JP4512532B2

JP4512532B2 - マルチチャンバプラズマプロセスシステム

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Publication number: JP4512532B2
Application number: JP2005216418A
Authority: JP
Inventors: 淳任魏
Original assignee: 株式会社ニューパワープラズマ
Priority date: 2005-07-15
Filing date: 2005-07-26
Publication date: 2010-07-28
Anticipated expiration: 2025-07-26
Also published as: TWI285926B; CN1897786A; KR20070009144A; CN1897786B; KR100720989B1; US20070012563A1; EP1744345B1; JP2007027068A; ATE513306T1; TW200703500A; EP1744345A1; US7285916B2

Description

本発明は，マルチチャンバシステムに関し，具体的には誘導結合プラズマ方式のプロセスチャンバを多重に構成して，半導体基板や液晶ガラス基板のような被処理基板を並列に処理することができるマルチチャンバプラズマプロセスシステムに関する。

周知のように，半導体集積回路装置や液晶表示装置を製造するための半導体製造産業では，生産性を高めるためにマルチチャンバシステムが実用化されている。マルチチャンバシステムは，多数のプロセスチャンバをクラスタタイプで配置したり，コンベアまたはトラックにより基板の流れ経路を形成してその周辺に多数のプロセスチャンバを配置したりする構造を有する。マルチチャンバシステムにおけるプロセスチャンバは水平配列または複数の積層配列により構成する。

近日の半導体製造産業では，被処理基板の大口径化と集積回路の微細パターン化，高精密化，複雑化などによる複合プロセスの増加と，一括処理による工程の短縮化が要求されている。このような点でマルチチャンバシステムは，複合プロセスの対応を容易にし，また，一括処理による工程の短縮化により生産性を向上させることができる。

単位面積当たりの生産性を高めるために，マルチチャンバシステムにおいても各構成をより効果的に配置し，統合化できる部分はできるだけ統合する必要がある。大部分のマルチチャンバシステムにおいて，多数のプロセスチャンバは，それぞれ独立した電源供給構造を有しており，非効率な面があると言える。そこで，マルチチャンバシステムの電源供給構造を効果的に統合化することによって，設備の面積と費用を減少させる必要がある。

一方，半導体製造工程で広く使用されているプラズマプロセスは，プラズマを発生させることと，プラズマ密度を工程特性によって適切に維持することが非常に重要である。誘導結合プラズマ方式を採用したプラズマプロセスチャンバを具備するマルチチャンバシステムにおいて，電源供給構造を効果的に統合化するためには，点火電力の供給，高周波電力の供給，そしてインピーダンス整合などを充分に考慮して設計しなければならない。また，工程特性によって各プロセスチャンバのプラズマ密度を調節しなければならない。

本発明は，従来のマルチチャンバシステムが有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，点火電力供給源，高周波電源，インピーダンス整合器などを含む電源供給系統を効果的に統合構成し，マルチチャンバシステムの設備面積と費用を節減し，各プロセスチャンバのプラズマ密度を独立に制御して工程収率を向上させることで全体としてマルチチャンバシステムの生産性を向上させることが可能な，新規かつ改良された，誘導結合プラズマ方式のプロセスチャンバを具備するマルチチャンバプラズマプロセスシステムを提供することである。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；それぞれの上記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電源を供給する主電力供給源と；上記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；上記主電力供給源からのＲＦ電源の供給を受けて，上記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；複数のプロセッサチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電源を供給する複数のバイアス電源と；上記複数のプロセッサチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；上記第１インピーダンス整合器と，上記複数の第２インピーダンス整合器と，上記点火電力供給部とを制御する制御部と；を含むことを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステムが提供される。

上記複数のプロセスチャンバに設けられる誘導結合プラズマ発生器は，第１インピーダンス整合器を介して，主電力供給源に，電気的に直列に連結され，誘導結合プラズマ発生器に設けられる点火電極は，上記点火電力供給部に並列に連結されるとしても良い。

上記複数のプロセスチャンバは，少なくとも二つのプロセスチャンバが積層構造またはクラスタ構造を有するとしても良い。

上記第１インピーダンス整合器および複数の第２インピーダンス整合器は，それぞれインピーダンス整合のための少なくとも一つの可変インダクタを含み，上記可変インダクタは，馬蹄形状を有し両端が互いに対向するように配置された第１および第２マグネチックコアと；第１および第２マグネチックコアにそれぞれ巻かれつつ連続した第１および第２巻線コイルと；上記制御部の制御によって第１および／または第２マグネチックコアを移動させて第１および第２マグネチックコアの相対的位置を変化させる駆動手段と；を含み，上記可変インダクタは，第１および第２マグネチックコアの相対的位置が変化することにより第１および第２巻線コイルによって誘起される磁束の方向が互いに一致または互い違いになり，または逆方向を有するようになることで第１および第２巻線コイルによるインダクタンスが変化し，または，上記可変インダクタは第１および第２マグネチックコアの相対的距離が変化することにより第１および第２巻線コイルによって誘起される磁束が第１および第２マグネチックコアに集束され，それによる磁束数が増加または減少して第１および第２巻線コイルによるインダクタンスが変化するとしても良い。

上記第１インピーダンス整合器および複数の第２インピーダンス整合器は，それぞれインピーダンス整合のための少なくとも一つの可変インダクタを含み，上記可変インダクタは，両端が開放されて並列に配列された第１および第２中空型チューブと；第１および第２中空型チューブにそれぞれ巻線されつつ連続した第１および第２巻線コイルと；馬蹄形状を有し両端が互いに対向するように第１および第２中空型チューブに装着される第１および第２マグネチックコアと；上記制御部の制御によって第１および／または第２マグネチックコアを移動させて相対的距離を変化させる駆動手段と；を含み，上記可変インダクタは，第１および第２マグネチックコアの相対的距離が変化することにより第１および第２巻線コイルによって誘起される磁束が第１および第２マグネチックコアに集束され，それによる磁束数が増加または減少して第１および第２巻線コイルによるインダクタンスが変化するとしても良い。

