JP4434823B2 - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents

電子装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4434823B2
JP4434823B2 JP2004125856A JP2004125856A JP4434823B2 JP 4434823 B2 JP4434823 B2 JP 4434823B2 JP 2004125856 A JP2004125856 A JP 2004125856A JP 2004125856 A JP2004125856 A JP 2004125856A JP 4434823 B2 JP4434823 B2 JP 4434823B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flexible substrate
land
electronic device
ball
crimping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004125856A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005311066A (ja
Inventor
浩司 水澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2004125856A priority Critical patent/JP4434823B2/ja
Publication of JP2005311066A publication Critical patent/JP2005311066A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4434823B2 publication Critical patent/JP4434823B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

本発明は、電子装置およびその製造方法に関し、特に、フレキシブル基板を使って電子部品を実装した電子装置およびその製造方法に関する。
小型化、薄型化が要求される携帯電話などの小型装置においては、集積回路(Integrated circuit、以下ICと略記する)やコネクタなどの装置を構成する電子部品を省スペースで実装しなければならない。特に、実装される個数の多い集積回路の垂直方向、水平方向の大きさと、そのICを実装するために物理的に制約される基板面積が問題となってきている。表面実装型のBGA(Ball Grid Array、ボールグリッドアレイ)パッケージの開発や、1パッケージ内に複数の半導体チップを内蔵させたSIP(System in Package)が開発されることにより、小型化、薄型化が実現できたが、開発期間、開発コストがかかり、問題発生時の問題切り分けが困難などたくさんの問題が発生している。
従来の実装技術を、図1を参照して説明する。図1(A)の従来技術1のBGA(ボールグリッドアレイ)の多段実装では、IC111の上にIC112を実装している。図1(B)の従来技術2のPOP(パッケージオンパッケージ)では、BGAタイプのIC211の上に被せるようにTSOPタイプのIC212を実装している。図1(C)の従来技術3のSIPでは、複数の半導体チップ341,342,343を同一パッケージ内に積層している。
しかしながら、従来の技術においては、次のような問題がある。従来技術1における問題は、IC111に半田ボール121がついており、IC112にも半田ボール122がついているため、IC111、IC112を実装した全体的な高さが高くなることにある。従来技術2における問題は、IC212より引き出されるリードを基板201に半田付けするため、水平方向に面積が広くなるということである。
従来技術3における問題は、複数の半導体チップ341,342,343を内部に積層させて、一つのパッケージとしてIC311を構成するため、全体の垂直、水平方向の面積は小さくなるが、開発期間、開発コストが膨大となる。また問題が起こった場合に、原因が複数の半導体チップ341,342,343のうち、どの半導体チップにあるのかの切り分けに時間を要し、ICの改版をするのにも、従来技術1や従来技術2よりも時間がかかることにある。
また、さらにフレキシブル基板に複数の半導体チップを搭載する技術や、フレキシブル基板を使ってBGAパッケージを手付け半田で接続する従来技術がある。
特開2001−217388号公報 特開昭56−105659号公報 特開2000−174161号公報
上述の従来技術では、携帯電話などの電子装置における、さらなる小型化、薄型化が対応するには不十分であるという問題が依然として残されている。
本願の課題は、折りたたみ可能なフレキシブル基板を用いて、ICとICとを接続することにより、垂直方向、水平方向の省スペース化を実現し、さらに開発期間、開発コストがかからず、容易に問題解析できる省スペースな電子装置および電子装置の製造方法を提供することにある。
本願発明の電子装置の製造方法は、フレキシブル基板を使用し、前記フレキシブル基板は圧着ランドとボール用ランドとを備え、前記圧着ランドと第1の電子部品の圧着ランドとを熱圧着して接続し、前記ボール用ランドのほぼ中央部にビアが設けられ、前記ビアを介してBGAタイプの第2の電子部品の半田ボールにより、前記第2の電子部品と、前記フレキシブル基板と、回路基板とを半田接続することを特徴とする。
