JP4451530B2 - Film forming method and apparatus - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は成膜方法及び装置に関し、特に光ディスクなどのドーナツ状の基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば、光ディスクは、ドーナツ状のポリカーボネートの基板上に記録膜や保護膜などを層状に有することで、信号の記録や再生の機能を実現している。また、光ディスクの内周部分には、製造上及び使用上の取扱い並びに記録再生特性の確保に必要なため、非成膜領域が設けられている。
【0003】
このため、スパッタ装置などを用いて光ディスクの薄膜を成膜する際には、ディスクの内周部分に内周マスクを装着した状態で成膜し、成膜後その内周マスクを取り外すことによって非成膜領域を形成している。
【0004】
以下、従来のスパッタ装置を用いた光ディスクの成膜工程を図8〜図10を参照して説明する。図8において、スパッタ装置30は、中央の搬送室32の周囲に内周マスク着脱室31と複数の成膜室1が配設され、内周マスク着脱室31に対して基板を搬入・搬出する基板搬入出機構33が設けられている。
【0005】
まず、未成膜のドーナツ状の基板2が基板搬入出機構33にて内周マスク着脱室31に搬入され、内周マスク着脱室31で内周マスク10を装着される。内周マスク10を装着された基板2は、搬送室32に配設された搬送手段(図示せず)にて破線矢印で示すように各成膜室1に順次搬送されてそれぞれでスパッタ成膜される。成膜が完了した基板2は、内周マスク着脱室31にて内周マスク10を取り外した後、基板搬入出機構33にて外部に搬出され、取り外された内周マスク10は次の未成膜基板2に装着される。
【0006】
このように内周マスク10は繰り返し使用されるため、内周マスク10上には膜が堆積して行き、堆積した膜はその厚みが厚くなると膜応力による変形の増大や欠陥の成長などで剥離してダストとなり、成膜中に膜内に取り込まれ、製品の欠陥となる。そのため、内周マスク10はダストが剥離する前に定期的に交換され、膜が堆積した内周マスク10は機械的又は化学的方法により膜を除去されて再使用される。
【0007】
図9を参照して成膜室1における成膜工程を説明すると、成膜室1には、直流又は交流の高圧電源6を接続されたターゲット3と、ガスを供給する供給ライン4と、排気する排気ライン5とが設けられ、内周マスク10を装着した基板2がターゲット3と対向して配置されるように構成されている。
【0008】
このような構成において、排気ライン5を使ってガスを排気しながら、ガスの供給ライン4よりアルゴンなどのガスを導入し、高圧電源6により高電圧をターゲット3に印加すると、放電が起こってアルゴンなどのガスがイオンと電子に電離され、プラズマ50が発生する。イオンは負の所定電圧にバイアスされたターゲット3に衝突し、ターゲット原子を叩き出し、ターゲット3がスパッタされる。スパッタされたターゲット原子(以下スパッタ粒子と称す)は基板2に付着し、基板2上に薄膜20が形成される。このとき、内周マスク10のターゲット3と対向する部分にも薄膜20が形成される。
【0009】
次に、図10を参照して内周マスク着脱室31において基板2から内周マスク10を取り外す工程を説明する。なお、基板2及び内周マスク10はそれらに共通の中心軸線9に対して対称である。また、内周マスク10はその一部が鉄などの磁性体にて構成されている。内周マスク着脱室31には、中心軸線9の延長線上に沿って内周マスク10の前面に対して接近離間移動可能な着脱アーム12が配設され、その先端部に電磁石21が設けられている。
【0010】
この構成において、まず電磁石21に電流を流さない状態で、図10の(a)に示すように電磁石21が基板2に近づくように着脱アーム12を移動させ、次に(b)に示すように電磁石21を内周マスク10に接触させ、その電磁石21に電流を流して内周マスク10を磁気吸着によって保持する。さらに、(c)に示すように電磁石21に電流を流したまま、着脱アーム12を基板2から遠ざかるように移動させ、内周マスク10を基板2から取り外す。また、内周マスク10を基板2に装着する工程は上記工程と逆となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では内周マスク10の薄膜20が付着した面を保持して、内周マスク10の取り外しを行っているため、薄膜20の膜厚が厚くなると、吸着保持時の衝撃で薄膜20が剥がれ、ダストを発生する。ダストは、成膜中に膜内に取り込まれて製品欠陥となるため、内周マスク10を頻繁に交換してダストが発生しないようにする必要があり、内周マスク10の再生費が高くつくとともに、装置の稼働率の低下を来すという問題があった。
【0012】
なお、特開平7−235085号公報には、吸着面に弾性体を介在させ、衝撃を緩和する方法が開示されているが、近年、光ディスクのトラックピッチは狭小化しており、ダスト低減に対する要求が厳しくなっているので、このような方法では十分ではない。
【0013】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、内周マスクを連続使用できる期間を長期化し、内周マスクの再生費の低減と装置の稼働率の向上を実現できる成膜方法及び装置を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の成膜方法は、成膜室内にターゲットを配置し、前記ターゲットと対向して設けられた基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜方法において、基板の内周部に内周マスクを装着した状態で前記基板に成膜を行い、内周マスクに形成された非成膜部分を保持して内周マスクを取り外すことを共通の特徴点とするものであり、内周マスクを保持する時に薄膜の付着した部分に衝撃を与えないので、薄膜の剥離が抑えられ、内周マスクを連続使用できる期間を長期化し、内周マスクの再生費の低減と装置の稼働率の向上を実現できる。
【0015】
具体的には、側面に切り込みが形成され、前記切り込み溝の端は前記ターゲットの外周縁と前記切り込み溝の開口端縁とを結ぶ仮想円錐よりも内部に位置すると共に、前記切り込み溝で2分割された内周マスクを用い、内周マスクの再生時の薄膜の除去を容易に完全に行うことができるものである。
【0016】
また、基板の内周部を覆うマスク部とマスク部を基板に対して離間させた状態で支持する支持部とを有する内周マスクを用い、成膜した後マスク部を基板に対して離間させ、支持部の非成膜部分を保持して内周マスクを取り外すこともできる。
【0017】
その際に、磁石を内蔵させた内周マスクを用い、磁気吸着によって非接触でマスク部を基板に対して離間させた後、支持部の非成膜部分を保持して内周マスクを着脱することもできる。
【0018】
また、基板の内周部を覆う内周マスクに対して基板の裏面側から分離可能に結合できかつ内周マスクを基板に当接した位置と離間した位置との間で移動させることができるアームを用い、成膜した後アームにて内周マスクを基板に対して離間させた後、内周マスクの非成膜部分を保持して内周マスクを着脱することもできる。
