JP4504358B2 - 反射光学要素、光学システム及びｅｕｖリソグラフィ装置 - Google Patents

Description

本発明は、極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための、少なくとも１つの層を有するカバー層システムを備え、空間的な構造がデカルト座標系(ｘ,ｙ,ｚ)においてｚ＝ｚ(ｘ,ｙ)で記述されることができる、反射光学要素に関する。他の座標系が、この空間的な構造を記述するために可能である。

さらに、本発明は、極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための、少なくとも１つのカバー層システムを備えた少なくとも２つの反射光学要素を有する光学システム又はＥＵＶリソグラフィ装置に関する。

複数の層から構成されている多層が、ＥＵＶと軟Ｘ線との波長領域に対する光学要素で最適な反射率を達成するために用いられている。このような多層は、周期的な反復、すなわち、基本的な場合には２層からなる周期から構成されている。原則として、１層材料は、可能な最も高い反射係数とわずかな吸収とを備えている一方で、その他の層材料は、可能な最も低い反射係数を有する。この高い反射係数とわずかな吸収を備えた層は、またスペーサとして知られており、前記低い反射係数を有する層は、アブソーバと呼ばれている。前記周期の厚さと個々の層の厚さとは、動作波長と、平均入射角と、入射放射の角度バンド幅（angle bandwidth）とには独立に、照射されている表面に渡る積分反射率が最大化されるように選ばれている。カバー層システムにより、もはや周期的ではなく、自由界面において閉塞体を形成している多層コーティング又は光学要素が意味されている。

反射光学要素は、例えば、半導体構成要素の生産のためのＥＵＶリソグラフィ装置において用いられている。使用に際してこの反射光学要素は、２０ｍＷ／ｍｍ^２に上るＥＵＶ強度以上の放射と、水、酸素及び炭化水素の残余ガス部分及び他の残余ガス構成成分との両方に露出されている。照射された表面に吸収されている残余ガス構成成分は、ＥＵＶフォトンによる表面の照射による光誘起電子により反応性の分解生成物に分解される。これは、一般的に劣化又は汚染、例えば、多層表面の酸化、炭素の堆積、相互拡散、材料の損傷など、に導く。これらの効果は、画像の欠損と伝達損失とに導いている。最悪の場合には、所望されている結象は、不可能である。このように、ＥＵＶリソグラフィ装置の運転の間に再生サイクルが与えられていなければならない。この再生サイクルは、大きく運転コストを増加させるだけでなく、極端な場合には、不可逆な損傷に導き、それで、影響を受けている反射光学要素の交換を意味しうる。

ここまで、反射光学要素の表面を保護すると仮定される、反射光学要素の表面のカバー層システムを与えることによるこの表面の好ましくない変化に抗することを試みてきた。従来の反射光学要素の基本的なレイアウトが、図１ａ、図１ｂ及び図１ｃに示されている。これらは、３つの異なる多層システム２を示している。図１ａにおいて、層の厚さが、前記多層システム２の厚さに沿ってとまた前記表面にわたってとの両方で一定になっている多層システム２が示されている。図１ｂは、１周期の厚さの割合は、深さ全体に沿って一定になっているが、前記表面に厚さの一定ではない分布がある。その結果、前記多層システム２は、横向きの勾配を有している。図１ｃにおいて、前記多層システム２は、横向きの勾配を有していないが、この多層システムの深さに渡って層の厚さ分布が変化している（いわゆる、深さ勾配した（depth-graded）多層）。全ての多層は、基板３上に堆積されている。前記多層システム２の下には、前記基板３の部分は、シェーパ（shaper）としても知られている、光学に形状を与えている領域として形成されている。このシェーパ５は、主に、光学要素１に所望の光学的な特性に導く形状を与えるために必要とされている。前記多層システム２は、カバー層システム６に接している。図１ａ、図１ｂ及び図１ｃにおいて、このカバー層システム６は、２つの部分７、８から構成されており、部分７は、一般に前記多層システムへの位相の適合をすることと、相互拡散からの保護との役割を果たし、第２の部分８は、一般に実際の汚染からの保護のために役に立っている。真空に接している前記カバー層システム６の境界面４は、自由境界面４として知られている。

