JP4516587B2 - The storage circuit - Google Patents

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昇男 佐藤
守 宇賀神
一善 小野
賢司 鈴木
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日本電信電話株式会社
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本発明は、発電電流の小さい交流発電器からの電荷を効率よく蓄電する蓄電回路に関する。 The present invention relates to a storage circuit for efficiently storing electric charge from a small AC generator power generation current.

ユビキタス情報社会の実現に向けて、センサを備えた多数の情報発信端末により構成されるセンサネットワークの研究開発が進んでいる。 Toward the realization of a ubiquitous information society, it has advanced the research and development of constructed sensor network by a number of information transmission terminal with the sensor. これらの情報発信端末はメンテナンスフリーであることが求められており、その課題の一つにバッテリーフリー化、すなわち情報発信端末自身が発電器をもち、電池を不要とする構成が必要になっている。 These information transmission terminal is sought to be maintenance-free, battery-free in one of its issue, that is, information transmission terminal itself has the generator has become necessary configuration that does not require a battery .

一方、情報発信端末は小型化に伴って発電器も極小化する必要があり、そのような発電器として振動や熱などの生活空間エネルギーを電気エネルギーに変換するもの(例えばマイクロ振動型発電器、MEMS発電器など)が注目されている(非特許文献1)。 On the other hand, information transmission terminal, it is necessary to minimize even the generator with the miniaturization, converts the living space energy such as vibration and heat to electrical energy as such generators (for example, a micro vibration type power generator, such as MEMS generators) has attracted attention (non-Patent Document 1).

図8は、非特許文献1に記載の電源回路の構成例を示す。 Figure 8 shows an example of configuration of a power supply circuit described in Non-Patent Document 1. 図において、電源回路は、交流電流発生器81の両端子に、ショットキーダイオードのブリッジ接続による整流回路82、容量83を介して出力端子84が接続された構成である。 In the figure, the power supply circuit, to both terminals of the alternating current generator 81, the rectifier circuit by the bridge connection of a Schottky diode 82, a configuration in which the output terminal 84 via a capacitor 83 is connected. 整流回路82は、交流電流発生器81から出力される交流電流を整流し、容量83で平滑化して出力端子84に取り出された電力が負荷回路85に供給される。 Rectifier circuit 82 rectifies the alternating current output from the alternating current generator 81, the power taken out to the output terminal 84 is smoothed by the capacitor 83 is supplied to the load circuit 85.

ここで、交流電流発生器81は、微小な生活空間エネルギーを電気エネルギーに変換するために、その出力は電圧型ではなく電流型になっている。 Here, the alternating current generator 81, to convert the small living space energy into electrical energy, the output is in a current-type rather than voltage type. 例えば、MEMS技術等により製作されるエレクトレットの振動を電流に変換する交流電流発生器81は、その大きさが数十μmから数mmで、大きさにより1nA程度から数μA程度の交流電流を発生する。 For example, the alternating current generator 81 which converts the electret vibration fabricated by MEMS technology or the like to the current, that the number mm size is several tens [mu] m, generating an alternating current of several μA from about 1nA by size to.

ところで、図8に示す電源回路を用いる場合、交流電流発生器81の出力電流が例えば数μA程度あれば負荷回路85を駆動することができるが、出力電流がnA級になると負荷回路85を駆動できなくなる。 In the case of using the power supply circuit shown in FIG. 8, may be the output current of the alternating current generator 81 drives a load circuit 85 if several μA example, driving a load circuit 85 and the output current is nA grade become unable. その場合には、交流電流発生器81の微小な出力電流から電荷を蓄電する蓄電回路が必要になる。 In that case, the storage circuit for storing electric charge from the small output current of the alternating current generator 81 is required. 一般的な蓄電回路としては、容量83と負荷回路85との間にスイッチを設け、容量83が所要電圧になるまでスイッチをオフとし、所要電圧になったときにスイッチをオンにして容量83に蓄積した電荷を負荷回路85に供給する構成が考えられる。 Common storage circuit, a switch provided between the capacitor 83 and the load circuit 85, the switch to the capacitance 83 is required voltage is turned off, the capacitor 83 turns on the switch when it is required voltage configuration supplies the accumulated electric charge to the load circuit 85 can be considered.

しかし、このような蓄電回路の場合、交流電流発生器81の出力電流がショットキーダイオードの逆バイアス時のリーク電流(10nA程度)を大きく上回れば問題ないが、出力電流がnA級になるとリーク電流の影響が現れ、容量83に蓄積された電荷が逆バイアス時にリーク電流として消失してしまい、電荷が貯まらない問題がある。 However, if such a power storage circuit, the output current of the alternating current generator 81 is leakage current (about 10 nA) during reverse bias Schottky diode not significantly Uwamaware if problems, the leakage current when the output current is nA grade appeared effects of charge accumulated in the capacitor 83 will be lost as a leakage current when a reverse bias, a problem that the charge does not accumulate.

なお、本発明の適用を想定している情報発信端末は、例えば1時間ごとに数十ミリ秒だけ動作して所要の情報を送信するような間欠動作を行うものである。 The information transmitting terminal assumes the application of the present invention performs the intermittent operation such as for example by operating only a few tens of milliseconds every 1 hour to send the required information. この場合、交流電流発生器の出力電流が微小であっても、待機時間中に動作に必要十分な電力を蓄電できる蓄電回路があれば対応可能になるが、上記のように蓄電中のリーク電流対策が必要になる。 In this case, be the output current of the alternating current generator is small, but becomes available if there is a power storage circuit capable of storing electric needs sufficient power to operate in the standby condition, the leakage current in the power storage, as described above measures may be required.

本発明は、以上の交流電流発生器の出力電流とリーク電流に関する問題点を考慮し、リーク電流を低減することにより出力電流が微小な交流電流発生器からの電荷を効率よく蓄電することができる蓄電回路を提供することを目的とする。 The present invention can consider issues related to output current and the leakage current of more alternating current generator, the output current by reducing the leakage current power storage efficiently charge from minute alternating current generator and to provide a power storage circuit.

