JP4456313B2 - フォトレジストベーキングプロセスを制御するための方法および装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【技術分野】
この発明はウエハ製造プロセスに一般的に関し、より特定的には、ウエハの製造の間のウエハのフォトレジストベーキングプロセスを制御するための方法および装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
従来、半導体デバイスはフォトリソグラフィプロセスを用いてパターニングされる。基板材料、金属、絶縁体などのベース材料は、フォトレジストと称される感光性材料で被覆される。フォトレジストは、一般的に、紫外線、Ｘ線または電子線などの活性光線に感光する。フォトレジストはベース材料の上に堆積されて、基板の非加工部分を選択的に保護する。次に、フォトマスクまたはレチクルを通してフォトレジスト膜に選択的に光を当てて、ベース材料上にフォトレジストパターンを形成する。次にフォトレジストを現像し、露光済みフォトレジストまたは未露光フォトレジストのいずれかを除去する。
【０００３】
一般的に２タイプのフォトレジストが存在する。すなわちポジ型とネガ型である。ポジ型フォトレジストは、露光済み部分が現像液に溶解するが、未露光部分が溶解しないタイプのものである。一方、ネガ型フォトレジストは逆のタイプのものである。あるフォトレジスト材料は、光への露光に基づいただけでは、現像液中で可溶から不溶への遷移を完了しない。化学増幅型フォトレジストと称されるこれらのフォトレジスト材料は、露光後ベークプロセスを受けて、可溶から不溶への遷移（すなわち、ポジ型レジストの場合）を完了する。
【０００４】
図１Ａから図１Ｄを参照して、化学増幅型フォトレジストを用いるプロセスをより詳細に説明する。図１Ａは、フォトレジスト層１４が上に堆積されるベース材料１２を含むウエハ１０の断面図である。図１Ｂで、フォトレジスト層１４はフォトマスク（図示せず）を通して光源に露光され、露光済み領域１６を規定する。光への露光により、フォトレジスト層１４の表面の水素フリーラジカルが露光済み領域１６に形成されるようになる。図１Ｃで、ウエハ１０は露光後ベークされて溶解度遷移化学反応を完了し、ベーク済み領域１８を形成する。露光後ベークの間にフリーラジカルは下方向に拡散し、露光済み領域１６の下でフォトレジスト１４と反応する。典型的に、深紫外フォトレジスト層１４については、露光後ベーク時間は約６０-９０秒である。図１Ｄに示されるように、次に現像液を塗布して、残余のフォトレジスト１４を除去する（すなわちネガ型レジストの場合−図１Ｄに図示）かまたは、ベーク済み部分１８を除去する（すなわちポジ型レジストの場合−図示せず）。次にウエハ１０に紫外（ＵＶ）ベーキングプロセスを受けさせて、ウエハ２０５に対して行なわれるその後のいかなるエッチングに対しても、フォトレジスト１４の抵抗性をさらに増大させる。プラズマエッチングまたはウェットエッチングなどのプロセスを用いて、残余のフォトレジスト（すなわちベーク済み領域１８中のもの）をストリッピングする。プラズマストリップツールは、プラズマ励起されたイオン化酸素／酸素ラジカルを用いる。ウェットエッチツールは、硫酸／過酸化物の混合物を典型的に用いて、その後、濯ぎまたは一続きの標準的な洗浄を伴なう。
【０００５】
紫外ベーキングプロセスは、フォトレジスト層の架橋を増大させるので、フォトリソグラフィにおいて重要なステップである。この架橋の量が増すにつれ、エッチングに対するフォトレジストの耐性も増す。このことは、ウエハに対して行なわれるその後のエッチングプロセスにとって望ましい。結合の架橋だけでなく、紫外ベークプロセスは、フォトレジスト層からさらなる溶媒も除去し、それにより、エッチングに対するその耐性をさらに増す。しかしながら、フォトレジスト材料がエッチングプロセスに対する耐性を増すにつれ、フォトレジストのストリッピング除去を達成するのがより困難になってしまう。したがって、フォトレジストは、エッチングに対する十分な耐性を与えながら、後のフォトレジストストリッピングプロセスの達成を困難にするほどの架橋を与えないことが望ましい。
【０００６】
この発明は、上記の問題の１つ以上を克服するかまたはその影響を少なくとも減じることに向けられる。
【０００７】
【発明の開示】
この発明の１つの局面では、フォトレジスト層をその上に有するウエハをベークするための方法が提供される。フォトレジスト層の第１の厚みを測定し、フォトレジスト層の第１のフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）スペクトルを生成する。第１の厚みおよび第１のＦＴＩＲスペクトルに基づいて、ベーク時間およびベーク温度を定める。次に、該ベーク温度で該ベーク時間の間ウエハをベークする。
【０００８】
この発明の別の局面では、ウエハがその上にフォトレジスト層を有するウエハをベークするための装置が提供される。装置は、フォトレジスト層の第１の厚みを測定するように適合される楕円偏光計と、フォトレジスト層のＦＴＩＲスペクトルを生成するように適合されるフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光ユニットとを含む。コントローラも設けられ、これは、第１の厚みおよび第１のＦＴＩＲスペクトルに基づいて、ベーク時間およびベーク温度を定めるように適合される。ベークユニットも設けられ、これは、該ベーク温度で該ベーク時間の間ウエハをベークするように適合される。
