JP4458954B2 - Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and communication device - Google Patents

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本発明は、弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置に関する。より詳しくは、同一の圧電基板上に送信側フィルタおよび受信側フィルタの両方を配置した、分波器として使用する弾性表面波装置であり、特に送信側フィルタと受信側フィルタとの間のアイソレーション特性を改善した弾性表面波装置およびその製造方法ならびにその弾性表面波装置を用いた通信装置に関するものである。   The present invention relates to a surface acoustic wave device, a manufacturing method thereof, and a communication device. More specifically, it is a surface acoustic wave device used as a duplexer in which both a transmission side filter and a reception side filter are arranged on the same piezoelectric substrate, and in particular, an isolation between the transmission side filter and the reception side filter. The present invention relates to a surface acoustic wave device with improved characteristics, a manufacturing method thereof, and a communication device using the surface acoustic wave device.

近年、通信機端末の多機能化に伴い、実装部品はより小型・軽量化することが求められている。その中で送信側周波数帯（例えば低周波側周波数帯）の信号と受信側周波数帯（例えば高周波側周波数帯）の信号とを分離する分波器には、従来、誘電体を用いたものが使用されてきた。しかし、誘電体分波器は現状の通信規格の周波数帯では原理的に小型化できず、また、通過帯域近傍の減衰特性を急峻にできないため、送信側周波数帯と受信側周波数帯とが接近している通信規格では満足のいく特性が得られなかった。   In recent years, with the increase in the number of functions of communication device terminals, there is a demand for smaller and lighter mounting components. Among them, a duplexer that separates a signal in a transmission side frequency band (for example, a low frequency side frequency band) and a signal in a reception side frequency band (for example, a high frequency side frequency band) conventionally uses a dielectric. Have been used. However, the dielectric duplexer cannot be reduced in principle in the frequency band of the current communication standard, and the attenuation characteristic in the vicinity of the pass band cannot be steep, so that the transmission side frequency band and the reception side frequency band are close to each other. Satisfactory characteristics were not obtained with the communication standards.

そこで近年、弾性表面波素子を用いたフィルタを分波器に利用する試みがなされている。従来から弾性表面波フィルタは段間のフィルタとして使用されていたが、分波器として使用するには耐電力性が低かった。しかし、近年この耐電力性の問題は励振電極の電極構造や電極材料を工夫することで解決することができるようになってきたため、誘電体分波器より小型で通過帯域近傍の減衰特性の良い弾性表面波分波器（以下ではＳＡＷ−ＤＰＸと記す。）が現れ始めている。
特開1995−122961公報 国際公開第99／54995号パンフレット 松田聡、斉藤康之、川内治、宮本晶規，「弾性波観測によるＳＡＷ共振子特性の改善」，第33回ＥＭシンポジウム予稿集，2004年5月20日，ｐ.77−82 Therefore, in recent years, an attempt has been made to use a filter using a surface acoustic wave element as a duplexer. Conventionally, a surface acoustic wave filter has been used as an interstage filter, but its power resistance is low for use as a duplexer. In recent years, however, this problem of power durability has been able to be solved by devising the electrode structure and electrode material of the excitation electrode, so that it is smaller than a dielectric duplexer and has good attenuation characteristics near the passband. Surface acoustic wave duplexers (hereinafter referred to as SAW-DPX) are beginning to appear.
JP 1995-122961 WO99 / 54995 pamphlet Satoshi Matsuda, Yasuyuki Saito, Osamu Kawauchi, Akinori Miyamoto, “Improvement of SAW resonator characteristics by elastic wave observation”, Proceedings of the 33rd EM Symposium, May 20, 2004, p.77-82

段間で使用される従来のＳＡＷフィルタでは、異なる周波数帯のフィルタを同一の圧電基板に形成することにより、フィルタ全体が実装ボード上に占める割合を小さくしてきた（以下ではこのようなＳＡＷフィルタをDual−ＳＡＷフィルタと記す。）。同様にＳＡＷ−ＤＰＸにおいても、送信側周波数帯のフィルタ（以下ではＴｘフィルタと記す。）と受信側周波数帯のフィルタ（以下ではＲｘフィルタと記す。）とを同一の圧電基板上に形成することにより小型化を図ることができる。   In the conventional SAW filter used between the stages, the ratio of the entire filter on the mounting board has been reduced by forming filters of different frequency bands on the same piezoelectric substrate (hereinafter, such a SAW filter is referred to as a SAW filter). This is referred to as a Dual-SAW filter.) Similarly, in SAW-DPX, a transmission-side frequency band filter (hereinafter referred to as a Tx filter) and a reception-side frequency band filter (hereinafter referred to as an Rx filter) are formed on the same piezoelectric substrate. Therefore, the size can be reduced.

しかし、実際に同一の圧電基板上にＴｘフィルタとＲｘフィルタとを形成すると、両フィルタ間でのアイソレーション特性が通信機端末における要求仕様を満足できないことが問題となっていた。このアイソレーション特性とは、一方のフィルタから他方のフィルタに漏れる信号の特性のことであり、このような信号の漏れはできるだけ小さく抑える必要がある。特に分波器においては、送信側で増幅された電力の大きい送信信号がＴｘフィルタからＲｘフィルタに漏れて受信側に漏れると、もともと電力の小さい受信信号を受信することができなくなってしまう。このため、分波器に要求されるアイソレーション特性の仕様では信号の漏れを極めて小さく抑えることが要求されており、段間で使用されるDual−ＳＡＷフィルタに要求される仕様に比べて非常に厳しくなっている。   However, when the Tx filter and the Rx filter are actually formed on the same piezoelectric substrate, there has been a problem that the isolation characteristics between the two filters cannot satisfy the required specifications in the communication terminal. This isolation characteristic is a characteristic of a signal leaking from one filter to the other filter, and it is necessary to suppress such signal leakage as small as possible. In particular, in a duplexer, if a transmission signal with high power amplified on the transmission side leaks from the Tx filter to the Rx filter and leaks to the reception side, a reception signal with low power cannot be received from the beginning. For this reason, the specification of the isolation characteristic required for the duplexer requires that the signal leakage be extremely small, which is much higher than the specification required for the Dual-SAW filter used between stages. It is getting strict.

このフィルタ間でのアイソレーション特性の劣化の原因の一つは、弾性表面波の漏れであると考えられる。特にＳＡＷ−ＤＰＸでは、Ｔｘフィルタを形成する励振電極で励振された弾性表面波をその励振電極中に充分に閉じ込めることができず、Ｔｘフィルタの励振電極から漏れた弾性表面波が圧電基板の表面を伝搬し、これがＲｘフィルタを形成する励振電極によって受信されてしまうことにより、ＴｘフィルタからＲｘフィルタへと信号が漏れてしまい、アイソレーション特性が劣化すると考えられる。その概念を図６にＳＡＷ−ＤＰＸの弾性表面波素子の一例を示す上面図に示す。   One of the causes of the deterioration of the isolation characteristic between the filters is considered to be surface acoustic wave leakage. In particular, in SAW-DPX, the surface acoustic wave excited by the excitation electrode forming the Tx filter cannot be sufficiently confined in the excitation electrode, and the surface acoustic wave leaking from the excitation electrode of the Tx filter is And is received by the excitation electrode forming the Rx filter, the signal leaks from the Tx filter to the Rx filter, and the isolation characteristic is considered to deteriorate. FIG. 6 is a top view showing the concept of the SAW-DPX surface acoustic wave element.

図６において、１は弾性表面波素子であり、圧電基板２の一方主面にＴｘフィルタ領域12およびＲｘフィルタ領域13が設けられ、各領域にはそれぞれ複数の励振電極３および励振電極３間を接続する接続電極４からなる弾性表面波フィルタが形成されている。５はＴｘフィルタの入力パッド部、６はアンテナへ接続されるＴｘフィルタの出力パッド部、７はアンテナへ接続されるＲｘフィルタの入力パッド部、８はＲｘフィルタの出力パッド部である。また、９は接地電極であり、10はＴｘフィルタ領域12とＲｘフィルタ領域13とを個別に取り囲むように形成された環状導体である。   In FIG. 6, reference numeral 1 denotes a surface acoustic wave element. A Tx filter region 12 and an Rx filter region 13 are provided on one main surface of the piezoelectric substrate 2, and each region has a plurality of excitation electrodes 3 and excitation electrodes 3. A surface acoustic wave filter composed of connection electrodes 4 to be connected is formed. Reference numeral 5 denotes an input pad portion of the Tx filter, 6 denotes an output pad portion of the Tx filter connected to the antenna, 7 denotes an input pad portion of the Rx filter connected to the antenna, and 8 denotes an output pad portion of the Rx filter. Further, 9 is a ground electrode, and 10 is an annular conductor formed so as to individually surround the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13.

この弾性表面波素子１においては、Ｔｘフィルタ領域12とＲｘフィルタ領域13とを個別に環状導体10で取り囲むことによって電気的に分離しているが、Ｔｘフィルタ領域12の励振電極３とＲｘフィルタ領域13の励振電極３とが、それぞれの弾性表面波の伝搬経路の方向とが重なるように配置されているため、Ｔｘフィルタ領域12の励振電極３からＲｘフィルタ領域13の励振電極３に図６中に矢印で示すように弾性表面波の漏れ14が生じてしまい、これによってアイソレーション特性が劣化してしまうという問題点があった。   In the surface acoustic wave element 1, the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13 are electrically separated by being individually surrounded by the annular conductor 10, but the excitation electrode 3 and the Rx filter region of the Tx filter region 12 are separated. Since the 13 excitation electrodes 3 are arranged so that the directions of the propagation paths of the respective surface acoustic waves overlap each other, the excitation electrode 3 in the Tx filter region 12 is changed to the excitation electrode 3 in the Rx filter region 13 in FIG. As indicated by the arrows, surface acoustic wave leakage 14 occurs, which causes a problem that the isolation characteristics deteriorate.

このような問題点に対して、同一の圧電基板２に形成していたＴｘフィルタ領域12とＲｘフィルタ領域13とを別個の圧電基板に形成して分断することにより、弾性表面波の漏れ14の伝搬を遮断してアイソレーション特性を改善する試みがなされている（例えば、非特許文献１を参照。）。しかし、このような試みでは確かにアイソレーション特性は改善するが、もともと一体に形成していたＴｘフィルタ領域12とＲｘフィルタ領域13とを別個の圧電基板に分断して形成するので、ＴｘフィルタとＲｘフィルタとを実装用基体に実装した場合に分波器として機能する領域の占める面積は、Ｔｘフィルタ領域12とＲｘフィルタ領域13とを同一の圧電基板２に一体に形成した場合に比べて大きくなってしまうため、小型化の要求に応えることができないという問題点がある。   To solve this problem, the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13 that have been formed on the same piezoelectric substrate 2 are formed on separate piezoelectric substrates and are separated, thereby causing surface acoustic wave leakage 14 to occur. Attempts have been made to improve the isolation characteristics by blocking propagation (see, for example, Non-Patent Document 1). However, such an attempt certainly improves the isolation characteristics, but the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13 which were originally formed integrally are divided and formed on separate piezoelectric substrates. When the Rx filter is mounted on the mounting substrate, the area occupied by the branching filter is larger than when the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13 are integrally formed on the same piezoelectric substrate 2. Therefore, there is a problem that it is impossible to meet the demand for downsizing.

そこで、従来は図６に示すように配置していたＴｘフィルタ領域12およびＲｘフィルタ領域13の励振電極３を、弾性表面波の伝搬経路が重ならないように、例えば図７に示す弾性表面波素子の上面図におけるように配置すると、Ｔｘフィルタ領域12とＲｘフィルタ領域13とを別個の圧電基板に分断することなく同一の圧電基板２上に形成して小型化を図りつつ、アイソレーション特性が改善された小型のＳＡＷ−ＤＰＸとすることができるはずである。図７において図６と同様の箇所には同じ符号を付してあり、図７に示す弾性表面波素子では、Ｔｘフィルタ領域12およびＲｘフィルタ領域13のそれぞれの励振電極３を弾性表面波の伝搬経路が平行となるように配置しており、Ｔｘフィルタ領域12の励振電極３から弾性表面波が漏れても、それをＲｘフィルタ領域13の励振電極３で受けることがないので、アイソレーション特性は劣化しないというものである。   Accordingly, the surface acoustic wave element shown in FIG. 7 is used so that the excitation electrodes 3 in the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13 which are conventionally arranged as shown in FIG. If the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13 are formed on the same piezoelectric substrate 2 without being divided into separate piezoelectric substrates, the isolation characteristics are improved while being reduced in size. It should be possible to make a small SAW-DPX. 7, the same reference numerals are given to the same portions as in FIG. 6. In the surface acoustic wave element shown in FIG. 7, the propagation of surface acoustic waves through the excitation electrodes 3 in the Tx filter region 12 and the Rx filter region 13 is performed. Since the paths are arranged in parallel, even if a surface acoustic wave leaks from the excitation electrode 3 in the Tx filter region 12, it is not received by the excitation electrode 3 in the Rx filter region 13. It does not deteriorate.

しかし、本発明者らが詳細な実験を行なったところ、図７に示すような励振電極の配置としてもアイソレーション特性は改善されなかった。これはアイソレーション特性の劣化の原因が弾性表面波の漏れだけではないことを意味している。   However, when the inventors conducted detailed experiments, the isolation characteristics were not improved even with the arrangement of the excitation electrodes as shown in FIG. This means that the cause of deterioration of the isolation characteristics is not only the leakage of surface acoustic waves.

そこで、本発明者らが詳細に検討を重ねた結果、アイソレーション特性の劣化に関して従来は知られていなかった原因を見出し、その解決手段として本発明を案出するに至った。   Therefore, as a result of detailed studies by the present inventors, a cause that has not been known in the past regarding the deterioration of the isolation characteristic has been found, and the present invention has been devised as a solution.

本発明は、以上のように従来のDual−ＳＡＷフィルタでは問題では無かったが同一の圧電基板にＴｘフィルタとＲｘフィルタとを一体に形成したＳＡＷ−ＤＰＸでは問題となっていたアイソレーション特性を改善するべく案出されたものであり、その目的は、ＴｘフィルタとＲｘフィルタとを別個の圧電基板に分断することなしに、小型で優れたアイソレーション特性を有する弾性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。   As described above, the present invention improves the isolation characteristic which is not a problem with the conventional Dual-SAW filter but is a problem with the SAW-DPX in which the Tx filter and the Rx filter are integrally formed on the same piezoelectric substrate. The purpose of the present invention is to provide a small surface acoustic wave device having excellent isolation characteristics and a method for manufacturing the surface acoustic wave device without dividing the Tx filter and the Rx filter into separate piezoelectric substrates. It is to provide.

また、本発明の他の目的は、ＴｘフィルタとＲｘフィルタとを一体に集積したデュプレクサ以外の分波器にも適用することができる、小型で優れたアイソレーション特性を有する弾性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is a small-sized surface acoustic wave device having excellent isolation characteristics, which can be applied to a duplexer other than a duplexer in which a Tx filter and an Rx filter are integrated. It is to provide a manufacturing method.

