JP4471704B2 - Substrate detection apparatus, substrate detection method, substrate transfer apparatus and substrate transfer method, substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Description
本発明は、基板を検出する基板検出装置、基板検出方法、基板を搬送する基板搬送装置および基板搬送方法、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate detection apparatus for detecting a substrate, a substrate detection method, a substrate transfer apparatus and a substrate transfer method for transferring a substrate, a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.
半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセスでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装置が用いられている。 A substrate processing apparatus is used to perform various processes on a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for an optical disk, and the like. For example, in a semiconductor device manufacturing process, a substrate processing apparatus is used in which a series of processes are unitized and a plurality of processing units are integrated in order to increase production efficiency.
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。そのため、各処理ユニット間で基板を搬送する基板搬送ロボットが設けられている。 In such a substrate processing apparatus, generally, a plurality of different processes are continuously performed on a single substrate. Therefore, a substrate transport robot that transports the substrate between the processing units is provided.
図17は従来の基板処理装置500の一例を示す斜視図である(特許文献1参照)。 FIG. 17 is a perspective view showing an example of a conventional substrate processing apparatus 500 (see Patent Document 1).
図17の基板処理装置500は、基板Wに塗布処理、現像処理、加熱処理、冷却処理等の一連の処理を行うための装置であり、図17の紙面で下側に処理領域Aを有し、上側に処理領域Bを有し、処理領域Aと処理領域Bとの間に搬送領域Cを有する。
A
処理領域Aには、基板Wに処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット(スピンコータ)SCおよび基板Wに現像処理を行う回転式現像ユニット(スピンデベロッパ)SDが配置されている。また、処理領域Bには、基板Wに加熱処理を行う加熱ユニット(ホットプレート)HPおよび基板Wに冷却処理を行う冷却ユニット(クーリングプレート)CPが配置されている。搬送領域Cには、基板搬送ロボット60が移動自在に設けられている。また、処理領域A,Bの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサIDが配置されている。
In the processing area A, a rotary coating unit (spin coater) SC for applying a processing liquid to the substrate W and a rotary developing unit (spin developer) SD for developing the substrate W are arranged. In the processing region B, a heating unit (hot plate) HP that performs heat treatment on the substrate W and a cooling unit (cooling plate) CP that performs cooling processing on the substrate W are arranged. In the transfer area C, a
このインデクサIDには、基板Wを収納する複数のカセット1と搬送領域Cに設けられた基板搬送ロボット60との間で基板Wの受け渡しを行うインデクサロボット51が配置されている。この基板搬送ロボット60とインデクサロボット51との間の基板Wの受け渡しは、受け渡し部TPで行われる。
The indexer ID is provided with an indexer robot 51 that transfers the substrate W between the plurality of
すなわち、インデクサIDのインデクサロボット51は、矢印Uの方向に移動し、カセット1から基板Wを取り出して受け渡し部TPにおいて基板搬送ロボット60に渡し、逆に、一連の処理が施された基板Wを受け渡し部TPにおいて基板搬送ロボット60から受け取ってカセット1に戻す。
In other words, the indexer robot 51 with the indexer ID moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate W from the
基板搬送ロボット60は、搬送アーム61を有し、インデクサロボット51から渡された基板Wを指定された処理ユニットに搬送し、あるいは処理ユニットから受け取った基板Wを他の処理ユニットまたはインデクサロボット51に搬送する。
The
このように、従来の基板処理装置500では、基板搬送ロボット60およびインデクサロボット51により各処理ユニットに基板Wを搬送しつつ一連の処理を行うことができる。
しかしながら、近年、基板の大型化に伴って各処理ユニットおよび基板搬送装置も大型化しつつある。また、この基板の大型化に伴って基板1枚当たりの生産コストも増加し、搬送不良による基板の落下または破損等が生じるとコスト増加の要因となる。 However, in recent years, with the increase in size of substrates, the processing units and substrate transfer apparatuses are also increasing in size. Further, as the size of the substrate increases, the production cost per substrate increases, and if the substrate is dropped or damaged due to a conveyance failure, the cost increases.
例えば、従来の基板処理装置500において、基板Wが搬送アームに設けられた複数の支持ピンのうち一部の支持ピンに支持されずに搬送アーム上に載置された場合、基板Wは、傾斜姿勢のまま各処理ユニットに搬入される。この場合、各処理ユニットにおいて基板の保持不良が発生し、基板Wの未処理部分が生じたり、基板Wの破損が生じたりする。
For example, in the conventional
そこで、光学センサを用いて基板Wの位置ずれが検出される。しかしながら、基板Wの材質としてガラス等の透光性の材質も使用されることがあり、光学センサを用いて種々の基板Wの姿勢を正確に検出することは困難である。 Therefore, the positional deviation of the substrate W is detected using an optical sensor. However, a translucent material such as glass may be used as the material of the substrate W, and it is difficult to accurately detect the postures of various substrates W using an optical sensor.
本発明の目的は、種々の基板の傾斜状態を正確に検出することができる基板検出装置および基板検出方法を提供することである。 The objective of this invention is providing the board | substrate detection apparatus and board | substrate detection method which can detect the inclination state of a various board | substrate correctly.
本発明の他の目的は、種々の基板の傾斜状態を正確に検出することができる基板搬送装置および基板搬送方法を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a substrate transport apparatus and a substrate transport method capable of accurately detecting the tilt state of various substrates.
本発明のさらに他の目的は、種々の基板の傾斜状態を正確に検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 Still another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of accurately detecting the tilt state of various substrates.
第1の発明に係る基板検出装置は、水平面に対する基板の傾斜状態を検出する基板検出装置であって、基板を支持する支持手段と、支持手段に支持された基板の表面までの距離を測定することにより基板の傾斜状態を検出する検出手段とを備え、検出手段は、支持手段にほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を基準値として予め測定した後に、支持手段に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を測定値として測定する距離測定センサと、距離測定センサにより得られた基準値と距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態を判定する判定手段とを含み、判定手段は、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定するものである。 A substrate detection device according to a first aspect of the present invention is a substrate detection device that detects an inclination state of a substrate with respect to a horizontal plane, and measures a distance between a support unit that supports the substrate and a surface of the substrate supported by the support unit. And detecting means for detecting the tilt state of the substrate, the detecting means after measuring in advance as a reference value the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported substantially horizontally by the support means, A distance measurement sensor that measures the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported by the support means, a reference value obtained by the distance measurement sensor, and a measurement value obtained by the distance measurement sensor; calculating the difference between each includes determination means for determining inclined state of the substrate based on a difference of three or more measurement point determination means, an inclined state of the substrate supported by the supporting means Determining the angle of inclination of the plate, the determined angle are those determined to be an inclined state of the substrate is an abnormality in the case of more than a predetermined value.
本発明に係る基板検出装置においては、基板が支持手段により支持され、検出手段により基板の表面までの距離が測定される。それにより、水平面に対する基板の傾斜状態が正確に検出される。
この場合、支持手段にほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が基準値として距離測定センサにより予め測定された後に、支持手段に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が測定値として距離測定センサにより測定され、基準値と測定値との差がそれぞれ算出され、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態が判定される。したがって、距離測定センサの位置決め精度にかかわらず、より正確に基板の傾斜状態を判定することが可能となる。
また、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することにより、処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。
In the substrate detection apparatus according to the present invention, the substrate is supported by the support means, and the distance to the surface of the substrate is measured by the detection means. Thereby, the inclination state of the substrate with respect to the horizontal plane is accurately detected.
In this case, after the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate substantially horizontally supported by the support means is measured in advance by the distance measuring sensor as a reference value, 3 of the surface of the substrate supported by the support means is measured. The distance to two or more measurement points is measured by a distance measurement sensor as a measurement value, and the difference between the reference value and the measurement value is calculated, and the tilt state of the substrate is determined based on the difference between three or more measurement points. Is done. Therefore, it is possible to determine the tilt state of the substrate more accurately regardless of the positioning accuracy of the distance measuring sensor.
Further, by determining the angle of inclination of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the support means, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value, It becomes possible to correct the posture of the substrate.
距離測定センサは、超音波式距離測定センサを含むことを特徴超音波式距離測定センサを含んでもよい。この場合、超音波式距離測定センサから発信された超音波が基板の表面で反射され、その反射波が超音波式距離測定センサにより受信されることにより、基板の表面までの距離が測定される。 The distance measuring sensor may include an ultrasonic distance measuring sensor, including an ultrasonic distance measuring sensor. In this case, the ultrasonic wave transmitted from the ultrasonic distance measuring sensor is reflected on the surface of the substrate, and the reflected wave is received by the ultrasonic distance measuring sensor, whereby the distance to the surface of the substrate is measured. .
ここで、超音波は、対象物の透明および不透明にかかわらず、その表面で反射する。したがって、超音波式距離測定センサによれば、基板の透明および不透明にかかわらず基板の表面までの距離を正確に測定することができる。それにより、基板の表面までの距離に基づいて水平面に対する基板の傾斜状態を正確に検出することが可能となる。 Here, the ultrasonic waves are reflected on the surface of the object regardless of whether the object is transparent or opaque. Therefore, according to the ultrasonic distance measuring sensor, the distance to the surface of the substrate can be accurately measured regardless of whether the substrate is transparent or opaque. Accordingly, it is possible to accurately detect the tilt state of the substrate with respect to the horizontal plane based on the distance to the surface of the substrate.
距離測定センサは、レーザ式距離測定センサを含んでもよい。この場合、レーザ式距離測定センサから出射されたレーザ光が基板の表面で反射され、その反射光がレーザ式距離測定センサにより受光されることにより、基板の表面までの距離が測定される。 The distance measuring sensor may include a laser distance measuring sensor. In this case, the laser light emitted from the laser type distance measuring sensor is reflected on the surface of the substrate, and the reflected light is received by the laser type distance measuring sensor, whereby the distance to the surface of the substrate is measured.
ここで、レーザ式距離測定センサは、高い分解能で対象物までの距離を測定することができる。したがって、レーザ式距離測定センサによれば、基板の表面までの距離を正確に測定することができる。それにより、基板の表面までの距離に基づいて水平面に対する基板の傾斜状態を正確に検出することが可能となる。 Here, the laser distance measuring sensor can measure the distance to the object with high resolution. Therefore, according to the laser type distance measuring sensor, the distance to the surface of the substrate can be accurately measured. Accordingly, it is possible to accurately detect the tilt state of the substrate with respect to the horizontal plane based on the distance to the surface of the substrate.
距離測定センサは、マイクロ波式距離測定センサを含んでもよい。この場合、マイクロ波式距離測定センサから発信されたマイクロ波が基板の表面で反射され、その反射波がマイクロ波式距離測定センサにより受信されることにより、基板の表面までの距離が測定される。 The distance measuring sensor may include a microwave distance measuring sensor. In this case, the microwave transmitted from the microwave distance measuring sensor is reflected on the surface of the substrate, and the reflected wave is received by the microwave distance measuring sensor, whereby the distance to the surface of the substrate is measured. .
ここで、マイクロ波は、対象物の透明および不透明にかかわらず、その表面で反射する。したがって、マイクロ波式距離測定センサによれば、基板の透明および不透明にかかわらず基板の表面までの距離を正確に測定することができる。それにより、基板の表面までの距離に基づいて水平面に対する基板の傾斜状態を正確に検出することが可能となる。 Here, the microwave is reflected on the surface of the object regardless of whether the object is transparent or opaque. Therefore, according to the microwave distance measuring sensor, the distance to the surface of the substrate can be accurately measured regardless of whether the substrate is transparent or opaque. Accordingly, it is possible to accurately detect the tilt state of the substrate with respect to the horizontal plane based on the distance to the surface of the substrate.
距離測定センサは、支持手段に支持された基板の表面の3つ以上の測定位置までの距離を測定するように3つ以上設けられてもよい。 Three or more distance measurement sensors may be provided so as to measure distances to three or more measurement positions on the surface of the substrate supported by the support means.
この場合、3つ以上の距離測定センサにより基板の表面までの距離を測定することができる。それにより、基板の傾斜の有無、基板の傾斜の方向および基板の傾斜の角度を正確に検出ことが可能となる。 In this case, the distance to the surface of the substrate can be measured by three or more distance measuring sensors. Accordingly, it is possible to accurately detect the presence / absence of the substrate tilt, the direction of the substrate tilt, and the angle of the substrate tilt.
検出手段は、距離測定センサを支持手段により支持される基板に対して相対的に移動させる移動手段をさらに含んでもよい。 The detecting means may further include a moving means for moving the distance measuring sensor relative to the substrate supported by the supporting means.
この場合、距離測定センサを移動手段により移動させることにより基板の任意の位置において基板の表面までの距離を測定することができる。それにより、基板の傾斜の有無、基板の傾斜の方向および基板の傾斜の角度を正確に検出することが可能となる。 In this case, the distance to the surface of the substrate can be measured at an arbitrary position of the substrate by moving the distance measuring sensor by the moving means. Accordingly, it is possible to accurately detect the presence / absence of the substrate tilt, the direction of the substrate tilt, and the angle of the substrate tilt.
判定手段は、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の有無を判定してもよい。 The determination unit may determine whether the substrate is tilted as the tilted state of the substrate supported by the support unit.
この場合、基板の傾斜状態の異常を判定することができる。それにより、基板の傾斜状態の異常時に処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。 In this case, it is possible to determine an abnormality in the tilted state of the substrate. Thereby, it is possible to stop the processing or correct the posture of the substrate when the inclined state of the substrate is abnormal.
判定手段は、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の方向を判定してもよい。 The determination means may determine the direction of inclination of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the support means.
