JP4482379B2 - 人工関節用インプラント及びその製造方法 - Google Patents
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成を促進し、それにより局所的な骨の損失や骨溶解が発生し、骨頭インプラントを支持するステムの緩み、破壊へとつながることが問題となっている。
上記処理装置によるDLC膜の成膜方法の具体例について述べる。
上記骨頭インプラント1におけるDLC膜5の接着強度についての試験結果について述べる。
上記骨頭インプラント1に対する寛骨臼インプラント2の耐摩耗性についての試験結果について述べる。
上記骨頭インプラント1におけるDLC膜5の残留応力について、図6に示す片持ち梁法による試験を行った。
ただし、Eは基板のヤング率、bは基板の厚さ、δは変位、νは基板のポアソン比、Lは基板の長さ、dはDLC膜の膜厚をそれぞれ表す。
5…DLC膜
8…チャンバ
Claims (4)
- 炭化水素ガス及び有機シリコンガスの混合ガスのプラズマを使用し、炭化水素ガスのガス種とイオン注入電圧とを変化させて、イオン注入及びCVDを組み合わせた複合プロセスにより、インプラント基材の表面にDLC膜を成膜してなる人工関節用インプラントであって、上記インプラント基材に高周波電圧が印加されてインプラント基材の近傍がプラズマ状態とされることによって、上記インプラント基材の表面にシリコンと炭素の傾斜ミキシング層が形成され、この傾斜ミキシング層の上に上記イオン注入が行われつつ上記DLC膜が上記インプラント基材の湾曲した表面に成膜されたことを特徴とする人工関節用インプラント。
- 炭化水素ガス及び有機シリコンガスの混合ガスのプラズマを使用し、炭化水素ガスのガス種とイオン注入電圧とを変化させて、イオン注入及びCVDを組み合わせた複合プロセスにより、インプラント基材の表面にDLC膜を成膜する人工関節用インプラントの製造方法であって、上記インプラント基材に高周波電圧を印加してインプラント基材の近傍をプラズマ状態とすることによって、上記インプラント基材の表面にシリコンと炭素の傾斜ミキシング層を形成し、この傾斜ミキシング層の上に上記イオン注入を行いつつ上記DLC膜を上記インプラント基材の湾曲した表面に成膜することを特徴とする人工関節用インプラントの製造方法。
- 請求項1に記載の人工関節用インプラントにおいて、インプラント基材がCo−Cr系合金であることを特徴とする人工関節用インプラント。
- 請求項2に記載の人工関節用インプラントの製造方法において、インプラント基材がCo−Cr系合金であることを特徴とする人工関節用インプラントの製造方法。
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