本発明者らは、詳細な実験とシミュレーションとによって、アイソレーション特性の劣化が圧電基板の一方主面に形成されたＴｘフィルタの入力電極とＲｘフィルタの出力電極とが、通常は圧電基板の他方主面（以下では裏面とも記す。）の全面にわたって形成されている裏面導体層を介して容量的に結合していることが原因であることを突き止めた。このシミュレーション結果およびシミュレーションに使用した回路の概念図を図９に示す。   Based on detailed experiments and simulations, the present inventors have found that the input electrode of the Tx filter and the output electrode of the Rx filter formed on one main surface of the piezoelectric substrate are deteriorated in isolation characteristics. It has been found that this is caused by capacitive coupling through the back conductor layer formed over the entire main surface (hereinafter also referred to as the back surface). FIG. 9 shows a conceptual diagram of the simulation result and the circuit used for the simulation.

図９において、（ａ）は寄生容量が無い場合の回路図およびアイソレーション特性の例を示す線図であり、（ｂ）は寄生容量がある場合の回路図およびアイソレーション特性の例を示す線図である。図９（ｂ）で示した寄生容量はＴｘフィルタの入力パッド部とＲｘフィルタの出力パッド部との間に存在する寄生容量であり、50ｆＦ程度の非常に微小な寄生容量である。図９に示す結果から、このような非常に微小な寄生容量が存在するだけで、アイソレーション特性が劣化していることが分かる。すなわち、図９（ａ）および（ｂ）の比較から分かるように、869ＭＨｚから894ＭＨｚでの信号強度が、このような寄生容量がある場合には（ｂ）に示すように−30〜−40ｄＢであったものが、寄生容量がない場合には（ａ）に示すように−50ｄＢ以下となっており、寄生容量がないことによってアイソレーション特性が大きく改善していることが分かる。   9A is a diagram illustrating an example of a circuit diagram and an isolation characteristic when there is no parasitic capacitance, and FIG. 9B is a line illustrating an example of the circuit diagram and an isolation characteristic when there is a parasitic capacitance. FIG. The parasitic capacitance shown in FIG. 9B is a parasitic capacitance that exists between the input pad portion of the Tx filter and the output pad portion of the Rx filter, and is a very small parasitic capacitance of about 50 fF. From the result shown in FIG. 9, it can be seen that the isolation characteristic is deteriorated only by such a very small parasitic capacitance. That is, as can be seen from the comparison between FIGS. 9A and 9B, the signal intensity from 869 MHz to 894 MHz is −30 to −40 dB as shown in FIG. However, when there is no parasitic capacitance, it is −50 dB or less as shown in (a), and it can be seen that the isolation characteristic is greatly improved by the absence of parasitic capacitance.

このような50ｆＦ程度の寄生容量は、例えば圧電基板に厚み250μｍのタンタル酸リチウム単結晶基板を用いた場合であれば、比誘電率を42.7として計算すると、圧電基板の表面と裏面とに一辺が約180μｍの方形の電極が対向してある場合に形成される容量に相当する。通常、弾性表面波フィルタの入出力パッド部の面積はこの程度のものとなるため、シミュレーションで寄生容量として挿入した値は妥当に現実を反映した値であると言える。なお、アイソレーション特性に最も影響を与えるのは、ここで説明したＴｘフィルタの入力パッド部とＲｘフィルタの出力パッド部との間の寄生容量であるが、各フィルタの励振電極を接続する接続電極と各フィルタの入出力パッド部との間および一方のフィルタの励振電極を接続する接続電極と他方のフィルタの励振電極を接続する接続電極との間に発生する寄生容量も、同様にアイソレーション特性を劣化させる。   Such a parasitic capacitance of about 50 fF, for example, in the case of using a 250 μm-thick lithium tantalate single crystal substrate as the piezoelectric substrate, is calculated with a relative permittivity of 42.7. This corresponds to a capacitance formed when square electrodes of about 180 μm are opposed to each other. Usually, since the area of the input / output pad portion of the surface acoustic wave filter is about this level, it can be said that the value inserted as the parasitic capacitance in the simulation is a value that appropriately reflects the reality. Note that the parasitic capacitance between the input pad portion of the Tx filter and the output pad portion of the Rx filter described here has the most influence on the isolation characteristic, but the connection electrode that connects the excitation electrode of each filter. The parasitic capacitance generated between the input and output pad of each filter and between the connection electrode that connects the excitation electrode of one filter and the connection electrode that connects the excitation electrode of the other filter is similarly isolated. Deteriorate.

弾性表面波素子は圧電基板上に作製される櫛歯状の励振電極を用いた素子である。通常、圧電体は急激な温度変化により焦電性を示すため、圧電基板を用いて素子を作製する際に急激な温度変化のある工程を通すと、圧電基板の焦電性のためスパークが発生して素子を破壊（焦電破壊）してしまうこととなる。そこで、なるべく圧電基板に電荷が蓄積しないようにするために、圧電基板の裏面の全面にわたって導体層を成膜することが一般的となっている。しかし、本発明者らは、この裏面導体層は素子作製工程中は焦電破壊防止に有効であるが、弾性表面波素子のアイソレーション特性には有害であるということを見出した。   A surface acoustic wave element is an element using comb-like excitation electrodes fabricated on a piezoelectric substrate. Usually, a piezoelectric body exhibits pyroelectricity due to a sudden temperature change, so when manufacturing a device using a piezoelectric substrate, if a process with a sudden temperature change is performed, a spark is generated due to the pyroelectricity of the piezoelectric substrate. As a result, the element is destroyed (pyroelectric breakdown). Therefore, in order to prevent electric charges from being accumulated in the piezoelectric substrate as much as possible, it is common to form a conductor layer over the entire back surface of the piezoelectric substrate. However, the present inventors have found that this back conductor layer is effective in preventing pyroelectric breakdown during the device fabrication process, but is harmful to the isolation characteristics of the surface acoustic wave device.

ところで、この裏面導体層を実装用基体の接地電極と導通させることにより各フィルタの入出力パッド部間の容量的な結合はある程度小さくすることができるが、この対策ではアイソレーション特性の改善は充分ではない。また、圧電基板の裏面（裏面導体層の形成面）と実装用基体の主面とを対向させて弾性表面波素子を実装する場合には実装用基体の主面に接地電極を設ければよいが、この場合は改めて圧電基板の表面側に振動空間を確保して励振電極を外部から守るために、リッドやカバーを取着することによって圧電基板の表面を保護する必要がある。しかし、この場合にはリッドやカバーを取着する面積が別途必要なため、弾性表面波装置の小型化には不利である。また、圧電基板の表面（励振電極の形成面）と実装用基体の主面とを対向させてその間に振動空間を確保して実装（フリップチップ実装）する場合は、小型化には有利であるが、圧電基板の裏面の裏面導体層が接地電位のとれる実装用基体の主面と空間的に離れてしまうので、裏面導体層から実装用基体の主面上の接地電極まで接地を取るには余分な工程を必要とするため製造コストが高くなってしまうという問題点がある。   By the way, by making this backside conductor layer conductive with the ground electrode of the mounting substrate, the capacitive coupling between the input / output pad portions of each filter can be reduced to some extent, but this measure is sufficient to improve the isolation characteristics. is not. Further, when the surface acoustic wave element is mounted with the back surface of the piezoelectric substrate (the surface on which the back conductor layer is formed) facing the main surface of the mounting substrate, a ground electrode may be provided on the main surface of the mounting substrate. In this case, however, it is necessary to protect the surface of the piezoelectric substrate by attaching a lid or cover in order to secure a vibration space on the surface side of the piezoelectric substrate and protect the excitation electrode from the outside. However, this requires a separate area for attaching the lid and cover, which is disadvantageous for downsizing the surface acoustic wave device. Further, when mounting (flip chip mounting) with the vibration space secured between the surface of the piezoelectric substrate (excitation electrode forming surface) and the main surface of the mounting substrate, it is advantageous for miniaturization. However, since the back conductor layer on the back surface of the piezoelectric substrate is spatially separated from the main surface of the mounting substrate where the ground potential can be obtained, to ground from the back conductor layer to the ground electrode on the main surface of the mounting substrate. Since an extra process is required, there is a problem that the manufacturing cost is increased.

そこで本発明では以下のような弾性表面波装置とし、また以下のような製造方法により弾性表面波装置を作製するものである。   Therefore, in the present invention, the following surface acoustic wave device is used, and the surface acoustic wave device is manufactured by the following manufacturing method.

本発明の弾性表面波装置は、圧電基板の一方主面にそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域が形成され、他方主面に導体層が形成された弾性表面波素子を、実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装しており、前記導体層は、前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除いて前記他方主面に形成されていることを特徴とするものである。   In the surface acoustic wave device according to the present invention, a transmission-side filter region and a reception-side filter region each having an excitation electrode, an input pad portion, and an output pad portion are formed on one main surface of a piezoelectric substrate, and a conductor layer is formed on the other main surface. The surface acoustic wave element formed with the surface is mounted on a mounting substrate with the one main surface facing each other, and the conductor layer is formed of the input pad portion of the transmission side filter region and the reception side filter region. It is formed on the other main surface except for a region facing at least one of the output pad portions.

また、本発明の弾性表面波装置は、上記構成において、前記導体層は、さらに前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域を除いて前記他方主面に形成されていることを特徴とするものである。   In the surface acoustic wave device according to the aspect of the invention, in the above configuration, the conductor layer may be further connected to the transmission side filter region from the input pad portion to the excitation electrode in a direct current manner and the reception side filter region. Are formed on the other main surface except for a region facing at least one of the portions connected in a direct current manner from the output pad portion to the excitation electrode.

また、本発明の弾性表面波装置は、上記構成において、前記導体層は、さらに前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域を除いて前記他方主面に形成されていることを特徴とするものである。   In the surface acoustic wave device according to the aspect of the invention, in the configuration described above, the conductor layer may be formed on the other main surface except for a region facing at least one of the transmission-side filter region and the reception-side filter region. It is characterized by being.

また、本発明の弾性表面波装置は、上記各構成において、前記圧電基板の前記他方主面の前記導体層が除かれている領域の表面粗さが、前記導体層が形成されている領域の表面粗さよりも大きいことを特徴とするものである。   In the surface acoustic wave device according to the present invention, in each of the above configurations, the surface roughness of the region where the conductor layer on the other principal surface of the piezoelectric substrate is removed is the region where the conductor layer is formed. It is characterized by being larger than the surface roughness.

また、本発明の弾性表面波装置は、上記各構成において、前記圧電基板の前記一方主面に前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域を取り囲んで環状導体が形成されており、この環状導体が前記実装用基体上に対応して形成された基体側環状導体に接合されていることを特徴とするものである。   In the surface acoustic wave device according to the present invention, in each of the above configurations, an annular conductor is formed on the one main surface of the piezoelectric substrate so as to surround the transmission-side filter region and the reception-side filter region. Is bonded to a base-side annular conductor formed correspondingly on the mounting base.

また、本発明の弾性表面波装置は、上記構成において、前記励振電極が抵抗体を介して前記環状導体に電気的に接続されており、この環状導体が接地電位とされていることを特徴とするものである。   The surface acoustic wave device according to the present invention is characterized in that, in the above configuration, the excitation electrode is electrically connected to the annular conductor through a resistor, and the annular conductor is set to a ground potential. To do.

また、本発明の弾性表面波装置は、上記各構成において、前記圧電基板は、前記一方主面側が圧電材料から成り、前記他方主面側が前記圧電材料よりも低誘電率の誘電体材料から成ることを特徴とするものである。   In the surface acoustic wave device according to the aspect of the invention, in each of the above-described configurations, the piezoelectric substrate may be configured such that the one principal surface side is made of a piezoelectric material and the other principal surface side is made of a dielectric material having a lower dielectric constant than the piezoelectric material. It is characterized by this.

本発明の通信装置は、上記いずれかの本発明の弾性表面波装置を分波器として用いたことを特徴とするものである。   A communication device of the present invention is characterized in that any one of the surface acoustic wave devices of the present invention is used as a duplexer.

本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法は、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、前記一方主面の前記導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、次に、前記圧電基板を前記弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る工程と、次に、前記弾性表面波素子を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程とを具備するとともに、前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域のみを除去する工程を具備することを特徴とするものである。 A first method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention includes a step of forming a conductor layer on one principal surface of a piezoelectric substrate, and patterning the conductor layer on the one principal surface to respectively provide an excitation electrode and an input pad portion. A step of forming a plurality of surface acoustic wave element regions each having a transmission side filter region and a reception side filter region each having an output pad portion; a step of forming a conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate; Separating the piezoelectric substrate into each surface acoustic wave element region to obtain a large number of surface acoustic wave elements, and then mounting the surface acoustic wave element on a mounting substrate with the one main surface facing it And a step of forming a conductor layer on one main surface of the piezoelectric substrate, a step of forming the multiple surface acoustic wave element regions, and a step of forming a conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate. And many The output of the transmission side filter region and the output side of the reception side filter region of the conductor layer formed on the other main surface during the step of obtaining the surface acoustic wave element or after the step of mounting The method includes a step of removing only a region facing at least one of the pad portions.

また、本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法は、上記構成において、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とするものである。   Moreover, the first manufacturing method of the surface acoustic wave device of the present invention is the above-described configuration, wherein the input pad portion of the transmitting filter region and the input filter region of the receiving filter region of the conductor layer formed on the other main surface are configured as described above. In the step of removing the region facing at least one of the output pad portions, a portion of the conductor layer that is further connected in a direct current manner from the input pad portion to the excitation electrode in the transmitting filter region and the receiving filter region The region facing at least one of the portions connected in a direct current manner from the output pad portion to the excitation electrode is also removed.

また、本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法は、上記構成において、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とするものである。   Moreover, the first manufacturing method of the surface acoustic wave device of the present invention is the above-described configuration, wherein the input pad portion of the transmitting filter region and the input filter region of the receiving filter region of the conductor layer formed on the other main surface are configured as described above. In the step of removing a region facing at least one of the output pad portions, a region facing at least one of the transmission-side filter region and the reception-side filter region of the conductor layer is also removed. .

本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法は、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、前記一方主面の前記導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、次に、前記圧電基板の前記弾性表面波素子領域を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程と、次に、前記圧電基板および前記実装用基体を前記弾性表面波素子領域毎に分離する工程とを具備するとともに、前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域のみを除去する工程を具備することを特徴とするものである。 A second manufacturing method of a surface acoustic wave device according to the present invention includes a step of forming a conductor layer on one main surface of a piezoelectric substrate, patterning the conductor layer on the one main surface, and an excitation electrode and an input pad portion, respectively. A step of forming a plurality of surface acoustic wave element regions each having a transmission side filter region and a reception side filter region each having an output pad portion; a step of forming a conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate; Mounting the surface acoustic wave element region of the piezoelectric substrate on the mounting substrate with the one main surface facing, and then separating the piezoelectric substrate and the mounting substrate for each surface acoustic wave element region And a step of forming a conductor layer on one main surface of the piezoelectric substrate, a step of forming the multiple surface acoustic wave element regions, and a step of forming a conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate. When The input pad portion and the reception-side filter in the transmission-side filter region of the conductor layer formed on the other main surface between the step of obtaining a large number of surface acoustic wave elements or after the mounting step The method includes a step of removing only a region of the region facing at least one of the output pad portions.