これにより、基板の傾斜の方向に基づいて基板の姿勢を修正することが可能となる。 As a result, the posture of the substrate can be corrected based on the direction of inclination of the substrate.
判定手段により判定された基板の傾斜状態に基づいて支持手段により支持される基板の状態を修正する修正手段をさらに備えてもよい。 You may further provide the correction means which corrects the state of the board | substrate supported by a support means based on the inclination state of the board | substrate determined by the determination means.
この場合、基板の傾斜状態が修正されるので、基板の処理を続行することが可能となる。 In this case, since the tilted state of the substrate is corrected, it is possible to continue processing the substrate.
修正手段は、当接部材と、支持手段により支持された基板を当接部材に当接させることにより支持手段により支持された基板の傾斜状態を修正する制御手段とを含んでもよい。 The correcting means may include an abutting member and a control means for correcting an inclined state of the substrate supported by the supporting means by bringing the substrate supported by the supporting means into contact with the abutting member.
この場合、支持手段により支持された基板を当接部材に当接させることにより基板の傾斜状態を容易に修正することができる。 In this case, the inclined state of the substrate can be easily corrected by bringing the substrate supported by the support means into contact with the contact member.
第2の発明に係る基板搬送装置は、基板を搬送する基板搬送装置であって、上記第1の発明に係る基板検出装置を備えたものである。 A substrate transfer apparatus according to a second invention is a substrate transfer apparatus for transferring a substrate, and includes the substrate detection apparatus according to the first invention.
本発明に係る基板搬送装置においては、第1の発明に係る基板検出装置が基板を搬送する基板搬送装置に備えられる。この場合、基板が基板搬送装置により搬送されるとともに、検出手段により基板の表面までの距離が測定される。それにより、水平面に対する基板の傾斜状態が正確に検出される。
また、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することにより、処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。
In the substrate transfer apparatus according to the present invention, the substrate detection apparatus according to the first invention is provided in the substrate transfer apparatus that transfers the substrate. In this case, the substrate is transported by the substrate transport device, and the distance to the surface of the substrate is measured by the detection means. Thereby, the inclination state of the substrate with respect to the horizontal plane is accurately detected.
Further, by determining the angle of inclination of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the support means, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value, It becomes possible to correct the posture of the substrate.
第3の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を支持して処理する処理部と、処理部と所定位置との間で基板を支持して搬送する搬送手段と、処理部または搬送手段により支持された基板の表面までの距離を測定することにより水平面に対する基板の傾斜状態を検出する検出手段とを備え、検出手段は、処理部または搬送手段によりほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を基準値として予め測定した後に、処理部または搬送手段により支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を測定値として測定する距離測定センサと、距離測定センサにより得られた基準値と距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態を判定する判定手段とを含み、判定手段は、処理部または搬送手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定するものである。 A substrate processing apparatus according to a third aspect of the present invention is a substrate processing apparatus that processes a substrate, and supports and conveys a processing unit that supports and processes the substrate, and the processing unit and a predetermined position. A transport unit; and a detection unit that detects a state of inclination of the substrate with respect to a horizontal plane by measuring a distance to the surface of the substrate supported by the processing unit or the transport unit. After measuring in advance the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported horizontally as a reference value, the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported by the processing unit or the transport means Calculate the difference between the distance measurement sensor to be measured as the measurement value, the reference value obtained by the distance measurement sensor, and the measurement value obtained by the distance measurement sensor, respectively, and based on the difference at three or more measurement points. There and a judging means for judging inclined state of the substrate, the determination unit, when determining the angle of inclination of the substrate as the inclined state of the substrate supported by the processing unit or the conveying means, the determined angle is greater than a predetermined value In addition, it is determined that the inclined state of the substrate is abnormal .
本発明に係る基板処理装置においては、処理部において基板が支持された状態で処理される。また、処理部と所定位置との間で搬送手段により基板が支持された状態で搬送される。さらに、検出手段により処理部または搬送手段により支持された基板の表面までの距離が測定される。それにより、水平面に対する基板の傾斜状態が正確に検出される。
この場合、処理部または搬送手段によりにほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が基準値として距離測定センサにより予め測定された後に、処理部または搬送手段により支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が測定値として距離測定センサにより測定され、基準値と測定値との差がそれぞれ算出され、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態が判定される。したがって、距離測定センサの位置決め精度にかかわらず、より正確に基板の傾斜状態を判定することが可能となる。
また、処理部または搬送手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することにより、処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, the processing is performed while the substrate is supported by the processing unit. Further, the substrate is transported between the processing unit and a predetermined position while being supported by the transport means. Further, the distance to the surface of the substrate supported by the processing unit or the transport unit is measured by the detection unit. Thereby, the inclination state of the substrate with respect to the horizontal plane is accurately detected.
In this case, the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported substantially horizontally by the processing unit or the transport unit is measured in advance by the distance measuring sensor as a reference value, and then supported by the processing unit or the transport unit. The distance to the three or more measurement points on the surface of the substrate is measured as a measurement value by the distance measurement sensor, and the difference between the reference value and the measurement value is calculated, respectively, based on the difference between the three or more measurement points. Then, the inclination state of the substrate is determined. Therefore, it is possible to determine the tilt state of the substrate more accurately regardless of the positioning accuracy of the distance measuring sensor.
Further, by determining the angle of inclination of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the processing unit or the conveying means, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value, Can be stopped or the posture of the substrate can be corrected.
第4の発明に係る基板検出方法は、水平面に対する基板の傾斜状態を検出する基板検出方法であって、支持手段により基板を支持する工程と、支持された基板の表面までの距離を測定することにより基板の傾斜状態を検出する工程とを備え、検出する工程は、支持手段にほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を距離測定センサを用いて基準値として予め測定した後に、支持手段に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を距離測定センサを用いて測定値として測定する工程と、距離測定センサにより得られた基準値と距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態を判定する工程とを含み、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定する工程をさらに備えたものである。 A substrate detection method according to a fourth aspect of the present invention is a substrate detection method for detecting a tilt state of a substrate with respect to a horizontal plane, the step of supporting the substrate by a support means, and measuring the distance to the surface of the supported substrate. And detecting the tilt state of the substrate by using a distance measuring sensor as a reference value for the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported substantially horizontally by the support means. After measuring in advance, a step of measuring distances to three or more measurement points on the surface of the substrate supported by the support means as measurement values using a distance measurement sensor, and a reference value and distance obtained by the distance measurement sensor the difference between the measured values obtained by the measuring sensor is calculated respectively, and a step of determining the inclined state of the substrate based on a difference of three or more measurement points, a group supported by the support means Of determining the angle of inclination of the substrate as the inclined position, the determined angle is one in which further comprising a step of determining the inclination state of the substrate is an abnormality in the case of more than a predetermined value.
本発明に係る基板検出方法においては、基板が支持され、基板の表面までの距離が測定される。それにより、水平面に対する基板の傾斜状態が正確に検出される。
この場合、支持手段にほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が基準値として距離測定センサにより予め測定された後に、支持手段に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が測定値として距離測定センサにより測定され、基準値と測定値との差がそれぞれ算出され、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態が判定される。したがって、距離測定センサの位置決め精度にかかわらず、より正確に基板の傾斜状態を判定することが可能となる。
また、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することにより、処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。
In the substrate detection method according to the present invention, the substrate is supported, and the distance to the surface of the substrate is measured. Thereby, the inclination state of the substrate with respect to the horizontal plane is accurately detected.
In this case, after the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate substantially horizontally supported by the support means is measured in advance by the distance measuring sensor as a reference value, 3 of the surface of the substrate supported by the support means is measured. The distance to two or more measurement points is measured by a distance measurement sensor as a measurement value, and the difference between the reference value and the measurement value is calculated, and the tilt state of the substrate is determined based on the difference between three or more measurement points. Is done. Therefore, it is possible to determine the tilt state of the substrate more accurately regardless of the positioning accuracy of the distance measuring sensor.
Further, by determining the angle of inclination of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the support means, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value, It becomes possible to correct the posture of the substrate.
第5の発明に係る基板搬送方法は、基板を搬送する基板搬送方法であって、第1の発明に係る基板検出装置を用いて水平面に対する基板の傾斜状態を検出するものである。 A substrate transport method according to a fifth aspect of the present invention is a substrate transport method for transporting a substrate, and detects the tilt state of the substrate with respect to a horizontal plane using the substrate detection apparatus according to the first aspect of the present invention.
本発明に係る基板搬送方法においては、基板を搬送する際に第1の発明に係る基板検出装置を用いて水平面に対する基板の傾斜状態が検出される。この場合、基板が基板搬送装置により搬送されるとともに、検出手段により基板の表面までの距離が測定される。それにより、水平面に対する基板の傾斜状態が正確に検出される。
また、支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することにより、処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。
In the substrate transport method according to the present invention, when the substrate is transported, the tilt state of the substrate with respect to the horizontal plane is detected using the substrate detection apparatus according to the first invention. In this case, the substrate is transported by the substrate transport device, and the distance to the surface of the substrate is measured by the detection means. Thereby, the inclination state of the substrate with respect to the horizontal plane is accurately detected.
Further, by determining the angle of inclination of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the support means, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value, It becomes possible to correct the posture of the substrate.
第6の発明に係る基板処理方法は、基板に処理を行う基板処理方法であって、処理部において支持された基板に処理を行う工程と、処理部と所定位置との間で基板を搬送手段により支持して搬送する工程と、搬送手段または処理部において支持された基板の表面までの距離を測定することにより水平面に対する基板の傾斜状態を検出する工程とを備え、検出する工程は、搬送手段または処理部においてほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を距離測定センサを用いて基準値として予め測定した後に、搬送手段または処理部において支持された基板の表面の測定地点までの距離を距離測定センサを用いて測定値として測定する工程と、距離測定センサにより得られた基準値と距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態を判定する工程とを含み、搬送手段または処理部において支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定する工程をさらに備えたものである。 A substrate processing method according to a sixth aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate, the step of processing a substrate supported by the processing unit, and a means for transporting the substrate between the processing unit and a predetermined position A step of detecting the tilt state of the substrate with respect to the horizontal plane by measuring a distance to the surface of the substrate supported by the transfer means or the processing unit, and the detecting step comprises: Alternatively, after measuring the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate substantially horizontally supported in the processing unit as a reference value using a distance measuring sensor, the surface of the substrate supported in the transport means or the processing unit Measuring the distance to the measurement point as a measurement value using the distance measurement sensor, the reference value obtained by the distance measurement sensor, and the measurement value obtained by the distance measurement sensor The difference was calculated, look including the step of determining the inclined state of the substrate based on a difference of three or more measurement points, the angle of the substrate tilted inclined state of the substrate supported in the conveying means or processor And a step of determining that the tilt state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value .
本発明に係る基板処理方法においては、処理部において基板が支持された状態で処理される。また、処理部と所定位置との間で搬送手段により基板が支持された状態で搬送される。さらに、処理部または搬送手段により支持された基板の表面までの距離が測定される。それにより、水平面に対する基板の傾斜状態が正確に検出される。
この場合、搬送手段または処理部においてほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が基準値として距離測定センサにより予め測定された後に、搬送手段または処理部において支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離が測定値として距離測定センサにより測定され、基準値と測定値との差がそれぞれ算出され、3つ以上の測定地点についての差に基づいて基板の傾斜状態が判定される。したがって、距離測定センサの位置決め精度にかかわらず、より正確に基板の傾斜状態を判定することが可能となる。
また、搬送手段または処理部において支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することにより、処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。
In the substrate processing method according to the present invention, the processing is performed in a state where the substrate is supported by the processing unit. Further, the substrate is transported between the processing unit and a predetermined position while being supported by the transport means. Further, the distance to the surface of the substrate supported by the processing unit or the transport unit is measured. Thereby, the inclination state of the substrate with respect to the horizontal plane is accurately detected.
In this case, the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported substantially horizontally by the transport unit or the processing unit is measured in advance by the distance measuring sensor as a reference value, and then supported by the transport unit or the processing unit. The distance to three or more measurement points on the surface of the substrate is measured by the distance measurement sensor as a measurement value, and a difference between the reference value and the measurement value is calculated, respectively, based on the difference between the three or more measurement points. The tilt state of the substrate is determined. Therefore, it is possible to determine the tilt state of the substrate more accurately regardless of the positioning accuracy of the distance measuring sensor.
Further, by determining the angle of inclination of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the transport means or the processing unit, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value, Can be stopped or the posture of the substrate can be corrected.
本発明によれば、水平面に対する基板の傾斜状態が正確に検出される。また、基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することにより、処理の中止または基板の姿勢の修正を行うことが可能となる。 According to the present invention, the inclination state of the substrate with respect to the horizontal plane is accurately detected. Also, the substrate inclination angle is determined as the substrate inclination state, and when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value, the substrate inclination state is determined to be abnormal, thereby stopping the processing or correcting the substrate posture. Can be done.
以下、図を用いて本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成について説明する。 The configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置100の平面図である。なお、図1以降の各図には、位置関係を明確にするためにXYZ直交座標系を付している。なお、各軸において矢印が向かう方向を+方向、その反対の方向を−方向とする。また、図1〜3、8および10におけるZ軸について、紙面に垂直で手前に向かう方向を+Z方向とし、紙面に垂直で奥に向かう方向を−Z方向としている。また、図4におけるY軸について、紙面に垂直で手前に向かう方向を−Y方向とし、紙面に垂直で奥に向かう方向を+Y方向としている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of a
図1の基板処理装置100は、基板Wの洗浄を行う処理ユニットである枚葉式の洗浄ユニットMP1,MP2,MP3,MP4(以下、MP1〜MP4と略記する。)、基板搬送装置としてのインデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCR、カセット1および制御部CLを含む。
A
図1に示すように、基板処理装置100は、処理領域A,Bを有し、処理領域A,Bの間に搬送領域Cを有する。
As shown in FIG. 1, the
処理領域Aには、洗浄ユニットMP2,MP4が配置されている。また、処理領域Bにも、洗浄ユニットMP1,MP3が配置されている。 In the processing area A, cleaning units MP2 and MP4 are arranged. In the processing area B, cleaning units MP1 and MP3 are also arranged.
