JP4410899B2 - Plasma cleaning device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばワイヤボンディング等の金属間接接合用のパッドを形成した基板を、発生させたプラズマにより洗浄するプラズマ洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種のプラズマ洗浄装置は、基本的には、開閉可能なチャンバと、このチャンバに対して基板を搬入・搬出する搬入・搬出機構と、チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマによりチャンバ内の基板に対して洗浄処理を行う洗浄手段とを備えている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ洗浄装置の搬入・搬出機構は、チャンバで洗浄処理された処理基板をチャンバの一方の側に搬出した後、チャンバの他方の側から洗浄処理前の未処理基板をチャンバ内に搬入するように構成されており、チャンバの両側で動作が行われるため、占有スペースが大きく、装置が大型化する要因となっていた。
【0004】
本発明は上述した問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、基板の搬入・搬出機構の占有スペースを小さくすることによりコンパクト化を図ったプラズマ洗浄装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するために、本発明は、開閉可能なチャンバと、このチャンバに対して基板を搬入・搬出する搬入・搬出機構と、前記チャンバ内にプラズマを発生させ、このプラズマにより前記チャンバ内の基板に対して洗浄処理を行う洗浄手段とを備えたプラズマ洗浄装置であって、前記搬入・搬出機構が、互いに近接して上下に配置された第1基板支持手段及び第2基板支持手段を有した基板載置ステージと、この基板載置ステージと前記チャンバに設けられたトレイとの間を往復移動し、前記チャンバで洗浄処理された処理基板を前記トレイからいずれか一方の基板支持手段に搬送するとともに、いずれか他方の基板支持手段に支持された未処理基板を前記トレイに搬送する搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【0006】
このような構成によれば、搬入・搬出機構が、上下に配置された第1基板支持手段及び第2基板支持手段を有した基板載置ステージからチャンバへの基板の搬入・搬出動作をチャンバの片側のみで行うため、その占有スペースを小さくすることができ、これによって装置のコンパクト化を図ることができる。
【0007】
なお、チャンバを二個備えている場合には、これらのチャンバの本体から外に出されたそれぞれの前記トレイの間に前記基板載置ステージが配置されるとともに、前記搬送手段が、前記第1、第2基板支持手段と前記各トレイとの間をそれぞれ往復移動し、前記各チャンバのトレイに対して基板の搬入・搬出を行うようにすると、基板の搬入・搬出動作がチャンバ間のみで行われ、搬入・搬出機構の占有スペースを特に小さくすることができるので、好ましい。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を図面を参照しながら説明する。図1及び図2は本実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造を示した斜視図、図3は本実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの断面図、図4は本実施形態のプラズマ洗浄装置の動作説明図である。
【0009】
このプラズマ洗浄装置は、例えばベアチップを直接ワイヤボンディングする際に、ボンディングにおけるボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合強度を向上させるため、基板のボンディングパッドを乾式で洗浄するために使用されるものであり、真空容器であるチャンバにアルゴン等のプラズマ反応ガスを充填し、これに高周波電圧を印加することでプラズマを発生させ、そのプラズマに帯電したイオンがボンディングパッドに向かって加速され、ボンディングパッド表面の粒子(実施形態の場合には有機物、酸化物等)を叩き出すことにより、これを洗浄する。
【0010】
図1及び図2に示すように、このプラズマ洗浄装置1は、図示しない洗浄装置本体に着脱自在の一対のチャンバ2、2と、これら一対のチャンバ2、2に交互に高周波電圧を印加する電源部3と、一対のチャンバ2、2にプラズマ反応ガスであるアルゴンガス及びリークのための窒素ガスを交互に供給するガス供給装置4と、各チャンバ2内を真空状態にする一対の真空吸引装置5、5と、第1の基板受け渡し位置P1に配置された供給側マガジン7aから未処理基板Aaを取り出して一対のチャンバ2、2に対して交互に搬入するとともに、チャンバ2、2で洗浄処理された処理基板Abを第2の基板受け渡し位置P2に配置された排出側マガジン7bに収納する搬入・搬出機構6とを備えている。
【0011】
各チャンバ2は、真空容器である箱状のチャンバ本体21と、チャンバ本体21の前面に設けられたフランジ状の蓋体22とを有している。蓋体22は、両側に設けた蓋ガイド23、23によりチャンバ本体21に対して進退自在に構成され、且つチャンバ本体21の側面に設けたチャンバ開閉シリンダ(エアシリンダ)24のピストンロッド25と連結板26を介して連結されている。また、蓋体22の内側には、2枚の基板A、Aを載置するトレイ27が取り付けられており、トレイ27は蓋体22とともに進退する。チャンバ開閉シリンダ24が駆動されて蓋体22が前進すると、チャンバ本体21が開放されるとともに、基板Aを載置したトレイ27が引き出され、蓋体22が後退すると、トレイ27が押し込まれるとともにチャンバ本体21が閉塞される。