【0020】
また、本発明の成膜装置は、成膜室内にターゲットを配置し、前記ターゲットと対向して設けられた基板の内周部に内周マスクを装着して成膜し、基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜装置であって、内周マスクの側面に非成膜部分を形成する切り込み構造を形成され、前記切り込み溝の端は前記ターゲットの外周縁と前記切り込み溝の開口端縁とを結ぶ仮想円錐よりも内部に位置すると共に、前記切り込み溝で2分割され、内周マスクを着脱する着脱アームに非成膜部分を保持する保持部を設けたものであり、内周マスクの再生時の薄膜の除去を容易に完全に行うことができる。
【0021】
また、内周マスクに基板の内周部を覆うマスク部とマスク部を基板に対して離間させた状態で支持する支持部とを設け、内周マスクに磁石を内蔵させ、内周マスクを着脱する着脱アームに磁石を吸引してマスク部を基板から離間させる電磁石と内周マスクの位置検出センサと非成膜部分を保持する保持部を設けても、上記方法を実施してその作用効果を奏することができる。
【0022】
また、内周マスクに対して基板の裏面側から分離可能に結合できかつ内周マスクを基板に当接した位置と離間した位置との間で移動させることができるアームを設け、内周マスクを着脱する着脱アームに内周マスクの非成膜部分を保持する保持部を設けても、上記方法を実施してその作用効果を奏することができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の成膜方法及び装置の各実施形態について、図1〜図7を参照して説明する。
【0025】
(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態について、図1〜図3を参照して説明する。成膜工程を示す図1において、1は成膜室であり、ガスを供給する供給ライン4とガスを排気する排気ライン5が接続されている。2はポリカーボネートなどの素材でドーナツ状に形成された基板である。3は、成膜室1の一側壁に配設されたターゲットであり、直流または交流の高圧電源6が接続されている。7は成膜室1とターゲット3を絶縁する絶縁物である。10は基板2の内周部に装着された内周マスクである。内周マスク10には、その外周側面に環状に切り込み溝11が形成され、その切り込み端11aはターゲット3の外周縁3aと切り込み溝11の開口端縁11bとを結ぶ仮想円錐60よりも内部に位置し、スパッタ粒子が切り込み端11aに付着しないように構成されている。
【0026】
内周マスク10の着脱工程を示す図2において、9は基板2と内周マスク10の共通の中心軸線であり、12は中心軸線9に沿って基板2に対して遠近方向に移動して内周マスク10を基板2に対して着脱するための着脱アームであり、内周マスク10の切り込み端11aを挟持して内周マスク10を保持する挟持機構13を備えている。
【0027】
以上の構成における成膜工程では、まず、成膜室1内に内周マスク10を装着した基板2をターゲット3と対向するように配置する。次に、成膜室1内のガスを排気ライン5より排気しつつ、供給ライン4よりアルゴンガスなどのガスを供給する。次に、ターゲット3に対して直流または交流の高電圧を高圧電源6より印加すると放電が起こり、ガスがイオンと電子に電離し、プラズマ50が発生する。イオンは負の所定電圧にバイアスされたターゲット3に衝突し、スパッタ粒子を叩き出す。そのスパッタ粒子は、基板2のターゲット3に対向する面に付着して基板2上に薄膜20が形成される。このとき、内周マスク10のターゲット3に対向する面にもスパッタ粒子が飛来して薄膜20を形成するが、内周マスク10の側面に形成した切り込み溝11の切り込み端11aにはスパッタ粒子が付着することはほとんどない。
【0028】
基板2に対する薄膜20の形成が終了すると、基板2は内周マスク10の着脱工程に搬送される。この着脱工程では、まず図2の(a)に示すように、着脱アーム12がその挟持機構13を開いた状態で中心軸線9に沿って基板2に近づくように移動し、内周マスク10の切り込み溝11に挟持機構13が対向する位置で停止する。次に、(b)に示すように挟持機構13を閉じて内周マスク10のスパッタ粒子が付着していない切り込み溝11の切り込み端11aを挟持し、内周マスク10を保持する。その後、(c)に示すように挟持機構13を閉じた状態で着脱アーム12を中心軸線9に沿って基板2から遠ざかる方向に移動させ、内周マスク10を基板2から取り外す。なお、内周マスク10を基板2に装着する工程は上記と逆となる。
【0029】
このように内周マスク10の側面に切り込み溝11を形成してターゲット3に対向しない切り込み端11aを設けることにより、この切り込み端11aにはスパッタ粒子が付着せず、内周マスク10の着脱時にこの切り込み端11aを保持することにより、スパッタ粒子が付着した部分に衝撃を与えずに済み、薄膜20の剥離を抑えることができ、内周マスク10の連続使用期間を長期化することができる。
【0030】
なお、図1、図2に図示した内周マスク10は全体が一体のものを示したが、図3に示すように、内周マスク10を切り込み溝11の部分で分割し、内周マスク本体101とその上にねじ103にて締結固定される上部マスク102にて構成してもよい。上部マスク102は、内周マスク本体101と接合する小径軸部102aの先端に大径フランジ102bを形成して構成され、その小径軸部102aの外周が切り込み端11aを、大径フランジ102bの外周が切り込み溝11の開口端縁11bを構成している。
【0031】
このように内周マスク10を切り込み溝11の部分で分解できるように構成すると、内周マスク10の再生時に切り込み溝11内に回り込んだ僅かな薄膜20を除去する際に容易に完全に除去できるという利点がある。
【0032】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について、図4を参照して説明する。なお、以下の実施形態の説明においては、上記第1の実施形態と同一の構成要素について同一の参照符号を付して説明を省略し、相違点のみを説明する。
【0033】
図4において、内周マスク10は、基板2のターゲット3と対向する面の内周部を覆うマスク部10aとマスク部10aを基板2に対して離間させた状態で支持する支持軸部10bにて構成され、その支持軸部10bのマスク部10a近傍に磁石14が埋め込まれている。
【0034】
また、着脱アーム12の先端部には挟持機構13とともに電磁石15が配設され、また挟持機構13には内周マスク10の位置を判断する位置検出センサ16が配設されている。この位置検出センサ16は、内周マスク10の支持軸部10bを挟持機構13にて保持することが可能でかつマスク部10aが着脱アーム12に接触しない位置にあるときにオンとなるように構成されている。
【0035】