搬送領域Cには、基板搬送ロボットCRが回動自在に設けられている。また、搬送領域CとインデクサIDとの間に受け渡し部TPが設けられており、受け渡し部TPにおいてインデクサロボットIRと基板搬送ロボットCRとの間で基板Wの受け渡しが行われる。受け渡し部TPには、後述する複数の超音波式距離測定センサ(超音波式測長センサ)TS1,TS2,TS3が設けられ、さらに複数の位置決めピンT1,T2,T3,T4が立設されている。 In the transfer area C, a substrate transfer robot CR is rotatably provided. In addition, a transfer unit TP is provided between the transfer area C and the indexer ID, and the transfer of the substrate W is performed between the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR in the transfer unit TP. The delivery unit TP is provided with a plurality of ultrasonic distance measuring sensors (ultrasonic measuring sensors) TS1, TS2, TS3, which will be described later, and a plurality of positioning pins T1, T2, T3, T4. Yes.
インデクサIDに設けられたインデクサロボットIRは、±Y方向に移動し、カセット1から基板Wを取り出して基板搬送ロボットCRに渡し、逆に一連の処理を施された基板Wを基板搬送ロボットCRから受け取ってカセット1に戻す。
The indexer robot IR provided in the indexer ID moves in the ± Y direction, takes out the substrate W from the
基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから渡された基板Wを指定された洗浄ユニットMP1〜MP4に搬送し、あるいは洗浄ユニットMP1〜MP4から受け取った基板Wを他の洗浄ユニットMP1〜MP4またはインデクサロボットIRに搬送する。 The substrate transport robot CR transports the substrate W passed from the indexer robot IR to the designated cleaning units MP1 to MP4, or receives the substrate W received from the cleaning units MP1 to MP4 to the other cleaning units MP1 to MP4 or the indexer robot. Transport to IR.
制御部CLは、CPU(中央演算処理装置)を含むコンピュータ等からなり、搬送領域A,Bの各洗浄ユニットMP1〜MP4の動作、搬送領域Cの基板搬送ロボットCRの動作およびインデクサIDのインデクサロボットIRの動作を制御する。 The controller CL includes a computer including a CPU (central processing unit), and operates the cleaning units MP1 to MP4 in the transfer areas A and B, the operation of the substrate transfer robot CR in the transfer area C, and the indexer robot with the indexer ID. Control IR operation.
図2は、図1の基板処理装置100におけるインデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRの構成を示す平面図である。図2(a)はインデクサロボットIRの多関節アームの構成を示し、図2(b)は基板搬送ロボットCRの多関節アームの構成を示し、図2(c)は基板支持部PSの構成を示す。なお、図2の(a)および(b)におけるθについて、紙面で時計回りの方向を+θ方向とし、紙面で反時計回りの方向を−θ方向としている。
FIG. 2 is a plan view showing configurations of the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR in the
図2(a)に示すように、インデクサロボットIRは、基板Wを保持するための一対の搬送アームam4,cm4と、これらの一対の搬送アームam4,cm4をインデクサロボット本体IRHに対して互いに独立に進退させるための進退駆動機構am1,am2,am3およびcm1,cm2,cm3と、インデクサロボット本体IRHを鉛直軸線の±θ方向に回転駆動するための回転駆動機構(図示せず)と、インデクサロボット本体IRHを±Z方向に昇降させるための昇降駆動機構(図示せず)と、インデクサロボット本体IRHを±Y方向に移動させる±Y方向移動機構部(図示せず)とを備えている。 As shown in FIG. 2A, the indexer robot IR includes a pair of transfer arms am4 and cm4 for holding the substrate W, and the pair of transfer arms am4 and cm4 that are independent of the indexer robot body IRH. Forward / backward drive mechanisms am1, am2, am3 and cm1, cm2, cm3 for moving forward / backward, a rotary drive mechanism (not shown) for rotationally driving the indexer robot body IRH in the ± θ direction of the vertical axis, and an indexer robot An elevating drive mechanism (not shown) for raising and lowering the main body IRH in the ± Z direction and a ± Y direction moving mechanism (not shown) for moving the indexer robot main body IRH in the ± Y direction are provided.
進退駆動機構am1,am2,am3およびcm1,cm2,cm3は、多関節アーム型であり、一対の搬送アームam4,cm4の姿勢を保持しつつ、それらを水平方向に進退させることができる。一方の搬送アームam4は、他方の搬送アームcm4よりも上方において進退するようになっており、一対の搬送アームam4,cm4の両方がインデクサロボット本体IRHの上方に退避させられた初期状態では、これらの搬送アームam4,cm4は上下に重なり合う。 The advance / retreat drive mechanisms am1, am2, am3 and cm1, cm2, cm3 are multi-joint arm types, and can advance and retract them horizontally while maintaining the posture of the pair of transfer arms am4, cm4. One transfer arm am4 is advanced and retracted above the other transfer arm cm4. In an initial state in which both the pair of transfer arms am4 and cm4 are retracted above the indexer robot body IRH, The transport arms am4 and cm4 overlap each other vertically.
インデクサロボット本体IRHは、上述した制御部CLの指示に応じて進退駆動機構am1,am2,am3およびcm1,cm2,cm3を駆動する。この進退駆動機構am1,am2,am3およびcm1,cm2,cm3は、一対の搬送アームam4,cm4を往復移動させるためのモータ、ワイヤおよびプーリ等からなる駆動装置を有している。このような機構により、一対の搬送アームam4,cm4は、各々直接に駆動力が付与されて、±X方向に往復移動することができる。 The indexer robot main body IRH drives the advance / retreat drive mechanisms am1, am2, am3 and cm1, cm2, cm3 in accordance with the instructions of the controller CL described above. The forward / backward drive mechanisms am1, am2, am3 and cm1, cm2, cm3 have a drive device including a motor, a wire, a pulley, and the like for reciprocating the pair of transport arms am4, cm4. With such a mechanism, the pair of transfer arms am4 and cm4 can be reciprocated in the ± X directions by being directly applied with a driving force.
それにより、インデクサロボットIRの搬送アームam4,cm4が基板Wを支持した状態で±Z方向に移動可能、±θ方向に回動可能かつ伸縮可能となる。 Thereby, the transfer arms am4 and cm4 of the indexer robot IR can move in the ± Z direction while supporting the substrate W, and can rotate and extend and contract in the ± θ direction.
また、搬送アームam4,cm4の上面には、後述する複数の基板支持部PSが取り付けられる。本実施の形態においては、搬送アームam4,cm4の上面に載置される基板Wの外周に沿ってほぼ均等にそれぞれ4個の基板支持部PSが取り付けられる。この4個の基板支持部PSにより基板Wが支持される。 In addition, a plurality of substrate support portions PS, which will be described later, are attached to the upper surface of the transfer arms am4, cm4. In the present embodiment, four substrate support portions PS are attached substantially evenly along the outer periphery of the substrate W placed on the upper surface of the transfer arms am4, cm4. The substrate W is supported by the four substrate support portions PS.
なお、基板支持部PSの個数は4個に限定されず、基板Wを安定して支持することができる個数であればよい。 Note that the number of substrate support parts PS is not limited to four as long as the number can stably support the substrate W.
次に、図2(b)に示すように、基板搬送ロボットCRは、基板Wを保持するための一対の搬送アームbm4,dm4と、これらの一対の搬送アームbm4,dm4を基板搬送ロボット本体CRHに対して互いに独立に進退させるための進退駆動機構bm1,bm2,bm3およびdm1,dm2,dm3と、基板搬送ロボット本体CRHを鉛直軸線の±θ方向に回転駆動するための回転駆動機構(図示せず)と、基板搬送ロボット本体CRHを±Z方向に昇降させるための昇降駆動機構(図示せず)とを備えている。 Next, as shown in FIG. 2B, the substrate transfer robot CR includes a pair of transfer arms bm4 and dm4 for holding the substrate W, and the pair of transfer arms bm4 and dm4. Forward / backward drive mechanisms bm1, bm2, bm3 and dm1, dm2, dm3 for independently moving forward and backward, and a rotary drive mechanism (not shown) for rotationally driving the substrate transport robot body CRH in the ± θ direction of the vertical axis. And an elevating drive mechanism (not shown) for elevating the substrate transfer robot main body CRH in the ± Z directions.
進退駆動機構bm1,bm2,bm3およびdm1,dm2,dm3は、多関節アーム型であり、一対の搬送アームbm4,dm4の姿勢を保持しつつ、それらを水平方向に進退させることができる。一方の搬送アームbm4は、他方の搬送アームdm4よりも上方において進退するようになっており、一対の搬送アームbm4,dm4の両方が基板搬送ロボット本体CRHの上方に退避させられた初期状態では、これらの搬送アームbm4,dm4は上下に重なり合う。 The advance / retreat drive mechanisms bm1, bm2, bm3 and dm1, dm2, dm3 are multi-joint arm types, and can advance and retreat them in the horizontal direction while maintaining the posture of the pair of transfer arms bm4, dm4. One transfer arm bm4 is advanced and retracted above the other transfer arm dm4, and in an initial state where both the pair of transfer arms bm4 and dm4 are retracted above the substrate transfer robot body CRH, These transfer arms bm4 and dm4 overlap one above the other.
基板搬送ロボット本体CRHは、上述した制御部CLの指示に応じて進退駆動機構bm1,bm2,bm3およびdm1,dm2,dm3を駆動する。この進退駆動機構bm1,bm2,bm3およびdm1,dm2,dm3は、一対の搬送アームbm4,dm4を往復移動させるためのモータ、ワイヤおよびプーリ等からなる駆動装置を有している。このような機構により、一対の搬送アームbm4,dm4は、各々直接に駆動力が付与されて、±X方向に往復移動することができる。 The substrate transfer robot main body CRH drives the advance / retreat drive mechanisms bm1, bm2, bm3 and dm1, dm2, dm3 in accordance with the instruction of the controller CL described above. The advance / retreat drive mechanisms bm1, bm2, bm3 and dm1, dm2, dm3 have a drive device including a motor, a wire, a pulley, and the like for reciprocating the pair of transport arms bm4, dm4. With such a mechanism, the pair of transfer arms bm4 and dm4 can be reciprocated in the ± X directions by being directly applied with a driving force.
それにより、基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4,dm4が基板Wを支持した状態で±Z方向に移動可能、±θ方向に回動可能かつ伸縮可能となる。 Accordingly, the transfer arms bm4 and dm4 of the substrate transfer robot CR can move in the ± Z direction while supporting the substrate W, can be rotated in the ± θ direction, and can be expanded and contracted.
また、基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4,dm4の上面には、後述する複数の基板支持部PSが取り付けられる。本実施の形態においては、搬送アームbm4,dm4の上面に載置される基板Wの外周に沿ってほぼ均等にそれぞれ4個の基板支持部PSが取り付けられる。この4個の基板支持部PSにより基板Wが支持される。 In addition, a plurality of substrate support portions PS described later are attached to the upper surfaces of the transfer arms bm4 and dm4 of the substrate transfer robot CR. In the present embodiment, four substrate support portions PS are attached almost evenly along the outer periphery of the substrate W placed on the upper surfaces of the transfer arms bm4, dm4. The substrate W is supported by the four substrate support portions PS.
なお、基板支持部PSの個数は4個に限定されず、基板Wを安定して支持することができる個数であればよい。 Note that the number of substrate support parts PS is not limited to four as long as the number can stably support the substrate W.
本実施の形態では、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRが、それぞれ一対の搬送アームam4,cm4およびbm4,dm4を有するダブルアーム型であるため、一方の搬送アームam4,bm4で処理済の基板Wを搬送し、他方の搬送アームcm4,dm4で未処理の基板Wを搬送する。それにより、未処理の基板Wに付着していたパーティクルが処理済の基板Wへと転移することを防止できる。また、処理済の基板Wを上方側の搬送アームam4,bm4で保持するようにしているから、未処理の基板Wから落下したパーティクルが処理済の基板Wへと再付着することがない。 In the present embodiment, since the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR are of the double arm type having a pair of transfer arms am4, cm4 and bm4, dm4, respectively, the substrate W processed by one transfer arm am4, bm4. And the unprocessed substrate W is transferred by the other transfer arm cm4, dm4. Thereby, it is possible to prevent the particles adhering to the unprocessed substrate W from being transferred to the processed substrate W. In addition, since the processed substrate W is held by the upper transfer arms am4 and bm4, particles dropped from the unprocessed substrate W do not reattach to the processed substrate W.
なお、上記実施の形態においては、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRの両方が、それぞれ、一対の搬送アームam4,cm4およびbm4,dm4を有するダブルアーム型のものである例について説明したが、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRのいずれか一方または両方が、1つの搬送アームのみを持つシングルアーム型であってもよい。 In the above embodiment, an example has been described in which both the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR are of the double arm type having a pair of transfer arms am4, cm4 and bm4, dm4, respectively. Either one or both of the robot IR and the substrate transfer robot CR may be a single arm type having only one transfer arm.