本願発明の電子装置の製造方法において、前記フレキシブル基板は、略直角に折り曲げられることを特徴とする。
本願発明の電子装置の製造方法において、前記フレキシブル基板に備えられた圧着ランドと、ボール用ランドの間は、フレキシブル基板の配線により接続されていることを特徴とする。
本願発明の電子装置は、回路基板上にフレキシブル基板と複数の電子部品を搭載し、前記フレキシブル基板は圧着ランドとボール用ランドとを備え、前記圧着ランドと第1の電子部品の圧着ランドとが熱圧着して接続され、前記ボール用ランドのほぼ中央部にビアが設けられ、前記ビアを介してBGAタイプの第2の電子部品の半田ボールにより、前記第2の電子部品と、前記フレキシブル基板と、回路基板とが半田接続されていることを特徴とする。
本願発明の電子装置において、前記フレキシブル基板は、略直角に折り曲げられていることを特徴とする。
本願発明の電子装置において、前記第2の電子部品が論理用集積回路であり、前記第1の電子部品がメモリ集積回路であることを特徴とする。
本願発明の電子装置の製造方法においては、フレキシブル基板に圧着用ランドを設け、フレキシブル基板の圧着用ランドと、集積回路の圧着用ランドと、を熱圧着し接続することで垂直方向の省スペース化が図れる。また、フレキシブル基板は、集積回路の形状に沿って、略直角に折り曲げることができることで、水平方向の省スペース化が図れる。
さらに、フレキシブル基板の圧着ランドによる接続、BGAボール用ランドによる半田接続により高密度に個別の電子部品の多段実装を可能とすることで、複数の半導体チップをひとつのパッケージに搭載されたSIPに比べ、開発期間が短く、開発コストも安い。さらには、問題発生時の切り分けが容易で、SIPの組み立て工程によるリスクも無いので、安価で効率の良い製品開発ができることである。本願発明によれば、省スペース化が達成できる電子装置、及びその電子装置の製造方法が得られる。
以下、本発明の電子装置およびその製造方法について、図を参照して説明する。
実施例1について説明する。図2は、実施例1における電子装置の断面を示す。図3は、実施例1におけるフレキシブル基板の平面図とその断面を示す。図4は従来例1と実施例1との比較図、図5は従来例2と実施例1との比較図を示す。
図2、図3を用いて説明する。回路基板401上に、半田ボール421を備えたIC411と、フレキシブル基板451と、IC412と、が搭載されている。回路基板401には図示していない配線とBGAボール用ランドとが設けられている。フレキシブル基板451にはBGAボール用ランド471と圧着用ランド481が設けられている。BGAボール用ランド471の中央には、BGAの半田ボールとほぼ同じ大きさでフレキシブル基板451を貫通したビアが設けられ、ビアの周囲は導体で覆われている。それぞれ対応するBGAボール用ランド471と圧着用ランド481とは配線491により接続されている。IC411はBGAタイプ、IC412はモールドパッケージタイプの集積回路である。IC412の圧着面461側には、フレキシブル基板451の圧着用ランドと同形状の部品側の圧着ランド(図示せず)が設けられているものである。
IC411は半田ボール421により、フレキシブル基板451のBGAボール用ランド471を介して回路基板401と半田付け接続される。IC412は、フレキシブル基板451の圧着用ランド481と圧着面461において熱圧着され接続される。IC412と熱圧着されたフレキシブル基板451の左右のIC411用のBGAボール用ランド471が形成されている部分を、それぞれIC411の下側に折込み、半田ボール421と回路基板401の間に挟んで半田付けされる。このときフレキシブル基板451はIC411の形状に沿って点線で折り曲げられるので、略直角の角度で折り曲げられる。IC411は半田ボールにより、IC412は熱圧着によりフレキシブル基板451を介して回路基板401に電気的に導通状態となる。
次に図2、図3を用いて、信号の流れを説明する。フレキシブル基板451のBGAボール用ランド471と圧着ランド481とは、必要により対応するランド同士が配線491により接続されている。IC412の信号は、フレキシブル基板451を通って、IC411及び、基板401と電気的に接続されている。また、図3のようにすべての半田ボール421がIC412と接続される必要は無く、IC411の半田ボール421の中で、IC412と共通の信号のみ、圧着用ランドと配線接続されていれば良い。そのため、IC411の半田ボール421で、IC412に接続する必要の無い信号は、単にIC411に入力されるように接続する。例えば、IC411がLogicLSIで、IC412がメモリLSIの場合、フレキシブル基板451に必要な圧着用ランドは、メモリバスの信号と、電源、グランドのみであり、これらの信号はそれぞれのBGAボール用ランドと、圧着ランドとが配線491により接続されている。これらの配線は必要に応じて自由に配線でき、配線が必要でないランドは未接続のままでもよい。また図3においては、BGAボール用ランド471、圧着用ランド481はその一部のみを模式的に示しているものである。
ここで、本実施例と従来技術とを比較する。図4の左側に本実施例を、右側に従来技術1を示す。本発明では、IC412を熱圧着によりフレキシブル基板451に接続するため、図1の従来技術1のように、従来必要であったIC112の半田ボール122が不要となるので、垂直方向での省スペース化ができる。また、図5の下側に本実施例を、上側に従来技術2を示す。従来技術2のように、上側に乗っているIC212の信号線を引き出す足(リード)231が不要となるので、図5に示すように、水平方向にも省スペース化が可能となる。