第1の発明は、交流電流を発生する交流電流発生器と、交流電流発生器から出力される交流電流を整流する整流回路と、整流回路の出力端に接続され、交流電流発生器が出力する正の電荷を蓄積する電荷蓄積容量と、電荷蓄積容量に接続され、その蓄積電圧が所要電圧を超えたときにオンとし、所要電圧以下のときにオフに制御するスイッチ手段とを備え、スイッチ手段の制御により電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えるまで交流電流発生器が出力する電荷を蓄積し、電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えたときに電荷蓄積容量に蓄積された電荷による電力供給を行う構成である蓄電回路において、整流回路は、nMOSトランジスタのソース端子とpMOSトランジスタのソース端子を直結し、nMOSトランジスタのゲート端 A first aspect of the present invention is an alternating current generator for generating an AC current, a rectifier circuit for rectifying an alternating current output from the alternating current generator is connected to the output ends of the rectifier circuit, and outputs the alternating current generator a charge storage capacitor for accumulating positive charge, is connected to the charge storage capacitor, and turned on when the storage voltage exceeds a predetermined voltage, and a switch means for controlling the off when the required voltage or less, the switch means due to the accumulation voltage of the charge storage capacitor accumulates a charge output from the alternating current generator to greater than the required voltage by the control of, stored in the charge storage capacitor when the storage voltage of the charge storage capacitor exceeds a predetermined voltage charge in the configuration in which the storage circuit for supplying power, the rectifier circuit is directly connected to the source terminal of the source terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, a gate terminal of the nMOS transistor とpMOSトランジスタのドレイン端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのゲート端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を入出力端子とした第1の複合ダイオードを用いて構成し、pMOSトランジスタのドレイン端子を交流電流発生器の出力端子に接続し、nMOSトランジスタのドレイン端子を電荷蓄積容量に接続して正の電荷を蓄積する構成である。 And directly connected to the drain terminal of the pMOS transistor, directly connected to the gate terminal of the drain terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, using a first integrated diode in which the drain terminals of the pMOS transistor of the nMOS transistor input and output terminal configured to connect the drain terminal of the pMOS transistor to the output terminal of the alternating current generator is configured to accumulate the positive charge by connecting the drain terminal of the nMOS transistor in the charge storage capacitor.

第1の発明の蓄電回路において、第1の複合ダイオードと同じ構成の第2の複合ダイオードを備え、交流電流発生器の出力端子に、第2の複合ダイオードのnMOSトランジスタのドレイン端子を接続し、pMOSトランジスタのドレイン端子を接地電位に接続した構成としてもよい。 In the storage circuit of the first aspect of the invention comprises a second integrated diode having the same construction as the first integrated diode, to the output terminal of the alternating current generator, connect the drain terminal of the nMOS transistor of the second integrated diode, the drain terminal of the pMOS transistor may be connected to the ground potential.

第2の発明は、交流電流を発生する交流電流発生器と、交流電流発生器から出力される交流電流を整流する整流回路と、整流回路の出力端に接続され、交流電流発生器が出力する負の電荷を蓄積する電荷蓄積容量と、電荷蓄積容量に接続され、その蓄積電圧が所要電圧を超えたときにオンとし、所要電圧以下のときにオフに制御するスイッチ手段とを備え、スイッチ手段の制御により電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えるまで交流電流発生器が出力する電荷を蓄積し、電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えたときに電荷蓄積容量に蓄積された電荷による電力供給を行う構成である蓄電回路において、整流回路は、nMOSトランジスタのソース端子とpMOSトランジスタのソース端子を直結し、nMOSトランジスタのゲート端 A second invention is an alternating current generator for generating an AC current, a rectifier circuit for rectifying an alternating current output from the alternating current generator is connected to the output ends of the rectifier circuit, and outputs the alternating current generator a charge storage capacitor for storing a negative charge is connected to the charge storage capacitor, and turned on when the storage voltage exceeds a predetermined voltage, and a switch means for controlling the off when the required voltage or less, the switch means due to the accumulation voltage of the charge storage capacitor accumulates a charge output from the alternating current generator to greater than the required voltage by the control of, stored in the charge storage capacitor when the storage voltage of the charge storage capacitor exceeds a predetermined voltage charge in the configuration in which the storage circuit for supplying power, the rectifier circuit is directly connected to the source terminal of the source terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, a gate terminal of the nMOS transistor とpMOSトランジスタのドレイン端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのゲート端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を入出力端子とした第1の複合ダイオードを用いて構成し、nMOSトランジスタのドレイン端子を交流電流発生器の出力端子に接続し、pMOSトランジスタのドレイン端子を電荷蓄積容量に接続して負の電荷を蓄積する構成である。 And directly connected to the drain terminal of the pMOS transistor, directly connected to the gate terminal of the drain terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, using a first integrated diode in which the drain terminals of the pMOS transistor of the nMOS transistor input and output terminal configured to connect the drain terminal of the nMOS transistor to the output terminal of the alternating current generator is configured to accumulate the negative charges by connecting the drain terminal of the pMOS transistor in the charge storage capacitor.

第2の発明の蓄電回路において、第1の複合ダイオードと同じ構成の第2の複合ダイオードを備え、交流電流発生器の出力端子に、第2の複合ダイオードのpMOSトランジスタのドレイン端子を接続し、nMOSトランジスタのドレイン端子を接地電位に接続した構成としてもよい。 In the storage circuit of the second aspect of the invention, a second integrated diode having the same construction as the first integrated diode, to the output terminal of the alternating current generator, connect the drain terminal of the pMOS transistor of the second integrated diode, the drain terminal of the nMOS transistor may be connected to the ground potential.