以下の説明においては、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRの一対の搬送アームam4,cm4およびbm4,dm4のうち、インデクサロボットIRの一方の搬送アームam4および基板搬送ロボットCRの一方の搬送アームbm4のみを図示しつつ説明する。 In the following explanation, only one transfer arm am4 of the indexer robot IR and one transfer arm bm4 of the substrate transfer robot CR out of the pair of transfer arms am4, cm4 and bm4, dm4 of the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR. Will be described with reference to FIG.
次に、図2(c)に示すように、基板支持部PSは、平面PS1,PS2,PS3,PS4を備えた基板支持台PSDおよび基板支持棒PSBより構成される。 Next, as shown in FIG. 2C, the substrate support part PS is composed of a substrate support stand PSD having a plane PS1, PS2, PS3, PS4 and a substrate support bar PSB.
基板支持台PSDの平面PS1,PS3は、水平なXY平面に平行に形成され、平面PS2,PS4は、XY平面から所定の角度傾斜するように形成される。なお、平面PS2は平面PS4に比較してより険しい傾斜面となっている。また、水平な平面PS3が平面PS4に向かう方向に十分に広く形成されている場合には、傾斜した平面P4を特に設けなくともよい。 The planes PS1 and PS3 of the substrate support base PSD are formed in parallel to the horizontal XY plane, and the planes PS2 and PS4 are formed to be inclined at a predetermined angle from the XY plane. Note that the plane PS2 has a steeper slope than the plane PS4. Further, when the horizontal plane PS3 is formed sufficiently wide in the direction toward the plane PS4, the inclined plane P4 does not need to be provided.
複数の基板支持部PSを平面PS2,PS4が基板Wの中心を向くように搬送アームam4,bm4の上面に配置することにより、複数の平面PS2,PS4によりテーパ形状が形成される。基板Wの正常な支持状態は、複数の基板支持部PSの平面PS3により基板Wの下面が支持される状態である。 By arranging the plurality of substrate support portions PS on the upper surfaces of the transfer arms am4 and bm4 so that the planes PS2 and PS4 face the center of the substrate W, a taper shape is formed by the plurality of planes PS2 and PS4. The normal support state of the substrate W is a state in which the lower surface of the substrate W is supported by the plane PS3 of the plurality of substrate support parts PS.
1つの基板支持部PSの平面PS2で基板Wの一方側の周縁が支持され、他の1つの基板支持部PSの平面PS3または平面PS4で基板Wの他方側の周縁が支持された場合には、この平面PS2のテーパ形状により基板Wの周縁を平面PS3上に容易に移動させることができる。 When the peripheral edge on one side of the substrate W is supported by the plane PS2 of one substrate support part PS, and the peripheral edge on the other side of the substrate W is supported by the plane PS3 or the plane PS4 of another substrate support part PS. The periphery of the substrate W can be easily moved on the plane PS3 by the tapered shape of the plane PS2.
次いで、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRの動作について説明する。 Next, operations of the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR will be described.
図3は、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRの受け渡し部TPにおける基板Wの受け渡し動作を説明するための平面図であり、図4は、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRの受け渡し部TPにおける基板Wの受け渡し動作を説明するための側面図である。 FIG. 3 is a plan view for explaining the transfer operation of the substrate W in the transfer unit TP of the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR, and FIG. 4 is a substrate in the transfer unit TP of the indexer robot IR and the substrate transfer robot CR. It is a side view for demonstrating the delivery operation | movement of W.
図3(a)および図4(a)は基板WがインデクサロボットIRにより支持された状態を示し、図3(b)および図4(b)は基板WがインデクサロボットIRから基板搬送ロボットCRに受け渡された直後の状態を示し、図3(c)および図4(c)は基板Wが基板搬送ロボットCRにより支持された状態を示す。なお、図4に示す超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3、固定台KDおよび位置決めピンT1,T2,T3,T4については後述する。 3A and 4A show a state where the substrate W is supported by the indexer robot IR, and FIGS. 3B and 4B show the substrate W from the indexer robot IR to the substrate transfer robot CR. FIG. 3C and FIG. 4C show a state in which the substrate W is supported by the substrate transport robot CR. The ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3, the fixing base KD and the positioning pins T1, T2, T3, T4 shown in FIG. 4 will be described later.
まず、図3(a)および図4(a)に示すように、インデクサロボットIRは、基板Wを搬送アームam4の基板支持部PSで支持している。 First, as shown in FIGS. 3A and 4A, the indexer robot IR supports the substrate W by the substrate support part PS of the transport arm am4.
図4(a)に示すように、インデクサロボットIRと受け渡し部TPとの間には、開口部を有する周壁WLが形成されている。その周壁WLの開口部には、シャッタSHが開閉自在に設けられている。シャッタSHは、制御部CLからの指示に基づいてシリンダSLにより開閉される。 As shown in FIG. 4A, a peripheral wall WL having an opening is formed between the indexer robot IR and the transfer portion TP. A shutter SH is provided at the opening of the peripheral wall WL so as to be freely opened and closed. The shutter SH is opened and closed by the cylinder SL based on an instruction from the controller CL.
図4(a)に示すように、基板Wを受け取る前の基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4は、インデクサロボットIRの搬送アームam4に対して相対的に下方向に位置する。 As shown in FIG. 4A, the transfer arm bm4 of the substrate transfer robot CR before receiving the substrate W is positioned relatively downward with respect to the transfer arm am4 of the indexer robot IR.
図4(b)に示すように、制御部CLは、シリンダSLによりシャッタSHを開かせる。続いて、インデクサロボットIRは、基板Wを支持する搬送アームam4を受け渡し部TPに前進させる。基板搬送ロボットCRは、点線で示すように、搬送アームbm4を周壁WLの開口部を通して受け渡し部TPに進入させる。 As shown in FIG. 4B, the controller CL opens the shutter SH by the cylinder SL. Subsequently, the indexer robot IR advances the transfer arm am4 that supports the substrate W to the transfer unit TP. The substrate transfer robot CR causes the transfer arm bm4 to enter the transfer part TP through the opening of the peripheral wall WL as indicated by a dotted line.
続いて、基板搬送ロボットCRは、搬送アームbm4を上方向に移動させる。それにより、インデクサロボットIRの搬送アームam4により支持された基板Wが基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4により支持される。このとき、図3(b)に平面図で示すように、この受け渡し部TPにおいては、インデクサロボットIRの搬送アームam4および基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4は、互いの形状が干渉しない平面位置に位置しているので、搬送アームbm4と搬送アームam4とが相対的に昇降しても、互いに干渉しない。 Subsequently, the substrate transfer robot CR moves the transfer arm bm4 upward. Thereby, the substrate W supported by the transport arm am4 of the indexer robot IR is supported by the transport arm bm4 of the substrate transport robot CR. At this time, as shown in a plan view in FIG. 3B, in the transfer section TP, the transfer arm am4 of the indexer robot IR and the transfer arm bm4 of the substrate transfer robot CR are in a plane position where their shapes do not interfere with each other. Therefore, even if the transport arm bm4 and the transport arm am4 move up and down relatively, they do not interfere with each other.
この場合、基板Wは、搬送アームbm4の上面に設けられた4個の基板支持部PSにより支持される。インデクサロボットIRの搬送アームam4は、受け渡し部TPから後退する。 In this case, the substrate W is supported by the four substrate support portions PS provided on the upper surface of the transport arm bm4. The transport arm am4 of the indexer robot IR moves backward from the transfer unit TP.
次に、基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4により支持された基板Wの姿勢が超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3および制御部CLにより検出される。超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3による基板Wの姿勢の検出結果に応じて、制御部CLは基板搬送ロボットCRの動作指示を行う。基板搬送ロボットCRは、制御部CLの指示に基づいて位置決めピンT1〜T4により基板Wの姿勢を修正する。この超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3による基板Wの姿勢の検出および位置決めピンT1〜T4による基板Wの姿勢の修正方法に関しては後述する。 Next, the posture of the substrate W supported by the transport arm bm4 of the substrate transport robot CR is detected by the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 and the control unit CL. In accordance with the detection result of the posture of the substrate W by the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3, the control unit CL instructs the operation of the substrate transport robot CR. The substrate transport robot CR corrects the posture of the substrate W by the positioning pins T1 to T4 based on an instruction from the controller CL. A method for detecting the posture of the substrate W by the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, and TS3 and a method for correcting the posture of the substrate W by the positioning pins T1 to T4 will be described later.
続いて、これら基板Wの姿勢の検出結果が良好と判定された場合には、図3(c)および図4(c)に示すように、基板搬送ロボットCRは、基板Wを支持する搬送アームbm4を受け渡し部TPから後退させる。その後、制御部CLは、シリンダSLによりシャッタSHを閉じる。 Subsequently, when it is determined that the detection result of the posture of the substrate W is good, the substrate transfer robot CR supports the transfer arm that supports the substrate W, as shown in FIGS. 3C and 4C. bm4 is retracted from the delivery unit TP. Thereafter, the controller CL closes the shutter SH with the cylinder SL.
次に、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3による基板Wの姿勢の検出および位置決めピンT1〜T4による基板Wの姿勢の修正に関して説明する。 Next, detection of the posture of the substrate W by the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 and correction of the posture of the substrate W by the positioning pins T1 to T4 will be described.
図5または図6は超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を用いて基板Wの姿勢を検出する方法を示す斜視図であり、図5は基板Wが搬送アームbm4に正常に支持されている場合を示し、図6は基板Wが搬送アームbm4に傾斜姿勢で支持されている場合を示す。 FIG. 5 or FIG. 6 is a perspective view showing a method for detecting the posture of the substrate W using the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3, and FIG. 5 shows that the substrate W is normally supported by the transfer arm bm4. FIG. 6 shows a case where the substrate W is supported on the transport arm bm4 in an inclined posture.
ここで、超音波式距離測定センサは、超音波を対象物に発信し、対象物で反射された超音波を受信し、超音波の発信から受信までの時間を測定することにより対象物までの距離を測定する。超音波式距離測定センサによれば、不透明体のみならず透明体からなる対象物までの距離も正確に測定することができる。したがって、超音波式距離測定センサは光学式測長センサ等と異なり、基板が透光性であるか否かにかかわらず基板Wの上面までの距離を正確に測定することができる。 Here, the ultrasonic distance measuring sensor transmits ultrasonic waves to an object, receives ultrasonic waves reflected by the object, and measures the time from transmission to reception of ultrasonic waves to the object. Measure distance. According to the ultrasonic distance measuring sensor, not only an opaque body but also a distance to an object made of a transparent body can be accurately measured. Therefore, unlike the optical length sensor or the like, the ultrasonic distance measuring sensor can accurately measure the distance to the upper surface of the substrate W regardless of whether the substrate is translucent or not.
図5においては、基板Wは搬送アームbm4の上面に配置された4個の基板支持部PSの平面PS3により正常に支持されている。この場合、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の測定値(D1,D2,D3)は、全て所定の許容範囲内にある。それにより、制御部CLは、基板Wが正常に支持されていると判定する。 In FIG. 5, the substrate W is normally supported by the plane PS3 of the four substrate support portions PS disposed on the upper surface of the transport arm bm4. In this case, the measured values (D1, D2, D3) of the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 are all within a predetermined allowable range. Thereby, the control unit CL determines that the substrate W is normally supported.
また、3個の超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3は基板Wの上方に設置された固定台KDに固定される。この3個の超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3は、基板Wの外周部近傍における基板Wの上面までの距離を測定できるように配置されている。この場合、基板Wが正常に支持されている状態で超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の測定値D1,D2,D3が等しくなるように、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3が位置決めされている。 Further, the three ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 are fixed to a fixing table KD installed above the substrate W. The three ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 are arranged so as to measure the distance to the upper surface of the substrate W in the vicinity of the outer peripheral portion of the substrate W. In this case, the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 so that the measured values D1, D2, D3 of the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 are equal in a state where the substrate W is normally supported. Is positioned.
超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3は、各々基板Wの上面までの距離を測定し、その測定値D1,D2,D3を制御部CLに与える。 The ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 each measure the distance to the upper surface of the substrate W, and give the measured values D1, D2, D3 to the controller CL.
制御部CLは、超音波式距離測定センサTS1の測定値D1、超音波式距離測定センサTS2の測定値D2および超音波式距離測定センサTS3の測定値D3に基づいて基板Wの傾斜方向および傾斜角度を算出する。 The control unit CL determines the tilt direction and tilt of the substrate W based on the measurement value D1 of the ultrasonic distance measurement sensor TS1, the measurement value D2 of the ultrasonic distance measurement sensor TS2, and the measurement value D3 of the ultrasonic distance measurement sensor TS3. Calculate the angle.
ここで、図7は、基板Wの傾斜方向と傾斜角度とを算出する方法の説明図である。 Here, FIG. 7 is an explanatory diagram of a method of calculating the tilt direction and tilt angle of the substrate W.
