JP4495728B2

JP4495728B2 - 改良型整流ブリッジアセンブリ

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Publication number: JP4495728B2
Application number: JP2006521885A
Authority: JP
Inventors: シー，ジョー，シー．，ワイ．
Original assignee: シー，ジョー，シー．，ワイ．
Priority date: 2003-07-30
Filing date: 2004-07-16
Publication date: 2010-07-07
Anticipated expiration: 2024-07-16
Also published as: KR20060054401A; AU2004301785A1; MXPA06001109A; CR8214A; CA2533490A1; JP2007500101A; BRPI0413026A; WO2005013660A1; US6970357B2; MY135636A; TWI283508B; KR100919693B1; AU2004301785B2; US20050024833A1; CA2533490C; TW200525873A

Description

本発明は一般に、自動車のオルタネータで用いるなどの整流ブリッジアセンブリに関し、より詳細には、熱を放散させるための改良型整流ブリッジアセンブリに関する。

一般に整流器と呼ばれる整流ブリッジアセンブリは、自動車の充電システムの一部を形成するオルタネータアセンブリの構成部分の１つである。充電システムの基本的な役割は、オルタネータによって発生された電気を使用してバッテリーの充電を補給することである。オルタネータによって発生される電流は交流（ＡＣ）であり、バッテリーに貯蔵される電流は直流（ＤＣ）である。バッテリーを充電できるように、交流は直流に変換される必要がある。この変換は整流と呼ばれ、整流ブリッジアセンブリ特有の機能である。

一般的な自動車に使用されるオルタネータは、３相型の交流（ＡＣ）発電機である。各相によって発生された電気は、１つの整流ブリッジによって整流される必要がある。各整流ブリッジは２つのダイオードからなり、したがって１つのオルタネータに対して３つの整流ブリッジが必要になる。したがって、一般的な整流ブリッジアセンブリは、６つのダイオードを使用して３つの整流ブリッジから構成される。６つのダイオードのうちの３つは接地箇所に接続され、その他の３つのダイオードは、バッテリーに充電するＤＣ出力に接続されている。

整流過程の間、交流（ＡＣ）を直流（ＤＣ）に変換することで大量の熱が発生される。熱は、可能な限り迅速に効率的に放散される必要があり、そうしないとダイオードは比較的短い期間内に破壊される可能性がある。したがって通常は、整流ブリッジは、熱伝導率の良い材料のヒートシンクの上に半田付けされている。通常は、接地の一部は、負極のヒートシンクを提供し、バッテリーに充電するＤＣ出力と関連した構造の中には接地から導電的に、および端子的に独立になった正極のヒートシンクを提供するものもある。

整流ブリッジアセンブリは、一般にオルタネータアセンブリの一体化された部分として組み立てられる。オルタネータからバッテリーへの電流の出力は、交流から直流に整流するための整流ブリッジアセンブリの能力に大きく依存する。しかし、設定された出力レベルのダイオードを有する整流ブリッジアセンブリの性能は、利用されるヒートシンクの熱分散能力（ｈｅａｔｄｉｓｂｕｒｓｉｎｇａｂｉｌｉｔｙ）にかなり依存する。熱が整流ブリッジアセンブリからより早く分散できるほど、整流器はより冷却されて動作できる。整流器は、また、耐用年数がより長くなり、性能がより向上する。したがって、整流ブリッジアセンブリの設計の際に、ヒートシンクの能力にはかなり注意を払う必要がある。

従来、自動車に使用される整流ブリッジアセンブリは、２つのヒートシンクを有し、一方が負極側に、他方が正極側にあった。しかし、この従来のヒートシンク設計は、エンジン区画での空間を節約する必要から変更され、そうしなければエンジン区画が過密になった。たとえばＦｏｒｄＭｏｔｏｒ社の２Ｇオルタネータに使用される整流ブリッジアセンブリでは、６つの全てのダイオードは、９．１ｃｍ^２（３．６平方インチ）以下の領域内で１つのみのヒートシンクを介して熱を放散する方式で半田付けされている。現在、当業界で一般的なこの特有の設計は、熱放散能力（ｈｅａｔｄｉｓｐｅｒｓｉｎｇｃａｐａｃｉｔｙ）が非常に小さいことになる傾向がある。このような整流器の熱放散能力が小さいことにより、整流器がより簡単に早期に故障することになる。