内周マスク10の着脱工程では、まず図4の(a)に示すように、挟持機構13を開き、電磁石15に電流を流さない状態で着脱アーム12を中心軸線9に沿って基板2に近づくように移動させ、支持軸部10bを挟持機構13で保持できる位置で停止させる。次に、(b)に示すように電磁石15に電流を流すことにより内周マスク10を基板2から引き出す。次に、位置検出センサ16がオンとなった時点で、(c)に示すように挟持機構13を閉じて内周マスク10のターゲット3と対向しない部分である支持軸部10bを保持し、電磁石15に流していた電流を切る。次に、(d)に示すように挟持機構13を閉じたまま着脱アーム12を基板2から遠ざかるように移動させ、内周マスク10を基板2から取り外す。なお、内周マスク10を基板2に装着する工程は上記と逆となる。
【0036】
このように内周マスク10のターゲット3とは対向しない支持軸部10bにはスパッタ粒子が付着していないので、着脱に際してこの支持軸部10bを保持するようにすることで、着脱に際して薄膜の付着した部分に衝撃を与えず、薄膜の剥離が抑えられ、内周マスク10の連続使用期間を長期化することができる。
【0037】
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について、図5を参照して説明する。図5において、基板2の薄膜20を形成する面とは反対側の裏面側に、内周マスク10を分離可能に保持した状態でマスク部10aが基板2に当接した位置と離間した位置との間で内周マスク10を移動させる押出しアーム17が配設されている。内周マスク10と押出しアーム17は、内周マスク10の装着軸部10cの先端と押出しアーム17の先端に取付けられた磁石18a、18bの磁気吸着によって分離可能に結合されている。
【0038】
内周マスク10の着脱工程では、まず図5の(a)に示すように、着脱アーム12の挟持機構13を開き、次に(b)に示すように押出しアーム17を移動させ、内周マスク10をその装着軸部10cを挟持機構13にて保持できる位置まで押し出す。次に、(c)に示すように挟持機構13を閉じて内周マスク10のターゲット3と対向しない部分である装着軸部10cを保持する。次に(d)に示すように挟持機構13を閉じたまま、押出しアーム17を戻すことにより、磁石18a、18bの吸着結合が解除されて押出しアーム17から分離され、内周マスク10が基板2から取り外されて着脱アーム12にて保持され、内周マスク10を基板2から取り外す動作が完了する。内周マスク10を基板2に装着する工程は上記の逆となる。
【0039】
このように、内周マスク10の装着軸部10cはターゲット3と対向しない部分であり、ターゲット3から飛来したスパッタ粒子が付着しないので、着脱に際してこの装着軸部10cを保持することにより、着脱に際して薄膜20の付着した部分に衝撃を与えず、薄膜20の剥離が抑えられ、内周マスク10の連続使用期間を長期化することができる。
【0040】
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について、図6、図7を参照して説明する。図6において、成膜室1内に内周マスク10の中央部を覆うインナーマスク19が配設されている。このインナーマスク19は、ブリッジ19aにて成膜室1の壁面で支持しても良いし、ターゲット3側から支持してもよい。このような構成の成膜室1にて基板2に成膜を行うと、内周マスク10のマスク部10aの中央部に、図7の(a)に示すように、薄膜20が形成されない非成膜部分10dが形成される。
【0041】
内周マスク10の着脱工程では、図7の(a)に示すように、基板2と内周マスク10の共通の中心軸線9の延長線上に沿って基板2に対して遠近方向に移動可能な着脱アーム12の先端部に電磁石21が設けられている。この電磁石21の先端面21aは内周マスク10の非成膜部分10dに入る大きさに設定されている。
【0042】
内周マスク10の着脱時には、まず電磁石21に電流を流さない状態で図7の(a)に示すように着脱アーム12を基板2に近づくように移動させる。次に、(b)に示すように電磁石21を内周マスク10の非成膜部分10dに接触させた後、電磁石21に電流を流して内周マスク10を保持する。次に、(c)に示すように着脱アーム12を基板2から遠ざかるように移動させ、内周マスク10を基板2から取り外す。内周マスク10を装着する工程は上記と逆となる。
【0043】
このようにインナーマスク19によってできた非成膜部分10dを保持することにより、内周マスク10の着脱に際して薄膜20の付着した部分に衝撃を与えず、薄膜20の剥離が抑えられ、内周マスク10の連続使用期間を長期化することができる。
【0044】
以上の各実施形態を比較すると、構成をシンプルにできるという点で第1の実施形態が有利であり、完全に薄膜20の形成されない部分を保持できる点で第2、第3の実施形態が有利である。第2と第3の実施形態を比較すると、基板2の裏面に冷却機構等を配置する場合は第2の実施形態が有利であり、位置検出センサが不要で信頼性が高いという点で第3の実施形態が有利である。また、第4の実施形態は内周マスク10の着脱機構を従来と同程度にシンプルにできる点で有利であり、膜厚の均一性などに関してインナーマスク19が問題となる場合には第1〜第3の実施形態が有利である。
【0045】
なお、本発明は上記実施形態で示したスパッタ装置に限らず、その他の成膜装置において基板の内周部に非成膜部分を形成する場合に適用できる。
【0046】
【発明の効果】
本発明の成膜方法及び装置によれば、以上のように内周マスクの着脱に際して、薄膜の付着した部分に衝撃を与えずに着脱できるので、薄膜の剥離を抑えることができ、内周マスクの連続使用期間を長期化することができ、マスク再生費の低減と装置の稼働率の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における成膜工程を示す成膜室の構成図である。
【図2】同実施形態における内周マスクの着脱工程の説明図である。
【図3】同実施形態における内周マスクの変形例の断面図である。
【図4】本発明の第2の実施形態における内周マスクの着脱工程の説明図である。
【図5】本発明の第3の実施形態における内周マスクの着脱工程の説明図である。
【図6】本発明の第4の実施形態における成膜工程を示す成膜室の構成図である。
【図7】同実施形態における内周マスクの着脱工程の説明図である。
【図8】光ディスク成膜用のスパッタ装置の概略構成図である。
【図9】従来例における成膜工程を示す成膜室の構成図である。
【図10】同従来例における内周マスクの着脱工程の説明図である。
【符号の説明】
1 成膜室
2 基板
10 内周マスク
10a マスク部
10b 支持軸部
10d 非成膜部分
101 内周マスク本体
102 上部マスク
11 切り込み溝
12 着脱アーム
13 挟持機構(保持部)
14 磁石
15 電磁石
16 位置検出センサ
17 押出しアーム
18a、18b 磁石
19 インナーマスク
20 薄膜
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a film forming method and apparatus, and more particularly to a film forming method and apparatus for forming a non-film forming portion on the inner periphery of a donut-shaped substrate such as an optical disk.