上記第１および第２中空型チューブは絶縁体で構成されるとしても良い。

上記点火電力供給部は，一次側が電源供給源に連結され，二次側が複数の誘導結合プラズマ発生器の点火電極に並列に連結される可変トランスフォーマを含み，上記可変トランスフォーマは，馬蹄形状を有し両端が互いに対向するように配置された第１および第２マグネチックコアと；第１マグネチックコアに巻かれた１次側巻線コイルと；第２マグネチックコアに巻かれた２次側巻線コイルと；上記制御部の制御によって第１および／または第２マグネチックコアを移動させて第１および第２マグネチックコアの相対的位置を変化させる駆動手段と；を含み，上記可変トランスフォーマは，第１および第２マグネチックコアの相対的位置が変化することによって第１マグネチックコアと第２マグネチックコアに共通に集束される磁束数が増加または減少し，１次側巻線コイルから２次側巻線コイルに伝達される誘導起電力が変化するとしても良い。

上記複数のプロセスチャンバは，被処理基板の置かれるサセプタが位置したチャンバハウジングの天井に少なくとも二つのホールを備え，上記誘導結合プラズマ発生器は，少なくとも二つのホールに両端が結合される少なくとも一つの中空型かつＣ形状の外部放電ブリッジと；外部放電ブリッジに装着される少なくとも一つのドーナツ形状のマグネチックコアと；マグネチックコアに巻線され第１インピーダンス整合器を介して主電力供給源に連結される誘導コイルと；を含み，誘導コイルによって誘導される起電力によって外部放電ブリッジの内部とチャンバハウジングの内部を介してプラズマ放電パスが形成されるとしても良い。

上記外部放電ブリッジとチャンバハウジングの内側面全体的に絶縁体層が設けられるとしても良い。

誘導結合プラズマ発生器はプラズマ密度調節器を含み，プラズマ密度調節器は，外部放電ブリッジの内側上部放電空間を横切って全体的に設置される，多孔ホールが形成された密度調節平板と；密度調節平板を上下に垂直移動させる駆動手段と；を含み，密度調節平板が上側に移動することによってプラズマ密度が増加し，下側に移動することによってプラズマ密度が減少するとしても良い。

上記複数のプロセスチャンバは，被処理作業板が置かれるサセプタを内設したチャンバハウジングの天井に複数のホールを備え，上記誘導結合プラズマ発生器は，チャンバハウジング天井の複数のホールと対応する個数のホールが下部面に設けられ，上部面にガス入口が設けられた中空型放電管ヘッドと；チャンバハウジング天井の複数のホールと，それに対応した放電管ヘッド下部面の複数のホールの間に連結される複数の中空型放電管ブリッジと；上記中空型放電管ブリッジに装着されるドーナツ形状のマグネチックコアと；上記マグネチックコアに巻線され第１インピーダンス整合器を介して主電力供給源に連結される誘導コイルと；を含み，誘導コイルによって誘導される起電力によって，上記中空型放電管ヘッドと，上記複数の中空型放電管ブリッジと，上記チャンバハウジングの内部とを連結するプラズマ放電パスが形成されるとしても良い。

上記複数の中空型放電管ブリッジのうち少なくとも一つの中空型放電管ブリッジにはマグネチックコアが装着されないとしても良い。

上記中空型放電管ヘッドと，上記複数の中空型放電ブリッジと，上記チャンバハウジングの内側面とは，全体的に絶縁体層が設けられるとしても良い。

誘導結合プラズマ発生器はプラズマ密度調節器を含み，プラズマ密度調節器は，中空型放電管ヘッドの内側放電空間を横切って全体的に設置される，多孔ホールが形成された密度調節平板と；上記密度調節平板を上下に垂直移動させる駆動手段と；を含み，上記密度調節平板が上側に移動することによってプラズマ密度が増加し，下側に移動することによってプラズマ密度が減少するとしても良い。

上記複数のプロセスチャンバはサセプタが置かれるチャンバハウジングの内側上部空間に誘導結合プラズマ発生器が配置され，上記誘導結合プラズマ発生器は，チャンバハウジングの上部空間に位置するリング状の中空型コアジャケットと；上記中空型コアジャケットを上記チャンバハウジングの上部空間に固定するようにチャンバハウジングの上部側壁から中空型コアジャケットに延長して設置される少なくとも一つの固定ブリッジと；上記コアジャケットの内部に搭載されるリング状のマグネチックコアと；上記マグネチックコアに巻線され上記第１インピーダンス整合器を介して上記主電力供給源に連結される誘導コイルと；を含み，上記誘導コイルによって誘導される起電力によって上記中空型コアジャケットの外部を全体的に覆うプラズマ放電パスが形成されるとしても良い。

上記中空型コアジャケットと固定ブリッジは絶縁体で構成され，上記チャンバハウジングの内側面は，全体的に絶縁体層が設けられるとしても良い。

上記誘導結合プラズマ発生器はプラズマ密度調節器を含み，上記プラズマ密度調節器は，上記中空型コアジャケットの上部領域でチャンバハウジングの内側上部を横切って全体的に設置されて，多孔ホールが形成された密度調節平板と；上記密度調節平板を上下に垂直移動させるための駆動手段と；を含み，上記密度調節平板が上側に移動することによってプラズマ密度が増加し，下側に移動することによってプラズマ密度が減少するとしても良い。

