JP4480880B2 - Semiconductor circuit - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体プロセスの検査のためのモニタに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体プロセスの立ち上げ時に、プロセス技術を確立するために、実際に半導体回路要素を作成して試験をする必要がある。また半導体プロセスが立ち上がった後であっても、製品ロットの監視のため等に、検査対象として半導体回路要素を作成して試験することが必要になる。このような試験目的のために作成されるチップをTEG(Test Element Group)と称し、またTEG内部の各回路要素をモニタと称する。例えば、トランジスタを回路要素としてモニタを実際に作成して、種々の電圧・電流条件下でのトランジスタの特性を試験することで、モニタ作成に使用した半導体プロセスが適当であるか否かを判断することが出来る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
半導体プロセスの限界点や再現性を調べるためには、数多くのモニタを1つのチップに搭載することが好ましい。しかし一般に、抵抗、コンデンサ、トランジスタといった回路素子であるモニタには、モニタ毎に少なくとも2つの端子が必要であり、例えばM個のモニタを1つのチップに搭載した場合、2M個の端子に対応して2M個のパッドをチップに設けることになる。1つのチップに搭載できるパッドの数は、パッドの面積の為にかなり限られており、充分な数のモニタを搭載する妨げになる。
【0004】
この問題を解決するために、従来は、例えば各モニタの入力側の端子を一つに纏める等、共通化できる端子を一つに纏めて単一のパッドに接続することで、パッド数を削減するように構成されていた。しかしこの方法では、当然ながら出力側の端子を共通化してしまうと各モニタの特性を独立に測定出来ないので、出力側の端子を共通化することは不可能であり、パッド数を半数にする程度が限界であった。
【0005】
以上を鑑みて、本発明は、パッド数によって制限されること無く数多くのモニタを搭載可能な試験用半導体チップを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体回路は、検査対象であるモニタを含み2つの端子を有するテスト回路を該端子同士の接続により複数個直列接続した直列接続回路と、該直列接続回路の一方の端に外部から第1の電圧を供給する端子と、該直列接続回路の他方の端に外部から第2の電圧を供給する端子と、前記第1の電圧を供給する端子と前記第2の電圧を供給する端子とは別個の端子であり、外部から電位測定可能な測定端子と、該直列接続回路から任意のテスト回路を選択し該選択したテスト回路の該2つの端子のうち少なくとも一方を該測定端子に接続する選択手段を含むことを特徴とする。
【0007】
上記半導体回路においては、各々が測定対象のモニタを含む複数のテスト回路を直列に接続し、任意の1つのテスト回路を選択してその上端接続点の電位と下端接続点の電位とを選択手段を介して測定可能な構成とすることで、テスト回路に生じる電圧降下を測定することが出来る。この構成では、テスト回路或いはその内部のモニタ回路に電気的に接続される端子は、複数の直列接続されたテスト回路に対する電源電圧端子、グランド電圧端子、及び測定端子の計3個で済むことになり、従来の構成と比較して大幅に端子数ひいてはパッド数を削減することが可能になる。従って、単一のチップに数多くのモニタを搭載することが可能になり、効率的な試験用半導体チップを生成することが出来る。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の原理及び実施例を添付の図面を用いて詳細に説明する。
【0009】
図1は、本発明の原理による試験用半導体チップを説明するための図である。
【0010】
図1において、試験用半導体チップ10は、各々が測定対象のモニタを含む複数のテスト回路11−1乃至11−n、選択手段12、及び端子T1乃至T3を含む。複数のテスト回路11−1乃至11−nは直列に接続され、直列接続の両端に端子T1及びT2がそれぞれ設けられる。例えば端子T1が高電位に設定され、端子T2がグランド電位に設定される。選択手段12は、直列接続された複数のテスト回路11−1乃至11−n間の各々の上端及び下端に接続されており、任意の接続点を選択して測定端子である端子T3に接続する。これによって、測定端子T3に現れる電位を測定することで、テスト回路11−1乃至11−nが直列接続された回路の選択された位置の電位を測定することが可能になる。
【0011】
例えばテスト回路11−2の上端接続点の電位と下端接続点の電位とを測定することで、テスト回路11−2に生じる電圧降下を測定することが出来る。これによって、例えば本来開放状態であるはずのモニタ(試験対象回路素子)が正しく開放状態にあるか否か、また本来短絡状態であるはずのモニタ(試験対象回路素子)が正しく短絡状態にあるか否か等を判断することが出来る。
【0012】
この構成では、テスト回路或いはその内部のモニタ回路に電気的に接続される端子は、端子T1乃至T3の計3個で済むことになり、従来の構成と比較して大幅に端子数ひいてはパッド数を削減することが可能になる。従って、単一のチップに数多くのモニタを搭載することが可能になり、効率的な試験用半導体チップを生成することが出来る。なお現実には、選択手段12の選択動作を制御する端子が必要になる。例えば63個のテスト回路11−1乃至11−n(n=63)が設けられている場合には、6ビットの情報選択(26=64)であるので、6つの端子及びパッドが、上記3つの端子及びパッドに追加されることになる。しかしこの場合であっても、従来技術のように63個のテスト回路に対して2端子ずつで126端子を搭載する場合、或いは入力端子の共通化を図って64端子(入力1端子及び出力63端子)の場合に比較して、大幅に端子及びパッドの数を削減することが可能である。
【0013】
図2は、開放状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成を示す。
【0014】
図1と同様に、テスト回路11−1乃至11−nが直列に接続され、直列接続の両端に端子T1及び端子T2が設けられる。図1の選択手段12は、図2のスイッチS1乃至S64に対応する。端子Sに入力される選択信号に基づいてスイッチS1乃至S64の1つが導通し、導通先の電位が測定端子T3に現れる。端子Sは、1つとして図示されるが実際には最低6ビット分の端子が必要である。
【0015】
テスト回路11−1乃至11−nの各々は、モニタMx及び抵抗Rx(xは1乃至63の何れかの整数)を含む。ここで抵抗R1乃至R63は、その規格上の抵抗値が既知の抵抗(所定の規格で製造された抵抗)である。モニタM1乃至M63は、例えばコンデンサやオフ状態のトランジスタ等のような、正常状態で開放状態である回路素子である。
【0016】
端子T1に高電圧を印加して、端子T2をグランド電位に設定すると、テスト回路11−1乃至11−63の直列接続に電流が流れる。ここでモニタM1乃至M63は開放状態の素子であるので、正常であれば殆ど電流は流れない。モニタMxが開放状態であっても抵抗Rxが並列に接続されているので、電流は抵抗Rxを介して流れ、次段のテスト回路に供給されることになる。モニタMxが正常に製造されていない場合、或いは電圧印加により許容限界を超えて破壊されてしまった場合など、開放状態ではなく短絡状態になる。この場合、対応するテスト回路11−xの両端の電位を測定することで、モニタMxが短絡状態となっている旨を検出すると共に、モニタMxの抵抗値(微小な抵抗値)を測定することが出来る。これにより、各モニタを製造する半導体プロセスを評価することが可能となる。
【0017】
図3は、短絡状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成を示す。
【0018】