[0002]
[Prior art]
For example, an optical disc has a recording and reproducing function by providing a recording film, a protective film, and the like on a donut-shaped polycarbonate substrate. Further, the inner peripheral portion of the optical disc is provided with a non-film formation region because it is necessary for handling in manufacturing and use and ensuring recording / reproducing characteristics.
[0003]
For this reason, when a thin film of an optical disk is formed using a sputtering apparatus or the like, the film is formed with the inner peripheral mask attached to the inner peripheral part of the disk, and the inner peripheral mask is removed after the film formation. A film formation region is formed.
[0004]
Hereinafter, a process for forming an optical disk using a conventional sputtering apparatus will be described with reference to FIGS. In FIG. 8, the sputtering apparatus 30 includes an inner peripheral mask attaching / detaching chamber 31 and a plurality of film forming chambers 1 around a central transfer chamber 32, and carries a substrate into and out of the inner peripheral mask attaching / detaching chamber 31. A substrate carry-in / out mechanism 33 is provided.
[0005]
First, an unformed doughnut-shaped substrate 2 is carried into the inner peripheral mask attaching / detaching chamber 31 by the substrate carry-in / out mechanism 33, and the inner peripheral mask 10 is mounted in the inner peripheral mask attaching / detaching chamber 31. The substrate 2 on which the inner peripheral mask 10 is mounted is sequentially transferred to each film forming chamber 1 by a transfer means (not shown) disposed in the transfer chamber 32 as indicated by broken line arrows, and sputter film formation is performed in each. Is done. After the film formation is completed, the inner peripheral mask 10 is removed in the inner peripheral mask attaching / detaching chamber 31, and then the substrate 2 is carried out to the outside by the substrate carry-in / out mechanism 33. Mounted on the substrate 2.
[0006]
Since the inner peripheral mask 10 is repeatedly used in this way, a film is deposited on the inner peripheral mask 10, and the deposited film is peeled off due to an increase in deformation due to film stress or a defect growth as the thickness increases. As a result, it becomes dust and is taken into the film during film formation, resulting in a product defect. Therefore, the inner peripheral mask 10 is periodically replaced before the dust is peeled off, and the inner peripheral mask 10 on which the film is deposited is reused after the film is removed by a mechanical or chemical method.
[0007]
The film forming process in the film forming chamber 1 will be described with reference to FIG. 9. The film forming chamber 1 has a target 3 connected to a DC or AC high voltage power source 6, a gas supply line 4, and an exhaust. The exhaust line 5 is provided, and the substrate 2 on which the inner peripheral mask 10 is mounted is arranged to face the target 3.
[0008]
In such a configuration, when a gas such as argon is introduced from the gas supply line 4 while exhausting the gas using the exhaust line 5 and a high voltage is applied to the target 3 by the high voltage power source 6, a discharge occurs and argon is introduced. Such gas is ionized into ions and electrons, and plasma 50 is generated. The ions collide with the target 3 biased to a negative predetermined voltage, knock out target atoms, and the target 3 is sputtered. Sputtered target atoms (hereinafter referred to as sputtered particles) adhere to the substrate 2, and a thin film 20 is formed on the substrate 2. At this time, the thin film 20 is also formed on the portion of the inner peripheral mask 10 facing the target 3.
[0009]
Next, a process of removing the inner peripheral mask 10 from the substrate 2 in the inner peripheral mask attaching / detaching chamber 31 will be described with reference to FIG. The substrate 2 and the inner peripheral mask 10 are symmetric with respect to the central axis 9 common to them. A part of the inner peripheral mask 10 is made of a magnetic material such as iron. The inner peripheral mask attaching / detaching chamber 31 is provided with an attaching / detaching arm 12 that can move toward and away from the front surface of the inner peripheral mask 10 along an extension of the central axis 9, and an electromagnet 21 is provided at the tip thereof. Yes.
[0010]
In this configuration, first, in a state where no current flows through the electromagnet 21, the detachable arm 12 is moved so that the electromagnet 21 approaches the substrate 2 as shown in FIG. 10A, and then as shown in FIG. The electromagnet 21 is brought into contact with the inner peripheral mask 10 and a current is passed through the electromagnet 21 to hold the inner peripheral mask 10 by magnetic attraction. Further, as shown in (c), the detachable arm 12 is moved away from the substrate 2 while the current is passed through the electromagnet 21, and the inner peripheral mask 10 is removed from the substrate 2. The process of mounting the inner peripheral mask 10 on the substrate 2 is the reverse of the above process.