【0012】
また、図3に示すように、各チャンバ2には、電源部3に接続された第1高周波電極28と、アースされた第2高周波電極29とが設けられている。この場合、第1高周波電極28は、上記のトレイ27の下部に配設される一方、第2高周波電極29は、チャンバ本体21を構成するケーシングにより構成されている。なお、チャンバ開閉シリンダ24は、図示左側のチャンバ2では、その左側面に取り付けられ、右側のチャンバ2では、その右側面に取り付けられている。また、図示しないが、チャンバ本体21と蓋22の間には、チャンバ2の気密性を保持すべく、Oリング等のシール部材が介在している。
【0013】
電源部3は、高周波電源31と、自動整合器32と、高周波切替器33とを有している。高周波切替器33は、図示しない制御装置(パソコン)に接続され、制御装置の切替指令により、一対のチャンバ2、2に対し高周波電源31を交互に切り替える。自動整合器32は、チャンバ2に印加した高周波の反射波による干渉を防止するものである。
【0014】
ガス供給装置4は、図外のアルゴンガスボンベに連なるアルゴンガス供給管41と、図外の窒素ガスボンベに連なる窒素ガス供給管42と、各チャンバ2に連なる一対のガス導入管43、43と、アルゴンガス供給管41及び窒素ガス供給管42と一対のガス導入管43、43とを接続するガス切替管44とを有している。アルゴンガス供給管41及び窒素ガス供給管42には、それぞれマニュアルで操作されるアルゴンガス供給バルブ45及び窒素ガス供給バルブ46が設けられている。また、アルゴンガス供給管41にはマスフローコントローラ47が介設され、また窒素ガス供給管42にはパージ流量計48が介設され、それぞれガス流量を制御できるようになっている。
【0015】
ガス切替管44は、アルゴンガス供給管41に連なる2本のアルゴン側分岐管44a、44aと、窒素ガス供給管42に連なる2本の窒素側分岐管44b、44bとを有し、各アルゴン側分岐管44aと各窒素側分岐管44bの合流部分に上記の各ガス導入管43が接続されている。両アルゴン側分岐管44a、44aには、それぞれ電磁弁で構成されたアルゴン側切替バルブ49、49が介設され、また、両窒素側分岐管44b、44bには、それぞれ電磁弁で構成された窒素側切替バルブ50、50が介設されている。一対のアルゴン側切替バルブ49、49及び一対の窒素側切替バルブ50、50は制御装置に接続され、制御装置の切替指令により、開閉する。この場合、アルゴンガスのガス量を精度良く制御するため、上記のマスフローコントローラ47は、制御信号に基づいて、フィードバック制御される。
【0016】
アルゴンガス供給バルブ45及び窒素ガス供給バルブ46は、それぞれ常時「開」となっており、一対のチャンバ2、2に交互にアルゴンガスを導入する場合には、両窒素側切替バルブ50、50が「閉」となり、両アルゴン側切替バルブ49、49の一方が「開」、他方が「閉」となる。また、後述するリークの為に窒素ガスを導入する場合には、両アルゴン側切替バルブ49、49が「閉」となり、両窒素側切替バルブ50、50の一方が「開」、他方が「閉」となる。なお、図中の符号51は、プラズマ反応ガスとして、アルゴンガスの他、酸素ガスを導入可能とする場合(仮想線にて図示)に開閉される開閉電磁弁である。
【0017】
各真空吸引装置5は、真空ポンプ61と、真空ポンプ61とチャンバ2を接続する真空配管62とを有している。真空配管62には、チャンバ2側から真空計63、圧力調整バルブ64及びメインバルブ65が介設されている。メインバルブ65は電磁弁で構成されており、メインバルブ65が「開」状態で、フレキシブル管67を介して真空配管62と真空ポンプ61とが連通し、チャンバ2内の真空引きが行われる。
【0018】
搬入・搬出機構6は、両チャンバ2、2と第1、第2の基板受け渡し位置P1、P2に配置された供給側・排出側両マガジン7a、7bとの間で基板Aを搬送する基板搬送機構12と、この基板搬送機構12と両チャンバ2、2との間で基板Aを移載するチャンバ側移載機構13と、基板搬送機構12と供給側・排出側両マガジン7a、7bとの間で基板Aを移載するマガジン側移載機構14と、供給側マガジン7aを駆動する基板ローダ15と、排出側マガジン7bを駆動する基板アンローダ16とを有している。
【0019】
供給側マガジン7aに収容されている未処理基板Aaは、マガジン側移載機構14により基板搬送機構12に移載され、基板搬送機構12により下動位置(供給側マガジン7aと排出側マガジン7bの間の位置)からチャンバ2近傍の上動位置(チャンバ2aとチャンバ2bの間の位置)まで搬送される。ここで、チャンバ側移載機構13が駆動され、未処理基板Aaを基板搬送機構12からチャンバ2のトレイ27に移載する。一方、処理基板Abは、チャンバ側移載機構13によりトレイ27から基板搬送機構12に移載され、基板搬送機構12により上動位置から供給・排出側両マガジン7a、7b近傍の下動位置まで搬送される。ここで、マガジン側移載機構14が駆動され、処理基板Abを基板搬送機構12から排出側マガジン7bに移載する。
【0020】
基板搬送機構12は、図2に示すように、図外の機台に取り付けられた基板昇降装置71と、基板昇降装置71に取り付けられた基板Y動装置72と、基板Y動装置72により図示の前後方向に移動する基板載置ステージ73とを有している。
【0021】
基板載置ステージ73は、ベースプレート75上に、相互に平行に配設した3条の突条76、76、76により、上段及び下段にそれぞれ2枚の基板A、Aを棚板状に載置できるようになっている。すなわち、3条の突条76、76、76には、それぞれ上下に内向きの受け部(図示省略)が突出形成されており、この受け部により上段に2枚の未処理基板Aaを載置する前後一対の第1載置部(第1基板支持手段)77、77が、下段に2枚の処理基板Abを載置する前後一対の第2載置部(第2基板支持手段)78、78が構成されている。すなわち、供給側マガジン7aから移載される未処理基板Aaは第1載置部77、77に載置され、各チャンバ2のトレイ27から移載される処理基板Abは第2載置部78、78に載置される。