ここまで、従来技術において、従来技術は、特定のカバー層材料の選択により、前記反射光学要素の汚染と劣化とに好ましい影響を与えるように努められてきた。このように、例えば、ＵＳ６，２２８，５１２は、ＭｏＲｕ／Ｂｅ多層の上に水と相互作用しないＳｉＯ_２、Ｚｒ_２Ｏ又はＺｎＯの保護層を設けることを提案している。特に、ＺｎＯが薦められている。なぜなら、亜鉛が塗布されると、わずか０．５から０．６ｎｍの厚さのＺｎＯ層が形成され、このＺｎＯ層は、このわずかな厚さのために反射率を著しく損なうことなく酸化に対して前記多層を十分に保護している。

ＵＳ ５，９５８，６０５は、ＥＵＶ多層のための特殊な保護層システムを提案しており、この保護層システムにおいて、前記多層の上に直接位置されているシリコンまたはベリリウムの下層が提案されており、少なくとも１つの上層がこの下層の上に塗布され、この上層は、酸化と腐食とに抗する材料を有し、また、下に置かれている複数の層を酸化に対して保護している。

ＵＳ ５，９５８，６０５と、ＵＳ ６，２２８，５１２との前記保護層が、酸素の影響による劣化に対する保護を提供する一方で、炭素を含有する物質からの汚染がなお起こっている。これらは、反射率の制御できない損失と、波面の変化に導いている。

この背景に対して、本発明の問題は、汚染と劣化との好ましくない影響が可能な限り低い、反射光学要素、対応する光学システムまたはＥＵＶリソグラフィ装置を提供することである。

この問題は、請求項１乃至１３に係る反射光学要素、請求項１４乃至１６に係る光学システム及び請求項１７と請求項１８とに係るＥＵＶリソグラフィ装置により解決される。さらに、この問題は、請求項１９に係る半導体要素により解決される。

本発明は、炭素を含有する物質による一般的な劣化と特に汚染とを可能な限り低くするように、単に材料の選択だけでなく前記カバー層システムの幾何学的形状をも用いる原則に基づいている。前記カバー層システムの少なくとも１つの層が、０ではない勾配を有する、空間座標の関数としてのカバー層システムの厚さ分布ｄ(ｘ,ｙ)の特定の選択により、表面のどの場所にどれだけ多くの汚染が起こるのかを制御することができる。このように、汚染は、反射光学要素、光学システム又はＥＵＶリソグラフィ装置を操作又は設計する時に、計算され、考慮されることができる。

もし、前記反射光学要素が、多層システムを有するならば、少なくとも１つの方向に０とは異なっている前記カバー層システムの２次元厚さ分布の勾配は、前記多層システムの２次元厚さ分布の勾配と等しくない。

極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線領域のための、空間的な位置がデカルト座標系(ｘ,ｙ,ｚ)においてｚ＝ｚ(ｘ,ｙ)により記述されることができる少なくとも１つの層を含んでいるカバー層システムを有する多層システムによりコーティングされている反射光学要素は、位置(ｘ,ｙ)でのこのカバー層システムの少なくとも一つの層の厚さ分布ｄ(ｘ,ｙ)の勾配が、このカバー層システムに直接隣接している前記多層システムの多くとも１０の個々の層の勾配に等しくないことを特徴とすることができる。

好ましくは、前記カバー層システム（６）の少なくとも１つの層は、光学要素の表面に渡って１Å以上の、好ましくは３Å以上の、特に５Å以上の厚さ変化を有する。

もし、前記反射光学要素がシェーパを備えているならば、前記カバー層システムの厚さ分布が、反射光学要素の前記自由境界面が、ｘｙ座標に関して少なくとも１つの方向で前記シェーパの形状を再現しているようであることは、有利であり得る。前記カバー層システムの厚さ変化は、前記多層システムの横向きの勾配をちょうど補うことができる。このことは、前記反射光学要素の干渉計による制御を容易にしている。さらに、これにより特に反射時に生成される定常波の位相をシフトさせることができる。