本実施例においては、垂直方向、水平方向とも省スペース化でき、さらに個別の集積回路を多段実装しているために開発期間が短く、開発コストも安い。さらには、問題発生時の切り分けが容易で、SIPの組み立て工程によるリスクも無いので、安価で効率の良い製品開発ができ、容易に問題解析できる省スペースな電子装置およびその製造方法が得られる。
本発明の実施例2として、その構成を図6に示す。その基本的構成は、ともにBGAパッケージのIC511,512を回路基板501にフレキシブル基板551を介して実装するもので、集積回路(IC)の多段実装方法についてさらに工夫している。本図において、2段目のIC512はフレキシブル基板551とは圧着しない構成を取る。フレキシブル基板551には圧着用ランドを設けず、代わりにIC511、512用のBGAボール用ランド571、572を設け、これらBGAボール用ランド間は必要に応じて配線されている。IC512の半田ボール522とフレキシブル基板551のBGAボール用ランド572が半田付けされ、IC511の半田ボール521とフレキシブル基板551のBGAボール用ランド571と回路基板501とが半田付けされ、IC512とIC511と回路基板501とが電気的に接続される。
2段目のIC512の半田付けにおいては、半田ボールの半田がフレキシブル基板551のBGAボール用ランド572のビアから漏れないように薄い絶縁物をフレキシブル基板551に接着させて行う。本発明の実施例1では、IC412のように圧着用ランドを設けたパッケージを開発する必要がある。しかし、本発明の実施例2では、フレキシブル基板を開発するだけで、それぞれ独立して生産されたBGAを多段実装できるという効果が得られる。このときフレキシブル基板551はIC511の形状に沿って点線で折り曲げられるので、略直角の角度で折り曲げられる。従来例2(図1B)に比べて、平面的ΔLの省スペース化が図れる。
本実施例においては、水平方向の省スペース化が実現でき、さらに個別の集積回路を多段実装しているために開発期間が短く、開発コストも安い。さらには、問題発生時の切り分けが容易で、SIPの組み立て工程によるリスクも無いので、安価で効率の良い製品開発ができ、容易に問題解析できる省スペースな電子装置およびその製造方法が得られる。
さらに他の実施例3として、図7に示すように複数の集積回路を多段実装する方法がある。構成は、BGAパッケージ型のIC611の上部に、圧着用ランドを備えたIC612,613,614を多段実装されている。IC614が圧着面663でフレキシブル基板651と圧着され、IC613が圧着面662でフレキシブル基板651と圧着され、IC612が圧着面661でフレキシブル基板651と圧着され、BGAタイプのIC611がフレキシブル基板651を介して回路基板601と半田ボール621をもって半田付けされる。BGAタイプのICは半田ボールにより、圧着用ランドを設けたICは圧着ランドを使って、集積回路を多段実装することができる。例えば、IC611がLogicLSIで、IC612からIC614がメモリである場合が考えられる。図1(C)の従来技術3のように、LogicLSIとメモリLSIを同一パッケージ内で積層するSIP(システムインパッケージ)技術では、メモリの選定、及び途中変更が困難であり、さらに、開発期間と開発コストがかかる。また、SIPにする組み立て工程における不具合が発生する危険性も大きい。しかし、本実施例では、開発期間、開発コストの削減と、メモリ選定の自由度アップ、問題発生時の解析効率の良さなどの効果が得られる。
また、本発明の実施例3では、フレキシブル基板651はIC611、612,613の形状に沿って折り曲げられるので、略直角の角度で折り曲げられる。従来例2(図1B)に比べて、平面方向の省スペース化が図れる。また圧着用ランドにより圧着するため高さ方向の省スペースが得られる。従来技術1(図1、A)、従来技術2(図1,B)と比べて省スペース化が図られ、従来技術3に比べて、開発期間、開発コストの削減と、メモリ選定の自由度アップ、問題発生時の解析効率の良さなどの効果が得られる。
そしてさらに、図8に示す本発明の実施例4は、BGAパッケージタイプの集積回路を多段実装した実施例である。実施例4は回路基板701上に第1のIC711がフレキシブル基板751のBGAボール用ランド771を介して半田ボール721により半田付けされている。BGAボール用ランド771は本実施例では分割された形状としているのは、回路基板701からの信号配線のうちIC713への信号配線の距離を短くするためのものであり、分割せずに片方に集中して配置しても好い。同様に 第2のIC712がフレキシブル基板751のBGAボール用ランド772に半田ボール722により半田付けされている。第3のIC713がフレキシブル基板751のBGAボール用ランド773に半田ボール723により半田付けされている。第2、第3のICを半田付けする場合は半田が漏れないようにフレキシブル基板には薄い絶縁膜を添える。またBGAボール用ランド771,772,773間は必要に応じて配線されていることは同様である。