図1と同様に、テスト回路11−1乃至11−nが直列に接続され、直列接続の両端に端子T1及び端子T2が設けられる。図1の選択手段12は、図3のスイッチS1乃至S64に対応する。端子Sに入力される選択信号に基づいてスイッチS1乃至S64の1つが導通し、導通先の電位が測定端子T3に現れる。端子Sは、1つとして図示されるが実際には最低6ビット分の端子が必要である。
【0019】
テスト回路11−1乃至11−nの各々は、モニタMx、抵抗rx、及び抵抗Rx(xは1乃至63の何れかの整数)を含む。ここで抵抗rxはモニタMxに直列に接続され、この直列接続に抵抗Rxが並列に接続される。抵抗r1乃至r63及び抵抗R1乃至R63は、その規格上の抵抗値が既知の抵抗(所定の規格で製造された抵抗)である。モニタM1乃至M63は、例えば抵抗やオン状態のトランジスタ等のような、正常状態で短絡状態である回路素子である。
【0020】
端子T1に高電圧を印加して、端子T2をグランド電位に設定すると、テスト回路11−1乃至11−63の直列接続に電流が流れる。ここで抵抗rxは抵抗Rxよりはるかに小さい(rx<<Rx)抵抗値を有するように設計される。モニタM1乃至M63は短絡状態の素子であるので、正常であれば殆どの電流は、抵抗Rx側ではなく抵抗rx及びモニタMx側の経路を流れる。抵抗rxは、短絡状態のモニタを電流が流れて端子T1及びT2間が短絡してしまい大電流が流れるのを防ぐ役目を有する。モニタMxが正常に製造されていない場合、或いは電圧印加により許容限界を超えて破壊されてしまった場合など、短絡状態ではなく開放状態になる。この場合、対応するテスト回路11−xの両端の電位を測定することで、モニタMxが開放状態となっている旨を検出すると共に、モニタMxの抵抗値(大きな抵抗値)を測定することが出来る。これにより、各モニタを製造する半導体プロセスを評価することが可能となる。
【0021】
以下に、本発明の実施例を説明する。
【0022】
図4は、開放状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成の実施例を示す図である。
【0023】
図2と同様に、テスト回路11−1乃至11−63が直列に接続され、直列接続の両端に端子T1及び端子T2が設けられる。テスト回路11−1乃至11−63の各々は、モニタMx及び抵抗Rx(xは1乃至63の何れかの整数)の並列接続より構成される。ここで抵抗R1乃至R63は、その規格上の抵抗値が既知の抵抗(所定の規格で製造された抵抗)である。モニタM1乃至M63は、例えばコンデンサやオフ状態のトランジスタ等のような、正常状態で開放状態である回路素子である。
【0024】
図1の選択手段12に対応する機構は、複数のセレクタ回路21よりなる。各セレクタ回路21は、PMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタよりなるトランスファーゲート22及び23と、インバータ24を含む。インバータ24には、外部端子からの選択信号が供給される。この選択信号がHIGHのときにトランスファーゲート22が開き、選択信号がLOWのときにトランスファーゲート23が開く。この動作によって、セレクタ回路21に入力される2本の入力線の一方を選択して、出力線に電気的に接続する。
【0025】
端子D0に対してセレクタ回路21は32個設けられており、テスト回路11−1乃至11−63の直列接続の64点の電圧測定点に接続されている。これら32個のセレクタ回路21の32本の出力信号線に、端子D1で制御される16個のセレクタ回路21が接続される。またこれら16個のセレクタ回路21の16本の出力信号線に、端子D2で制御される8個のセレクタ回路21が接続される。このように順次2対1の比率で選択をしていき、端子D5で制御される1個のセレクタ回路21の出力が、選択手段12の出力端子T3となる。この構成によって、テスト回路11−1乃至11−63の直列接続の64点の電圧測定点のうちの一つを選択して、出力端子T3に接続することが出来る。
【0026】
図5は、テスト回路のモニタ及び抵抗の値の例を示す図である。
【0027】
図5には、異なった回路素子パラメータに対応して項目0乃至項目9が示される。何れの項目においてもモニタ数は63であり、端子T1及びT2間に2Vの電圧が印加される。またモニタMxの抵抗値rmは、通常時に10MΩ(実質的に開放)、異常時に300kΩであるとされている。
【0028】
項目0は、Mxの抵抗値が無限大(10MΩ以上)で、Mxの異常が1つも無い場合に対応する。この場合、異常モニタが存在しなければ、テスト回路11−1乃至11−63の直列接続に流れる電流は0.1058μAであり、各通常モニタMxの両端に現れる電位差は31.7460mVである。
【0029】
項目1乃至3は、各抵抗Rxの抵抗値Rが100kΩである場合に対応する。項目1は異常なモニタの数が1つの場合、項目2は異常なモニタの数が10個の場合、項目3は異常なモニタの数が15個の場合である。例えば、異常なモニタの数が1つである項目1の場合、各通常モニタMxの両端に現れる電位差は31.8725mVであり、異常モニタMxの両端に現れる電位差は23.9044mVである。
【0030】
項目4乃至6は、各抵抗Rxの抵抗値Rが300kΩである場合に対応する。項目4は異常なモニタの数が1つの場合、項目5は異常なモニタの数が10個の場合、項目6は異常なモニタの数が15個の場合である。例えば、異常なモニタの数が1つである項目4の場合、各通常モニタMxの両端に現れる電位差は32.0000mVであり、異常モニタMxの両端に現れる電位差は16.0000mVである。
【0031】
項目7乃至9は、各抵抗Rxの抵抗値Rが3MΩである場合に対応する。項目7は異常なモニタの数が1つの場合、項目8は異常なモニタの数が10個の場合、項目9は異常なモニタの数が15個の場合である。例えば、異常なモニタの数が1つである項目7の場合、各通常モニタMxの両端に現れる電位差は32.2108mVであり、異常モニタMxの両端に現れる電位差は2.9283mVである。
【0032】
上記何れの場合においても、モニタMxの両端に現れる電位差(テスト回路両端の電位差)を測定すれば、そのモニタが正常状態であるのか異常状態であるのかを、測定された電位差から判断することが出来る。また抵抗Rxは、その規格上の抵抗値が既知であるので、この抵抗値を基にして、正常時及び異常時の何れの場合であっても、測定された電位差からモニタの抵抗値を算出することが出来る。
【0033】
但し厳密に言えば、抵抗Rxはその規格上の抵抗値が既知であるだけで、実際の抵抗値は不明である。またこの実際の抵抗値は測定することも不可能である。従って、抵抗Rxの実際の抵抗値が規格上の抵抗値と異なっていた場合には、規格上の抵抗値を用いて測定された電位差からモニタの抵抗値を算出すると、実際のモニタの抵抗値とは異なってしまうことになる。
【0034】
この様子が、図5の下部に示される。例えば実際の抵抗Rxの抵抗値Rが、規格上の抵抗値よりも20%大きい場合には、規格どおりの場合に比較して異常モニタの両端の電位差が大きくなってしまう。項目1の場合には、異常モニタの両端の電位差は27.3193mVとなり、抵抗Rxの抵抗値が規格どおりの場合(23.9044mV)と比較して増大している。この(抵抗Rxの実際の抵抗値が規格上の抵抗値とは異なることに起因する)異常モニタ両端に生じる電位差の誤差は、規格上の抵抗Rxの抵抗値Rが大きくなるほど小さくなる。項目7の場合即ち規格上の抵抗値Rが3MΩの場合には、異常モニタの両端の電位差は、抵抗値Rが規格どおりの場合に2.9283mVであるのに対して、抵抗値Rが規格より20%増の場合には2.9733mVとなっている。このように、規格上の抵抗Rxの抵抗値Rが大きくなるほど、抵抗Rの誤差による異常モニタの両端の電位差への影響は小さくなる。
【0035】
抵抗Rの誤差は、異常モニタ両端の電位差から算出するモニタの抵抗値にも影響を与える。例えば、抵抗値Rが規格上の抵抗値よりも20%大きい場合には、項目1において、異常モニタの両端の電位差は27.3193mVである。この電位差を測定して、規格上の抵抗値である100kΩを用いてモニタの抵抗値を算出すると600kΩとなる。これは実際の異常モニタの抵抗値である300kΩに比べて約2倍であり、100%の誤差になってしまう。しかしこの誤差は、規格上の抵抗Rxの抵抗値Rが大きくなるほど小さくなる。例えば、抵抗値Rが規格上の抵抗値よりも20%大きい場合には、項目7において、異常モニタの両端の電位差は2.9733mVである。この電位差を測定して、規格上の抵抗値である3MΩを用いてモニタの抵抗値を算出すると305kΩとなる。これは実際の異常モニタの抵抗値である300kΩに略等しく、約1.7%の誤差しか生じない。