以上説明したように本発明のマルチチャンバプラズマプロセスシステムによれば，点火電力供給源（点火電力供給部），高周波電源（主電力供給源），インピーダンス整合器などを含む電源供給系統を効果的に統合構成し，マルチチャンバシステムの設備面積と費用を節減して各プロセスチャンバのプラズマ密度を独立に（個別的に）制御することができる。これにより工程収率を向上させ，全体としてマルチチャンバシステムの生産性をより向上させることができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明のマルチチャンバプラズマプロセスシステムの好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。そして発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断される公知機能および構成に対する詳細な技術は省略する。

図１は，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムの全体構成を示した回路構成図である。

本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムは複数のプロセスチャンバ（１００，１１０，１２０）を具備する。複数のプロセスチャンバ（１００，１１０，１２０）は，それぞれ誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）を具備する。複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）は，それぞれマグネチックコア（１０１ａ，１１１ａ，１２１ａ）と，これに巻線される巻線コイル（１０１ｂ，１１１ｂ，１２１ｂ）とを具備する。複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）は，それぞれ電気的に直列に連結され，第１インピーダンス整合器（５００）を介して主電力供給源（４００）に連結される。

主電力供給源（４００）は，ＲＦ電源を第１インピーダンス整合器（５００）を介して複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）に供給する。また，主電力供給源（４００）は，点火電力供給部（６００）にもＲＦ電源を供給する。点火電力供給部（６００）は，主電力供給源（４００）からＲＦ電源を受けて複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）に具備された点火電極（１０４，１１４，１２４）に点火電力を供給する。

複数のプロセッサチャンバ（１００，１１０，１２０）に具備されるそれぞれのサセプタ（１０３，１１３，１２３）は，それぞれ第２インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０）を介して該当のバイアス電源（３００，３１０，３２０）に連結される。

第１インピーダンス整合器（５００），複数の第２インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０），および点火電力供給部（６００）は，制御部（７００）によって制御される。制御部（７００）は，インピーダンス整合のために第１インピーダンス整合器（５００）を制御するための第１制御信号（７０１）と，点火電力供給部（６００）を制御するための第２制御信号（７０２）と，複数の第２インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０）を制御するための第３制御信号（７０３）とをそれぞれ出力する。

第１インピーダンス整合器（５００）は，入出力端の間に直列に連結される第１および第２可変インダクタ（５１０，５２０）と第１および第２可変インダクタ（５１０，５２０）の接続ノードと接地間に連結されるキャパシタ（５３０）を具備する。第１および第２可変インダクタ（５１０，５２０）は，制御部（７００）の第１制御信号（７０１）にしたがってインダクタンス値が変化（可変）する。第１および第２可変インダクタ（５１０，５２０）の具体的な説明は後述する。

点火電力供給部（６００）は，可変トランスフォーマ（６１０）で構成され，可変トランスフォーマ（６１０）の１次側は主電力供給源（４００）に連結され，２次側は複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）の点火電極（１０４，１１４，１２４）に並列に連結される。可変トランスフォーマ（６１０）は，制御部（７００）の第２制御信号（７０２）にしたがって２次側誘導電圧が変化（可変）する。具体的な説明は後述するが，制御部（７００）は，複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）のプラズマ点火段階において，点火電力供給部（６００）が点火電力を供給できるように，また，プラズマ放電が発生された後には点火電力供給部（６００）から点火電力の供給を遮断するように可変トランスフォーマ（６１０）を動作させる断続機能を遂行する。

複数の第２インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０）は上述した第１インピーダンス整合器（５００）の構成と同一に構成することができ，第２インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０）は，制御部（７００）の第３制御信号（７０３）にしたがってインピーダンス整合のための動作を遂行する。

図２は，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムにおいて，プロセスチャンバを積層構造で構成した例を示した図面である。

図２に図示されたように，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステム（８００）は，移送チャンバ（８５０）に少なくとも二つのプロセスチャンバ（８１０）が垂直に積層構造を有して構成されている。積層されたプロセスチャンバ（８１０）は，前端には垂直に昇下可能な移送ロボット（８４０）が具備され，それとは別に，一側には一以上の冷却または加熱ステージ（８２０）が積層構成される。また，移送チャンバ（８５０）の前面には，カセット（８３０）が位置するロードポット（８６０）が設けられている。

このように，本実施形態のマルチチャンバプラズマ処理システムは，少なくとも二つのプロセスチャンバを積層して構成され，複数のプロセスチャンバを，クラスタ構造を配置して構成することもできる。上記クラスタ構造とは，一つの移送チャンバを中心として，複数のプロセスチャンバが放射状に配置される形態であって，通常，上記移送チャンバには移送ロボットが設置される。このようなクラスタ構造は，同分野における典型的なマルチチャンバ構造である。ここでは，具体的な説明は省略したが，トラックシステムやコンベアシステムのような移送システムを使用して複数のプロセスチャンバを多様な構造で配置することも可能である。

本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムは，積層構造やクラスタ構造形態に集約された配置構造を形成すると同時に，点火電力供給部，高周波電源，インピーダンス整合器などを含む電源供給系統を効果的に統合構成して生産性を向上することができ，さらに，設備面積と費用を効果的に節減することができる。

図３は，図１の第１インピーダンス整合器として構成された可変インダクタの構造を示した斜視図である。

図３を参照すると，第１インピーダンス整合器（５００）に構成された可変インダクタ（５１０，５２０）は，高周波高電力に適合した構造を提供する。可変インダクタ（５１０，５２０）は馬蹄形状を有し両端が互いに対向するように配置された第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）を具備する。第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）にはそれぞれ第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）が巻かれている。第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）は連続した巻線で構成される。

可変インダクタ（５１０，５２０）は，第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）の相対的位置を移動して第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）によるインダクタンスを変化（可変）させるための駆動手段（５１７）を具備する。駆動手段（５１７）は例えば，電気モータで構成されるとしても良い。駆動手段（５１７）は制御部（７００）の第１制御信号（７０１）によって制御される。

