KR101340618B1 - Cluster apparatus for processing substrate and cleaning method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수개의 공정장치에서 발생된 잔류물을 클리닝하기 위해 클리닝 방식 및 구조를 개선한 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 처리용 클러스터 장치는 클리닝 장치와, 클리닝 장치에 연접하며 기판이 처리되는 공정실이 형성된 챔버 및 기판이 인출입되도록 챔버의 상부를 개폐하는 리드가 구비된 공정챔버를 갖는 적어도 하나의 공정장치를 포함하며, 리드는 공정장치에서 기판이 공정되는 공정위치와 클리닝 장치에서 클리닝 되는 클리닝 위치 사이에서 왕복 이동되는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 클리닝 장치와 공정장치 사이에서의 리드 왕복 이동에 따라 클리닝 및 기판의 처리 공정을 수행하여 공정장치에 대한 클리닝 시간을 단축시킬 수 있고, 이에 따라 제품 생산 효율을 향상시킬 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing cluster apparatus having improved cleaning method and structure for cleaning residues generated in a plurality of processing apparatuses, and a cleaning method thereof. At least one substrate processing cluster apparatus according to the present invention includes a cleaning apparatus, a chamber connected to the cleaning apparatus, a chamber in which a process chamber in which a substrate is processed, and a process chamber provided with a lid for opening and closing the upper portion of the chamber so that the substrate is drawn in and out. And a lid, wherein the lid is reciprocated between a process position in which the substrate is processed in the processing apparatus and a cleaning position cleaned in the cleaning apparatus. As a result, cleaning and substrate processing may be performed according to the lead reciprocating movement between the cleaning apparatus and the processing apparatus, thereby shortening the cleaning time for the processing apparatus, thereby improving product production efficiency.

Description

기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법{CLUSTER APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND CLEANING METHOD THEREOF}Cluster device for substrate processing and cleaning method thereof {CLUSTER APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND CLEANING METHOD THEREOF}

본 발명은 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 처리 공정의 종료 후 공정장치를 클리닝할 수 있는 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing cluster apparatus and a cleaning method thereof, and more particularly, to a substrate processing cluster apparatus and a cleaning method thereof capable of cleaning a processing apparatus after completion of a substrate processing process.

일반적으로 기판 처리용 클러스터 장치는 복수개의 공정장치를 구비하여 기판을 처리하는 장치이다. 일 예로서, 기판 처리용 클러스터 장치는 인라인 방식과 같이 다양하게 구성될 수 있다. 기판 처리용 클러스터 장치 중 가장 많이 사용되는 방식은 화학기상 증착방식(CVD: Chemical Vapor Deposition)으로서 기판과 같은 웨이퍼를 공정장치의 공정챔버 내부에 수용시킨 후 공정가스를 주입하면서 소정의 온도 분위기에서 기판 상에 결정층을 증착시키는 것이다.Generally, the cluster apparatus for substrate processing is an apparatus which processes a board | substrate with several process apparatuses. As an example, the substrate processing cluster apparatus may be configured in various ways such as an inline manner. The most widely used cluster apparatus for substrate processing is chemical vapor deposition (CVD), which accommodates a wafer, such as a substrate, in a process chamber of a process apparatus and injects a process gas into the substrate at a predetermined temperature atmosphere. It is to deposit a crystal layer on.

이러한 기판 처리용 클러스터 장치는 각각의 공정장치의 공정챔버 내부에서 다양한 공정가스들에 의한 공정이 이루어지는 동안 공정챔버 내부에 필연적으로 발생된 잔류물이 기판 이외의 영역, 예를 들어 공정챔버의 상하측벽, 서셉터 또는 히터유닛 등에 증착되기 때문에 다음 기판 처리를 위해서는 클리닝 작업이 요구된다.Such a substrate processing cluster apparatus has a residue inevitably generated inside the process chamber during processing by various process gases in the process chamber of each process apparatus, except for the substrate, for example, upper and lower walls of the process chamber. As a result of the deposition on the susceptor or the heater unit, a cleaning operation is required for the next substrate processing.