第3の発明は、交流電流を発生する交流電流発生器と、交流電流発生器から出力される交流電流を整流する整流回路と、整流回路の出力端に接続され、交流電流発生器が出力する正および負の電荷をそれぞれ蓄積する第1および第2の電荷蓄積容量と、第1および第2の電荷蓄積容量に接続され、その蓄積電圧の差が所要電圧を超えたときにオンとし、所要電圧以下のときにオフに制御するスイッチ手段とを備え、スイッチ手段の制御により第1および第2の電荷蓄積容量の蓄積電圧の差が所要電圧を超えるまで交流電流発生器が出力する電荷を蓄積し、第1および第2の電荷蓄積容量の蓄積電圧の差が所要電圧を超えたときに電荷蓄積容量に蓄積された電荷による電力供給を行う構成である蓄電回路において、整流回路は、nMOSトラン A third invention is an alternating current generator for generating an AC current, a rectifier circuit for rectifying an alternating current output from the alternating current generator is connected to the output ends of the rectifier circuit, and outputs the alternating current generator first and second charge storage capacitor for accumulating positive and negative charge respectively, are connected to the first and second charge storage capacitor, and turned on when the difference between the accumulated voltage exceeds the predetermined voltage, the required and a switch means for controlling the off when the voltage below accumulates charge output by the alternating current generator by controlling the switching means to the difference between the first and second storage voltages of the charge storage capacitor exceeds a predetermined voltage and, in the configuration in which the storage circuit for supplying power according to the charge accumulated in the charge storage capacitor when the difference between the first and second storage voltages of the charge storage capacitor exceeds a predetermined voltage, the rectifier circuit, nMOS Trang スタのソース端子とpMOSトランジスタのソース端子を直結し、nMOSトランジスタのゲート端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのゲート端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を入出力端子とした第1および第2の複合ダイオードを用いて構成し、第1の複合ダイオードのpMOSトランジスタのドレイン端子を交流電流発生器の出力端子に接続し、nMOSトランジスタのドレイン端子を第1の電荷蓄積容量に接続して正の電荷を蓄積し、第2の複合ダイオードのnMOSトランジスタのドレイン端子を交流電流発生器の出力端子に接続し、pMOSトランジスタのドレイン端子を第2の電荷蓄 Directly connected to the source terminal of the source terminal and the pMOS transistor of the static, directly connected to the drain terminal of the gate terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, and directly connected to the gate terminal of the drain terminal of the pMOS transistor of the nMOS transistor, and the drain terminal of the nMOS transistor It constructed using the first and second integrated diode in which the drain terminal of the pMOS transistor and the output terminal, and connect the drain terminal of the pMOS transistor of the first integrated diode to the output terminal of the alternating current generator, nMOS transistor of a positive charge accumulates drain terminal connected to the first charge storage capacitor, connects the drain terminal of the nMOS transistor of the second integrated diode to the output terminal of the alternating current generator, the drain terminal of the pMOS transistor the second charge 蓄 容量に接続して負の電荷を蓄積する構成である。 It is configured to accumulate the negative charges connected to the capacitor.

第3の発明の蓄電回路において、交流電流発生器および整流回路を複数備え、第1の電荷蓄積容量に、複数の整流回路を構成する複数の第1の複合ダイオードを並列に接続し、第2の電荷蓄積容量に、複数の整流回路を構成する複数の第2の複合ダイオードを並列に接続した構成としてもよい。 In the storage circuit of the third invention, a plurality of alternating current generator and the rectifier circuit, the first charge storage capacitor, by connecting a plurality of first integrated diode which constitutes a plurality of rectifier circuits in parallel, the second the charge storage capacity of, may be connected to a plurality of second integrated diode which constitutes a plurality of rectifier circuits in parallel.

また、複数の交流電流発生器に代えて、1つの交流電流発生器から位相が異なる複数の交流電流を取り出し、それぞれ整流回路を介して第1および第2の電荷蓄積容量に接続する構成としてもよい。 Further, instead of the plurality of alternating current generators, extracting one alternating current plurality of alternating current with different phases from the generator, be configured to be connected to the first and second charge storage capacitor respectively through the rectifier circuit good.

本発明は、交流電流発生器から出力される交流電流の整流回路として、pMOSトランジスタとnMOSトランジスタを縦積みにした複合ダイオードを用いることにより、逆バイアス時のリーク電流を極めて小さくすることができる。 The present invention, as the rectifying circuit of alternating current output from the alternating current generator, by using the composite diodes stacked vertically a pMOS transistor and nMOS transistor, can be extremely small leakage current when reverse biased. また、スイッチ手段によって蓄電モードと放電モードを切り替えることにより、微小な発電量の交流電流発生器を用いても電荷を効率より蓄電し、微小な発電量から負荷回路を駆動可能な所要の電力を生成することができる。 Further, by switching the power storage and discharging modes by the switch means, using a very small amount of power generated by the alternating current generator also power storage more efficient charge, the required power capable of driving the load circuit from small power generation amount it can be generated.

(第1の実施形態) (First Embodiment)
図1は、本発明の蓄電回路の第1の実施形態の第1の構成例を示す。 Figure 1 shows a first exemplary configuration of the first embodiment of the storage circuit of the present invention.
図において、交流電流発生器10の出力は、nMOSトランジスタとpMOSトランジスタから構成される複合ダイオード11を介して電荷蓄積容量12に接続されるとともに、抵抗13を介して接地電位に接続される。 In the figure, the output of the alternating current generator 10 is connected to the charge storage capacitor 12 through the integrated diode 11 composed of an nMOS transistor and a pMOS transistor is connected to the ground potential via a resistor 13. 電荷蓄積容量12の他端は接地電位に接続される。 The other end of the charge storage capacitor 12 is connected to the ground potential. また、複合ダイオード11と電荷蓄積容量12の接続部にはスイッチ14を介して出力端子15が接続されるとともに、電荷蓄積容量12の電圧を検知してスイッチ14のオンオフを制御する電圧検知回路16が接続される。 The voltage sensing circuit 16 which controls together with the output terminal 15 via a switch 14 is connected to the connection portion of the charge storage capacitor 12 and the integrated diode 11 detects the voltage of the charge storage capacitor 12 on and off of the switch 14 There is connected. また、出力端子15には、以上の蓄電回路から供給される電力により駆動される負荷回路17が接続される。 Further, the output terminal 15 is connected to a load circuit 17 which is driven by electric power supplied from the above storage circuit.

ここで、交流電流発生器10は、微小な生活空間エネルギーを電気エネルギーに変換するために、例えばMEMS技術等により製作されるエレクトレットの振動を電流に変換する構成であり、例えば1〜数十nA程度の交流電流を発生する。 Here, the alternating current generator 10, to convert the small living space energy into electrical energy, a structure for converting the vibration of the electret to the current produced by, for example, MEMS technology or the like, for example, to several tens of nA to generate a degree of alternating current.