駆動手段（５１７）によって第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）の相対的位置が変化することで，可変インダクタ（５１０，５２０）のインダクタンスを変化することができる多様な場合が添付図面の図４ａ〜図４ｃに図示されている。

図４ａに図示されたように，第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）は，駆動手段（５１７）によって磁束入出力部分（５１３，５１６）が一致または互い違いになるように垂直（または水平）方向に移動する。この場合，互い違いの程度によって可変インダクタ（５１０，５２０）のインダクタンスが変化する。

他の例で，図４ｂに図示されたように，第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）は駆動手段（５１７）によって磁束入出力部分（５１３，５１６）が互いに一致または互い違いになったり，逆方向を有するように回転したりする。この場合，回転する角度によって可変インダクタ（５１０，５２０）のインダクタンスが変化する。

以上のように，可変インダクタ（５１０，５２０）は第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）の相対的位置（垂直または水平方向に互い違いになる程度，互い違いになる回転角度）が変化することによって，第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）によって誘起される磁束の方向が互いに一致または互い違いになったり，または逆方向を有するようになったりすることで，第１および第２巻線コイルによるインダクタンスが変化する。

また他の例で，図４ｃに図示されたように，第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）は駆動手段（５１７）によって磁束入出力部分（５１３，５１６）の相対的距離が近くまたは遠くに移動する。この場合，相対的距離によって可変インダクタ（５１０，５２０）のインダクタンスが変化する。すなわち，可変インダクタ（５１０，５２０）は第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）の相対的距離が変化することによって，第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）によって誘起される磁束が第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）に集束され，それによる磁束数が増加または減少して第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）によるインダクタンスが変化する。

図５は，図１のインピーダンス整合器として構成される可変インダクタの他の例を示した斜視図である。

図５を参照すると，可変インダクタ（５１０，５２０）は，両端が開放されて並列に配列された第１および第２中空型チューブ（５１８，５１９）を具備する。第１および第２中空型チューブ（５１８，５１９）は，絶縁体で構成されることが望ましい。第１および第２中空型チューブ（５１８，５１９）の外側では第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）が巻かれる。第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）は連続した巻線で構成される。第１および第２中空型チューブ（５１８，５１９）には両側で馬蹄形状の第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）が互いに対向するように装着される。そして可変インダクタ（５１０，５２０）は，制御部（７００）の制御によって，第１および／または第２マグネチックコア（５１１および／または５１４）を移動させて相対的距離を変化させるための例えば，電気モータのような駆動手段（５１７）を具備する。

可変インダクタ（５１０，５２０）は，第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）の相対的距離が変化することにより，第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）によって誘起される磁束が第１および第２マグネチックコア（５１１，５１４）に集束され，それによる磁束数が増加または減少して第１および第２巻線コイル（５１２，５１５）によるインダクタンスが変化する。

以上のような可変インダクタ（５１０，５２０）は，複数の第２インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０）にも同一に構成され，複数の第２インピーダンス整合器（２００，２１０，２２０）に具備される可変インダクタは制御部（７００）の第３制御信号（７０３）にしたがってインピーダンス整合のための制御動作が遂行される。

図６は，図１の点火電力供給部に構成された可変トランスフォーマの構造を示した斜視図で，図７ａ〜図７ｃは，図６の可変トランスフォーマの可変制御方式を説明するための図面である。

図６を参照すると，点火電力供給部（６００）に構成される可変トランスフォーマ（６１０）は，一次側が主電力供給源（４００）に連結され，二次側が複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）の点火電極（１０４，１１４，１２４）に並列に連結される。

可変トランスフォーマ（６１０）は，馬蹄形状を有し，両端が互いに対向するように配置された第１および第２マグネチックコア（６０１，６０５）を具備する。第１マグネチックコア（６０１）には１次側巻線コイル（６０２）が巻線され，第２マグネチックコア（６０５）には２次側巻線コイル（６０６）が巻かれる。ここで第２マグネチックコア（６０１，６０５）に巻かれた１次側および２次側巻線コイル（６０２，６０６）は連続した巻線ではない。

可変トランスフォーマ（６１０）は，例えば，電気モータのような駆動手段（６０９）を具備する。駆動手段（６０９）は，制御部（７００）の第２制御信号（７０２）によって第１および／または第２マグネチックコア（６０１および／または６０５）を移動させて相対的位置を変化させる。例えば，垂直または水平方向に互い違いになる程度（図７ａ参照），互い違いになる回転角度（図７ｂ参照），または相対的距離（図７ｃ参照）が変化する。それにより第１マグネチックコア（６０１）と第２マグネチックコア（６０５）に共通に集束される磁束数が増加または減少して，１次側巻線コイル（６０２）から２次側巻線コイル（６０６）に伝達される誘導起電力が変化する。

可変トランスフォーマ（６１０）を具備する点火電力供給部（６００）は，制御部（７００）の制御を受けて複数の誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）の点火電極（１０４，１１４，１２４）にプラズマ点火のための高周波高電力の電源を供給する。そしてプラズマ放電が発生した後には制御部（７００）の制御によって可変トランスフォーマ（６１０）が動作して点火電力の供給が遮断される。

一方，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに具備される複数のプロセスチャンバ（１００，１１０，１２０）は，誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）を具備する。これらの構造は後述するように多様に具現される。

図８および図９は，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバの一例を示した斜視図および断面図である。

図８および図９を参照すると，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用された一例のプロセスチャンバ（９００）は，被処理基板（９０８）が置かれるサセプタ（９０７）が内設されるチャンバハウジング（９０４）の天井に少なくとも二つのホール（９０９）を具備する。二つのホール（９０９）には誘導結合プラズマ発生器（９１０）が結合される。