한편, 종래의 기판 처리용 클러스터 장치는 "대한민국 공개특허공보 제2003-0018422호"인 "원자층 형성 공정 반응기의 인슈트 클리닝방법"에 개시된 바 있다. 상술한 선행기술 문헌인 "원자층 형성 공정 반응기의 인슈트 클리닝 방법"은 서셉터가 설치된 공정챔버 내부에 클리닝 가스를 주입하여 클리닝하는 방식을 이용한다. 여기서, 서셉터는 공정챔버의 외부로 이동되어 청소될 수도 있다.On the other hand, a conventional substrate processing cluster apparatus has been disclosed in the "Institut cleaning method of the atomic layer forming process reactor" of "Korean Patent Publication No. 2003-0018422". The above-mentioned prior art document "In-Suite Cleaning Method of Atomic Layer Forming Process Reactor" uses a method of cleaning by injecting a cleaning gas into a process chamber in which a susceptor is installed. Here, the susceptor may be moved out of the process chamber and cleaned.

그런데, 종래의 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 방식은 서셉터를 외부로 이동시켜 클리닝하거나 공정 종료 후 클리닝 가스를 주입하고 작업자가 직접 클리닝 하는 방식을 이용하기 때문에 클리닝 소요 시간 증대를 초래하는 문제점 있다.However, the conventional cleaning method of the substrate processing cluster apparatus has a problem in that the cleaning time is increased because the susceptor is moved to the outside for cleaning or the cleaning gas is injected after the end of the process and the worker directly cleans the cleaning apparatus.

또한, 공정챔버의 클리닝 소요 시간 증대에 따라 기판 처리를 위한 공정 준비 소요 시간이 증가함으로써, 생산 효율 저하를 초래할 수 있는 문제점도 있다.In addition, as the time required for preparing the substrate for processing the substrate increases as the time required for cleaning the process chamber increases, there is a problem that may lead to a decrease in production efficiency.

대한민국 공개특허공보 제2003-0018422호Republic of Korea Patent Publication No. 2003-0018422

본 발명의 목적은 복수개의 공정장치에서 발생된 잔류물을 클리닝하기 위해 클리닝 방식 및 구조를 개선한 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing cluster apparatus and a cleaning method thereof having improved cleaning methods and structures for cleaning residues generated in a plurality of processing apparatuses.

상기 과제의 해결 수단은, 본 발명에 따라 기판 처리용 클러스터 장치에 있어서, 클리닝 장치와, 상기 클리닝 장치에 연접하며 기판이 처리되는 공정실이 형성된 챔버 및 상기 기판이 인출입되도록 상기 챔버의 상부를 개폐하는 리드가 구비된 공정챔버를 갖는 적어도 하나의 공정장치를 포함하며, 상기 리드는 상기 공정장치에서 상기 기판이 공정되는 공정위치와 상기 클리닝 장치에서 클리닝 되는 클리닝 위치 사이에서 왕복 이동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치에 의해 이루어진다.According to the present invention, in the substrate processing cluster apparatus, a cleaning apparatus, a chamber in which a processing chamber is formed in contact with the cleaning apparatus and in which a substrate is processed, and an upper portion of the chamber is pulled out. And at least one processing apparatus having a process chamber having a lid for opening and closing, wherein the lid is reciprocated between a processing position at which the substrate is processed in the processing apparatus and a cleaning position cleaned at the cleaning apparatus. By a cluster apparatus for substrate processing.

여기서, 상기 클리닝 장치는 상기 리드의 상기 클리닝 위치에서 상기 리드에 의해 밀폐되며 상기 리드의 하부면의 잔류물을 배출하는 배출공이 형성된 클리닝 챔버와, 상기 클리닝 챔버 내부에 배치되며 상기 리드의 하부면에 접촉되어 상기 리드의 하부면의 잔류물을 클리닝 하도록 회전 운동되는 클리너를 포함할 수 있다.Here, the cleaning device is a cleaning chamber which is sealed by the lid at the cleaning position of the lid and has a discharge hole for discharging the residue of the lower surface of the lid, and is disposed inside the cleaning chamber and is disposed on the lower surface of the lid. It may include a cleaner that is in contact with the rotary motion to clean the residue of the lower surface of the lid.

바람직하게 상기 리드는 상기 공정위치에서 상기 챔버를 밀폐하도록 상기 챔버의 개구를 폐쇄하고 상기 클리닝 위치에서 상기 클리닝 챔버를 밀폐하도록 상기 클리닝 챔버의 개구를 폐쇄할 수 있다.Preferably the lid may close the opening of the chamber to seal the chamber in the processing position and close the opening of the cleaning chamber to seal the cleaning chamber in the cleaning position.