また、本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法は、上記構成において、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とするものである。   Moreover, the second manufacturing method of the surface acoustic wave device of the present invention, in the above configuration, the input pad portion of the transmission filter region and the reception filter region of the conductor layer formed on the other main surface In the step of removing the region facing at least one of the output pad portions, a portion of the conductor layer that is further connected in a direct current manner from the input pad portion to the excitation electrode in the transmitting filter region and the receiving filter region The region facing at least one of the portions connected in a direct current manner from the output pad portion to the excitation electrode is also removed.

また、本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法は、上記構成において、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とするものである。   Moreover, the second manufacturing method of the surface acoustic wave device of the present invention, in the above configuration, the input pad portion of the transmission filter region and the reception filter region of the conductor layer formed on the other main surface In the step of removing a region facing at least one of the output pad portions, a region facing at least one of the transmission-side filter region and the reception-side filter region of the conductor layer is also removed. .

さらに、本発明の弾性表面波装置の第１および第２の製造方法は、上記各構成において、前記他方主面に形成した前記導体層を除去する際に、除去する領域の前記他方主面の表面粗さを除去しない領域の前記他方主面の表面粗さよりも大きくすることを特徴とするものである。   Furthermore, in the first and second manufacturing methods of the surface acoustic wave device of the present invention, in each of the above configurations, when the conductor layer formed on the other main surface is removed, the other main surface of the region to be removed is removed. The surface roughness is made larger than the surface roughness of the other main surface in the region where the surface roughness is not removed.

本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板の他方主面に形成された導体層が、送信側フィルタ領域の入力パッド部および受信側フィルタ領域の出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除いて他方主面に形成されていることから、送信側フィルタ領域の入力パッド部および受信側フィルタ領域の出力パッド部の間に形成される寄生容量を、従来のように他方主面の全面にわたって導体層が形成されている場合よりも大幅に小さくすることができるため、その寄生容量に起因するアイソレーション特性の劣化を抑えることができ、アイソレーション特性を大幅に改善することができる。   According to the surface acoustic wave device of the present invention, the conductor layer formed on the other principal surface of the piezoelectric substrate has a region facing at least one of the input pad portion of the transmission side filter region and the output pad portion of the reception side filter region. The parasitic capacitance formed between the input pad portion of the transmission-side filter region and the output pad portion of the reception-side filter region is reduced over the entire surface of the other main surface as in the prior art. Since it can be made much smaller than the case where the conductor layer is formed, it is possible to suppress degradation of the isolation characteristics due to the parasitic capacitance, and to greatly improve the isolation characteristics.

また、本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板の他方主面の導体層が、さらに送信側フィルタ領域の入力パッド部から励振電極まで直流的に接続されている部分および受信側フィルタ領域の出力パッド部から励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域を除いて他方主面に形成されているときには、さらに送信側フィルタ領域の入力パッド部から励振電極まで直流的に接続されている部分および／または受信側フィルタ領域の出力パッド部から励振電極まで直流的に接続されている部分によって形成される寄生容量も低減することができるため、さらにアイソレーション特性を大幅に改善することができる。   According to the surface acoustic wave device of the present invention, the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate is further connected to the transmission side filter region from the input pad portion to the excitation electrode in a direct current manner and the reception side filter region. When the other main surface is formed except for a region facing at least one of the DC-connected portions from the output pad portion to the excitation electrode, direct current is further applied from the input pad portion to the excitation electrode in the transmission-side filter region. Can also reduce the parasitic capacitance formed by the part that is connected and / or the part that is connected in direct current from the output pad portion of the filter region on the receiving side to the excitation electrode. Can be improved.

また、本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板の他方主面の導体層が、さらに送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域を除いて他方主面に形成されているときには、さらに確実にフィルタを形成する複数の励振電極を接続する接続電極や励振電極と入出力電極との間に形成される寄生容量を全て低減することができるため、さらにアイソレーション特性を大幅に改善することができる。   According to the surface acoustic wave device of the present invention, the conductor layer on the other principal surface of the piezoelectric substrate is further formed on the other principal surface except for a region facing at least one of the transmission side filter region and the reception side filter region. Therefore, the parasitic capacitance formed between the connection electrode and the excitation electrode and the input / output electrodes that connect the plurality of excitation electrodes that more reliably form the filter can be reduced. It can be greatly improved.

また、本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板の他方主面の導体層が除かれている領域の表面粗さが、導体層が形成されている領域の表面粗さよりも大きいときには、アイソレーション特性の劣化のうち、バルク波の伝搬により劣化していた分をも低減することができるので、アイソレーション特性をさらに大幅に改善することができる。アイソレーション特性の劣化の主要因はこれまでに述べてきたように寄生容量によるものであるが、アイソレーション特性は、共振器の励振電極で弾性表面波に変換されずにバルク波となってしまった音響波が、一方のフィルタ領域から圧電基板の内部を伝搬し、圧電基板の他方主面で反射され、他方のフィルタ領域に形成されている共振器の励振電極に結合することによっても劣化する。このバルク波の伝搬によるアイソレーション特性の劣化は寄生容量による劣化に比べると小さいが、アイソレーション特性に求められる厳しい要求を完全に満たすためにはこのバルク波による劣化も抑制することが好ましい。これに対し、圧電基板の他方主面の導体層が除かれている領域の表面粗さを、導体層が形成されている領域の表面粗さよりも大きいものとすることにより、部分的に粗くした圧電基板の他方主面でバルク波が散乱されるため、一方のフィルタ領域の励振電極から発生したバルク波が他方のフィルタ領域に形成されている励振電極に十分に結合しないようにすることができるので、アイソレーション特性をさらに改善することができる。   According to the surface acoustic wave device of the present invention, when the surface roughness of the region where the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate is removed is larger than the surface roughness of the region where the conductor layer is formed, Of the deterioration of the isolation characteristics, the amount of deterioration due to the propagation of the bulk wave can be reduced, so that the isolation characteristics can be further greatly improved. As described above, the main cause of the deterioration of the isolation characteristic is due to the parasitic capacitance. However, the isolation characteristic is not converted into the surface acoustic wave by the excitation electrode of the resonator, but becomes a bulk wave. The acoustic wave is also deteriorated by propagating from the one filter region to the inside of the piezoelectric substrate, reflected by the other main surface of the piezoelectric substrate, and coupled to the excitation electrode of the resonator formed in the other filter region. . Although the deterioration of the isolation characteristics due to the propagation of the bulk wave is smaller than the deterioration due to the parasitic capacitance, it is preferable to suppress the deterioration due to the bulk wave in order to completely satisfy the strict requirement required for the isolation characteristics. On the other hand, the surface roughness of the region where the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate is removed is partially roughened by making it larger than the surface roughness of the region where the conductor layer is formed. Since the bulk wave is scattered on the other principal surface of the piezoelectric substrate, the bulk wave generated from the excitation electrode in one filter region can be prevented from being sufficiently coupled to the excitation electrode formed in the other filter region. Therefore, the isolation characteristics can be further improved.

また、本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板の一方主面に送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域を取り囲んで環状導体が形成されており、この環状導体が実装用基体上に対応して形成された基体側環状導体に接合されているときには、これら環状導体および基体側環状導体を接合することによって弾性表面波素子を実装用基体上に強固に、かつ励振電極および入力パッド部および出力パッド部を気密に封止した状態で実装することができるため、後述するように実装用基体上に弾性表面波素子を実装した後に圧電基板の他方主面の導体層を加工する際に、圧電基板の一方主面に形成されている励振電極にダメージを与えずに加工することができる。なお、この環状導体の形状は、送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域を個別に囲む形状であっても、共に囲む形状であっても構わない。   Further, according to the surface acoustic wave device of the present invention, the annular conductor is formed on one main surface of the piezoelectric substrate so as to surround the transmission side filter region and the reception side filter region, and this annular conductor corresponds to the mounting substrate. When the substrate-side annular conductor is joined to the substrate-side annular conductor, the surface-acoustic wave element is firmly formed on the mounting substrate by joining the annular conductor and the substrate-side annular conductor, and the excitation electrode, the input pad portion, and Since the output pad portion can be mounted in an airtightly sealed state, when the surface acoustic wave element is mounted on the mounting base as described later, when processing the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate, Processing can be performed without damaging the excitation electrode formed on the one main surface of the piezoelectric substrate. The shape of the annular conductor may be a shape that individually surrounds the transmission-side filter region and the reception-side filter region or a shape that surrounds both.

また、本発明の弾性表面波装置によれば、励振電極が抵抗体を介して環状導体に電気的に接続されており、この環状導体が接地電位とされているときには、励振電極は直流的には接地電位に接続されているが、弾性表面波装置が使用される周波数帯ではほぼ接地電位からは絶縁されている状態とすることができるため、フィルタの帯域通過特性に影響を与えずに励振電極に電荷が蓄積することを防止できる。従って、圧電基板の他方主面の全面に導体層が無くとも、弾性表面波装置の焦電破壊を確実に防止することができる。   Further, according to the surface acoustic wave device of the present invention, the excitation electrode is electrically connected to the annular conductor via the resistor, and when the annular conductor is at the ground potential, the excitation electrode is DC-connected. Is connected to the ground potential, but in the frequency band in which the surface acoustic wave device is used, it can be isolated from the ground potential, so excitation without affecting the band-pass characteristics of the filter. Charges can be prevented from accumulating on the electrode. Accordingly, pyroelectric breakdown of the surface acoustic wave device can be reliably prevented even when the conductor layer is not provided on the entire other main surface of the piezoelectric substrate.

また、本発明の弾性表面波装置によれば、圧電基板が、酸素含有量が化学量論比組成より少ない、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶または四ホウ酸リチウム単結晶から成るときには、この圧電基板は、励振電極を環状導体に電気的に接続する抵抗体と同様に、直流的には導体に見えるが弾性表面波装置が使用される周波数帯ではほぼ絶縁体に見えるという性質を持つ。従って、これを弾性表面波装置の基板として使用することによって、フィルタの帯域通過特性に影響を与えずに励振電極に電荷が蓄積することを防止できる。従って、圧電基板の他方主面の全面に導体層が無くとも、弾性表面波装置の焦電破壊を良好に防止することができる。しかも、焦電破壊を防止するために弾性表面波装置の製造工程において工程数を増加させることがない。   According to the surface acoustic wave device of the present invention, when the piezoelectric substrate is made of a lithium tantalate single crystal, a lithium niobate single crystal, or a lithium tetraborate single crystal having an oxygen content less than the stoichiometric composition. This piezoelectric substrate, like the resistor that electrically connects the excitation electrode to the annular conductor, appears to be a conductor in terms of direct current, but appears to be almost an insulator in the frequency band in which the surface acoustic wave device is used. Have. Therefore, by using this as the substrate of the surface acoustic wave device, it is possible to prevent charges from being accumulated on the excitation electrode without affecting the bandpass characteristics of the filter. Therefore, pyroelectric breakdown of the surface acoustic wave device can be satisfactorily prevented even when there is no conductor layer on the entire other main surface of the piezoelectric substrate. In addition, the number of processes is not increased in the manufacturing process of the surface acoustic wave device in order to prevent pyroelectric breakdown.

また、以上の本発明の弾性表面波装置においては、圧電基板の他方主面の所定の領域をできるだけ除いて導体層を形成することにより送信側フィルタ領域の入力パッド部と受信側フィルタ領域の出力パッド部との間に発生する寄生容量を低減してきたが（これは寄生容量を形成する電極の面積を小さくすることに相当する。）、これらに加えて、圧電基板が、一方主面側が圧電材料から成り、他方主面側がその圧電材料よりも低誘電率の誘電体材料から成るときには、送信側フィルタ領域の入力パッド部と受信側フィルタ領域の出力パッド部との間の実効誘電率を小さくすることができ、これによっても寄生容量を低減することができる（これは寄生容量を形成する電極間の誘電率を小さくすることに相当する。）ので、アイソレーション特性をさらに改善することができる。
In the surface acoustic wave device of the present invention described above, the conductor layer is formed so as to eliminate as much as possible the predetermined region of the other main surface of the piezoelectric substrate, whereby the output of the input pad portion of the transmission side filter region and the output of the reception side filter region. Although the parasitic capacitance generated between the pad portion and the pad portion has been reduced (this corresponds to reducing the area of the electrode forming the parasitic capacitance), in addition to this, the piezoelectric substrate has a piezoelectric surface on one side. When the other main surface side is made of a dielectric material whose dielectric constant is lower than that of the piezoelectric material, the effective dielectric constant between the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region is reduced. This can also reduce the parasitic capacitance (this corresponds to reducing the dielectric constant between the electrodes forming the parasitic capacitance). It can be further improved.

そして、本発明の通信装置によれば、以上のような本発明の弾性表面波装置を分波器として用いたことにより、分波器に対して要求されている厳しいアイソレーション特性を満たすことができるものが得られ、また、弾性表面波装置が良好なアイソレーション特性を有する分波器でありながら小型であるので、他部品の実装面積をより大きく取ることができ、部品の選択の幅が広がるため、高機能な通信装置を実現することができる。   According to the communication device of the present invention, the above-described surface acoustic wave device of the present invention is used as a duplexer, thereby satisfying severe isolation characteristics required for the duplexer. In addition, since the surface acoustic wave device is a small-sized duplexer having good isolation characteristics, the mounting area of other components can be increased, and the range of component selection can be increased. Since it spreads, a highly functional communication apparatus can be realized.

以上のような本発明の弾性表面波装置を作製するには、以下のような本発明の弾性表面波装置の製造方法が好適である。   In order to produce the surface acoustic wave device of the present invention as described above, the following method for producing the surface acoustic wave device of the present invention is suitable.

本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法によれば、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と多数個の弾性表面波素子を得る工程との間で圧電基板の他方主面の導体層を部分的に除去する場合には、多数個の弾性表面波素子が一体に形成された圧電基板に対して他方主面の導体層に対する除去処理を一括して行なえるため、除去工程における効率が良いものとなる。また、弾性表面波素子を実装用基体に一方主面を対面させて実装する工程の後に圧電基板の他方主面の導体層を部分的に除去する場合には、実装工程で温度履歴がかかることによって起こる可能性のある弾性表面波素子の焦電破壊を確実に防止することができる。   According to the first method of manufacturing a surface acoustic wave device of the present invention, a step of forming a conductor layer on one main surface of the piezoelectric substrate, a step of forming a large number of surface acoustic wave element regions, and the other main surface of the piezoelectric substrate When the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate is partially removed between the step of forming the conductor layer and the step of obtaining a plurality of surface acoustic wave elements, the plurality of surface acoustic wave elements are integrated together. Since the removal process with respect to the conductor layer of the other main surface can be collectively performed on the formed piezoelectric substrate, the efficiency in the removal process is improved. In addition, when a surface acoustic wave element is mounted on a mounting substrate with one main surface facing each other and the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate is partially removed, a temperature history is applied in the mounting process. It is possible to reliably prevent pyroelectric breakdown of the surface acoustic wave element that may occur.