誘導結合プラズマ発生器（９１０）は少なくとも二つのホール（９０９）に両端が結合される少なくとも一つの中空型かつＣ形状の外部放電ブリッジ（９０１）を具備する。外部放電ブリッジ（９０１）には少なくとも一つのドーナツ形状のマグネチックコア（９０５）が装着され，該マグネチックコア（９０５）には第１インピーダンス整合器（５００）（図１参照）を介して主電力供給源（４００）に連結される誘導コイル（９０６）が巻かれている。そして外部放電ブリッジ（９０１）の上端中心部にはガス流入口（９０２）が具備され，チャンバハウジング（９０４）の下端にはガス排出口（９０３）が形成される。

このような構造を有するプロセスチャンバ（９００）は，誘導コイル（９０６）により誘導される起電力によって外部放電ブリッジ（９０１）の内部とチャンバハウジング（９０４）の内部を介してプラズマ放電パスが形成される。プロセスチャンバ（９００）は，外部放電ブリッジ（９０１）とチャンバハウジング（９０４）の内側面全体的にポリマー防止のための石英のような絶縁体層（図示しない）が設置される。

対面的な被処理基板の処理のためにプロセスチャンバ（９００）は，図１０に図示されたように，チャンバハウジング（９０４）の天井に二つ以上の誘導結合プラズマ反応器（９１０ａ，９１０ｂ）を設置することができる。二つ以上の誘導結合プラズマ反応器（９１０ａ，９１０ｂ）を設置してより広いボリュームと向上した均一度を有するプラズマを発生することができる。

図１１および図１２は，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバの他の例を示した斜視図および断面図である。

図１１および図１２を参照すると，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用された他の例のプロセスチャンバ（９２０）は，被処理作業板（９２８）が置かれるサセプタ（９２７）を内設したチャンバハウジング（９２４）の天井に，複数のホール（９２９）を具備する。複数のホール（９２９）には誘導結合プラズマ発生器（９３０）が結合される。

誘導結合プラズマ発生器（９３０）は，中空型放電管ヘッド（９２１）と複数の中空型放電管ブリッジ（９３１）とを具備する。中空型放電管ヘッド（９２１）は，上記チャンバハウジング（９２４）の天井に形成された複数のホール（９２９）に対応する個数のホール（９３２）が下部面に具備され，上部面にガス入口（９２２）が具備される。複数の中空型放電管ブリッジ（９３１）は，チャンバハウジング（９２４）天井の複数のホール（９２９）とそれに対応した放電管ヘッド（９２１）下部面の複数のホール（９３２）の間にそれぞれ連結される。本実施形態における中空型放電管ブリッジ（９３１）は，四つ形成され，それぞれ四角形になるように等間隔に配置され，これに適合するようにチャンバハウジング（９２４）の天井に四つのホール（９２９）が，そして中空型放電管ヘッド（９２１）の底面にもこれに適合するように四つのホール（９３２）がそれぞれ形成される。

そして複数の中空型放電管ブリッジ（９３１）には，それぞれドーナツ形状のマグネチックコア（９２５）が装着され，マグネチックコア（９２５）には第１インピーダンス整合器（５００）（図１参照）を介して主電力供給源（４００）に連結される誘導コイル（９２６）が巻かれている。

このようなプロセスチャンバ（９２０）は，誘導コイル（９２６）により誘導される起電力によって中空型放電管ヘッド（９２１）と，複数の中空型放電管ブリッジ（９３１）と，チャンバハウジング（９２４）の内部とを連結するプラズマ放電パスが形成される。ここで，複数の中空型放電管ブリッジ（９３１）は全て誘導コイル（９２６）が巻かれたマグネチックコア（９２５）が装着される。

また，複数の中空型放電管ブリッジ（９３１）のうち少なくとも一つにはマグネチックコアが装着されないこともある。マグネチックコアと誘導コイルが装着されない中空型放電管ブリッジも依然としてプラズマ放電パスが形成される。そして対面的な被処理基板を処理するために中空型放電管ブリッジ（９３１）の数を増設することができる。

上述した例のように，該プロセスチャンバ（９２０）でも中空型放電管ヘッド（９２１）と複数の中空型放電管ブリッジ（９３１），そしてチャンバハウジング（９２４）の内側面全体的にポリマー防止のための石英のような絶縁体層（図示しない）が設置される。

図１３および図１４は，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバのさらに他の例を示した斜視図および断面図である。

図１３および図１４を参照して，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用された他の例のプロセスチャンバ（９４０）は，被処理作業板（９４８）が置かれるサセプタ（９４７）が内設されるチャンバハウジング（９４４）の内側上部空間に誘導結合プラズマ発生器（９５０）が配置される。

誘導結合プラズマ発生器（９５０）は，チャンバハウジング（９２４）の上部空間に位置するリング状の中空型コアジャケット（９５１）を具備する。中空型コアジャケット（９５１）はチャンバハウジング（９４４）の上部空間に固定するようにチャンバハウジング（９４４）の上部側壁（９４１）から中空型コアジャケット（９５１）に延長して設置される少なくとも一つの固定ブリッジ（９５２）を有する。コアジャケット（９５１）の内部にはリング状のマグネチックコア（９４５）とマグネチックコア（９４５）に巻かれた誘導コイル（９４６）を搭載する。

誘導コイル（９４６）は，第１インピーダンス整合器（５００）（図１参照）を介して主電力供給源（４００）に連結される。チャンバハウジング（９４４）の上部側壁（９４１）は固定ブリッジ（９５２）が連結される位置にホール（９５３）が形成され，これを介して誘導コイル（９４６）が外部に延長して排出される。図面には具体的に図示しなかったが，ホール（９４３）を介して冷却水の供給が可能になる。

このようなプロセスチャンバ（９４０）は，誘導コイル（９４６）により誘導される起電力によって中空型コアジャケット（９５１）の外部を全体的に覆うプラズマ放電パスが形成される。そして対面的な被処理基板を処理するために中空型コアジャケット（９５１）のサイズを大きくし，またこれに適合するようにマグネチックコア（９４５）のサイズを大きくできる。または中空型コアジャケット（９５１）とマグネチックコア（９４５）を複数具備することもできる。