Ｆｏｒｄ社の２Ｇオルタネータに見られるようなタイプの整流ブリッジアセンブリで熱放散特性（ｈｅａｔｄｉｓｓｉｐａｔｉｎｇｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）を向上させる１つの解決策が、引用によって本明細書に組み入れられるＨｓｉｅｈの米国特許第５，８９２，６７６号に開示されている。

エンジン区画内で部品の寸法を削減する要求を考慮して、整流ブリッジアセンブリの寸法を制限するその他の試みが行われてきた。そうした１つの解決策が、インディアナ州ＡｎｄｅｒｓｏｎのＤｅｌｃｏＲｅｍｙＡｍｅｒｉｃａ社によって製造された充電システム（ＣｈａｒｇｉｎｇＳＹＳＴＥＭ）を意味するシリーズ名（ｓｅｒｉｅｓｄｅｓｉｇｎａｔｉｏｎ）「ＣＳ」、およびミシガン州ＴｒｏｙのＤｅｌｐｈｉ社によって製造された複式内部ファン（Ｄｕａｌｉｎｔｅｒｎａｌｆａｎｓ）を備える空冷設計を意味するシリーズ名「ＡＤ」のもとに、ＧｅｎｅｒａｌＭｏｔｏｒｓ社によって製造された車両で見られるオルタネータで試みられてきた。こうした、Ｆｏｒｄ社の２Ｇオルタネータのタイプのような設計は、熱を放散するのに単一のヒートシンクを使用するが、正極および負極の整流ダイオードは、Ｆｏｒｄ社の２Ｇのタイプの設計と同じように直列に配置されるのではなく、並列に配置され、ヒートシンク内のウェル全体にわたって離隔した位置関係で分離して、整流ブリッジアセンブリの全体の厚さを減らし、ヒートシンク全体にわたる改善された熱分布をもたらす。意図された目的に合う一方で、ＣＳおよびＡＤシリーズのオルタネータは、ヒートシンクがより小さくなったことで効率が低下したことにより高熱になってしまう。とりわけこの問題は、ＣＳおよびＡＤシリーズのオルタネータでの整流ブリッジアセンブリの故障率を上昇させてきた。同様にこのことは、性能を低下させる。図１を参照すると、ＣＳタイプの整流ブリッジアセンブリ用のダイオードアセンブリ２０の圧入型ダイオードが示され、そこでは、ダイオードが２つの銅製タブ２４と２６の間に半田付けされた整流ダイ２２と呼ばれる半導体材料から形成され、次いでヒートシンク２９の穴の１つに挿入する目的でエポキシ２８に埋め込まれている。リード線３０は、整流ブリッジ回路（図示せず）と接続するためエポキシ２８の外に上方の銅製タブ２６から延び、反対側の銅製タブ２４は、回路内に適切に正極または負極のヒートシンクに接続するためにプレス嵌めされるメタルカップ３２に半田付けされる。この形態には２つの欠点があり、第１は、メタルカップ上のこぶによって形成されるエアギャップがダイオードアセンブリとヒートシンクの間に存在することであり、第２は、限られた熱のみがメタルカップ上の狭いこぶの輪を通ってヒートシンクに放散されることであり、これはヒートシンクの効率を大きく低下させる。

したがって、従来の設計での上述の問題を克服する新規の整流ブリッジアセンブリが必要になっている。こうした新規の整流ブリッジアセンブリは、標準のオルタネータアセンブリと共に使用するように適合され、かつ高いコスト効率で製造できる設計にする必要がある。本発明は、こうした必要を満たし、関連するその他の利点をもたらす。