本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法によれば、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と多数個の弾性表面波素子を得る工程との間で圧電基板の他方主面の導体層を部分的に除去する場合には、多数個の弾性表面波素子が一体に形成された圧電基板に対して他方主面の導体層に対する除去処理を一括して行なえるため、除去工程における効率が良いものとなる。また、圧電基板の弾性表面波素子領域を実装用基体に一方主面を対面させて実装する工程の後に圧電基板の他方主面の導体層を部分的に除去する場合には、実装工程で温度履歴がかかることによって起こる可能性のある弾性表面波素子の焦電破壊を確実に防止することができる。さらに、多数個の弾性表面波素子領域が作製されている圧電基板を実装用基体に実装した状態で他方主面の導体層に対する除去処理を行なえるため、除去工程における効率も良いものとなる。もちろん、他方主面の導体層に対する除去処理は、圧電基板および実装用基体を弾性表面波素子領域毎に分離する工程の後に行なっても構わない。また、この分離する工程では、圧電基板と実装用基体のどちらか片方を先に分離しても、圧電基板と実装用基体とを同時に分離しても構わない。   According to the second method of manufacturing a surface acoustic wave device of the present invention, the step of forming a conductor layer on one main surface of the piezoelectric substrate, the step of forming a large number of surface acoustic wave element regions, and the other main surface of the piezoelectric substrate When the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate is partially removed between the step of forming the conductor layer and the step of obtaining a plurality of surface acoustic wave elements, the plurality of surface acoustic wave elements are integrated together. Since the removal process with respect to the conductor layer of the other main surface can be collectively performed on the formed piezoelectric substrate, the efficiency in the removal process is improved. In the case where the conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate is partially removed after the step of mounting the surface acoustic wave element region of the piezoelectric substrate with the main surface facing the mounting substrate, It is possible to reliably prevent pyroelectric breakdown of the surface acoustic wave element that may occur due to the history. Furthermore, since the removal process can be performed on the conductor layer on the other main surface in a state where the piezoelectric substrate on which a large number of surface acoustic wave element regions are fabricated is mounted on the mounting base, the efficiency in the removal process is improved. Of course, the removal process for the conductor layer on the other main surface may be performed after the step of separating the piezoelectric substrate and the mounting substrate for each surface acoustic wave element region. In this separation step, either the piezoelectric substrate or the mounting substrate may be separated first, or the piezoelectric substrate and the mounting substrate may be separated simultaneously.

ところで、バルク波の伝搬によるアイソレーション特性の劣化は、元々表面を大きく荒らした圧電基板を使用すれば抑制することができるが、弾性表面波を伝搬させる励振電極を形成している一方主面は鏡面である必要があるため、他方主面のみが大きく荒れた圧電基板は温度変化により大きく反ってしまい、弾性表面波素子の作製工程中に破損しやすいという問題点がある。一方、近年の電子部品への小型化・低背化の要求から、弾性表面波素子の圧電基板の厚みが次第に薄くされているが、圧電基板の厚みが薄くなるとますます破損する確率は大きくなってしまう。   By the way, the deterioration of isolation characteristics due to the propagation of bulk waves can be suppressed by using a piezoelectric substrate whose surface has been greatly roughened, but the main surface that forms the excitation electrode that propagates the surface acoustic wave is Since it needs to be a mirror surface, the piezoelectric substrate with only the other main surface largely rough is warped greatly due to a temperature change, and there is a problem that it is easily damaged during the surface acoustic wave element manufacturing process. On the other hand, the thickness of piezoelectric substrates for surface acoustic wave elements has been gradually reduced due to the recent demand for smaller and lower height electronic components. However, the probability of breakage increases as the thickness of piezoelectric substrates decreases. End up.

これに対し、本発明の弾性表面波装置の製造方法によれば、圧電基板の他方主面に形成した導体層を除去する際に、除去する領域の他方主面の表面粗さを除去しない領域の他方主面の表面粗さよりも大きくするようにしたときには、薄型化が進められている圧電基板についても破損する危険性を大きくせずに、バルク波の伝搬によるアイソレーション特性の劣化を効率良く抑えることができる。また、これを寄生容量によるアイソレーション特性の劣化に対する対策と同時に行なえるため、効率的である。   On the other hand, according to the method for manufacturing a surface acoustic wave device of the present invention, when removing the conductor layer formed on the other principal surface of the piezoelectric substrate, the region where the surface roughness of the other principal surface of the region to be removed is not removed. When the surface roughness of the other main surface of the piezoelectric substrate is made larger than that of the piezoelectric substrate, the piezoelectric substrate that has been reduced in thickness can effectively reduce deterioration of isolation characteristics due to propagation of bulk waves without increasing the risk of damage. Can be suppressed. In addition, this is efficient because it can be performed simultaneously with countermeasures against deterioration of isolation characteristics due to parasitic capacitance.

以上のように、本発明によれば、同一の圧電基板上に送信側フィルタと受信側フィルタとを、アイソレーション特性を大幅に改善して、一体に形成することができる。従って、送信側フィルタと受信側フィルタとを別個の圧電基板に作製したものよりも小型のＳＡＷ−ＤＰＸを作製することができる。また、１枚の圧電基板から多数個の弾性表面波装置を得ることができるので、弾性表面波装置の低価格化を実現することができる。また、圧電基板の一方主面（励振電極の形成面）を実装用基体の主面に対向させた実装（フリップチップ実装）を行なっても、Ｔｘフィルタの入力電極とＲｘフィルタの出力電極とが他方主面の導体層を介して容量結合することがないので、小型のＳＡＷ−ＤＰＸでありながらアイソレーション特性を劣化させない弾性表面波装置を得ることができ、しかも、作製工程において圧電基板の他方主面の全面に導体層が無くとも弾性表面波素子の焦電破壊を防止することができる。また、近年の部品に対する小型化・低背化の要求から、弾性表面波装置に対しても圧電基板の厚みを薄くすることが求められているが、圧電基板が薄くなるほど圧電基板の一方主面の電極と他方主面の導体層との間の容量は大きくなり、従って寄生容量を介した容量結合によって起こるアイソレーション特性の劣化はさらに深刻化することとなるが、これに対しても、他方主面の導体層を部分的に除去することにより、薄型でかつ良好なアイソレーション特性を有する弾性表面波装置を得ることができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to integrally form the transmission side filter and the reception side filter on the same piezoelectric substrate with greatly improved isolation characteristics. Therefore, a SAW-DPX that is smaller than the one in which the transmission side filter and the reception side filter are produced on separate piezoelectric substrates can be produced. In addition, since a large number of surface acoustic wave devices can be obtained from one piezoelectric substrate, it is possible to reduce the cost of the surface acoustic wave device. Further, even when mounting (flip chip mounting) is performed with one main surface (excitation electrode forming surface) of the piezoelectric substrate facing the main surface of the mounting substrate, the input electrode of the Tx filter and the output electrode of the Rx filter are not Since there is no capacitive coupling through the conductor layer on the other main surface, a surface acoustic wave device that does not deteriorate the isolation characteristics while being a small SAW-DPX can be obtained. Pyroelectric breakdown of the surface acoustic wave element can be prevented even without a conductor layer on the entire main surface. Also, due to recent demands for miniaturization and low profile of parts, surface acoustic wave devices are also required to reduce the thickness of the piezoelectric substrate. However, the thinner the piezoelectric substrate, the one main surface of the piezoelectric substrate. The capacitance between the other electrode and the conductor layer on the other main surface becomes large, and therefore the deterioration of the isolation characteristic caused by capacitive coupling through the parasitic capacitance becomes more serious. By partially removing the conductor layer on the main surface, a thin surface acoustic wave device having good isolation characteristics can be obtained.

そして、本発明の弾性表面波装置は、良好なアイソレーション特性を有するものでありながら小型である、分波器として好適なものであるので、他部品の実装面積を大きく取れる等により、高機能を実現できる通信装置を作製することができる。   The surface acoustic wave device according to the present invention is suitable as a duplexer that has a good isolation characteristic but is small in size. Can be manufactured.

以下、本発明の弾性表面波装置およびその製造方法の実施の形態の例について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下に説明する図面において同様の箇所には同じ符号を付すものとする。また、各電極の大きさや電極間の距離等、あるいは電極指の本数や間隔等については、説明のために模式的に図示したものであるので、これらに限定されるものではない。   Hereinafter, an example of an embodiment of a surface acoustic wave device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings described below, the same portions are denoted by the same reference numerals. Further, the size of each electrode, the distance between the electrodes, the number of electrode fingers, the interval, and the like are schematically illustrated for explanation, and are not limited to these.

＜実施の形態の例１＞
本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例１における弾性表面波素子の一方主面を示す上面図は、図６と同様である。また、この例１における弾性表面波素子の他方主面の上面図を図１に示す。 <Example 1 of embodiment>
A top view showing one main surface of the surface acoustic wave element in Example 1 of the embodiment of the surface acoustic wave device of the present invention is the same as FIG. A top view of the other main surface of the surface acoustic wave element in Example 1 is shown in FIG.

図６に示すように、弾性表面波素子１の圧電基板２上には送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13が形成されている。送信側フィルタ領域12には、共振器を構成する複数の励振電極３およびこれらを接続する接続電極４と、弾性表面波素子１と実装用基体（図示せず）とを接続するための励振電極３に電気的に接続された入力パッド部５および出力パッド部６が形成されている。同様に受信側フィルタ領域13には、共振器を構成する複数の励振電極３およびこれらを接続する接続電極４と、弾性表面波素子１と実装用基体とを接続するための励振電極３に電気的に接続された入力パッド部７および出力パッド部８が形成されている。   As shown in FIG. 6, a transmission-side filter region 12 and a reception-side filter region 13 are formed on the piezoelectric substrate 2 of the surface acoustic wave element 1. In the transmission filter region 12, a plurality of excitation electrodes 3 constituting a resonator, a connection electrode 4 connecting them, and an excitation electrode for connecting the surface acoustic wave element 1 and a mounting substrate (not shown). An input pad portion 5 and an output pad portion 6 electrically connected to 3 are formed. Similarly, a plurality of excitation electrodes 3 constituting a resonator, a connection electrode 4 connecting them, and an excitation electrode 3 for connecting the surface acoustic wave element 1 and the mounting substrate are electrically connected to the reception-side filter region 13. An input pad portion 7 and an output pad portion 8 that are connected to each other are formed.

また、環状導体10は半田等を用いて実装用基体の上面にこれに対応させて形成された、接地電極としても機能する基体側環状導体と接続される。この例では、環状導体10は送信側フィルタ領域12と受信側フィルタ領域13とを個別に取り囲むようにして一体に形成されており、受信側フィルタ領域13のＲｘフィルタの接地電極として機能するとともに圧電基板２と実装用基体との間で送信側フィルタ領域12と受信側フィルタ領域13とを封止する役割を持つ。なお、この例では、送信側フィルタ領域12のＴｘフィルタの接地は、接地電極パッド11を実装用基体の接地電極と接続することでとっており、圧電基板２上では環状導体10に接続していない。   The annular conductor 10 is connected to a base-side annular conductor that also functions as a ground electrode, which is formed on the upper surface of the mounting base using solder or the like. In this example, the annular conductor 10 is integrally formed so as to individually surround the transmission-side filter region 12 and the reception-side filter region 13, and functions as a ground electrode for the Rx filter in the reception-side filter region 13 and is also piezoelectric. It serves to seal the transmission side filter region 12 and the reception side filter region 13 between the substrate 2 and the mounting substrate. In this example, the Tx filter in the transmission filter region 12 is grounded by connecting the ground electrode pad 11 to the ground electrode of the mounting substrate, and is connected to the annular conductor 10 on the piezoelectric substrate 2. Absent.

また、図１に示すように、圧電基板２の他方主面には導体層16が形成されている。ここで、導体層16は、図１にそのパターンを示すように、圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12（Ｔｘフィルタ）の入力パッド部５に対向する領域５’とその周囲、および受信側フィルタ領域13（Ｒｘフィルタ）の出力パッド部８に対向する領域８’とその周囲を除いて形成されている。このように領域５’および領域８’を除いて導体層16を形成することによって、Ｔｘフィルタの入力パッド部５とＲｘフィルタの出力パッド部８とが導体層16との間で発生する寄生容量を介して容量的な結合をするのを防ぐことができ、従って、アイソレーション特性を大幅に改善することができる。   As shown in FIG. 1, a conductor layer 16 is formed on the other main surface of the piezoelectric substrate 2. Here, as shown in FIG. 1, the conductor layer 16 has a region 5 ′ facing the input pad portion 5 of the transmitting filter region 12 (Tx filter) on one main surface of the piezoelectric substrate 2 and its surroundings. In addition, the region 8 ′ of the receiving side filter region 13 (Rx filter) facing the output pad portion 8 and the periphery thereof are formed. By forming the conductor layer 16 excluding the region 5 ′ and the region 8 ′ in this manner, the parasitic capacitance generated between the conductor layer 16 by the input pad portion 5 of the Tx filter and the output pad portion 8 of the Rx filter. Therefore, it is possible to prevent the capacitive coupling through the base, and thus the isolation characteristic can be greatly improved.

なお、本例では圧電基板２の他方主面のＴｘフィルタの入力パッド部５に対向する領域５’とその周囲、およびＲｘフィルタの出力パッド部８に対向する領域８’とその周囲の両方に導体層16が無いパターンを示したが、これらの領域５’，８’のうち少なくともどちらか片方に導体層16が無ければ、ある程度のアイソレーション特性の改善の効果が得られる。   In this example, the region 5 ′ facing the input pad portion 5 of the Tx filter on the other main surface of the piezoelectric substrate 2 and its periphery, and the region 8 ′ facing the output pad portion 8 of the Rx filter and the periphery thereof are both present. Although the pattern without the conductor layer 16 is shown, if there is no conductor layer 16 in at least one of these regions 5 'and 8', an effect of improving the isolation characteristics to some extent can be obtained.

また、本例では環状導体10をＲｘフィルタの接地電極として利用したが、ＲｘフィルタにおいてもＴｘフィルタと同様に、環状導体10を接地電極として用いずに実装用基体の接地電極に直接接続しても構わない。また逆に、環状導体10をＴｘフィルタの接地電極として用い、Ｒｘフィルタを実装用基体の接地電極に直接接続しても構わない。特に、Ｔｘフィルタの通過帯域がＲｘフィルタの通過帯域より低周波側に位置するときには、図６に示すように、Ｔｘフィルタの接地電極を環状導体10に接続しない構成が、Ｔｘフィルタの通過帯域のうち高域側のＲｘフィルタの通過帯域に相当する周波数で高い減衰量を得る上で望ましいものとなる。   In this example, the annular conductor 10 is used as the ground electrode of the Rx filter. However, in the Rx filter, as in the case of the Tx filter, the annular conductor 10 is not directly used as the ground electrode but directly connected to the ground electrode of the mounting substrate. It doesn't matter. Conversely, the annular conductor 10 may be used as the ground electrode of the Tx filter, and the Rx filter may be directly connected to the ground electrode of the mounting substrate. In particular, when the pass band of the Tx filter is located on the lower frequency side than the pass band of the Rx filter, as shown in FIG. 6, a configuration in which the ground electrode of the Tx filter is not connected to the annular conductor 10 Of these, it is desirable to obtain a high attenuation at a frequency corresponding to the pass band of the Rx filter on the high frequency side.