複合ダイオード11は、交流電流発生器10側からpMOSトランジスタ、nMOSトランジスタの順に配置し、nMOSトランジスタのソース端子とpMOSトランジスタのソース端子を直結し、nMOSトランジスタのゲート端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのゲート端子を直結した構成である。 Integrated diode 11, the pMOS transistor from the alternating current generator 10 side, arranged in order of the nMOS transistor, directly connected to the source terminal of the source terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, connected directly to the drain terminal of the gate terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor and a structure which is directly connected to the gate terminal of the drain terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor. nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのドレイン端子がダイオードの入出力端子に相当し、pMOSトランジスタ側が高電位のときに順バイアスである。 Corresponds to the input-output terminal a drain terminal of the diode drain terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor is forward biased when the pMOS transistor side of the high potential. この複合ダイオード11の特長は、ダイオードを逆バイアスにしたときに、ダイオードを構成するnMOSトランジスタのゲート/ソース間電圧およびpMOSトランジスタのゲート/ソース間電圧が共に逆バイアスされるため、リーク電流がショットキーダイオードの逆バイアス時に比べて非常に小さいことである。 Features of the integrated diode 11, when a diode in reverse bias, the voltage between the gate / source of the gate / source voltage and the pMOS transistor of the nMOS transistor constituting the diode is reverse biased together, leakage current shot is very small compared to when a reverse bias key diode.

交流電流発生器10から正の電荷が供給される場合、交流電流発生器10の出力電位が正になる。 When a positive charge is supplied from the alternating current generator 10, the output potential of the alternating current generator 10 is positive. このため、複合ダイオード11のpMOSトランジスタ側が高電位になり、複合ダイオード11が順バイアスになって電流が流れ、電荷蓄積容量12に電荷が蓄積される。 Thus, pMOS transistor side of the integrated diode 11 becomes a high level, integrated diode 11 current flows becomes forward biased, charges are accumulated in the charge storage capacitor 12. また、交流電流発生器10から負の電荷が供給される場合、交流電流発生器10の出力電位が負になる。 Also, when a negative charge is supplied from the alternating current generator 10, the output potential of the alternating current generator 10 is negative. このため、複合ダイオード11のpMOSトランジスタ側が低電位になり、複合ダイオード11が逆バイアスになって電流が流れず、抵抗13および接地電位側に電流が流れる。 Thus, pMOS transistor side of the integrated diode 11 becomes a low potential, no current flows through integrated diode 11 becomes reverse biased, current flows through the resistor 13 and the ground potential side. このとき、逆バイアスの複合ダイオード11のリーク電流は非常に小さいので、交流電流発生器10の出力電位が正のときに蓄積される電荷が負のときに消失する電荷に比べて桁違いに大きく、電荷蓄積容量12に徐々に電荷が蓄積される。 At this time, since the leakage current of the integrated diode 11 of the reverse bias is very small, several orders of magnitude larger than the charge charges the output potential of the alternating current generator 10 is accumulated when the positive is lost when the negative , gradually charge the charge storage capacitor 12 is accumulated.

このような動作により、スイッチ14がオフであれば電荷蓄積容量12に徐々に電荷が蓄積され、蓄積された電圧を電圧検知回路16が検知し、所要電圧に達するとスイッチ14をオフからオンに制御し、電荷蓄積容量12からスイッチ14、出力端子15を介して負荷回路17に正電荷による電力が供給される。 By this operation, gradually charge the charge storage capacitor 12 when the switch 14 is off is accumulated, the accumulated voltage detected voltage detection circuit 16, from OFF to ON switch 14 reaches the required voltage controlled, the switch 14 from the charge storage capacitor 12, the power due to the positive charge is supplied to the load circuit 17 via the output terminal 15. このとき、交流電流発生器10から電荷の供給は続いているが、電荷蓄積容量12から負荷回路17に供給される電荷に比べて無視される量である。 At this time, although the alternating current generator 10 continues the supply of charge is an amount that is negligible compared to the charge supplied to the load circuit 17 from the charge storage capacitor 12. 電荷蓄積容量12の電圧が低下すると、電圧検知回路16が検知してスイッチ14をオンからオフに制御し、再び交流電流発生器10から複合ダイオード11を介して電荷蓄積容量12に徐々に電荷が蓄積される。 When the voltage of the charge storage capacitor 12 is decreased, and controls to turn off the switch 14 from ON to detect the voltage detection circuit 16, gradually charge from the alternating current generator 10 to charge storage capacitor 12 through the integrated diode 11 again It is accumulated. なお、電圧検知回路16は、負荷回路17よりも低電力で動作するものとする。 Note that the voltage detection circuit 16 is assumed to operate at lower power than the load circuit 17.

図2は、本発明の蓄電回路の第1の実施形態の第2の構成例を示す。 Figure 2 shows a second exemplary configuration of the first embodiment of the storage circuit of the present invention.
本構成例の特徴は、第1の構成例において交流電流発生器10の出力と接地電位との間に接続された抵抗13に代えて、nMOSトランジスタとpMOSトランジスタから構成される複合ダイオード18を用いたところにある。 Features of this configuration, instead of the resistor 13 connected between the output and the ground potential of the alternating current generator 10 in the first configuration example, use the configured integrated diode 18 an nMOS transistor and a pMOS transistor there where it was. 複合ダイオード18は、複合ダイオード11と同様の構成であるが、交流電流発生器10側からnMOSトランジスタ、pMOSトランジスタの順に配置され、複合ダイオード11と逆向きになる。 Integrated diode 18 is a configuration similar to that integrated diode 11, nMOS transistors from alternating current generator 10 side, are arranged in order of the pMOS transistor, the integrated diode 11 and opposite.
ここで、交流電流発生器10の出力電位が正のとき、複合ダイオード11のpMOSトランジスタ側が高電位になり、複合ダイオード11が順バイアスになって電流が流れるとともに、複合ダイオード18のnMOSトランジスタ側が高電位になり、複合ダイオード18が逆バイアスになって電流は流れない。 Here, when the output potential of the alternating current generator 10 is positive, pMOS transistor side of the integrated diode 11 becomes a high level, together with the current flows integrated diode 11 becomes forward biased, high nMOS transistor side of the integrated diode 18 becomes potential, no current flows through integrated diode 18 becomes reversed biased. また、交流電流発生器10の出力電位が負のとき、複合ダイオード11のpMOSトランジスタ側が低電位になり、複合ダイオード11が逆バイアスになって電流が流れないとともに、複合ダイオード18のnMOSトランジスタ側が低電位になり、複合ダイオード18が順バイアスになって電流が流れる。 Further, when the output potential of the alternating current generator 10 is negative, pMOS transistor side of the integrated diode 11 becomes a low potential, with no current flows through integrated diode 11 becomes reverse biased, low nMOS transistor side of the integrated diode 18 to the potential, current flows integrated diode 18 becomes forward biased.