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above conventional configuration, the surface of the inner peripheral mask 10 to which the thin film 20 is adhered is held and the inner peripheral mask 10 is removed. The thin film 20 is peeled off and dust is generated. Since dust is taken into the film during film formation and becomes a product defect, it is necessary to frequently replace the inner peripheral mask 10 so as not to generate dust, and the regeneration cost of the inner peripheral mask 10 is high. At the same time, there is a problem that the operating rate of the apparatus is lowered.
[0012]
Japanese Patent Laid-Open No. 7-235085 discloses a method of reducing impact by interposing an elastic body on the attracting surface. However, in recent years, the track pitch of optical disks has been narrowed, and there is a demand for dust reduction. Because of the strictness, this method is not enough.
[0013]
In view of the above-described conventional problems, the present invention provides a film forming method and apparatus capable of extending the period during which the inner peripheral mask can be used continuously, reducing the regeneration cost of the inner peripheral mask, and improving the operating rate of the apparatus. The purpose is that.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The film forming method of the present invention is a film forming method in which a target is disposed in a film forming chamber, and a non-film forming portion is formed on the inner peripheral portion of the substrate provided facing the target. perform deposition on the substrate in a state of mounting the inner peripheral mask, and in that to remove the inner circumference mask holding a non-deposition portion formed on the inner peripheral mask which with common features, the inner peripheral When holding the mask, there is no impact on the part where the thin film is attached, so the peeling of the thin film is suppressed, the period during which the inner peripheral mask can be used continuously is lengthened, the regeneration cost of the inner peripheral mask is reduced, and the operating rate of the device is reduced. Improvements can be realized.
[0015]
Specifically, a notch groove is formed on a side surface, and an end of the notch groove is located inside a virtual cone connecting an outer peripheral edge of the target and an opening edge of the notch groove. Using the divided inner peripheral mask, the thin film can be easily and completely removed at the time of reproducing the inner peripheral mask.
[0016]
Further, an inner peripheral mask having a mask portion covering the inner peripheral portion of the substrate and a support portion that supports the mask portion in a state of being separated from the substrate is used, and after the film formation, the mask portion is separated from the substrate. The inner peripheral mask can be removed while holding the non-film-forming portion of the support portion.
[0017]
At that time, using an inner peripheral mask with a built-in magnet, the mask part is separated from the substrate in a non-contact manner by magnetic attraction, and then the inner peripheral mask is attached and detached while holding the non-film forming part of the support part. You can also.
[0018]
Also, an arm that can be detachably coupled to the inner peripheral mask that covers the inner peripheral portion of the substrate from the back side of the substrate, and that can move the inner peripheral mask between a position in contact with the substrate and a spaced position. After the film is formed, the inner peripheral mask is separated from the substrate by the arm, and then the inner peripheral mask can be attached and detached while holding the non-film forming portion of the inner peripheral mask.
[0020]
Further, the film forming apparatus of the present invention has a target placed in the film forming chamber, and an inner peripheral mask is attached to the inner peripheral portion of the substrate provided to face the target to form a film, and the inner peripheral portion of the substrate A film forming apparatus for forming a non-film forming portion on the inner peripheral mask is formed with a notch groove structure for forming the non-film forming portion on a side surface of the inner peripheral mask, and an end of the notch groove is formed between the outer peripheral edge of the target and the notch groove. Is located inside the virtual cone connecting the opening edge of the two, and is divided into two by the notch groove, provided with a holding part for holding the non-film forming part on the detachable arm for attaching and detaching the inner peripheral mask , The thin film can be easily and completely removed when the inner peripheral mask is reproduced.
[0021]
In addition, the inner peripheral mask is provided with a mask part that covers the inner peripheral part of the substrate and a support part that supports the mask part in a state of being separated from the substrate, and a magnet is built in the inner peripheral mask, and the inner peripheral mask is attached and detached. Even if an electromagnet that attracts the magnet to the detachable arm and separates the mask portion from the substrate, a position detection sensor for the inner peripheral mask, and a holding portion that holds the non-film forming portion, the above-described method is implemented and its effects are achieved. Can play.
[0022]
In addition, an arm that can be detachably coupled to the inner peripheral mask from the back side of the substrate and can move the inner peripheral mask between a position in contact with the substrate and a separated position is provided. Even if the attaching / detaching arm is provided with a holding part for holding the non-film-forming portion of the inner peripheral mask, the above-described method can be carried out to achieve its effects.
[0024]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the film forming method and apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0025]
(First embodiment)
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 1 showing a film forming process, reference numeral 1 denotes a film forming chamber, to which a supply line 4 for supplying gas and an exhaust line 5 for exhausting gas are connected. Reference numeral 2 denotes a substrate formed in a donut shape from a material such as polycarbonate. Reference numeral 3 denotes a target disposed on one side wall of the film forming chamber 1, and a DC or AC high voltage power source 6 is connected thereto. Reference numeral 7 denotes an insulator that insulates the film forming chamber 1 from the target 3. Reference numeral 10 denotes an inner peripheral mask mounted on the inner peripheral portion of the substrate 2. The inner peripheral mask 10 is formed with a cut groove 11 in an annular shape on the outer peripheral side surface, and the cut end 11a is located inside a virtual cone 60 that connects the outer peripheral edge 3a of the target 3 and the opening edge 11b of the cut groove 11. It is located and it is constituted so that sputtered particles may not adhere to the cut end 11a.
[0026]
In FIG. 2 showing the process of attaching and detaching the inner peripheral mask 10, 9 is a central axis common to the substrate 2 and the inner peripheral mask 10, and 12 moves along the central axis 9 in the perspective direction with respect to the substrate 2. It is an attachment / detachment arm for attaching / detaching the peripheral mask 10 to / from the substrate 2, and includes a holding mechanism 13 that holds the inner peripheral mask 10 by holding the cut end 11 a of the inner peripheral mask 10.