整流ブリッジアセンブリは、少なくとも１つの交流電源に接続されており、この交流電源は、整流ブリッジ回路、及び、直流出力端子に作動可能に接続されて、交流を直流に変換する少なくとも２つのダイオードコンパートメントを有する。ヒートシンクが、少なくとも２つのダイオードコンパートメントを離隔した位置関係で実質的にヒートシンクと接触して受ける、少なくとも２つの開口部を備えて形成され、ダイオードコンパートメントからの熱がヒートシンクに均等に放散される。

１つの実施形態では、ダイオードコンパートメントが、開口部内でヒートシンクの実質的に全ての表面に接触する、熱伝導性で非導電性のエポキシによって取り囲まれたダイオードを含む。

別の実施形態では、ダイオードコンパートメントが、第１および第２の銅製タブに電気接続された整流器から形成されるダイオードを含み、第１の銅製タブは直接、開口部内の接触面に電気接続され、第２の銅製タブは整流ブリッジ回路に電気接続されている。

本発明のその他の態様、利点および新規の特徴は、添付の図面と関連させて考察すると本発明の以下の詳細な説明からさらに明らかになるであろう。

例示の目的のための図を参照すると、図２〜５に示された整流ブリッジアセンブリ４０が、ハウジングの上方部５４から形成された正極のリード部（ｌｅａｄ）に順方向にバイアスされた３組の回路に構成される６つのダイオードコンパートメント４２、４４、４６、４８、５０、および５２を含み、そのハウジングでは、それぞれの順方向にバイアスされた組の複数のダイオードコンパートメントが、回路内に正極のリード部と、ハウジングの下方部６０から形成される負極のリード部との間でステータリード部５６〜５８を接続する。実際の回路構成を下記により詳細に論じるが、ここに示される整流ブリッジは３相交流を直流に変換する目的で構成される。各ダイオードコンパートメント４２、４４、４６、４８、５０、および５２は、ヒートシンクの機能も果たす上部整流ブリッジハウジング５４に形成されるウェル（ｗｅｌｌ）６２に含まれる。ヒートシンクの熱放散特性は、上方部５４の側壁に沿って形成されるヒートフィン６４を介して向上される。整流ブリッジアセンブリの形状および寸法は、寸法、熱放散能力、および現行のオルタネータの形態への一致を含む要素の数によって導かれるが、それらに限定されず、図２〜６に示される整流ブリッジアセンブリは、ＣＳシリーズのオルタネータに一致する。しかし、本発明はこの形状に一致するものとして解釈すべきではない。有利なことには、上部のウェル６２は、エポキシ内に形成されたダイオードからヒートシンクに熱を伝達するエポキシ材料６６で満たされる。エポキシ６６は、好ましくは熱伝導性で非導電性のエポキシである。この目的に適したタイプのエポキシは、マサチューセッツ州ＥａｓｔＷｅｙｍｏｕｔｈのＬｏｒｄ社から販売されているが、自動車エンジンの電子部品を封入するのに適した任意の熱伝導性で非導電性のエポキシが使用できることを当分野の技術者は理解するであろう。