特別に好ましい実施の形態において、厚さ分布は、単調に、好ましくは厳密に単調に、ｘｙ座標系に関して少なくとも１つの方向に、作動入射放射のビーム断面に渡る強度分布と共に変化している。このことは、特に光誘起電子の数を修正するように、反射により生成された定常波の自由境界面の位置における電場強度に対する前記カバー層システムの厚さ分布を設定している。

より多くの光電子が、高い放射強度の場所で生成され、これらの光電子は、表面に吸収されている残余ガス構成成分を反応性生成物に分解し、この反応性生成物は、表面の増大された汚染と劣化とを引き起こす。前記自由境界面が、電場強度が比較的大きなカバー層の厚さで減少するように、前記定常波に対して位置されていると仮定すると、前記カバー層システムの特に大きな厚さは、高い放射強度を有する領域で与えられることになる。このことは、比較的少ない光電子が誘起されるように、真空に接している前記自由境界面の位置での反射により生成されている定常波の電場強度を局所的に修正していることになる。このように、例えば、放射強度に関係なく、表面全体に渡って一定である光の放出速度を調整することができる。このことは、特に、リソグラフィ装置における長時間の使用（permanent duty）の間、汚染のための画像欠損を減少し、または、完全に妨げることになる。
他の好ましい実施の形態において、前記カバー層システムの厚さ分布は、入射放射強度に対して規格化された、作動入射放射のビーム断面にわたる強度分布のｘｙ座標の、前記自由境界面での反射により形成されている定常波の電場強度との畳み込みは、線形分布、回転対称分布又は線形分布と回転対称分布との重ね合わせ（以下では劣化プロファイルとして称される）を生じている。

前記畳み込みの代わりに、放射断面Ｉ（ｘ,ｙ）にわたる強度分布のｘｙ座標に関して、前記自由境界面で形成されている電場強度Ｅ（ｘ,ｙ）を掛け、放射強度に対して規格化された重み付き乗算Ｐ＝Ｐ(ｘ,ｙ)も行うことができる。すなわち、Ｐ（ｘ，ｙ）＝Ａ（ｘ，ｙ）×Ｉ（ｘ，ｙ）×Ｅ（ｘ，ｙ）、ここでＡ（ｘ，ｙ）は、前記カバー層材料に依存している、好ましくは、１から４の範囲にある無次元の要素である。

「Ｐ（ｘ＝一定,ｙ）は、Ｐ（ｘ＝一定,ｙ）＝ｙ＋ｂとして表現されることができ、Ｐ（ｘ，ｙ＝一定）は、Ｐ（ｘ，ｙ＝一定）＝ｃｙ＋ｄとして表現されることができる（ここでａ，ｂ，ｃ，ｄ∈Ｒ）」時、Ｐ（ｘ，ｙ）は、正確に「線形」（物理的次元の単位に関係なく）である。

「鏡面（mirror surface）の全ての（ｘ,ｙ）に対して、

が成立するような点（ｘ_０,ｙ_０）はない」時、Ｐ(ｘ,ｙ)は、正確に「回転対称」（物理的次元の単位に関係なく）である。

「Ｐ(ｘ,ｙ)が、上述の定義による線形な関数と回転対称な関数との線形結合として表現されることができる」時、Ｐ(ｘ,ｙ)は、正確に「線形な関数と回転対称な関数の重ね合わせ」（物理的次元の単位に関係なく）である。

「自由境界面における規格化された電場強度」は、自由伝播波の時間平均された強度と比較した（結果として生じる定常波に基づいている）自由境界面での実際の電場強度の利得要素を示している。自由境界面における規格化された電場強度の大きさは、０からほぼ４の範囲にあり、前記表面の各々の個々の点(ｘ,ｙ)に対して自由境界面と定常波の場との相対的な位置から計算される。