第1および第2の構成例において、交流電流発生器10から出力される交流電流が複合ダイオード11を介して整流され、電荷蓄積容量12に蓄積される動作原理は共通である。 In the first and second configuration example, the alternating current output from the alternating current generator 10 is rectified through the integrated diode 11, operating principles accumulated in the charge storage capacitor 12 are common. 第1の構成例では、交流電流発生器10の出力電位が正のときは抵抗13の抵抗値が高く、負のときは抵抗値が低い方がよいので、最適な抵抗値が存在し、その値は電流量に依存することになる。 In the first configuration example, the output potential of the alternating current generator 10 is positive when the high resistance value of the resistor 13, so it is better low resistance when negative, then there is an optimum resistance value, its the value will depend on the amount of current. したがって、蓄電効率を向上させるためには交流電流発生器10の出力電流量に応じて抵抗値を調整する必要がある。 Therefore, in order to improve the power storage efficiency, it is necessary to adjust the resistance value in accordance with the output current of the alternating current generator 10. 一方、第2の構成例では、複合ダイオード11と相補的な動作をする複合ダイオード18が用いられるので、交流電流発生器10の出力電流量に依存することなく、電荷を電荷蓄積容量12に効率よく蓄積することができる利点がある。 On the other hand, in the second configuration example, since integrated diode 18 is used to complementary operation as integrated diode 11, without depending on the output current of the alternating current generator 10, the efficiency in the charge storage capacitor 12 charges it can be advantageously may accumulate.

(第2の実施形態) (Second Embodiment)
図3は、本発明の蓄電回路の第2の実施形態の第1の構成例を示す。 Figure 3 shows a first configuration example of the second embodiment of the storage circuit of the present invention.
本実施形態の特徴は、第1の実施形態の第1の構成例における複合ダイオード11の向きを交流電流発生器10に対して逆にしたところにある。 This embodiment is characterized in was reversed the direction of the first integrated diode 11 in the configuration of the first embodiment with respect to the alternating current generator 10.

すなわち、交流電流発生器10の出力電位が正のとき、複合ダイオード11のnMOSトランジスタ側が高電位になり、逆バイアスになって電流が流れず、抵抗13および接地電位側に電流が流れる。 That is, the AC when the output potential of the current generator 10 is positive, nMOS transistor side of the integrated diode 11 becomes a high level, no current flows in reverse bias, current flows through the resistor 13 and the ground potential side. また、交流電流発生器10の出力電位が負のとき、複合ダイオード11のnMOSトランジスタ側が低電位になり、複合ダイオード11が順バイアスになって電流が流れ、電荷蓄積容量12に負の電荷が蓄積される。 Further, when the output potential of the alternating current generator 10 is negative, nMOS transistor side of the integrated diode 11 becomes a low potential, current flows integrated diode 11 becomes forward biased, negative charges accumulated in the charge storage capacitor 12 It is. このような動作により、スイッチ14がオフであれば電荷蓄積容量12に徐々に負の電荷が蓄積され、蓄積された電圧を電圧検知回路16が検知し、所要電圧に達するとスイッチ14をオフからオンに制御し、電荷蓄積容量12からスイッチ14、出力端子15を介して負荷回路17に負電荷による電力が供給される。 By this operation, gradually negative charge in the charge storage capacitor 12 when the switch 14 is off is accumulated, the accumulated voltage detected voltage detection circuit 16, the switch 14 from off reaches a predetermined voltage was controlled to be on, the switch 14 from the charge storage capacitor 12, the power due to the negative charge is supplied to the load circuit 17 via the output terminal 15. 電荷蓄積容量12の電圧が低下すると、電圧検知回路16が検知してスイッチ14をオンからオフに制御し、再び交流電流発生器10から複合ダイオード11を介して電荷蓄積容量12に徐々に負の電荷が蓄積される。 When the voltage of the charge storage capacitor 12 is decreased, and controls to turn off the switch 14 from ON to detect the voltage detection circuit 16, gradually negatively charge storage capacitor 12 through the integrated diode 11 from the alternating current generator 10 again charge is accumulated.

図4は、本発明の蓄電回路の第2の実施形態の第2の構成例を示す。 Figure 4 shows a second configuration example of the second embodiment of the storage circuit of the present invention.
本構成例の特徴は、第1の実施形態の第2の構成例における複合ダイオード11および複合ダイオード18の向きを交流電流発生器10に対して逆にしたところにある。 Features of this configuration is to place the reversed orientation of the first embodiment of the second configuration integrated diode in Example 11 and integrated diode 18 with respect to the alternating current generator 10. 本構成例の動作は、第2の実施形態の第1の構成例と同様に負の電荷が電荷蓄積容量12に蓄積され、スイッチ14を介して負荷回路17に負電荷による電力が供給される。 Operation of this configuration, a negative charge similar to the first configuration example of the second embodiment is stored in the charge storage capacitor 12, power is supplied by the negative charge to the load circuit 17 via a switch 14 .

(第3の実施形態) (Third Embodiment)
図5は、本発明の蓄電回路の第3の実施形態を示す。 Figure 5 shows a third embodiment of the storage circuit of the present invention.
図において、交流電流発生器10の出力は、nMOSトランジスタとpMOSトランジスタから構成される複合ダイオード11を介して電荷蓄積容量12に接続されるとともに、nMOSトランジスタとpMOSトランジスタから構成される複合ダイオード18を介して電荷蓄積容量19に接続される。 In the figure, the output of the alternating current generator 10 is connected to the charge storage capacitor 12 through the integrated diode 11 composed of an nMOS transistor and a pMOS transistor, the integrated diode 18 composed of an nMOS transistor and a pMOS transistor It is connected to the charge storage capacitor 19 through. 電荷蓄積容量12,19の他端は接地電位に接続される。 The other end of the charge storage capacitor 12, 19 is connected to the ground potential. 複合ダイオード11と電荷蓄積容量12の接続部にはスイッチ14を介して出力端子15−1が接続され、また複合ダイオード18と電荷蓄積容量18の接続部には出力端子15−2が接続される。 The connecting portion of the charge storage capacitor 12 and the integrated diode 11 is connected to the output terminal 15-1 through the switch 14, and the output terminal 15-2 is connected to the connection portion of the charge storage capacitor 18 and the integrated diode 18 . 複合ダイオード11と電荷蓄積容量12の接続部および複合ダイオード18と電荷蓄積容量19の接続部には、電荷蓄積容量12,19の電圧差を検知してスイッチ14のオンオフを制御する電圧検知回路16が接続される。 The connecting portion of the connecting portion and integrated diode 18 and the charge storage capacitor 19 of the integrated diode 11 and the charge storage capacitor 12, the voltage detection circuit 16 that detects the voltage difference of the charge storage capacitor 12, 19 to control the on-off switch 14 There is connected. 出力端子15−1,15−2には、以上の蓄電回路から供給される電力により駆動される負荷回路17が接続される。 The output terminal 15-1 and 15-2, are connected to a load circuit 17 which is driven by electric power supplied from the above storage circuit.