ダイオードコンパートメントの形態は、整流ブリッジハウジング（図６）の形態を検討することによってより完全に理解され、そのハウジングは、ヒートシンクとしても機能しダイオードをオルタネータのステータ（図示せず）に接続するための整流ブリッジ回路６８の下にあるハウジングの上方部５４を備える。整流ブリッジ回路６８は、各ダイオード７６〜８１に接続するリード部７０〜７５、正端子をダイオードなどの電圧調整器に接続するリード部８２、並びにステータから３つのリード部５６〜５８に接続する端子リード部を備える。整流ブリッジアセンブリを通る電力の流れをより均等に平衡化するために、コンデンサ８４がさらに設けられる。ハウジングの上方部５４は、整流ブリッジ回路６８内の正端子リード部８２とダイオード７７〜７９との間の回路接続も提供する。ハウジングの下方部６０は同様に、ダイオード７６、８０および８１と接地との間の接続を提供し、非導電性のガスケット８６によって上方部５４から分離される。ハウジングの下方部６０から整流ブリッジ回路６８に突出することができる非導電性のボルト８８および９０が、ナット、リベット締めまたは溶接などの従来の手段によって整流ブリッジ回路に固定される。さらに、整流ブリッジアセンブリをたとえばオルタネータ本体に固定するための非導電性のボルト穴９２および９４が設けられてもよい。負極のリード部に接続するダイオード７６、８０および８１用のウェル穴のみが、ハウジングの上方部５４を完全に貫通して、またガスケット８６貫通して突出することに留意されたい。正極のリード部に接続されたダイオード７７〜７９は、ハウジングの上方部内に終端するウェル内に収容される。

ハウジングを説明するのに使用される場合の用語「頂部の」もしくは「上方の」、および「底部の」もしくは「下方の」は、図面に関連して本発明をさらに理解するために本明細書で使用される相対語であることに留意されたい。ハウジングの負極の側は一般に、接地するためにオルタネータのフレームに接続されている。正極の側に対する負極の側の相対的な位置は、個々のモデル用のオルタネータのスリップリングエンドフレーム（ＳｌｉｐＲｉｎｇＥｎｄＦｒａｍｅ）（通常、ＳＲＥフレームと呼ばれる）の設計に応じて変更可能である。したがって、こうした用語は、本発明の適用を限定するものと解釈すべきではない。

図７を参照すると、整流ブリッジアセンブリは、オルタネータで見られるような、３相の交流を生成する３コイル式ステータ（ｔｈｒｅｅ−ｃｏｉｌｓｔａｔｏｒ）１００によって発生された交流の変換を提供する。自動車のオルタネータのステータで発生された電気は、３つのステータ接続端子１０２〜１０４のうちの１つに供給される。第１の組の複数のダイオード１０６が、接地（−）１０８と、３つのステータ接続端子１０２〜１０４のうちのそれぞれの１つとの間に配置され、第２の組の複数のダイオード１１０が、ステータ接続端子１０２〜１０４のそれぞれの１つと、正極の端子との間に配置されて、正極のヒートシンク５４を介してバッテリー（＋）１１１に直流の形で電源出力をもたらす。

正極のリード部に接続するダイオード１１２（図９）はハウジングの上方部５４に接続し、負極のリード部に接続するダイオード１１４（図８）はハウジングの下方部６０に接続する。いずれの場合にも（図８および９）、ダイオード１１２および１１４は、ハウジングに溶接することによって、またそれに限定はされないが整流ブリッジ回路に半田付けまたは溶接するなどの任意の従来の手段によって好ましく取り付けられる。次いで、ダイオードは、完全にウェルを満たすエポキシ６６によって取り囲まれる。エポキシによってウェルを完全に満たすことによって、ダイオードからの熱は、より効率的に上部のヒートシンクに伝達される。エポキシはさらに、ダイオードをハウジングの正に充電された上方部に接触しないように電気的に絶縁し、このことは特に、負極のリード部に接続するダイオードにとって望ましい。それは、そのダイオードが電気的に絶縁されたまま上部ハウジング部分に熱エネルギーを伝達する必要があることによる。

本明細書に説明するように、複数の銅製タブの間に挟持された整流ダイから形成されるダイオードは、「セル」タイプのダイオードと呼ばれ、効率的な電気接続のためにヒートシンクに半田付けできるので好ましいものである。ウェルを満たすのに使用されるときのエポキシは、「セル」タイプのダイオードを使用した形態に限定されず、「ボタン」型、「皿」型、および「圧入（ｐｒｅｓｓ−ｆｉｔ）」型のダイオードを含むがそれらに限定はされない任意の従来のダイオードが使用できることを当分野の技術者は理解するであろう。