【０００９】
この発明は、添付の図面と関連して、以下の説明を参照することによって理解されるであろう。なお、図面中、同じ参照番号は同じ要素を表わす。
【００１０】
この発明は、さまざまな変更および代替的な形態が可能であるが、その特定の実施例が、図面に例示の目的のためにのみ示されかつ本明細書中に詳細に説明される。しかしながら、特定の実施例の本明細書中の説明は、開示される特定の形態にこの発明を限定することを意図するものではなく、反対に、その意図は、添付の請求項に規定されるような、この発明の精神および範囲内に入るすべての変更、均等物および代替物を含むことを理解されたい、
【００１１】
【発明を実行するための形態】
この発明の例示的な実施例が以下に説明される。明瞭さのため、実際の実現例のすべての特徴がこの明細書中に説明されるわけではない。当然ながら、いかなるそのような実際の実施例の展開においても、開発者の特定の目標を達成するためには、実現例によって異なるシステム関連および業務関連の制約などの数多くの実現例特有の決断がなされなければならないことが認められる。さらに、そのような開発の努力は複雑でありかつ時間がかかり得るが、それにもかかわらず、この開示から利益を有する当業者にとっては日常業務であることが認められる。
【００１２】
ここで図面を参照しておよび具体的には図２を参照して、ウエハ２０５のフォトリソグラフィパターニングを行なうためのプロセスライン２００の簡略ブロック図が与えられる。プロセスライン２００は、フォトレジスト層の上にパターンを形成するフォトマスクを用いて、ウエハ２０５上のフォトレジスト層を光源に露光するステッパ２１０を含む。その後、ウエハ２０５は露光後ベークユニット２２０に転送され、そこでウエハ２０５に対して露光後ベーキングを行なう。
【００１３】
ベークユニット２２０での露光後ベークの後、ウエハ２０５はクールダウンステーション２３０に、次に現像液２４０に転送され、ここで未露光フォトレジストを除去する。次に、ウエハ２０５は、紫外（ＵＶ）ベークユニット２４５に転送され、ここでウエハ２０５の紫外ベーキングを行なう。ＵＶベークプロセスは、ウエハ２０５のフォトレジスト層の結合の架橋を向上させ、それにより、ウエハ２０５に対して行なわれるその後のいかなるエッチングに対しても、フォトレジストの耐性を増大させる。ＵＶベークはさらに、フォトレジスト層からさらなる溶媒を除去し、それによりその耐性をさらに増す。典型的に、エッチングに対するフォトレジスト層の耐性の度合いに影響を及ぼすいくつかの異なるソースが存在する。それらには、ＵＶ光の強度、ＵＶベークの持続時間、フォトレジスト層中の溶媒の量の変動、フォトレジスト樹脂の種類、フォトレジスト層の実際の厚みなどが含まれる。
【００１４】
ウエハ２０５は、予め定められたベーク時間ｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅの間ＵＶベークユニット２４５の中に置かれ、予め定められたベーク温度ｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐに加熱される。この発明は、ＵＶベークユニット２４５に対して、所望のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐパラメータを定めるステップを含む。これにより、ウエハ２０５のフォトレジスト材料の結合の十分な架橋が可能になり、それにより、フォトレジストのストリッピングプロセスを達成するのを困難にするほどの架橋ではないものの、エッチングに対する十分な耐性を与えるようになる。
【００１５】
ＵＶベークユニット２４５でのＵＶベークの後、ウエハ２０５はエッチングユニット２５０に転送され、ウエハ２０５の表面にフォトレジストが形成したパターンをエッチングする。このエッチングステップの後、ウエハ２０５はフォトレジストストリップツール２６０に転送され、ここで、パターニングされたフォトレジスト層の残余を除去する。次に検査ツール２６５を用いて、フォトレジストがウエハ２０５から完全にストリッピングされるのを確認する。
【００１６】
この発明の１つの実施例に従うと、プロセスコントローラ２７０は少なくともＵＶベークユニット２４５とインターフェイスして、ウエハ２０５上にあるフォトレジスト材料の定量的および／または定性的特徴に基づいて、最適なｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよび／またはｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐパラメータを定める。図示された実施例では、プロセスコントローラ２７０は、ウエハ２０５上のフォトレジスト層の厚みと、フォトレジスト材料内に存在する結合の架橋の量とにより、ＵＶベークユニット２４５のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐ設定を定める。
【００１７】
ｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐパラメータを最適化するため、ユニット２４５によるＵＶベーキングの前に、楕円偏光計２７５を用いてウエハ２０５上のフォトレジストの厚みを測定する。フォトレジストの厚みはベーキングの前に測定され、ウエハ２０５のｐｒｅｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓを与える。楕円偏光計２７５がフォトレジストの厚みを確定する態様は、十分に当業者の知識の範囲内にある。したがって、この発明を不必要に不明瞭にするのを避けるため、そのようなプロセスの詳細は本明細書中では説明しない。さらに、この発明の精神および範囲から逸脱することなく、楕円偏光計の代わりに他の装置を用いてフォトレジスト層の厚みを測定してもよいことが認められる。
【００１８】
フォトレジスト層の厚みを測定するのに加え、フーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光ユニット２８０を用いて、ウエハ２０５上に存在するフォトレジスト材料中に存在する架橋の量を測定する。ＦＴＩＲ分光ユニット２８０は、ウエハ２０５がベークユニット２４５によるＵＶベーキングプロセスを受ける前に、ＦＴＩＲ＿ｐｒｅｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを生成する。ＦＴＩＲ分光ユニット２８０がＦＴＩＲスペクトルを生成する態様も当業者には周知であり、この発明を不明瞭にしないため、本明細書中でその詳細は説明しない。
【００１９】
ＵＶベークユニット２４５によるウエハ２０５のベーキングの後、再び楕円偏光計２７５を用いてウエハ２０５上のフォトレジスト層の厚みを測定し、ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓを与える。同様に、ベーキング後に、ウエハ２０５のＦＴＩＲスペクトルをＦＴＩＲ分光ユニット２８０によって得て、ウエハ２０５のＦＴＩＲ＿ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを与える。
【００２０】
ＵＶベークユニット２４５の所望のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐパラメータは、プロセスライン２００が以前加工したウエハ２０５のバッチまたはロットから得られた前のデータの集合に基づいて定められる。このデータを得るため、楕円偏光計２７５を用いてベーク前およびベーク後のフォトレジスト厚み（すなわち、パラメータｐｒｅｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓおよびｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）を測定し、ＦＴＩＲ分光ユニット２８０を用いて、前述のようにＦＴＩＲ＿ｐｒｅｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａおよびＦＴＩＲ＿ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを得る。プロセスライン２００が加工した特定のウエハ２０５ロットに用いる特定のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐとともに、このデータを記憶する。１つの実施例に従うと、データは、プロセスコントローラ２７０のデータベース記憶装置２８５に記憶されてもよい。
【００２１】
別の実施例に従うと、図３に示されるように、ＵＶベークユニット２４５、楕円偏光計２７５およびＦＴＩＲ分光ユニット２８０は、高度プロセス制御（ＡＰＣ）フレームワーク３１０に結合されてもよい。この実施例では、プロセスコントローラ２７０の機能性は、ＵＶベーク最適化ソフトウェアユニット３２０で実現され得る。楕円偏光計２７５およびＦＴＩＲ分光ユニット２８０は、それぞれ、加工済みウエハ２０５から得られるベーク前およびベーク後厚み測定値ならびにベーク前およびベーク後ＦＴＩＲスペクトルを、ＡＰＣフレームワーク３１０を介してＵＶベーク最適化ソフトウェア３２０に送る。前の実施例のプロセスコントローラ２７０と類似のソフトウェア３２０は、以前記憶されたデータに基づいて、所望のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐパラメータを定める。
【００２２】
プロセスライン２００が現在のウエハ２０５ロットを加工する際、フォトレジストの厚み、すなわちｐｒｅｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓの測定値は楕円偏光計２７５によって得られ、ロットの、フォトレジスト中の架橋の量、すなわちＦＴＩＲ＿ｐｒｅｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａは、ＦＴＩＲ分光ユニット２８０によって確定される。現在のロットについてのこれらのパラメータは、プロセスコントローラ２７０によって記憶済みデータと比較され、所望のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐを定める。これがプロセスライン２００が加工する現在のウエハ２０５ロットのための所望のｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓおよびＦＴＩＲ＿ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを与える。