JP4527713B2 - Rf信号の効率的な変調 - Google Patents
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Description
米国特許第5,661,434号(特許文献1)には、低電力動作における電力消費を削減するための高効率のマルチ・パワーレベル増幅回路が開示されている。これにより、複数の電力増幅ステージがカスケードされ、複数のレベルの増幅が提供される。少なくとも一つの電力増幅ステージは、低電力動作が期待される場合にスイッチオフされるべき電力増幅器の組合せを1通り以上可能とするために、信号切替ネットワーク(signal switching network)を含む。スイッチオフされた電力増幅器は、実質的に電流が電源から流れないようにバイアスされる。
通信信号の増幅のためのシステム及び方法が、米国特許出願公開第2002/0193085号(特許文献9)に開示されている。このシステム及び方法は、独立請求項の序文における特徴を備える。
特許文献9によれば、比較的広帯域の合成信号の少なくとも振幅成分及び位相成分のいずれかの帯域幅が減少される。例えば、CDMA信号増幅の為のEER増幅器システムは、RF増幅器の制御の為に、振幅信号成分経路に含まれる振幅帯域幅削減モジュールと、位相信号成分経路に含まれる位相帯域幅削減モジュールとを包含する。位相帯域幅削減モジュールは、例えば位相信号の振幅と入力信号の振幅との間に非線形性の関係を形成して、入力信号の位相成分の帯域幅を減少させる。振幅帯域幅削減モジュールは、例えば、RF増幅器に供給される電源と入力信号の振幅との間に非線形性の関係を形成して、入力信号の振幅成分の帯域幅を減少させる。
axLP(t)=i(t)+j*q(t)=a(t)*ejψ(t)i(t):=Re{xLP(t)}q(t):=Im{xLP(t)}j:=√-1
x(t)=Re{xLP(t)*e+j*2π*fRF*t}=a(t)*cos(2π*fRF*t+ψ(t))=i(t)*cos(2π*fRF*t)-q(t)*sin(2π*fRF*t)a(t):=|xLP(t)|={(i2(t)+q2(t)}1/2
ψ(t):=∠xLP(t)=arc tan{q(t)/i(t)}, I/Q変調のための方法が提供される。
複素アナログ・ベースバンド入力信号(xLP(t))の同相(I)成分と直交(Q)成分とを、I/Q変調状態(xLP(t))の、マグニチュード(|xLP(t)|)と、位相(∠xLP(t))とを表す信号にそれぞれ変換する変換部と、
マグニチュード(|xLP(t)|)と位相信号(∠xLP(t))とを、変調されたRF出力送信信号(x(t))を生成するために結合する結合部とを備え、
該I/Q変調器は、I/Q変調状態(xLP(t))のマグニチュード(|xLP(t)|)を表す信号の低速の高レベル成分と、高速の低レベル成分とを、増幅するための独立のステージを備えることができる。
Claims (19)
- 送信されるべき変調されたRF信号(x(t))の出力電力(Px(t))を制御する際に、送信されるべき複素ベースバンド入力信号(xLP(t))を複素ベースバンドから所望のRFバンドへアップコンバートするために利用されるI/Q変調器(200b)におけるI/Q変調方法であって、
前記複素アナログ・ベースバンド入力信号(xLP(t))の同相及び直交のベースバンド成分(i(t)及びq(t))で与えられる直交信号表現を、前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))のマグニチュード(|xLP(t)|)と、位相(∠xLP(t))とで与えられる極座標信号表現に変換する工程と、
前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記マグニチュード(|xLP(t)|)を表す前記信号の狭帯域の高レベル成分(222)と、広帯域の低レベル成分(224)とを、独立のステージ(204、206)において増幅し、前記狭帯域の高レベルマグニチュード成分(222)を、前記広帯域の低レベルマグニチュード成分(224)の電力レベルを安定化させるために利用する工程と、
送信されるべき変調されたRF出力信号(x(t))を生成するために、前記極座標信号表現において、前記複素アナログ・ベースバンド入力信号(xLP(t))のI/Q変調を実行する工程と、
前記複素ベースバンド入力信号(x LP (t))の前記広帯域の低レベル成分(224)を、制御信号に基づいて利得が制御される可変利得電力増幅器(206)の入力ポートに供給する工程と、
を備え、
前記制御信号は、前記複素ベースバンド入力信号(x LP (t))の前記広帯域の低レベルマグニチュード成分(224)の前記電力レベルを安定化させるために利用される信号であることを特徴とする方法。 - 前記制御信号を、差動増幅器(202)が供給するエラー信号によりDC電力供給電圧(Vbat)を調整することにより生成する工程を更に備え、