図１０を参照すると、ダイオードの据付けは整流ダイ１２０を設けることを含み、そのダイは、好ましくは、整流ダイ１２０と電気接続した２つの銅製タブ１２２と１２４の間に挟持された、シリコンを材料とする半導体材料である。下方の銅製タブ１２２は、直接、ウェルの底部１２６のハウジングの部分に半田付けされ、その底部は回路を接続する接触面として機能し、一方でリード線１２８はそれに限定はされないが半田付けまたは溶接など従来の手段によって整流ブリッジ回路６８（図６）と銅製タブ１２４（図１０）の間を接続する。ダイオードとウェルの壁との間の空間は、エポキシ６６によって充填され、安定したダイオードコンパートメントをもたらす。このようにして、ダイオードは、直接、ハウジングに取り付けられ、圧入型メタルカップの使用を避け、それによってより優れた電気接続をもたらす。さらに、エポキシは、メタルカップを有しそれによってヒートシンクに対してエアギャップをもたらすダイオードを保持するのには使用されない。その代わりにウェルを満たすためにエポキシが加えられ、それによってヒートシンクと接触する領域を増加させ、ヒートシンクへのより優れた熱伝達をもたらす。

その他の整流ブリッジアセンブリの形態が本発明の原理の利点を生かすことができることが、当分野の技術者によって理解されるであろう。図１１〜１３を参照すると、ダイオードを並列に配置する原理を利用している整流ブリッジアセンブリ２００が、同一平面上の正および負極のリード部２２２および２２０を備え、それによってさらに整流ブリッジアセンブリの寸法全体を減少させる。このような形態は、ＡＤシリーズのオルタネータと関連したタイプの整流ブリッジアセンブリに一致する。整流ブリッジアセンブリ２００は、３相のステータ（図示せず）の３つのリード部２２６〜２２８をそれぞれの正極のリード部２２２および負極のリード部２２０にそれぞれのダイオードコンパートメント２３０、２３２、２３４、２３６、２３８、および２４０を介して接続するように構成された整流ブリッジ回路２２４を含む。正極のリード部２２２および負極のリード部２２０は、そこに接続されたそれぞれのダイオードに関するヒートシンクとしても機能し、互いに離隔した関係で同一平面上に位置する。正極のヒートシンク２２２および負極のヒートシンク２２０は、正極のリード部２２０および負極のリード部２２２に形成されたウェル２４２内に位置するダイオードコンパートメント用のハウジングも形成する。この場合も、ダイオードコンパートメント２３０、２３２、２３４、２３６、２３８、および２４０は、非導電性で熱伝導性のエポキシ２４６によって完全に満たされ、ダイオードからヒートシンクへのより優れた熱の放散を確立する。端子２４８およびブッシング２５０の形のバッテリー接続部が、バッテリー（図示せず）と接続するために正極のリード上に設けられる。さらに整流ブリッジ回路は、従来の方式で電圧調整器（図示せず）に接続するための、コンデンサ（図示せず）およびリード部２５４に接続するリード部２５２を備える。正極のリード部２２２はさらに、ガスケット２５６または同様の絶縁物質によって遮蔽され、リード部を取り囲むその他の接地された構成要素から正に充電された表面を絶縁する。ダイオードコンパートメントは、上記に説明し図１０によって示されるように形成され、そこでは、２つの銅製タブの間に挟持される整流器から形成されるダイオード２５８（図１５）が底面２６４またはウェルの接触面に半田付けされ、リード部２６６がダイオードを整流ブリッジ回路２２４（図１４）に接続する。ウェルを取り囲む領域はエポキシ２４６によって充填される。

こうした説明により、より優れた熱放散特性を伴う電力性能の向上をもたらしながら整流ブリッジアセンブリ内で空間を節約するために、ダイオードを並列に配置することを利用して、任意の整流ブリッジの形態で本発明の原理が実施できることを当分野の技術者は理解するであろう。