[0027]
In the film forming process in the above configuration, first, the substrate 2 on which the inner peripheral mask 10 is mounted is placed in the film forming chamber 1 so as to face the target 3. Next, a gas such as argon gas is supplied from the supply line 4 while exhausting the gas in the film forming chamber 1 from the exhaust line 5. Next, when a high voltage of direct current or alternating current is applied to the target 3 from the high voltage power source 6, discharge occurs, the gas is ionized into ions and electrons, and a plasma 50 is generated. The ions collide with the target 3 biased to a predetermined negative voltage and knock out sputtered particles. The sputtered particles adhere to the surface of the substrate 2 facing the target 3 to form a thin film 20 on the substrate 2. At this time, sputtered particles also fly to the surface of the inner peripheral mask 10 facing the target 3 to form the thin film 20, but the sputtered particles are formed at the cut end 11a of the cut groove 11 formed on the side surface of the inner peripheral mask 10. There is almost no adhesion.
[0028]
When the formation of the thin film 20 on the substrate 2 is completed, the substrate 2 is transported to the inner peripheral mask 10 attaching / detaching step. In this attaching / detaching step, first, as shown in FIG. 2A, the attaching / detaching arm 12 moves so as to approach the substrate 2 along the central axis 9 with the holding mechanism 13 opened, and the inner peripheral mask 10 is moved. It stops at a position where the clamping mechanism 13 faces the cut groove 11. Next, as shown in (b), the clamping mechanism 13 is closed to clamp the cut end 11a of the cut groove 11 to which the sputter particles of the inner peripheral mask 10 are not attached, and the inner peripheral mask 10 is held. Thereafter, as shown in (c), the detachable arm 12 is moved in the direction away from the substrate 2 along the central axis 9 with the clamping mechanism 13 closed, and the inner peripheral mask 10 is removed from the substrate 2. The process of attaching the inner peripheral mask 10 to the substrate 2 is the reverse of the above.
[0029]
By forming the cut groove 11 on the side surface of the inner peripheral mask 10 and providing the cut end 11a that does not face the target 3, the sputter particles do not adhere to the cut end 11a. By holding the cut end 11a, it is not necessary to give an impact to the part to which the sputtered particles are attached, the peeling of the thin film 20 can be suppressed, and the continuous use period of the inner peripheral mask 10 can be prolonged.
[0030]
The inner peripheral mask 10 shown in FIG. 1 and FIG. 2 is shown as a whole. However, as shown in FIG. 3, the inner peripheral mask 10 is divided at the notch groove 11 and the inner peripheral mask body is divided. You may comprise by 101 and the upper mask 102 fastened and fixed with the screw | thread 103 on it. The upper mask 102 is configured by forming a large-diameter flange 102b at the tip of a small-diameter shaft portion 102a to be joined to the inner peripheral mask body 101, and the outer periphery of the small-diameter shaft portion 102a becomes the cut end 11a and the outer periphery of the large-diameter flange 102b. Constitutes the opening edge 11 b of the cut groove 11.
[0031]
If the inner peripheral mask 10 is configured to be disassembled at the cut groove 11 in this way, it can be easily and completely removed when removing the thin film 20 that has entered the cut groove 11 when the inner mask 10 is regenerated. There is an advantage that you can.
[0032]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the following description of the embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and only differences are described.
[0033]
In FIG. 4, the inner peripheral mask 10 has a mask portion 10 a that covers the inner peripheral portion of the surface of the substrate 2 facing the target 3 and a support shaft portion 10 b that supports the mask portion 10 a while being separated from the substrate 2. A magnet 14 is embedded in the vicinity of the mask portion 10a of the support shaft portion 10b.
[0034]
Further, an electromagnet 15 is disposed at the tip of the detachable arm 12 together with the clamping mechanism 13, and a position detection sensor 16 for determining the position of the inner peripheral mask 10 is disposed in the clamping mechanism 13. The position detection sensor 16 is configured to be turned on when the support shaft portion 10b of the inner peripheral mask 10 can be held by the clamping mechanism 13 and the mask portion 10a is in a position where it does not contact the detachable arm 12. Has been.
[0035]
In the attaching / detaching process of the inner peripheral mask 10, first, as shown in FIG. 4A, the holding mechanism 13 is opened, and the attaching / detaching arm 12 approaches the substrate 2 along the central axis 9 in a state where no current flows through the electromagnet 15. The support shaft 10b is stopped at a position where it can be held by the clamping mechanism 13. Next, as shown in (b), the inner peripheral mask 10 is pulled out from the substrate 2 by passing a current through the electromagnet 15. Next, when the position detection sensor 16 is turned on, as shown in (c), the clamping mechanism 13 is closed to hold the support shaft portion 10b which is a portion not facing the target 3 of the inner peripheral mask 10, and the electromagnet Turn off the current flowing through Next, as shown in (d), the detachable arm 12 is moved away from the substrate 2 while the clamping mechanism 13 is closed, and the inner peripheral mask 10 is removed from the substrate 2. The process of attaching the inner peripheral mask 10 to the substrate 2 is the reverse of the above.
[0036]
Thus, since the sputter particles are not attached to the support shaft portion 10b that does not oppose the target 3 of the inner peripheral mask 10, the support shaft portion 10b is held at the time of attachment / detachment, so that the thin film adheres at the time of attachment / detachment. The applied portion is not impacted, thin film peeling is suppressed, and the continuous use period of the inner peripheral mask 10 can be extended.
[0037]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 5, on the back surface side opposite to the surface on which the thin film 20 of the substrate 2 is formed, a position where the mask portion 10a is in contact with the substrate 2 in a state where the inner peripheral mask 10 is separably held, and a separated position. An extrusion arm 17 for moving the inner peripheral mask 10 between them is disposed. The inner peripheral mask 10 and the pushing arm 17 are detachably coupled by magnetic attraction of magnets 18 a and 18 b attached to the tip of the mounting shaft portion 10 c of the inner peripheral mask 10 and the tip of the pushing arm 17.
[0038]
In the attaching / detaching step of the inner peripheral mask 10, first, as shown in FIG. 5 (a), the holding mechanism 13 of the attaching / detaching arm 12 is opened, and then the pushing arm 17 is moved as shown in FIG. 10 is pushed out to a position where the mounting shaft portion 10c can be held by the clamping mechanism 13. Next, as shown in (c), the clamping mechanism 13 is closed to hold the mounting shaft portion 10c which is a portion not facing the target 3 of the inner peripheral mask 10. Next, as shown in (d), the push-out arm 17 is returned while the clamping mechanism 13 is closed, so that the magnet 18a, 18b is desorbed and separated from the push-out arm 17, and the inner peripheral mask 10 is separated from the substrate 2. The operation of removing the inner peripheral mask 10 from the substrate 2 is completed. The process of attaching the inner peripheral mask 10 to the substrate 2 is the reverse of the above.