【0036】
このように本発明においては、テスト回路11−1乃至11−nにおいてモニタMxに並列に接続する抵抗Rxの抵抗値が大きいほど、この抵抗値の規格上の値からずれる誤差が、算出されたモニタ抵抗値に与える影響は小さくなる。これは、モニタMxに並列に接続する抵抗Rxの抵抗値が大きいほど、モニタMxを流れる電流に比較して抵抗Rx側を流れる電流が小さくなり、テスト回路両端に現れる電位差はモニタの抵抗値だけを反映した電位差に近づくからである。即ち、テスト回路両端に現れる電位差がモニタの抵抗値だけを反映した電位差に近いほど、抵抗Rxの抵抗値の誤差の影響が小さくなり、正確なモニタ抵抗値を測定することが可能になる。
【0037】
実際には大きな抵抗ほどチップ上で占める面積が大きくなるので、使用可能な面積と測定精度との兼ね合いを考慮して、例えば測定したいモニタの異常時の抵抗値をrmとした場合、rm<Rの範囲で抵抗Rxの抵抗値Rを適当な値に設定すればよい。
【0038】
図6は、実質短絡状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成の実施例を示す図である。図4と同一の要素は同一の参照番号で参照され、その説明は省略される。
【0039】
図3と同様に、テスト回路11−1乃至11−63が直列に接続され、直列接続の両端に端子T1及び端子T2が設けられる。テスト回路11−1乃至11−63の各々は、モニタMx、抵抗rx、及び抵抗Rx(xは1乃至63の何れかの整数)を含む。ここで抵抗rxはモニタMxに直列に接続され、この直列接続に抵抗Rxが並列に接続される。ここで抵抗R1乃至R63及びr1乃至r63は、その規格上の抵抗値が既知の抵抗(所定の規格で製造された抵抗)である。モニタM1乃至M63は、例えば抵抗やオン状態のトランジスタ等のような、正常状態で導通状態である回路素子である。
【0040】
図7は、テスト回路のモニタ及び抵抗の値の例を示す図である。
【0041】
図7には、異なった回路素子パラメータに対応して項目0乃至項目9が示される。何れの項目においてもモニタ数は63であり、端子T1及びT2間に2Vの電圧が印加される。またモニタMxの抵抗値rmは、通常時に5Ω(実質的に短絡)、異常時に100Ωであるとされている。また更に、抵抗Rxの抵抗値Rは500Ωである。
【0042】
項目0は、抵抗rxの抵抗値rが20Ωであり、異常モニタが存在しない場合に対応する。この場合、テスト回路11−1乃至11−63の直列接続に流れる電流は1.3333μAであり、各通常モニタMxの電位差は31.7460mVである。
【0043】
項目1乃至3は、抵抗rxが存在しない場合(r=0)に対応する。項目1は異常なモニタの数が1つの場合、項目2は異常なモニタの数が10個の場合、項目3は異常なモニタの数が60個の場合である。例えば、異常なモニタの数が60個である項目3の場合、各通常モニタMxの電位差は1.9743mVであり、異常モニタMxの電位差は33.2346mVである。
【0044】
項目4乃至6は、各抵抗rxの抵抗値rが5Ωである場合に対応する。項目4は異常なモニタの数が1つの場合、項目5は異常なモニタの数が20個の場合、項目6は異常なモニタの数が60個の場合である。例えば、異常なモニタの数が60個である項目6の場合、各通常モニタMxの電位差は3.7448mVであり、異常モニタMxの電位差は33.1461mVである。
【0045】
項目7乃至9は、各抵抗rxの抵抗値rが20Ωである場合に対応する。項目7は異常なモニタの数が1つの場合、項目8は異常なモニタの数が20個の場合、項目9は異常なモニタの数が60個の場合である。例えば、異常なモニタの数が60個である項目9の場合、各通常モニタMxの電位差は8.1014mVであり、異常モニタMxの電位差は32.9283mVである。
【0046】
ここで抵抗rxは、電流にリミットをかけて素子を破壊しない役割を果たす。従って、図8に示されるように、テスト回路11−1乃至11−nの直列接続の一部に抵抗30を直列に挿入するようにすれば、各テスト回路に抵抗rxを挿入しなくてもよい。但し図8のような構成においては、抵抗30は、電流にリミットをかける機能しか果たさないが、図6の抵抗rxには、電流リミット機能以外の機能も果たしている。
【0047】
図7の項目3に示されるように、抵抗rxが存在せず異常モニタの数が多い場合には、流れる電流量が少なくなり、各通常モニタMxの電位差は1.9743mVと小さい値となっている。この時、例えば電圧を測定する電圧計の分解能が2mVであるとすると、1.9743mVは丸められて2mVとなってしまう。しかしながら例えば項目9に示されるように、20Ωの抵抗rxを設けた場合には、異常モニタの数が多くなり流れる電流量が少なくなっても、各通常モニタMxの電位差は8.1014mVとなる。従って、少ない電流でも大きな電位差を確保することが可能となる。
【0048】
但し抵抗rxの抵抗値rを抵抗Rxの抵抗値Rに近づけてしまうと、通常モニタの場合と異常モニタの場合とで、電位差にそれ程の違いが無くなってしまう。図9は、抵抗値rを抵抗値Rに近づけた場合の各電流・電圧値を示す図である。図9に示されるように、抵抗値rを300Ωとして抵抗値Rの500Ωに近づけた場合、通常モニタの場合の電位差と異常モニタの場合の電位差にそれ程の違いがなくなり、抵抗Rxの製造ばらつきによる差なのか、或いは実際にモニタの抵抗値が変化したために生じた差であるのかが判別できなくなってしまう。
【0049】
以上のように、導通状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成においては、抵抗rxをモニタMxに直列に接続し、この直列接続を抵抗Rxに並列接続する構成が好ましい。抵抗rxの抵抗値rとしては、測定したいモニタの正常時の抵抗値をrmとした場合、rm<r<Rの値であることが好ましい。例えば、抵抗値rは、そのオーダーが抵抗値rmより少なくとも一桁高く、また抵抗Rxの抵抗値Rより少なくとも一桁低くなるように設定することが好ましい。
【0050】
以上説明したように、本発明の試験用半導体チップにおいては、各々が測定対象のモニタを含む複数のテスト回路を直列に接続し、任意の1つのテスト回路を選択してその上端接続点の電位と下端接続点の電位とを選択手段を介して測定可能な構成とすることで、テスト回路に生じる電圧降下を測定することが出来る。これによって、例えば本来開放状態であるはずのモニタが正しく開放状態にあるか否か、また本来短絡状態であるはずのモニタが正しく短絡状態にあるか否か等を判断することが出来る。
【0051】
なお直列接続された複数のテスト回路の各モニタは同一である必要はなく、それぞれが異なるモニタであって構わない。また各テスト回路の抵抗素子の抵抗値は、全て同一である必要はなく、測定対象のモニタに応じて変化させてよい。或いは、各テスト回路の抵抗素子の抵抗値を全て同一に設定してもよい。
【0052】
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で様々な変形が可能である。
【0053】
なお本発明の内容は、以下に記載される範囲の発明を含むものである。
【0054】
付記1)検査対象であるモニタを含み2つの端子を有するテスト回路を該端子同士の接続により複数個直列接続した直列接続回路と、該直列接続回路の一方の端に外部から第1の電圧を供給する端子と、該直列接続回路の他方の端に外部から第2の電圧を供給する端子と、外部から電位測定可能な測定端子と、該直列接続回路から任意のテスト回路を選択し該選択したテスト回路の該2つの端子のうち少なくとも一方を該測定端子に接続する選択手段を含むことを特徴とする半導体回路。
【0055】
付記2)該モニタは正常時に実質的に開放状態であり異常時に実質的に導通状態になる回路素子であることを特徴とする付記1記載の半導体回路。
【0056】