複合ダイオード11は、第1の実施形態と同様に、交流電流発生器10側からpMOSトランジスタ、nMOSトランジスタの順に配置した構成である。 Integrated diode 11, as in the first embodiment, pMOS transistors from alternating current generator 10, a configuration disposed in this order of the nMOS transistor. 複合ダイオード18は、第2の実施形態と同様に、交流電流発生器10側からnMOSトランジスタ、pMOSトランジスタの順に配置した構成である。 Integrated diode 18, as in the second embodiment, nMOS transistors from alternating current generator 10, a configuration disposed in this order of the pMOS transistor. すなわち、複合ダイオード11,18は、交流電流発生器10に対して互いに逆向きに接続され、交流電流発生器10の出力電位の正、負に応じて、電荷蓄積容量12に正の電荷および電荷蓄積容量19に負の電荷がそれぞれ蓄積される。 That is, the composite diodes 11 and 18 are connected in opposite directions with respect to the alternating current generator 10, a positive output potential of the alternating current generator 10, in response to negative, positive charge and the charge in the charge storage capacitor 12 negative charges are respectively accumulated in the storage capacitor 19.

電圧検知回路16は、電荷蓄積容量12,19にそれぞれ蓄積された電圧の差を検知し、所要電圧に達するとスイッチ14をオフからオンに制御し、電荷蓄積容量12からスイッチ14、出力端子15−1、負荷回路17、出力端子15−2、電荷蓄積容量18を接続して負荷回路17に電力を供給する。 Voltage detection circuit 16 detects the difference between each stored voltage to the charge storage capacitor 12, 19, reaches the required voltage is controlled to turn on the switch 14 from OFF, the switch 14 from the charge storage capacitor 12, the output terminal 15 -1, the load circuit 17, an output terminal 15-2, and supplies power to the load circuit 17 by connecting the charge storage capacitor 18. 電荷蓄積容量12,19の差電圧が低下すると、電圧検知回路16が検知してスイッチ14をオンからオフに制御し、再び交流電流発生器10から複合ダイオード11,18を介してそれぞれ電荷蓄積容量12,19に徐々に電荷が蓄積される。 When the difference voltage of the charge storage capacitor 12, 19 is reduced, the voltage detection circuit 16 detects and controls to turn off the switch 14 from ON, respectively charge storage capacitor through the integrated diode 11,18 from alternating current generator 10 again gradually charges are accumulated in 12 and 19. このように、本実施形態の構成では、正、負の電荷の両方を蓄積できるので、蓄電効率を向上させることができる。 Thus, in the configuration of the present embodiment, positive, since it accumulates both negative charges, it is possible to improve the power storage efficiency.

(第4の実施形態) (Fourth Embodiment)
図6は、本発明の蓄電回路の第4の実施形態の第1の構成例を示す。 Figure 6 shows a first configuration example of the fourth embodiment of the storage circuit of the present invention.
本構成例の特徴は、第3の実施形態に示す蓄電回路を複数(ここでは2個)備える構成において、電荷蓄積容量12,19、スイッチ14、電圧検知回路16を共通化するところにある。 Features of this configuration example, the third power storage circuit shown in the embodiment more in (in this case two) comprises structure, the charge storage capacitor 12, 19, switch 14, there is to be sharing the voltage detection circuit 16. すなわち、電荷蓄積容量12,19、スイッチ14、電圧検知回路16に対して、複数の交流電流発生器10−1,10−2、複合ダイオード11−1と18−1、複合ダイオード11−2と18−2をそれぞれ並列に接続する構成である。 That is, the charge storage capacitor 12, 19, switch 14, the voltage detection circuit 16, a plurality of the alternating current generator 10-1, 10-2, and integrated diode 11-1 18-1, and integrated diode 11-2 18-2 which is the structure that connects in parallel.

これにより、複数の交流電流発生器10−1,10−2からの電荷を同時に電荷蓄積容量12,19に蓄積できるので、短時間に蓄電することが可能になる。 Thus, since the charges from the plurality of alternating current generators 10-1 and 10-2 can be simultaneously accumulated in the charge storage capacitor 12, 19, it is possible to power storage in a short time. なお、複数の交流電流発生器10−1,10−2として、例えばそれぞれ異なる方向の振動に最適化した振動発電器を配置することにより、さらに蓄電効率を向上させることができる。 Incidentally, as a plurality of alternating current generators 10-1 and 10-2, for example, by arranging an optimized vibration generator to the vibration of the different directions, it is possible to further improve the power storage efficiency.

図7は、本発明の蓄電回路の第4の実施形態の第2の構成例を示す。 Figure 7 shows a second configuration example of the fourth embodiment of the storage circuit of the present invention.
本構成例の特徴は、第4の実施形態の第1の構成例における複数の交流電流発生器10−1,10−2に代えて、1つの交流電流発生器10から位相の異なる複数の交流電流を取り出し、複数組設けられた複合ダイオード11−1と18−1、複合ダイオード11−2と18−2の各組の接続部に接続するところにある。 Features of this configuration, instead of the plurality of alternating current generators 10-1, 10-2 in a first configuration example of the fourth embodiment, a plurality of alternating different phases from one alternating current generator 10 current was removed, integrated diode 11-1 which is provided a plurality of sets and 18-1, there is to be connected to each set of the connection portion of the integrated diode 11-2 and 18-2.