前記劣化プロファイルは、カバー層システムを有する光学要素の照射されている表面にわたる２次元光放出プロファイルに対応している。作動入射放射と、前記自由境界面の位置での反射により形成されている定常波の規格化された電場強度との両方は、規定されているカバー層材料と、規定されている作動波長とに対して、前記カバー層システムの第１の厚さ分布に計算されることができる。前記作動入射放射の強度分布と、定常波の規格化された電場強度との両方を、両方の量の畳み込みが所望されている結果と一致するまで変化させることにより、前記カバー層システムの最終的な厚さ分布は、逆方向に計算することにより見出されることができる。炭素による汚染である最も単純な劣化の場合には、前記畳み込みは、点ごと（point by point）の乗算である。劣化の一般的な場合には、この畳み込みは、劣化プロセスに依存する関数を掛けられた、上述の生成物の空間と時間とにわたる積分である。

特別に有利な点は、線形の及び回転対称の勾配は、必要であれば前記光学要素が上に取着されることができる複数のアクチュエータにより補償されることができることである。アクチュエータによる光学要素の幾何学的欠陥の補償は、長い間広く用いられてきた。画像の欠損は、前記カバー層システムの異なる厚さで光の放出速度を変更することと、アクチュエータで残りの勾配を補償することとにより、避けられることができる。

前記カバー層システムの厚さが増加している表面の各点で値が消えているような劣化プロファイルが特に好ましい。すなわち、汚染のために前記自由境界面が突き出している、前記反射光学要素の表面の各点で、層の厚さの増加に対応する前記自由境界面の突出で光放出は減少している。そうでなければ、汚染により厚さが増加されると、増加された汚染の可能性のさらなる増加の効果を得ることになる。これは、前記自由境界面に対する定常波の位相関係と関係があり、この位相関係は、過剰な汚染を妨げるために、カバー層が増加している時、この自由境界面の位置で定常波の強度が減少しているように常に選ばれていなければならない。層の損傷が原因の劣化の場合には、位相関係は、正反対に調整される必要がある。

極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長範囲に対する少なくとも２つの反射光学要素と、各々の為のカバー層とを有する光学システムは、前記カバー層システムが、異なる材料並びに／もしくは、ｘ並びに／もしくはｙ座標の関数としてのｚ方向における異なる厚さ分布を有することと、カバー層システムの少なくとも１つの層の厚さ分布が０とは異なる勾配を有することとで特徴付けられる。

特定の実施の形態に係われば、前記カバー層システムは、異なる材料を有し、並びに／もしくは、ｘ並びに／もしくはｙ座標の関数としてのｚ方向における異なる厚さ分布を有し、位置(ｘ,ｙ)における前記カバー層システムの少なくとも１つの層の厚さ分布ｄ(ｘ,ｙ)の勾配が、このカバー層システムに属している多層システムの最大で１０層の直接隣接している単一の層の全ての勾配に等しくない。

２つ以上の反射光学要素又は対応するＥＵＶリソグラフィ装置を有する光学システムの場合、必要な光電子放出の２次元プロファイルと、したがって必要とされている劣化プロファイルとが、各光学要素に対して特に調整されることができるように、厚さ勾配並びに／もしくは異なるカバー層材料を有するカバー層システムを用いることができる。特に、入射放射強度と波長バンドとによっての微分が望ましい。

波の経路の始めのミラーは、強い放射強度を受けやすく広い波長バンドを示している。反射率のある損失の下でこれらの反射光学要素を最適化すべきであり、その結果、これら反射光学要素の寿命を延ばすために光電流は、可能な限り低く表面に渡って一定となる。

実際の結像のために用いられている波の経路の終わりの反射光学要素は、ナローバンドでわずかな放射強度をだけ受けやすい。これら反射光学要素は、高い反射率のために最適化されるべきである。全体の比較的低い強度のために光電子の放出は、比較的少ない効果を有し、比較的少ない汚染の結果となるはずである。

特別に有利な点は、光学システム又はＥＵＶリソグラフィ装置の反射光学要素の個々のグループに対してほぼ同一の寿命を調整できることである。

本発明の反射光学要素、光学システム又はＥＵＶリソグラフィ装置を用いて製造されている半導体構成成分は、比較的低い不良品率と、比較的低い費用とで製造されるという有利な点を有する。一方で結像の質は、劣化が制御可能なために比較的良く、他方で装置に対して比較的長い寿命が達成されることができる。