このときフレキシブル基板751はIC711、712の形状に沿って点線で折り曲げられるので、略直角の角度で折り曲げられる。従来例2(図1B)に比べて、平面方向の省スペース化が図れる。また、図8に示すように、IC711からIC713のボールレイアウトのBGAボール用ランドを設けたフレキシブル基板を作成するだけで、既存の製品を多段実装することが可能となる。このように、本発明の実施例4では、フレキシブル基板を作成する以外は、開発コストを必要としないで、平面方向の省スペース化が得られる利点がある。また、多段実装するICが奇数個の場合でも、フレキシブル基板701のようにIC701用のランドをフレキシブル基板701の左右に分けて配置することにより、最低限のフレキシブル基板の長さで多段実装することが可能となる。
さらに、図9に示す本発明の実施例5は、実施例1の変形例である。IC812とフレキシブル基板851の圧着面861をIC812の上側にし、実装するIC811、812をフレキシブル基板851で覆う構成とすることで、多段実装後の安定性が増すという効果が得られる。またフレキシブル基板のランド間は必要により配線されていることは他の実施例と同様である。
このときフレキシブル基板751はIC711、712の形状に沿って点線で折り曲げられるので、略直角の角度で折り曲げられる。従来例2(図1B)に比べて、平面方向の省スペース化が図れる。また圧着用ランドにより圧着するため高さ方向の省スペースが得られる。
さらに、本発明の実施例6では、実施例5をさらに改良したものである。下段のIC911は、下側の平面に半田ボール、対向する上側面に圧着用ランドを備え、回路基板901からの信号は下側の半田ボールから送受信し、IC911とIC912間との送受信は圧着ランドにより行うものである。下段のIC911は、半田ボールにより回路基板901に半田付けされ、さらに圧着面962においてフレキシブル基板951圧着接続される。IC912は、圧着面961において圧着ランドによりフレキシブル基板951と圧着接続される。
フレキシブル基板751はIC912の形状に沿って点線で折り曲げられるので、略直角の角度で折り曲げられる。従来例2(図1B)に比べて、平面方向の省スペース化が図れる。また圧着用ランドにより圧着するため高さ方向の省スペースが得られる。IC911がLogicLSIで、IC912がメモリLSIであるような場合に、LogicLSIのメモリバスはすべて圧着面962の圧着用ランドにすることで、ボール921の数を減らすことができるという効果が得られる。さらには、IC911のチップサイズが、ボール921の数に依存している場合、ボール921の数が減ったことで、IC911のサイズを小さくすることも可能になるという効果も併せ持つ。本発明の第5の実施例と比較しても、水平方向の省スペース化が図られるという利点がある。
そしてさらには、本発明の実施例7を図10に示す。実施例7においては、回路基板とフレキシブル基板との接続、及び集積回路とフレキシブル基板との接続を圧着接続するものである。まず、フレキシブル基板1051と基板1001と圧着面1062で圧着接続し、その後フレキシブル基板1051をIC1011に沿って、略直角の角度で折りたたみ、IC1011とフレキシブル基板10511を圧着面1061で圧着接続する。このように、水平方向の省スペースとともに、IC1011に半田ボールを付けないことによって、最大限の垂直方向の省スペース化が可能となる特徴を持つ。
さらに、本発明の実施例8を図11に示す。実施例8においては、多段実装された集積回路が同じ信号を共有していない場合である。
図11(A)においては、集積回路が同じ信号を共有しない場合の従来例であり、BGAタイプのIC211が回路基板1103に半田ボール221により半田付けされ、リード231を備えたIC212がIC211を跨ぐように配置され回路基板1103に接続されている。さらに、BGAタイプのIC1113が回路基板1104に半田ボールにより半田付けされ、シールド1132に覆われている。図11(A)に示すように、回路基板1103及び1104は空間的に省スペースになるように入れ違いになるように対向して配置されている。従来技術では、IC212のリード231により、基板と接続している。この場合、例えば、反対面の基板にIC1113が実装されており、シールド1101で覆われており、リード231の部分のスペースには、シールド1131を置くことができない。
しかし、図11(B)に示す本発明の実施例8では、BGAタイプのIC1111が回路基板1101に半田ボール1121により半田付けされ、IC1112はフレキシブル基板1151に圧着接続され、フレキシブル基板1151はIC1111の外形に沿って略直角に折り曲げられ、IC1111の外側で回路基板1101に圧着接続されている。ここで、半田ボールで半田付けされ、シールド1131で覆われたIC1113が実装された回路基板1102を対向して配置した場合、図11(B)のように、IC1112と圧着させたフレキシブル基板1151を基板1101と圧着させることで、空間的な省スペース化をすることができる。フレキシブル基板1151が基板1101と圧着されている上方の部分は、他の部品を配置することができるという効果が得られ、結果的に、水平方向の省スペース化が図られるという利点が得られる。
上記した本発明においては、フレキシブル基板に圧着用ランドを設け、フレキシブル基板の圧着用ランドと、集積回路の圧着用ランドと、を熱圧着し接続することで垂直方向の省スペース化が図れる。また、フレキシブル基板は、集積回路の形状に沿って、略直角に折り曲げることができることで、水平方向の省スペース化が図れる。