本発明は例示の実施形態によって説明されてきたが、本発明はそれには限定されない。むしろ、添付の特許請求の範囲は、本発明の等価物の範囲から逸脱せずに当分野の技術者によって行うことができる本発明のその他の変更形態および実施形態を含むように広く解釈すべきである。

従来技術による圧入型ダイオードを使用したダイオードアセンブリの図である。本発明による整流ブリッジアセンブリの斜視図である。本発明による整流ブリッジアセンブリの斜視図である。図２の整流ブリッジアセンブリの上面図である。図２の整流ブリッジアセンブリの底面図である。正極のヒートシンクの底面図である。図２の整流ブリッジアセンブリの分解斜視図である。整流ブリッジアセンブリの回路図である。図２Ａの線Ａ−Ａに沿った負極のリード部に接続された正極にバイアスされたダイオードの側面切断図である。図２Ｂの線Ｂ−Ｂに沿った正極のリード部に接続された正極にバイアスされたダイオードの側面切断図である。図９の正極にバイアスされたダイオードの構造図である。本発明による別の整流ブリッジアセンブリの斜視図である。本発明による別の整流ブリッジアセンブリの斜視図である。図１１の整流ブリッジアセンブリの上面図である。図１１の整流ブリッジアセンブリの底面図である。図１１の整流ブリッジアセンブリの分解斜視図である。図１１Ａの線Ａ−Ａに沿った、負極のリード部に接続された正極にバイアスされたダイオードの側面切断図である。