더욱 바람직하게 상기 클리닝 장치는 장방형으로 마련되며 상기 공정장치는 장방형 형상의 상기 클리닝 장치에 각 변에 연접하도록 4개가 마련될 수 있다.More preferably, the cleaning apparatus may be provided in a rectangular shape, and four processing apparatuses may be provided in contact with each side of the cleaning apparatus having a rectangular shape.

한편, 상기 과제의 해결수단은, 본 발명에 따라 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 방법에 있어서, 상기 기판 처리용 클러스터 장치는 클리닝 챔버를 갖는 클리닝 장치와, 상기 클리닝 장치에 연접하며 챔버 및 챔버를 개폐하는 리드가 구비된 공정챔버를 갖는 적어도 하나의 공정장치를 포함하며, (a) 상기 공정장치에서 기판의 공정 처리 후 상기 공정챔버의 상기 리드로 상기 챔버를 개방하는 단계와, (b) 상기 리드를 상기 클리닝 장치로 이동하는 단계와, (c) 상기 클리닝 챔버의 개구를 상기 리드로 폐쇄하는 단계와, (d) 상기 리드의 하부면을 클리닝 하는 단계와, (e) 상기 (d)단계에서 클리닝된 상기 리드를 상기 공정장치로 이동시킨 후 상기 리드로 상기 챔버의 개구를 폐쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 방법에 의해서도 이루어진다.On the other hand, according to the present invention, in the cleaning method of the substrate processing cluster apparatus according to the present invention, the substrate processing cluster apparatus is connected to the cleaning apparatus and the cleaning apparatus having a cleaning chamber, the chamber and the chamber is opened and closed And (a) opening the chamber to the lid of the process chamber after the substrate is processed in the processing apparatus, and (b) the lid Moving to the cleaning apparatus, (c) closing the opening of the cleaning chamber with the lid, (d) cleaning the lower surface of the lid, and (e) in (d) Moving the cleaned lid to the processing apparatus and then closing the opening of the chamber with the lid. Ning made by the method.

여기서, 상기 클리닝 장치는 상기 클리닝 챔버 내부에 배치되는 클리너를 더 포함하며, 상기 (d)단계는 상기 클리너를 회전시켜 상기 리드 하부면의 잔류물을 제거하는 것이 바람직하다.Here, the cleaning apparatus further includes a cleaner disposed in the cleaning chamber, and in the step (d), it is preferable to remove the residue on the lower surface of the lid by rotating the cleaner.

바람직하게 상기 클리닝 챔버의 하부에는 상기 리드의 잔류물을 배출하는 배출공이 형성되며, 상기 (d) 단계에서 클리닝된 잔류물은 상기 배출공으로 배출될 수 있다.Preferably, a discharge hole for discharging the residue of the lid is formed in the lower portion of the cleaning chamber, the residue cleaned in the step (d) may be discharged to the discharge hole.

기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명에 따른 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법은 효과는 다음과 같다.The substrate processing cluster apparatus and the cleaning method thereof according to the present invention have the following effects.

첫째, 클리닝 장치와 공정장치 사이에서 리드를 왕복 이동 시켜 클리닝 및 기판의 처리 공정을 수행하여 공정장치에 대한 클리닝 시간을 단축시킬 수 있고, 이에 따라 제품 생산 효율을 향상시킬 수 있다.First, the lid may be reciprocated between the cleaning apparatus and the processing apparatus to perform cleaning and substrate processing, thereby shortening the cleaning time of the processing apparatus, thereby improving product production efficiency.