さらに、フレキシブル基板の圧着ランドによる接続、BGAボール用ランドによる半田接続により高密度に個別の電子部品の多段実装を可能とすることで、複数の半導体チップをひとつのパッケージに搭載されたSIPに比べ、開発期間が短く、開発コストも安い。さらには、問題発生時の切り分けが容易で、SIPの組み立て工程によるリスクも無いので、安価で効率の良い製品開発ができることである。本願発明によれば、省スペース化が達成できる電子装置、及びその電子装置の製造方法が得られる。
以上本願発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、実施例の電子部品としては集積回路を例としたが、同様の形状を有する電子部品であれば、適用可能である。
従来の電子装置の断面図である。 実施例1における電子装置の断面図である。 実施例1におけるフレキシブル基板の平面図とその断面図である。 従来例1と実施例1との比較図である。 従来例2と実施例1との比較図である。 実施例2における電子装置の断面図、及びフレキシブル基板の平面図である。 実施例3における電子装置の断面図である。 実施例4における電子装置の断面図、及びフレキシブル基板の平面図である。 実施例5、6における電子装置の断面図である。 実施例7における電子装置の断面図である。 実施例8における電子装置の断面図である。
符号の説明
101、201、301、401、501、601、701、801、901、1001、1101、1102、1103、1104、 回路基板
111、112、211、212、311、411、412、511、512、611、612、613、614、711、712、713、811、812、911、912、1011、1111、1112、1113、 IC(集積回路)
121、122、221、321、421、521、522、621、721、722、723、821、921、1121、 半田ボール
231、 リード
341、342、343、 半導体チップ
451、551、651、751、851、951、1051、1151、 フレキシブル基板
461、661、662、663、861、961、962、1061、1062、 圧着面
471、571、572、771、772、773、 BGAボール用ランド
481、 圧着用ランド
491、 配線
1131、 シールド

Claims (7)

  1. フレキシブル基板を使用した電子装置の製造方法において、前記フレキシブル基板は圧着ランドとボール用ランドとを備え、
    前記圧着ランドと第1の電子部品の圧着ランドとを熱圧着して接続し、
    前記ボール用ランドのほぼ中央部にビアが設けられ、前記ビアを介してBGAタイプの第2の電子部品の半田ボールにより、前記第2の電子部品と、前記フレキシブル基板と、回路基板とを半田接続することを特徴とする電子装置の製造方法。
  2. 前記フレキシブル基板は、略直角に折り曲げられることを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。
  3. 前記フレキシブル基板に備えられた圧着ランドと、ボール用ランドの間は、フレキシブル基板の配線により接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置の製造方法。
  4. 前記フレキシブル基板は、さらに複数の電子部品と熱圧着して接続するための圧着ランドを備え、前記圧着ランドと複数の電子部品の圧着ランドとを熱圧着して接続することで、前記第1の電子部品の上側に複数の電子部品を多段実装することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  5. 回路基板上にフレキシブル基板と複数の電子部品を搭載した電子装置であって、前記フレキシブル基板は圧着ランドとボール用ランドとを備え、
    前記圧着ランドと第1の電子部品の圧着ランドとが熱圧着して接続され、
    前記ボール用ランドのほぼ中央部にビアが設けられ、前記ビアを介してBGAタイプの第2の電子部品の半田ボールにより、前記第2の電子部品と、前記フレキシブル基板と、回路基板とが半田接続されていることを特徴とする電子装置。
  6. 前記フレキシブル基板は、略直角に折り曲げられていることを特徴とする請求項5に記載の電子装置。
  7. 前記第2の電子部品が論理用集積回路であり、前記第1の電子部品がメモリ集積回路であることを特徴とする請求項5または6に記載の電子装置。
JP2004125856A 2004-04-21 2004-04-21 電子装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP4434823B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004125856A JP4434823B2 (ja) 2004-04-21 2004-04-21 電子装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004125856A JP4434823B2 (ja) 2004-04-21 2004-04-21 電子装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005311066A JP2005311066A (ja) 2005-11-04
JP4434823B2 true JP4434823B2 (ja) 2010-03-17

Family