前記エラー信号は、前記差分増幅器(202)の非反転入力ポートに与えられる、前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記狭帯域の高レベルマグニチュード成分(222)と、送信されるべき変調されたRF信号(x(t))の反射波の出力電力レベルを表す、前記差動増幅器(202)の反転入力ポートに与えられる信号との、増幅された差分信号として取得されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記位相情報(∠xLP(t))で変調された位相変調された正弦波搬送信号(xP(t))を、
前記位相変調された搬送信号(xP(t))が供給される少なくとも一つの更なる可変利得電力増幅器(212)の利得制御ポートに、前記可変利得電力増幅器(206)の前記出力信号(x MC (t))を供給することにより、
該出力信号(xMC(t))で振幅変調する工程を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記可変利得電力増幅器(206)の前記出力信号(xMC(t))は、直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)のカスケードの利得要素を制御し、
前記直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)の前記カスケードの最も上流の可変利得電力増幅器(212)には、前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記位相情報(∠xLP(t))を搬送する位相変調された正弦波搬送信号(xP(t))が供給される
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。 - 前記直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)の前記カスケードの少なくとも一つの可変利得電力増幅器(214)が選択的にバイパス可能であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- バイパスされた前記電力増幅器(214)の前記利得制御信号(xMC(t))が、選択的に遮断可能であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)の前記カスケードの少なくとも一つの可変利得電力増幅器(212)の前記利得制御信号(xMC(t))を、選択的に弱める(R、S1)ことが可能であることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記狭帯域の高レベルマグニチュード成分(222)は、ベースバンドブロックから前記差動増幅器(202)の前記非反転入力ポートに供給されるランプ信号(226)によって表されることを特徴とする請求項2乃至7のいずれか1項に記載の方法。
- 送信されるべき変調されたRF信号(x(t))の出力電力(Px(t))を制御する際に、送信されるべき複素ベースバンド入力信号(xLP(t))を複素ベースバンドから所望のRFバンドへアップコンバートするために利用されるI/Q変調器(200b)におけるI/Q変調方法であって、
前記複素アナログ・ベースバンド入力信号(xLP(t))の同相及び直交のベースバンド成分(i(t)及びq(t))で与えられる直交信号表現を、前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))のマグニチュード(|xLP(t)|)と、位相(∠xLP(t))とで与えられる極座標信号表現に変換する工程と、
前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記マグニチュード(|xLP(t)|)を表す前記信号の狭帯域の高レベル成分(222)と、広帯域の低レベル成分(224)とを、独立のステージ(204、206)において増幅し、前記狭帯域の高レベルマグニチュード成分(222)を、前記広帯域の低レベルマグニチュード成分(224)の電力レベルを安定化させるために利用する工程と、
送信されるべき変調されたRF出力信号(x(t))を生成するために、前記極座標信号表現において、前記複素アナログ・ベースバンド入力信号(xLP(t))のI/Q変調を実行する工程と、
送信されるべき変調されたRF信号(x(t))の反射波の出力電力レベルを表す信号を、自動出力制御(APC)ループ(220)を構成するために、前記I/Q変調器(200b)の電力制御入力ポートに選択的にフィードバックする工程と、
を備え、
前記APCループ(220)は、送信されるべき前記変調されたRF出力信号(x(t))の前記出力電力レベル(p x (t))が、所定の名目値(P 0 )に達した場合に直ちに開放される(S4)ことを特徴とする方法。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の方法を実行するように設計されていることを特徴するI/Q変調器。
- 送信されるべき複素ベースバンド入力信号(xLP(t))を複素ベースバンドから所望のRFバンドへアップコンバートするために利用されるI/Q変調器(200b)であって、