上述した例のように，該プロセスチャンバ（９４０）でも中空型コアジャケット（９５０）と固定ブリッジ（９５２）をポリマー防止のため石英のような絶縁体で構成し，チャンバハウジング（９２４）の内側面も絶縁体層（図示しない）が設置される。

以上で説明したように，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムは具備される複数のプロセスチャンバに上述した例のように多様な形態の誘導結合プラズマ発生器を具備する。そして後述するように，複数のプロセスチャンバはそれぞれプラズマ密度調節のための調節器を具備する。

図１５は，プラズマ密度調節機能を具備したマルチチャンバプラズマプロセスシステムの回路構成図である。

図１５を参照すると，プラズマ密度調節機能を具備するマルチチャンバプラズマプロセスシステムの前提的な構成は，図１に図示されたように基本的に同一に構成される。但し，複数のプロセスチャンバ（１００，１１０，１２０）は誘導結合プラズマ発生器（１０１，１１１，１２１）によって発生されるプラズマの密度を調節するためのプラズマ密度調節器（１０２，１１２，１２２）が具備される。そしてプラズマ密度調節器（１０２，１１２，１２２）は，制御部（７００）で提供される第３制御信号（７０４）によって制御される。

プラズマ密度調節器は後述するように，密度調節平板と，密度調節平板を駆動させるための駆動手段とで構成される。駆動手段は制御部（７００）の第３制御信号（７０４）にしたがって密度調節平板を駆動させる。

図１６〜図１８は，本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバにプラズマ密度調節器が構成された例を示した断面図である。

図１６に図示されたように，一実施形態のプロセスチャンバ（９００）は，外部放電ブリッジ（９０１）の内側上部放電空間を横切って全体的に設置される多孔ホールが形成された密度調節平板（１０００）が装着される。そして密度調節平板（１０００）は，駆動手段（図示しない）によって上下に垂直移動可能である。駆動手段は例えば，油圧や空圧バルブまたは電気的モータとギアアセンブリなど多様な方式で構成される。

図１７に図示されたように，他の実施例のプロセスチャンバ（９２０）では中空型放電管ヘッド（９２１）の内側放電空間を横切って全体的に密度調節平板（１０００）が設置される。そして上述したような駆動手段（図示しない）によって密度調節平板（１０００）が上下に垂直移動する。

図１８に図示されたように，さらに他の実施例のプロセスチャンバ（９４０）は，中空型コアジャケット（９５１）の上部領域でチャンバハウジングの内側上部を横切って全体的に密度調節平板（１０００）が設置される。そして上述したような駆動手段（図示しない）によって密度調節平板（１０００）が上下に垂直移動する。

以上のように，プロセスチャンバ（９００，９２０，９４０）で，密度調節平板（１０００）が上側に移動することによってプラズマ放電空間が広くなりながらプラズマ密度が増加し，下側に移動することによってプラズマ放電空間が縮小しながらプラズマ密度が減少する。それにより工程条件やプロセスチャンバのそれぞれの特性によってプラズマ密度を適切に制御して工程収率を向上することができる。

以上のような本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムは半導体装置の製造や液晶ディスプレイ装置の製造のためのエッチング工程，化学気相蒸着工程など多様な製造工程に適用され工程収率を高めることができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムの全体構成を示した回路構成図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムにおいて，プロセスチャンバを積層構造で構成した例を示した図面である。図１の第１インピーダンス整合器に構成された可変インダクタの構造を示した斜視図である。図３の第１および第２マグネチックコアの相対的位置が変化する多様な場合を例示する図面である。図３の第１および第２マグネチックコアの相対的位置が変化する多様な場合を例示する図面である。図３の第１および第２マグネチックコアの相対的位置が変化する多様な場合を例示する図面である。図１のインピーダンス整合器に構成される可変インダクタの他の例を示した斜視図である。図１の点火電力供給部に構成された可変トランスフォーマの構造を示した斜視図である。図６の可変トランスフォーマの可変制御方式を説明するための図面である。図６の可変トランスフォーマの可変制御方式を説明するための図面である。図６の可変トランスフォーマの可変制御方式を説明するための図面である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバの一例を示した斜視図および断面図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバの一例を示した斜視図および断面図である。図８に図示されたプロセスチャンバの変形例を示した斜視図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバの他の例を示した斜視図および断面図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバの他の例を示した斜視図および断面図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバのまた他の例を示した斜視図および断面図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバのまた他の例を示した斜視図および断面図である。プラズマ密度調節機能を具備したマルチチャンバプラズマプロセスシステムの回路構成図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバにプラズマ密度調節器が構成された例を示した断面図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバにプラズマ密度調節器が構成された例を示した断面図である。本実施形態のマルチチャンバプラズマプロセスシステムに採用されたプロセスチャンバにプラズマ密度調節器が構成された例を示した断面図である。

符号の説明

１００，１１０，１２０：プロセスチャンバ
２００，２１０，２２０：第２インピーダンス整合器
３００，３１０，３２０：バイアス電源
４００：主電力供給源
５００：第１インピーダンス整合器
６００：点火電力供給部
７００：制御部