＜実施の形態の例２＞
図２に本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例２における弾性表面波素子の一方主面を示す上面図を示す。この例では、圧電基板２の一方主面側の構成は例１と同じであるが、他方主面の導体層16のパターンが異なっている。例１では圧電基板２の他方主面の送信側フィルタ領域12（Ｔｘフィルタ）の入力パッド部５に対向する領域５’とその周囲、および受信側フィルタ領域13（Ｒｘフィルタ）の出力パッド部８に対向する領域８’とその周囲のみに導体層16が無いパターンを用いたが、この例２では、圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12（Ｔｘフィルタ）の入力パッド部５から共振器の励振電極３まで直流的に接続されている部分に対向する領域５”および受信側フィルタ領域13（Ｒｘフィルタ）の出力パッド部８から共振器の励振電極３まで直流的に接続されている部分に対向する領域８”を除いて導体層16が形成されている。このように領域５”および領域８”を除いて導体層16を形成することによって、寄生容量をさらに低減させることができ、寄生容量を介した容量的な結合をより確実に抑えることができる。 <Example 2 of embodiment>
FIG. 2 is a top view showing one main surface of the surface acoustic wave element in Example 2 of the embodiment of the surface acoustic wave device of the invention. In this example, the configuration on one main surface side of the piezoelectric substrate 2 is the same as that in Example 1, but the pattern of the conductor layer 16 on the other main surface is different. In Example 1, the region 5 ′ facing the input pad portion 5 of the transmission side filter region 12 (Tx filter) on the other main surface of the piezoelectric substrate 2 and its periphery, and the output pad portion 8 of the reception side filter region 13 (Rx filter). In this example 2, from the input pad portion 5 of the transmission-side filter region 12 (Tx filter) on one main surface of the piezoelectric substrate 2, a pattern having no conductor layer 16 only in the region 8 ′ and the periphery thereof is used. The region 5 ″ facing the portion connected to the resonator to the excitation electrode 3 in a direct current and the output pad portion 8 of the reception side filter region 13 (Rx filter) to the excitation electrode 3 of the resonator are connected in a direct current. A conductor layer 16 is formed except for the region 8 ″ facing the portion. Thus, by forming the conductor layer 16 excluding the region 5 ″ and the region 8 ″, the parasitic capacitance can be further reduced, and capacitive coupling via the parasitic capacitance can be more reliably suppressed.

また、これら送信側フィルタ領域12の入力パッド部５から共振器の励振電極３まで直流的に接続されている部分に対向する領域５”および受信側フィルタ領域13の出力パッド部８から共振器の励振電極３まで直流的に接続されている部分に対向する領域８”のパターン形状は、図３に同様の上面図で示すように、圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12（Ｔｘフィルタ）の入力パッド部５から共振器の励振電極３まで直流的に接続されている部分に対向する領域５”および受信側フィルタ領域13（Ｒｘフィルタ）の出力パッド部８から共振器の励振電極３まで直流的に接続されている部分に対向する領域８”のそれぞれ全体を覆うような単純なパターン形状であっても構わない。   Further, the region 5 ″ facing the portion DC-connected from the input pad portion 5 of the transmission side filter region 12 to the excitation electrode 3 of the resonator and the output pad portion 8 of the reception side filter region 13 from the output pad portion 8 of the resonator. The pattern shape of the region 8 ″ facing the portion connected to the excitation electrode 3 in a DC manner is the transmission side filter region 12 (Tx on one main surface of the piezoelectric substrate 2 as shown in the same top view in FIG. The region 5 ″ facing the portion DC-connected from the input pad portion 5 of the filter to the excitation electrode 3 of the resonator and the excitation pad of the resonator from the output pad portion 8 of the reception side filter region 13 (Rx filter) A simple pattern shape may be used so as to cover each of the regions 8 ″ facing the portions connected to each other up to 3 in a direct current manner.

＜実施の形態の例３＞
この例では、寄生容量を介した容量的な結合をさらに確実に抑えるために、圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13の少なくとも一方と対向する領域を除いて、圧電基板２の他方主面の導体層16を形成した。その導体層16のパターンの例を図４に同様の上面図で示す。この図４に示す例３では、送信側フィルタ領域12と対向する領域12’を除いて導体層16を形成した例を示している。また、この例３では、図５に同様の上面図で示すように、圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13と対向する領域12’および13’の両方を除いた導体層16のパターンとしてもよい。 <Example 3 of embodiment>
In this example, in order to further reliably suppress the capacitive coupling through the parasitic capacitance, except for a region facing at least one of the transmission side filter region 12 and the reception side filter region 13 on one main surface of the piezoelectric substrate 2. The conductor layer 16 on the other main surface of the piezoelectric substrate 2 was formed. An example of the pattern of the conductor layer 16 is shown in the same top view in FIG. In Example 3 shown in FIG. 4, an example is shown in which the conductor layer 16 is formed except for the region 12 ′ facing the transmission filter region 12. Further, in Example 3, as shown in the same top view in FIG. 5, both the transmission side filter region 12 and the reception side filter region 13 on the one main surface of the piezoelectric substrate 2 are both opposed to the regions 12 ′ and 13 ′. The pattern of the removed conductor layer 16 may be used.

この例３のように、圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13の少なくとも一方と対向する領域を除いて、圧電基板２の他方主面の導体層16を形成することにより、送信側フィルタおよび受信側フィルタと導体層16との間における不要な寄生容量の発生を確実に抑えることができるので、寄生容量を介した容量的な結合に起因するアイソレーション特性の劣化をさらにより確実に抑えることができ、アイソレーション特性が極めて優れており、しかも作製時における焦電破壊の発生も効果的に抑制することができる弾性表面波装置とすることができる。   As in Example 3, the conductor layer 16 on the other main surface of the piezoelectric substrate 2 is formed except for the region facing at least one of the transmission side filter region 12 and the reception side filter region 13 on the one main surface of the piezoelectric substrate 2. Therefore, the generation of unnecessary parasitic capacitance between the transmission-side filter and the reception-side filter and the conductor layer 16 can be reliably suppressed, so that the isolation characteristic caused by capacitive coupling through the parasitic capacitance can be reduced. It is possible to provide a surface acoustic wave device that can suppress deterioration even more reliably, has excellent isolation characteristics, and can effectively suppress the occurrence of pyroelectric breakdown during production.

また、この例３のように導体層16のうち圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13の少なくとも一方と対向する領域を除くときには、圧電基板２の他方主面の導体層16が除かれている領域12’，13’の表面粗さを、導体層16が形成されている領域の表面粗さよりも大きくするときにも、より広い面積で表面粗さを大きくしてバルク波の伝搬をより確実に抑制することができ、アイソレーション特性の劣化のうち、バルク波の伝搬により劣化していた分も効果的に低減することができるので、アイソレーション特性をさらに大幅に改善するのに有利なものとなる。   Further, when the region of the conductor layer 16 that excludes at least one of the transmission-side filter region 12 and the reception-side filter region 13 on the one main surface of the conductor layer 16 as in Example 3 is excluded, the other main surface of the piezoelectric substrate 2 is removed. When the surface roughness of the regions 12 'and 13' where the conductor layer 16 is removed is larger than the surface roughness of the region where the conductor layer 16 is formed, the surface roughness is increased in a wider area. Therefore, it is possible to more reliably suppress the propagation of the bulk wave, and it is possible to effectively reduce the deterioration of the isolation characteristic due to the propagation of the bulk wave. It will be advantageous to greatly improve.

なお、このように導体層16が除かれている領域12’，13’の表面粗さを導体層16が形成されている領域の表面粗さよりも大きくすることによる、バルク波の伝搬により劣化していた分のアイソレーション特性の改善の効果は、例１および例２においても同様である。   It should be noted that the surface roughness of the regions 12 ′ and 13 ′ where the conductor layer 16 is removed in this manner is larger than the surface roughness of the region where the conductor layer 16 is formed, thereby deteriorating due to bulk wave propagation. The effect of improving the isolation characteristics that have been saved is the same in Example 1 and Example 2.

＜実施の形態の例４＞
本例では、圧電基板２の一方主面側の構成は図８に示す例と同様とし、全ての励振電極３が環状導体10と直流的に導通するように、共振器を形成する励振電極３と環状導体10とを抵抗体15を介して接続した。また、環状電極10は実装用基体の接地電極に接続して接地電位としている。このように、励振電極３が抵抗体15を介して環状導体10に電気的に接続されており、この環状導体10が接地電位とされているものとすることにより、圧電基板２の一方主面から実装用基体の接地電極に電荷を逃がすことができるため、弾性表面波素子１の焦電破壊を効果的に防止することができる。 <Example 4 of embodiment>
In this example, the configuration on the one main surface side of the piezoelectric substrate 2 is the same as the example shown in FIG. 8, and the excitation electrode 3 that forms a resonator so that all the excitation electrodes 3 are in direct current conduction with the annular conductor 10. And the annular conductor 10 were connected via a resistor 15. In addition, the annular electrode 10 is connected to the ground electrode of the mounting substrate to have a ground potential. In this way, the excitation electrode 3 is electrically connected to the annular conductor 10 via the resistor 15, and the annular conductor 10 is set to the ground potential. Therefore, it is possible to effectively prevent the pyroelectric breakdown of the surface acoustic wave element 1.

なお、この抵抗体15は、送信側フィルタおよび受信側フィルタが使用される周波数帯においては十分に高抵抗で、ほとんど絶縁体に見える抵抗値となるように選択する。抵抗体15の材料としては、シリコンや酸化チタン等の高抵抗半導体を用いるのが好適である。これらの材料は、微量にホウ素等の元素を添加したり、組成比を調整したりすることにより、抵抗値を適正な値に制御することができる。   The resistor 15 is selected so that it has a sufficiently high resistance in the frequency band in which the transmission side filter and the reception side filter are used, and has a resistance value that looks almost like an insulator. As the material of the resistor 15, it is preferable to use a high resistance semiconductor such as silicon or titanium oxide. These materials can control the resistance value to an appropriate value by adding a small amount of an element such as boron or adjusting the composition ratio.

＜実施の形態の例５＞
この例では、さらに簡単に焦電破壊を防止する構成として、圧電基板２に、酸素含有量が化学量論比組成より少ない、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶または四ホウ酸リチウム単結晶を用いた。これらの材料は前述の抵抗体15と同様に、直流的には導体に見えても送信側フィルタおよび受信側フィルタが使用される周波数帯においては十分に高抵抗で、ほとんど絶縁体に見えるという性質を有している。従って、これらの材料を圧電基板２に使用することによって、送信側フィルタおよび受信側フィルタの帯域通過特性に影響を与えずに励振電極３に電荷が蓄積することを防止できるので、圧電基板２の他方主面の全面に導体層16が無くとも、弾性表面波素子１の焦電破壊を良好に防止することができる。しかも、焦電破壊を防止するために弾性表面波装置の製造工程において工程数を増加させることがない点でも好都合となる。 <Example 5 of embodiment>
In this example, as a configuration for preventing pyroelectric breakdown more simply, the piezoelectric substrate 2 includes a lithium tantalate single crystal, a lithium niobate single crystal, or a lithium tetraborate single crystal having an oxygen content lower than the stoichiometric composition. Crystals were used. Similar to the resistor 15 described above, these materials have the property that even though they appear to be conductors in terms of direct current, they have sufficiently high resistance in the frequency band in which the transmitting and receiving filters are used, and almost appear to be insulators. have. Therefore, by using these materials for the piezoelectric substrate 2, it is possible to prevent electric charges from being accumulated in the excitation electrode 3 without affecting the band pass characteristics of the transmission side filter and the reception side filter. Even if there is no conductor layer 16 on the entire other main surface, the pyroelectric breakdown of the surface acoustic wave element 1 can be satisfactorily prevented. Moreover, it is advantageous in that the number of steps is not increased in the manufacturing process of the surface acoustic wave device in order to prevent pyroelectric breakdown.

＜実施の形態の例６＞
本例では、圧電基板２の一方主面の各電極（励振電極３，接続電極４，入力パッド部５，出力パッド部６，入力パッド部７および出力パッド部８）と他方主面の導体層16との間の実効誘電率を小さくすることにより、寄生容量の低減を図った。具体的には、圧電基板２に、一方主面側がタンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶や四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電材料から成り、他方主面側が一方主面側の圧電材料よりも低誘電率の誘電体材料から成るものを用いることにより、必要な圧電特性を確保しつつ実現することができる。 <Example 6 of embodiment>
In this example, each electrode (excitation electrode 3, connection electrode 4, input pad portion 5, output pad portion 6, input pad portion 7 and output pad portion 8) on one main surface of the piezoelectric substrate 2 and the conductor layer on the other main surface The parasitic capacitance was reduced by reducing the effective dielectric constant between 16 and 16. Specifically, the piezoelectric substrate 2 has one main surface side made of a piezoelectric material such as lithium tantalate single crystal, lithium niobate single crystal, or lithium tetraborate single crystal, and the other main surface side is a piezoelectric material having one main surface side. By using a material made of a dielectric material having a lower dielectric constant, it can be realized while ensuring necessary piezoelectric characteristics.

この圧電材料としては、弾性表面波素子に使用される種々の圧電材料を用いればよいが、特に前述の酸素含有量が化学量論比組成より少ない、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶または四ホウ酸リチウム単結晶を使用すると、焦電破壊を良好に防止する効果と実効誘電率を小さくする効果との両方を得ることができる。また、低誘電率の誘電体材料としては、例えば水晶，シリコン，シリコンカーバイド，ガラス等を用いることができる。このような２種類の材料から成る圧電基板２は、これら圧電材料から成る基板と誘電体材料から成る基板とを貼り合わせることによって得ることができる。   As this piezoelectric material, various piezoelectric materials used for surface acoustic wave elements may be used. In particular, lithium tantalate single crystal or lithium niobate single crystal whose oxygen content is less than the stoichiometric composition. Alternatively, when lithium tetraborate single crystal is used, it is possible to obtain both the effect of preventing pyroelectric breakdown well and the effect of reducing the effective dielectric constant. As the dielectric material having a low dielectric constant, for example, quartz, silicon, silicon carbide, glass, or the like can be used. The piezoelectric substrate 2 made of such two kinds of materials can be obtained by laminating a substrate made of these piezoelectric materials and a substrate made of a dielectric material.

次に、本発明の弾性表面波装置の製造方法の実施の形態の例について、工程に従って説明する。   Next, an example of an embodiment of a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention will be described according to steps.

＜実施の形態の例７＞
図10（ａ）〜（ｊ）に本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法の実施の形態の一例を工程毎の断面図で示す。 <Example 7 of embodiment>
FIG. 10A to FIG. 10J show an example of an embodiment of the first manufacturing method of the surface acoustic wave device of the present invention in cross-sectional views for each process.