前記複素アナログ・ベースバンド入力信号(xLP(t))の同相及び直交のベースバンド成分(i(t)及びq(t))で与えられる直交信号表現を、前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))のマグニチュード(|xLP(t)|)と、位相(∠xLP(t))とで与えられる極座標信号表現に変換する直交−極座標変換モジュール(208)と、
前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記マグニチュード(|xLP(t)|)を表す前記信号の狭帯域の高レベル成分(222)と、広帯域の低レベル成分(224)とを、並列に増幅し、前記狭帯域の高レベルマグニチュード成分(222)を、前記広帯域の低レベルマグニチュード成分(224)の電力レベルを安定化させるために利用する独立の増幅ステージ(202、204、206)と、 前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記位相情報(∠xLP(t))で変調された位相変調された正弦波搬送信号(xP(t))を、前記広帯域の低レベルマグニチュード成分(224)を表す電力の安定化されたアナログ信号(xMC(t))で振幅変調することにより、送信されるべき変調されたRF出力信号(x(t))を生成するために、前記極座標信号表現において、前記複素アナログ・ベースバンド入力信号(xLP(t))のI/Q変調を実行する振幅変調器(212)と、
前記複素ベースバンド入力信号(x LP (t))の前記広帯域の低レベル成分(224)が供給され、制御信号に基づいて利得が制御される可変利得電力増幅器(206)と
を備え、
前記制御信号は、前記複素ベースバンド入力信号(x LP (t))の前記広帯域の低レベルマグニチュード成分(224)の前記電力レベルを安定化させるために利用される信号であることを特徴とするI/Q変調器。 - 前記制御信号を、差動増幅器(202)が供給するエラー信号によりDC電力供給電圧(Vbat)を調整することにより生成するDC/DCコンバータ(204)を更に備え、
前記エラー信号は、前記差分増幅器(202)の非反転入力ポートに与えられる、前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記狭帯域の高レベルマグニチュード成分(222)と、送信されるべき変調されたRF信号(x(t))の反射波の出力電力レベルを表す、前記差動増幅器(202)の反転入力ポートに与えられる信号との、増幅された差分信号として取得されることを特徴とする請求項11に記載のI/Q変調器。 - 前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記位相情報(∠xLP(t))で変調された位相変調された正弦波搬送信号(xP(t))を、前記可変利得電力増幅器(206)の前記出力信号(xMC(t))で振幅変調する少なくとも一つの更なる可変利得電力増幅器(212)であって、前記位相変調された搬送信号(xP(t))が供給され、前記可変利得電力増幅器(206)の前記出力信号(xMC(t))により利得制御される、少なくとも一つの更なる可変利得電力増幅器(212)を更に備えることを特徴とする請求項11又は12に記載のI/Q変調器。
- 前記可変利得電力増幅器(206)の前記出力信号(xMC(t))により利得制御される、直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)のカスケードを更に備え、
前記直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)の前記カスケードの最も上流の可変利得電力増幅器(212)には、前記複素ベースバンド入力信号(xLP(t))の前記位相情報(∠xLP(t))を搬送する位相変調された正弦波搬送信号(xP(t))が供給される
ことを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項に記載のI/Q変調器。 - 前記直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)の前記カスケードの少なくとも一つ(214)を、選択的にバイパスするためのスイッチ(S3)を備えることを特徴とする請求項14に記載のI/Q変調器。
- バイパスされた前記電力増幅器(214)への前記利得制御信号(xMC(t))を選択的に遮断するためのスイッチ(S2)を備えることを特徴とする請求項15に記載のI/Q変調器。
- 前記直列に接続された可変利得電力増幅器(212、214)の前記カスケードの少なくとも一つの可変利得電力増幅器(212)の前記利得制御信号(xMC(t))を、選択的に弱めるための抵抗(R)に並列に接続されたバイパススイッチ(S1)を備えることを特徴とする請求項14乃至16のいずれか1項に記載のI/Q変調器。
- 請求項11乃至17のいずれか1項に記載のI/Q変調器(200b)を備えることを特徴とする無線送信機。
- 請求項11乃至17のいずれか1項に記載のI/Q変調器(200b)を備えることを特徴とする移動体電話通信装置。
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