したがって、ＵＶベークユニット２４５のためのｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐの設定は、所望のベーク後フォトレジスト厚みおよびベーク後ＦＴＩＲスペクトルを与えるように調節される。この現在のウエハ２０５ロットに関するデータの集合も、以前記憶済みのデータとともに記憶され、後に加工されるウエハ２０５の最適なＵＶベーク時間および温度設定を定める際の補助となる。データベース２８５を更新することにより、プロセスコントローラ２７０は、時間とともにプロセスライン２００で起こり得る何らかの変動をより十分に補うことができる。
【００２３】
ここで図４Ａおよび図４Ｂを参照して、プロセスライン２００が加工する現在のウエハ２０５ロットのためのｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐを制御するためのプロセス４００が与えられる。プロセス４００はブロック４１０で始まり、ここで楕円偏光計２７５は、現在のウエハ２０５ロットのためのフォトレジスト材料の厚み（ｐｒｅｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）を、それがプロセスライン２００のＵＶベークユニット２２０に送られる前に定める。ブロック４２０で、現在のウエハ２０５ロットに対するフォトレジスト材料中の架橋の量もＦＴＩＲ分光ユニット２８０によって定められ、ウエハ２０５のロットをベークする前にＦＴＩＲ＿ｐｒｅｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを与える。
【００２４】
ブロック４３０で、プロセスコントローラ２７０は、現在のロットの前に加工されたウエハ２０５ロットが以前に生成した、データベース２８５中の記憶済みデータに基づいて、所望のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐを定める。それぞれ楕円偏光計２７５およびＦＴＩＲ分光ユニット２８０が生成した、現在のウエハ２０５ロットのためのｐｒｅｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓおよびＦＴＩＲ＿ｐｒｅｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを、データベース２８５中の以前記憶済みのデータと比較し、所望のｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓおよびＦＴＩＲ＿ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを与えるためにどのｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐパラメータを用いたかを判断する。
【００２５】
ブロック４４０で、プロセスコントローラ２７０は、ブロック４３０で定められた所望のｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅおよびｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐに対応して、ＵＶベークユニット２４５の設定を調節する。所望のベーク時間および温度で現在のウエハ２０５ロットをベークした後、ブロック４５０で楕円偏光計２７５は現在のウエハ２０５ロットのｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓを測定する。フォトレジストのベーク後の厚みを測定した後、ブロック４６０で、ＦＴＩＲ分光ユニット２８０は、現在のウエハ２０５ロットのＦＴＩＲ＿ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを測定する。その後、ブロック４７０で、ｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｉｍｅ、ｕｖ＿ｂａｋｅ＿ｔｅｍｐ、ｐｒｅｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ、ＦＴＩＲ＿ｐｒｅｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａ、ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｔｈｉｃｋｎｅｓｓおよびＦＴＩＲ＿ｐｏｓｔｂａｋｅ＿ｓｐｅｃｔｒａを含む、現在のウエハ２０５ロットのための新たに得られたデータを、後に作られるウエハ２０５に最適なＵＶベーク時間および温度をプロセスコントローラ２７０が定める際の後の使用のために、データベース２８５に記憶する。
【００２６】
ブロック４８０で、ウエハはエッチングプロセスを受け、ブロック４８５で、ウエハ２０５上のフォトレジストをストリッピングする。その後、ウエハ２０５を検査ツール２６５で検査し、ブロック４９５で、検査ツール２６５から得られたデータをデータベース２８５に記憶する。次にこのデータを、後に加工されるウエハ２０５ロットとの比較に用いる。
