JP4460948B2 - 半導体集積回路装置、icカード、携帯端末 - Google Patents
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図9は本発明の実施の形態1のフラッシュメモリおよびEEPROMの構成を示す図、図10は本実施の形態1の半導体集積回路装置(ICチップ)において、フラッシュメモリおよびEEPROMの動作フローを示すフローチャートである。
図11は本発明の実施の形態2のフラッシュメモリおよびEEPROMの構成を示す図である。
金融関連ではキャッシュカードやクレジットカードなど、公共関連では免許証や住民票基本台帳や入退場IDカードなど、交通関連では通勤・通学定期やパスカードなどが考えられる。金融関連、公共関連の用途では、頻繁に使用することはないと思われるが、交通関連の用途では通勤・通学などで毎日の使用が考えられる。
次にアプリケーション3が起動されると(ステップS411)、EEPROMのデータがフラッシュメモリのエリア2に書き込まれる。フラッシュエリア2への書き込みが終了すると、次にフラッシュメモリエリア3データがEEPROMに書き込まれ(ステップS412)、書き込みが終了すると、アプリケーション3が動作・終了(ステップS413)する。
2 CPU
3 タイマ
4 ROM
5 SRAM
6,37,57,77 EEPROM
7 コプロセッサ
8 クロック発生回路
9 システムコントロールロジック
10 I/Oポート
11 アドレスバス
12 データバス
13,31,51,71 フラッシュメモリ
14 スプリット型MONOSメモリセル
15 フラッシュメモリ消去/書き込みブロック
16 ビット線デコーダ/ドライバ
17 ワード線デコーダ/ドライバ
18 センスアンプ/ライト定電流MOS
19 電源回路
20 主制御部
21 スイッチMOS
22 EEPROM消去/書き込みバイト単位ブロック
32,52,72 フラッシュメモリアレイ
33,53 Xデコーダ/コントロールゲート(CG)ドライバ
34,54 メモリゲート(MG)ドライバ/ソースライン(SL)ドライバ
35,40,55,60 センスアンプ/Yデコーダ
36,41,56,61 チャージポンプ
38,58,62,78 EEPROMアレイ
39,59 Xデコーダ/ワードドライバ/メモリゲート(MG)ドライバ
42 ラッチ/マルチプレクサ
101 ICカード
102 ICカードチップ用接点
Claims (12)
- 不揮発性メモリセルを含みブロック単位で消去および書き込みが可能なフラッシュメモリと、
不揮発性メモリセルを含みバイト単位で消去および書き込みが可能なEEPROMとを有し、
前記フラッシュメモリは、複数のアプリケーションを格納するものであって、
前記アプリケーションは、前記アプリケーションの処理を行うプログラムと、前記プログラムにより処理されるデータとからなるものであって、
前記複数のアプリケーションの一つである第1アプリケーションが起動されると、前記EEPROMは前記フラッシュメモリから前記第1アプリケーションのデータを読み込み、前記複数のアプリケーションの一つである第2アプリケーションが起動されるまで保持することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 不揮発性メモリセルを含みブロック単位で消去および書き込みが可能なフラッシュメモリと、
不揮発性メモリセルを含みバイト単位で消去および書き込みが可能なEEPROMとを有し、
前記フラッシュメモリは、複数のアプリケーションを格納するものであって、
前記アプリケーションは、前記アプリケーションの処理を行うプログラムと、前記プログラムにより処理されるデータとからなるものであって、
前記EEPROMは、第1のメモリ領域と第2メモリ領域とを有するものであって、
前記EEPROMの第1メモリ領域は、前記複数のアプリケーションの一つである第1アプリケーションが起動されると、前記フラッシュメモリから前記第1アプリケーションのデータを前記複数のメモリ領域の一つである第1メモリ領域に読み込み、
前記EEPROMの第2メモリ領域は、前記複数のアプリケーションの一つである第2アプリケーションのデータを格納するものであって、
前記第1メモリ領域は、前記複数のアプリケーションの一つである第3アプリケーションが起動されるまで保持することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1または2記載の半導体集積回路装置であって、
前記EEPROMは、前記第1アプリケーションの前記プログラムの処理に伴う前記データの更新が書き込まれるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1または3記載の半導体集積回路装置であって、
前記第1アプリケーションのデータがEEPROMに書き込まれている間、前記第1アプリケーション以外のアプリケーションのデータはフラッシュメモリに格納されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の半導体集積回路装置であって、
前記EEPROMの容量と、前記複数のアプリケーションの前記データの一つが格納される前記フラッシュメモリの領域の容量とが同一であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1アプリケーションのデータが前記EEPROMから前記フラッシュメモリに書き込まれた後、前記第2アプリケーションのデータが前記フラッシュメモリから前記EEPROMに書き込まれることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の半導体集積回路装置であって、
前記EEPROMは、前記第1アプリケーションのデータが消去または書き込みをされたことを示す情報を格納し、
前記情報によって、前記第1アプリケーションのデータが前記EEPROMから前記フラッシュメモリに書き込まれるか否かが決定されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1から7のいずれかに記載の半導体集積回路装置であって、
前記第1アプリケーションのデータは、前記複数のアプリケーションのうちいずれのアプリケーションであるかを示す識別情報が含むものであって、
前記識別情報によって、前記第1アプリケーションのデータが前記フラッシュメモリから前記EEPROMに書き込まれるか否かが決定されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の半導体集積回路装置であって、
前記フラッシュメモリと前記EEPROMとの間に、ビット線データをマルチプレクスする回路とラッチする回路とを設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1から9のいずれかに記載の半導体集積回路装置であって、
前記フラッシュメモリと前記EEPROMとは、ビット線幅が同一であることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1から10のいずれかに記載の半導体集積回路装置を有することを特徴とするICカード。
- 請求項1から11のいずれかに記載の半導体集積回路装置またはICカードを有することを特徴とする携帯端末。
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JP2004159223A JP4460948B2 (ja) | 2003-06-06 | 2004-05-28 | 半導体集積回路装置、icカード、携帯端末 |
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