【0022】
基板Y動装置72は、後述する基板昇降装置71の昇降ブロック85に取り付けられており、減速機付きの基板Y動モータ80と、基板Y動モータ80により回転するボールネジ81を有している。図示では省略されているが、基板載置ステージ73は、基板昇降装置71の昇降ブロック85との間で前後方向に進退自在に構成(案内)されており、基板載置ステージ73の一部に螺合するボールネジ81が、基板Y動モータ80により正逆回転することにより、基板載置ステージ73が昇降ブロック85に対し、前後方向に進退する。
【0023】
基板昇降装置71は、減速機付きの基板昇降モータ83と、基板昇降モータ83により回転するボールネジ84と、ボールネジ84に螺合する雌ネジ部(図示省略)が形成された昇降ブロック85とを有している。上述のように、基板載置ステージ73及び基板Y動装置72は昇降ブロック85に支持されており、昇降ブロック85は、基板昇降モータ83を介して正逆回転するボールネジ84により、昇降する。なお、基板昇降装置71を基板Y動装置72に取り付け、基板昇降装置71で基板載置ステージ73を昇降させ、基板Y動装置72で基板昇降装置71及び基板載置ステージ73を前後動させるようにしてもよい。
【0024】
後述するように、マガジン7a、7b内部には、それぞれ上下方向に複数の基板収納部が形成されており、基板搬送機構12が供給側マガジン7aから未処理基板Aaを受け取る場合には、供給側マガジン7aの該当する基板収納部の位置に、基板載置ステージ73の第1載置部77が合致するように、基板昇降装置71及び基板Y動装置72が駆動される。具体的には、基板載置ステージ73をホーム位置から後退及び上昇させ、先ず一方の第1載置部77を該当する基板収納部に位置合わせし、さらに基板載置ステージ73の後退(前進)により、他方の第1載置部77を該当する次の基板収納部に位置合わせする。なお、詳細は後述するが、供給側マガジン7aは昇降するようになっており、未処理基板Aaの移載高さ位置(レベル)は特定の位置に設定されている。
【0025】
また、処理基板Abを排出側マガジン7bに受け渡す場合には、同様に第2載置部78の2枚の処理基板Ab、Abを、それぞれ排出側マガジン7bの該当する基板収納部に位置合わせする。この場合も、排出側マガジン7bは昇降するようになっており、処理基板Abの移載高さ位置(上記の移載高さ位置とは異なるが)は特定の位置に設定されている。なお、基板載置ステージ73に対し、供給側マガジン7a及び排出側マガジン7bは、その左右両側に近接して配置されているため(図示では離れているが)、基板Aの移載に際し基板載置ステージ73を左右方向に移動させる必要はない。
【0026】
一方、未処理基板Aa及び処理基板Abをチャンバ2との間でやりとりする場合には、先ず基板昇降装置71及び基板Y動装置72を駆動して、トレイ27上の処理基板Abと第2載置部78を位置合わせし、2枚の処理基板Ab、Abを第2載置部78、78に同時に受け取る(詳細は後述する)。次に、基板載置ステージ73をわずかに下降させ、第1載置部77、77の未処理基板Aaとトレイ27(の上面)とを位置合わせし、2枚の未処理基板Aa、Aaをトレイ27上に受け渡す。なお、この場合も、基板載置ステージ73に対し、両チャンバ2、2は、その左右両側に近接して配置されているため(図示では離れているが)、基板Aの移載に際し基板載置ステージ73を左右方向に移動させる必要はない。
【0027】
マガジン側移載機構14は、未処理基板Aaを供給側マガジン7aから基板搬送機構12に送り出す供給側シリンダ91と、処理基板Abを基板搬送機構12から排出側マガジン7bに送り込む排出側シリンダ92とを有している。供給側シリンダ91は図外の機台に取り付けられており、そのピストンロッド94により、該当する未処理基板Aaの端を押して、これを供給側マガジン7aから基板搬送機構12に送り出す。
【0028】
排出側シリンダ92は、図外の機台に取り付けられ、供給側マガジン7a及び排出側マガジン7b間に亘って延在するシリンダ本体95と、シリンダ本体95により左右方向に移動する送り爪装置96とを有している。送り爪装置96は、ハウジング内にモータ等のアクチュエータを収容するとともに、アクチュエータにより上下動する送り爪97を有している。アクチュエータにより送り爪97を所定の下動位置に移動させ、シリンダ本体95により送り爪装置96を図示左方に移動させることにより、送り爪97が処理基板Abの端を押して、これを基板搬送機構12から排出側マガジン7bに送り込む。
【0029】
供給側シリンダ91のピストンロッド94の高さ位置及び排出側シリンダ92の送り爪97の高さ位置は、上記の移載高さ位置に設定され、且つ、ピストンロッド94側の移載高さ位置と送り爪97の移載高さ位置とは、基板載置ステージ73の第1載置部77と第2載置部78との間の段差分の差を有している。このため、基板載置ステージ73の第1載置部77と第2載置部78を、それぞれ両移載高さ位置に位置合わせしておいて、先ず排出側シリンダ92を駆動することで、処理基板Abが第2載置部78から排出側マガジン7bに送り込まれ、次に供給側シリンダ91を駆動すれば、未処理基板Aaが供給側マガジン7aから第1載置部77に送り出される。もっとも、基板載置ステージ73、供給側マガジン7a及び排出側マガジン7bは昇降可能であり、かつ送り爪97も上下動可能に構成されているため、必ずしも上記のように移載高さ位置を設定する必要はない。
【0030】