둘째, 공정장치에서 기판 처리 공정을 위한 리드를 클리닝 장치로 이동시킬 수 있으므로 클리닝 장치의 외부면 전체에 각각 공정장치를 연접 배치할 수 있고, 이에 따라 제품 생산 사이클을 단축시킬 수 있다.Second, since the lid for the substrate processing process can be moved from the processing apparatus to the cleaning apparatus, the processing apparatus may be disposed in the entire outer surface of the cleaning apparatus, thereby shortening the product production cycle.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치의 개략 구성도,
도 2는 도 1에 도시된 클리닝 장치의 평면도,
도 3A 내지 도 3D는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 작동 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a cluster apparatus for substrate processing according to a preferred embodiment of the present invention;
2 is a plan view of the cleaning apparatus shown in FIG.
3A to 3D are diagrams illustrating a cleaning operation of a cluster apparatus for processing a substrate according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing cluster apparatus and a cleaning method thereof according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

설명하기에 앞서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치 및 이의 클리닝 방법은 화학기상 증착장치로 설명되나, 기판 처리를 하는 모든 장치의 클리닝에 이용될 수 있음을 미리 밝혀둔다.Prior to the description, a substrate processing cluster apparatus and a cleaning method thereof according to a preferred embodiment of the present invention will be described as a chemical vapor deposition apparatus, but it can be known in advance that it can be used for cleaning of all the substrate processing apparatus.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치의 개략 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 클리닝 장치의 평면도이다.1 is a schematic configuration diagram of a cluster apparatus for substrate processing according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the cleaning apparatus illustrated in FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치(10)는 클리닝 장치(100) 및 공정장치(300)를 포함한다. 기판 처리용 클러스터 장치(10)는 클리닝 장치(100)를 중심으로 복수개의 공정장치(300)를 배치한다. 그리고, 기판 처리용 클러스터 장치(10)는 복수개의 공정장치(300)에서 각각 기판의 증착 공정을 수행할 수 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the substrate processing cluster apparatus 10 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a cleaning apparatus 100 and a processing apparatus 300. The substrate processing cluster apparatus 10 arranges a plurality of processing apparatuses 300 around the cleaning apparatus 100. In addition, the substrate processing cluster apparatus 10 may perform a substrate deposition process on each of the plurality of process apparatuses 300.

클리닝 장치(100)는 본 발명의 일 실시 예로서, 클리닝 챔버(120) 및 클리너(140)를 포함한다. 클리닝 장치(100)는 사각통 형상으로 마련되며, 클리닝 장치(100)의 각 변에는 공정장치(300)가 연접 배치된다.The cleaning device 100 includes, as an embodiment of the present invention, a cleaning chamber 120 and a cleaner 140. The cleaning apparatus 100 is provided in a rectangular cylinder shape, and the processing apparatus 300 is connected to each side of the cleaning apparatus 100.

클리닝 챔버(120)는 클리닝실(122), 클리닝 개구부(124; 도 3a 내지 도 3d 참조) 및 배출공(126)을 포함한다. 클리닝 챔버(120)는 후술할 공정챔버(500; 도 3a 내지 도 3d 참조)의 리드(540; 도 3a 내지 도 3d 참조)의 형상에 대응하여 원통 형상으로 마련된다. 물론, 클리닝 챔버(120)는 클리닝 장치(100)의 내부에 수용된다. 클리닝 챔버(120) 내부에 형성된 클리닝실(122)에는 클리너(140)가 배치된다. 그리고, 클리닝 챔버(120) 상부는 리드(540)에 의해 개폐되도록 클리닝 개구부(124)가 형성된다. 클리닝 개구부(124)로 이동되어 클리닝 개구부(124)를 폐쇄한 리드(540)의 하부면은 클리너(140)에 의해 클리닝 된다. 여기서, 클리너(140)에 의해 클리닝된 잔류물은 클리닝 챔버(120) 하부면에 형성된 배출공(126)으로 배출된다.The cleaning chamber 120 includes a cleaning chamber 122, a cleaning opening 124 (see FIGS. 3A to 3D), and an outlet hole 126. The cleaning chamber 120 is provided in a cylindrical shape corresponding to the shape of the lead 540 (see FIGS. 3A to 3D) of the process chamber 500 (see FIGS. 3A to 3D) to be described later. Of course, the cleaning chamber 120 is accommodated in the cleaning apparatus 100. The cleaner 140 is disposed in the cleaning chamber 122 formed in the cleaning chamber 120. In addition, a cleaning opening 124 is formed in the upper portion of the cleaning chamber 120 to be opened and closed by the lid 540. The lower surface of the lid 540 which is moved to the cleaning opening 124 and closes the cleaning opening 124 is cleaned by the cleaner 140. Here, the residue cleaned by the cleaner 140 is discharged to the discharge hole 126 formed on the lower surface of the cleaning chamber 120.