付記3)該モニタは正常時に実質的に短絡状態であり異常時に実質的に高インピーダンス状態となることを特徴とする付記1記載の半導体回路。
【0057】
付記4)該テスト回路は、該モニタと抵抗とを並列接続した回路であることを特徴とする付記1記載の半導体回路。
【0058】
付記5)該抵抗の抵抗値は、異常時における該モニタの測定対象の抵抗値よりも大きいことを特徴とする付記4記載の半導体回路。
【0059】
付記6)該直列接続回路は更に直列接続された電流制限用の抵抗を含むことを特徴とする付記4記載の半導体回路。
【0060】
付記7)該テスト回路は、該モニタと第1の抵抗とを直列接続し、該モニタと該第1の抵抗との直列接続を第2の抵抗と並列接続した回路であることを特徴とする付記1記載の半導体回路。
【0061】
付記8)該第1の抵抗の抵抗値は正常時における該モニタの測定対象の抵抗値よりも大きく、該第2の抵抗の抵抗値は該第1の抵抗の抵抗値よりも大きいことを特徴とする付記7記載の半導体回路。
【0062】
付記9)該選択手段は、2nビットの選択に対してn個の選択用端子を含むことを特徴とする付記1記載の半導体装置。
【0063】
【発明の効果】
本発明の試験用半導体チップにおいては、各々が測定対象のモニタを含む複数のテスト回路を直列に接続し、任意の1つのテスト回路を選択してその上端接続点の電位と下端接続点の電位とを選択手段を介して測定可能な構成とすることで、テスト回路に生じる電圧降下を測定することが出来る。この構成では、テスト回路或いはその内部のモニタ回路に電気的に接続される端子は、複数の直列接続されたテスト回路に対する電源電圧端子、グランド電圧端子、及び測定端子の計3個で済むことになり、従来の構成と比較して大幅に端子数ひいてはパッド数を削減することが可能になる。従って、単一のチップに数多くのモニタを搭載することが可能になり、効率的な試験用半導体チップを生成することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理による試験用半導体チップを説明するための図である。
【図2】開放状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成を示す図である。
【図3】短絡状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成を示す図である。
【図4】開放状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成の実施例を示す図である。
【図5】テスト回路のモニタ及び抵抗の値の例を示す図である。
【図6】実質短絡状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成の実施例を示す図である。
【図7】テスト回路のモニタ及び抵抗の値の例を示す図である。
【図8】実質短絡状態が正常状態であるモニタを検査する際の回路構成の別の実施例を示す図である。
【図9】抵抗値rを抵抗値Rに近づけた場合の各電流・電圧値を示す図である。
【符号の説明】
11−1乃至11−n テスト回路
12 選択手段[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a monitor for inspection of a semiconductor process.
[0002]
[Prior art]
In order to establish a process technology at the time of starting a semiconductor process, it is necessary to actually create and test a semiconductor circuit element. Even after the semiconductor process is started, it is necessary to create and test a semiconductor circuit element as an inspection target for monitoring a product lot. A chip created for such a test purpose is called a TEG (Test Element Group), and each circuit element inside the TEG is called a monitor. For example, by actually creating a monitor with a transistor as a circuit element and testing the characteristics of the transistor under various voltage and current conditions, it is determined whether or not the semiconductor process used for creating the monitor is appropriate. I can do it.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In order to investigate the limit points and reproducibility of the semiconductor process, it is preferable to mount many monitors on one chip. However, in general, a monitor that is a circuit element such as a resistor, a capacitor, or a transistor requires at least two terminals for each monitor. For example, when M monitors are mounted on one chip, 2M terminals are supported. 2M pads are provided on the chip. The number of pads that can be mounted on one chip is considerably limited due to the area of the pads, which hinders mounting a sufficient number of monitors.
[0004]
In order to solve this problem, the number of pads has been reduced by connecting terminals that can be shared into a single pad, for example, by combining the terminals on the input side of each monitor into one. Was configured to be. However, in this method, of course, if the output terminal is shared, the characteristics of each monitor cannot be measured independently, so it is impossible to share the output terminal, and the number of pads is halved. The degree was the limit.
[0005]