【００２７】
上に開示された特定の実施例は例示のためのみのものであり、この発明は、本明細書中の教示の利益を有する当業者には明らかな、異なるがしかし均等な態様で変更されかつ実践され得る。さらに、請求項に記載されるようなもの以外の、本明細書中に示される構造または設計の詳細に対するいかなる限定も意図されない。したがって、上に開示された特定の実施例は変形または変更され得、すべてのそのような変形例はこの発明の精神および範囲内に入ると考えられることは明らかである。したがって、本明細書中で求められる保護範囲は、添付の請求項に述べられるとおりである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 フォトレジスト層が上に形成される、先行技術の基板の断面図である。
【図１Ｂ】 フォトレジストが光源に露光された後の、図１Ａの基板の断面図である。
【図１Ｃ】 基板が露光後ベークプロセスを受けた後の、図１Ｂの基板の断面図である。
【図１Ｄ】 フォトレジストを現像して未露光部分を除去した後の、図１Ｂの基板の断面図である。
【図２】 １つの実施例に従う、ウエハの紫外ベーキングを行なうための例示的なプロセスラインの簡略図である。
【図３】 別の実施例に従う、高度プロセス制御（ＡＰＣ）フレームワーク上で、ウエハの紫外ベーキングに関するデータを通信するための簡略図である。
【図４Ａ】 この発明の１つの実施例に従う、最適な紫外ベーキングパラメータを定めるためのプロセスを示す図である。
【図４Ｂ】 この発明の１つの実施例に従う、最適な紫外ベーキングパラメータを定めるためのプロセスを示す図である。

Claims (8)

1. ウエハをベークするための方法であって、前記ウエハはフォトレジスト層をその上に有し、前記方法は、
   前記フォトレジスト層の第１の厚みを測定するステップと、
   前記フォトレジスト層の第１のフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）スペクトルを生成するステップとを含み、前記第１のスペクトルは、前記フォトレジスト層中の結合の架橋の度合いを規定し、さらに
   前記第１の厚みおよび第１のＦＴＩＲスペクトルに基づいて、ベーク時間およびベーク温度を定めるステップと、
   前記ベーク温度で前記ベーク時間の間前記ウエハをベークするステップとを含む、方法。
2. 前記ウエハをベークした後、前記フォトレジスト層の第２の厚みを測定するステップと、
   ベークの後、前記フォトレジスト層の第２のフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）スペクトルを生成するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１および第２の厚みならびに前記第１および第２のＦＴＩＲスペクトルを定められた前記ベーク時間および温度に関連付けてデータベースに記憶するステップをさらに含み、記憶された前記第１および第２の厚み、第１および第２のＦＴＩＲスペクトル、ベーク時間および温度は、まとめて記憶済みデータを形成する、請求項２に記載の方法。
4. 前記第１の厚みおよび第１のＦＴＩＲスペクトルに基づいてベーク時間およびベーク温度を定めるステップは、
   前記第１の厚みおよび第１のＦＴＩＲスペクトルを前記データベース中の前記記憶済みデータと比較するステップと、
   前記ウエハがベークされると、所望の第２の厚みおよび第２のＦＴＩＲスペクトルを与えるベーク時間および温度を選択するステップとをさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. ウエハをベークするための方法であって、前記ウエハはフォトレジスト層をその上に有し、前記方法は、
   前記フォトレジスト層の第１の厚みを測定するステップと、
   前記フォトレジスト層の結合の架橋の第１の度合いを測定するステップと、
   前記第１の厚みおよび架橋の第１の度合いに基づいて、ベーク時間およびベーク温度を定めるステップと、
   前記ベーク温度で前記ベーク時間の間前記ウエハをベークするステップとを含む、方法。
6. 前記ウエハをベークした後、前記フォトレジスト層の第２の厚みを測定するステップと、
   前記フォトレジスト層の結合の架橋の第２の度合いを測定するステップとをさらに含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記第１および第２の厚みならびに前記第１および第２の架橋の度合いを定められた前記ベーク時間および温度に関連付けてデータベースに記憶するステップをさらに含み、記憶された前記第１および第２の厚み、第１および第２の架橋の度合い、ベーク時間および温度は、まとめて記憶済みデータを形成する、請求項６に記載の方法。
8. 前記第１の厚みおよび第１の架橋の度合いに基づいてベーク時間およびベーク温度を定めるステップは、
   前記第１の厚みおよび第１の架橋の度合いを前記データベース中の前記記憶済みデータと比較するステップと、
   前記ウエハがベークされると、所望の第２の厚みおよび第２の架橋の度合いを与えるベーク時間および温度を選択するステップとをさらに含む、請求項７に記載の方法。

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