なお、詳細は後述するが、供給側マガジン7aから送り出されるべき任意の1枚の未処理基板Aaが収納された基板収納部の選択、及び処理基板Abが送り込まれるべき排出側マガジン7bの任意の1つの基板収納部(何段目か)の選択は、基板ローダ15により供給側マガジン7aを昇降させること、及び基板アンローダ16により排出側マガジン7bを昇降させることで行われる。
【0031】
図1に示すように、チャンバ側移載機構13は、一対のチャンバ2、2間に亘って左右方向に延在するガイドケース101と、ガイドケース101の一方の端部に取り付けられた減速機付きのX動モータ102と、X動モータ102により回転するボールネジ103と、ボールネジ103により左右方向に往復移動する移載爪装置(搬送手段)104とを有している。移載爪装置104は、ハウジング内にモータ等のアクチュエータを収容するとともに、アクチュエータにより上下動する移載爪105を有している。
【0032】
移載爪105の先端は二股に形成されており、トレイ27と基板搬送機構12との間で、2枚の基板A、Aを同時に移載可能に構成されている。移載爪装置104は、ハウジングの部分でガイドケース101により左右方向の移動をガイドされており、X動モータ102を介してボールネジ103が正逆回転することにより、移載爪装置104はガイドケース101に沿って左右方向に移動する。また、アクチュエータの正逆駆動により、移載爪105が上下動する。
【0033】
基板搬送機構12が第1載置部77、77に未処理基板Aaを載置してチャンバ2に臨むと、X動モータ102が駆動されて移載爪装置104をトレイ27の端位置に移動させ、続いて移載爪装置104が駆動されて移載爪105をトレイ27の上面位置まで下動させる。次に、X動モータ102が駆動されて移載爪装置104を基板搬送機構12側に移動させる。これにより、移載爪105がトレイ27上の2枚の処理基板Ab、Abを押すようにして移動させ、処理基板Ab、Abを基板搬送機構12の第2載置部78、78に受け渡す。次に、移載爪105を未処理基板Aaに合わせてわずかに上動させた後、移載爪装置104をトレイ27側に移動させることにより、移載爪105が2枚の未処理基板Aa、Aaを第1載置部77、77からトレイ27上に受け渡す。なお、移載爪105を二股とせず、基板Aを1枚ずつ移載させる構造であってもよい。
【0034】
図2に示すように、基板ローダ15は、複数個の供給側マガジン7aを載置可能な供給側マガジン載置台111と、供給側マガジン載置台111から供給された供給側マガジン7aを昇降させる供給側昇降装置112と、供給側マガジン7aを供給側マガジン載置台111から供給側昇降装置112に送り込む供給側マガジンシリンダ113とを有している。供給側マガジン7aは、両側壁にそれぞれ複数の受け部が形成され、これによって上下方向に複数個の基板収納部が形成されており、基板Aを複数段に亘って棚板状に収容できるようになっている。そして、このように構成された供給側マガジン7aは、未処理基板Aaを収容した状態で、前面を基板搬送機構12側に向けて配設されている。なお、排出側マガジン7bは、この供給側マガジン7aと全く同一のものである。
【0035】
供給側マガジンシリンダ113は、供給側昇降装置112の供給側マガジン7aが空になったときに、そのピストンロッド115により、供給側マガジン載置台111に載置されている複数個の供給側マガジン7aを順に送り込んで、新たに供給側マガジン7aを供給側昇降装置112に供給する。なお、供給側マガジン載置台111に新たに投入される供給側マガジン7aは、ピストンロッド115が後退した状態で、供給側マガジン載置台111のピストンロッド115側に投入される。
【0036】
供給側昇降装置112は、減速機付きのマガジン昇降モータ116と、マガジン昇降モータ116により回転するボールネジ117と、ボールネジ117に螺合する雌ネジ部(図示省略)が形成された昇降ブロック118とを有している。未処理基板Aaを送り出す供給側マガジン7aは、昇降ブロック118に支持されており、昇降ブロック118は、マガジン昇降モータ116を介して正逆回転するボールネジ117により、昇降する。
【0037】
供給側昇降装置112に送り込まれた供給側マガジン7aは適宜昇降し、その際上記の供給側シリンダ91が、供給側マガジン7aに収容した未処理基板Aaを1枚ずつ送り出してゆく。この場合、未処理基板Aaを、供給側マガジン7aの最下段のものから順に送り出してゆくことが、好ましい。すなわち、最初に最下段の未処理基板Aaを移載高さ位置に位置合わせしてこれを送り出し、次に下から2段目の未処理基板Aaを移載高さ位置に位置合わせ(下降)してこれを送り出す。このようにして、最上段の未処理基板Aaを送り出したところで、供給側マガジン7aが空になるため、これをさらに下降させてマガジン移送部10に受け渡すようにしている。
【0038】
基板アンローダ16は、基板ローダ15と同様に、複数個の排出側マガジン7bを載置可能な排出側マガジン載置台121と、排出側マガジン7bを昇降させる排出側昇降装置122と、処理基板Abで満杯になった排出側マガジン7bを排出側昇降装置122から排出側マガジン載置台121に送り込む排出側マガジンシリンダ123とを有している。排出側マガジンシリンダ123は、そのピストンロッド125により、満杯になった排出側マガジン7bを順次排出側マガジン載置台121に送り込んでゆく。
【0039】
排出側昇降装置122は、供給側昇降装置112と同様に、マガジン昇降モータ126と、ボールネジ127と、昇降ブロック128とを有している。処理基板Abが送り込まれる排出側マガジン7bは、昇降ブロック128に支持されており、昇降ブロック128は、マガジン昇降モータ126を介して正逆回転するボールネジ127により、昇降する。この場合、空の排出側マガジン7bは、マガジン移送部10を介して供給側昇降装置112から供給される。
【0040】