In view of the above, an object of the present invention is to provide a test semiconductor chip on which a large number of monitors can be mounted without being limited by the number of pads.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The semiconductor circuit according to the present invention includes a series connection circuit in which a plurality of test circuits including a monitor to be inspected and having two terminals are connected in series by connecting the terminals, and one end of the series connection circuit is externally connected to one end. A terminal for supplying a voltage of 1; a terminal for supplying a second voltage from the outside to the other end of the series connection circuit; The terminal that supplies the first voltage and the terminal that supplies the second voltage are separate terminals, A measuring terminal capable of measuring a potential from the outside; and a selection unit that selects an arbitrary test circuit from the series connection circuit and connects at least one of the two terminals of the selected test circuit to the measurement terminal. And
[0007]
In the above-described semiconductor circuit, a plurality of test circuits each including a monitor to be measured are connected in series, any one test circuit is selected, and the potential at the upper end connection point and the potential at the lower end connection point are selected. The voltage drop generated in the test circuit can be measured by adopting a configuration that can be measured via. In this configuration, the test circuit or the monitor circuit in the test circuit may be electrically connected to a total of three terminals: a power supply voltage terminal, a ground voltage terminal, and a measurement terminal for a plurality of test circuits connected in series. As a result, the number of terminals and thus the number of pads can be greatly reduced as compared with the conventional configuration. Accordingly, a large number of monitors can be mounted on a single chip, and an efficient test semiconductor chip can be generated.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the principle and embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0009]
FIG. 1 is a diagram for explaining a test semiconductor chip according to the principle of the present invention.
[0010]
In FIG. 1, a
[0011]
For example, the voltage drop generated in the test circuit 11-2 can be measured by measuring the potential at the upper end connection point and the potential at the lower end connection point of the test circuit 11-2. As a result, for example, whether or not the monitor (test target circuit element) that should originally be in the open state is correctly open, and whether the monitor (test target circuit element) that should be in the shorted state is correctly in the short state Whether or not can be determined.
[0012]
In this configuration, only three terminals T1 to T3 are electrically connected to the test circuit or the monitor circuit in the test circuit, and the number of terminals and thus the number of pads can be greatly increased as compared with the conventional configuration. Can be reduced. Accordingly, a large number of monitors can be mounted on a single chip, and an efficient test semiconductor chip can be generated. In reality, a terminal for controlling the selection operation of the selection means 12 is required. For example, when 63 test circuits 11-1 to 11-n (n = 63) are provided, 6-bit information selection (2 6 = 64), six terminals and pads are added to the three terminals and pads. However, even in this case, when the 126 terminals are mounted on each of the 63 test circuits with 2 terminals as in the prior art, or the input terminals are shared, 64 terminals (
[0013]
FIG. 2 shows a circuit configuration when inspecting a monitor whose open state is normal.