클리너(140)는 클리닝 챔버(120) 내부에 배치되며 리드(540)의 하부면에 접촉되어 리드(540)의 하부면의 잔류물을 클리닝 하도록 회전 운동된다. 클리너(140)는 본 발명에서 도시되지 않은 모터의 구동력에 의해 회전 운동된다. 클리너(140)는 브러쉬(brush) 재질로 마련되어 클리닝 챔버(120)의 클리닝 개구부(124)를 폐쇄한 리드(540)의 하부면을 클리닝 한다.The cleaner 140 is disposed inside the cleaning chamber 120 and is rotated to contact the lower surface of the lid 540 to clean the residue of the lower surface of the lid 540. The cleaner 140 is rotated by a driving force of a motor not shown in the present invention. The cleaner 140 is made of a brush material to clean the lower surface of the lid 540 closing the cleaning opening 124 of the cleaning chamber 120.

다음으로 도 3A 내지 도 3D는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 작동 구성도이다.3A to 3D are diagrams illustrating a cleaning operation of the cluster apparatus for processing a substrate according to the preferred embodiment of the present invention.

공정장치(300)는 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340)를 포함한다. 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340)는 도 1에 도시된 바와 같이 일 실시 예로서 클리닝 장치(100)를 중심으로 하여 시계 방향으로 배치된다. 즉, 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340)는 사각통 형상의 클리닝 장치(100) 각 변에 배치된다.The processing apparatus 300 includes a first processing apparatus 310, a second processing apparatus 320, a third processing apparatus 330, and a fourth processing apparatus 340. As shown in FIG. 1, the first process apparatus 310, the second process apparatus 320, the third process apparatus 330, and the fourth process apparatus 340 are centered on the cleaning apparatus 100. It is arranged clockwise. That is, the first processing apparatus 310, the second processing apparatus 320, the third processing apparatus 330, and the fourth processing apparatus 340 are disposed on each side of the square cylindrical cleaning device 100.

공정장치(300)의 내부에는 기판의 증착 공정을 위한 공정챔버(500)가 수용된다. 물론, 공정챔버(500)는 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340)에 각각 수용된다.The process chamber 500 for the deposition process of the substrate is accommodated in the process apparatus 300. Of course, the process chamber 500 is accommodated in the first process unit 310, the second process unit 320, the third process unit 330 and the fourth process unit 340, respectively.

공정챔버(500)는 공정장치(300)의 내부에 수용되며 기판에 대한 증착 공정을 수행한다. 공정챔버(500)는 클리닝 챔버(120)와 같이 원통 형상으로 마련된 챔버(520)와 챔버(520)의 상부에 배치되는 리드(540)를 포함한다. 챔버(520)에는 내부에 기판의 증착 공정이 이루어지는 공정실(522)과 기판이 인출입 됨과 더불어 리드(540)에 의해 개폐되는 개구부(524)가 형성되어 있다. 챔버(520)의 내부 공정실(522)에는 본 발명에 도시되지 않은 서셉터 등이 수용된다.The process chamber 500 is accommodated in the process apparatus 300 and performs a deposition process on the substrate. The process chamber 500 includes a chamber 520 provided in a cylindrical shape, such as the cleaning chamber 120, and a lead 540 disposed above the chamber 520. The chamber 520 is provided with a process chamber 522 through which a substrate deposition process is performed and an opening 524 opened and closed by the lid 540 while the substrate is drawn in and out. The internal process chamber 522 of the chamber 520 accommodates a susceptor or the like not shown in the present invention.

리드(540)는 챔버(520)의 개구부(524) 또는 클리닝 챔버(120)의 클리닝 개구부(124)를 개폐하도록 마련된다. 리드(540)는 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340)에 각각 수용된 챔버(520)에 각각 대응되도록 마련된다. 리드(540)는 공정장치(300)에서 기판이 공정되는 공정위치와 클리닝 장치(100)에서 클리닝 되는 클리닝 위치 사이에서 왕복 이동된다. 즉, 리드(540)는 공정장치(300)에서 기판의 증착 공정이 끝난 후, 클리닝 위치인 클리닝 장치(100)로 슬라이딩 이동된다. 이렇게 리드(540)는 클리닝 위치로 이동되어 클리너(140)에 의해 하부면이 클리닝 될 수 있다.The lid 540 is provided to open and close the opening 524 of the chamber 520 or the cleaning opening 124 of the cleaning chamber 120. The lead 540 is provided to correspond to the chambers 520 respectively accommodated in the first processing device 310, the second processing device 320, the third processing device 330, and the fourth processing device 340. The lid 540 is reciprocated between a process position where the substrate is processed in the processing apparatus 300 and a cleaning position cleaned by the cleaning apparatus 100. That is, the lid 540 is slid and moved to the cleaning apparatus 100 which is a cleaning position after the deposition process of the substrate is finished in the processing apparatus 300. In this way, the lid 540 is moved to the cleaning position so that the lower surface may be cleaned by the cleaner 140.

