JP4482912B2 - シリコン・デバイスの耐食性チャネルの製造および試験の方法 - Google Patents
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Description
図3は、本発明の一実施形態に従った、湿潤経路に金属層をコートして不活性化することによって、MEMSデバイス(または他のシリコン・デバイス)をフッ素化合物による腐食から保護する方法を示す。この方法は、単一ウェハに関して説明されるが、この方法は、単一層または多層のウェハのシリコン・デバイスの何れにも適用することができる。この方法は以下の如くである。
別の実施形態では、シリコンで形成された湿潤経路は、結合前にウェハに有機結合化合物を適用することによって、腐食性流体から保護される。この化合物は、湿潤経路内のシリコン上に高分子膜を生成し、多層の用途では、ウェハ同士を結合する。こうした有機結合化合物の一例はベンゾシクロブテン(BCB)である。
する方法として、依然として適用することができる(ただし、有機化合物とフッ素化合物との反応が、こうした暴露中の攻撃に耐えるほど十分遅いものでなければならない)。しかしながら、ステップ630は、このような場合のフッ素系ガスに必ずしも限定されていない。なぜなら、このステップは、シリコンを腐食するが有機結合化合物を腐食しない別の種類の流体にウェハを暴露することによっても、実現することができるからである。
Claims (16)
- フッ素原子による腐食からシリコン・デバイスの湿潤経路を保護するため、および前記保護の妥当性を試験するための方法であって、
フッ素原子によって不活性化される材料で前記湿潤経路をコートするステップと、
前記材料を不活性化し且つ湿潤経路の何れの露出したシリコンも腐食する、フッ素原子を含むガス環境に、前記湿潤経路を暴露するステップと、
前記湿潤経路内にコートされた前記材料と前記ガスとが反応して保護膜が形成された後に、前記シリコン・デバイスを動作させるステップと、
前記シリコン・デバイスが正常に動作する場合に前記湿潤経路がフッ素原子による腐食から保護されていると判定するステップと、
を備え、
前記ガス環境が、有効フッ素対炭素比>2のフッ素化炭化水素を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記材料が、シリコンと共晶結合を形成することができる材料である、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記シリコン・デバイスが、その少なくとも1つがシリコンである結合した2つのウェハの少なくとも一部からなり、前記ウェハを結合する前に、前記湿潤経路に対応する前記ウェハの領域に前記材料がコートされる、方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記材料が、シリコンと共晶結合を形成することができる材料である、方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記ウェハの1つのウェハの結合領域も前記材料でコートされ、2つの前記ウェハが共晶結合により共に結合される、方法。
- 請求項1または5に記載の方法であって、前記材料がアルミニウムである、方法。
- 請求項1または5に記載の方法であって、前記材料がニッケルである、方法。
- フッ素原子による腐食からシリコン・デバイスの湿潤経路を保護するため、および前記保護の妥当性を試験するための方法であって、
フッ素原子によって不活性化される材料で前記湿潤経路をコートするステップと、
前記材料を不活性化し且つ湿潤経路の何れの露出したシリコンも腐食する、フッ素原子を含むガス環境に、前記湿潤経路を暴露するステップと、
前記湿潤経路内にコートされた前記材料と前記ガスとが反応して保護膜が形成された後に、前記シリコン・デバイスを動作させるステップと、
前記シリコン・デバイスが正常に動作する場合に前記湿潤経路がフッ素原子による腐食から保護されていると判定するステップと、
を備え、
前記ガス環境が、プラズマ放電によって活性化されたCF4である、方法。 - フッ素原子による腐食からシリコン・デバイスの湿潤経路を保護するため、および前記保護の妥当性を試験するための方法であって、
フッ素原子によって不活性化される材料で前記湿潤経路をコートするステップと、
前記材料を不活性化し且つ湿潤経路の何れの露出したシリコンも腐食する、フッ素原子を含むガス環境に、前記湿潤経路を暴露するステップと、
前記湿潤経路内にコートされた前記材料と前記ガスとが反応して保護膜が形成された後に、前記シリコン・デバイスを動作させるステップと、
前記シリコン・デバイスが正常に動作する場合に前記湿潤経路がフッ素原子による腐食から保護されていると判定するステップと、
を備え、
前記材料を不活性化した後に、前記湿潤経路を流体による腐食から更に保護するために、前記湿潤経路を、有効フッ素対炭素比≦2のフッ素化炭化水素ガスに暴露する、方法。 - 請求項9に記載の方法であって、前記フッ素化炭化水素ガスがC4F8である、方法。
- 流体による腐食からシリコン・デバイスの湿潤経路を保護するため、および前記保護の妥当性を試験するための方法であって、
前記流体による腐食からシリコンを保護し且つフッ素によって不活性化され、又はフッ素に対して抵抗性を有する有機化合物で、前記湿潤経路をコートするステップと、
前記湿潤経路の何れの露出したシリコンも腐食する、フッ素原子を含むガス環境に、前記湿潤経路を暴露するステップと、
前記湿潤経路内にコートされた前記材料と前記ガスとが反応して保護膜が形成された後に、前記シリコン・デバイスを動作させるステップと、
前記シリコン・デバイスが正常に動作する場合に前記湿潤経路がフッ素原子による腐食から保護されていると判定するステップと、
を備え、
前記ガス環境が、プラズマ放電によって活性化されたCF 4 である、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、前記シリコン・デバイスが少なくとも2つのシリコン・ウェハからなり、2つの前記ウェハが前記有機化合物で結合される、方法。
- 請求項11または12に記載の方法であって、前記有機化合物がベンゾシクロブテンである、方法。
- 請求項11に記載の方法であって、前記湿潤経路が前記有機化合物をコートされた後に、前記湿潤経路を前記流体による腐食から更に保護するために、前記湿潤経路を、有効フッ素対炭素比≦2のフッ素化炭化水素ガスに暴露する、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記フッ素化炭化水素ガスがC4F8である、方法。
- 流体による腐食からシリコン・デバイスの湿潤経路を保護するため、および前記保護の妥当性を試験するための方法であって、
前記流体による腐食からシリコンを保護し且つフッ素によって不活性化され、又はフッ素に対して抵抗性を有する有機化合物で、前記湿潤経路をコートするステップと、
前記湿潤経路の何れの露出したシリコンも腐食する、フッ素原子を含むガス環境に、前記湿潤経路を暴露するステップと、
前記湿潤経路内にコートされた前記材料と前記ガスとが反応して保護膜が形成された後に、前記シリコン・デバイスを動作させるステップと、
前記シリコン・デバイスが正常に動作する場合に前記湿潤経路がフッ素原子による腐食から保護されていると判定するステップと、
を備え、
前記ガス環境が、有効フッ素対炭素比>2のフッ素化炭化水素を含む、方法。
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