[0014]
As in FIG. 1, test circuits 11-1 to 11-n are connected in series, and terminals T1 and T2 are provided at both ends of the series connection. The selection means 12 in FIG. 1 corresponds to the switches S1 to S64 in FIG. Based on the selection signal input to the terminal S, one of the switches S1 to S64 conducts, and the potential at the conduction destination appears at the measurement terminal T3. Although the terminal S is illustrated as one terminal, actually, a terminal for at least 6 bits is required.
[0015]
Each of the test circuits 11-1 to 11-n includes a monitor Mx and a resistor Rx (x is an integer from 1 to 63). Here, the resistors R1 to R63 are resistors whose resistance values on the standards are known (resistances manufactured according to a predetermined standard). The monitors M1 to M63 are circuit elements that are in a normal state and open, such as capacitors and off-state transistors.
[0016]
When a high voltage is applied to the terminal T1 and the terminal T2 is set to the ground potential, a current flows through the test circuits 11-1 to 11-63 connected in series. Here, since the monitors M1 to M63 are open elements, almost no current flows if they are normal. Since the resistor Rx is connected in parallel even when the monitor Mx is open, the current flows through the resistor Rx and is supplied to the next-stage test circuit. When the monitor Mx is not manufactured normally, or when the monitor Mx is destroyed by exceeding the allowable limit due to voltage application, the short circuit state occurs instead of the open state. In this case, by measuring the potential at both ends of the corresponding test circuit 11-x, it is detected that the monitor Mx is in a short circuit state, and the resistance value (a minute resistance value) of the monitor Mx is measured. I can do it. This makes it possible to evaluate the semiconductor process for manufacturing each monitor.
[0017]
FIG. 3 shows a circuit configuration when inspecting a monitor in which the short-circuit state is normal.
[0018]
As in FIG. 1, test circuits 11-1 to 11-n are connected in series, and terminals T1 and T2 are provided at both ends of the series connection. The selection means 12 in FIG. 1 corresponds to the switches S1 to S64 in FIG. Based on the selection signal input to the terminal S, one of the switches S1 to S64 conducts, and the potential at the conduction destination appears at the measurement terminal T3. Although the terminal S is illustrated as one terminal, actually, a terminal for at least 6 bits is required.
[0019]
Each of the test circuits 11-1 to 11-n includes a monitor Mx, a resistor rx, and a resistor Rx (x is an integer from 1 to 63). Here, the resistor rx is connected in series to the monitor Mx, and the resistor Rx is connected in parallel to this series connection. The resistors r1 to r63 and the resistors R1 to R63 are resistors with known resistance values (resistances manufactured according to a predetermined standard). The monitors M1 to M63 are circuit elements that are in a normal state and in a short-circuited state, such as a resistor or an on-state transistor.
[0020]
When a high voltage is applied to the terminal T1 and the terminal T2 is set to the ground potential, a current flows through the test circuits 11-1 to 11-63 connected in series. Here, the resistance rx is designed to have a resistance value much smaller than the resistance Rx (rx << Rx). Since the monitors M1 to M63 are short-circuited elements, if normal, most of the current flows not through the resistor Rx but through the resistor rx and the monitor Mx side. The resistor rx serves to prevent a large current from flowing due to a short circuit between the terminals T1 and T2 due to a current flowing through the short-circuit monitor. When the monitor Mx is not manufactured normally or when the monitor Mx is destroyed beyond the allowable limit due to voltage application, it is not in a short circuit state but in an open state. In this case, it is possible to detect that the monitor Mx is in an open state by measuring the potential at both ends of the corresponding test circuit 11-x, and to measure the resistance value (large resistance value) of the monitor Mx. I can do it. This makes it possible to evaluate the semiconductor process for manufacturing each monitor.
[0021]
Examples of the present invention will be described below.
[0022]
FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of a circuit configuration when inspecting a monitor whose open state is a normal state.
[0023]
Similarly to FIG. 2, test circuits 11-1 to 11-63 are connected in series, and terminals T1 and T2 are provided at both ends of the series connection. Each of the test circuits 11-1 to 11-63 includes a parallel connection of a monitor Mx and a resistor Rx (where x is an integer from 1 to 63). Here, the resistors R1 to R63 are resistors whose resistance values on the standards are known (resistances manufactured according to a predetermined standard). The monitors M1 to M63 are circuit elements that are open in a normal state, such as capacitors and off-state transistors.
[0024]
The mechanism corresponding to the
[0025]
Thirty-two
[0026]
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of the monitor and resistance values of the test circuit.
[0027]
FIG. 5 shows
[0028]
[0029]
[0030]
Items 4 to 6 correspond to the case where the resistance value R of each resistor Rx is 300 kΩ. Item 4 is when the number of abnormal monitors is one,
[0031]
Items 7 to 9 correspond to the case where the resistance value R of each resistor Rx is 3 MΩ. Item 7 is when the number of abnormal monitors is one, item 8 is when the number of abnormal monitors is 10, and item 9 is when the number of abnormal monitors is 15. For example, in the case of item 7 in which the number of abnormal monitors is one, the potential difference appearing at both ends of each normal monitor Mx is 32.2108 mV, and the potential difference appearing at both ends of the abnormal monitor Mx is 2.9283 mV.
[0032]
In any of the above cases, by measuring the potential difference appearing at both ends of the monitor Mx (potential difference between both ends of the test circuit), it can be determined from the measured potential difference whether the monitor is in a normal state or an abnormal state. I can do it. Since the resistance value of the resistor Rx is known in the standard, the resistance value of the monitor is calculated from the measured potential difference based on this resistance value, regardless of whether it is normal or abnormal. I can do it.