まず、図10（ａ）に示すように、（１）圧電基板の一方主面に導体層を形成し、図10（ｂ）に示すように、（２）圧電基板の一方主面の導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成し、図10（ｃ）に示すように、（３）圧電基板の他方主面に導体層を形成する。ここまでの工程は、以上の順番以外に（１），（３），（２）または（３），（１），（２）の順番で行なっても構わない。   First, as shown in FIG. 10 (a), (1) a conductor layer is formed on one main surface of the piezoelectric substrate, and as shown in FIG. 10 (b), (2) a conductor layer on one main surface of the piezoelectric substrate. Are formed to form a plurality of surface acoustic wave element regions each having a transmitting side filter region and a receiving side filter region each having an excitation electrode, an input pad portion, and an output pad portion, as shown in FIG. (3) A conductor layer is formed on the other main surface of the piezoelectric substrate. The steps so far may be performed in the order of (1), (3), (2) or (3), (1), (2) other than the above order.

ここで、圧電基板としてはタンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶や四ホウ酸リチウム単結晶等を用いることができる。   Here, as the piezoelectric substrate, a lithium tantalate single crystal, a lithium niobate single crystal, a lithium tetraborate single crystal, or the like can be used.

また、一方主面上の導体層にはアルミニウム，アルミニウム合金，銅，銅合金，金，金合金，タンタル，タンタル合金、またはこれらの材料から成る層の積層膜やこれらの材料とチタン，クロム等の材料から成る層との積層膜を用いることができる。導体層の成膜方法としてはスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。   On the other hand, the conductor layer on the main surface is made of aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, gold, gold alloy, tantalum, tantalum alloy, or a laminated film of these materials, and these materials and titanium, chromium, etc. A laminated film with a layer made of the above material can be used. As a method for forming the conductor layer, a sputtering method or an electron beam evaporation method can be used.

この導体層をパターニングする方法としては、導体層の成膜後にフォトリソグラフィを行ない、次いでＲＩＥ（Reactive Ion Etching）やウェットエッチングを行なう方法がある。または、導体層の成膜前に圧電基板の一方主面にレジストを形成しフォトリソグラフィを行なって所望のパターンを開口した後、導体層を成膜し、その後レジストを不要部分に成膜された導体層ごと除去するリフトオフプロセスを行なってもよい。   As a method for patterning the conductor layer, there is a method in which photolithography is performed after forming the conductor layer, and then RIE (Reactive Ion Etching) or wet etching is performed. Alternatively, a resist is formed on one main surface of the piezoelectric substrate before the conductor layer is formed and photolithography is performed to open a desired pattern, and then a conductor layer is formed, and then the resist is formed on an unnecessary portion. A lift-off process for removing the entire conductor layer may be performed.

また、圧電基板の他方主面の導体層の材料としてはアルミニウム等を用いることができる。その成膜方法としてはスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。   Moreover, aluminum etc. can be used as a material of the conductor layer of the other main surface of the piezoelectric substrate. As the film formation method, a sputtering method or an electron beam evaporation method can be used.

次に、図10（ｄ）に示すように、励振電極を保護するための保護膜を成膜する。保護膜の材料としてはシリコン，シリカ等を用いることができる。成膜方法としては、スパッタリング法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法，電子ビーム蒸着法等を用いることができる。この保護膜成膜工程においては、良い膜質や密着性を得るために50〜300℃程度の温度が必要である場合があるが、そのような場合において他方主面の導体層は焦電破壊の防止に有効に機能する。   Next, as shown in FIG. 10D, a protective film for protecting the excitation electrode is formed. Silicon, silica or the like can be used as the material for the protective film. As a film forming method, a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, an electron beam evaporation method, or the like can be used. In this protective film forming process, a temperature of about 50 to 300 ° C. may be necessary to obtain good film quality and adhesion. In such a case, the conductor layer on the other main surface is subjected to pyroelectric breakdown. Works effectively in prevention.

次に、図10（ｅ）に示すように、（４）入力パッド部および出力パッド部の上に新たな導体層を積層して、入力パッドおよび出力パッドを形成する。この新たな導体層は弾性表面波素子と実装用基体とを高い信頼性で電気的および／または構造的に接続するためのものであり、例えば接続に半田を用いる場合であれば、半田の濡れ性を確保し拡散を防止する機能を持ち、また接続に金バンプを用いる場合であれば、パッドの硬度を、金を超音波等を用いて接着できるように調整する機能を持つ。このような新たな導体層の材料・構造としては、クロム／ニッケル／金あるいはクロム／銀／金の積層膜や、金やアルミニウムの厚膜を用いることができる。成膜方法としてはスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。なお、この新たな導体層成膜工程においても良い膜質や密着性を得るために50〜300℃程度の温度が必要である場合があるが、そのような場合においても他方主面の導体層は焦電破壊の防止に有効に機能する。   Next, as shown in FIG. 10E, (4) a new conductor layer is stacked on the input pad portion and the output pad portion to form the input pad and the output pad. This new conductor layer is for electrically and / or structurally connecting the surface acoustic wave element and the mounting substrate with high reliability. For example, if solder is used for the connection, the solder is wet. In the case of using gold bumps for connection, the pad hardness is adjusted so that gold can be bonded using ultrasonic waves or the like. As a material and structure of such a new conductor layer, a laminated film of chromium / nickel / gold or chromium / silver / gold, or a thick film of gold or aluminum can be used. As a film forming method, a sputtering method or an electron beam evaporation method can be used. In addition, in order to obtain good film quality and adhesion even in this new conductor layer film forming step, a temperature of about 50 to 300 ° C. may be necessary, but even in such a case, the conductor layer on the other main surface is It functions effectively to prevent pyroelectric breakdown.

ここまでの工程で作製した圧電基板の一方主面の励振電極や入力パッド部および出力パッド部等のパターンは図６に示したものと同様である。ただし、図６では保護膜は図示していない。   The pattern of the excitation electrode, the input pad portion, and the output pad portion on one main surface of the piezoelectric substrate manufactured through the steps up to here is the same as that shown in FIG. However, the protective film is not shown in FIG.

次に、ここまで１枚の圧電基板に多数個の弾性表面波素子領域を形成したいわゆる多数個取りの方法で作製を行なってきた場合は、図10（ｇ）に示すように、（５）圧電基板を弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る。分離する方法としては、例えばダイシングブレードを用いたダイシング法やレーザ加工によるレーザカッティング法等を用いることができる。   Next, when fabrication is performed by a so-called multi-cavity method in which a large number of surface acoustic wave element regions are formed on one piezoelectric substrate so far, as shown in FIG. The piezoelectric substrate is separated for each surface acoustic wave element region to obtain a large number of surface acoustic wave elements. As a separation method, for example, a dicing method using a dicing blade, a laser cutting method by laser processing, or the like can be used.

次に、図10（ｈ）に示すように、（６）弾性表面波素子を実装用基体上に一方主面を対面させて実装する。ここで、図10（ｆ）に示すように、（１）〜（３）の工程の後（５）の多数個の弾性表面波素子を得る工程の前に、または（６）の実装する工程の後に、圧電基板の他方主面に形成した導体層のうち送信側フィルタ領域の入力パッド部および受信側フィルタ領域の出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する。この導体層を除去する方法としては、（５）の工程の前においては圧電基板の一方主面をレジスト等で保護した後、圧電基板の他方主面にレジストを形成してフォトリソグラフィを行ない、必要部分のレジストを開口した後、その開口部分の導体層をウェットエッチング，ＲＩＥ（Reactive Ion Etching），サンドブラスト等の方法で除去すればよい。このとき、主として化学的な作用により導体層をエッチングして除去する方法を用いると、圧電基板に大きなダメージを与えずに他方主面の導体層を部分的に確実に除去することができる。また、主として物理的な作用により導体層を研削して除去する方法を用いると、導体層を除去すると同時にその部分の圧電基板の他方主面を元々の状態よりも粗くすることができ、これにより、一方のフィルタ領域から圧電基板の内部を伝搬し、圧電基板の他方主面で反射され、他方のフィルタ領域に形成されている励振電極に結合してアイソレーション特性を劣化させていたバルク波を、圧電基板の他方主面のこの部分で散乱させることができ、さらにアイソレーション特性を改善することができる。   Next, as shown in FIG. 10 (h), (6) the surface acoustic wave element is mounted on the mounting substrate with one main surface facing it. Here, as shown in FIG. 10 (f), after the steps (1) to (3), before the step (5) for obtaining a large number of surface acoustic wave elements, or the step (6) for mounting. Thereafter, a region facing at least one of the input pad portion of the transmission-side filter region and the output pad portion of the reception-side filter region is removed from the conductor layer formed on the other main surface of the piezoelectric substrate. As a method of removing this conductor layer, after protecting one main surface of the piezoelectric substrate with a resist or the like before the step (5), a resist is formed on the other main surface of the piezoelectric substrate, and photolithography is performed. After opening a necessary portion of the resist, the conductive layer in the opening may be removed by a method such as wet etching, RIE (Reactive Ion Etching), or sandblasting. At this time, if a method of etching and removing the conductor layer mainly by a chemical action is used, the conductor layer on the other main surface can be removed with certainty without damaging the piezoelectric substrate. Also, if a method of grinding and removing the conductor layer mainly by physical action is used, the conductor layer can be removed and at the same time the other main surface of the piezoelectric substrate in that portion can be made rougher than the original state. The bulk wave that propagates from one filter region to the inside of the piezoelectric substrate, is reflected by the other main surface of the piezoelectric substrate, and is coupled to the excitation electrode formed in the other filter region to deteriorate the isolation characteristics. Further, it can be scattered at this portion of the other main surface of the piezoelectric substrate, and the isolation characteristic can be further improved.

その後に、圧電基板の一方主面側のレジストおよび他方主面側のレジストを除去する。   Thereafter, the resist on one main surface side and the resist on the other main surface side of the piezoelectric substrate are removed.

これらの工程においては複数の弾性表面波素子が形成された圧電基板に対してそれぞれの処理が行なえるため、複数の弾性表面波素子を一括して処理することができ、効率的である。また、（６）の工程の後においては既に圧電基板の一方主面が実装用基体に対向して配置されているため、一方主面を保護する工程を省略することができる。特に環状導体を用いて封止している場合は、弾性表面波素子は実装用基体に強固に固定されており、また、外気からも遮断されているため、前述のようにウェットエッチング，ＲＩＥ（Reactive Ion Etching），サンドブラスト等の方法を用いて他方主面の処理したい部分の導体層を効率良く除去することができる。また、他方主面の導体層は、リューターやサンドペーパーを用いて研削・研磨して除去してもよい。   In these steps, since each process can be performed on the piezoelectric substrate on which a plurality of surface acoustic wave elements are formed, the plurality of surface acoustic wave elements can be processed in a batch, which is efficient. Further, after the step (6), since the one main surface of the piezoelectric substrate is already arranged to face the mounting substrate, the step of protecting the one main surface can be omitted. In particular, when sealing is performed using an annular conductor, the surface acoustic wave element is firmly fixed to the mounting substrate and is also shielded from the outside air. Therefore, as described above, wet etching, RIE ( Reactive Ion Etching), sandblasting, etc. can be used to efficiently remove the conductor layer of the other main surface to be treated. Further, the conductor layer on the other main surface may be removed by grinding and polishing using a router or sandpaper.

そして、この例では、図10（ｉ）に示すように、（７）実装用基体上に実装された弾性表面波素子を封止樹脂を用いて樹脂モールドし、次いで図10（ｊ）に示すように、（８）実装用基体を弾性表面波素子毎にモールド樹脂とともにダイシング等により分断して、本発明の弾性表面波装置を得る。   In this example, as shown in FIG. 10 (i), (7) the surface acoustic wave element mounted on the mounting substrate is resin-molded using a sealing resin, and then shown in FIG. 10 (j). (8) The mounting substrate is divided for each surface acoustic wave element together with the mold resin by dicing or the like to obtain the surface acoustic wave device of the present invention.

なお、この例では圧電基板の他方主面に形成した導体層のうち送信側フィルタ領域の入力パッド部および受信側フィルタ領域の出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去したが、この除去は一方の領域について行なっても、両方の領域について行なってもよい。また、他方主面の導体層のさらに送信側フィルタ領域の入力パッド部から励振電極まで直流的に接続されている部分および受信側フィルタ領域の出力パッド部から励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域を除去してもよい。さらにまた、他方主面の導体層のさらに送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域を除去してもよい。   In this example, the conductive layer formed on the other main surface of the piezoelectric substrate is removed from the region facing at least one of the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region. It may be performed for one region or both regions. Further, the conductor layer on the other main surface is further connected in a direct current from the input pad portion of the transmission filter region to the excitation electrode and from the output pad portion of the reception filter region to the excitation electrode. A region facing at least one of the portions may be removed. Furthermore, a region facing at least one of the transmission filter region and the reception filter region of the conductor layer on the other main surface may be removed.

＜実施の形態の例８＞
実施の形態の例７では、（５）の工程で多数個の弾性表面波素子を形成した圧電基板を弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る工程を経た後、（６）の工程で実装用基体に実装したが、本例では図11（ａ）〜（ｊ）に図10（ａ）〜（ｊ）と同様の工程毎の断面図で示すように、図11（ｇ）に示す工程で、弾性表面波素子領域毎に分離する前に実装用基体上に多数個の弾性表面波素子領域が形成された圧電基板の一方主面を対面させて実装し（この工程を（７）とする。）、その後、図11（ｈ）に示すように、実装用基体と一体となった圧電基板をいわゆるハーフダイシングにより弾性表面波素子領域毎に分割し、次いで図11（ｉ）に示すように、実装用基体上に実装された弾性表面波素子を封止樹脂を用いて樹脂モールドし、次に、実装用基体をモールド樹脂とともに弾性表面波素子毎に分離し（この工程を（８）とする。）てもよい。この例８の場合は、（１）〜（３）の工程と（７）の工程との間に、または図11（ｇ）に示すように（７）の工程の後に、圧電基板の他方主面に形成した導体層のうち送信側フィルタ領域の入力パッド部および受信側フィルタ領域の出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する。この除去方法やその領域については前述と同様である。 <Example 8 of embodiment>
In Example 7 of the embodiment, after passing through the step of obtaining a large number of surface acoustic wave elements by separating the piezoelectric substrate on which the large number of surface acoustic wave elements are formed in the step (5) for each surface acoustic wave element region. In this example, as shown in FIG. 11 (a) to FIG. 11 (j) by cross-sectional views similar to FIG. 10 (a) to FIG. 10 (j), In the step shown in FIG. 11 (g), before the surface acoustic wave element region is separated, mounting is performed with one main surface of the piezoelectric substrate having a large number of surface acoustic wave element regions formed on the mounting substrate facing each other. (This step is referred to as (7).) Then, as shown in FIG. 11 (h), the piezoelectric substrate integrated with the mounting base is divided into surface acoustic wave element regions by so-called half dicing, As shown in FIG. 11 (i), a surface acoustic wave element mounted on a mounting substrate is molded with a sealing resin. Then, the mounting substrate may be separated for each surface acoustic wave element together with the mold resin (this step is referred to as (8)). In the case of this example 8, the other main piezoelectric substrate is placed between the steps (1) to (3) and the step (7) or after the step (7) as shown in FIG. A region facing at least one of the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region is removed from the conductor layer formed on the surface. This removal method and its region are the same as described above.