そして、この場合も、排出側昇降装置122の排出側マガジン7bは適宜昇降し、その際上記の排出側シリンダ92が、排出側マガジン7bに処理基板Abを1枚ずつ送り込んでゆく。この場合には、排出側マガジン7bを間欠上昇させながら、処理基板Abを最上段から順に収容してゆくことが好ましい。なお、供給側昇降装置112及び排出側昇降装置122の各昇降ブロック118、128は、各マガジン7a、7bを載置するプレート部位118a、128aの中央が、広く「コ」字状に切り欠かれており、後述するチャック装置131が上下方向にすり抜け得るようになっている。
【0041】
マガジン移送部10は、空マガジン(空になった供給側マガジン7a)7cを受け取って把持するチャック装置131と、先端部でチャック装置131を支持する回転アーム132と、回転アーム132を基端部を中心に回転させる減速機付きの回転モータ133とを有している。回転モータ133は、図外の機台に固定されており、回転アーム133を水平面内において角度180度、往復回転(回動)させ、チャック装置131に把持した空マガジン7cを基板ローダ15から基板アンローダ16に移送する。チャック装置131は、上面に空マガジン7cが載置されるハウジング135と、ハウジング135内に収容したシリンダ(図示省略)と、ハウジング135の上面から突出しシリンダにより離接方向に相互に移動する一対のチャック136、136とを有している。
【0042】
一対のチャック136、136を離間する方向に開いておいて、供給側昇降装置112に臨ませ、この状態で、供給側昇降装置112に載置されている空マガジン7cを下降させると、昇降ブロック118のプレート部位118aがチャック136を上側から下側にすり抜けたところで、空マガジン7cがハウジング135の上面に載る。これにより、空マガジン7cが供給側昇降装置112からマガジン移送部10に受け渡される。ここで、一対のチャック136、136を閉じるようにして、空マガジン7cを把持する。空マガジン7cがチャック装置121に不動に把持されたら、回転アーム132を回動させて空マガジン7cを排出側昇降装置122に臨ませる。
【0043】
このとき、排出側昇降装置122の昇降ブロック128には排出側マガジン7bは無く、また、昇降ブロック128は下降位置にある。空マガジン7cが排出側昇降装置122に臨んだら、チャック装置131による把持状態を解除し、昇降ブロック128を上昇させる。昇降ブロック128が上昇し、そのプレート部位128aがチャック136を下側から上側にすり抜けると、昇降ブロック128が空マガジン7cを自動的に受け取ってそのまま上昇する。なお、マガジン移送部10により、基板ローダ15から基板アンローダ16に移送された空マガジン7cは、基板アンローダ16で排出側マガジン7bとして利用されるが、空マガジン7cは回転して移送されるため、その前部が搬入・搬出機構6側に向いた姿勢で、基板アンローダ16に受け渡される。このため、移送の前後で別の装置により空マガジン7cの姿勢を変える必要がない。
【0044】
なお、搬入・搬出機構6、基板ローダ15、基板アンローダ16、及びマガジン移送部10におけるモータやシリンダ等のアクチュエータは制御装置に接続され、この制御装置により総括的に制御される。なお、本実施形態では、制御装置として、米国のマイクロソフト社のウィンドウズをオペレーティングシステムとするパーソナルコンピュータを使用しているが、他のものを使用することもできる。
【0045】
次に、図1、図2、及び図4を参照して、各部の動作を順を追って説明する。図4において、左側のチャンバ2aは基板Aの洗浄工程にあり、右側のチャンバ2bは基板Aの搬入・搬出工程にあるものとする。右側のチャンバ2bでトレイ27が外部に引き出される動きに合わせて供給側シリンダ91が駆動され、供給側マガジン7aから二枚の未処理基板Aa、Aaが基板載置ステージ73に供給され、第1載置部77、77に支持される。そして、基板昇降装置71及び基板Y動装置72が駆動され、基板載置ステージ73がチャンバ2a、2b間の所定の位置まで移動する。
【0046】
ここで、チャンバ側移載機構13の移載爪装置104が駆動され、移載爪105が右側のチャンバ2bのトレイ27の右端位置から左方向に移動してトレイ27上の処理基板Ab、Abを基板載置ステージ73の第2載置部78、78上に移載し、続いて移載爪105が第1載置部77、77の左側に移動し、ここから右方向に移動して第1載置部77、77上の未処理基板Aaを右側のチャンバ2bのトレイ27上に移載する。そして右側のチャンバ2bのトレイ27がチャンバ本体21内に収納され、右側のチャンバ2bが洗浄工程に移行する。同時に、基板昇降装置71及び基板Y動装置72が駆動され、基板載置ステージ73がマガジン7a、7b間の所定の位置まで移動する。そして、マガジン側移載機構14の送り爪装置96が駆動され、その送り爪97が基板載置ステージ73の第2載置部78、78上の処理基板Ab、Abを排出側マガジン7bに収納する。
【0047】
右側のチャンバ2bが洗浄工程に移行すると同時に、左側のチャンバ2aは、窒素ガスによるリークを経て搬入・搬出工程に移行する。そして今度は、左側のチャンバ2aでトレイ27が引き出される動きに合わせて供給側シリンダ91が駆動され、供給側マガジン7aから二枚の未処理基板Aa、Aaが基板載置ステージ73に供給され、第1載置部77、77に支持される。そして、基板昇降装置71及び基板Y動装置72が駆動され、基板載置ステージ73がチャンバ2a、2b間の所定の位置まで移動する。
【0048】