[0033]
Strictly speaking, however, the resistance value of the resistor Rx is only known, and the actual resistance value is unknown. Also, this actual resistance value cannot be measured. Therefore, when the actual resistance value of the resistor Rx is different from the standard resistance value, the actual resistance value of the monitor is calculated by calculating the resistance value of the monitor from the potential difference measured using the standard resistance value. Will be different.
[0034]
This is shown in the lower part of FIG. For example, when the resistance value R of the actual resistance Rx is 20% larger than the resistance value on the standard, the potential difference between both ends of the abnormality monitor becomes large as compared with the standard case. In the case of
[0035]
The error of the resistance R also affects the resistance value of the monitor calculated from the potential difference across the abnormal monitor. For example, when the resistance value R is 20% larger than the standard resistance value, in
[0036]
As described above, in the present invention, as the resistance value of the resistor Rx connected in parallel to the monitor Mx in the test circuits 11-1 to 11-n increases, an error that deviates from the standard value of the resistance value is calculated. The influence on the monitor resistance value is reduced. This is because the larger the resistance value of the resistor Rx connected in parallel to the monitor Mx, the smaller the current flowing through the resistor Rx compared to the current flowing through the monitor Mx, and the potential difference appearing at both ends of the test circuit is only the resistance value of the monitor. This is because it approaches a potential difference reflecting the above. That is, the closer the potential difference appearing at both ends of the test circuit is to the potential difference reflecting only the resistance value of the monitor, the smaller the influence of the error of the resistance value of the resistor Rx, and the more accurate monitor resistance value can be measured.
[0037]
Actually, the larger the resistance, the larger the area occupied on the chip. Therefore, in consideration of the balance between the usable area and the measurement accuracy, for example, when the resistance value at the time of abnormality of the monitor to be measured is rm, rm <R In this range, the resistance value R of the resistor Rx may be set to an appropriate value.
[0038]
FIG. 6 is a diagram showing an embodiment of a circuit configuration when inspecting a monitor whose normal short circuit state is normal. The same elements as those in FIG. 4 are referred to by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
[0039]
As in FIG. 3, test circuits 11-1 to 11-63 are connected in series, and terminals T1 and T2 are provided at both ends of the series connection. Each of the test circuits 11-1 to 11-63 includes a monitor Mx, a resistor rx, and a resistor Rx (x is an integer from 1 to 63). Here, the resistor rx is connected in series to the monitor Mx, and the resistor Rx is connected in parallel to this series connection. Here, the resistors R1 to R63 and r1 to r63 are resistors with known resistance values (resistances manufactured according to a predetermined standard). The monitors M1 to M63 are circuit elements that are in a normal state and are in a conductive state, such as a resistor or an on-state transistor.
[0040]
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of the monitor and resistance values of the test circuit.
[0041]
FIG. 7 shows
[0042]
[0043]
[0044]
Items 4 to 6 correspond to the case where the resistance value r of each resistor rx is 5Ω. Item 4 is when the number of abnormal monitors is one,
[0045]
Items 7 to 9 correspond to the case where the resistance value r of each resistor rx is 20Ω. Item 7 is when the number of abnormal monitors is one, item 8 is when the number of abnormal monitors is 20, and item 9 is when the number of abnormal monitors is 60. For example, in the case of item 9 where the number of abnormal monitors is 60, the potential difference of each normal monitor Mx is 8.1014 mV, and the potential difference of the abnormal monitor Mx is 32.9283 mV.
[0046]
Here, the resistor rx plays a role of limiting the current and not destroying the element. Therefore, as shown in FIG. 8, if the
[0047]
As shown in
[0048]
However, if the resistance value r of the resistor rx is brought close to the resistance value R of the resistor Rx, there will be no significant difference in potential difference between the normal monitor and the abnormal monitor. FIG. 9 is a diagram illustrating current and voltage values when the resistance value r is close to the resistance value R. In FIG. As shown in FIG. 9, when the resistance value r is set to 300Ω and the resistance value R is close to 500Ω, the potential difference in the case of normal monitoring and the potential difference in the case of abnormality monitoring are not so different, and due to manufacturing variations of the resistance Rx. It becomes impossible to determine whether the difference is a difference or a difference caused by the actual change in the resistance value of the monitor.
[0049]
As described above, in a circuit configuration for inspecting a monitor in which the conduction state is normal, a configuration in which the resistor rx is connected in series to the monitor Mx and this series connection is connected in parallel to the resistor Rx is preferable. The resistance value r of the resistor rx is preferably rm <r <R, where rm is the normal resistance value of the monitor to be measured. For example, the resistance value r is preferably set so that its order is at least one digit higher than the resistance value rm and at least one digit lower than the resistance value R of the resistor Rx.
[0050]
As described above, in the test semiconductor chip of the present invention, a plurality of test circuits each including a monitor to be measured are connected in series, an arbitrary one test circuit is selected, and the potential at the upper end connection point is selected. And the potential at the lower end connection point can be measured via the selection means, the voltage drop generated in the test circuit can be measured. Thereby, for example, it can be determined whether or not a monitor that should originally be in an open state is correctly in an open state, and whether or not a monitor that is supposed to be in a short-circuit state is correctly in a short-circuit state.
[0051]
Note that the monitors of the plurality of test circuits connected in series need not be the same, and may be different monitors. Further, the resistance values of the resistance elements of the test circuits are not necessarily the same, and may be changed according to the monitor to be measured. Alternatively, all the resistance values of the resistance elements of the test circuits may be set to be the same.
[0052]
As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the Example, this invention is not limited to the said Example, A various deformation | transformation is possible within the range as described in a claim.
[0053]
The contents of the present invention include the inventions within the scope described below.
[0054]
APPENDIX 1) A series connection circuit in which a plurality of test circuits including a monitor to be inspected and having two terminals are connected in series by connecting the terminals, and a first voltage is externally applied to one end of the series connection circuit. A terminal for supplying, a terminal for supplying a second voltage from the outside to the other end of the series connection circuit, a measurement terminal capable of measuring potential from the outside, and an arbitrary test circuit selected from the series connection circuit A semiconductor circuit comprising selection means for connecting at least one of the two terminals of the test circuit to the measurement terminal.