한편, 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340)에 각각 배치된 리드(540)들은 순차적으로 클리닝 장치(100)로 이동되어 클리닝 될 수 있다. 물론, 리드(540)는 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340) 순으로 클리닝을 위해 클리닝 장치(100)로 이동될 수 있다. 또한, 리드(540)는 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340) 중 기판의 증착 공정이 끝난 어느 하나로부터 클리닝 장치(100)로 이동되어 클리닝 될 수 있다.Meanwhile, the leads 540 disposed in the first processing device 310, the second processing device 320, the third processing device 330, and the fourth processing device 340, respectively, are sequentially transferred to the cleaning device 100. It can be moved and cleaned. Of course, the lid 540 moves to the cleaning apparatus 100 for cleaning in the order of the first processing apparatus 310, the second processing apparatus 320, the third processing apparatus 330, and the fourth processing apparatus 340. Can be. In addition, the lid 540 may be a cleaning apparatus from any one of the first process apparatus 310, the second process apparatus 320, the third process apparatus 330, and the fourth process apparatus 340 after the substrate deposition process is completed. It can be moved to 100 and cleaned.

이러한 리드(540)의 왕복 이동에 따라 기판 증착 공정이 종료된 공정장치(300)의 내부에 기판을 인출입할 수 있음과 더불어 클리닝이 수행되므로, 기판 처리용 클러스터 장치(10)의 증착 공정 효율과 함께 클리닝 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In accordance with the reciprocating movement of the lead 540, the substrate may be taken out and removed in the process apparatus 300 in which the substrate deposition process is completed, and the cleaning is performed. Thus, the deposition process efficiency of the substrate processing cluster apparatus 10 may be improved. In addition, there is an advantage that can improve the cleaning efficiency.

이러한 구성에 의해 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 기판 처리용 클러스터 장치(10)의 클리닝 방법에 대해 도 3A 내지 도 3D를 참조하여 이하에서 살펴보면 다음과 같다.With this configuration, the cleaning method of the cluster apparatus 10 for substrate processing according to an exemplary embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 3A to 3D.

우선, 도 3A에 도시된 바와 같이, 공정장치(300)의 챔버(520) 내부에서 기판 증착 공정이 종료된 후, 공정위치에 있던 리드(540)를 상승시킨다. 그리고, 도 3B에 도시된 바와 같이, 공정위치에 있던 리드(540)를 클리닝 위치로 이동시켜 클리닝 챔버(120)의 클리닝 개구부(124)를 폐쇄한다. 이때, 리드(540)에 의해 개방된 챔버(520)의 개구부(524)를 통해 증착 공정된 기판을 인출하고 증착이 요구되는 기판을 인입한다. 클리닝 위치로 이동된 리드(540) 하부면의 잔류물을 클리닝 하도록 리드(540) 하부면에 클리너(140)를 접촉 시켜 회전 운동시킨다. 그러면, 클리너(140)에 의해 클리닝된 잔류물은 클리닝 챔버(120) 하부면에 형성된 배출공(126)으로 배출된다.First, as shown in FIG. 3A, after the substrate deposition process is completed in the chamber 520 of the process apparatus 300, the lid 540 at the process position is raised. As shown in FIG. 3B, the lid 540 at the process position is moved to the cleaning position to close the cleaning opening 124 of the cleaning chamber 120. At this time, through the opening 524 of the chamber 520 opened by the lid 540, the substrate subjected to the deposition process is taken out and the substrate to which deposition is required is introduced. The cleaner 140 is brought into contact with the lower surface of the lid 540 to rotate the residue to clean the residue of the lower surface of the lid 540 moved to the cleaning position. Then, the residue cleaned by the cleaner 140 is discharged to the discharge hole 126 formed in the lower surface of the cleaning chamber 120.