本発明は、以下の例により、より詳しく説明される。

図１ａ、図１ｂ及び図１ｃは、既に説明された。

図２乃至４ｃには、本発明の光学要素の第１の好ましい実施の形態が記述されている。

図２（ａ）は、前記反射光学要素が共に用いられる第１の光学要素に対する入射ＥＵＶ放射の２次元強度分布を示している。この強度は、外側から中央に向かって増加している。

図２（ｂ）と図２（ｃ）とは、図２（ａ）に描かれている破線に対応するｘとｙとの方向における強度曲線を示している。このｘｙ-方向における強度曲線は、前記カバー層システムの厚さ曲線に対して単調に対応している。前記反射光学要素に高い放射強度が当たっている所では、カバー層システムは、また特に厚い。この強度が少ない所では、前記カバー層システムは、また比較的薄くなっている。図１ａ、図１ｂ及び図１ｃに対応して、７として指定されている厚さ分布は、このカバー層システムの下側部分に関連し、８として指定されている厚さ分布は、このカバー層システムの上側部分に対応している。

図３ｂ、図３ｄ、図３ｆ、図３ｈに見られることができるように、特定の反射光学要素は、ＭｏＳｉ_２中間層と、ＭｏＳｉ_２、モリブデン及びルテニウムの下側部分７から構成されているカバー層システム６とを有するシリコン−モリブデン多層である。炭素層は、カバー層システムの前記上側部分に対応している。

図３ａ、図３ｃ、図３ｅ及び図３ｇは、入射放射の波長の関数としての反射曲線及び前記自由境界面の所での反射により形成された定常波の規格化された電場強度をプロットしている。破線は、作動波長の位置を示している。任意単位において、自由境界面の所での前記規格化された電場強度は、図３ａにおいて１０単位、図３ｃにおいて７単位、図３ｅにおいて４単位及び図３ｇにおいて１単位である。図３ｂ、図３ｄ、図３ｆ及び図３ｈにおいて、前記規格化された電場強度は、作動波長において、真空における個々の層と前記自由境界面とに対する定常波の位置の関数としてプロットされている。図３ａと図３ｂ、図３ｃと図３ｄ、図３ｅと図３ｆ及び図３ｇと図３ｈが、対応している。

入射放射の強度分布と、前記反射光学要素の厚さ分布とに関して、指示されている点が、図２（ａ）に指示されている線上にある。図３ａ及び図３ｂは、カバー層の厚さが５ｎｍである分布の端に位置されている。図３ｃ及び図３ｄの場合には、このカバー層の厚さは、６ｎｍであり、図３ｅ及び図３ｆに対してこの厚さは、７ｎｍ、図３ｇ及び図３ｈに対してこの厚さは、８ｎｍである。ここで、放射強度と層の厚さとの両方が最も高くなっている。

結果の光放出プロファイルは、自由境界面の位置における定常波の前記規格化された強度の値に、この位置における放射強度の値を掛けることにより評価されることができる。図３ａ及び図３ｂにおいて、ＥＵＶ放射の強度は１単位であり、図３ｃ及び図３ｄにおいてこの強度は、１．５単位、図３ｅ及び図３ｆにおいてこの強度は、２．５単位、そして、図３ｇ及び図３ｈにおいてこの強度は、１０単位である。このように、表面全体に渡って１０単位の一定の光放出プロファイルを得る。このプロファイルは、２次元で図４（ａ）に示され、破線に沿ってｙ方向には図４（ｂ）にｘ方向には図４（ｃ）に示されている。

表面全体に渡って一定の光放出プロファイルは、中央に向かっての相対反射率の減少のおかげで達成されている。反射率は、周縁における６８．８％から強度最大における６５％に減少しており、このことは、システム全体の光学的な設計に考慮されるべきである。厚く非一様な汚染のために時間で変化している反射率の損失は、ウェハの照射と波面の特性とにとってずっと好ましくないことになる。