Claims

誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；
それぞれの前記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電力を供給する主電力供給源と；
前記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；
前記主電力供給源からのＲＦ電力の供給を受けて，前記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；
複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電力を供給する複数のバイアス電源と；
前記複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；
前記第１インピーダンス整合器と，前記複数の第２インピーダンス整合器と，前記点火電力供給部とを制御する制御部と；
を含み，
前記第１インピーダンス整合器および複数の第２インピーダンス整合器は，それぞれインピーダンス整合のための少なくとも一つの可変インダクタを含み，
前記可変インダクタは，馬蹄形状を有し両端が互いに対向するように配置された第１および第２マグネチックコアと；第１および第２マグネチックコアにそれぞれ巻かれつつ連続した第１および第２巻線コイルと；前記制御部の制御によって第１および／または第２マグネチックコアを移動させて第１および第２マグネチックコアの相対的位置を変化させる駆動手段と；を含み，
前記可変インダクタは，第１および第２マグネチックコアの相対的位置が変化することにより第１および第２巻線コイルによって誘起される磁束の方向が互いに一致または互い違いになり，または逆方向を有するようになることで第１および第２巻線コイルによるインダクタンスが変化し，または，前記可変インダクタは第１および第２マグネチックコアの相対的距離が変化することにより第１および第２巻線コイルによって誘起される磁束が第１および第２マグネチックコアに集束され，それによる磁束数が増加または減少して第１および第２巻線コイルによるインダクタンスが変化することを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステム。
誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；
それぞれの前記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電力を供給する主電力供給源と；
前記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；
前記主電力供給源からのＲＦ電力の供給を受けて，前記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；
複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電力を供給する複数のバイアス電源と；
前記複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；
前記第１インピーダンス整合器と，前記複数の第２インピーダンス整合器と，前記点火電力供給部とを制御する制御部と；
を含み，
前記第１インピーダンス整合器および複数の第２インピーダンス整合器は，それぞれインピーダンス整合のための少なくとも一つの可変インダクタを含み，
前記可変インダクタは，両端が開放されて並列に配列された第１および第２中空型チューブと；第１および第２中空型チューブにそれぞれ巻線されつつ連続した第１および第２巻線コイルと；馬蹄形状を有し両端が互いに対向するように第１および第２中空型チューブに装着される第１および第２マグネチックコアと；前記制御部の制御によって第１および／または第２マグネチックコアを移動させて相対的距離を変化させる駆動手段と；を含み，
前記可変インダクタは，第１および第２マグネチックコアの相対的距離が変化することにより第１および第２巻線コイルによって誘起される磁束が第１および第２マグネチックコアに集束され，それによる磁束数が増加または減少して第１および第２巻線コイルによるインダクタンスが変化することを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステム。
誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；
それぞれの前記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電力を供給する主電力供給源と；
前記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；
前記主電力供給源からのＲＦ電力の供給を受けて，前記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；
複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電力を供給する複数のバイアス電源と；
前記複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；
前記第１インピーダンス整合器と，前記複数の第２インピーダンス整合器と，前記点火電力供給部とを制御する制御部と；
を含み，
前記点火電力供給部は，一次側が電源供給源に連結され，二次側が複数の誘導結合プラズマ発生器の点火電極に並列に連結される可変トランスフォーマを含み，
前記可変トランスフォーマは，馬蹄形状を有し両端が互いに対向するように配置された第１および第２マグネチックコアと；第１マグネチックコアに巻かれた１次側巻線コイルと；第２マグネチックコアに巻かれた２次側巻線コイルと；前記制御部の制御によって第１および／または第２マグネチックコアを移動させて第１および第２マグネチックコアの相対的位置を変化させる駆動手段と；を含み，
前記可変トランスフォーマは，第１および第２マグネチックコアの相対的位置が変化することによって第１マグネチックコアと第２マグネチックコアに共通に集束される磁束数が増加または減少し，１次側巻線コイルから２次側巻線コイルに伝達される誘導起電力が変化することを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステム。
誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；
それぞれの前記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電力を供給する主電力供給源と；
前記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；
前記主電力供給源からのＲＦ電力の供給を受けて，前記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；
複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電力を供給する複数のバイアス電源と；
前記複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；
前記第１インピーダンス整合器と，前記複数の第２インピーダンス整合器と，前記点火電力供給部とを制御する制御部と；
を含み，
前記複数のプロセスチャンバは，被処理基板の置かれるサセプタが位置したチャンバハウジングの天井に少なくとも二つのホールを備え，
前記誘導結合プラズマ発生器は，
少なくとも二つのホールに両端が結合される少なくとも一つの中空型かつＣ形状の外部放電ブリッジと；
外部放電ブリッジに装着される少なくとも一つのドーナツ形状のマグネチックコアと；
マグネチックコアに巻線され第１インピーダンス整合器を介して主電力供給源に連結される誘導コイルと；
外部放電ブリッジの内側上部放電空間を横切って全体的に設置される，多孔ホールが形成された密度調節平板と；密度調節平板を上下に垂直移動させる駆動手段と；を含むプラズマ密度調節器と；
を含み，
誘導コイルによって誘導される起電力によって外部放電ブリッジの内部とチャンバハウジングの内部を介してプラズマ放電パスが形成され，