本構成例は、図8に示すダイオードブリッジ回路のダイオードを複合ダイオード11,18に置き換えた構成に類似するが、交流電流発生器10が例えば1〜数十nA程度の交流電流を発生するものであっても、複合ダイオード11,18の逆バイアス特性とスイッチ14の制御によって電荷蓄積容量12,19に効率的に蓄電し、負荷回路17に駆動電力を供給することができる。 The present configuration example is intended is similar to the structure obtained by replacing the diodes of the diode bridge circuit shown in FIG. 8 the composite diodes 11, 18, alternating current generator 10 for generating an AC current of about 1 to several tens of nA e.g. even, it is possible to efficiently accumulated in the charge storage capacitor 12 and 19 under the control of the reverse bias characteristics and the switch 14 of the integrated diode 11, 18, to supply driving power to the load circuit 17.

本発明の蓄電回路の第1の実施形態の第1の構成例を示す図。 It shows a first exemplary configuration of a first embodiment of the storage circuit of the present invention. 本発明の蓄電回路の第1の実施形態の第2の構成例を示す図。 It shows a second exemplary configuration of the first embodiment of the storage circuit of the present invention. 本発明の蓄電回路の第2の実施形態の第1の構成例を示す図。 It shows a first configuration example of the second embodiment of the storage circuit of the present invention. 本発明の蓄電回路の第2の実施形態の第2の構成例を示す図。 It shows a second configuration example of the second embodiment of the storage circuit of the present invention. 本発明の蓄電回路の第3の実施形態を示す図。 It shows a third embodiment of the storage circuit of the present invention. 本発明の蓄電回路の第4の実施形態の第1の構成例を示す図。 It shows a first configuration example of the fourth embodiment of the storage circuit of the present invention. 本発明の蓄電回路の第4の実施形態の第2の構成例を示す図。 It shows a second configuration example of the fourth embodiment of the storage circuit of the present invention. 非特許文献1に記載の電源回路の構成例を示す図。 It shows an example of configuration of a power supply circuit described in Non-Patent Document 1.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10 交流電流発生器 11,18 複合ダイオード 12,19 電荷蓄積容量 13 抵抗 14 スイッチ 15 出力端子 16 電圧検知回路 17 負荷回路 10 the alternating current generator 11 and 18 integrated diode 12, 19 charge the storage capacitor 13 resistor 14 Switch 15 output terminal 16 voltage detection circuit 17 load circuit

Claims (7)