さらに、反射光学要素の前記自由境界面に対する定常波の位相関係を適切に選択しなければならない。上の例（図３ｂ、図３ｄ、図３ｆ及び図３ｈ）とは逆に、保護層の厚さが増加するにつれて半周期だけの位相シフトが、自由境界面の所における定常波の規格化された電場強度をまた増加させることになり、このように汚染は、時間に渡ってさらに蓄積している。

図５乃至７ｃにおいて、前記反射光学要素の第２の例の実施の形態が説明されている。ここで、入射放射の一様な強度分布９がある（図５（ａ））。前記反射光学要素は、しかしながら、多層システムの中に横向きの勾配を有している。この反射光学要素の上に、図５（ｂ）及び図５（ｃ）により示されているように、厚さ分布を有するカバー層システムが位置されている。横向きの勾配を有する前記多層システムは、平坦なシェーパを有する基板の上に位置されている。図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示されているカバー層システムを伴っているコーティングは、前記自由境界面がシェーパを再現するという効果を有する。このように、多層システムの厚さ変化は、カバー層の厚さ変化により完全に補われている。

図５（ａ）の位置１、２、３、４に関する状況は、図６ａと図６ｂ、図６ｃと図６ｄ、図６ｅと図６ｆ及び図６ｇと図６ｈに表されている。放射の強度は、全てを通して１単位であり、定常波の前記規格化された電場強度の値は、図６ａにおいて１０単位であり、図６ｃにおいて７単位であり、図６ｃにおいて４単位であり、図６ｇにおいて１単位である。

結果の光放出プロファイルは、図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示されており、位置１において１０単位、位置２において７単位、位置３において４単位、そして、位置４において１単位である。汚染プロファイルは、この特別な光学要素に対してもはや一定ではないが、この汚染プロファイルは、まだ計算されることができ、したがって、光学システムの設定に考慮されることができる。さらに、この反射光学要素は、この構成の光学干渉計による検査に特に適している。さらに、この反射光学要素は、特に、光学システムにおける移相器として用いられることができる。

図８乃至１０ｃにおいて、前記反射光学要素の第３の実施の形態が示されている。この反射光学要素は、強度分布が線形でも回転対称でもなく、むしろ例えば楕円形である放射と共に用いられる。カバー層の一定の厚さが、ｙ方向（図８（ｂ）、破線）において保たれており、層の厚さ分布は、強度分布と共にｘ方向（図８（ｃ）、破線）に単調に変化し、終了の結果は、回転対称な炭素の汚染プロファイル（図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ））である。

図９ａ、図９ｂ、図９ｃ、図９ｄ、図９ｅ、図９ｆ、図９ｇ及び図９ｈにおいて、図８（ａ）における位置１乃至４での状況が示されている。５ｎｍの層の厚さ（図９ａ、図９ｂ）の所では、定常波は、１０単位の規格化された電場強度を有し、強度は、同様に１０単位である。このことは、光放出に対して１００単位の値を与えている。６ｎｍの層の厚さの所では、定常波の前記規格化された電場強度は、７単位であり、強度は、７単位である。このことは、光放出に対して４９単位を与えている。７ｎｍの層の厚さの所では、定常波の前記規格化された電場強度は、４単位であり、強度は、同様に４単位である。このことは、１６単位の光放出を与えている。８ｎｍの厚さの所では、定常波の前記規格化された電場強度は、１であり、強度の値は、１単位であり、光放出に対する全体の値は、同様に１単位である。このように、カバー層システムの特別な厚さ分布のおかげで、前記汚染プロファイルは、ｙ方向には平坦化されている一方で、ｘ方向には、保たれている。その結果、このプロファイルは、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示されているように、楕円形の形状から回転対称な形状へと変換されることができる。この回転対称のプロファイルは、アクチュエータにより表面の法線の方向への前記反射光学要素の運動を通して補われることができ、その結果、結像の特性には、全く効果はない。