ここで、チャンバ側移載機構13の移載爪装置104が駆動され、移載爪105が左側のチャンバ2bのトレイ27の左端位置から右方向に移動してトレイ27上の処理基板Ab、Abを第2載置部78、78上に移載し、続いて移載爪105が第1載置部77、77の右側に移動し、ここから移載爪105が左方向に移動して第1載置部77、77上の未処理基板Aaを左側のチャンバ2aのトレイ27上に移載する。そして左側のチャンバ2aのトレイ27がチャンバ本体21内に収納され、左側のチャンバ2aが洗浄工程に移行する。同時に、基板昇降装置71及び基板Y動装置72が駆動され、基板載置ステージ73がマガジン7a、7b間の所定の位置まで移動する。そして、マガジン側移載機構14の送り爪装置96が駆動され、その送り爪97が基板載置ステージ73上の処理基板Ab、Abを排出側マガジン7bに収納する。
【0049】
左側のチャンバ2aが洗浄工程に移行すると同時に、右側のチャンバ2bは、窒素ガスによるリークを経て搬入・搬出工程に移行する。すなわち、左右のチャンバ2a、2bは交互に搬入・搬出工程と洗浄工程とを繰り返し、これに合わせて、搬入・搬出機構6は、左右のチャンバ2a、2bに対し、未処理基板Aa及び処理基板Abを交互に搬入・搬出するのである。
【0050】
このように、互いに近接して配置された第1載置部77及び第2載置部78を有する基板載置ステージ73がチャンバ2a、2b間に配置されるとともに、チャンバ側移載機構13の移載爪装置104が基板載置ステージ73とチャンバ2a、2bとの間をそれぞれ往復移動し、チャンバ2a、2bに対して基板の搬入・搬出を行うようにしたことにより、基板の搬入・搬出動作がチャンバ2a、2b間のみで行われるため、搬入・搬出機構6の占有スペースが小さく、装置のコンパクト化を図ることができるものである。
【0051】
なお、上述した実施形態では、搬入・搬出機構が、チャンバで洗浄処理された処理基板を排出側マガジンに収納するようにしているが、処理基板が、マガジンに収納する際に生じる塵埃を問題にしないものである場合には、処理基板を供給側マガジンに戻すようにしてもよい。このようにすると、空マガジンが生じなくなり、空マガジンを処理する必要が無くなるため、生産性が向上する。なお、このようなことが本発明で容易に可能であるのは、処理基板を支持する第2基板支持手段(実施形態では第2載置部78)が未処理基板を支持する第1基板支持手段(実施形態では第1載置部77)に近接して配置されていて、第1基板支持手段が供給側マガジンから未処理基板を受け取る際に、第2基板支持手段が供給側マガジンの近傍に位置しているからである。
【0052】
また、上述した実施形態では、チャンバを2個備えた場合について説明したが、チャンバは1個であってもよい。
【0053】
その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範囲で上述した実施形態に種々の変形を施すことができる。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のプラズマ洗浄装置によれば、搬入・搬出機構が、上下に配置された第1基板支持手段及び第2基板支持手段を有した基板載置ステージからチャンバへの基板の搬入・搬出動作をチャンバの片側のみで行うため、その占有スペースを小さくすることができ、これによって装置のコンパクト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造(上半部)を示した斜視図。
【図2】 実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造(下半部)を示した斜視図。
【図3】 実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの断面図。
【図4】 実施形態のプラズマ洗浄装置の動作説明図。
【符号の説明】
2 チャンバ
4 ガス供給装置
5 真空吸引装置
6 搬入・搬出機構
28 第1高周波電極
29 第2高周波電極
31 高周波電源
33 高周波切替器
77 第1載置部(第1基板支持手段)
78 第2載置部(第2基板支持手段)
104 移載爪装置(搬送手段)
Aa 未処理基板
Ab 処理基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a plasma cleaning apparatus for cleaning a substrate on which a pad for indirect metal bonding such as wire bonding is formed with generated plasma.
[0002]
[Prior art]
This type of plasma cleaning apparatus basically includes a chamber that can be opened and closed, a loading / unloading mechanism for loading / unloading a substrate to / from the chamber, and plasma generated in the chamber. Cleaning means for performing a cleaning process on the substrate.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
A conventional carry-in / carry-out mechanism of the plasma cleaning apparatus carries a processed substrate cleaned in the chamber to one side of the chamber, and then loads an unprocessed substrate before the cleaning process into the chamber from the other side of the chamber. Since the operation is performed on both sides of the chamber, the occupied space is large and the apparatus becomes large.