Claims

少なくとも１つの交流電源に接続される整流ブリッジ回路と、
前記整流ブリッジ回路および直流出力端子に作動可能に接続されて、交流を直流に変換する少なくとも２つのダイオードコンパートメントと、そして、
ヒートシンクであって、前記少なくとも２つのダイオードコンパートメントを、離隔した位置関係で、実質的に前記ヒートシンクと接触して受ける少なくとも２つの開口部を備えて形成されるヒートシンクとを備え、
前記ダイオードコンパートメントが、前記開口部の中で前記ヒートシンクの実質的に全ての表面に接触する熱伝導性エポキシによって、前記熱伝導性エポキシと直接的に接触するように取り囲まれたダイオードを備え、
前記ダイオードコンパートメントからの熱が前記ヒートシンクに均等に放散される整流ブリッジアセンブリ。
前記エポキシが非導電性を有している、請求項１に記載のアセンブリ。
前記ダイオードコンパートメントが、第１および第２の銅製タブに電気接続された整流ダイから形成されたダイオードを備え、前記第１の銅製タブが前記開口部内の接触面に電気接続され、前記第２の銅製タブが前記整流ブリッジ回路に電気接続される、請求項１に記載のアセンブリ。
前記エポキシが非導電性を有している、請求項３に記載のアセンブリ。
前記開口部のうちの少なくとも１つの開口部の前記接触面が、直流回路の負極のリード部に接続される、請求項３に記載のアセンブリ。
前記開口部のうちの少なくとも１つの開口部の前記接触面が、直流回路の正極のリード部に接続される、請求項３に記載のアセンブリ。
前記開口部のうちの少なくとも１つの開口部の前記接触面が、直流回路の正極のリード部に接続される、請求項３に記載のアセンブリ。
前記第１の銅製タブの前記接触面への前記電気接続が半田付けによるものである、請求項３に記載のアセンブリ。
前記第２の銅製タブの前記整流ブリッジ回路への前記電気接続が半田付けまたは溶接によるものである、請求項３に記載のアセンブリ。
前記ヒートシンクがフィンを備える、請求項３に記載のアセンブリ。
自動車のオルタネータと共に使用される整流ブリッジアセンブリであって
前記オルタネータに取り付けられ、負極のリード部を提供するベースプレートと、
ヒートシンクとして動作する、重ね合わされたフィン付きの正極のリード部と、
前記ベースプレートを前記重ね合わされた正極のリード部に非導電的な関係で接続する手段と、
前記正極のリード部内に形成された複数のウェルであって、前記ウェルの第１の部分が前記正極のリード部内に形成された底部を有し、前記ウェルの第２の部分が前記負のリード部に形成された底部を有するところの複数のウェルと、
前記ウェル内に取り付けられ、前記ウェルの接触面に電気接続された複数のダイオードと、
前記ダイオードを取り囲み、前記ウェルの中で全ての表面に熱を伝達する、熱伝導性及び非導電性を有するエポキシと、
それぞれが前記オルタネータから交流（ＡＣ）を受け、前記正極のリード部の重ね合わされた回路に接続される複数のステータ接続端子とを備え、
前記各ステータ接続端子が、回路内において、前記複数のダイオードのうちの１つのダイオードに亘って、前記ベースプレートに接続され、そして、前記複数のダイオードの１つのダイオードに亘って、前記正極のリード部に接続されるように前記回路が構成されることを特徴とする整流ブリッジアセンブリ。
前記複数のダイオードが、半田付けによって前記ウェルの前記底面に接続される、請求項１１に記載のアセンブリ。
前記複数のダイオードが、半田付けまたは溶接によって前記回路に接続される、請求項１１に記載のアセンブリ。
自動車のオルタネータと共に使用される整流ブリッジアセンブリであって、
前記オルタネータに取り付けられ、負極のリード部を提供する、第１のフィン付きのベースプレートと、
前記第１のベースプレートと離隔した位置関係で前記オルタネータに取り付けられ、正極のリード部を提供する、第２のフィン付きのベースプレートと、
前記第２のベースプレートを非導電的な関係で前記オルタネータに接続する手段と、
前記第１と第２のベースプレートに形成される複数のウェルと、
前記ウェルに取り付けられ、前記ウェルの接続面に電気接続された複数のダイオードと、
前記ダイオードを取り囲み、前記ウェルの中で全ての表面に熱を伝達する、熱伝導性及び非導電性を有するエポキシと、
それぞれが前記オルタネータから交流（ＡＣ）を受け、前記第１および第２のベースプレートの上にある回路に接続される複数のステータ接続端子とを備え、
前記ステータ接続端子のそれぞれが、回路内において、前記複数のダイオードのうちの１つのダイオードに亘って、前記第１のベースプレートに接続され、前記複数のダイオードのうちの１つのダイオードに亘って、前記第２のベースプレートに接続されるように前記回路が構成されることを特徴とする整流ブリッジアセンブリ。
前記ダイオードが、半田付けによって前記ウェルの前記底面に接続されている、請求項１４に記載のアセンブリ。
前記ダイオードが、溶接または半田付けによって前記回路に接続されている、請求項１４に記載のアセンブリ。
前記第１および第２のベースプレートのうちの少なくとも１つから形成されるヒートシンクを有する、請求項１４に記載のアセンブリ。
ヒートシンク内にダイオードコンパートメントを受ける独立した複数の開口部を有する整流ブリッジアセンブリに用いられるダイオードコンパートメントであって、
第１および第２の銅製タブの間に電気接続された整流ダイを有するダイオードを設けるステップと、
前記第１の銅製タブを、前記開口部内において、前記ヒートシンクの表面に直接、物理的に接続するステップと、
前記第２の銅製タブから整流ブリッジ回路に電気接続をもたらすステップと、
前記ダイオードを、熱伝導性及び非導電性を有するエポキシによって、前記エポキシと直接的に接触するように取り囲むステップとを含むダイオードコンパートメント。
物理的に接続する前記ステップが、前記第１の銅製タブを前記表面に半田付けするステップを含む、請求項１８に記載のダイオードコンパートメント。
前記取り囲むステップが、前記開口部内において、実質的に全ての表面が前記エポキシと接触するように前記開口部全体をエポキシによって充填するステップを含む、請求項１８に記載のダイオードコンパートメント。