まず、基板W表面の上向きの法線ベクトルA1を、基板W表面に対して垂直下方向に投影させてできたベクトルを基板Wの傾斜ベクトルVとする。そして、基板Wの傾斜方向Hとは、この傾斜ベクトルVをXY平面(水平面W')に投影させてできたベクトルの方向であり、基板Wの傾斜角度θ1とは、傾斜ベクトルVとXY平面(水平面W')とのなす角度である。そして、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3が測定した基板W表面における3つの測定地点の空間座標(以下、測定座標という。X座標およびY座標は既知、Z座標は測定値D1〜D3に対応する値。)をそれぞれ求め、この3つの測定座標より基板W表面を含む平面の方程式が導かれる。この平面の方程式より、基板Wの法線ベクトルA1、傾斜ベクトルV、傾斜方向Hおよび傾斜角度θ1が算出される。 First, a vector obtained by projecting an upward normal vector A1 on the surface of the substrate W vertically downward with respect to the surface of the substrate W is set as an inclination vector V of the substrate W. The tilt direction H of the substrate W is a vector direction formed by projecting the tilt vector V onto the XY plane (horizontal plane W ′), and the tilt angle θ1 of the substrate W is the tilt vector V and the XY plane. It is an angle formed with (horizontal plane W ′). Then, spatial coordinates of three measurement points on the surface of the substrate W measured by the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 (hereinafter referred to as measurement coordinates. X and Y coordinates are known, and Z coordinates are measured values D1 to D3. Each of these values is obtained, and a plane equation including the surface of the substrate W is derived from these three measurement coordinates. From the plane equation, the normal vector A1, the inclination vector V, the inclination direction H, and the inclination angle θ1 of the substrate W are calculated.
次に、制御部CLは、算出した基板Wの傾斜角度θ1が所定の許容範囲内(例えば、水平に対する基板Wの傾斜角度θ1が1度未満)にあるか否かを判定し、所定の許容範囲内にあれば、基板Wが正常に搬送アームbm4に支持されていると判定し、傾斜角度θ1が所定の許容範囲外(例えば、1度以上)にあれば、基板Wが傾斜姿勢で搬送アームbm4に支持されていると判定する。 Next, the controller CL determines whether or not the calculated tilt angle θ1 of the substrate W is within a predetermined allowable range (for example, the tilt angle θ1 of the substrate W with respect to the horizontal is less than 1 degree), and the predetermined allowable If it is within the range, it is determined that the substrate W is normally supported by the transfer arm bm4, and if the inclination angle θ1 is outside the predetermined allowable range (for example, 1 degree or more), the substrate W is transferred in an inclined posture. It is determined that the arm bm4 is supported.
なお、ここで、図5のように搬送アームbm4により正規に(ほぼ水平に)支持された基板W上面までのそれぞれの距離(基準値DR1,DR2,DR3)を予め測定しておき、基板W上面までのそれぞれの実測距離(測定値D1,D2,D3)を測定し、そして基準値と実測距離との差(差分距離DR1−D1,DR2−D2,DR3−D3)を算出し、これら差分距離DR1−D1,DR2−D2,DR3−D3に基づいて基板Wの傾斜姿勢を判定してもよい。このようにすれば、上記実施の形態のように超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を上下方向の位置に関して精密に位置決めしておく必要がない。このため、これら超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の取り付け位置精度に関わらず、より正確に基板Wの姿勢を判定することが可能である。 Here, as shown in FIG. 5, the respective distances (reference values DR1, DR2, DR3) to the upper surface of the substrate W that is normally (substantially horizontally) supported by the transfer arm bm4 are measured in advance. The respective measured distances (measured values D1, D2, D3) to the upper surface are measured, and the difference between the reference value and the measured distance (difference distances DR1-D1, DR2-D2, DR3-D3) is calculated, and these differences are calculated. The tilt posture of the substrate W may be determined based on the distances DR1-D1, DR2-D2, DR3-D3. In this way, it is not necessary to precisely position the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 with respect to the vertical position as in the above embodiment. For this reason, it is possible to determine the posture of the substrate W more accurately regardless of the mounting position accuracy of the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3.
一方、図6においては、基板Wは搬送アームbm4の上面に配置された4個の基板支持部PSの平面PS1および傾斜した平面PS4により支持されている(図2(b),(c)参照)。この場合、算出した基板Wの傾斜角度θ1が所定の許容範囲外となるように設定されている。 On the other hand, in FIG. 6, the substrate W is supported by the plane PS1 and the inclined plane PS4 of the four substrate support portions PS arranged on the upper surface of the transport arm bm4 (see FIGS. 2B and 2C). ). In this case, the calculated inclination angle θ1 of the substrate W is set to be outside a predetermined allowable range.
続いて、制御部CLにより基板Wが傾斜姿勢で支持されていると判定された場合の基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4の動作について説明する。 Next, the operation of the transfer arm bm4 of the substrate transfer robot CR when the control unit CL determines that the substrate W is supported in an inclined posture will be described.
図8は基板Wの傾斜姿勢を修正する方法を示す斜視図であり、図9は基板Wの傾斜姿勢を修正する過程を示す平面図である。 FIG. 8 is a perspective view showing a method of correcting the tilt posture of the substrate W, and FIG. 9 is a plan view showing a process of correcting the tilt posture of the substrate W.
図9(a)は基板Wが傾斜姿勢で支持されている一例を示し、図9(b)は図9(a)の基板Wの傾斜姿勢を修正する一例を示し、図9(c)は基板Wが傾斜姿勢で支持されている他の例を示し、図9(d)は図9(c)の基板Wの傾斜姿勢を修正する他の例を示す。 9A shows an example in which the substrate W is supported in an inclined posture, FIG. 9B shows an example in which the inclined posture of the substrate W in FIG. 9A is corrected, and FIG. Another example in which the substrate W is supported in an inclined posture is shown, and FIG. 9D shows another example in which the inclined posture of the substrate W in FIG. 9C is corrected.
まず、制御部CLにより基板Wが傾斜姿勢で支持されていると判定された場合、図8に示すように、基板搬送ロボットCRは、基板Wを支持した搬送アームbm4を、受け渡し部TP内に立設された位置決めピンT1〜T4の上端部よりも低い位置まで下方向に平行移動させる。 First, when it is determined by the controller CL that the substrate W is supported in an inclined posture, as shown in FIG. 8, the substrate transport robot CR places the transport arm bm4 supporting the substrate W in the delivery unit TP. The positioning pins T1 to T4 which are erected are translated downward to a position lower than the upper end portions.
次に、図9(a)においては、基板Wの前側(−X方向)の周縁が、搬送アームbm4の先端に設けられた2個の基板支持部PSの平面PS1上にあり、基板Wの後側(+X方向)の周縁が搬送アームbm4の上面にある。このような場合、制御部CLは、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3から与えられる測定値D1〜D3より基板Wの傾斜ベクトルVを求め、さらに傾斜方向H(この場合は+X方向)を算出し、基板Wが前側にずれた状態で前側が高く後側が低く傾斜していると判定する。 Next, in FIG. 9A, the peripheral edge on the front side (−X direction) of the substrate W is on the plane PS1 of the two substrate support portions PS provided at the tips of the transfer arm bm4. The peripheral edge on the rear side (+ X direction) is on the upper surface of the transfer arm bm4. In such a case, the controller CL obtains the inclination vector V of the substrate W from the measurement values D1 to D3 given from the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3, and further, the inclination direction H (in this case, the + X direction). , And it is determined that the front side is inclined high and the rear side is inclined low with the substrate W shifted to the front side.
この場合、制御部CLは、傾斜方向Hから傾斜姿勢の基板Wの前側の周縁を2本の位置決めピンT1,T3に当接させて基板姿勢を修正するように基板搬送ロボットCRに指示する。すなわち、制御部CLは、基板Wを保持した搬送アームbm4を基板Wの傾斜方向H(+X方向)とは逆の方向(−X方向)に移動させ、搬送アームbm4を位置決めピンT1,T3に近づける。 In this case, the control unit CL instructs the substrate transport robot CR to correct the substrate posture by bringing the front peripheral edge of the substrate W in the tilted posture from the tilt direction H into contact with the two positioning pins T1 and T3. That is, the controller CL moves the transport arm bm4 holding the substrate W in the direction (−X direction) opposite to the inclination direction H (+ X direction) of the substrate W, and moves the transport arm bm4 to the positioning pins T1 and T3. Move closer.
この場合、図9(b)に示すように、搬送アームbm4の先端側に支持された基板Wの前側の周縁が位置決めピンT1,T3に当接する。それにより、基板Wの前側の周縁が基板支持部PSの平面PS1から平面PS3に移動し、基板Wの後側の周縁が搬送アームbm4の上面から傾斜した平面PS4を経由して平面PS3に移動する。その結果、基板Wの傾斜姿勢が水平に修正される。 In this case, as shown in FIG. 9B, the front peripheral edge of the substrate W supported on the front end side of the transport arm bm4 abuts on the positioning pins T1 and T3. As a result, the peripheral edge on the front side of the substrate W moves from the plane PS1 of the substrate support part PS to the plane PS3, and the peripheral edge on the rear side of the substrate W moves to the plane PS3 via the plane PS4 inclined from the upper surface of the transfer arm bm4. To do. As a result, the inclined posture of the substrate W is corrected horizontally.
一方、図9(c)においては、基板Wの前側(−X方向)の周縁が、搬送アームbm4の上面にあり、基板Wの後側(+X方向)の周縁が搬送アームbm4の後端に設けられた2個の基板支持部PSの平面PS1上にある。この場合、制御部CLは、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3から与えられる測定値D1〜D3より基板Wの傾斜ベクトルVを求め、さらに傾斜方向H(この場合はちょうど−X方向)を算出し、基板Wが後側にずれた状態で前側が低く後側が高く傾斜していると判定する。 On the other hand, in FIG. 9C, the peripheral edge on the front side (−X direction) of the substrate W is on the upper surface of the transfer arm bm4, and the peripheral edge on the rear side (+ X direction) of the substrate W is on the rear end of the transfer arm bm4. It is on the plane PS1 of the two substrate support portions PS provided. In this case, the controller CL obtains the inclination vector V of the substrate W from the measurement values D1 to D3 given from the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3, and further, the inclination direction H (in this case, just the −X direction). , And it is determined that the front side is low and the rear side is inclined high with the substrate W shifted to the rear side.
この場合、制御部CLは、傾斜方向Hから傾斜姿勢の基板Wの後側の周縁を2本の位置決めピンT2,T4に当接させて基板Wの姿勢を修正するように基板搬送ロボットCRに指示する。すなわち、制御部CLは、基板Wを保持した搬送アームbm4を基板Wの傾斜方向H(−X方向)とは逆の方向(+X方向)に移動させ、搬送アームbm4を位置決めピンT2,T4に近づける。 In this case, the controller CL causes the substrate transport robot CR to correct the posture of the substrate W by bringing the peripheral edge on the rear side of the substrate W in the tilted posture from the tilt direction H into contact with the two positioning pins T2 and T4. Instruct. That is, the controller CL moves the transport arm bm4 holding the substrate W in the direction (+ X direction) opposite to the inclination direction H (−X direction) of the substrate W, and moves the transport arm bm4 to the positioning pins T2 and T4. Move closer.
この場合、図9(d)に示すように、搬送アームbm4の後端側に支持された基板Wの後側の周縁が位置決めピンT2,T4に当接する。それにより、基板Wの前側の周縁が搬送アームbm4の上面から基板支持部PSの平面PS4を経由して平面PS3に移動し、基板Wの後側の周縁が基板支持部PSの平面PS1から平面PS3に移動する。その結果、基板Wの傾斜姿勢が水平に修正される。 In this case, as shown in FIG. 9D, the rear peripheral edge of the substrate W supported on the rear end side of the transport arm bm4 contacts the positioning pins T2 and T4. As a result, the peripheral edge on the front side of the substrate W moves from the upper surface of the transfer arm bm4 to the flat surface PS3 via the flat surface PS4 of the substrate support part PS, and the peripheral edge on the rear side of the substrate W is flat from the flat surface PS1 of the substrate support part PS. Move to PS3. As a result, the inclined posture of the substrate W is corrected horizontally.
続いて、基板搬送ロボットCRは、搬送アームbm4を上方向に上昇させて超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を用いて基板Wの姿勢を再度検出する。制御部CLは、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3による測定値D1〜D3に基づいて基板Wの傾斜角度θ1を算出し、基板Wが傾斜姿勢であるか否かを判定し、傾斜姿勢であると判定した場合には、再度、図8および図9に示した動作を基板搬送ロボットCRに指示する。 Subsequently, the substrate transport robot CR raises the transport arm bm4 upward and detects the posture of the substrate W again using the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3. The controller CL calculates the tilt angle θ1 of the substrate W based on the measured values D1 to D3 by the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3, determines whether the substrate W is in the tilted posture, When it is determined that the posture is determined, the operation shown in FIGS. 8 and 9 is again instructed to the substrate transport robot CR.
一方、基板Wが傾斜姿勢でないと判定した場合には、制御部CLは図1の各洗浄ユニットMP1〜MP4に基板Wを搬入するように基板搬送ロボットCRに指示する。 On the other hand, when it is determined that the substrate W is not in the inclined posture, the control unit CL instructs the substrate transport robot CR to carry the substrate W into each of the cleaning units MP1 to MP4 in FIG.
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置100においては、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を用いて基板Wの上面までの距離を正確に測定することができる。そして、制御部CLは、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3から与えられる測定値D1〜D3に基づいて基板Wの傾斜姿勢を正確かつ容易に判定することができる。
As described above, in the
また、基板処理装置100の制御部CLは、まず、基板Wの傾斜角度θ1に基づいて基板Wの保持が不良であるかどうかを判定し、不良である場合には、基板Wの傾斜方向Hに基づいて、最適な方法で位置決めピンT1〜T4に傾斜姿勢の基板Wを当接させることにより基板Wの傾斜姿勢を容易に修正することができる。それにより、基板Wの落下、破損および基板Wの未処理部分の発生を防止することができる。その結果、コスト増加を抑制することができる。
In addition, the control unit CL of the
図10は、超音波式距離測定センサTSRにより基板Wの姿勢を検出する方法の他の例を示す斜視図である。 FIG. 10 is a perspective view showing another example of a method for detecting the posture of the substrate W by the ultrasonic distance measuring sensor TSR.