[0004]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a plasma cleaning apparatus that is made compact by reducing the occupied space of the substrate loading / unloading mechanism.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-described object, the present invention provides a chamber that can be opened and closed, a loading / unloading mechanism for loading / unloading a substrate into / from the chamber, and generating plasma in the chamber, and the plasma generates the chamber. And a cleaning means for performing a cleaning process on the inner substrate, wherein the loading / unloading mechanisms are close to each other. Up and down Arranged first substrate support means and second substrate support means A substrate placement stage having the substrate placement stage, a tray provided in the chamber, The processing substrate cleaned in the chamber is moved back and forth between From the tray While transporting to one of the substrate support means, unprocessed substrate supported by either of the other substrate support means On the tray And a conveying means for conveying.
[0006]
According to such a configuration, the loading / unloading mechanism is From a substrate mounting stage having first and second substrate support means arranged above and below Since the loading / unloading operation of the substrate to / from the chamber is performed only on one side of the chamber, the occupied space can be reduced, thereby making the apparatus compact.
[0007]
In addition, when two chambers are provided, these The substrate mounting stage between each of the trays which are moved out of the main body of the chamber Is disposed, and the transfer means includes the first and second substrate support means. Each tray Reciprocally move between and On the tray of each chamber On the other hand, it is preferable to carry in / out the substrate because the substrate carry-in / out operation is performed only between the chambers, and the space occupied by the carry-in / out mechanism can be particularly reduced.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 are perspective views showing the overall structure of the plasma cleaning apparatus of the present embodiment, FIG. 3 is a sectional view of a chamber of the plasma cleaning apparatus of the present embodiment, and FIG. 4 is an operation of the plasma cleaning apparatus of the present embodiment. It is explanatory drawing.