[0039]
As described above, the mounting shaft portion 10c of the inner peripheral mask 10 is a portion that does not face the target 3, and since sputtered particles flying from the target 3 are not attached, the mounting shaft portion 10c is held during mounting and dismounting. An impact is not given to the part to which the thin film 20 adheres, the peeling of the thin film 20 is suppressed, and the continuous use period of the inner peripheral mask 10 can be prolonged.
[0040]
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 6, an inner mask 19 that covers the central portion of the inner peripheral mask 10 is disposed in the film forming chamber 1. The inner mask 19 may be supported on the wall surface of the film forming chamber 1 by the bridge 19a or may be supported from the target 3 side. When film formation is performed on the substrate 2 in the film formation chamber 1 having such a configuration, the thin film 20 is not formed in the central portion of the mask portion 10a of the inner peripheral mask 10 as shown in FIG. A film forming portion 10d is formed.
[0041]
In the step of attaching and detaching the inner peripheral mask 10, as shown in FIG. 7A, the inner peripheral mask 10 can move in the perspective direction with respect to the substrate 2 along the extension line of the common central axis 9 of the substrate 2 and the inner peripheral mask 10. An electromagnet 21 is provided at the tip of the detachable arm 12. The front end surface 21a of the electromagnet 21 is set to a size that can enter the non-deposition portion 10d of the inner peripheral mask 10.
[0042]
When attaching / detaching the inner peripheral mask 10, first, the attachment / detachment arm 12 is moved closer to the substrate 2 as shown in FIG. Next, as shown in (b), after the electromagnet 21 is brought into contact with the non-film-forming portion 10d of the inner peripheral mask 10, a current is passed through the electromagnet 21 to hold the inner peripheral mask 10. Next, as shown in (c), the detachable arm 12 is moved away from the substrate 2, and the inner peripheral mask 10 is removed from the substrate 2. The process of mounting the inner peripheral mask 10 is the reverse of the above.
[0043]
By holding the non-film-deposited portion 10d formed by the inner mask 19 in this way, when the inner peripheral mask 10 is attached or detached, the portion to which the thin film 20 is attached is not impacted, and peeling of the thin film 20 is suppressed, and the inner peripheral mask is suppressed. Ten continuous use periods can be extended.
[0044]
Comparing the above-described embodiments, the first embodiment is advantageous in that the configuration can be simplified, and the second and third embodiments are advantageous in that a portion where the thin film 20 is not completely formed can be retained. It is. Comparing the second and third embodiments, the second embodiment is advantageous when a cooling mechanism or the like is disposed on the back surface of the substrate 2, and the third embodiment is advantageous in that the position detection sensor is unnecessary and the reliability is high. This embodiment is advantageous. The fourth embodiment is advantageous in that the attaching / detaching mechanism of the inner peripheral mask 10 can be made as simple as the conventional one. When the inner mask 19 becomes a problem with respect to the uniformity of the film thickness, the first to first embodiments are advantageous. The third embodiment is advantageous.
[0045]
Note that the present invention is not limited to the sputtering apparatus shown in the above embodiment, and can be applied to the case where a non-film forming portion is formed on the inner peripheral portion of the substrate in another film forming apparatus.
[0046]
【The invention's effect】
According to the film forming method and apparatus of the present invention, when the inner peripheral mask is attached / detached as described above, it can be attached / detached without giving an impact to the portion to which the thin film is attached, so that peeling of the thin film can be suppressed, and the inner peripheral mask can be suppressed. The continuous use period can be prolonged, and the mask regeneration cost can be reduced and the operating rate of the apparatus can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of a film forming chamber showing a film forming process in a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram of an inner peripheral mask attaching / detaching step in the same embodiment;
FIG. 3 is a cross-sectional view of a modified example of the inner peripheral mask in the same embodiment.
FIG. 4 is an explanatory diagram of an inner peripheral mask attaching / detaching step according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory diagram of an inner peripheral mask attaching / detaching step according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a configuration diagram of a film forming chamber showing a film forming process in a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an explanatory diagram of an inner peripheral mask attaching / detaching step in the same embodiment;
FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a sputtering apparatus for forming an optical disk.
FIG. 9 is a configuration diagram of a film forming chamber showing a film forming process in a conventional example.
FIG. 10 is an explanatory diagram of an inner peripheral mask attaching / detaching step in the conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Deposition chamber 2 Substrate 10 Inner peripheral mask 10a Mask part 10b Support shaft part 10d Non-deposition part 101 Inner peripheral mask main body 102 Upper mask 11 Cut groove 12 Removable arm 13 Holding mechanism (holding part)
14 Magnet 15 Electromagnet 16 Position detection sensor 17 Extrusion arms 18a, 18b Magnet 19 Inner mask 20 Thin film

Claims (7)

成膜室内にターゲットを配置し、前記ターゲットと対向して設けられた基板の内周部に非成膜部分を形成する際、基板の内周部に内周マスクを装着した状態で前記基板に成膜を行い、内周マスクに形成された非成膜部分を保持して内周マスクを着脱する成膜方法であって、
側面に切り込みが形成され、前記切り込み溝の端は前記ターゲットの外周縁と前記切り込み溝の開口端縁とを結ぶ仮想円錐よりも内部に位置すると共に、前記切り込みで2分割された内周マスクを用い、切り込み構造によって形成された非成膜部分を保持して内周マスクを着脱することを特徴とする成膜方法。
The target was placed in a deposition chamber, during the formation of the non-deposition portion on the inner peripheral portion of the substrate provided to face the target, on the substrate in a state of mounting the inner periphery mask to the inner peripheral portion of the substrate perform film formation, a film forming method of detaching the inner peripheral mask holding a non-deposition portion formed on an inner peripheral mask,
Grooves cut into the side surface is formed, the cut end of the groove The rewritable located inside the imaginary cone which connects the opening edges of the groove cut the outer peripheral edge of the target, among which 2 divided by the cut groove A film forming method characterized in that a peripheral mask is used, and an inner peripheral mask is attached and detached while holding a non-film forming portion formed by a cut structure.
