されている。エレメント45は湾曲した外周であってもよいし、又は図3に示したような平面を有していても良い。二つの検出器18d及び18cは、円筒形のエレメント45の両端部に配置されている。検出器18d及び18cの前記出力信号は、ライン47及び48を介してライン29に供給される。
前述のように、スイッチ17,21及び32、参照信号生成器37及びメモリ29と制御装置9との間に存在するラインはもちろん、それらエレメント自身も別々のエレメントとして説明されている。前記エレメントは、代替的に、制御装置9に集積されても良いということ、及び制御装置9と集積されたエレメントとが一緒になって集積回路の一部を形成するということもまた、いわゆる当業者にとって明白であろう。また、前記エレメントが制御装置の中で機能的に存在し、上述した前記第1及び前記第2調整段階のための該機能及びコヒーレント・フィードバック・ループが、代替的に、前記制御装置の中に、上述した機能を連続的に実行するプログラムが備えられたプログラマブル・デバイスによって、実施され得るということもまた、当業者にとって明白であろう。
基準信号装置37は、一つ又はそれ以上の基準信号を調整するために調整可能であっても良いということにも留意されたい。その結果、エレメント3上に、前記半導体レーザによって投影されるの光点の輝度の変更が、基準信号装置37によって供給される前記基準信号を変更することによって達成でき得る、ということが実現される。結果として、メモリ29に記憶された前記値もまた変更され、最終的には、投影要求のために前記装置の使用中に投影される画像の輝度は、基準信号装置37によって供給される、選択され調整された前記基準信号の値に依存するだろう。
本発明の多くの変更及び代替の実施例は、当業者によって想像され得る。これらの変更及び修正の全ては、本発明の範囲内に収まると考えられる。
図1は、本発明による投影装置を、図式的に示したものである。 図2は、第2検出器の第1の実施例を示したものである。 図3は、第2検出器の第2の実施例を示したものである。 図4は、図3の第2検出器の側面図である。

Claims (6)

  1. 投影装置であって、
    半導体レーザのマトリクスと、
    前記投影装置によって照らされるエレメント上に前記マトリクスを結像する光学システムと、
    前記半導体レーザを制御する制御装置と、を有し、
    前記制御装置は、前記光学システムを介して照らされるエレメント上に各半導体レーザによって投影される光点の輝度を検出し、該検出した輝度を表す第1信号を生成する第1検出器を含むフィードバック装置、を有する投影装置において、
    前記制御装置は、第1調整段階及び第2調整段階で、前記半導体レーザを一つ一つ制御するように構成され、
    前記制御装置は、制御されるべき半導体レーザに関連して、前記第1調整段階において前記第1信号に基づいて前記光点の輝度を調整するよう構成され、
    前記フィードバック装置は、前記第1調整段階において、前記制御されるべき半導体レーザから放出され、かつ前記光点から生じるものではない光を検出し、及び前記検出された光を表す第2信号を生成するよう構成され、
    前記フィードバック装置は、前記第1調整段階において、前記制御されるべき半導体レーザに関連して前記光点の輝度の前記調整がなされることに応じて、該制御されるべき半導体レーザに関連して生成された前記第2信号を記憶するメモリを有し、
    前記制御装置は、前記第2調整段階において、前記制御されるべき半導体レーザに関連して前記第2調整段階において生成される前記第2信号が、該制御されるべき半導体レーザに関連して前記第1調整段階においてメモリに記憶された前記第2信号に実質的に一致するように、前記制御されるべき半導体レーザに関連して生成される前記第2信号に基づいて、該制御されるべき半導体レーザを制御するように構成されていること、
    を特徴とする投影装置。
  2. 請求項1に記載の投影装置であって、
    前記フィードバック装置は、前記制御されるべき半導体レーザから放出され、かつ前記光点から生じるものではない光を検出し、該検出された光を表す第2信号を生成する第2検出器を備えること、
    を特徴とする投影装置。
  3. 半導体レーザのマトリクスを備えた投影装置を調整する方法であって、
    第1調整段階において、全ての半導体レーザが一つ一つ制御され、
    前記第1調整段階において、半導体レーザが制御されるときはいつでも、前記制御されるべき半導体レーザから生じ、及び前記投影装置によって投影される光点の輝度が検出され、該検出された輝度を表す第1信号が生成され、
    前記第1信号が、前記輝度を予め定められた値に調整するために使用され、
    前記第1調整段階において、制御されるべき半導体レーザから放出され、かつ前記光点から生じるものではない光が検出され、
    前記第1調整段階において、前記光点の輝度の前記調整がなされることに応じて、前記光点から生じたものではない前記検出された光を表す第信号が決定され、
    第2調整段階において、全ての半導体レーザが一つ一つ制御され、
    前記第2調整段階において、前記制御されるべき半導体レーザから放出され、かつ前記光点から生じたものではない光が検出され、
    前記第2調整段階において、前記第2調整段階において検出され、かつ前記光点から生じたものではない前記検出された光を表す第2信号が生成され、
    前記第2調整段階において、前記制御されるべき半導体レーザに関連して前記第2調整段階において生成される前記第2信号が、前記制御されるべき半導体レーザ関連して前記第1調整段階において決定された前記第信号に実質的に一致するように、前記制御されるべき半導体レーザが調整されること、
    を特徴とする投影装置を調整する方法。
  4. 請求項3に記載の方法であって、
    前記投影装置それ自身が使用状態にないときに前記第1調整段階が行われ、
    前記投影装置それ自身が使用状態にあるときに前記第2調整段階が行われること、
    を特徴とする方法。
  5. 請求項4に記載の方法であって、
    前記投影装置それ自身を使用する前に前記第1調整段階が行われること、
    を特徴とする方法。
  6. 請求項4又は5に記載の方法であって、
    前記半導体レーザのマトリクスの前記半導体レーザに画像信号が供給されない時すぐに、前記第2調整段階が行われること、
    を特徴とする方法。
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