密度調節平板が上側に移動することによってプラズマ密度が増加し，下側に移動することによってプラズマ密度が減少することを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステム。
誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；
それぞれの前記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電力を供給する主電力供給源と；
前記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；
前記主電力供給源からのＲＦ電力の供給を受けて，前記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；
複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電力を供給する複数のバイアス電源と；
前記複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；
前記第１インピーダンス整合器と，前記複数の第２インピーダンス整合器と，前記点火電力供給部とを制御する制御部と；
を含み，
前記複数のプロセスチャンバは，被処理作業板が置かれるサセプタを内設したチャンバハウジングの天井に複数のホールを備え，
前記誘導結合プラズマ発生器は，
チャンバハウジング天井の複数のホールと対応する個数のホールが下部面に設けられ，上部面にガス入口が設けられた中空型放電管ヘッドと；
チャンバハウジング天井の複数のホールと，それに対応した放電管ヘッド下部面の複数のホールの間に連結される複数の中空型放電管ブリッジと；
前記中空型放電管ブリッジの外面に沿って装着されるドーナツ形状のマグネチックコアと；
前記マグネチックコアに巻線され第１インピーダンス整合器を介して主電力供給源に連結される誘導コイルと；
を含み，
誘導コイルによって誘導される起電力によって，前記中空型放電管ヘッドと，前記複数の中空型放電管ブリッジと，前記チャンバハウジングの内部とを連結するプラズマ放電パスが形成され，
前記複数の中空型放電管ブリッジのうち少なくとも一つの中空型放電管ブリッジにはマグネチックコアが装着されないことを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステム。
誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；
それぞれの前記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電力を供給する主電力供給源と；
前記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；
前記主電力供給源からのＲＦ電力の供給を受けて，前記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；
複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電力を供給する複数のバイアス電源と；
前記複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；
前記第１インピーダンス整合器と，前記複数の第２インピーダンス整合器と，前記点火電力供給部とを制御する制御部と；
を含み，
前記複数のプロセスチャンバは，被処理作業板が置かれるサセプタを内設したチャンバハウジングの天井に複数のホールを備え，
前記誘導結合プラズマ発生器は，
チャンバハウジング天井の複数のホールと対応する個数のホールが下部面に設けられ，上部面にガス入口が設けられた中空型放電管ヘッドと；
チャンバハウジング天井の複数のホールと，それに対応した放電管ヘッド下部面の複数のホールの間に連結される複数の中空型放電管ブリッジと；
前記中空型放電管ブリッジの外面に沿って装着されるドーナツ形状のマグネチックコアと；
前記マグネチックコアに巻線され第１インピーダンス整合器を介して主電力供給源に連結される誘導コイルと；
中空型放電管ヘッドの内側放電空間を横切って全体的に設置される，多孔ホールが形成された密度調節平板と；前記密度調節平板を上下に垂直移動させる駆動手段と；を含むプラズマ密度調節器と；
を含み，
誘導コイルによって誘導される起電力によって，前記中空型放電管ヘッドと，前記複数の中空型放電管ブリッジと，前記チャンバハウジングの内部とを連結するプラズマ放電パスが形成され，
前記密度調節平板が上側に移動することによってプラズマ密度が増加し，下側に移動することによってプラズマ密度が減少することを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステム。
誘導結合プラズマ発生器をそれぞれが備える複数のプロセスチャンバと；
それぞれの前記誘導結合プラズマ発生器にプラズマ発生のためのＲＦ電力を供給する主電力供給源と；
前記主電力供給源と誘導結合プラズマ発生器の間に連結される第１インピーダンス整合器と；
前記主電力供給源からのＲＦ電力の供給を受けて，前記誘導結合プラズマ発生器に設けられた点火電極に点火電力を供給する点火電力供給部と；
複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタに，それぞれバイアス電力を供給する複数のバイアス電源と；
前記複数のプロセスチャンバに設けられたそれぞれのサセプタと，それに対応したバイアス電源との間に連結される複数の第２インピーダンス整合器と；
前記第１インピーダンス整合器と，前記複数の第２インピーダンス整合器と，前記点火電力供給部とを制御する制御部と；
を含み，
前記複数のプロセスチャンバはサセプタが置かれるチャンバハウジングの内側上部空間に誘導結合プラズマ発生器が配置され，
前記誘導結合プラズマ発生器は，
チャンバハウジングの上部空間に位置するリング状の中空型コアジャケットと；
前記中空型コアジャケットを前記チャンバハウジングの上部空間に固定するようにチャンバハウジングの上部側壁から中空型コアジャケットに延長して設置される少なくとも一つの固定ブリッジと；
前記中空型コアジャケットの中空部に包含されるように搭載されるリング状のマグネチックコアと；
前記マグネチックコアに巻線され前記第１インピーダンス整合器を介して前記主電力供給源に連結される誘導コイルと；
を含み，
前記誘導コイルによって誘導される起電力によって前記中空型コアジャケットの外部を全体的に覆うプラズマ放電パスが形成されることを特徴とする，マルチチャンバプラズマプロセスシステム。
前記複数のプロセスチャンバに設けられる誘導結合プラズマ発生器は，第１インピーダンス整合器を介して，主電力供給源に，電気的に直列に連結され，誘導結合プラズマ発生器に設けられる点火電極は，前記点火電力供給部に並列に連結されることを特徴とする，請求項１〜７のいずれか１項に記載のマルチチャンバプラズマプロセスシステム。
前記複数のプロセスチャンバは，少なくとも二つのプロセスチャンバが積層構造またはクラスタ構造を有することを特徴とする，請求項１〜８のいずれか１項に記載のマルチチャンバプラズマプロセスシステム。
前記第１および第２中空型チューブは絶縁体で構成されることを特徴とする，請求項２に記載のマルチチャンバプラズマプロセスシステム。
前記外部放電ブリッジとチャンバハウジングの内側面全体的に絶縁体層が設けられることを特徴とする，請求項４に記載のマルチチャンバプラズマプロセスシステム。
前記中空型放電管ヘッドと，前記複数の中空型放電ブリッジと，前記チャンバハウジングの内側面とは，全体的に絶縁体層が設けられることを特徴とする，請求項５または６に記載のマルチチャンバプラズマプロセスシステム。
前記中空型コアジャケットと固定ブリッジは絶縁体で構成され，前記チャンバハウジングの内側面は，全体的に絶縁体層が設けられることを特徴とする，請求項７に記載のマルチチャンバプラズマプロセスシステム。
前記誘導結合プラズマ発生器はプラズマ密度調節器を含み，
前記プラズマ密度調節器は，前記中空型コアジャケットの上部領域でチャンバハウジングの内側上部を横切って全体的に設置されて，多孔ホールが形成された密度調節平板と；前記密度調節平板を上下に垂直移動させるための駆動手段と；を含み，
前記密度調節平板が上側に移動することによってプラズマ密度が増加し，下側に移動することによってプラズマ密度が減少することを特徴とする，請求項７に記載のマルチチャンバプラズマプロセスシステム。