基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜方法において、基板の内周部に内周マスクを装着した状態で成膜室で成膜した後、内周マスクに形成された非成膜部分を保持して内周マスクを着脱する成膜方法であって、基板の内周部を覆うマスク部とマスク部を基板に対して離間させた状態で支持する支持部とを有する内周マスクを用い、成膜した後マスク部を基板に対して離間させ、支持部の非成膜部分を保持して内周マスクを着脱することを特徴とする成膜方法。 In a film forming method for forming a non-film forming portion on an inner peripheral portion of a substrate, after forming a film in a film forming chamber with an inner peripheral mask attached to the inner peripheral portion of the substrate, a non-deformed portion formed on the inner peripheral mask is formed. A film forming method for attaching and detaching an inner peripheral mask while holding a film portion, the inner periphery having a mask portion covering the inner peripheral portion of the substrate and a support portion for supporting the mask portion while being separated from the substrate A film forming method comprising: using a mask, separating a mask part from a substrate after film formation, and attaching and detaching an inner peripheral mask while holding a non-film forming part of a support part. 磁石を内蔵させた内周マスクを用い、磁気吸着によって非接触でマスク部を基板に対して離間させた後、支持部の非成膜部分を保持して内周マスクを着脱することを特徴とする請求項2記載の成膜方法。 Using an inner peripheral mask with a built-in magnet, the mask part is separated from the substrate in a non-contact manner by magnetic attraction, and then the inner peripheral mask is attached and detached while holding the non-deposition part of the support part. The film forming method according to claim 2. 基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜方法において、基板の内周部に内周マスクを装着した状態で成膜室で成膜した後、内周マスクに形成された非成膜部分を保持して内周マスクを着脱する成膜方法であって、基板の内周部を覆う内周マスクに対して基板の裏面側から分離可能に結合できかつ内周マスクを基板に当接した位置と離間した位置との間で移動させることができるアームを用い、成膜した後アームにて内周マスクを基板に対して離間させた後、内周マスクの非成膜部分を保持して内周マスクを着脱することを特徴とする成膜方法。 In a film forming method for forming a non-film forming portion on an inner peripheral portion of a substrate, after forming a film in a film forming chamber with an inner peripheral mask attached to the inner peripheral portion of the substrate, a non-deformed portion formed on the inner peripheral mask is formed. A film forming method in which the inner peripheral mask is attached and detached while holding the film portion, and can be detachably coupled to the inner peripheral mask covering the inner peripheral portion of the substrate from the back side of the substrate, and the inner peripheral mask is applied to the substrate. Using an arm that can be moved between the contacted position and the separated position, after the film is formed, the inner mask is separated from the substrate by the arm, and then the non-film forming portion of the inner mask is held. Then, the film forming method is characterized in that the inner peripheral mask is attached and detached. 成膜室内にターゲットを配置し、前記ターゲットと対向して設けられた基板の内周部に内周マスクを装着して成膜し、基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜装置であって、
内周マスクは、その側面に非成膜部分を形成する切り込みが形成され、前記切り込み溝の端は前記ターゲットの外周縁と前記切り込み溝の開口端縁とを結ぶ仮想円錐よりも内部に位置すると共に、前記切り込みで2分割され、内周マスクを着脱する着脱アームに
非成膜部分を保持する保持部を設けたことを特徴とする成膜装置。
The target was placed in a deposition chamber, said deposited with the inner peripheral mask attached to the inner peripheral portion of the substrate provided with the target and opposite, to form a non-deposition portion on the inner peripheral portion of the substrate film formation A device,
The inner peripheral mask has a cut groove that forms a non-deposition portion on the side surface, and the end of the cut groove is located inside a virtual cone connecting the outer peripheral edge of the target and the opening edge of the cut groove. be Rutotomoni, said cuts are divided into two by the groove, the film forming apparatus characterized in that a holding portion for holding the non-film portion detachable arm attaching and detaching the inner periphery mask.
基板の内周部に内周マスクを装着して成膜し、基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜装置であって、内周マスクに基板の内周部を覆うマスク部とマスク部を基板に対して離間させた状態で支持する支持部とを設け、内周マスクに磁石を内蔵させ、内周マスクを着脱する着脱アームに磁石を吸引してマスク部を基板から離間させる電磁石と内周マスクの位置検出センサと非成膜部分を保持する保持部を設けたことを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for forming a film by attaching an inner peripheral mask to an inner peripheral portion of a substrate and forming a non-film forming portion on the inner peripheral portion of the substrate, wherein the inner peripheral mask covers the inner peripheral portion of the substrate. And a support portion that supports the mask portion in a state of being separated from the substrate, the magnet is built in the inner peripheral mask, and the mask portion is separated from the substrate by attracting the magnet to the detachable arm that attaches and detaches the inner peripheral mask. A film forming apparatus comprising: an electromagnet to be moved; a position detection sensor for an inner peripheral mask; and a holding unit for holding a non-film forming portion. 基板の内周部に内周マスクを装着して成膜し、基板の内周部に非成膜部分を形成する成膜装置であって、内周マスクに対して基板の裏面側から分離可能に結合できかつ内周マスクを基板に当接した位置と離間した位置との間で移動させることができるアームを設け、内周マスクを着脱する着脱アームに内周マスクの非成膜部分を保持する保持部を設けたことを特徴とする成膜装置。 A film deposition system that forms a film by attaching an inner peripheral mask to the inner peripheral part of the substrate, and forms a non-deposition portion on the inner peripheral part of the substrate, which can be separated from the back side of the substrate with respect to the inner peripheral mask. And an arm that can move the inner peripheral mask between a position where it is in contact with the substrate and a position separated from the substrate, and a non-deposition portion of the inner peripheral mask is held by a detachable arm that attaches and detaches the inner peripheral mask. A film forming apparatus comprising a holding portion for performing the above operation.
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