図10に示すように、受け渡し部TPの上方にモータMが固定され、モータMの回転軸に固定回転板KBが取り付けられている。固定回転板KBの外周部近傍に超音波式距離測定センサTSRが取り付けられている。モータMの回転軸が±θ方向(鉛直軸Zを中心とする回転方向)に回転することにより、固定回転板KBが回転し、固定回転板KBに取り付けられた超音波式距離測定センサTSRが基板Wの外周部近傍の上方を回転移動する。 As shown in FIG. 10, the motor M is fixed above the transfer portion TP, and a fixed rotating plate KB is attached to the rotating shaft of the motor M. An ultrasonic distance measuring sensor TSR is attached in the vicinity of the outer peripheral portion of the fixed rotating plate KB. When the rotation axis of the motor M rotates in the ± θ direction (rotation direction about the vertical axis Z), the fixed rotation plate KB rotates, and the ultrasonic distance measuring sensor TSR attached to the fixed rotation plate KB It rotates and moves above the periphery of the substrate W.
この場合、制御部CLは、超音波式距離測定センサTSRが基板Wの外周部近傍の上方を回転移動している際に、所定のタイミングで(例えば、超音波式距離測定センサTSRが+θ方向に30度回転する毎に)基板Wの外周部近傍における基板Wの上面までの距離を3箇所以上測定するように超音波式距離測定センサTSRに指示する。超音波式距離測定センサTSRは、制御部CLの指示に応じて基板Wの上面までの距離を3箇所以上測定する。 In this case, when the ultrasonic distance measuring sensor TSR is rotating over the vicinity of the outer peripheral portion of the substrate W, the control unit CL (for example, the ultrasonic distance measuring sensor TSR is in the + θ direction). The ultrasonic distance measuring sensor TSR is instructed to measure three or more distances to the upper surface of the substrate W in the vicinity of the outer periphery of the substrate W (every 30 degrees of rotation). The ultrasonic distance measuring sensor TSR measures three or more distances to the upper surface of the substrate W in accordance with an instruction from the controller CL.
また、制御部CLは、基板Wの外周部の任意の複数位置における基板Wの上面までの距離を測定することができる。その結果、制御部CLは、傾斜方向Hおよび傾斜角度θ1をより正確に判定することができる。したがって、制御部CLは、より最適に、基板Wの傾斜姿勢の是非を判定したり、位置決めピンT1〜T4を用いて基板Wの傾斜姿勢を修正することができる。 Further, the control unit CL can measure the distance to the upper surface of the substrate W at an arbitrary plurality of positions on the outer peripheral portion of the substrate W. As a result, the controller CL can more accurately determine the tilt direction H and the tilt angle θ1. Therefore, the control unit CL can more optimally determine whether the substrate W is tilted or correct the tilted posture of the substrate W using the positioning pins T1 to T4.
さらに、この場合、複数の超音波式距離測定センサを配置する必要がなくなるため、部品点数の削減および組み立て工数の削減を実現でき、総合的なコストダウンを図ることもできる。 Furthermore, in this case, since it is not necessary to arrange a plurality of ultrasonic distance measuring sensors, the number of parts and the number of assembly steps can be reduced, and the overall cost can be reduced.
本実施の形態においては、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3が検出手段に相当し、搬送アームbm4および基板支持部PSが基板支持手段に相当し、基板搬送ロボットCRが移動手段に相当し、位置決めピンT1,T2,T3,T4が修正手段および当接部材に相当し、制御部CLが制御手段および判定手段に相当し、洗浄ユニットが処理部に相当する。 In the present embodiment, the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 correspond to detection means, the transport arm bm4 and the substrate support part PS correspond to substrate support means, and the substrate transport robot CR corresponds to movement means. The positioning pins T1, T2, T3, and T4 correspond to correction means and abutting members, the control unit CL corresponds to control means and determination means, and the cleaning unit corresponds to a processing unit.
(第2の実施の形態)
図11は、第2の実施の形態に係る基板処理装置100aの平面図である。図11の基板処理装置100aの構成が図1の基板処理装置100の構成と異なるのは以下の点である。
(Second Embodiment)
FIG. 11 is a plan view of a substrate processing apparatus 100a according to the second embodiment. The configuration of the substrate processing apparatus 100a in FIG. 11 is different from the configuration of the
図11の基板処理装置100aの構成は、受け渡し部TPに設けられた超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3および位置決めピンT1〜T4に代えて、洗浄ユニットMP3に超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3および位置決めピンT1〜T4を備える。 The configuration of the substrate processing apparatus 100a in FIG. 11 includes an ultrasonic distance measuring sensor TS1 in the cleaning unit MP3 instead of the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 and the positioning pins T1 to T4 provided in the transfer unit TP. , TS2, TS3 and positioning pins T1 to T4.
図11に示す基板処理装置100aにおいては、基板搬送ロボットCRにより基板Wが洗浄ユニットMP3に搬入された場合、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を用いて基板Wの上面までの距離を測定する。超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3は、基板Wの上面までの距離を測定し、その測定値D1,D2,D3を制御部CLに与える。 In the substrate processing apparatus 100a shown in FIG. 11, when the substrate W is carried into the cleaning unit MP3 by the substrate transport robot CR, the distance to the upper surface of the substrate W is determined using the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3. taking measurement. The ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 measure the distance to the upper surface of the substrate W and give the measured values D1, D2, D3 to the controller CL.
制御部CLは、超音波式距離測定センサTS1の測定値D1、超音波式距離測定センサTS2の測定値D2および超音波式距離測定センサTS3の測定値D3に基づいて基板Wの傾斜方向および傾斜角度を算出する。 The control unit CL determines the tilt direction and tilt of the substrate W based on the measurement value D1 of the ultrasonic distance measurement sensor TS1, the measurement value D2 of the ultrasonic distance measurement sensor TS2, and the measurement value D3 of the ultrasonic distance measurement sensor TS3. Calculate the angle.
ここで、図7に示した方法と同様に、基板Wの傾斜方向Hと傾斜角度θ1とを算出する。 Here, similarly to the method shown in FIG. 7, the inclination direction H and the inclination angle θ1 of the substrate W are calculated.
次に、制御部CLは、算出した基板Wの傾斜角度θ1が所定の許容範囲内(例えば、水平に対する基板Wの傾斜角度θ1が1度未満)にあるか否かを判定し、所定の許容範囲内にあれば、基板Wが正常に洗浄処理ユニットMP3において支持されていると判定し、傾斜角度θ1が所定の許容範囲外(例えば、1度以上)にあれば、基板Wが傾斜姿勢で洗浄ユニットMP3において支持されていると判定する。 Next, the controller CL determines whether or not the calculated tilt angle θ1 of the substrate W is within a predetermined allowable range (for example, the tilt angle θ1 of the substrate W with respect to the horizontal is less than 1 degree), and the predetermined allowable If it is within the range, it is determined that the substrate W is normally supported in the cleaning processing unit MP3. If the tilt angle θ1 is outside a predetermined allowable range (for example, 1 degree or more), the substrate W is tilted. It is determined that the cleaning unit MP3 is supported.
なお、ここで、図11の洗浄処理ユニットMP3において正規に(ほぼ水平に)支持された基板W上面までのそれぞれの距離(基準値DM1,DM2,DM3)を予め測定しておき、基板W上面までのそれぞれの実測距離(測定値D1,D2,D3)を測定し、そして基準値と実測距離との差(差分距離DM1−D1,DM2−D2,DM3−D3)を算出し、これら差分距離DM1−D1,DM2−D2,DM3−D3に基づいて基板Wの傾斜姿勢を判定してもよい。このようにすれば、上記実施の形態のように超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を上下方向の位置に関して精密に位置決めしておく必要がない。このため、これら超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の取り付け位置精度に関わらず、より正確に基板Wの姿勢を判定することが可能である。 Here, the respective distances (reference values DM1, DM2, DM3) to the upper surface of the substrate W that is normally (substantially horizontally) supported in the cleaning processing unit MP3 of FIG. The measured distances (measured values D1, D2, D3) are measured, and the difference between the reference value and the measured distance (difference distances DM1-D1, DM2-D2, DM3-D3) is calculated. The tilt posture of the substrate W may be determined based on DM1-D1, DM2-D2, and DM3-D3. In this way, it is not necessary to precisely position the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 with respect to the vertical position as in the above embodiment. For this reason, it is possible to determine the posture of the substrate W more accurately regardless of the mounting position accuracy of the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3.
制御部CLは、基板Wが傾斜姿勢で支持されていると判定した場合、図8および図9に示すように、傾斜姿勢の基板Wを傾斜方向Hに応じて位置決めピンT1〜T4のいずれか1つまたは複数に当接するように搬送アームbm4を制御することにより基板Wの姿勢を正常に修正することができる。 When the control unit CL determines that the substrate W is supported in the inclined posture, the substrate W in the inclined posture is selected from the positioning pins T1 to T4 according to the inclination direction H as shown in FIGS. The posture of the substrate W can be corrected normally by controlling the transfer arm bm4 so as to come into contact with one or more.
以上のように、第2の実施の形態に係る基板処理装置100aにおいては、洗浄ユニットMP3において超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を用いて基板Wの上面までの距離を正確に測定することができる。そして、制御部CLは、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3から与えられる測定値D1,D2,D3に基づいて洗浄ユニットMPによる洗浄処理の前に基板Wの傾斜姿勢を容易に判定することができる。 As described above, in the substrate processing apparatus 100a according to the second embodiment, the distance to the upper surface of the substrate W is accurately measured using the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 in the cleaning unit MP3. be able to. Then, the controller CL easily determines the inclined posture of the substrate W before the cleaning process by the cleaning unit MP based on the measurement values D1, D2, and D3 given from the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, and TS3. be able to.
また、基板処理装置100の制御部CLは、基板Wの傾斜方向Hおよび傾斜角度θ1から基板Wの傾斜姿勢を検出し、傾斜方向H1に基づいて最適な方法で洗浄ユニットMP3内に立設された位置決めピンT1〜T4に傾斜姿勢の基板Wを当接させることにより基板搬送ロボットCRを制御して基板Wの傾斜姿勢を容易に修正することができる。それにより、基板Wの落下、破損および基板Wの未処理部分の発生を防止することができる。その結果、コスト増加を抑制することができる。
Further, the control unit CL of the
第2の実施の形態においては、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3が検出手段に相当し、搬送アームbm4および基板支持部PSが基板支持手段に相当し、基板搬送ロボットCRが移動手段に相当し、位置決めピンT1,T2,T3,T4が修正手段および当接部材に相当し、制御部CLが制御手段に相当し、洗浄ユニットが処理部に相当する。 In the second embodiment, the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 correspond to detection means, the transfer arm bm4 and the substrate support part PS correspond to substrate support means, and the substrate transfer robot CR moves. The positioning pins T1, T2, T3, and T4 correspond to the correcting means and the contact member, the control unit CL corresponds to the control means, and the cleaning unit corresponds to the processing unit.
(基板Wの姿勢の検出方法の他の例)
図12は図1の基板処理装置100において基板Wの姿勢を検出する方法の他の例を示す斜視図であり、図13は基板Wの姿勢を検出する方法の他の例を示す平面図である。
(Another example of the method for detecting the posture of the substrate W)
12 is a perspective view showing another example of a method for detecting the attitude of the substrate W in the
図12および図13の例では、図5および図6の超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の代りに、レーザ式距離測定センサ(レーザ式変位センサ)TS11,TS12,TS13が設けられている。レーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13は、図5および図6の例と同様に、図1の受け渡し部TPの上方に設置された固定台KDに固定される。これらのレーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13は、基板Wの外周部近傍における基板Wの上面までの距離を測定できるように配置されている。この場合、基板Wが正常に支持されている状態でレーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13の測定値D1,D2,D3が等しくなるように、レーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13が位置決めされている。 In the example of FIGS. 12 and 13, laser type distance measuring sensors (laser type displacement sensors) TS11, TS12, and TS13 are provided in place of the ultrasonic type distance measuring sensors TS1, TS2, and TS3 of FIGS. Yes. The laser type distance measuring sensors TS11, TS12, TS13 are fixed to a fixed base KD installed above the transfer section TP in FIG. 1, as in the examples of FIGS. These laser type distance measuring sensors TS11, TS12, TS13 are arranged so that the distance to the upper surface of the substrate W in the vicinity of the outer peripheral portion of the substrate W can be measured. In this case, the laser distance measurement sensors TS11, TS12, and TS13 are positioned so that the measurement values D1, D2, and D3 of the laser distance measurement sensors TS11, TS12, and TS13 are equal while the substrate W is normally supported. Has been.
レーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13は、各々基板Wの上面までの距離を測定し、その測定値D1,D2,D3を図1の制御部CLに与える。 Laser type distance measuring sensors TS11, TS12, and TS13 each measure the distance to the upper surface of the substrate W, and give the measured values D1, D2, and D3 to the controller CL of FIG.
制御部CLは、レーザ式距離測定センサTS11の測定値D1、レーザ式距離測定センサTS12の測定値D2およびレーザ式距離測定センサTS13の測定値D3に基づいて基板Wの傾斜方向および傾斜角度を算出する。 The controller CL calculates the tilt direction and tilt angle of the substrate W based on the measured value D1 of the laser distance measuring sensor TS11, the measured value D2 of the laser distance measuring sensor TS12, and the measured value D3 of the laser distance measuring sensor TS13. To do.