다음으로 도 3C에 도시된 바와 같이, 리드(540)의 클리닝 공정이 종료된 후, 리드(540)를 상승시켜 클리닝 개구부(124)를 개방한다. 그리고, 도 3D에 도시된 바와 같이, 클리닝 위치의 리드(540)를 공정위치로 이동시켜 챔버(520)의 개구부(524)를 폐쇄한다. 챔버(520)의 개구부(524)를 폐쇄한 후 기판 증착 공정을 수행한다.Next, as shown in FIG. 3C, after the cleaning process of the lid 540 is completed, the lid 540 is raised to open the cleaning opening 124. 3D, the lid 540 in the cleaning position is moved to the process position to close the opening 524 of the chamber 520. After the opening 524 of the chamber 520 is closed, a substrate deposition process is performed.

이러한 증착 공정 및 클리닝 공정은 리드(540)의 왕복 이동에 의해 이루어지며, 제1공정장치(310), 제2공정장치(320), 제3공정장치(330) 및 제4공정장치(340)의 각각의 리드(540)는 증착 공정이 끝난 후 클리닝 장치(100)로 이동되어 클리닝될 수 있다.The deposition process and the cleaning process are performed by the reciprocating movement of the lead 540, the first process unit 310, the second process unit 320, the third process unit 330 and the fourth process unit 340 Each lead 540 may be moved to the cleaning apparatus 100 and cleaned after the deposition process is completed.

이에, 클리닝 장치와 공정장치 사이에서 리드를 왕복 이동 시켜 클리닝 및 기판의 처리 공정을 수행하여 공정장치에 대한 클리닝 시간을 단축시킬 수 있고, 이에 따라 제품 생산 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the lid may be reciprocated between the cleaning apparatus and the processing apparatus to perform the cleaning and processing of the substrate to shorten the cleaning time for the processing apparatus, thereby improving product production efficiency.

또한, 공정장치에서 기판 처리 공정을 위한 리드를 클리닝 장치로 이동시킬 수 있으므로 클리닝 장치의 외부면 전체에 각각 공정장치를 연접 배치할 수 있고, 이에 따라 제품 생산 사이클을 단축시킬 수 있다.In addition, since the lid for the substrate processing process can be moved from the processing apparatus to the cleaning apparatus, the processing apparatus may be disposed on the entire outer surface of the cleaning apparatus, thereby shortening the product production cycle.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징들이 변경되지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, . Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

10: 기판 처리용 클러스터 장치 100: 클리닝 장치
120: 클리닝 챔버 122: 클리닝실
124: 클리닝 개구부 126: 배출공
300: 공정장치 310: 제1공정장치
320: 제2공정장치 330: 제3공정장치
340: 제4공정장치 500: 공정챔버
520: 챔버 522: 공정실
524: 개구부 540: 리드10: cluster device for substrate processing 100: cleaning device
120: cleaning chamber 122: cleaning chamber
124: cleaning opening 126: discharge hole
300: process equipment 310: first process equipment
320: second process equipment 330: third process equipment
340: fourth process equipment 500: process chamber
520: chamber 522: process chamber
524: opening 540: lead

Claims (7)