[0055]
(Supplementary note 2) The semiconductor circuit according to
[0056]
(Supplementary note 3) The semiconductor circuit according to
[0057]
Appendix 4) The semiconductor circuit according to
[0058]
(Supplementary note 5) The semiconductor circuit according to Supplementary note 4, wherein a resistance value of the resistor is larger than a resistance value of a measurement target of the monitor in an abnormal state.
[0059]
(Supplementary note 6) The semiconductor circuit according to Supplementary note 4, wherein the series connection circuit further includes a current limiting resistor connected in series.
[0060]
Supplementary Note 7) The test circuit is a circuit in which the monitor and the first resistor are connected in series, and a series connection of the monitor and the first resistor is connected in parallel with a second resistor. The semiconductor circuit according to
[0061]
(Supplementary note 8) The resistance value of the first resistor is larger than the resistance value of the monitor to be measured in a normal state, and the resistance value of the second resistor is larger than the resistance value of the first resistor. The semiconductor circuit according to appendix 7.
[0062]
Supplementary Note 9) The selection means is 2 n 2. The semiconductor device according to
[0063]
【The invention's effect】
In the test semiconductor chip of the present invention, a plurality of test circuits each including a monitor to be measured are connected in series, any one test circuit is selected, and the potential at the upper end connection point and the potential at the lower end connection point Is configured to be measurable through the selection means, so that a voltage drop generated in the test circuit can be measured. In this configuration, the test circuit or the monitor circuit in the test circuit may be electrically connected to a total of three terminals: a power supply voltage terminal, a ground voltage terminal, and a measurement terminal for a plurality of test circuits connected in series. As a result, the number of terminals and thus the number of pads can be greatly reduced as compared with the conventional configuration. Accordingly, a large number of monitors can be mounted on a single chip, and an efficient test semiconductor chip can be generated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining a test semiconductor chip according to the principle of the present invention;
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration when inspecting a monitor whose open state is a normal state.
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration when inspecting a monitor whose normal state is a short circuit state;
FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of a circuit configuration when inspecting a monitor whose open state is a normal state.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a monitor and resistance value of a test circuit.
FIG. 6 is a diagram showing an example of a circuit configuration when inspecting a monitor whose normal short-circuit state is normal.
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of monitor and resistance values of a test circuit.
FIG. 8 is a diagram showing another embodiment of a circuit configuration when inspecting a monitor in which a substantially short-circuit state is normal.
9 is a diagram showing current and voltage values when a resistance value r is brought close to the resistance value R. FIG.
[Explanation of symbols]
11-1 to 11-n test circuit
12 Selection means
Claims (7)
該直列接続回路の一方の端に外部から第1の電圧を供給する端子と、
該直列接続回路の他方の端に外部から第2の電圧を供給する端子と、
前記第1の電圧を供給する端子と前記第2の電圧を供給する端子とは別個の端子であり、外部から電位測定可能な測定端子と、
該直列接続回路から任意のテスト回路を選択し該選択したテスト回路の該2つの端子のうち少なくとも一方を該測定端子に接続する選択手段
を含むことを特徴とする半導体回路。A series connection circuit in which a plurality of test circuits including a monitor to be inspected and having two terminals are connected in series by connecting the terminals;
A terminal for supplying a first voltage from the outside to one end of the series connection circuit;
A terminal for supplying a second voltage from the outside to the other end of the series connection circuit;
The terminal for supplying the first voltage and the terminal for supplying the second voltage are separate terminals, and a measurement terminal capable of measuring potential from the outside,
A semiconductor circuit comprising: selection means for selecting an arbitrary test circuit from the series connection circuit and connecting at least one of the two terminals of the selected test circuit to the measurement terminal.
該直列接続回路の一方の端に外部から第1の電圧を供給する端子と、
該直列接続回路の他方の端に外部から第2の電圧を供給する端子と、
外部から電位測定可能な測定端子と、
該直列接続回路から任意のテスト回路を選択し該選択したテスト回路の該2つの端子のうち少なくとも一方を該測定端子に接続する選択手段
を含み、
該テスト回路は、該モニタと第1の抵抗とを直列接続し、該モニタと該第1の抵抗との直列接続を第2の抵抗と並列接続した回路であることを特徴とする半導体回路。 A series connection circuit in which a plurality of test circuits including a monitor to be inspected and having two terminals are connected in series by connecting the terminals;
A terminal for supplying a first voltage from the outside to one end of the series connection circuit;
A terminal for supplying a second voltage from the outside to the other end of the series connection circuit;
A measurement terminal capable of measuring potential from the outside,
Selection means for selecting an arbitrary test circuit from the series connection circuit and connecting at least one of the two terminals of the selected test circuit to the measurement terminal
Including
The test circuit, said monitor and a first resistor connected in series, the semiconductor circuit which is a circuit for a series connection connected in parallel with the second resistor with the resistor the monitor and the first.
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940694B2 (en) | 2003-04-18 | 2007-07-04 | 株式会社東芝 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8281158B2 (en) * | 2007-05-30 | 2012-10-02 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63255672A (en) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Test circuit for circuit block |
JPH0538887U (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-25 | ソニー株式会社 | Test pattern for reliability evaluation of semiconductor devices |
JPH05335396A (en) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Kawasaki Steel Corp | Semiconductor device for test and its testing method |
JPH09162254A (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Matsushita Electron Corp | Reliability test method and device of metal wiring |
JPH11248755A (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Stacked voltage measuring apparatus |
JP2000304819A (en) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
2000
- 2000-11-30 JP JP2000365986A patent/JP4480880B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63255672A (en) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Test circuit for circuit block |
JPH0538887U (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-25 | ソニー株式会社 | Test pattern for reliability evaluation of semiconductor devices |
JPH05335396A (en) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Kawasaki Steel Corp | Semiconductor device for test and its testing method |
JPH09162254A (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Matsushita Electron Corp | Reliability test method and device of metal wiring |
JPH11248755A (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Stacked voltage measuring apparatus |
JP2000304819A (en) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
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