基板Wの傾斜方向および傾斜角度の算出方法は、図5〜図7を用いて説明した方法と同様である。また、基板Wの傾斜姿勢を修正する方法は、図8および図9を用いて説明した方法と同様である。 The calculation method of the inclination direction and the inclination angle of the substrate W is the same as the method described with reference to FIGS. The method for correcting the tilt posture of the substrate W is the same as the method described with reference to FIGS.
なお、本例では、レーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13が検出手段に相当する。 In this example, the laser type distance measuring sensors TS11, TS12, TS13 correspond to detection means.
図14は図12および図13のレーザ式距離測定センサTS11の構成および動作原理を説明するための模式図である。レーザ式距離測定センサTS12,TS13の構成および動作原理は、図14のレーザ式距離測定センサTS11の構成および動作原理と同様である。 FIG. 14 is a schematic diagram for explaining the configuration and operating principle of the laser type distance measuring sensor TS11 of FIGS. The configuration and operation principle of the laser distance measurement sensors TS12 and TS13 are the same as the configuration and operation principle of the laser distance measurement sensor TS11 in FIG.
図14に示されるように、レーザ式距離測定センサTS11は、レーザ光源401およびCCD(電荷結合素子)402を備える。レーザ光源401から出射されたレーザ光は、対象物OBに照射される。対象物OBからの反射光が受光レンズ403を通してCCD402の受光面により受光される。このレーザ式距離測定センサTS11においては、三角測距方式により対象物OBまでの距離を高い分解能(例えば0.1μm)で測定することができる。
As shown in FIG. 14, the laser type distance measuring sensor TS <b> 11 includes a
図14に実線の矢印で示すように、対象物OBがレーザ式距離測定センサTS11に近い位置にある場合には、対象物OBへの入射光とCCD402への入射光とのなす角度θ1が大きくなる。一方、図14に点線の矢印で示すように、対象物OBがレーザ式距離測定センサTS11から遠い位置にある場合には、対象物OBへの入射光とCCD402への入射光とのなす角度θ2が小さくなる。それにより、レーザ式距離測定センサTS11から対象物OBまでの距離によりCCD402の受光面に形成される光スポットの位置が変化する。このレーザ式距離測定センサTS11は、CCD402の受光面上での光スポットの位置を検出することにより対象物OBまでの距離に比例した電圧信号を出力する。したがって、レーザ式距離測定センサTS11から出力される電圧信号に基づいて対象物OBまでの距離を測定することができる。
As shown by the solid line arrow in FIG. 14, when the object OB is close to the laser distance measuring sensor TS11, the angle θ1 formed by the light incident on the object OB and the light incident on the
本例では、レーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13を用いて基板Wの上面までの距離を正確に測定することができる。そして、制御部CLは、レーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13から与えられる測定値D1〜D3に基づいて基板Wの傾斜姿勢を正確かつ容易に判定することができる。 In this example, the distance to the upper surface of the substrate W can be accurately measured using the laser distance measuring sensors TS11, TS12, TS13. And the control part CL can determine the inclination attitude | position of the board | substrate W correctly and easily based on the measured values D1-D3 given from laser type distance measuring sensor TS11, TS12, TS13.
この場合にも、制御部CLは、まず、基板Wの傾斜角度に基づいて基板Wの保持が不良であるかどうかを判定し、不良である場合には、基板Wの傾斜方向に基づいて、最適な方法で図8の位置決めピンT1〜T4に傾斜姿勢の基板Wを当接させることにより、基板Wの傾斜姿勢を容易に修正することができる。 Also in this case, the controller CL first determines whether or not the holding of the substrate W is defective based on the tilt angle of the substrate W, and if it is defective, based on the tilt direction of the substrate W, The inclined posture of the substrate W can be easily corrected by bringing the inclined substrate W into contact with the positioning pins T1 to T4 in FIG. 8 by an optimum method.
なお、図10に示した例において超音波式距離測定センサTSRの代わりにレーザ式距離測定センサTS11を用いてもよい。 In the example shown in FIG. 10, a laser distance measuring sensor TS11 may be used instead of the ultrasonic distance measuring sensor TSR.
この場合にも、レーザ式距離測定センサTS11により基板Wの外周部の任意の複数位置における基板Wの上面までの距離を測定することができる。それにより、制御部CLは、基板Wの傾斜方向および傾斜角度をより正確に判定することができる。したがって、制御部CLは、より最適に基板Wの傾斜姿勢の是非を判定し、図8の位置決めピンT1〜T4を用いて基板Wの傾斜姿勢を修正することができる。 Also in this case, the distance to the upper surface of the substrate W at any of a plurality of positions on the outer peripheral portion of the substrate W can be measured by the laser distance measuring sensor TS11. Thereby, the control part CL can determine the inclination direction and inclination angle of the board | substrate W more correctly. Therefore, the control unit CL can determine whether or not the tilting posture of the substrate W is more optimal, and can correct the tilting posture of the substrate W using the positioning pins T1 to T4 in FIG.
さらに、図11の基板処理装置100aにおいて洗浄ユニットMP3の超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の代わりに、レーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13を用いてもよい。 Furthermore, in the substrate processing apparatus 100a of FIG. 11, laser type distance measuring sensors TS11, TS12, TS13 may be used instead of the ultrasonic type distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 of the cleaning unit MP3.
この場合にも、洗浄ユニットMP3においてレーザ式距離測定センサTS11,TS12,TS13を用いて基板Wの上面までの距離を正確に測定することができる。それにより、制御部CLは、洗浄ユニットMPによる洗浄処理の前に基板Wの傾斜姿勢を容易に判定することができる。したがって、制御部CLは、洗浄ユニットMP3内の位置決めピンT1〜T4を用いて基板Wの傾斜姿勢を容易に修正することができる。 Also in this case, the distance to the upper surface of the substrate W can be accurately measured using the laser type distance measuring sensors TS11, TS12, TS13 in the cleaning unit MP3. Thereby, the controller CL can easily determine the tilt posture of the substrate W before the cleaning process by the cleaning unit MP. Therefore, the controller CL can easily correct the tilt posture of the substrate W using the positioning pins T1 to T4 in the cleaning unit MP3.
(基板Wの姿勢の検出方法のさらに他の例)
図15は図1の基板処理装置100において基板Wの姿勢を検出する方法のさらに他の例を示す斜視図であり、図16は基板Wの姿勢を検出する方法のさらに他の例を示す平面図である。
(Another example of the method for detecting the posture of the substrate W)
15 is a perspective view showing still another example of the method for detecting the posture of the substrate W in the
図15および図16の例では、図5および図6の超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の代りに、マイクロ波式距離測定センサ(マイクロ波式変位センサ)TS21,TS22,TS23が設けられている。マイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23は、図5および図6の例と同様に、受け渡し部TPの上方に設置された固定台KDに固定される。これらのマイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23は、基板Wの外周部近傍における基板Wの上面までの距離を測定できるように配置されている。この場合、基板Wが正常に支持されている状態でマイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23の測定値D1,D2,D3が等しくなるように、マイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23が位置決めされている。 In the examples of FIGS. 15 and 16, microwave distance measuring sensors (microwave displacement sensors) TS21, TS22, and TS23 are provided instead of the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, and TS3 of FIGS. It has been. The microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 are fixed to a fixed base KD installed above the delivery unit TP, as in the examples of FIGS. These microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 are arranged so as to be able to measure the distance to the upper surface of the substrate W in the vicinity of the outer peripheral portion of the substrate W. In this case, the microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 are set so that the measured values D1, D2, D3 of the microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 are equal while the substrate W is normally supported. Is positioned.
マイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23は、各々基板Wの上面までの距離を測定し、その測定値D1,D2,D3を制御部CLに与える。 The microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 each measure the distance to the upper surface of the substrate W, and give the measured values D1, D2, D3 to the control unit CL.
制御部CLは、マイクロ波式距離測定センサTS21の測定値D1、マイクロ波式距離測定センサTS22の測定値D2およびマイクロ波式距離測定センサTS23の測定値D3に基づいて基板Wの傾斜方向および傾斜角度を算出する。 The control unit CL determines the tilt direction and tilt of the substrate W based on the measurement value D1 of the microwave distance measurement sensor TS21, the measurement value D2 of the microwave distance measurement sensor TS22, and the measurement value D3 of the microwave distance measurement sensor TS23. Calculate the angle.
基板Wの傾斜方向および傾斜角度の算出方法は、図5〜図7を用いて説明した方法と同様である。また、基板Wの傾斜姿勢を修正する方法は、図8および図9を用いて説明した方法と同様である。 The calculation method of the inclination direction and the inclination angle of the substrate W is the same as the method described with reference to FIGS. The method for correcting the tilt posture of the substrate W is the same as the method described with reference to FIGS.
なお、本例では、マイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23が検出手段に相当する。 In this example, the microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 correspond to the detecting means.
マイクロ波式距離測定センサは、Xバンド等のマイクロ波バンドの電波を対象物に発信するとともに、対象物により反射された電波を受信し、発信から受信までの時間差に基づいて対象物までの距離を測定する。 The microwave distance measuring sensor transmits a radio wave of a microwave band such as an X band to an object, receives a radio wave reflected by the object, and a distance to the object based on a time difference from transmission to reception. Measure.
このマイクロ波式距離測定センサは、対象物までの距離に比例した電圧信号を出力する。したがって、マイクロ波式距離測定センサから出力される電圧信号に基づいて対象物までの距離を測定することができる。マイクロ波式距離測定センサによれば、不透明体のみならず透明体からなる対象物までの距離も正確に測定することができる。 This microwave distance measuring sensor outputs a voltage signal proportional to the distance to the object. Therefore, the distance to the object can be measured based on the voltage signal output from the microwave distance measuring sensor. According to the microwave distance measuring sensor, not only an opaque body but also a distance to an object made of a transparent body can be accurately measured.
本例では、マイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23を用いて基板Wの上面までの距離を正確に測定することができる。そして、制御部CLは、マイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23から与えられる測定値D1〜D3に基づいて基板Wの傾斜姿勢を正確かつ容易に判定することができる。 In this example, the distance to the upper surface of the substrate W can be accurately measured using the microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23. And the control part CL can determine the inclination attitude | position of the board | substrate W correctly and easily based on the measured values D1-D3 given from the microwave type distance measuring sensors TS21, TS22, TS23.
この場合にも、制御部CLは、まず、基板Wの傾斜角度に基づいて基板Wの保持が不良であるかどうかを判定し、不良である場合には、基板Wの傾斜方向に基づいて、最適な方法で図8の位置決めピンT1〜T4に傾斜姿勢の基板Wを当接させることにより、基板Wの傾斜姿勢を容易に修正することができる。 Also in this case, the controller CL first determines whether or not the holding of the substrate W is defective based on the tilt angle of the substrate W, and if it is defective, based on the tilt direction of the substrate W, The inclined posture of the substrate W can be easily corrected by bringing the inclined substrate W into contact with the positioning pins T1 to T4 in FIG. 8 by an optimum method.
なお、図10に示した例において超音波式距離測定センサTSRの代わりにマイクロ波式距離測定センサTS21を用いてもよい。 In the example shown in FIG. 10, a microwave distance measuring sensor TS21 may be used instead of the ultrasonic distance measuring sensor TSR.
この場合にも、マイクロ波式距離測定センサTS21により基板Wの外周部の任意の複数位置における基板Wの上面までの距離を測定することができる。それにより、制御部CLは、基板Wの傾斜方向および傾斜角度をより正確に判定することができる。したがって、制御部CLは、より最適に基板Wの傾斜姿勢の是非を判定し、図8の位置決めピンT1〜T4を用いて基板Wの傾斜姿勢を修正することができる。 Also in this case, the distance to the upper surface of the substrate W can be measured at a plurality of arbitrary positions on the outer periphery of the substrate W by the microwave distance measuring sensor TS21. Thereby, the control part CL can determine the inclination direction and inclination angle of the board | substrate W more correctly. Therefore, the control unit CL can determine whether or not the tilting posture of the substrate W is more optimal, and can correct the tilting posture of the substrate W using the positioning pins T1 to T4 in FIG.
さらに、図11の基板処理装置100aにおいて洗浄ユニットMP3の超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3の代わりに、マイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23を用いてもよい。 Further, in the substrate processing apparatus 100a of FIG. 11, microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 may be used instead of the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3 of the cleaning unit MP3.
この場合にも、洗浄ユニットMP3においてマイクロ波式距離測定センサTS21,TS22,TS23を用いて基板Wの上面までの距離を正確に測定することができる。それにより、制御部CLは、洗浄ユニットMPによる洗浄処理の前に基板Wの傾斜姿勢を容易に判定することができる。したがって、制御部CLは、洗浄ユニットMP3内の位置決めピンT1〜T4を用いて基板Wの傾斜姿勢を容易に修正することができる。 Also in this case, the distance to the upper surface of the substrate W can be accurately measured using the microwave distance measuring sensors TS21, TS22, TS23 in the cleaning unit MP3. Thereby, the controller CL can easily determine the tilt posture of the substrate W before the cleaning process by the cleaning unit MP. Therefore, the controller CL can easily correct the tilt posture of the substrate W using the positioning pins T1 to T4 in the cleaning unit MP3.
(その他)
上述した実施の形態においては、基板Wの傾斜方向Hに基づいて基板Wの傾斜姿勢を修正する場合について説明したが、これに限定されず、制御部CLは、基板Wが傾斜姿勢にあると判定した場合に、位置決めピンT1〜T4のそれぞれ全てに基板Wの周縁を順に当接させて基板Wの傾斜姿勢を修正してもよい。
(Other)
In the above-described embodiment, the case where the tilt posture of the substrate W is corrected based on the tilt direction H of the substrate W has been described. However, the present invention is not limited to this, and the controller CL indicates that the substrate W is in the tilt posture. When the determination is made, the inclined posture of the substrate W may be corrected by bringing the periphery of the substrate W into contact with all of the positioning pins T1 to T4 in order.