＜第１の実施例＞
まず、38.7°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶基板から成る圧電基板２（基板厚みは250μｍ）の一方主面にスパッタリング法により基板側からＴｉ／Ａｌ−１質量％Ｃｕ／Ｔｉ／Ａｌ−１質量％Ｃｕからなる４層の導体層を成膜した。膜厚はそれぞれ６ｎｍ／209ｎｍ／６ｎｍ／209ｎｍである。次に、この導体層をフォトリソグラフィとＲＩＥとによりパターニングしてそれぞれ励振電極３と入力パッド部５，７と出力パッド部６，８とを具備する送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13を有する多数の弾性表面波素子領域を形成した。このときのエッチングガスにはＢＣｌ３およびＣｌ２の混合ガスを用いた。励振電極３を形成する櫛歯状電極の線幅および隣り合う櫛歯状電極間の距離はどちらも約１μｍである。 <First embodiment>
First, Ti / Al-1 mass% Cu / Ti / Al-1 is formed on one main surface of a piezoelectric substrate 2 (substrate thickness is 250 μm) made of a 38.7 ° Y-cut X-propagating lithium tantalate single crystal substrate from the substrate side by sputtering. Four conductor layers made of mass% Cu were formed. The film thicknesses are 6 nm / 209 nm / 6 nm / 209 nm, respectively. Next, the conductive layer is patterned by photolithography and RIE to form a transmission side filter region 12 and a reception side filter region 13 having excitation electrodes 3, input pad portions 5, 7 and output pad portions 6, 8, respectively. A large number of surface acoustic wave element regions were formed. A mixed gas of BCl 3 and Cl 2 was used as an etching gas at this time. The line width of the comb-like electrode forming the excitation electrode 3 and the distance between adjacent comb-like electrodes are both about 1 μm.

次に、スパッタリング法により圧電基板２の他方主面に純Ａｌから成る導体層16を形成した。この導体層16の厚みは200ｎｍである。   Next, a conductor layer 16 made of pure Al was formed on the other main surface of the piezoelectric substrate 2 by sputtering. The conductor layer 16 has a thickness of 200 nm.

次に、入力パッド部５，７および出力パッド部６，８の上に新たなＣｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる導体層を積層して入力パッドおよび出力パッドを形成した。この新たな導体層の厚みはそれぞれ６ｎｍ／1000ｎｍ／100ｎｍである。   Next, a new conductor layer made of Cr / Ni / Au was laminated on the input pad portions 5 and 7 and the output pad portions 6 and 8 to form input pads and output pads. The thicknesses of the new conductor layers are 6 nm / 1000 nm / 100 nm, respectively.

次に、圧電基板２の一方主面をフォトレジストで保護し、その後、他方主面にもフォトレジストを塗布してフォトリソグラフィを行ない、次いで、硝酸と燐酸と酢酸との混酸によるウェットエッチングによって圧電基板２の他方主面の導体層16を図５に示すようにパターニングした。   Next, one main surface of the piezoelectric substrate 2 is protected with a photoresist, and then the other main surface is coated with a photoresist and subjected to photolithography, and then subjected to piezoelectric etching by wet etching using a mixed acid of nitric acid, phosphoric acid, and acetic acid. The conductor layer 16 on the other main surface of the substrate 2 was patterned as shown in FIG.

次に、フォトレジストを除去した後、圧電基板２を弾性表面波素子領域毎にダイシングによって分離して多数個の弾性表面波素子１を得た。   Next, after removing the photoresist, the piezoelectric substrate 2 was separated by dicing for each surface acoustic wave element region to obtain a large number of surface acoustic wave elements 1.

次に、弾性表面波素子１をＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板からなる実装用基体上に一方主面を対面させて実装した。ここで、ＬＴＣＣ基板は圧電基板２の一方主面に形成した環状導体10に対応する基体側環状導体および弾性表面波素子１の入出力パッドと接続されるパッド電極を有しており、予めこれら基体側環状導体およびパッド電極には半田を印刷しておいた。これに弾性表面波素子１を実装するにおいては、これら半田パターンに一致するように弾性表面波素子１を配置して超音波を印加することにより仮固定し、その後、加熱することにより半田を溶融することによって環状導体10と基体側環状導体とを、および入出力パッドとパッド電極とを接続した。これにより、弾性表面波素子１はＬＴＣＣ基板の基体側環状導体とこれに接続された環状導体とによって完全に気密封止される。なお、弾性表面波素子１の実装工程は窒素雰囲気下で行なった。   Next, the surface acoustic wave element 1 was mounted on a mounting base made of a LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate with one main surface facing each other. Here, the LTCC substrate has a base-side annular conductor corresponding to the annular conductor 10 formed on one main surface of the piezoelectric substrate 2 and pad electrodes connected to the input / output pads of the surface acoustic wave element 1. Solder was printed on the base-side annular conductor and the pad electrode. When the surface acoustic wave element 1 is mounted thereon, the surface acoustic wave element 1 is disposed so as to coincide with these solder patterns, temporarily fixed by applying ultrasonic waves, and then heated to melt the solder. By doing so, the annular conductor 10 and the base-side annular conductor were connected, and the input / output pad and the pad electrode were connected. As a result, the surface acoustic wave element 1 is completely hermetically sealed by the base-side annular conductor of the LTCC substrate and the annular conductor connected thereto. The mounting process of the surface acoustic wave element 1 was performed in a nitrogen atmosphere.

次に、樹脂モールドを行ない、弾性表面波素子の他方主面（裏面）をモールド樹脂で保護し、最後に実装用基体を各弾性表面波素子間でダイシングすることにより、本発明の弾性表面波装置を得た。   Next, a resin mold is performed, the other main surface (back surface) of the surface acoustic wave element is protected with a mold resin, and finally the mounting substrate is diced between the surface acoustic wave elements, so that the surface acoustic wave of the present invention is obtained. Got the device.

このようにして作製した本発明の弾性表面波装置について、図12にそのアイソレーション特性を線図で示す。このアイソレーション特性は、Ｔｘフィルタの入力端子にＲＦ信号を印加し、Ｒｘフィルタの出力端子からの信号を測定することによって求めた（なお、通常は分波器として使用されるときにＴｘフィルタとＲｘフィルタとの間に挿入されるマッチングネットワークは組み込まない状態で測定した。）。図12に示す結果から分かるように、この例の本発明の弾性表面波装置は、非常に良好なアイソレーション特性を有している。   FIG. 12 is a diagram showing the isolation characteristics of the surface acoustic wave device of the present invention produced as described above. This isolation characteristic was obtained by applying an RF signal to the input terminal of the Tx filter and measuring a signal from the output terminal of the Rx filter (in addition, when used as a duplexer, Measurement was performed without incorporating a matching network inserted between the Rx filter). As can be seen from the results shown in FIG. 12, the surface acoustic wave device of the present invention of this example has very good isolation characteristics.

＜第２の実施例＞
最初に、38.7°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶基板から成る圧電基板２（基板厚みは250μｍ）の一方主面にスパッタリング法により基板側からＴｉ／Ａｌ−１質量％Ｃｕ／Ｔｉ／Ａｌ−１質量％Ｃｕからなる４層の導体層を成膜した。膜厚はそれぞれ６ｎｍ／209ｎｍ／６ｎｍ／209ｎｍである。 <Second embodiment>
First, Ti / Al-1 mass% Cu / Ti / Al-- is formed from one side of a piezoelectric substrate 2 (substrate thickness is 250 μm) made of a 38.7 ° Y-cut X-propagating lithium tantalate single crystal substrate by sputtering. Four conductor layers made of 1 mass% Cu were formed. The film thicknesses are 6 nm / 209 nm / 6 nm / 209 nm, respectively.

次に、スパッタリング法により圧電基板２の他方主面に純Ａｌからなる導体層16を形成した。この導体層16の厚みは200ｎｍである。   Next, a conductor layer 16 made of pure Al was formed on the other main surface of the piezoelectric substrate 2 by sputtering. The conductor layer 16 has a thickness of 200 nm.

次に、圧電基板２の一方主面上の導体層をフォトリソグラフィとＲＩＥとによりパターニングして、それぞれ励振電極３と入力パッド部５，７と出力パッド部６，８とを具備する送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13を有する多数の弾性表面波素子領域を形成した。このＲＩＥにおけるエッチングガスにはＢＣｌ３およびＣｌ２を用いた。励振電極３である櫛歯状電極の線幅および隣り合う櫛歯状電極間の距離はどちらも約１μｍである。 Next, the conductor layer on the one main surface of the piezoelectric substrate 2 is patterned by photolithography and RIE, and the transmission side filter including the excitation electrode 3, the input pad portions 5, 7 and the output pad portions 6, 8 respectively. A number of surface acoustic wave element regions having the region 12 and the receiving filter region 13 were formed. BCl 3 and Cl 2 were used as etching gases in this RIE. Both the line width of the comb-like electrode that is the excitation electrode 3 and the distance between adjacent comb-like electrodes are about 1 μm.

次に、プラズマＣＶＤ法により圧電基板２の一方主面上にシリカから成る保護膜を成膜した。この成膜温度は300℃、膜厚は20ｎｍである。   Next, a protective film made of silica was formed on one main surface of the piezoelectric substrate 2 by plasma CVD. The film forming temperature is 300 ° C., and the film thickness is 20 nm.

次に、この保護膜の一部をフォトリソグラフィとＲＩＥとによって除去し、その部分にスパッタリング法によりホウ素を微量に添加したシリコンから成る抵抗体15を成膜し、励振電極３をこの抵抗体15を介して環状導体10と接続した。   Next, a part of the protective film is removed by photolithography and RIE, and a resistor 15 made of silicon to which a small amount of boron is added is formed on the part by sputtering, and the excitation electrode 3 is formed on the resistor 15. The annular conductor 10 was connected via

次に、入力パッド部５，７および出力パッド部６，８の上に新たなＣｒ／Ｎｉ／Ａｕから成る導体層を積層して入力パッドおよび出力パッドを形成した。この新たな導体層の厚みはそれぞれ６ｎｍ／1000ｎｍ／100ｎｍである。   Next, a new conductor layer made of Cr / Ni / Au was laminated on the input pad portions 5 and 7 and the output pad portions 6 and 8 to form input pads and output pads. The thicknesses of the new conductor layers are 6 nm / 1000 nm / 100 nm, respectively.

次に、圧電基板２の一方主面をフォトレジストで保護し、その後、他方主面にもフォトレジストを塗布してフォトリソグラフィを行ない、送信側フィルタ領域12に対向する領域12’および受信側フィルタ領域13に対向する領域13’に対応する開口を形成し、次いで硝酸と燐酸と酢酸との混酸によるウェットエッチングによって他方主面の導体層16を図５に示すようにパターニングした。   Next, one main surface of the piezoelectric substrate 2 is protected with a photoresist, and thereafter, the other main surface is coated with a photoresist and is subjected to photolithography, so that a region 12 ′ facing the transmission side filter region 12 and a reception side filter An opening corresponding to the region 13 ′ facing the region 13 was formed, and then the conductor layer 16 on the other main surface was patterned as shown in FIG. 5 by wet etching using a mixed acid of nitric acid, phosphoric acid and acetic acid.

次に、フォトレジストを除去した後、圧電基板２を弾性表面波素子領域毎にダイシングによって分離して多数個の弾性表面波素子１を得た。この後の実装工程は第１の実施例と同様である。   Next, after removing the photoresist, the piezoelectric substrate 2 was separated by dicing for each surface acoustic wave element region to obtain a large number of surface acoustic wave elements 1. The subsequent mounting process is the same as in the first embodiment.

この第２の実施例では、第１の実施例では実装工程中スパークによる破壊が起こることがあったが、抵抗体15によって励振電極３を直流的に接地電位に接続することにより、スパークによる破壊は起こらなかった。   In the second embodiment, in the first embodiment, breakdown due to spark may occur during the mounting process, but by connecting the excitation electrode 3 to the ground potential in a DC manner by the resistor 15, the breakdown due to spark is caused. Did not happen.

＜第３の実施例＞
第１の実施例および第２の実施例では他方主面の導体層16を除去する工程でウェットエッチングを用いたが、本例ではサンドペーパーによる機械的研磨を用いた。弾性表面波素子１の作製工程は第１および第２の実施例における工程と同様であるが、他方主面の導体層16の除去は、弾性表面波素子１を実装用基体であるＬＴＣＣ基板に実装した後に行なった。ここで、サンドペーパーは、＃1500，＃400および＃220の粗さのものを用いた。そして、これを用いて導体層16を除去した後の圧電基板２の他方主面の表面粗さは、各サンドペーパーの粗さに対応した粗さとなった。 <Third embodiment>
In the first and second embodiments, wet etching was used in the step of removing the conductor layer 16 on the other main surface, but in this example, mechanical polishing with sandpaper was used. The manufacturing process of the surface acoustic wave element 1 is the same as the process in the first and second embodiments. However, the removal of the conductor layer 16 on the other main surface is performed by placing the surface acoustic wave element 1 on the LTCC substrate as a mounting substrate. It was done after mounting. Here, sandpaper having a roughness of # 1500, # 400 and # 220 was used. And the surface roughness of the other main surface of the piezoelectric substrate 2 after removing the conductor layer 16 using this became the roughness corresponding to the roughness of each sandpaper.

このようにして作製した弾性表面波装置について、使用した各サンドペーパーの粗さに対するアイソレーション特性の変化を図12に線図で示したものと同様に測定した。なお、このアイソレーション特性の測定は、マッチングネットワークを挿入した図６（ａ）に示す回路の状態で行なった。   With respect to the surface acoustic wave device thus manufactured, the change in the isolation characteristics with respect to the roughness of each sandpaper used was measured in the same manner as shown in the diagram of FIG. This isolation characteristic was measured in the state of the circuit shown in FIG. 6A with a matching network inserted.

その結果、サンドペーパーの粗さを粗くするほどアイソレーション特性はより改善されており、＃220のものを使用した場合では非常に顕著にアイソレーション特性が改善した。また、サンドペーパーの粗さを粗くするほど圧電基板２の他方主面の表面粗さが粗くなることから、アイソレーション特性の波形に見られるバルク波に起因する細かいリップルが小さくなることが分かった。   As a result, the isolation characteristics were improved as the roughness of the sandpaper was increased, and the isolation characteristics were remarkably improved when # 220 was used. Further, it was found that as the roughness of the sandpaper is increased, the surface roughness of the other main surface of the piezoelectric substrate 2 is increased, so that the fine ripple caused by the bulk wave seen in the waveform of the isolation characteristic is reduced. .

なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、２組以上の分波器を同一の圧電基板上に設けてもよいし、また、分波器のアイソレーション特性には影響しない他のフィルタを同じ圧電基板上に設けてもよい。その場合には複数の弾性表面波素子を別々に作製した場合に比べて全体の占める面積を小型にすることができる。   In addition, this invention is not limited to the example of the above embodiment, A various change may be added in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, two or more sets of duplexers may be provided on the same piezoelectric substrate, and other filters that do not affect the isolation characteristics of the duplexer may be provided on the same piezoelectric substrate. In that case, the area occupied by the whole can be reduced compared with the case where a plurality of surface acoustic wave elements are separately manufactured.