  1. 交流電流を発生する交流電流発生器と、 An alternating current generator for generating an AC current,
    前記交流電流発生器から出力される交流電流を整流する整流回路と、 A rectifier circuit for rectifying an alternating current output from the alternating current generator,
    前記整流回路の出力端に接続され、前記交流電流発生器が出力する正の電荷を蓄積する電荷蓄積容量と、 Is connected to the output end of the rectifier circuit, a charge storage capacitor for accumulating positive charge the alternating current generator outputs,
    前記電荷蓄積容量に接続され、その蓄積電圧が所要電圧を超えたときにオンとし、所要電圧以下のときにオフに制御するスイッチ手段と を備え、前記スイッチ手段の制御により前記電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えるまで前記交流電流発生器が出力する電荷を蓄積し、前記電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えたときに前記電荷蓄積容量に蓄積された電荷による電力供給を行う構成である蓄電回路において、 Coupled to said charge storage capacitor, and turned on when the storage voltage exceeds a predetermined voltage, and a switch means for controlling the off when the required voltage or less, accumulation of the charge storage capacitor by the control of said switch means configuration voltage accumulates the alternating current generator outputs charge to greater than the required voltage and supplies power by electric charges accumulated in the charge storage capacitor when the storage voltage of the charge storage capacitor exceeds a predetermined voltage in the storage circuit is,
    前記整流回路は、nMOSトランジスタのソース端子とpMOSトランジスタのソース端子を直結し、nMOSトランジスタのゲート端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのゲート端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を入出力端子とした第1の複合ダイオードを用いて構成し、pMOSトランジスタのドレイン端子を前記交流電流発生器の出力端子に接続し、nMOSトランジスタのドレイン端子を前記電荷蓄積容量に接続して正の電荷を蓄積する構成である ことを特徴とする蓄電回路。 The rectifier circuit is directly connected to the source terminal of the source terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, directly connected to the drain terminal of the gate terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, directly connected to the gate terminal of the drain terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, configured using a first integrated diode in which the drain terminals of the pMOS transistor of the nMOS transistor and the output terminal, and connect the drain terminal of the pMOS transistor to the output terminal of the alternating current generator, the drain of the nMOS transistor storage circuit, characterized in that to connect the terminals to the charge storage capacitor is configured to accumulate a positive charge.
  2. 請求項1に記載の蓄電回路において、 In the storage circuit according to claim 1,
    前記第1の複合ダイオードと同じ構成の第2の複合ダイオードを備え、 A second integrated diode having the same structure as the first integrated diode,
    前記交流電流発生器の出力端子に、前記第2の複合ダイオードのnMOSトランジスタのドレイン端子を接続し、pMOSトランジスタのドレイン端子を接地電位に接続した構成である ことを特徴とする蓄電回路。 The output terminal of the alternating current generator, the second connects the drain terminal of the nMOS transistor of the integrated diode, the storage circuit, characterized in that the structure of connecting the drain terminal of the pMOS transistor to the ground potential.
  3. 交流電流を発生する交流電流発生器と、 An alternating current generator for generating an AC current,
    前記交流電流発生器から出力される交流電流を整流する整流回路と、 A rectifier circuit for rectifying an alternating current output from the alternating current generator,
    前記整流回路の出力端に接続され、前記交流電流発生器が出力する負の電荷を蓄積する電荷蓄積容量と、 Is connected to the output end of the rectifier circuit, a charge storage capacitor for storing a negative charge the alternating current generator outputs,
    前記電荷蓄積容量に接続され、その蓄積電圧が所要電圧を超えたときにオンとし、所要電圧以下のときにオフに制御するスイッチ手段と を備え、前記スイッチ手段の制御により前記電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えるまで前記交流電流発生器が出力する電荷を蓄積し、前記電荷蓄積容量の蓄積電圧が所要電圧を超えたときに前記電荷蓄積容量に蓄積された電荷による電力供給を行う構成である蓄電回路において、 Coupled to said charge storage capacitor, and turned on when the storage voltage exceeds a predetermined voltage, and a switch means for controlling the off when the required voltage or less, accumulation of the charge storage capacitor by the control of said switch means configuration voltage accumulates the alternating current generator outputs charge to greater than the required voltage and supplies power by electric charges accumulated in the charge storage capacitor when the storage voltage of the charge storage capacitor exceeds a predetermined voltage in the storage circuit is,
    前記整流回路は、nMOSトランジスタのソース端子とpMOSトランジスタのソース端子を直結し、nMOSトランジスタのゲート端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのゲート端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を入出力端子とした第1の複合ダイオードを用いて構成し、nMOSトランジスタのドレイン端子を前記交流電流発生器の出力端子に接続し、pMOSトランジスタのドレイン端子を前記電荷蓄積容量に接続して負の電荷を蓄積する構成である ことを特徴とする蓄電回路。 The rectifier circuit is directly connected to the source terminal of the source terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, directly connected to the drain terminal of the gate terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, directly connected to the gate terminal of the drain terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, configured using a first integrated diode in which the drain terminals of the pMOS transistor of the nMOS transistor and the output terminal, and connect the drain terminal of the nMOS transistor to the output terminal of the alternating current generator, the drain of the pMOS transistor storage circuit, characterized in that to connect the terminals to the charge storage capacitor is configured to accumulate a negative charge.
  4. 請求項3に記載の蓄電回路において、 In the storage circuit according to claim 3,
    前記第1の複合ダイオードと同じ構成の第2の複合ダイオードを備え、 A second integrated diode having the same structure as the first integrated diode,
    前記交流電流発生器の出力端子に、前記第2の複合ダイオードのpMOSトランジスタのドレイン端子を接続し、nMOSトランジスタのドレイン端子を接地電位に接続した構成である ことを特徴とする蓄電回路。 The output terminal of the alternating current generator, the second connects the drain terminal of the pMOS transistor of the integrated diode, the storage circuit, characterized in that the structure of connecting the drain terminal of the nMOS transistor to the ground potential.
  5. 交流電流を発生する交流電流発生器と、 An alternating current generator for generating an AC current,
    前記交流電流発生器から出力される交流電流を整流する整流回路と、 A rectifier circuit for rectifying an alternating current output from the alternating current generator,
    前記整流回路の出力端に接続され、前記交流電流発生器が出力する正および負の電荷をそれぞれ蓄積する第1および第2の電荷蓄積容量と、 Is connected to the output end of the rectifier circuit, a first and second charge storage capacitor for storing the positive and negative charges the alternating current generator outputs, respectively,
    前記第1および第2の電荷蓄積容量に接続され、その蓄積電圧の差が所要電圧を超えたときにオンとし、所要電圧以下のときにオフに制御するスイッチ手段と を備え、前記スイッチ手段の制御により前記第1および第2の電荷蓄積容量の蓄積電圧の差が所要電圧を超えるまで前記交流電流発生器が出力する電荷を蓄積し、前記第1および第2の電荷蓄積容量の蓄積電圧の差が所要電圧を超えたときに前記電荷蓄積容量に蓄積された電荷による電力供給を行う構成である蓄電回路において、 Connected to said first and second charge storage capacitor, and turned on when the difference between the accumulated voltage exceeds a predetermined voltage, and a switch means for controlling the off when the required voltage or less, the switch means controlled by accumulating the first and the alternating current generator outputs the charge until the difference voltage accumulated in the second charge storage capacity exceeds the required voltage, the first and second storage voltages of the charge storage capacitor in the storage circuit is configured to perform power supply by the charge storage capacitor to the electric charge accumulated when the difference exceeds a predetermined voltage,
    前記整流回路は、nMOSトランジスタのソース端子とpMOSトランジスタのソース端子を直結し、nMOSトランジスタのゲート端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのゲート端子を直結し、nMOSトランジスタのドレイン端子とpMOSトランジスタのドレイン端子を入出力端子とした第1および第2の複合ダイオードを用いて構成し、前記第1の複合ダイオードのpMOSトランジスタのドレイン端子を前記交流電流発生器の出力端子に接続し、nMOSトランジスタのドレイン端子を前記第1の電荷蓄積容量に接続して正の電荷を蓄積し、前記第2の複合ダイオードのnMOSトランジスタのドレイン端子を前記交流電流発生器の出力端子に接続し The rectifier circuit is directly connected to the source terminal of the source terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, directly connected to the drain terminal of the gate terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, directly connected to the gate terminal of the drain terminal and the pMOS transistor of the nMOS transistor, constructed using the first and second integrated diode in which the drain terminals of the pMOS transistor of the nMOS transistor and the output terminal, the drain terminal of the pMOS transistor of the first integrated diode of the alternating current generator connected to the output terminal, a positive charge accumulates by connecting the drain terminal of the nMOS transistor in the first charge storage capacitor, an output of the alternating current generator to the drain terminal of the nMOS transistor of the second integrated diode connected to a terminal pMOSトランジスタのドレイン端子を前記第2の電荷蓄積容量に接続して負の電荷を蓄積する構成である ことを特徴とする蓄電回路。 Storage circuit, characterized in that by connecting the drain terminal of the pMOS transistor to said second charge storage capacitor is configured to accumulate a negative charge.
  6. 請求項5に記載の蓄電回路において、 In the storage circuit according to claim 5,
    前記交流電流発生器および前記整流回路を複数備え、 A plurality of the alternating current generator and the rectifier circuit,
    前記第1の電荷蓄積容量に、前記複数の整流回路を構成する複数の第1の複合ダイオードを並列に接続し、前記第2の電荷蓄積容量に、前記複数の整流回路を構成する複数の第2の複合ダイオードを並列に接続した構成である ことを特徴とする蓄電回路。 The first charge storage capacitor, by connecting a plurality of first integrated diode constituting the plurality of rectifier circuits in parallel, to said second charge storage capacitor, a plurality of forming the plurality of rectifier circuits the storage circuit, characterized in that the second integrated diode which is configured connected in parallel.
  7. 請求項6に記載の蓄電回路において、 In the storage circuit according to claim 6,
    前記複数の交流電流発生器に代えて、1つの交流電流発生器から位相が異なる複数の交流電流を取り出し、それぞれ前記整流回路を介して前記第1および第2の電荷蓄積容量に接続する構成である ことを特徴とする蓄電回路。 Instead of the plurality of alternating current generators, one of the alternating current a plurality of alternating current with different phases from the generator is taken out, the configuration to be connected to the first and second charge storage capacitor through the respective said rectifier circuit storage circuit, characterized in that.
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