なお、上記実施の形態においては、位置決めピンT1〜T4に傾斜姿勢の基板Wを当接させることにより基板Wの傾斜姿勢を修正しているが、これに限らず、例えば、以下のようにインデクサロボットIRの搬送アームam4を用いた方法で基板Wの姿勢の修正を行ってもよい。まず、基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4上で傾斜姿勢で保持されている基板Wを、インデクサロボットIRの搬送アームam4によって一時的に保持する。そして、超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3によって得られた基板Wの傾斜状態(傾斜方向Hや傾斜角度θ1)に基づいて搬送アームam4と搬送アームbm4との水平方向での相対位置を修正し、再びインデクサロボットIRの搬送アームam4から基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4への基板Wの受け渡しを行ってもよい。 In the above embodiment, the tilted posture of the substrate W is corrected by bringing the tilted posture substrate W into contact with the positioning pins T1 to T4. However, the present invention is not limited to this. For example, the indexer is as follows. The posture of the substrate W may be corrected by a method using the transfer arm am4 of the robot IR. First, the substrate W held in an inclined posture on the transfer arm bm4 of the substrate transfer robot CR is temporarily held by the transfer arm am4 of the indexer robot IR. The relative position in the horizontal direction between the transport arm am4 and the transport arm bm4 is determined based on the tilted state (tilt direction H and tilt angle θ1) of the substrate W obtained by the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3. The substrate W may be corrected and transferred again from the transfer arm am4 of the indexer robot IR to the transfer arm bm4 of the substrate transfer robot CR.
なお、搬送アームbm4が基板Wを支持していないときに超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3を用いて基板搬送ロボットCRの搬送アームbm4までの距離を測定することにより、搬送アームbm4の動作を調整してもよい。 In addition, when the transfer arm bm4 does not support the substrate W, the distance to the transfer arm bm4 of the substrate transfer robot CR is measured using the ultrasonic distance measuring sensors TS1, TS2, TS3. The operation may be adjusted.
上述した実施の形態においては、基板Wの傾斜方向Hが−X方向および+X方向である場合、位置決めピンT1〜T4に基板Wを当接させて基板Wの姿勢を修正しているが、例えば、基板Wの傾斜方向Hが−Y方向および+Y方向に近い場合を考慮して、さらに2〜4本の位置決めピンを、図8の基板Wから見て±Y方向に設け、この位置決めピンに基板Wを当接させてもよい。 In the above-described embodiment, when the inclination direction H of the substrate W is the −X direction and the + X direction, the substrate W is brought into contact with the positioning pins T1 to T4 to correct the posture of the substrate W. In consideration of the case where the inclination direction H of the substrate W is close to the −Y direction and the + Y direction, two to four positioning pins are provided in the ± Y direction when viewed from the substrate W in FIG. The substrate W may be brought into contact.
なお、第2の実施の形態においては、洗浄ユニットMP3に超音波式距離測定センサTS1,TS2,TS3および位置決めピンT1〜T4を設けることとしたが、これに限定されず、超音波式距離測定センサおよび位置決めピンを他の洗浄ユニットMP1,MP2,MP4にも設けてよい。 In the second embodiment, the ultrasonic distance measurement sensors TS1, TS2, TS3 and the positioning pins T1 to T4 are provided in the cleaning unit MP3. However, the present invention is not limited to this, and ultrasonic distance measurement is performed. Sensors and positioning pins may also be provided in the other cleaning units MP1, MP2, MP4.
さらに、上記の実施の形態においては、処理領域A,Bに処理ユニットとして複数の枚葉式の洗浄ユニットMP1〜MP4が配置されているが、これに限定されず、任意の処理ユニット、例えば、加熱処理を行うホットプレート、冷却処理を行うクーリングプレート、現像処理を行う回転式現像装置(スピンデベロッパ)、レジストの塗布処理を行う回転式塗布ユニット(スピンコータ)、レジストの剥離処理を行うレジスト剥離ユニット、有機金属等のポリマーを除去するポリマー除去ユニット等の種々の処理ユニットを任意に組み合わせて設けてもよい。 Furthermore, in the above-described embodiment, a plurality of single-wafer cleaning units MP1 to MP4 are disposed as processing units in the processing areas A and B. However, the present invention is not limited to this, and any processing unit, for example, Hot plate that performs heat treatment, cooling plate that performs cooling processing, rotary developing device (spin developer) that performs development processing, rotary coating unit (spin coater) that performs resist coating processing, resist stripping unit that performs resist stripping processing Various processing units such as a polymer removal unit for removing a polymer such as an organic metal may be arbitrarily combined.
本発明は、種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。 The present invention can be used for processing various substrates.
1 カセット
100 基板処理装置
W 基板
MP1,MP2,MP3,MP4 枚葉式の洗浄ユニット
IR インデクサロボット
CR 基板搬送ロボット
CL 制御部
IRH インデクサロボット本体
am1,am2,am3,bm1,bm2,bm3 搬送アーム
PS 基板支持部
R1,R2,R3,R4 回転駆動部
CRH 基板搬送ロボット本体
TS1,TS2,TS3 超音波式距離測定センサ
LS1,LS2,LS3,LSR 光学式測長センサ
bm4 略馬蹄形状の搬送アーム
TP 受け渡し部
SL シリンダ
SH シャッタ
T1,T2,T3,T4 位置決めピン
TS11,TS12,TS13 レーザ式距離測定センサ
TS21,TS22,TS23 マイクロ波式距離測定センサ
PS1,PS2,PS3,PS4 平面
PSD 基板支持台
PSB 基板支持棒
1
Claims (15)
基板を支持する支持手段と、
前記支持手段に支持された基板の表面までの距離を測定することにより基板の前記傾斜状態を検出する検出手段とを備え、
前記検出手段は、
前記支持手段にほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を基準値として予め測定した後に、前記支持手段に支持された基板の表面の前記3つ以上の測定地点までの距離を測定値として測定する距離測定センサと、
前記距離測定センサにより得られた基準値と前記距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、前記3つ以上の測定地点についての前記差に基づいて基板の傾斜状態を判定する判定手段とを含み、
前記判定手段は、前記支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することを特徴とする基板検出装置。 A substrate detection device for detecting a tilt state of a substrate with respect to a horizontal plane,
A support means for supporting the substrate;
Detecting means for detecting the inclined state of the substrate by measuring a distance to the surface of the substrate supported by the supporting means;
The detection means includes
The three or more measurement points on the surface of the substrate supported by the support means after the distance to the three or more measurement points on the surface of the substrate supported substantially horizontally by the support means is measured in advance as a reference value. A distance measuring sensor that measures the distance up to
The difference between the reference value obtained by the distance measurement sensor and the measurement value obtained by the distance measurement sensor is calculated, and the tilt state of the substrate is determined based on the difference at the three or more measurement points. and a determination means only including,
The determination means determines the inclination angle of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the support means, and determines that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value. A substrate detection device.
前記距離測定センサを前記支持手段により支持される基板に対して相対的に移動させる移動手段をさらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板検出装置。 The detection means includes
The substrate detection apparatus according to claim 1, further comprising a moving unit that moves the distance measurement sensor relative to the substrate supported by the support unit.
当接部材と、
前記支持手段により支持された基板を前記当接部材に当接させることにより前記支持手段により支持された基板の傾斜状態を修正する制御手段とを含むことを特徴とする請求項9記載の基板検出装置。 The correcting means is
A contact member;
10. The substrate detection apparatus according to claim 9 , further comprising a control unit that corrects an inclination state of the substrate supported by the support unit by bringing the substrate supported by the support unit into contact with the contact member. apparatus.
上記請求項1〜10のいずれかに記載の基板検出装置を備えたことを特徴とする基板搬送装置。 A substrate transfer device for transferring a substrate,
Substrate transfer apparatus comprising the substrate detection apparatus according to any one of claims 1-10.
基板を支持して処理する処理部と、
前記処理部と所定位置との間で基板を支持して搬送する搬送手段と、
前記処理部または前記搬送手段により支持された基板の表面までの距離を測定することにより水平面に対する基板の傾斜状態を検出する検出手段とを備え、
前記検出手段は、
前記処理部または前記搬送手段によりほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を基準値として予め測定した後に、前記処理部または前記搬送手段により支持された基板の表面の前記3つ以上の測定地点までの距離を測定値として測定する距離測定センサと、
前記距離測定センサにより得られた基準値と前記距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、前記3つ以上の測定地点についての前記差に基づいて基板の傾斜状態を判定する判定手段とを含み、
前記判定手段は、前記処理部または前記搬送手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A processing unit for supporting and processing the substrate;
Transport means for supporting and transporting the substrate between the processing unit and a predetermined position;
Detecting means for detecting a tilt state of the substrate with respect to a horizontal plane by measuring a distance to the surface of the substrate supported by the processing unit or the transport unit;
The detection means includes
The surface of the substrate supported by the processing unit or the transport unit after being measured in advance with reference to distances to three or more measurement points on the surface of the substrate supported substantially horizontally by the processing unit or the transport unit. A distance measuring sensor that measures a distance to the three or more measurement points as a measurement value;
The difference between the reference value obtained by the distance measurement sensor and the measurement value obtained by the distance measurement sensor is calculated, and the tilt state of the substrate is determined based on the difference at the three or more measurement points. and a determination means only including,
The determination unit determines an angle of inclination of the substrate as an inclination state of the substrate supported by the processing unit or the transport unit, and determines that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is a predetermined value or more. A substrate processing apparatus.
支持手段により基板を支持する工程と、
前記支持された基板の表面までの距離を測定することにより基板の傾斜状態を検出する工程とを備え、
前記検出する工程は、
前記支持手段にほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を距離測定センサを用いて基準値として予め測定した後に、前記支持手段に支持された基板の表面の前記3つ以上の測定地点までの距離を前記距離測定センサを用いて測定値として測定する工程と、
前記距離測定センサにより得られた基準値と前記距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、前記3つ以上の測定地点についての前記差に基づいて基板の傾斜状態を判定する工程とを含み、
前記支持手段により支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定する工程をさらに備えたことを特徴とする基板検出方法。 A substrate detection method for detecting a tilt state of a substrate with respect to a horizontal plane,
A step of supporting the substrate by the supporting means;
Detecting the tilt state of the substrate by measuring the distance to the surface of the supported substrate,
The detecting step includes
The distance to three or more measurement points on the surface of the substrate substantially horizontally supported by the support means is measured in advance as a reference value using a distance measuring sensor, and then the surface of the substrate supported by the support means is Measuring a distance to three or more measurement points as a measurement value using the distance measurement sensor;
The difference between the reference value obtained by the distance measurement sensor and the measurement value obtained by the distance measurement sensor is calculated, and the tilt state of the substrate is determined based on the difference at the three or more measurement points. Process,
A step of determining an inclination angle of the substrate as the inclination state of the substrate supported by the supporting means, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value; A substrate detection method.
基板を搬送する際に上記請求項1〜10のいずれかに記載の基板検出装置を用いて水平面に対する基板の傾斜状態を検出することを特徴とする基板搬送方法。 A substrate carrying method for carrying a substrate,
Substrate transfer method characterized by detecting the inclined state of the substrate with respect to the horizontal plane by using the substrate detection apparatus according to any one of claims 1-10 in transporting the substrates.
処理部において支持された基板に処理を行う工程と、
前記処理部と所定位置との間で基板を搬送手段により支持して搬送する工程と、
前記搬送手段または前記処理部において支持された基板の表面までの距離を測定することにより水平面に対する基板の傾斜状態を検出する工程とを備え、
前記検出する工程は、
前記搬送手段または前記処理部においてほぼ水平に支持された基板の表面の3つ以上の測定地点までの距離を距離測定センサを用いて基準値として予め測定した後に、前記搬送手段または前記処理部において支持された基板の表面の前記測定地点までの距離を前記距離測定センサを用いて測定値として測定する工程と、
前記距離測定センサにより得られた基準値と前記距離測定センサにより得られた測定値との差をそれぞれ算出し、前記3つ以上の測定地点についての前記差に基づいて基板の傾斜状態を判定する工程とを含み、
前記搬送手段または前記処理部において支持される基板の傾斜状態として基板の傾斜の角度を判定し、判定した角度が所定値以上の場合に基板の傾斜状態が異常であると判定する工程をさらに備えたことを特徴とする基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate,
A process of processing the substrate supported in the processing unit;
A step of supporting and transporting a substrate between the processing unit and a predetermined position by a transport unit;
Detecting the tilt state of the substrate with respect to a horizontal plane by measuring the distance to the surface of the substrate supported by the transport means or the processing unit,
The detecting step includes
After measuring in advance the distance to three or more measurement points on the surface of the substrate supported substantially horizontally in the transport unit or the processing unit as a reference value using a distance measuring sensor, in the transport unit or the processing unit Measuring the distance to the measurement point on the surface of the supported substrate as a measurement value using the distance measurement sensor;
The difference between the reference value obtained by the distance measurement sensor and the measurement value obtained by the distance measurement sensor is calculated, and the tilt state of the substrate is determined based on the difference for the three or more measurement points. and a step seen including,
A step of determining an inclination angle of the substrate as an inclination state of the substrate supported by the transfer means or the processing unit, and determining that the inclination state of the substrate is abnormal when the determined angle is equal to or greater than a predetermined value; The substrate processing method characterized by the above-mentioned.
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