また、図６等ではラダー型フィルタを用いた場合を示したが、本発明はフィルタの構造を限定するものではなく、ＤＭＳ型やＩＩＤＴ型のフィルタを用いてもよい。また、入出力端子の配置も図６等に示したものに限定されるものではなく、アンテナに接続される端子が圧電基板の対角上に位置していても構わない。この場合、共振器の励振電極から漏洩した弾性表面波による各フィルタ間でのアイソレーション特性の劣化を小さくすることができるものとなる。   6 and the like show the case where a ladder type filter is used, the present invention does not limit the structure of the filter, and a DMS type or an IDT type filter may be used. Further, the arrangement of the input / output terminals is not limited to that shown in FIG. 6 and the like, and the terminals connected to the antenna may be located on the diagonal of the piezoelectric substrate. In this case, it is possible to reduce the deterioration of the isolation characteristics between the filters due to the surface acoustic wave leaked from the excitation electrode of the resonator.

また、他方主面の導体層16のパターンは図１等で示したものに限定されるものではなく、一方主面に形成したフィルタの形状に合わせて変化するものである。また、他方主面の導体層16の非形成部のパターンの外周部は、図示したような滑らかな形状に限られるものではなく、波線型や鋸歯型等の凹凸を持つ形状でも構わない。このような外周部に凹凸を持つ形状の場合は、他方主面からの導体層16の剥離を抑える効果がある。   Further, the pattern of the conductor layer 16 on the other main surface is not limited to that shown in FIG. 1 and the like, but changes according to the shape of the filter formed on the one main surface. Further, the outer peripheral portion of the pattern of the non-formation portion of the conductor layer 16 on the other main surface is not limited to the smooth shape as shown in the figure, and may be a shape having irregularities such as a wavy line type or a sawtooth type. In the case of such a shape having irregularities on the outer peripheral portion, there is an effect of suppressing peeling of the conductor layer 16 from the other main surface.

また、図３および図５に示す例では、圧電基板２の一方主面の送信側フィルタ領域12および受信側フィルタ領域13と対向する領域12’および13’に同じ形状の導体非形成部のパターンを設けているものを示したが、これは互いに異なるパターンとしても構わない。   In the example shown in FIG. 3 and FIG. 5, the pattern of the conductor non-forming portion having the same shape in the regions 12 ′ and 13 ′ facing the transmission side filter region 12 and the reception side filter region 13 on one main surface of the piezoelectric substrate 2. However, the patterns may be different from each other.

また、図３等では圧電基板２の外周部に導体層16を残したパターンを示しているが、圧電基板２の外周部においては、導体層16は特に残さなくても構わない。また、図３等では各フィルタ領域に各１箇所の導体非形成部を設けたものを示しているが、これをそれぞれ複数の導体非形成部からなるものとしても構わない。   3 and the like show a pattern in which the conductor layer 16 is left on the outer peripheral portion of the piezoelectric substrate 2, but the conductor layer 16 may not be left in the outer peripheral portion of the piezoelectric substrate 2. Moreover, although FIG. 3 etc. show what provided each one conductor non-formation part in each filter area | region, this is good also as what consists of a some conductor non-formation part, respectively.

さらに、以上の例では圧電基板２の他方主面に導体層16を一旦形成してから所望の領域の導体層を除去することを主に説明したが、導体層16を形成しない領域を予め設定しておいて、その領域以外に導体層16を形成するようにして所望の導体非形成部を配置するようにしても構わない。   Furthermore, in the above example, it has been mainly explained that the conductor layer 16 is once formed on the other main surface of the piezoelectric substrate 2 and then the conductor layer in a desired region is removed. However, a region where the conductor layer 16 is not formed is set in advance. In addition, a desired conductor non-forming portion may be arranged so as to form the conductor layer 16 outside the region.

本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例１における弾性表面波素子の圧電基板の他方主面（導体層のパターン）を示す上面図である。It is a top view which shows the other main surface (pattern of a conductor layer) of the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave element in Example 1 of Embodiment of the surface acoustic wave apparatus of this invention. 本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例２における弾性表面波素子の圧電基板の他方主面（導体層のパターン）を示す上面図である。It is a top view which shows the other main surface (pattern of a conductor layer) of the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave element in Example 2 of Embodiment of the surface acoustic wave apparatus of this invention. 本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例２における弾性表面波素子の圧電基板の他方主面（導体層のパターン）を示す上面図である。It is a top view which shows the other main surface (pattern of a conductor layer) of the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave element in Example 2 of Embodiment of the surface acoustic wave apparatus of this invention. 本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例３における弾性表面波素子の圧電基板の他方主面（導体層のパターン）を示す上面図である。It is a top view which shows the other main surface (pattern of a conductor layer) of the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave element in Example 3 of the surface acoustic wave apparatus of this invention. 本発明の弾性表面波装置の実施の形態の例３における弾性表面波素子の圧電基板の他方主面（導体層のパターン）を示す上面図である。It is a top view which shows the other main surface (pattern of a conductor layer) of the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave element in Example 3 of the surface acoustic wave apparatus of this invention. アイソレーション特性の劣化の原因の概念を示す、ＳＡＷ−ＤＰＸの弾性表面波素子の一例を示す上面図である。It is a top view which shows an example of the surface acoustic wave element of SAW-DPX which shows the concept of the cause of deterioration of an isolation characteristic. ＳＡＷ−ＤＰＸの弾性表面波素子の他の例を示す上面図である。It is a top view which shows the other example of the SAW-DPX surface acoustic wave element. 本発明の弾性表面波装置の一例を表す弾性表面波素子の上面図である。It is a top view of the surface acoustic wave element showing an example of the surface acoustic wave device of the present invention. （ａ）は寄生容量が無い場合の回路図およびアイソレーション特性の例を示す線図であり、（ｂ）は寄生容量がある場合の回路図およびアイソレーション特性の例を示す線図である。(A) is a circuit diagram when there is no parasitic capacitance and a diagram showing an example of isolation characteristics, and (b) is a diagram showing a circuit diagram when there is a parasitic capacitance and examples of isolation characteristics. （ａ）〜（ｊ）は、それぞれ本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。(A)-(j) is sectional drawing for every process which shows an example of embodiment of the 1st manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus of this invention, respectively. （ａ）〜（ｊ）は、それぞれ本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。(A)-(j) is sectional drawing for every process which shows an example of embodiment of the 2nd manufacturing method of the surface acoustic wave apparatus of this invention, respectively. 本発明の第１の実施例で作製した弾性表面波装置のアイソレーション特性を示す線図である。It is a diagram which shows the isolation characteristic of the surface acoustic wave apparatus produced in the 1st Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１：弾性表面波素子
２：圧電基板
３：励振電極
４：接続電極
５：送信側フィルタの入力パッド部
６：送信側フィルタの出力パッド部
７：受信側フィルタの入力パッド部
８：受信側フィルタの出力パッド部
９：接地電極
10：環状導体
11：接地電極パッド
12：送信側フィルタ領域
13：受信側フィルタ領域
14：弾性表面波の漏れ
15：抵抗体
16：他方主面の導体層 1: Surface acoustic wave element 2: Piezoelectric substrate 3: Excitation electrode 4: Connection electrode 5: Input pad portion of transmission side filter 6: Output pad portion of transmission side filter 7: Input pad portion of reception side filter 8: Reception side filter Output pad part 9: Ground electrode
10: Annular conductor
11: Ground electrode pad
12: Transmitter filter area
13: Receiving side filter area
14: Surface acoustic wave leakage
15: Resistor
16: Conductor layer on the other main surface

Claims (15)

圧電基板の一方主面にそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域が形成され、他方主面に導体層が形成された弾性表面波素子を、実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装しており、前記導体層は、前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除いて前記他方主面に形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。 A surface acoustic wave device in which a transmission-side filter region and a reception-side filter region each having an excitation electrode, an input pad portion, and an output pad portion are formed on one main surface of a piezoelectric substrate, and a conductor layer is formed on the other main surface. The one main surface is mounted on the mounting substrate so that the conductor layer faces at least one of the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region. The surface acoustic wave device is formed on the other main surface except for a region to be operated. 前記導体層は、さらに前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域を除いて前記他方主面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 The conductor layer is further connected in a direct current from the input pad portion of the transmission filter region to the excitation electrode and in a direct connection from the output pad portion of the reception filter region to the excitation electrode. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device is formed on the other main surface except for a region facing at least one of the portions. 前記導体層は、さらに前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域を除いて前記他方主面に形成されていることを特徴とする請求項２記載の弾性表面波装置。 3. The surface acoustic wave device according to claim 2, wherein the conductor layer is further formed on the other main surface except for a region facing at least one of the transmission-side filter region and the reception-side filter region. . 前記圧電基板の前記他方主面の前記導体層が除かれている領域の表面粗さが、前記導体層が形成されている領域の表面粗さよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の弾性表面波装置。 The surface roughness of a region where the conductor layer of the other main surface of the piezoelectric substrate is removed is larger than the surface roughness of a region where the conductor layer is formed. 4. The surface acoustic wave device according to any one of 3 above. 前記圧電基板の前記一方主面に前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域を取り囲んで環状導体が形成されており、該環状導体が前記実装用基体上に対応して形成された基体側環状導体に接合されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の弾性表面波装置。 An annular conductor is formed on the one main surface of the piezoelectric substrate so as to surround the transmitting-side filter region and the receiving-side filter region, and the annular conductor is formed correspondingly on the mounting substrate. The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 4, wherein the surface acoustic wave device is bonded to a conductor. 前記励振電極が抵抗体を介して前記環状導体に電気的に接続されており、該環状導体が接地電位とされていることを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置。 6. The surface acoustic wave device according to claim 5, wherein the excitation electrode is electrically connected to the annular conductor via a resistor, and the annular conductor is at a ground potential. 前記圧電基板は、前記一方主面側が圧電材料から成り、前記他方主面側が前記圧電材料よりも低誘電率の誘電体材料から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の弾性表面波装置。 Said piezoelectric substrate, said comprises one main side of a piezoelectric material, to any one of claims 1 to 6 wherein the other main surface side, characterized in that it consists of a dielectric material having a low dielectric constant than the piezoelectric material The surface acoustic wave device described. 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の弾性表面波装置を分波器として用いたことを特徴とする通信装置。 Communication apparatus characterized by employing a surface acoustic wave device according the duplexer to any one of claims 1 to 7. 圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、
前記一方主面の前記導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、
前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、
次に、前記圧電基板を前記弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る工程と、
次に、前記弾性表面波素子を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程とを具備するとともに、
前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域のみを除去する工程を具備することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 Forming a conductor layer on one main surface of the piezoelectric substrate;
Patterning the conductor layer on the one main surface to form a plurality of surface acoustic wave element regions each having a transmission-side filter region and a reception-side filter region each having an excitation electrode, an input pad portion, and an output pad portion; ,
Forming a conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate;
Next, separating the piezoelectric substrate for each surface acoustic wave element region to obtain a plurality of surface acoustic wave elements;
Next, the surface acoustic wave element is mounted on the mounting substrate with the one main surface facing, and
A step of forming a conductor layer on one principal surface of the piezoelectric substrate, a step of forming a plurality of surface acoustic wave element regions, a step of forming a conductor layer on the other principal surface of the piezoelectric substrate, and the plurality of surface acoustic waves. Between the step of obtaining an element or after the step of mounting, the input pad portion of the transmission side filter region and the output pad portion of the reception side filter region of the conductor layer formed on the other main surface. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising a step of removing only a region facing at least one. 前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とする請求項９記載の弾性表面波装置の製造方法。 In the step of removing a region facing at least one of the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region of the conductor layer formed on the other main surface, At least one of a portion connected in a direct current from the input pad portion to the excitation electrode in the transmission-side filter region and a portion connected in a direct current from the output pad portion to the excitation electrode in the reception-side filter region The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 9, wherein a region facing the surface is also removed. 前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とする請求項９記載の弾性表面波装置の製造方法。 In the step of removing a region facing at least one of the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region of the conductor layer formed on the other main surface, The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 9, wherein a region facing at least one of the transmission-side filter region and the reception-side filter region is also removed. 圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、
前記一方主面の前記導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備する送信側フィルタ領域および受信側フィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、
前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、
次に、前記圧電基板の前記弾性表面波素子領域を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程と、
次に、前記圧電基板および前記実装用基体を前記弾性表面波素子領域毎に分離する工程とを具備するとともに、
前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域のみを除去する工程を具備することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 Forming a conductor layer on one main surface of the piezoelectric substrate;
Patterning the conductor layer on the one main surface to form a plurality of surface acoustic wave element regions each having a transmission-side filter region and a reception-side filter region each having an excitation electrode, an input pad portion, and an output pad portion; ,
Forming a conductor layer on the other main surface of the piezoelectric substrate;
Next, the step of mounting the surface acoustic wave element region of the piezoelectric substrate on the mounting substrate with the one main surface facing,
Next, the step of separating the piezoelectric substrate and the mounting substrate for each surface acoustic wave element region,
A step of forming a conductor layer on one principal surface of the piezoelectric substrate, a step of forming a plurality of surface acoustic wave element regions, a step of forming a conductor layer on the other principal surface of the piezoelectric substrate, and the plurality of surface acoustic waves. Between the step of obtaining an element or after the step of mounting, the input pad portion of the transmission side filter region and the output pad portion of the reception side filter region of the conductor layer formed on the other main surface. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising a step of removing only a region facing at least one. 前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部から前記励振電極まで直流的に接続されている部分の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とする請求項１２記載の弾性表面波装置の製造方法。 In the step of removing a region facing at least one of the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region of the conductor layer formed on the other main surface, At least one of a portion connected in a direct current from the input pad portion to the excitation electrode in the transmission-side filter region and a portion connected in a direct current from the output pad portion to the excitation electrode in the reception-side filter region The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 12, wherein a region facing the surface is also removed. 前記他方主面に形成した前記導体層の前記送信側フィルタ領域の前記入力パッド部および前記受信側フィルタ領域の前記出力パッド部の少なくとも一方と対向する領域を除去する工程において、前記導体層のさらに前記送信側フィルタ領域および前記受信側フィルタ領域の少なくとも一方と対向する領域も除去することを特徴とする請求項１２記載の弾性表面波装置の製造方法。 In the step of removing a region facing at least one of the input pad portion of the transmitting filter region and the output pad portion of the receiving filter region of the conductor layer formed on the other main surface, 13. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 12, wherein a region facing at least one of the transmission filter region and the reception filter region is also removed. 前記他方主面に形成した前記導体層を除去する際に、除去する領域の前記他方主面の表面粗さを除去しない領域の前記他方主面の表面粗さよりも大きくすることを特徴とする請求項９乃至請求項１４のいずれかに記載の弾性表面波装置の製造方法。 When removing the conductor layer formed on the other main surface, the surface roughness of the other main surface of the region to be removed is made larger than the surface roughness of the other main surface of the region not to be removed. Item 15. A method for manufacturing a surface acoustic wave device according to any one of Items 9 to 14 .
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