線形な勾配を達成するために、同様の技術が、カバー層システムの厚さ分布の適当な調整で可能である。

さらに、線形の又は回転対称の（そしてこうしてアクチュエータにより補正可能な）劣化をいたるところに残すクリーニング動作を達成することが、前記カバー層システムの厚さ分布の適当な調整によって考えられる。

従来技術の反射光学要素を示している。 従来技術の反射光学要素を示している。 従来技術の反射光学要素を示している。 （ａ）は 第１の光学要素に対する入射ＥＵＶ放射の２次元強度分布を示している。（ｂ）は、図２（ａ）のｙ方向の第１の光学要素のカバー層システムにおける厚さ分布又はＥＵＶ放射強度を示している。（ｃ）は、図２（ａ）のｙ方向の第１の反射光学要素のカバー層システムにおける厚さ分布又はＥＵＶ放射強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第１の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 （ａ）は、第１の反射光学要素での結果の２次元放出プロファイルを示している。（ｂ）は、図４（ａ）のｙ方向の光放出プロファイルを示している。（ｃ）は、図４（ａ）のｘ方向の光放出プロファイルを示している。 （ａ）は、第２の光学要素に対する入射ＥＵＶ放射の２次元強度分布を示している。（ｂ）は、図５（ａ）のｙ方向の第１の反射光学要素のカバー層システムにおける厚さ分布及びＥＵＶ放射強度を示している。（ｃ）は、図５（ａ）のｘ方向の第１の反射光学要素のカバー層システムにおける厚さ分布及びＥＵＶ放射強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第２の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 （ａ）は、第２の反射光学要素での結果の２次元放出プロファイルを示している。（ｂ）は、図７（ａ）のｙ方向の光放出プロファイルを示している。（ｃ）は、図７（ａ）のｘ方向の光放出プロファイルを示している。 （ａ）は、第３の光学要素に対する入射ＥＵＶ放射の２次元強度分布を示している。（ｂ）は、図８（ａ）のｙ方向の第１の反射光学要素のカバー層システムにおける厚さ分布及びＥＵＶ放射強度を示している。（ｃ）は、図８（ａ）のｘ方向の第１の反射光学要素のカバー層システムにおける厚さ分布及びＥＵＶ放射強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対する波長の関数としての固定された入射角での反射により形成された定常波の自由境界面の位置における反射率又は規格化された電場強度を示している。 第３の反射光学要素の自由境界面の異なる位置に対するカバー層システムの深さの関数としての、固定された入射角での反射により形成され第１の反射光学要素の光電流に強く影響を与えている定常波の規格化された電場強度を示している。 （ａ）は、第３の反射光学要素での結果の２次元放出プロファイルを示している。（ｂ）は、図１０（ａ）のｙ方向の光放出プロファイルを示している。（ｃ）は、図１０（ａ）のｘ方向の光放出プロファイルを示している。

Claims (16)