[0009]
This plasma cleaning apparatus is used to dry the substrate bonding pad in a dry manner in order to improve the bonding strength between the bonding pad and the bonding wire in bonding, for example, when directly bonding the bare chip to the wire. A chamber, which is a vacuum vessel, is filled with a plasma reaction gas such as argon, and a high frequency voltage is applied to the chamber to generate plasma. The ions charged in the plasma are accelerated toward the bonding pad, and particles on the bonding pad surface This is cleaned by knocking out (in the case of the embodiment, organic matter, oxide, etc.).
[0010]
As shown in FIGS. 1 and 2, the plasma cleaning apparatus 1 includes a pair of
[0011]
Each
[0012]
Further, as shown in FIG. 3, each
[0013]
The power supply unit 3 includes a high
[0014]
The gas supply device 4 includes an argon gas supply pipe 41 connected to an argon gas cylinder (not shown), a nitrogen
[0015]
The
[0016]
The argon gas supply valve 45 and the nitrogen
[0017]
Each
[0018]
The loading /
[0019]
The unprocessed substrate Aa accommodated in the supply-
[0020]
As shown in FIG. 2, the substrate transport mechanism 12 is illustrated by a
[0021]
The substrate mounting stage 73 mounts two substrates A and A in the form of a shelf on the upper and lower tiers by means of three
[0022]
The substrate Y moving device 72 is attached to a
[0023]
The
[0024]
As will be described later, a plurality of substrate storage portions are formed in the
[0025]
When the processing substrate Ab is transferred to the
[0026]
On the other hand, when the unprocessed substrate Aa and the processed substrate Ab are exchanged with the
[0027]
The magazine
[0028]
The discharge-
[0029]
The height position of the
[0030]
Although details will be described later, it is possible to select a substrate storage unit in which an arbitrary unprocessed substrate Aa to be sent out from the supply-
[0031]
As shown in FIG. 1, the chamber-
[0032]
The tip of the
[0033]
When the substrate transport mechanism 12 places the unprocessed substrate Aa on the
[0034]
As shown in FIG. 2, the
[0035]
The supply-
[0036]
The supply
[0037]
The supply-
[0038]
Similarly to the
[0039]
Similarly to the supply
[0040]
Also in this case, the discharge-
[0041]
The
[0042]
When the pair of
[0043]
At this time, the
[0044]
Note that actuators such as motors and cylinders in the loading /
[0045]
Next, the operation of each unit will be described in order with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIG. In FIG. 4, the
[0046]
Here, the
[0047]
At the same time that the
[0048]
Here, the
[0049]
At the same time that the
[0050]
As described above, the substrate placement stage 73 having the
[0051]
In the above-described embodiment, the loading / unloading mechanism stores the processing substrate cleaned in the chamber in the discharge-side magazine. However, the processing substrate has a problem with dust generated when it is stored in the magazine. If not, the processing substrate may be returned to the supply side magazine. In this way, an empty magazine is not generated, and it is not necessary to process the empty magazine, so that productivity is improved. Note that this is easily possible with the present invention in that the second substrate support means (second mounting portion 78 in the embodiment) that supports the processed substrate supports the first substrate that supports the unprocessed substrate. When the first substrate support means receives an unprocessed substrate from the supply-side magazine, the second substrate support means is located in the vicinity of the supply-side magazine. It is because it is located in.
[0052]
In the above-described embodiment, the case where two chambers are provided has been described, but one chamber may be provided.
[0053]
In addition, various modifications can be made to the above-described embodiment without departing from the gist of the present invention.
[0054]
【The invention's effect】
As described above, according to the plasma cleaning apparatus of the present invention, the carry-in / carry-out mechanism is From a substrate mounting stage having first and second substrate support means arranged above and below Since the loading / unloading operation of the substrate to / from the chamber is performed only on one side of the chamber, the occupied space can be reduced, thereby making the apparatus compact.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an overall structure (upper half) of a plasma cleaning apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a perspective view showing an overall structure (lower half) of the plasma cleaning apparatus according to the embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a chamber of the plasma cleaning apparatus according to the embodiment.
FIG. 4 is an operation explanatory view of the plasma cleaning apparatus of the embodiment.
[Explanation of symbols]
2 chambers
4 Gas supply device
5 Vacuum suction device
6 Loading / unloading mechanism
28 First high frequency electrode
29 Second high frequency electrode
31 High frequency power supply
33 High frequency switching device
77 First placement portion (first substrate support means)
78 Second placement portion (second substrate support means)
104 Transfer claw device (conveying means)
Aa Untreated substrate
Ab processing substrate
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