기판 처리용 클러스터 장치에 있어서,
클리닝 장치와;
상기 클리닝 장치에 연접하며, 기판이 처리되는 공정실이 형성된 챔버 및 상기 기판이 인출입되도록 상기 챔버의 상부를 개폐하는 리드가 구비된 공정챔버를 갖는 적어도 하나의 공정장치를 포함하며,
상기 리드는 상기 공정장치에서 상기 기판이 공정되는 공정위치와 상기 클리닝 장치에서 클리닝 되는 클리닝 위치 사이에서 왕복 이동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치.In the cluster apparatus for substrate processing,
A cleaning device;
At least one process apparatus connected to the cleaning apparatus, the process chamber having a chamber in which a process chamber in which a substrate is processed is formed, and a process chamber having a lid configured to open and close the upper portion of the chamber so that the substrate is drawn in and out;
And the lid is reciprocated between a process position where the substrate is processed in the processing apparatus and a cleaning position cleaned by the cleaning apparatus. 제1항에 있어서,
상기 클리닝 장치는,
상기 리드의 상기 클리닝 위치에서 상기 리드에 의해 밀폐되며, 상기 리드의 하부면의 잔류물을 배출하는 배출공이 형성된 클리닝 챔버와;
상기 클리닝 챔버 내부에 배치되며, 상기 리드의 하부면에 접촉되어 상기 리드의 하부면의 잔류물을 클리닝 하도록 회전 운동되는 클리너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치.The method of claim 1,
The cleaning device,
A cleaning chamber sealed by the lid at the cleaning position of the lid, the cleaning chamber having a discharge hole for discharging a residue of the lower surface of the lid;
And a cleaner disposed in the cleaning chamber, the cleaner being in contact with a lower surface of the lid and rotatably moving to clean the residue of the lower surface of the lid. 제2항에 있어서,
상기 리드는 상기 공정위치에서 상기 챔버를 밀폐하도록 상기 챔버의 개구를 폐쇄하고, 상기 클리닝 위치에서 상기 클리닝 챔버를 밀폐하도록 상기 클리닝 챔버의 개구를 폐쇄하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치.3. The method of claim 2,
And the lid closes the opening of the chamber to seal the chamber at the processing position and closes the opening of the cleaning chamber to seal the cleaning chamber at the cleaning position. 제1항에 있어서,
상기 클리닝 장치는 장방형으로 마련되며,
상기 공정장치는 장방형 형상의 상기 클리닝 장치에 각 변에 연접하도록 4개가 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치.The method of claim 1,
The cleaning device is provided in a rectangular shape,
The apparatus for processing a cluster of substrates is characterized in that four processing apparatuses are provided to be connected to each side of the cleaning device having a rectangular shape. 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 방법에 있어서,
상기 기판 처리용 클러스터 장치는 클리닝 챔버를 갖는 클리닝 장치와, 상기 클리닝 장치에 연접하며 챔버 및 상기 챔버를 개폐하는 리드가 구비된 공정챔버를 갖는 적어도 하나의 공정장치를 포함하며,
(a) 상기 공정장치에서 기판의 공정 처리 후, 상기 공정챔버의 상기 리드로 상기 챔버를 개방하는 단계와;
(b) 상기 리드를 상기 클리닝 장치로 이동하는 단계와;
(c) 상기 클리닝 챔버의 개구를 상기 리드로 폐쇄하는 단계와;
(d) 상기 리드의 하부면을 클리닝 하는 단계와;
(e) 상기 (d)단계에서 클리닝된 상기 리드를 상기 공정장치로 이동시킨 후, 상기 리드로 상기 챔버의 개구를 폐쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 방법.In the cleaning method of the cluster apparatus for substrate processing,
The substrate processing cluster apparatus includes at least one processing apparatus having a cleaning apparatus having a cleaning chamber, and a processing chamber connected to the cleaning apparatus and having a chamber and a lid configured to open and close the chamber.
(a) opening the chamber to the lid of the process chamber after processing the substrate in the process apparatus;
(b) moving the lid to the cleaning device;
(c) closing the opening of the cleaning chamber with the lid;
(d) cleaning the lower surface of the lid;
(e) moving the lid cleaned in step (d) to the processing apparatus, and then closing the opening of the chamber with the lid. 제5항에 있어서,
상기 클리닝 장치는 상기 클리닝 챔버 내부에 배치되는 클리너를 더 포함하며,
상기 (d)단계는 상기 클리너를 회전시켜 상기 리드 하부면의 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 방법.The method of claim 5,
The cleaning device further includes a cleaner disposed inside the cleaning chamber,
In the step (d), the cleaning method of the cluster apparatus for processing a substrate, characterized in that to remove the residue on the lower surface of the lid by rotating the cleaner. 제6항에 있어서,
상기 클리닝 챔버의 하부에는 상기 리드의 잔류물을 배출하는 배출공이 형성되며,
상기 (d) 단계에서 클리닝된 잔류물은 상기 배출공으로 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 클러스터 장치의 클리닝 방법.The method according to claim 6,
A discharge hole for discharging the residue of the lid is formed in the lower portion of the cleaning chamber,
And the residue cleaned in the step (d) is discharged to the discharge hole.
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