1. 少なくとも１つの層を有するカバー層システムを備え、空間的な構造がデカルト座標系(ｘ,ｙ,ｚ)においてｚ＝ｚ(ｘ,ｙ)で記述されることができる、極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための反射光学要素（１）において、前記カバー層システム（６）の空間座標の関数としてのカバー層システムの少なくとも１つの層の厚さ分布ｄ＝ｄ(ｘ,ｙ)は、０に等しくない勾配を有することを特徴とする反射光学要素。
2. 少なくとも１つの層を有するカバー層システムを備え、空間的な構造がデカルト座標系(ｘ,ｙ,ｚ)においてｚ＝ｚ(ｘ,ｙ)で記述されることができる、極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための、多層システム（２）を備えた反射光学要素（１）において、前記カバー層システム（６）を構成するカバー層のうち、少なくとも前記多層システム（２）に直接隣接するカバー層の厚さ分布は、前記反射光学要素（１）の表面に渡って０に等しくない勾配を有することを特徴とする反射光学要素。
3. 前記カバー層システム（６）の少なくとも一つの層は、光学要素の表面上で、５Å以上の厚さ変化を有することを特徴とする請求項１又は２に係る反射光学要素（１）。
4. ｘｙ座標に関して少なくとも１つの方向に、前記カバー層システム（６）の厚さ分布が、作動入射放射のビーム断面に沿った強度分布（３）と共に単調に変化していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
5. 前記厚さ分布は、作動入射放射のビーム断面に沿った強度分布の、前記自由境界面（４）での反射により形成され入射放射強度に対して規格化された定常波の電場強度との、ｘｙ座標に関する畳み込み（劣化プロファイル）が、線形分布を生じるような分布である請求項１乃至４のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
6. 前記厚さ分布は、作動入射放射のビーム断面に沿った強度分布の、前記自由境界面（４）での反射により形成され入射放射強度に対して規格化された定常波の電場強度との、ｘｙ座標に関する畳み込み（劣化プロファイル）が、回転対称分布を生じるような分布である請求項１乃至４のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
7. 前記厚さ分布は、作動入射放射のビーム断面に沿った強度分布の、前記自由境界面（４）での反射により形成され入射放射強度に対して規格化された定常波の電場強度との、ｘｙ座標に関する畳み込み（劣化プロファイル）が、線形分布と回転対称分布との重ね合わせを生じるような分布である請求項１乃至４のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
8. ｘｙ座標による畳み込みの結果の分布は、この分布の大きさが、前記カバー層システム（６）の厚さの増加と共に、表面のあらゆる点(ｘ,ｙ)で減少するような分布であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
9. 前記厚さ分布は、作動入射放射のビーム断面に沿った強度分布と、前記自由境界面（４）での反射により形成され入射放射強度に対して規格化された定常波の電場強度との、ｘｙ座標に関する重み付きの積（劣化プロファイル）が、線形分布を生じるような分布である請求項１乃至４のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
10. 前記厚さ分布は、作動入射放射のビーム断面に沿った強度分布と、前記自由境界面（４）での反射により形成され入射放射強度に対して規格化された定常波の電場強度との、ｘｙ座標に関する重み付きの積（劣化プロファイル）が、回転対称分布を生じるような分布である請求項１乃至４のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
11. 前記厚さ分布は、作動入射放射のビーム断面に沿った強度分布と、前記自由境界面（４）での反射により形成され入射放射強度に対して規格化された定常波の電場強度との、ｘｙ座標に関する重み付きの積（劣化プロファイル）が、線形分布と回転対称分布との重ね合わせを生じるような分布である請求項１乃至４のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
12. ｘｙ座標による重み付き積の結果の分布は、この分布の大きさが、前記カバー層システム（６）の厚さの増加と共に、表面のあらゆる点(ｘ,ｙ)で減少しているような分布であることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１に係る反射光学要素（１）。
13. 極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための少なくとも２つの反射光学要素を有し、これら反射光学要素の少なくとも１つは、請求項１乃至１２に係る要素である光学システム。
14. 各々が１つのカバー層システム（６）を有する極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための少なくとも２つの反射光学要素（１）を備えた、光学システムにおいて、このカバー層システム（６）は、異なる材料並びに／もしくはｘ並びに／もしくはｙ座標の関数としてのｚ方向への異なる厚さ分布を有することと、１つのカバー層システム（６）の少なくとも１つの層の厚さ分布は、０に等しくない勾配を有することとを特徴とする光学システム。
15. 少なくとも１つのカバー層システム（６）を有し、極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための少なくとも２つの反射光学要素（１）を備え、これら反射光学要素の少なくとも１つは、請求項１乃至１２に係る要素であるＥＵＶリソグラフィ装置。
16. 少なくとも１つのカバー層システム（６）を有する、極紫外線並びに／もしくは軟Ｘ線波長領域のための少なくとも２つの反射光学要素（１）を備えた光学システムにおいて、このカバー層システム（６）は、異なる材料並びに／もしくはｘ並びに／もしくはｙ座標の関数としてのｚ方向への異なる厚さ分布を有することと、１つのカバー層システム（６）の少なくとも１つの層の厚さ分布は、０に等しくない勾配を有することとを特徴とするＥＵＶリソグラフィシステム。

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