ID=35439483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004125856A Expired - Fee Related JP4434823B2 (ja) 2004-04-21 2004-04-21 電子装置およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4434823B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100713930B1 (ko) 2006-03-03 2007-05-07 주식회사 하이닉스반도체 칩 스택 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005311066A (ja) 2005-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7737545B2 (en) Multi-surface IC packaging structures and methods for their manufacture
US9349708B2 (en) Chip stacked package structure and electronic device
US7550857B1 (en) Stacked redistribution layer (RDL) die assembly package
US7656031B2 (en) Stackable semiconductor package having metal pin within through hole of package
US7834436B2 (en) Semiconductor chip package
US7230332B2 (en) Chip package with embedded component
JP2002033441A (ja) 半導体装置
US6777794B2 (en) Circuit mounting method, circuit mounted board, and semiconductor device
US7884473B2 (en) Method and structure for increased wire bond density in packages for semiconductor chips
KR100849210B1 (ko) 플러그 앤 소켓 형상의 와이어 연결을 갖도록 형성된적층형 반도체 패키지
US20040108580A1 (en) Leadless semiconductor packaging structure with inverted flip chip and methods of manufacture
US7772696B2 (en) IC package having IC-to-PCB interconnects on the top and bottom of the package substrate
KR101252261B1 (ko) 집적 회로 다이, sip 장치 제조 방법 및 멀티칩 패키지장치 제조 방법
US8310062B2 (en) Stacked semiconductor package
US11967587B2 (en) IC package with top-side memory module
US20090179318A1 (en) Multi-channel stackable semiconductor device and method for fabricating the same, and stacking substrate applied to the semiconductor device
US20070069361A1 (en) Chip package and substrate thereof
JP2006165073A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2007266492A (ja) パッケージ基板の製造方法及びパッケージ基板
US10497655B2 (en) Methods, circuits and systems for a package structure having wireless lateral connections
JP4434823B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2006253519A (ja) 半導体装置
US20080116585A1 (en) Multi-chip structure
JP2006202997A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20040227226A1 (en) Structure of multi-tier wire bonding for high frequency integrated circuits and method of layout for the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070313

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090916

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091209

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees